KR102338157B1 - 도금 장치, 프리웨트 처리 방법 및 세정 처리 방법 - Google Patents

도금 장치, 프리웨트 처리 방법 및 세정 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR102338157B1
KR102338157B1 KR1020217034766A KR20217034766A KR102338157B1 KR 102338157 B1 KR102338157 B1 KR 102338157B1 KR 1020217034766 A KR1020217034766 A KR 1020217034766A KR 20217034766 A KR20217034766 A KR 20217034766A KR 102338157 B1 KR102338157 B1 KR 102338157B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plating
module
nozzles
module body
Prior art date
Application number
KR1020217034766A
Other languages
English (en)
Inventor
샤오 후아 장
마사야 세키
Original Assignee
가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 filed Critical 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Application granted granted Critical
Publication of KR102338157B1 publication Critical patent/KR102338157B1/ko

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/08Rinsing
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/001Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/10Agitating of electrolytes; Moving of racks
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/04Electroplating with moving electrodes
    • C25D5/06Brush or pad plating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/08Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D5/00Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
    • C25D5/48After-treatment of electroplated surfaces
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/02Tanks; Installations therefor
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D17/00Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
    • C25D17/06Suspending or supporting devices for articles to be coated
    • C25D17/08Supporting racks, i.e. not for suspending
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D21/00Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
    • C25D21/12Process control or regulation
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C25ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25DPROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D7/00Electroplating characterised by the article coated
    • C25D7/12Semiconductors
    • C25D7/123Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroplating Methods And Accessories (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)

Abstract

도금 장치의 소형화를 도모할 수 있는 기술을 제공한다.
도금 장치는, 토출 모듈(50)을 구비하고, 토출 모듈은, 처리액을 상방을 향해 토출하는 복수의 노즐(52)을 갖는 모듈 본체(51)와, 도금조의 옆에 배치됨과 함께 모듈 본체에 접속된 회전축(61)을 갖고, 회전축이 회전함으로써 모듈 본체를 이동시키는 이동 기구(60)를 구비하고, 이동 기구는 제1 위치와 제2 위치 사이에서 모듈 본체를 이동시키고, 복수의 노즐은, 모듈 본체가 제2 위치로 이동한 경우에 있어서 복수의 노즐로부터 토출된 처리액이 기판의 하면의 중심부로부터 외주연부에 걸쳐 맞닿도록 배치되고, 모듈 본체는, 복수의 노즐로부터 토출되어 기판의 하면에 맞닿은 후에 낙하한 처리액을 회수하도록 구성된 회수 부재를 더 구비한다.

Description

도금 장치, 프리웨트 처리 방법 및 세정 처리 방법
본 발명은, 도금 장치, 프리웨트 처리 방법 및 세정 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 기판에 도금을 실시하는 것이 가능한 도금 장치로서, 이른바 컵식의 도금 장치가 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 이러한 도금 장치는, 애노드가 배치된 도금조와, 애노드보다 상방에 배치되어 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 기판 홀더를 회전시키는 회전 기구를 구비하고 있다.
또한, 종래, 기판에 도금이 실시되기 전에(즉, 도금 처리의 실행 전에), 소정의 처리액으로 기판을 적시는 프리웨트 처리를 실행하거나, 도금 처리의 실행 후에, 소정의 처리액으로 기판을 세정하는 세정 처리를 실행하거나 하는 것이 행해지고 있다(예를 들어, 특허문헌 2 참조). 구체적으로는, 이 특허문헌 2에는, 도금조, 기판 홀더 및 회전 기구를 갖고 도금 처리를 실행하는 도금 모듈과, 프리웨트 처리를 실행하는 프리웨트 모듈과, 세정 처리를 실행하는 세정 모듈을 구비하는 도금 장치가 개시되어 있다.
일본 특허 공개 제2008-19496호 공보 일본 특허 공개 제2020-43333호 공보
근년, 도금 장치의 소형화가 요구되고 있다. 이것에 관하여, 상술한 바와 같은 종래의 도금 장치는, 도금 장치의 소형화의 관점에 있어서 개선의 여지가 있었다.
본 발명은, 상기한 것을 감안하여 이루어진 것이며, 도금 장치의 소형화를 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.
(양태 1)
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 관한 도금 장치는, 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드보다 상방에 배치되어 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 회전시키는 회전 기구를 구비하는 도금 모듈을 갖는 도금 장치이며, 상기 도금 모듈은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면을 향해 소정의 처리액을 토출시키는 토출 모듈을 더 구비하고, 상기 토출 모듈은, 상기 처리액을 상방을 향해 토출하는 복수의 노즐을 갖는 모듈 본체와, 상기 도금조의 옆에 배치됨과 함께 상기 모듈 본체에 접속된 회전축을 갖고, 상기 회전축이 회전함으로써 상기 모듈 본체를 이동시키는 이동 기구를 구비하고, 상기 이동 기구는, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 없는 제1 위치와, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 있으며 또한 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면에 맞닿는 제2 위치 사이에서 상기 모듈 본체를 이동시키고, 상기 복수의 노즐은, 상기 모듈 본체가 상기 제2 위치로 이동한 경우에 있어서 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면의 중심부로부터 외주연부에 걸쳐 맞닿도록 배치되고, 상기 모듈 본체는, 상기 복수의 노즐로부터 토출되어 상기 기판의 하면에 맞닿은 후에 낙하한 상기 처리액을 회수하도록 구성된 회수 부재를 더 구비한다.
이 양태에 의하면, 이동 기구에 의해 모듈 본체를 제1 위치로부터 제2 위치로 이동시키고, 회전 기구에 의해 기판 홀더를 회전시키면서 복수의 노즐로부터 처리액을 토출시킴으로써, 프리웨트 처리를 실행하거나, 세정 처리를 실행하거나 할 수 있다. 따라서, 이 양태에 의하면, 프리웨트 모듈이나 세정 모듈을 도금 모듈과는 별도로 구비하는 일 없이 프리웨트 처리나 세정 처리를 실행할 수 있다. 이에 의해, 프리웨트 모듈이나 세정 모듈을 도금 모듈과는 별도로 구비하는 종래의 도금 장치와 비교하여 도금 장치의 소형화를 도모할 수 있다.
또한, 이 양태에 의하면, 기판의 하면의 중앙부로부터 외주연부에 걸쳐 처리액을 전체적으로 맞닿게 하여, 기판의 하면을 전체적으로 적시거나, 세정하거나 할 수 있다. 또한, 이 양태에 의하면, 낙하한 처리액을 회수 부재에 의해 회수할 수 있으므로, 이 낙하한 처리액이 도금조의 내부로 들어가는 것을 억제할 수 있다.
(양태 2)
상기한 양태 1에 있어서, 상기 모듈 본체는, 평면으로 보아, 상기 회전축으로부터 이격되는 방향으로 연장되어 있고, 상기 복수의 노즐은, 평면으로 보아, 상기 모듈 본체의 연장 방향으로 복수개 배열됨과 함께, 상기 모듈 본체의 연장 방향에 수직인 방향으로도 복수개 배열되어 있어도 된다.
(양태 3)
상기한 양태 1 또는 2에 있어서, 상기 회수 부재는, 상기 모듈 본체의 상면에 형성된 오목부를 구비하고, 상기 복수의 노즐은 상기 오목부에 배치되어 있어도 된다.
(양태 4)
상기한 양태 1 내지 3 중 어느 한 양태에 있어서, 상기 처리액은 순수여도 된다.
(양태 5)
또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 관한 프리웨트 처리 방법은, 상기한 양태 1 내지 4 중 어느 한 양태에 관한 도금 장치를 사용한 프리웨트 처리 방법이며, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면에 도금을 실시하는 도금 처리의 실행 전에, 상기 기판의 하면을 상기 처리액으로 적시는 프리웨트 처리를 실행하는 것을 포함하고, 상기 프리웨트 처리는, 상기 이동 기구에 의해 상기 모듈 본체를 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키고, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 홀더를 회전시키면서 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 것을 포함한다.
이 양태에 의하면, 프리웨트 모듈을 도금 모듈과는 별도로 구비하는 일 없이 프리웨트 처리를 실행할 수 있으므로, 프리웨트 모듈을 도금 모듈과는 별도로 구비하는 종래의 도금 장치와 비교하여 도금 장치의 소형화를 도모할 수 있다.
(양태 6)
상기한 양태 5에 있어서, 상기 도금 장치는, 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 경사 기구를 더 구비하고, 상기 프리웨트 처리는, 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시킬 때, 상기 기판 홀더의 외주연 중, 상기 회전축에 가까운 개소가 상기 회전축으로부터 먼 개소보다 하방에 위치하도록 상기 경사 기구가 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 양태에 의하면, 노즐로부터 토출된 후에 낙하한 처리액이 도금조의 내부로 들어가는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
(양태 7)
또한, 상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태에 관한 세정 처리 방법은, 상기한 양태 1 내지 4 중 어느 한 양태에 관한 도금 장치를 사용한 세정 처리 방법이며, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면에 도금을 실시하는 도금 처리의 실행 후에, 상기 기판의 하면을 상기 처리액으로 세정하는 세정 처리를 실행하는 것을 포함하고, 상기 세정 처리는, 상기 이동 기구에 의해 상기 모듈 본체를 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키고, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 홀더를 회전시키면서 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 것을 포함한다.
이 양태에 의하면, 세정 모듈을 도금 모듈과는 별도로 구비하는 일 없이 세정 처리를 실행할 수 있으므로, 세정 모듈을 도금 모듈과는 별도로 구비하는 종래의 도금 장치와 비교하여 도금 장치의 소형화를 도모할 수 있다.
(양태 8)
상기한 양태 7에 있어서, 상기 도금 장치는, 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 경사 기구를 더 구비하고, 상기 세정 처리는, 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시킬 때, 상기 기판 홀더의 외주연 중, 상기 회전축에 가까운 개소가 상기 회전축으로부터 먼 개소보다 하방에 위치하도록 상기 경사 기구가 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 것을 포함하고 있어도 된다. 이 양태에 의하면, 노즐로부터 토출된 후에 낙하한 처리액이 도금조의 내부로 들어가는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
도 1은 실시 형태에 관한 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 사시도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 도금 장치의 전체 구성을 도시하는 평면도이다.
도 3은 실시 형태에 관한 도금 모듈의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 4의 (A) 및 도 4의 (B)는 실시 형태에 관한 토출 모듈의 모식적 평면 도이다.
도 5는 실시 형태에 관한 토출 모듈의 전체 구성을 도시하는 모식도이다.
도 6은 도 5의 A2-A2선 단면을 모식적으로 도시하는 단면도이다.
도 7은 실시 형태의 변형예 3에 관한 프리웨트 처리 또는 세정 처리의 실행 시에 있어서의 기판 홀더의 주변 구성의 모식도이다.
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태나 실시 형태의 변형예에서는, 동일하거나 또는 대응하는 구성에 대해 동일한 부호를 붙여 설명을 적절하게 생략하는 경우가 있다. 또한, 도면은, 실시 형태의 특징의 이해를 용이하게 하기 위해 모식적으로 도시되어 있으며, 각 구성 요소의 치수 비율 등은 실제의 것과 동일하다고는 할 수 없다. 또한, 몇 개의 도면에는, 참고용으로서 X-Y-Z의 직교 좌표가 도시되어 있다. 이 직교 좌표 중, Z 방향은 상방에 상당하고, -Z 방향은 하방(중력이 작용하는 방향)에 상당한다.
도 1은 본 실시 형태의 도금 장치(1000)의 전체 구성을 도시하는 사시도이다. 도 2는 본 실시 형태의 도금 장치(1000)의 전체 구성을 도시하는 평면도이다. 도 1 및 도 2에 도시하는 바와 같이, 도금 장치(1000)는, 로드 포트(100), 반송 로봇(110), 얼라이너(120), 프리소크 모듈(300), 도금 모듈(400), 스핀 린스 드라이어(600), 반송 장치(700), 및 제어 모듈(800)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 도금 모듈(400)은 토출 모듈(50)을 구비하고 있지만, 도 1에 있어서, 이 토출 모듈(50)의 도시는 생략되어 있다.
로드 포트(100)는, 도금 장치(1000)에 도시되어 있지 않은 FOUP 등의 카세트에 수용된 기판을 반입하거나, 도금 장치(1000)로부터 카세트로 기판을 반출하기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 4대의 로드 포트(100)가 수평 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 로드 포트(100)의 수 및 배치는 임의이다. 반송 로봇(110)은, 기판을 반송하기 위한 로봇이며, 로드 포트(100), 얼라이너(120), 및 반송 장치(700) 사이에서 기판을 주고받도록 구성된다. 반송 로봇(110) 및 반송 장치(700)는, 반송 로봇(110)과 반송 장치(700) 사이에서 기판을 주고받을 때에는, 가배치대(도시하지 않음)를 통해 기판의 주고받음을 행할 수 있다.
얼라이너(120)는, 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞추기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 얼라이너(120)가 수평 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 얼라이너(120)의 수 및 배치는 임의이다.
프리소크 모듈(300)은, 예를 들어 도금 처리 전의 기판의 피도금면에 형성한 시드층 표면 등에 존재하는 전기 저항이 큰 산화막을 황산이나 염산 등의 처리액으로 에칭 제거하여 도금 하지 표면을 세정 또는 활성화하는 프리소크 처리를 실시하도록 구성된다. 본 실시 형태에서는 2대의 프리소크 모듈(300)이 상하 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 프리소크 모듈(300)의 수 및 배치는 임의이다. 도금 모듈(400)은 기판에 도금 처리를 실시한다. 본 실시 형태에서는, 상하 방향으로 3대 또한 수평 방향으로 4대 나란히 배치된 12대의 도금 모듈(400)의 세트가 2개 있어, 합계 24대의 도금 모듈(400)이 마련되어 있지만, 도금 모듈(400)의 수 및 배치는 임의이다.
스핀 린스 드라이어(600)는, 세정 처리 후의 기판을 고속 회전시켜 건조시키기 위한 모듈이다. 본 실시 형태에서는 2대의 스핀 린스 드라이어(600)가 상하 방향으로 나란히 배치되어 있지만, 스핀 린스 드라이어(600)의 수 및 배치는 임의이다. 반송 장치(700)는, 도금 장치(1000) 내의 복수의 모듈 사이에서 기판을 반송하기 위한 장치이다. 제어 모듈(800)은, 도금 장치(1000)의 복수의 모듈을 제어하도록 구성되고, 예를 들어 오퍼레이터와의 사이의 입출력 인터페이스를 구비하는 일반적인 컴퓨터 또는 전용 컴퓨터로 구성할 수 있다.
토출 모듈(50)은, 도금 처리의 실행 전에 있어서의 기판의 하면(피도금면)을 소정의 처리액(PL)으로 적심으로써, 기판 표면에 형성된 패턴 내부의 공기를 처리액(PL)으로 치환하는 프리웨트 처리를 실행하기 위한 모듈이다. 또한, 토출 모듈(50)은, 도금 처리의 실행 후에 기판에 남은 도금액 등을 제거하기 위해, 도금 처리의 실행 후에 있어서의 기판의 하면을 처리액(PL)으로 세정하는 세정 처리를 실행하기 위한 모듈이기도 하다. 이와 같이 본 실시 형태에 관한 토출 모듈(50)은, 프리웨트 모듈 및 세정 모듈로서의 기능을 갖고 있다. 이 토출 모듈(50)의 상세는 후술한다.
도금 장치(1000)에 의한 일련의 도금 처리의 일례를 설명한다. 먼저, 로드 포트(100)에 카세트에 수용된 기판이 반입된다. 계속해서, 반송 로봇(110)은, 로드 포트(100)의 카세트로부터 기판을 빼내어, 얼라이너(120)에 기판을 반송한다. 얼라이너(120)는, 기판의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞춘다. 반송 로봇(110)은, 얼라이너(120)에 의해 방향을 맞춘 기판을 반송 장치(700)로 전달한다.
반송 장치(700)는, 반송 로봇(110)으로부터 수취한 기판을 도금 모듈(400)로 반송한다. 도금 모듈(400)에 있어서, 토출 모듈(50)은 기판에 프리웨트 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 프리웨트 처리가 실시된 기판을 프리소크 모듈(300)로 반송한다. 프리소크 모듈(300)은, 기판에 프리소크 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 프리소크 처리가 실시된 기판을 도금 모듈(400)로 반송한다. 도금 모듈(400)은, 기판에 도금 처리를 실시한다.
이어서, 토출 모듈(50)은, 기판에 세정 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 세정 처리가 실시된 기판을 스핀 린스 드라이어(600)로 반송한다. 스핀 린스 드라이어(600)는, 기판에 건조 처리를 실시한다. 반송 장치(700)는, 건조 처리가 실시된 기판을 반송 로봇(110)으로 전달한다. 반송 로봇(110)은, 반송 장치(700)로부터 수취한 기판을 로드 포트(100)의 카세트로 반송한다. 마지막으로, 로드 포트(100)로부터 기판을 수용한 카세트가 반출된다.
또한, 도 1이나 도 2에서 설명한 도금 장치(1000)의 구성은 일례에 불과하며, 도금 장치(1000)의 구성은, 도 1이나 도 2의 구성에 한정되는 것은 아니다.
계속해서, 도금 모듈(400)에 대해 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)가 갖는 복수의 도금 모듈(400)은 마찬가지의 구성을 갖고 있으므로, 하나의 도금 모듈(400)에 대해 설명한다.
도 3은 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)의 도금 모듈(400)의 구성을 설명하기 위한 도면이다. 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)는, 컵식의 도금 장치이다. 도 3에 예시된 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)의 도금 모듈(400)은, 주로 도금조(10)와, 오버플로조(20)와, 기판 홀더(30)와, 회전 기구(40)와, 승강 기구(45)와, 경사 기구(47)를 구비하고 있다. 또한, 전술한 바와 같이, 도금 모듈(400)은 토출 모듈(50)도 구비하고 있지만, 도 3에 있어서, 이 토출 모듈(50)의 도시는 생략되어 있다. 또한, 도 3에 있어서, 도금조(10), 오버플로조(20) 및 기판 홀더(30)는 모식적으로 단면 도시되어 있다.
본 실시 형태에 관한 도금조(10)는, 상방에 개구를 갖는 바닥이 있는 용기에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 도금조(10)는, 저벽부(10a)와, 이 저벽부(10a)의 외주연으로부터 상방으로 연장되는 외주벽부(10b)를 갖고 있고, 이 외주벽부(10b)의 상부가 개구되어 있다. 또한, 도금조(10)의 외주벽부(10b)의 형상은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에 관한 외주벽부(10b)는 일례로서 원통 형상을 갖고 있다.
도금조(10)의 내부에는 도금액(Ps)이 저류되어 있다. 도금액(Ps)으로서는, 도금 피막을 구성하는 금속 원소의 이온을 포함하는 용액이면 되며, 그 구체예는 특별히 한정되는 것은 아니다. 본 실시 형태에 있어서는, 도금 처리의 일례로서 구리 도금 처리를 사용하고 있고, 도금액(Ps)의 일례로서 황산구리 용액을 사용하고 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 도금액(Ps)에는 소정의 첨가제가 포함되어 있다. 단, 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 도금액(Ps)은 첨가제를 포함하고 있지 않은 구성으로 할 수도 있다.
도금조(10)의 내부에는 애노드(11)가 배치되어 있다. 애노드(11)의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 용해 애노드나 불용해 애노드를 사용할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 애노드(11)의 일례로서 불용해 애노드를 사용하고 있다. 이 불용해 애노드의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 백금이나 산화이리듐 등을 사용할 수 있다.
도금조(10)의 내부에 있어서, 애노드(11)보다 상방에는 격막(12)이 배치되어 있다. 구체적으로는, 격막(12)은, 애노드(11)와 기판(Wf) 사이의 개소에 배치되어 있다. 본 실시 형태에 관한 격막(12)은, 일례로서 보유 지지 부재(10d)를 통해 도금조(10)의 외주벽부(10b)에 접속되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 격막(12)은, 격막(12)의 면 방향이 수평 방향이 되도록 배치되어 있다.
도금조(10)의 내부는, 격막(12)에 의해 상하 방향으로 2분할되어 있다. 격막(12)보다 하방측으로 구획된 영역을 애노드실(13)이라고 칭한다. 격막(12)보다 상방측의 영역을 캐소드실(14)이라고 칭한다. 전술한 애노드(11)는, 애노드실(13)에 배치되어 있다.
격막(12)은, 금속 이온의 통과를 허용하면서, 도금액(Ps)에 포함되는 첨가제의 통과를 억제하는 막으로 구성되어 있다. 즉, 본 실시 형태에 있어서, 캐소드실(14)의 도금액은 첨가제를 포함하고 있지만, 애노드실(13)의 도금액(Ps)은 첨가제를 포함하고 있지 않다. 단, 이 구성에 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 애노드실(13)의 도금액(Ps)도 첨가제를 포함하고 있어도 된다. 그러나 이 경우에 있어서도, 애노드실(13)의 첨가제 농도는 캐소드실(14)의 첨가제 농도보다 낮게 되어 있다. 격막(12)의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니며, 공지의 격막을 사용할 수 있다. 이 격막(12)의 구체예를 들면, 예를 들어 전해 격막을 사용할 수 있고, 이 전해 격막의 구체예로서, 예를 들어 가부시키가이샤 유아사 멤브레인 시스템 제조의 도금용 전해 격막을 사용하거나, 이온 교환막 등을 사용하거나 할 수 있다.
도금조(10)에는, 애노드실(13)에 도금액(Ps)을 공급하기 위한 애노드용 공급구(15)가 마련되어 있다. 또한, 도금조(10)에는, 애노드실(13)의 도금액(Ps)을 애노드실(13)로부터 배출하기 위한 애노드용 배출구(16)가 마련되어 있다. 애노드용 배출구(16)로부터 배출된 도금액(Ps)은, 그 후, 애노드용의 리저버 탱크(도시하지 않음)에 일시적으로 저류된 후에, 애노드용 공급구(15)로부터 애노드실(13)로 다시 공급된다.
도금조(10)에는, 캐소드실(14)에 도금액(Ps)을 공급하기 위한 캐소드용 공급구(17)가 마련되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 도금조(10)의 외주벽부(10b)에 있어서의 캐소드실(14)에 대응하는 부분의 일부에는, 도금조(10)의 중심측으로 돌출된 돌출부(10c)가 마련되어 있고, 이 돌출부(10c)에 캐소드용 공급구(17)가 마련되어 있다.
오버플로조(20)는, 도금조(10)의 외측에 배치된, 바닥이 있는 용기에 의해 구성되어 있다. 오버플로조(20)는, 도금조(10)의 외주벽부(10b)의 상단을 넘은 도금액(Ps)(즉, 도금조(10)로부터 오버플로한 도금액(Ps))을 일시적으로 저류하기 위해 마련된 조이다. 캐소드용 공급구(17)로부터 캐소드실(14)로 공급된 도금액(Ps)은, 오버플로조(20)에 유입된 후에, 오버플로조(20)용의 배출구(도시하지 않음)로부터 배출되어, 캐소드용의 리저버 탱크(도시하지 않음)에 일시적으로 저류된다. 그 후, 도금액(Ps)은, 캐소드용 공급구(17)로부터 캐소드실(14)로 다시 공급된다.
본 실시 형태에 있어서의 캐소드실(14)에는, 다공질의 저항체(18)가 배치되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 저항체(18)는 돌출부(10c)의 상단부 근방 개소에 마련되어 있다. 저항체(18)는, 복수의 구멍(세공)을 갖는 다공성의 판 부재에 의해 구성되어 있다. 저항체(18)는, 애노드(11)와 기판(Wf) 사이에 형성되는 전기장의 균일화를 도모하기 위해 마련되어 있는 부재이다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 애노드실(13)에는, 애노드 마스크(19)가 배치되어 있다. 본 실시 형태에 관한 애노드 마스크(19)는, 격막(12)의 하면에 애노드 마스크(19)의 상면이 접촉하도록 배치되어 있다. 단, 애노드 마스크(19)의 배치 개소는 애노드실(13)이면 되고, 도 3에 도시하는 개소에 한정되는 것은 아니다. 다른 예를 들면, 애노드 마스크(19)는, 격막(12)과의 사이에 공간을 갖도록 격막(12)보다 하방측의 개소에 배치되어 있어도 된다. 애노드 마스크(19)는, 애노드(11)와 기판(Wf) 사이를 흐르는 전기가 통과하는 개구(19a)를 갖고 있다.
기판 홀더(30)는, 캐소드로서의 기판(Wf)을 보유 지지하기 위한 부재이다. 기판(Wf)의 하면(Wfa)은 피도금면에 상당한다. 기판 홀더(30)는, 회전 기구(40)에 접속되어 있다. 회전 기구(40)는, 기판 홀더(30)를 회전시키기 위한 기구이다. 회전 기구(40)로서는, 회전 모터 등의 공지의 기구를 사용할 수 있다. 회전 기구(40)는 승강 기구(45)에 접속되어 있다. 승강 기구(45)는, 상하 방향으로 연장되는 지지축(46)에 의해 지지되어 있다. 승강 기구(45)는, 기판 홀더(30), 회전 기구(40) 및 경사 기구(47)를 상하 방향으로 승강시키기 위한 기구이다. 승강 기구(45)로서는, 직동식의 액추에이터 등의 공지의 승강 기구를 사용할 수 있다. 경사 기구(47)는, 기판 홀더(30) 및 회전 기구(40)를 경사지게 하기 위한 기구이다. 경사 기구(47)로서는, 피스톤·실린더 등의 공지의 경사 기구를 사용할 수 있다.
도금 처리를 실행할 때에는, 회전 기구(40)가 기판 홀더(30)를 회전시킴과 함께, 승강 기구(45)가 기판 홀더(30)를 하방으로 이동시켜, 기판(Wf)을 도금조(10)의 도금액(Ps)에 침지시킨다. 이어서, 통전 장치에 의해, 애노드(11)와 기판(Wf) 사이에 전기가 흐른다. 이에 의해, 기판(Wf)의 하면(Wfa)에, 도금 피막이 형성된다(즉, 도금 처리가 실시됨).
도금 모듈(400)의 동작은, 제어 모듈(800)에 의해 제어되고 있다. 제어 모듈(800)은, 마이크로컴퓨터를 구비하고 있고, 이 마이크로컴퓨터는, 프로세서로서의 CPU(Central Processing Unit)(801)나, 비일시적인 기억 매체로서의 기억부(802) 등을 구비하고 있다. 제어 모듈(800)에 있어서는, 기억부(802)에 기억된 프로그램의 지령에 기초하여 CPU(801)가 도금 모듈(400)의 동작을 제어한다.
또한, 본 실시 형태에 있어서는, 하나의 제어 모듈(800)이, 도금 모듈(400)의 피제어부를 통합적으로 제어하는 제어 장치로서 기능하고 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 제어 모듈(800)은, 복수의 제어 장치를 구비하고, 이 복수의 제어 장치가, 각각 도금 모듈(400)의 각각의 피제어부를 개별로 제어해도 된다.
계속해서, 토출 모듈(50)의 상세에 대해 설명한다. 도 4의 (A) 및 도 4의 (B)는, 토출 모듈(50)의 모식적 평면도이다. 구체적으로는, 도 4의 (A)는 토출 모듈(50)의 후술하는 모듈 본체(51)가 제1 위치에 있는 상태를 도시하고, 도 4의 (B)는 모듈 본체(51)가 제2 위치에 있는 상태를 도시하고 있다. 또한, 도 4의 (A) 및 도 4의 (B)에서는, 토출 모듈(50) 외에 도금조(10)도 도시되어 있지만, 이 도금조(10)의 내부 구성의 도시는 생략되어 있다. 또한, 도 5는 토출 모듈(50)의 전체 구성을 도시하는 모식도이다. 또한, 도 5에 있어서, 토출 모듈(50)의 모듈 본체(51) 및 회전축(61)은, 도 4의 (B)의 A1-A1선 단면이 모식적으로 도시되어 있다. 또한, 도 5에 있어서, 도금조(10)의 도시는 생략되고, 이 대신에 기판 홀더(30)나 회전 기구(40)가 도시되어 있다. 도 6은 도 5의 A2-A2선 단면을 모식적으로 도시하는 단면도이다. 이들 도면을 참조하면서 토출 모듈(50)에 대해 설명하면 다음과 같아진다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 토출 모듈(50)은 주로 모듈 본체(51)와, 이동 기구(60)와, 펌프(펌프(70a) 및 펌프(70b))와, 리저버 탱크(리저버 탱크(71a) 및 리저버 탱크(71b))와, 배관(배관(72a) 및 배관(72b))을 구비하고 있다.
도 4의 (A) 및 도 4의 (B)에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 모듈 본체(51)는, 일례로서, 평면으로 보아(상면으로 보아), 후술하는 회전축(61)으로부터 이격되는 방향으로 연장되는 형상을 갖고 있다. 구체적으로는, 모듈 본체(51)는, 회전축(61)으로부터 이격되는 방향을 긴 변으로 하고, 이것에 수직인 방향을 짧은 변으로 하는 직사각형의 형상을 갖고 있다. 도 4의 (A), 도 4의 (B), 도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 모듈 본체(51)는, 처리액(PL)을 상방을 향해 토출하는 적어도 하나의 노즐(52)을 구비하고 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 모듈 본체(51)는, 회수 부재(53)도 구비하고 있다.
구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 노즐(52)의 개수는 복수이다. 이 구체예로서, 본 실시 형태에 관한 복수의 노즐(52)은, 모듈 본체(51)의 연장 방향(긴 쪽 방향)으로 복수개(일례로서 5개) 배열됨과 함께, 이 연장 방향에 수직인 방향(짧은 쪽 방향)(또는 폭 방향))으로도 복수개(일례로서 2개) 배열되어 있다. 구체적으로는, 이 짧은 쪽 방향으로 배열된 2개의 노즐(52)은, 도 6에 도시하는 바와 같이, 모듈 본체(51)를 짧은 쪽 방향으로 절단한 단면으로 보아, 후술하는 오목부(54)의 중심 축선 XL을 사이에 두고 한쪽 측과 다른 쪽 측에 각각 1개씩 배열되어 있다. 이 결과, 본 실시 형태에 관한 복수의 노즐(52)의 개수는, 합계로 10개이다. 단, 노즐(52)의 개수는 이것에 한정되는 것은 아니며, 10개보다 적어도 되고, 많아도 된다.
도 5를 참조하여, 본 실시 형태에 있어서, 복수의 노즐(52)은 모듈 본체(51)가 후술하는 제2 위치에 있는 경우에 있어서 노즐(52)로부터 토출된 처리액(PL)이, 기판(Wf)의 하면(Wfa)의 중앙부로부터 외주연부에 걸쳐 맞닿도록 그 배치 개소가 설정되어 있다. 또한, 각각의 노즐(52)은, 처리액(PL)을 상방을 향해, 광각으로(즉, 부채 형상으로) 분사하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 각각의 노즐(52)은, 처리액(PL)을 광각으로 분사하는 토출구를 갖고 있고, 이 토출구로부터 처리액(PL)이 상방을 향해 광각으로 분사된다.
노즐(52)로부터 토출되는 처리액(PL)으로서는, 프리웨트 처리나 세정 처리를 실행 가능한 액체이면 되고, 그 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 본 실시 형태에서는, 구체예로서 순수를 사용하고 있다. 이 순수로서는, 예를 들어 전기 저항률이 「0.1(MΩ·cm)」 이상인 것을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 이 순수로서, 공기가 탈기된 순수(즉, 탈기 순수)를 사용해도 되고, 탈기되어 있지 않은 순수를 사용해도 되고, 혹은 이온이 제거된 순수(즉, 탈이온수)를 사용해도 된다.
도 4의 (A) 및 도 4의 (B)를 참조하여, 이동 기구(60)는, 모듈 본체(51)를 이동시키기 위한 기구이다. 구체적으로는, 이동 기구(60)는, 모듈 본체(51)를, 이 모듈 본체(51)가 기판(Wf)과 애노드(11) 사이에 없는 「제1 위치(도 4의 (A))」와, 모듈 본체(51)가 기판(Wf)과 애노드(11) 사이에 있으며, 또한 노즐(52)로부터 토출된 처리액(PL)이 기판(Wf)의 하면(Wfa)에 맞닿는 「제2 위치(도 4의 (B))」 사이에서 이동시키도록 구성되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 이 제2 위치는, 구체적으로는 노즐(52)이 기판(Wf)의 하면(Wfa)의 바로 아래에 위치하는 위치이고, 바꾸어 말하면 노즐(52)이 기판(Wf)의 하면(Wfa)에 대향하는 위치이기도 하다.
도 5에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 이동 기구(60)는, 회전축(61)과 액추에이터(62)를 구비하고 있다. 회전축(61)은, 도금조(10)의 옆에 배치되어 있다. 또한, 회전축(61)은 모듈 본체(51)에 접속되어 있다. 액추에이터(62)는 회전축(61)을 구동하기 위한 장치이다. 도 5에 있어서, 회전축(61)은 Z축을 중심으로 회전한다. 액추에이터(62)에 의해 구동된 회전축(61)이 회전함으로써, 모듈 본체(51)는 제1 위치와 제2 위치 사이를 이동한다. 액추에이터(62)로서는, 예를 들어 한쪽의 회전 방향 및 다른 쪽의 회전 방향으로 회전하는 것이 가능한 모터(즉, 정전 및 역전하는 것이 가능한 모터) 등을 구비하는, 공지의 액추에이터를 사용할 수 있다. 액추에이터(62)의 동작은, 제어 모듈(800)이 제어하고 있다.
본 실시 형태에 관한 모듈 본체(51)의 내부, 및 회전축(61)의 내부에는, 공급 유로(73) 및 배출 유로(74)가 마련되어 있다. 또한, 공급 유로(73) 및 배출 유로(74)는, 회전축(61)의 내부를 통과하는 것이 아니라, 회전축(61)의 외측을 통과하여 후술하는 배관(배관(72a), 배관(72b))에 접속해도 된다. 공급 유로(73)는, 노즐(52)에 공급되는 처리액(PL)이 유통하기 위한 유로이다. 배출 유로(74)는, 후술하는 회수 부재(53)에 의해 회수된 처리액(PL)이 유통하기 위한 유로이다.
공급 유로(73)는, 배관(72a)을 통해 리저버 탱크(71a)에 연통되어 있다. 리저버 탱크(71a)에는 처리액(PL)이 저류되어 있다. 배관(72a)에는 펌프(70a)가 배치되어 있다. 제어 모듈(800)의 지령을 받아 펌프(70a)가 구동한 경우, 리저버 탱크(71a)에 저류된 처리액(PL)은 펌프(70a)에 의해 흡입해 올려져, 배관(72a) 및 공급 유로(73)를 유통하여 노즐(52)로부터 토출된다. 배출 유로(74)는, 배관(72b)을 통해 리저버 탱크(71b)에 연통되어 있다. 배관(72b)에는 펌프(70b)가 접속되어 있다.
도 4의 (B), 도 5 및 도 6을 참조하여, 회수 부재(53)는, 복수의 노즐(52)로부터 토출되어 기판(Wf)의 하면(Wfa)에 맞닿은 후에 낙하한 처리액(PL)을 회수하도록 구성된 부위이다. 이와 같이, 본 실시 형태에 따르면, 복수의 노즐(52)로부터 상방을 향해 토출된 후에 낙하한 처리액(PL)을 회수 부재(53)에 의해 회수할 수 있으므로, 이 낙하한 처리액(PL)이 도금조(10)의 내부로 들어가는 것을 억제할 수 있다.
구체적으로는, 도 6에 도시하는 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 회수 부재(53)는, 모듈 본체(51)의 상면(51a)에 형성된 오목부(54)에 의해 구성되어 있다. 또한, 이 오목부(54)의 저부의 중심부에는 홈(55)이 마련되어 있고, 이 홈(55)에, 전술한 배출 유로(74)가 배치되어 있다. 배출 유로(74)에는, 회수 부재(53)의 오목부(54)에 회수된 처리액(PL)이 배출 유로(74)에 유입되기 위한 흡입구(도시하지 않음)가 마련되어 있다. 이 흡입구의 구체적인 형성 개소는 특별히 한정되는 것은 아니며, 예를 들어 배출 유로(74)의 상류측 단부여도 되고, 배출 유로(74)의 측면(배출 유로(74)를 구성하는 배관의 측면)이어도 된다.
제어 모듈(800)의 지령을 받아 펌프(70b)가 구동함으로써 배출 유로(74)의 내부가 부압이 된 경우, 회수 부재(53)에 의해 회수된 처리액(PL)은, 이 흡입구로부터 배출 유로(74)에 유입되고, 그 후, 배관(72b)을 유통하여 리저버 탱크(71b)에 저류된다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 모듈 본체(51)의 복수의 노즐(52)은, 오목부(54)에 배치되어 있다. 이에 의해, 복수의 노즐(52)로부터 토출된 후에 낙하한 처리액(PL)을, 오목부(54)에 의해 효과적으로 회수할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 있어서, 오목부(54)의 중심 축선 XL을 사이에 두고 한쪽 측에 배치된 노즐(52)과 다른 쪽 측에 배치된 노즐(52)은 각각, 처리액(PL)을 상방측 또한 오목부(54)의 중심측을 향해 토출하고 있다. 이에 의해, 복수의 노즐(52)로부터 토출되어 기판(Wf)의 하면(Wfa)에 맞닿은 처리액(PL)을, 오목부(54)의 중심측을 향해 낙하시키는 것을 용이하게 할 수 있다. 이 점에 있어서도, 처리액(PL)을 오목부(54)에 의해 효과적으로 회수할 수 있다.
계속해서, 본 실시 형태에 관한 프리웨트 처리 시 및 세정 처리 시에 있어서의 도금 장치(1000)의 동작에 대해 설명한다. 즉, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1000)를 사용한 프리웨트 처리 방법이나 세정 처리 방법에 대해 설명한다.
먼저, 제어 모듈(800)은, 통상 시에 있어서는, 모듈 본체(51)를 제1 위치로 이동시키고 있다(도 4의 (A)). 프리웨트 처리를 실행하는 경우, 제어 모듈(800)은, 이동 기구(60)를 제어함으로써, 회전축(61)을 회전시켜 모듈 본체(51)를 제2 위치로 이동시킨다(도 4의 (B)). 이어서, 제어 모듈(800)은, 회전 기구(40)를 제어하여 기판 홀더(30)를 회전시킴과 함께, 펌프(70a)를 구동시켜 노즐(52)로부터 처리액(PL)을 토출시킨다. 또한, 제어 모듈(800)은, 펌프(70a)의 구동과 동시에 펌프(70b)도 구동시킴으로써, 회수 부재(53)에 회수된 처리액(PL)을 리저버 탱크(71b)로 복귀시킨다.
기판 홀더(30)가 회전하면서, 노즐(52)로부터 처리액(PL)이 토출됨으로써, 기판 홀더(30)에 보유 지지된 기판(Wf)의 하면(Wfa)에 처리액(PL)을 전체적으로 부착시켜, 기판(Wf)의 하면(Wfa)을 전체적으로 처리액(PL)으로 적실 수 있다. 이상과 같이 프리웨트 처리가 실행된다.
프리웨트 처리의 종료 후에, 제어 모듈(800)은, 회전 기구(40)에 의한 기판 홀더(30)의 회전을 정지시킴과 함께, 펌프(70a) 및 펌프(70b)를 정지시킨다. 펌프(70a)가 정지함으로써 노즐(52)로부터의 처리액(PL)의 토출이 정지되고, 펌프(70b)가 정지함으로써 회수 부재(53)에 의한 처리액(PL)의 회수도 정지된다. 이어서, 제어 모듈(800)은, 회전축(61)을 회전시켜 모듈 본체(51)를 제1 위치로 이동시킨다.
제어 모듈(800)은 도금 처리의 실행 후에 행해지는 세정 처리의 실행 시에 있어서도, 상술한 프리웨트 처리의 경우와 마찬가지의 제어를 행한다. 구체적으로는, 제어 모듈(800)은, 이동 기구(60)를 제어함으로써 회전축(61)을 회전시켜 모듈 본체(51)를 제2 위치로 이동시킨다. 이어서, 제어 모듈(800)은, 회전 기구(40)를 제어하여 기판 홀더(30)를 회전시킴과 함께, 펌프(70a)를 구동시켜 노즐(52)로부터 처리액(PL)을 토출시킨다. 또한, 제어 모듈(800)은, 펌프(70a)의 구동과 동시에 펌프(70b)도 구동시킴으로써, 회수 부재(53)에 회수된 처리액(PL)을 리저버 탱크(71b)로 복귀시킨다.
기판 홀더(30)가 회전하면서, 노즐(52)로부터 처리액(PL)이 토출됨으로써, 기판 홀더(30)에 보유 지지된 기판(Wf)의 하면(Wfa)을 전체적으로 처리액(PL)으로 세정할 수 있다. 이상과 같이, 세정 처리가 실행된다. 이 세정 처리의 종료 후에, 제어 모듈(800)은 회전 기구(40)에 의한 기판 홀더(30)의 회전을 정지시킴과 함께, 펌프(70a) 및 펌프(70b)를 정지시킨다. 또한, 모듈 본체(51)를 제1 위치로 이동시킨다.
이상 설명한 바와 같은 본 실시 형태에 따르면, 토출 모듈(50)에 의해, 프리웨트 처리를 실행하거나, 세정 처리를 실행하거나 할 수 있다. 즉, 토출 모듈(50)은, 프리웨트 처리를 실행하는 프리웨트 모듈이나 세정 처리를 실행하는 세정 모듈로서의 기능을 발휘할 수 있다. 이에 의해, 프리웨트 모듈이나 세정 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하는 일 없이 프리웨트 처리나 세정 처리를 실행할 수 있으므로, 프리웨트 모듈이나 세정 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하는 종래의 도금 장치와 비교하여 도금 장치(1000)의 소형화를 도모할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 상술한 바와 같이 도금 장치(1000)의 소형화를 도모할 수 있으므로, 기판(Wf)의 반송 거리를 짧게 할 수도 있다. 이에 의해, 도금 장치(1000)의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시 형태에 따르면, 노즐(52)로부터 토출된 처리액(PL)이, 기판(Wf)의 하면(Wfa)의 중앙부로부터 외주연부에 걸쳐 맞닿도록 복수의 노즐(52)이 배치되어 있으므로, 기판(Wf)의 하면(Wfa)의 중앙부로부터 외주연부에 걸쳐 처리액(PL)을 전체적으로 맞닿게 하여, 하면(Wfa)을 전체적으로 적시거나, 세정하거나 할 수 있다.
(변형예 1)
상기한 실시 형태에 있어서, 도금 장치(1000)는, 토출 모듈(50)을 사용하여 프리웨트 처리 및 세정 처리의 양쪽을 실행하고 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 도금 장치(1000)는, 토출 모듈(50)에 의한 세정 처리는 실행하지 않고, 토출 모듈(50)에 의한 프리웨트 처리만을 실행해도 된다. 이 경우, 도금 장치(1000)는, 세정 처리를 실행하는 세정 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하고 있는 것이 바람직하다.
본 변형예에 있어서도, 프리웨트 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하는 일 없이 프리웨트 처리를 실행할 수 있으므로, 프리웨트 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하는 종래의 도금 장치와 비교하여 도금 장치(1000)의 소형화를 도모할 수 있다.
(변형예 2)
혹은, 도금 장치(1000)는, 토출 모듈(50)에 의한 프리웨트 처리는 실행하지 않고, 토출 모듈(50)에 의한 세정 처리만을 실행해도 된다. 이 경우, 도금 장치(1000)는, 프리웨트 처리를 실행하는 프리웨트 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하고 있는 것이 바람직하다.
본 변형예에 있어서도, 세정 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하는 일 없이 세정 처리를 실행할 수 있으므로, 세정 모듈을 도금 모듈(400)과는 별도로 구비하는 종래의 도금 장치와 비교하여 도금 장치(1000)의 소형화를 도모할 수 있다.
(변형예 3)
도 7은 본 변형예에 관한 프리웨트 처리 또는 세정 처리의 실행 시에 있어서의 기판 홀더(30)의 주변 구성의 모식도이다. 상술한 실시 형태 또는 변형예 1에 있어서, 프리웨트 처리는, 노즐(52)로부터 처리액(PL)을 토출시킬 때, 기판 홀더(30)의 외주연 중, 회전축(61)에 가까운 개소(30a)가 회전축(61)으로부터 먼 개소(30b)보다 하방에 위치하도록 경사 기구(47)에 의해 기판 홀더(30)를 경사지게 하는 것을 더 포함하고 있어도 된다. 즉, 이 경우, 프리웨트 처리에 있어서, 기판 홀더(30)가 상술한 바와 같이 경사진 상태에서, 기판 홀더(30)가 회전하면서 노즐(52)로부터 처리액(PL)이 토출된다.
이와 마찬가지로, 상술한 실시 형태 또는 변형예 2에 있어서, 세정 처리는, 노즐(52)로부터 처리액(PL)을 토출시킬 때, 기판 홀더(30)의 외주연 중, 회전축(61)에 가까운 개소(30a)가 회전축(61)으로부터 먼 개소(30b)보다 하방에 위치하도록 경사 기구(47)에 의해 기판 홀더(30)를 경사지게 하는 것을 더 포함하고 있어도 된다. 즉, 이 경우, 세정 처리에 있어서, 기판 홀더(30)가 상술한 바와 같이 경사진 상태에서, 기판 홀더(30)가 회전하면서 노즐(52)로부터 처리액(PL)이 토출된다.
본 변형예에 의하면, 노즐(52)로부터 토출된 후에 낙하한 처리액(PL)이 도금조(10)의 내부로 들어가는 것을 효과적으로 억제할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시 형태나 변형예에 대해 상세하게 설명하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시 형태나 변형예에 한정되는 것은 아니며, 청구범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서 다양한 변형·변경이 가능하다.
10: 도금조
11: 애노드
30: 기판 홀더
40: 회전 기구
47: 경사 기구
50: 토출 모듈
51: 모듈 본체
51a: 상면
52: 노즐
53: 회수 부재
54: 오목부
60: 이동 기구
61: 회전축
400: 도금 모듈
1000: 도금 장치
Wf: 기판
Wfa: 하면
Ps: 도금액
PL: 처리액

Claims (10)

  1. 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드보다 상방에 배치되어 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 회전시키는 회전 기구를 구비하는 도금 모듈을 갖는 도금 장치이며,
    상기 도금 모듈은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면을 향해 소정의 처리액을 토출시키는 토출 모듈을 더 구비하고,
    상기 토출 모듈은, 상기 처리액을 상방을 향해 토출하는 복수의 노즐을 갖는 모듈 본체와, 상기 도금조의 옆에 배치됨과 함께 상기 모듈 본체에 접속된 회전축을 갖고, 상기 회전축이 회전함으로써 상기 모듈 본체를 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 이동 기구는, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 없는 제1 위치와, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 있으며 또한 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면에 맞닿는 제2 위치 사이에서 상기 모듈 본체를 이동시키고,
    상기 복수의 노즐은, 상기 모듈 본체가 상기 제2 위치로 이동한 경우에 있어서 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면의 중심부로부터 외주연부에 걸쳐 맞닿도록 배치되고,
    상기 모듈 본체는, 상기 복수의 노즐로부터 토출되어 상기 기판의 하면에 맞닿은 후에 낙하한 상기 처리액을 회수하도록 구성된 회수 부재를 더 구비하는, 도금 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 모듈 본체는, 평면으로 보아, 상기 회전축으로부터 이격되는 방향으로 연장되어 있고,
    상기 복수의 노즐은, 평면으로 보아, 상기 모듈 본체의 연장 방향으로 복수개 배열됨과 함께, 상기 모듈 본체의 연장 방향에 수직인 방향으로도 복수개 배열되어 있는, 도금 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 회수 부재는, 상기 모듈 본체의 상면에 형성된 오목부를 구비하고,
    상기 복수의 노즐은 상기 오목부에 배치되어 있는, 도금 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 처리액은 순수인, 도금 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 도금 장치는, 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 경사 기구와, 상기 도금 장치를 제어하는 제어 모듈을 더 구비하고,
    상기 제어 모듈은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면에 도금을 실시하는 도금 처리의 실행 전에, 상기 기판의 하면을 상기 처리액으로 적시는 프리웨트 처리를 실행하고,
    상기 프리웨트 처리는, 상기 이동 기구에 의해 상기 모듈 본체를 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키고, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 홀더를 회전시키면서 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 것을 포함하고,
    상기 프리웨트 처리는, 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시킬 때, 상기 기판 홀더의 외주연 중, 상기 회전축에 가까운 개소가 상기 회전축으로부터 먼 개소보다 하방에 위치하도록 상기 경사 기구가 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 것을 포함하는, 도금 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 도금 장치는, 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 경사 기구와, 상기 도금 장치를 제어하는 제어 모듈을 더 구비하고,
    상기 제어 모듈은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면에 도금을 실시하는 도금 처리의 실행 후에, 상기 기판의 하면을 상기 처리액으로 세정하는 세정 처리를 실행하는 것을 포함하고,
    상기 세정 처리는, 상기 이동 기구에 의해 상기 모듈 본체를 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키고, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 홀더를 회전시키면서 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 것을 포함하고,
    상기 세정 처리는, 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시킬 때, 상기 기판 홀더의 외주연 중, 상기 회전축에 가까운 개소가 상기 회전축으로부터 먼 개소보다 하방에 위치하도록 상기 경사 기구가 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 것을 포함하는, 도금 장치.
  7. 도금 장치를 사용한 프리웨트 처리 방법이며,
    상기 도금 장치는, 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드보다 상방에 배치되어 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 회전시키는 회전 기구를 구비하는 도금 모듈을 갖는 도금 장치이며,
    상기 도금 모듈은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면을 향해 소정의 처리액을 토출시키는 토출 모듈을 더 구비하고,
    상기 토출 모듈은, 상기 처리액을 상방을 향해 토출하는 복수의 노즐을 갖는 모듈 본체와, 상기 도금조의 옆에 배치됨과 함께 상기 모듈 본체에 접속된 회전축을 갖고, 상기 회전축이 회전함으로써 상기 모듈 본체를 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 이동 기구는, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 없는 제1 위치와, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 있으며 또한 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면에 맞닿는 제2 위치 사이에서 상기 모듈 본체를 이동시키고,
    상기 복수의 노즐은, 상기 모듈 본체가 상기 제2 위치로 이동한 경우에 있어서 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면의 중심부로부터 외주연부에 걸쳐 맞닿도록 배치되고,
    상기 모듈 본체는, 상기 복수의 노즐로부터 토출되어 상기 기판의 하면에 맞닿은 후에 낙하한 상기 처리액을 회수하도록 구성된 회수 부재를 더 구비하고,
    상기 프리웨트 처리 방법은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면에 도금을 실시하는 도금 처리의 실행 전에, 상기 기판의 하면을 상기 처리액으로 적시는 프리웨트 처리를 실행하는 것을 포함하고,
    상기 프리웨트 처리는, 상기 이동 기구에 의해 상기 모듈 본체를 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키고, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 홀더를 회전시키면서 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 것을 포함하는, 프리웨트 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 도금 장치는, 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 경사 기구를 더 구비하고,
    상기 프리웨트 처리는, 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시킬 때, 상기 기판 홀더의 외주연 중, 상기 회전축에 가까운 개소가 상기 회전축으로부터 먼 개소보다 하방에 위치하도록 상기 경사 기구가 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 것을 포함하는, 프리웨트 처리 방법.
  9. 도금 장치를 사용한 세정 처리 방법이며,
    상기 도금 장치는, 애노드가 배치된 도금조와, 상기 애노드보다 상방에 배치되어 캐소드로서의 기판을 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 기판 홀더를 회전시키는 회전 기구를 구비하는 도금 모듈을 갖는 도금 장치이며,
    상기 도금 모듈은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면을 향해 소정의 처리액을 토출시키는 토출 모듈을 더 구비하고,
    상기 토출 모듈은, 상기 처리액을 상방을 향해 토출하는 복수의 노즐을 갖는 모듈 본체와, 상기 도금조의 옆에 배치됨과 함께 상기 모듈 본체에 접속된 회전축을 갖고, 상기 회전축이 회전함으로써 상기 모듈 본체를 이동시키는 이동 기구를 구비하고,
    상기 이동 기구는, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 없는 제1 위치와, 상기 모듈 본체가 상기 기판과 상기 애노드 사이에 있으며 또한 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면에 맞닿는 제2 위치 사이에서 상기 모듈 본체를 이동시키고,
    상기 복수의 노즐은, 상기 모듈 본체가 상기 제2 위치로 이동한 경우에 있어서 상기 복수의 노즐로부터 토출된 상기 처리액이 상기 기판의 하면의 중심부로부터 외주연부에 걸쳐 맞닿도록 배치되고,
    상기 모듈 본체는, 상기 복수의 노즐로부터 토출되어 상기 기판의 하면에 맞닿은 후에 낙하한 상기 처리액을 회수하도록 구성된 회수 부재를 더 구비하고,
    상기 세정 처리 방법은, 상기 기판 홀더에 보유 지지된 상기 기판의 하면에 도금을 실시하는 도금 처리의 실행 후에, 상기 기판의 하면을 상기 처리액으로 세정하는 세정 처리를 실행하는 것을 포함하고,
    상기 세정 처리는, 상기 이동 기구에 의해 상기 모듈 본체를 상기 제1 위치로부터 상기 제2 위치로 이동시키고, 상기 회전 기구에 의해 상기 기판 홀더를 회전시키면서 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시키는 것을 포함하는, 세정 처리 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 도금 장치는, 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 경사 기구를 더 구비하고,
    상기 세정 처리는, 상기 복수의 노즐로부터 상기 처리액을 토출시킬 때, 상기 기판 홀더의 외주연 중, 상기 회전축에 가까운 개소가 상기 회전축으로부터 먼 개소보다 하방에 위치하도록 상기 경사 기구가 상기 기판 홀더를 경사지게 하는 것을 포함하는, 세정 처리 방법.
KR1020217034766A 2020-12-22 2020-12-22 도금 장치, 프리웨트 처리 방법 및 세정 처리 방법 KR102338157B1 (ko)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2020/047931 WO2022137339A1 (ja) 2020-12-22 2020-12-22 めっき装置、プリウェット処理方法及び洗浄処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR102338157B1 true KR102338157B1 (ko) 2021-12-10

Family

ID=77550024

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217034766A KR102338157B1 (ko) 2020-12-22 2020-12-22 도금 장치, 프리웨트 처리 방법 및 세정 처리 방법

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220396897A1 (ko)
JP (1) JP6934127B1 (ko)
KR (1) KR102338157B1 (ko)
CN (1) CN114981486B (ko)
WO (1) WO2022137339A1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102595617B1 (ko) * 2022-08-02 2023-10-31 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 방법 및 도금 장치

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20240183058A1 (en) * 2021-09-10 2024-06-06 Ebara Corporation Plating apparatus and rinse process method
CN115715337B (zh) * 2021-10-14 2023-09-08 株式会社荏原制作所 预湿处理方法
CN115461499B (zh) * 2021-11-04 2023-04-18 株式会社荏原制作所 镀覆装置及基板清洗方法
WO2023079636A1 (ja) * 2021-11-04 2023-05-11 株式会社荏原製作所 めっき装置およびコンタクト洗浄方法
JP7089133B1 (ja) * 2021-11-04 2022-06-21 株式会社荏原製作所 めっき装置および基板洗浄方法
TWI803048B (zh) * 2021-11-11 2023-05-21 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆裝置及基板清洗方法
TWI775670B (zh) * 2021-11-11 2022-08-21 日商荏原製作所股份有限公司 鍍覆裝置及基板清洗方法
KR102617632B1 (ko) * 2022-06-17 2023-12-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008019496A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電解めっき装置および電解めっき方法
KR20180071161A (ko) * 2016-12-19 2018-06-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치, 도금 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR20190034073A (ko) * 2017-09-22 2019-04-01 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치
JP2020043333A (ja) 2018-09-06 2020-03-19 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0718034B2 (ja) * 1989-06-09 1995-03-01 進工業株式会社 メッキ方法及びその装置
JPH05263290A (ja) * 1992-03-18 1993-10-12 Toshiba Corp 高速半田メッキ装置
US6280581B1 (en) * 1998-12-29 2001-08-28 David Cheng Method and apparatus for electroplating films on semiconductor wafers
JP4664320B2 (ja) * 2000-03-17 2011-04-06 株式会社荏原製作所 めっき方法
US7189647B2 (en) * 2001-04-05 2007-03-13 Novellus Systems, Inc. Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers
JP2003027291A (ja) * 2001-07-10 2003-01-29 Tokyo Electron Ltd 液処理装置および液処理方法
JP4695567B2 (ja) * 2006-09-04 2011-06-08 株式会社東設 ウエハー洗浄方法及びその装置
JP2008308709A (ja) * 2007-06-13 2008-12-25 Panasonic Corp 半導体装置の製造方法及び製造装置
JP5321574B2 (ja) * 2010-12-17 2013-10-23 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法
CN203245737U (zh) * 2013-05-14 2013-10-23 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 多功能研磨液供应结构及研磨装置
JP2015023048A (ja) * 2013-07-16 2015-02-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP2016058665A (ja) * 2014-09-12 2016-04-21 株式会社Screenホールディングス 基板洗浄方法および基板洗浄装置
JP5815827B2 (ja) * 2014-10-10 2015-11-17 東京エレクトロン株式会社 めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体
US9816194B2 (en) * 2015-03-19 2017-11-14 Lam Research Corporation Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008019496A (ja) 2006-07-14 2008-01-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd 電解めっき装置および電解めっき方法
KR20180071161A (ko) * 2016-12-19 2018-06-27 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치, 도금 방법 및 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
KR20190034073A (ko) * 2017-09-22 2019-04-01 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 장치
JP2020043333A (ja) 2018-09-06 2020-03-19 株式会社荏原製作所 基板処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102595617B1 (ko) * 2022-08-02 2023-10-31 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 도금 방법 및 도금 장치

Also Published As

Publication number Publication date
WO2022137339A1 (ja) 2022-06-30
US20220396897A1 (en) 2022-12-15
CN114981486A (zh) 2022-08-30
JP6934127B1 (ja) 2021-09-08
JPWO2022137339A1 (ko) 2022-06-30
CN114981486B (zh) 2023-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102338157B1 (ko) 도금 장치, 프리웨트 처리 방법 및 세정 처리 방법
US20040245112A1 (en) Apparatus and method for plating a substrate
KR102518777B1 (ko) 도금 방법 및 도금 장치
KR102406835B1 (ko) 도금 장치 및 도금 처리 방법
CN115135618B (zh) 镀覆方法及镀覆装置
CN114616360B (zh) 预湿模块和预湿方法
KR102333344B1 (ko) 도금 장치 및 도금액의 교반 방법
US20230340687A1 (en) Plating apparatus and cleaning method of contact member of plating apparatus
US12020954B2 (en) Substrate processing apparatus
TWI762135B (zh) 鍍覆裝置、預濕處理方法及清洗處理方法
US20240175165A1 (en) Plating apparatus
TWI790581B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆裝置之接觸構件清洗方法
US20240209540A1 (en) Plating process method
TWI837780B (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
JP7253125B1 (ja) めっき装置、及び、めっき方法
CN115244227B (zh) 镀覆装置
US11993861B2 (en) Plating apparatus and air bubble removing method
JP7354484B1 (ja) めっき装置及びめっき方法
TWI831609B (zh) 鍍覆方法及鍍覆裝置
TWI803026B (zh) 鍍覆方法及鍍覆裝置
TW202244333A (zh) 鍍覆裝置及鍍覆方法
JP2022127862A (ja) めっき装置及びめっき液の液面調整方法
JP2022059327A (ja) めっき装置、気泡除去方法、および気泡除去方法をめっき装置のコンピュータに実行させるためのプログラムを格納した記憶媒体
TW202235692A (zh) 鍍覆裝置及鍍覆裝置之氣泡去除方法
JP2004197220A (ja) 電解処理装置及びその方法

Legal Events

Date Code Title Description
A302 Request for accelerated examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant