TWI762135B

TWI762135B - 鍍覆裝置、預濕處理方法及清洗處理方法

Info

Publication number: TWI762135B
Application number: TW109147015A
Authority: TW
Inventors: 張紹華; 関正也
Original assignee: 日商荏原製作所股份有限公司
Priority date: 2020-12-31
Filing date: 2020-12-31
Publication date: 2022-04-21
Also published as: TW202229654A

Abstract

本發明提供一種可謀求鍍覆裝置之小型化的技術。本發明之鍍覆裝置具備吐出模組50，吐出模組50具備：具有朝向上方吐出處理液之複數個噴嘴52的模組本體51；及具有配置於鍍覆槽旁邊並且連接於模組本體之旋轉軸61，藉由旋轉軸旋轉而使模組本體移動之移動機構60；移動機構使模組本體在第一位置與第二位置之間移動，複數個噴嘴係以於模組本體移動至第二位置時，從複數個噴嘴吐出之處理液從基板的下面中心部至外周緣部接觸之方式配置，模組本體進一步具備以回收從複數個噴嘴吐出而接觸於基板之下面後落下的處理液之方式而構成的回收構件。

Description

鍍覆裝置、預濕處理方法及清洗處理方法

本發明係關於一種鍍覆裝置、預濕處理方法及清洗處理方法。

過去，可對基板實施鍍覆之鍍覆裝置習知有所謂杯式的鍍覆裝置（例如，參照專利文獻1）。此種鍍覆裝置具備：配置有陽極之鍍覆槽；配置於比陽極上方，而保持作為陰極之基板的基板固持器；及使基板固持器旋轉之旋轉機構。

此外，過去在對基板實施鍍覆之前（亦即，在執行鍍覆處理之前），係進行以指定之處理液執行濕潤基板的預濕處理，並在執行鍍覆處理後，以指定之處理液執行清洗基板之清洗處理（例如，參照專利文獻2）。具體而言，該專利文獻2中揭示之鍍覆裝置具備：具有鍍覆槽、基板固持器及旋轉機構來執行鍍覆處理之鍍覆模組；執行預濕處理之預濕模組；及執行清洗處理之清洗模組。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2008－19496號公報 [專利文獻2]日本特開2020－43333號公報

（發明所欲解決之問題）

近年來不斷要求鍍覆裝置之小型化。關於此，如上述之過去的鍍覆裝置，從鍍覆裝置之小型化的觀點而言，尚有改善的餘地。

本發明係鑑於上述情形而成者，目的之一為提供一種可謀求鍍覆裝置之小型化的技術。（解決問題之手段）（樣態1）

為了達成上述目的，本發明一個樣態之鍍覆裝置具有鍍覆模組，其係具備：鍍覆槽，其係配置有陽極；基板固持器，其係配置於比前述陽極上方，並保持作為陰極之基板；及旋轉機構，其係使前述基板固持器旋轉；且前述鍍覆模組進一步具備吐出模組，其係朝向保持於前述基板固持器之前述基板的下面吐出指定之處理液，前述吐出模組具備：模組本體，其係具有朝向上方吐出前述處理液之複數個噴嘴；及移動機構，其係具有配置於前述鍍覆槽旁邊並且連接於前述模組本體之旋轉軸，藉由前述旋轉軸旋轉而使前述模組本體移動；前述移動機構使前述模組本體在前述模組本體不在前述基板與前述陽極之間的第一位置；與前述模組本體在前述基板與前述陽極之間，且從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液接觸於前述基板之下面的第二位置之間移動，前述複數個噴嘴係以於前述模組本體移動至前述第二位置時，從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液從前述基板的下面中心部至外周緣部接觸之方式配置，前述模組本體進一步具備回收構件，其係以回收從前述複數個噴嘴吐出而接觸於前述基板之下面後落下的前述處理液之方式而構成。

採用該樣態時，藉由移動機構使模組本體從第一位置移動至第二位置，並藉由旋轉機構使基板固持器旋轉，而且從複數個噴嘴吐出處理液，既可執行預濕處理、又可執行清洗處理。因此，採用該樣態時，無須除了鍍覆模組之外還具備預濕模組及清洗模組，即可執行預濕處理及清洗處理。藉此，與除了鍍覆模組之外還具備預濕模組及清洗模組的過去鍍覆裝置比較，可謀求鍍覆裝置之小型化。

此外，採用該樣態時，使處理液接觸於整個基板之下面中央部至外周緣部，可濕潤並清洗整個基板之下面。此外，採用該樣態時，由於可以回收構件回收落下之處理液，因此可抑制該落下之處理液進入鍍覆槽內部。（樣態2）

上述樣態1中，前述模組本體從平面觀看係在從前述旋轉軸離開之方向延伸，前述複數個噴嘴從平面觀看亦可在前述模組本體之延伸方向排列複數個，並且在與前述模組本體之延伸方向垂直的方向排列複數個。（樣態3）

上述樣態1或2中，前述回收構件亦可具備凹部，其係形成於前述模組本體之上面，前述複數個噴嘴配置於前述凹部。（樣態4）

上述樣態1～3中任何一個樣態中，前述處理液亦可係純水。（樣態5）

此外，為了達成上述目的，本發明一個樣態之預濕處理方法係使用上述樣態1～4中任何一個樣態之鍍覆裝置，且在執行對保持於前述基板固持器之前述基板的下面實施鍍覆之鍍覆處理前，包含以前述處理液濕潤前述基板之下面的預濕處理，前述預濕處理包含藉由前述移動機構使前述模組本體從前述第一位置移動至前述第二位置，藉由前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，而且從前述複數個噴嘴吐出前述處理液。

採用該樣態時，由於無須除了鍍覆模組之外還具備預濕模組，即可執行預濕處理，因此與除了鍍覆模組之外還具備預濕模組的過去鍍覆裝置比較，可謀求鍍覆裝置之小型化。（樣態6）

上述樣態5中，前述鍍覆裝置進一步具備傾斜機構，其係使前述基板固持器傾斜，前述預濕處理亦可包含在從前述複數個噴嘴吐出前述處理液時，以在前述基板固持器之外周緣中，接近前述旋轉軸之部位位於比離前述旋轉軸遠之部位下方的方式，前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜。採用該樣態時，可有效抑制從噴嘴吐出後落下之處理液進入鍍覆槽的內部。（樣態7）

此外，為了達成上述目的，本發明一個樣態之清洗處理方法係使用上述樣態1～4中任何一個樣態之鍍覆裝置，且在執行對保持於前述基板固持器之前述基板的下面實施鍍覆之鍍覆處理後，包含以前述處理液清洗前述基板之下面的清洗處理，前述清洗處理包含藉由前述移動機構使前述模組本體從前述第一位置移動至前述第二位置，藉由前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，而且從前述複數個噴嘴吐出前述處理液。

採用該樣態時，由於無須除了鍍覆模組之外還具備清洗模組，即可執行清洗處理，因此與除了鍍覆模組之外還具備清洗模組的過去鍍覆裝置比較，可謀求鍍覆裝置之小型化。（樣態8）

上述樣態7中，前述鍍覆裝置進一步具備傾斜機構，其係使前述基板固持器傾斜，前述清洗處理亦可包含在從前述複數個噴嘴吐出前述處理液時，以在前述基板固持器之外周緣中，接近前述旋轉軸之部位位於比離前述旋轉軸遠之部位下方的方式，前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜。採用該樣態時，可有效抑制從噴嘴吐出後落下之處理液進入鍍覆槽的內部。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，以下之實施形態及實施形態的修改例係就相同或對應之構成註記相同符號並適切省略說明。此外，圖式係為了容易瞭解實施形態的特徵而模式性圖示，各元件之尺寸比率等與實際者並非相同。此外，一些圖式中，係圖示有X－Y－Z之正交座標作為參考用。該正交座標中，Z方向相當於上方，－Z方向相當於下方（重力作用之方向）。

圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置1000的整體構成立體圖。圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置1000的整體構成俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備：裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預浸模組300、鍍覆模組400、自旋沖洗乾燥器600、搬送裝置700、及控制模組800。此外，本實施形態之鍍覆模組400具備吐出模組50，不過圖1中省略該吐出模組50之圖示。

裝載埠100係用於將收納於無圖示之FOUP（前開式晶圓傳送盒）等的匣盒之基板搬入鍍覆裝置1000，或是從鍍覆裝置1000搬出基板至匣盒的模組。本實施形態係在水平方向並列配置4台裝載埠100，不過裝載埠100之數量及配置不拘。搬送機器人110係用於搬送基板之機器人，且以在裝載埠100、對準器120、及搬送裝置700之間交接基板的方式構成。搬送機器人110及搬送裝置700在搬送機器人110與搬送裝置700之間交接基板時，可經由暫置台（無圖示）進行基板的交接。

對準器120係用於使基板之定向平面及凹槽等的位置對準指定方向之模組。本實施形態係在水平方向並列配置2台對準器120，不過對準器120之數量及配置不拘。

預浸模組300係以硫酸及鹽酸等處理液蝕刻除去例如形成於鍍覆處理前之基板被鍍覆面的種層表面等上存在的電阻大之氧化膜，實施清洗或活化鍍覆基底表面之預浸處理的方式構成。本實施形態係在上下方向並列配置2台預浸模組300，不過預浸模組300之數量及配置不拘。鍍覆模組400係對基板實施鍍覆處理。本實施形態有2組在上下方向並列配置3台且在水平方向並列配置4台之12台的鍍覆模組400，合計設有24台的鍍覆模組400，不過鍍覆模組400之數量及配置不拘。

自旋沖洗乾燥器600係用於使清洗處理後之基板高速旋轉而乾燥的模組。本實施形態係在上下方向並列配置2台自旋沖洗乾燥器600，不過自旋沖洗乾燥器600之數量及配置不拘。搬送裝置700係用於在鍍覆裝置1000中之複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800係以控制鍍覆裝置1000之複數個模組的方式構成，例如可由具備與作業人員間之輸入輸出介面的一般電腦或專用電腦而構成。

吐出模組50係用於執行藉由以指定之處理液PL濕潤執行鍍覆處理前之基板的下面（被鍍覆面），並以處理液PL替換形成於基板表面之圖案內部的空氣之預濕處理的模組。此外，吐出模組50亦係為了除去執行鍍覆處理後殘留於基板上之鍍覆液等，用於執行以處理液PL清洗執行鍍覆處理後之基板下面的清洗處理之模組。因此，本實施形態之吐出模組50具有作為預濕模組及清洗模組之功能。該吐出模組50詳述於後。

以下說明藉由鍍覆裝置1000之一連串鍍覆處理的一例。首先，將收納於匣盒之基板搬入裝載埠100。繼續，搬送機器人110從裝載埠100之匣盒取出基板，並將基板搬送至對準器120。對準器120使基板之定向平面及凹槽等的位置對準指定方向。搬送機器人110將以對準器120對準方向後之基板送交搬送裝置700。

搬送裝置700將從搬送機器人110接收之基板搬送至鍍覆模組400。在鍍覆模組400中，吐出模組50對基板實施預濕處理。搬送裝置700將實施預濕處理後之基板搬送至預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將實施預浸處理後之基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

接著，吐出模組50對基板實施清洗處理。搬送裝置700將實施清洗處理後之基板搬送至自旋沖洗乾燥器600。自旋沖洗乾燥器600對基板實施乾燥處理。搬送裝置700將實施乾燥處理後之基板送交搬送機器人110。搬送機器人110將從搬送裝置700接收之基板搬送至裝載埠100的匣盒。最後，從裝載埠100搬出收納了基板之匣盒。

另外，圖1及圖2所說明之鍍覆裝置1000的構成只不過是一例，鍍覆裝置1000之構成並非限定於圖1及圖2之構成者。

繼續，說明鍍覆模組400。另外，由於本實施形態之鍍覆裝置1000具有的複數個鍍覆模組400具有同樣之構成，因此就1個鍍覆模組400進行說明。

圖3係用於說明本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400之構成圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係杯式的鍍覆裝置。圖3中例示之本實施形態的鍍覆裝置1000之鍍覆模組400主要具備：鍍覆槽10、溢流槽20、基板固持器30、旋轉機構40、升降機構45、及傾斜機構47。另外，如前述，鍍覆模組400亦具備吐出模組50，不過圖3中省略該吐出模組50之圖示。此外，圖3中，模式性剖面圖示有鍍覆槽10、溢流槽20及旋轉機構40。

本實施形態之鍍覆槽10藉由上方具有開口之有底容器而構成。具體而言，鍍覆槽10具有：底壁部10a；及從該底壁部10a之外周緣向上方延伸的外周壁部10b；該外周壁部10b之上部開口。另外，鍍覆槽10之外周壁部10b的形狀並非特別限定者，本實施形態之外周壁部10b之一例具有圓筒形狀。

在鍍覆槽10之內部貯存有鍍覆液Ps。鍍覆液Ps只要是包含構成鍍覆皮膜之金屬元素的離子之溶液即可，其具體例並無特別限定者。本實施形態中，鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理，鍍覆液Ps之一例為使用硫酸銅溶液。此外，本實施形態中，鍍覆液Ps中含有指定之添加劑。但是，並非限定於該構成者，鍍覆液Ps亦可為不含添加劑而構成者。

在鍍覆槽10之內部配置有陽極11。陽極11之具體種類並非特別限定者，可使用溶解陽極及不溶解陽極。本實施形態中，陽極11之一例為使用不溶解陽極。該不溶解陽極之具體種類並非特別限定者，可使用鉑及氧化銥等。

在鍍覆槽10之內部，在比陽極11上方配置有隔膜12。具體而言，隔膜12係配置於陽極11與基板Wf之間的部位。本實施形態之隔膜12的一例係經由保持構件10d而連接於鍍覆槽10之外周壁部10b。此外，本實施形態之隔膜12係以隔膜12之面方向變成水平方向的方式來配置。

鍍覆槽10之內部藉由隔膜12在上下方向分割為二。將劃分為比隔膜12下方側之區域稱為陽極室13，並將比隔膜12上方側之區域稱為陰極室14。前述之陽極11配置於陽極室13中。

隔膜12係藉由容許金屬離子通過，而抑制鍍覆液Ps中所含之添加劑通過的膜而構成。亦即，本實施形態中，陰極室14之鍍覆液中含有添加劑，而陽極室13之鍍覆液Ps中不含添加劑。但是，並非限定於該構成者，例如，陽極室13之鍍覆液Ps中亦可含有添加劑。但是，此時，陽極室13之添加劑的濃度仍比陰極室14之添加劑的濃度低。隔膜12之具體種類並非特別限定者，可使用習知之隔膜。列舉該隔膜12之具體例時，例如可使用電解隔膜，該電解隔膜之具體例，例如可使用YUASA Membrane System公司製之鍍覆用電解隔膜，或是使用離子交換膜等。

鍍覆槽10中設有用於在陽極室13中供給鍍覆液Ps之陽極用供給口15。此外，在鍍覆槽10中設有用於從陽極室13排出陽極室13之鍍覆液Ps的陽極用排出口16。從陽極用排出口16排出之鍍覆液Ps之後暫時貯存於陽極用之貯存槽（無圖示）後，從陽極用供給口15再度供給至陽極室13。

在鍍覆槽10中設有用於在陰極室14中供給鍍覆液Ps之陰極用供給口17。具體而言，在本實施形態之鍍覆槽10的外周壁部10b中對應於陰極室14之部分之一部分設有突出於鍍覆槽10之中心側的突出部10c，並在該突出部10c中設有陰極用供給口17。

溢流槽20配置於鍍覆槽10之外側，並藉由有底之容器而構成。溢流槽20係用於暫時貯存超過鍍覆槽10之外周壁部10b上端的鍍覆液Ps（亦即，從鍍覆槽10溢流之鍍覆液Ps）的槽。從陰極用供給口17供給至陰極室14之鍍覆液Ps流入溢流槽20後，從溢流槽20用之排出口（無圖示）排出，而暫時貯存於陰極用之貯存槽（無圖示）。之後，鍍覆液Ps從陰極用供給口17再度供給至陰極室14。

在本實施形態之陰極室14中配置有多孔質的電阻體18。具體而言，本實施形態之電阻體18設於突出部10c之上端部附近部位。電阻體18藉由具有複數個孔（細孔）之多孔性的板構件而構成。電阻體18係為了謀求形成於陽極11與基板Wf之間的電場均勻化而設置的構件。

此外，本實施形態中，在陽極室13中配置有陽極遮罩19。本實施形態之陽極遮罩19係以陽極遮罩19之上面接觸於隔膜12的下面之方式而配置。但是，陽極遮罩19之配置部位只要是陽極室13即可，並非限定於圖3所示之部位。列舉其他例時，陽極遮罩19以在與隔膜12之間具有空間的方式，亦可配置於比隔膜12下方側的部位。陽極遮罩19具有在陽極11與基板Wf之間流動的電通過之開口19a。

基板固持器30係用於保持作為陰極之基板Wf的構件。基板Wf之下面Wfa相當於被鍍覆面。基板固持器30連接於旋轉機構40。旋轉機構40係用於使基板固持器30旋轉之機構。旋轉機構40可使用旋轉馬達等習知之機構。旋轉機構40連接於升降機構45。升降機構45藉由在上下方向延伸之支軸46而支撐。升降機構45係用於使基板固持器30、旋轉機構40及傾斜機構47在上下方向升降之機構。升降機構45可使用直動式致動器等習知的升降機構。傾斜機構47係用於使基板固持器30及旋轉機構40傾斜的機構。傾斜機構47可使用活塞、汽缸等習知的傾斜機構。

執行鍍覆處理時，旋轉機構40使基板固持器30旋轉，並且升降機構45使基板固持器30移動至下方，而使基板Wf浸漬於鍍覆槽10之鍍覆液Ps中。接著，藉由通電裝置而在陽極11與基板Wf之間流動電流。藉此，在基板Wf之下面Wfa形成鍍覆皮膜（亦即，實施鍍覆處理）。

鍍覆模組400之動作藉由控制模組800來控制。控制模組800具備微電腦，該微電腦具備：作為處理器之CPU（中央處理單元(Central Processing Unit)）801、及作為永久性記憶媒介之記憶部802等。在控制模組800中，CPU801依據記憶於記憶部802之程式的指令控制鍍覆模組400之動作。

另外，本實施形態中，一個控制模組800係發揮整合性控制鍍覆模組400之被控制部的控制裝置之功能，不過並非限定於該構成者。例如，控制模組800亦可具備複數個控制裝置，而該複數個控制裝置分別個別地控制鍍覆模組400之各個被控制部。

繼續，詳係說明吐出模組50。圖4（A）及圖4（B）係吐出模組50之模式俯視圖。具體而言，圖4（A）顯示吐出模組50之後述的模組本體51在第一位置之狀態，圖4（B）顯示模組本體51在第二位置之狀態。另外，圖4（A）及圖4（B）係除了吐出模組50之外還圖示鍍覆槽10，不過省略該鍍覆槽10之內部構成的圖示。此外，圖5係顯示吐出模組50之整體構成的模式圖。另外，圖5中，吐出模組50之模組本體51及旋轉軸61模式性圖示圖4（B）之A1－A1線剖面。此外，圖5中，省略鍍覆槽10之圖示，而改為圖示基板固持器30及旋轉機構40。圖6係模式性顯示圖5之A2－A2線剖面的剖面圖。參照此等圖，就吐出模組50說明如下。

如圖5所示，吐出模組50主要具備：模組本體51、移動機構60、泵浦（泵浦70a及泵浦70b）、貯存槽（貯存槽71a及貯存槽71b）、配管（配管72a及配管72b）。

如圖4（A）及圖4（B）所示，本實施形態之模組本體51的一例為平面觀看（從上面觀看）具有在從後述之旋轉軸61離開的方向延伸之形狀。具體而言，模組本體51具有將從旋轉軸61離開之方向作為長邊，並將與其垂直之方向作為短邊的長方形形狀。如圖4（A）、圖4（B）、圖5及圖6所示，模組本體51具備將處理液PL朝向上方吐出之至少一個噴嘴52。此外，本實施形態之模組本體51亦具備回收構件53。

具體而言，本實施形態之噴嘴52的數量係複數個。該具體例為本實施形態之複數個噴嘴52在模組本體51之延伸方向（長邊方向）排列複數個（一例為5個），並且在垂直於該延伸方向之方向（短邊方向）（或寬度方向）排列複數個（一例為2個）。具體而言，在該短邊方向排列之2個噴嘴52如圖6所示，在短邊方向切斷模組本體51之剖面觀看時，在夾著後述之凹部54的中心軸線XL之一方側與另一方側分別排列各1個。結果，本實施形態之複數個噴嘴52的數量合計係10個。但是，噴嘴52之數量並非限定於此，亦可比10少或多。

參照圖5，本實施形態中，複數個噴嘴52係以於模組本體51在後述之第二位置時，從噴嘴52吐出之處理液PL從基板Wf之下面Wfa的中央部至外周緣部接觸之方式設定其配置部位。此外，各個噴嘴52係以將處理液PL朝向上方而廣角地（亦即扇形狀地）噴射之方式構成。具體而言，各個噴嘴52具有廣角地噴射處理液PL之吐出口，處理液PL從該吐出口朝向上方以廣角噴射。

從噴嘴52吐出之處理液PL只要是可執行預濕處理及清洗處理之液體即可，其具體之種類並非特別限定者，不過，本實施形態之具體例為使用純水。該純水例如宜使用電阻率為「0.1（MΩ‧cm）」以上者。此外，該純水亦可使用將空氣脫氣之純水（亦即，脫氣純水），亦可使用並未脫氣之純水，或是亦可使用除去離子之純水（亦即，脫離子水）。

參照圖4（A）及圖4（B），移動機構60係用於使模組本體51移動之機構。具體而言，移動機構60係以使模組本體51在該模組本體51不在基板Wf與陽極11之間的「第一位置（圖4（A））」、與模組本體51在基板Wf與陽極11之間，且從噴嘴52吐出之處理液PL接觸基板Wf之下面Wfa的「第二位置（圖4（B））」之間移動的方式構成。另外，本實施形態中，該第二位置具體而言係噴嘴52位於基板Wf之下面Wfa正下方的位置，換言之，亦係噴嘴52與基板Wf之下面Wfa相對的位置。

如圖5所示，本實施形態之移動機構60具備：旋轉軸61與致動器62。旋轉軸61配置於鍍覆槽10旁邊。此外，旋轉軸61連接於模組本體51。致動器62係用於驅動旋轉軸61之裝置。圖5中，旋轉軸61以Z軸為中心而旋轉。藉由被致動器62驅動之旋轉軸61旋轉，模組本體51在第一位置與第二位置之間移動。致動器62例如可使用具備可在一方旋轉方向及另一方旋轉方向旋轉的馬達（亦即，可正轉及反轉之馬達）等習知的致動器。致動器62之動作由控制模組800來控制。

在本實施形態之模組本體51的內部、及旋轉軸61的內部設有供給流路73及排出流路74。另外，供給流路73及排出流路74亦可不通過旋轉軸61之內部，而通過旋轉軸61之外側來連接於後述的配管（配管72a、配管72b）。供給流路73係供給至噴嘴52之處理液PL用於流通的流路。排出流路74係藉由後述之回收構件53所回收之處理液PL用於流通的流路。

供給流路73經由配管72a而連通於貯存槽71a。貯存槽71a中貯存有處理液PL。配管72a中配置有泵浦70a。泵浦70a接受控制模組800之指令而驅動時，貯存於貯存槽71a之處理液PL藉由泵浦70a抽上來而在配管72a及供給流路73流通，並從噴嘴52吐出。排出流路74經由配管72b而連通於貯存槽71b。配管72b中連接有泵浦70b。

參照圖4（B）、圖5及圖6，回收構件53係以回收從複數個噴嘴52吐出而接觸於基板Wf之下面Wfa後落下的處理液PL之方式所構成的構件。因此，採用本實施形態時，由於可以回收構件53回收從複數個噴嘴52朝向上方吐出後落下的處理液PL，因此可抑制該落下之處理液PL進入鍍覆槽10的內部。

具體而言，如圖6所示，本實施形態之回收構件53藉由形成於模組本體51之上面51a的凹部54而構成。此外，在該凹部54之底部的中心部設有溝55，該溝55中配置有前述之排出流路74。排出流路74中設有被回收構件53之凹部54所回收的處理液PL用於流入排出流路74之吸入口（無圖示）。該吸入口之具體形成部位並非特別限定者，例如亦可係排出流路74之上游側端部，亦可係排出流路74之側面（構成排出流路74之配管的側面）。

泵浦70b接受控制模組800之指令而驅動使排出流路74內部形成負壓時，藉由回收構件53所回收之處理液PL從該吸入口流入排出流路74，然後，在配管72b中流通並貯存於貯存槽71b。

此外，本實施形態中，模組本體51之複數個噴嘴52係配置於凹部54。藉此，可藉由凹部54有效回收從複數個噴嘴52吐出後落下的處理液PL。

此外，本實施形態中，夾著凹部54之中心軸線XL而配置於一方側的噴嘴52與配置於另一方側的噴嘴52分別朝向上方側且凹部54之中心側吐出處理液PL。藉此，可使從複數個噴嘴52吐出而接觸基板Wf之下面Wfa的處理液PL輕易朝向凹部54之中心側落下。即使在這一方面亦可藉由凹部54有效回收處理液PL。

繼續，說明本實施形態之預濕處理時及清洗處理時之鍍覆裝置1000的動作。亦即，係說明使用本實施形態之鍍覆裝置1000的預濕處理方法及清洗處理方法。

首先，控制模組800通常係使模組本體51在第一位置移動（圖4（A））。執行預濕處理時，控制模組800藉由控制移動機構60使旋轉軸61旋轉，而使模組本體51移動至第二位置（圖4（B））。接著，控制模組800控制旋轉機構40使基板固持器30旋轉，並且驅動泵浦70a而使處理液PL從噴嘴52吐出。此外，控制模組800在驅動泵浦70a之同時亦驅動泵浦70b，而使回收至回收構件53之處理液PL返回貯存槽71b。

藉由基板固持器30旋轉並從噴嘴52吐出處理液PL，而使處理液PL整個附著於被基板固持器30所保持之基板Wf的下面Wfa，可使基板Wf之下面Wfa整個被處理液PL濕潤。如以上地執行預濕處理。

預濕處理結束後，控制模組800使基板固持器30藉由旋轉機構40之旋轉停止，並且使泵浦70a及泵浦70b停止。藉由泵浦70a停止而停止從噴嘴52吐出處理液PL，藉由泵浦70b停止亦停止藉由回收構件53回收處理液PL。接著，控制模組800使旋轉軸61旋轉，而使模組本體51移動至第一位置。

控制模組800在執行鍍覆處理後進行之清洗處理執行時，亦進行與上述之預濕處理時同樣的控制。具體而言，控制模組800藉由控制移動機構60使旋轉軸61旋轉而使模組本體51移動至第二位置。接著，控制模組800控制旋轉機構40使基板固持器30旋轉，並且驅動泵浦70a而使處理液PL從噴嘴52吐出。此外，控制模組800在驅動泵浦70a之同時亦驅動泵浦70b，而使回收至回收構件53之處理液PL返回貯存槽71b。

藉由基板固持器30旋轉並從噴嘴52吐出處理液PL，可使處理液PL清洗整個保持於基板固持器30之基板Wf的下面Wfa。如以上地執行清洗處理。該清洗處理結束後，控制模組800使基板固持器30藉由旋轉機構40之旋轉停止，並且使泵浦70a及泵浦70b停止。此外，使模組本體51移動至第一位置。

採用以上說明之本實施形態時，可藉由吐出模組50執行預濕處理、並執行清洗處理。亦即，吐出模組50可發揮執行預濕處理之預濕模組及執行清洗處理之清洗模組的功能。藉此，由於無須除了鍍覆模組400之外還具備預濕模組及清洗模組，即可執行預濕處理及清洗處理，因此，與除了鍍覆模組400之外還具備預濕模組及清洗模組的過去鍍覆裝置比較，可謀求鍍覆裝置1000之小型化。

此外，採用本實施形態時，如上述，由於可謀求鍍覆裝置1000之小型化，因此可縮短基板Wf之搬送距離。藉此，可使鍍覆裝置1000之處理量提高。

此外，採用本實施形態時，由於係以從噴嘴52吐出之處理液PL從基板Wf之下面Wfa的中央部至外周緣部接觸之方式配置複數個噴嘴52，因此可使處理液PL整個接觸基板Wf之下面Wfa的中央部至外周緣部，而可將下面Wfa整個濕潤並清洗。（修改例1）

上述實施形態中，鍍覆裝置1000係使用吐出模組50執行預濕處理及清洗處理兩者，不過並非限定於該構成者。例如，鍍覆裝置1000亦可不使吐出模組50執行清洗處理，而僅使吐出模組50執行預濕處理。此時，鍍覆裝置1000除了鍍覆模組400之外應該還具備執行清洗處理之清洗模組。

即使本修改例中，由於除了鍍覆模組400之外無須還具備預濕模組，即可執行預濕處理，因此，與除了鍍覆模組400之外還具備預濕模組的過去鍍覆裝置比較，可謀求鍍覆裝置1000之小型化。（修改例2）

或是，鍍覆裝置1000亦可不藉由吐出模組50執行預濕處理，而僅藉由吐出模組50執行清洗處理。此時，鍍覆裝置1000除了鍍覆模組400之外應該還具備執行預濕處理的預濕模組。

即使本修改例中，由於除了鍍覆模組400之外無須還具備清洗模組，即可執行清洗處理，因此，與除了鍍覆模組400之外還具備清洗模組的過去鍍覆裝置比較，可謀求鍍覆裝置1000之小型化。（修改例3）

圖7係執行本修改例之預濕處理或清洗處理時基板固持器30的周邊構成模式圖。上述實施形態或修改例1中，預濕處理亦可進一步包含從噴嘴52吐出處理液PL時，在基板固持器30之外周緣中，以接近旋轉軸61之部位30a比遠離旋轉軸61之部位30b位於下方的方式，藉由傾斜機構47使基板固持器30傾斜。亦即，此時，在預濕處理中，係在基板固持器30如上述傾斜之狀態下，使基板固持器30旋轉，並從噴嘴52吐出處理液PL。

與此同樣地，上述實施形態或修改例2中，清洗處理亦可進一步包含從噴嘴52吐出處理液PL時，在基板固持器30之外周緣中，以接近旋轉軸61之部位30a比遠離旋轉軸61之部位30b位於下方的方式，藉由傾斜機構47使基板固持器30傾斜。亦即，此時，在清洗處理中，係在基板固持器30如上述傾斜之狀態下，使基板固持器30旋轉，並從噴嘴52吐出處理液PL。

採用本修改例時，可有效抑制從噴嘴52吐出後落下之處理液PL進入鍍覆槽10的內部。

以上，係詳述本發明之實施形態及修改例，不過本發明並非限定於該特定之實施形態及修改例者，在記載於申請專利範圍之本發明的要旨範圍內可進行各種修改、變更。

10:鍍覆槽 10a:底壁部 10b:外周壁部 10c:突出部 10d:保持構件 11:陽極 12:隔膜 13:陽極室 14:陰極室 15:陽極用供給口 16:陽極用排出口 17:陰極用供給口 18:電阻體 19:陽極遮罩 19a:開口 20:溢流槽 30:基板固持器 40:旋轉機構 45:升降機構 46:支軸 47:傾斜機構 50:吐出模組 51:模組本體 52:噴嘴 53:回收構件 54:凹部 55:溝 60:移動機構 61:旋轉軸 62:致動器 70a, 70b:泵浦 71a, 71b:貯存槽 72a, 72b:配管 73:供給流路 74:排出流路 30a:接近旋轉軸之部位 30b:遠離旋轉軸之部位 100:裝載埠 110:搬送機器人 120:對準器 300:預浸模組 400:鍍覆模組 600:自旋沖洗乾燥器 700:搬送裝置 800:控制模組 801:CPU 802:記憶部 1000:鍍覆裝置 PL:處理液 Ps:鍍覆液 Wf:基板 Wfa:下面

圖1係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。圖2係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。圖3係用於說明實施形態之鍍覆模組的構成圖。圖4（A）及圖4（B）係實施形態之吐出模組的模式俯視圖。圖5係顯示實施形態之吐出模組的整體構成模式圖。圖6係模式性顯示圖5之A2－A2線剖面的剖面圖。圖7係執行實施形態之修改例3的預濕處理或清洗處理時基板固持器之周邊構成模式圖。

30:基板固持器

40:旋轉機構

50:吐出模組

51:模組本體

52:噴嘴

60:移動機構

61:旋轉軸

62:致動器

70a,70b:泵浦

71a,71b:貯存槽

72a,72b:配管

73:供給流路

74:排出流路

PL:處理液

Wf:基板

Wfa:下面

Claims

一種鍍覆裝置，係具有鍍覆模組，其係具備：鍍覆槽，其係配置有陽極；基板固持器，其係配置於比前述陽極上方，並保持作為陰極之基板；及旋轉機構，其係使前述基板固持器旋轉；且前述鍍覆模組進一步具備吐出模組，其係朝向保持於前述基板固持器之前述基板的下面吐出指定之處理液，前述吐出模組具備：模組本體，其係具有朝向上方吐出前述處理液之複數個噴嘴；及移動機構，其係具有配置於前述鍍覆槽旁邊並且連接於前述模組本體之旋轉軸，藉由前述旋轉軸旋轉而使前述模組本體移動；前述移動機構使前述模組本體在前述模組本體不在前述基板與前述陽極之間的第一位置；與前述模組本體在前述基板與前述陽極之間，且從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液接觸於前述基板之下面的第二位置之間移動，前述複數個噴嘴係以於前述模組本體移動至前述第二位置時，從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液從前述基板的下面中心部至外周緣部接觸之方式配置，前述模組本體進一步具備回收構件，其係以回收從前述複數個噴嘴吐出而接觸於前述基板之下面後落下的前述處理液之方式而構成，其中前述鍍覆裝置進一步具備：傾斜機構，其係使前述基板固持器傾斜；及控制模組，控制前述鍍覆裝置；前述控制模組係在執行對保持於前述基板固持器之前述基板的下面實施鍍覆之鍍覆處理前，實施預濕處理以藉由前述處理液潤濕前述基板的下面，前述預濕處理包含藉由前述移動機構使前述模組本體從前述第一位置移動至前述第二位置，藉由前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，而且從前述複數個噴嘴吐出前述處理液，前述預濕處理包含在從前述複數個噴嘴吐出前述處理液時，以在前述基板固持器之外周緣中，接近前述旋轉軸之部位位於比離前述旋轉軸遠之部位下方的方式，前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜。
一種鍍覆裝置，係具有鍍覆模組，其係具備：鍍覆槽，其係配置有陽極；基板固持器，其係配置於比前述陽極上方，並保持作為陰極之基板；及旋轉機構，其係使前述基板固持器旋轉；且前述鍍覆模組進一步具備吐出模組，其係朝向保持於前述基板固持器之前述基板的下面吐出指定之處理液，前述吐出模組具備：模組本體，其係具有朝向上方吐出前述處理液之複數個噴嘴；及移動機構，其係具有配置於前述鍍覆槽旁邊並且連接於前述模組本體之旋轉軸，藉由前述旋轉軸旋轉而使前述模組本體移動；前述移動機構使前述模組本體在前述模組本體不在前述基板與前述陽極之間的第一位置；與前述模組本體在前述基板與前述陽極之間，且從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液接觸於前述基板之下面的第二位置之間移動，前述複數個噴嘴係以於前述模組本體移動至前述第二位置時，從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液從前述基板的下面中心部至外周緣部接觸之方式配置，前述模組本體進一步具備回收構件，其係以回收從前述複數個噴嘴吐出而接觸於前述基板之下面後落下的前述處理液之方式而構成，其中前述鍍覆裝置進一步具備：傾斜機構，其係使前述基板固持器傾斜；及控制模組，控制前述鍍覆裝置；前述控制模組係在執行對保持於前述基板固持器之前述基板的下面實施鍍覆之鍍覆處理後，包含以前述處理液清洗前述基板之下面的清洗處理，前述清洗處理包含藉由前述移動機構使前述模組本體從前述第一位置移動至前述第二位置，藉由前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，而且從前述複數個噴嘴吐出前述處理液，前述清洗處理包含在從前述複數個噴嘴吐出前述處理液時，以在前述基板固持器之外周緣中，接近前述旋轉軸之部位位於比離前述旋轉軸遠之部位下方的方式，前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述模組本體從平面觀看係在從前述旋轉軸離開之方向延伸，前述複數個噴嘴從平面觀看係在前述模組本體之延伸方向排列複數個，並且亦在與前述模組本體之延伸方向垂直的方向排列複數個。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述回收構件具備凹部，其係形成於前述模組本體之上面，前述複數個噴嘴配置於前述凹部。
如請求項1或2之鍍覆裝置，其中前述處理液係純水。
一種預濕處理方法，係使用鍍覆裝置來進行，前述鍍覆裝置係具有鍍覆模組，該鍍覆模組具備：鍍覆槽，其係配置有陽極；基板固持器，其係配置於比前述陽極上方，並保持作為陰極之基板；及旋轉機構，其係使前述基板固持器旋轉；前述鍍覆模組進一步具備吐出模組，其係朝向保持於前述基板固持器之前述基板的下面吐出指定之處理液，前述吐出模組具備：模組本體，其係具有朝向上方吐出前述處理液之複數個噴嘴；及移動機構，其係具有配置於前述鍍覆槽旁邊並且連接於前述模組本體之旋轉軸，藉由前述旋轉軸旋轉而使前述模組本體移動；前述移動機構使前述模組本體在前述模組本體不在前述基板與前述陽極之間的第一位置；與前述模組本體在前述基板與前述陽極之間，且從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液接觸於前述基板之下面的第二位置之間移動，前述複數個噴嘴係以於前述模組本體移動至前述第二位置時，從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液從前述基板的下面中心部至外周緣部接觸之方式配置，前述模組本體進一步具備回收構件，其係以回收從前述複數個噴嘴吐出而接觸於前述基板之下面後落下的前述處理液之方式而構成，前述預濕處理方法係在執行對保持於前述基板固持器之前述基板的下面實施鍍覆之鍍覆處理前，包含以前述處理液濕潤前述基板之下面的預濕處理，前述預濕處理包含藉由前述移動機構使前述模組本體從前述第一位置移動至前述第二位置，藉由前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，而且從前述複數個噴嘴吐出前述處理液，其中前述鍍覆裝置進一步具備傾斜機構，其係使前述基板固持器傾斜，前述預濕處理包含在從前述複數個噴嘴吐出前述處理液時，以在前述基板固持器之外周緣中，接近前述旋轉軸之部位位於比離前述旋轉軸遠之部位下方的方式，前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜。
一種清洗處理方法，係使用鍍覆裝置來進行，前述鍍覆裝置係具有鍍覆模組，該鍍覆模組具備：鍍覆槽，其係配置有陽極；基板固持器，其係配置於比前述陽極上方，並保持作為陰極之基板；及旋轉機構，其係使前述基板固持器旋轉；前述鍍覆模組進一步具備吐出模組，其係朝向保持於前述基板固持器之前述基板的下面吐出指定之處理液，前述吐出模組具備：模組本體，其係具有朝向上方吐出前述處理液之複數個噴嘴；及移動機構，其係具有配置於前述鍍覆槽旁邊並且連接於前述模組本體之旋轉軸，藉由前述旋轉軸旋轉而使前述模組本體移動；前述移動機構使前述模組本體在前述模組本體不在前述基板與前述陽極之間的第一位置；與前述模組本體在前述基板與前述陽極之間，且從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液接觸於前述基板之下面的第二位置之間移動，前述複數個噴嘴係以於前述模組本體移動至前述第二位置時，從前述複數個噴嘴吐出之前述處理液從前述基板的下面中心部至外周緣部接觸之方式配置，前述模組本體進一步具備回收構件，其係以回收從前述複數個噴嘴吐出而接觸於前述基板之下面後落下的前述處理液之方式而構成，前述清洗處理方法係在執行對保持於前述基板固持器之前述基板的下面實施鍍覆之鍍覆處理後，包含以前述處理液清洗前述基板之下面的清洗處理，前述清洗處理包含藉由前述移動機構使前述模組本體從前述第一位置移動至前述第二位置，藉由前述旋轉機構使前述基板固持器旋轉，而且從前述複數個噴嘴吐出前述處理液，其中前述鍍覆裝置進一步具備傾斜機構，其係使前述基板固持器傾斜，前述清洗處理包含在從前述複數個噴嘴吐出前述處理液時，以在前述基板固持器之外周緣中，接近前述旋轉軸之部位位於比離前述旋轉軸遠之部位下方的方式，前述傾斜機構使前述基板固持器傾斜。