TWI778800B - 鍍覆裝置及沖洗處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種可抑制沖洗液大量進入鍍覆槽之鍍覆液的技術。本發明之鍍覆裝置1000具備可執行沖洗處理之沖洗模組40，沖洗模組具備：執行沖洗處理時，朝向被沖洗構件25吐出沖洗液之沖洗噴嘴41；配置於比沖洗噴嘴下方，執行沖洗處理時，以穿越鍍覆槽與基板固持器20之間的空間之方式吹出氣體的吹氣噴嘴42；及配置於從吹氣噴嘴所吹出之氣體的下游側，回收從被沖洗構件落下，而登上從吹氣噴嘴所吹出之氣流的沖洗液之回收構件50。

Description

鍍覆裝置及沖洗處理方法

本發明係關於一種鍍覆裝置及沖洗處理方法。

過去，可對基板實施鍍覆之鍍覆裝置習知有所謂杯式之鍍覆裝置（例如，參照專利文獻1）。此種鍍覆裝置具備：配置有陽極之鍍覆槽；配置於比陽極上方，而保持作為陰極之基板的基板固持器；使基板固持器旋轉之旋轉機構；及使基板固持器升降之升降機構。

此種鍍覆裝置中，會執行以沖洗液沖洗「沖洗處理」基板及基板固持器之至少一方「被沖洗構件」（例如，參照專利文獻1）。關於此，例如係在專利文獻1之鍍覆裝置中，藉由從配置於比鍍覆槽上方之沖洗噴嘴（專利文獻1係稱為噴射噴嘴）朝向被沖洗構件吐出沖洗液，來沖洗被沖洗構件。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開2007－332435號公報

（發明所欲解決之問題）

如上述專利文獻1所例示之過去的鍍覆裝置時，由於係形成從被沖洗構件落下之全部沖洗液落到鍍覆槽內部的構造，因此，可能沖洗液會大量進入鍍覆槽之鍍覆液。此時，可能因沖洗液導致鍍覆槽之鍍覆液過於稀薄。

本發明係鑑於上述情形者，目的之一為提供一種可抑制沖洗液大量進入鍍覆槽之鍍覆液的技術。 （解決問題之手段） （樣態1）

為了達成上述目的，本發明一個樣態之鍍覆裝置係具備鍍覆模組，其係具有：鍍覆槽，其係配置有陽極；基板固持器，其係配置於比前述陽極上方，而保持作為陰極之基板；旋轉機構，其係使前述基板固持器旋轉；升降機構，其係使前述基板固持器升降；及沖洗模組，其係可執行沖洗處理，即在前述基板固持器位於比前述鍍覆槽上方之狀態下，以沖洗液沖洗前述基板及前述基板固持器之至少一方的被沖洗構件；前述沖洗模組具備：沖洗噴嘴，其係在執行前述沖洗處理時，朝向前述被沖洗構件吐出沖洗液；吹氣噴嘴，其係配置於比前述沖洗噴嘴下方，執行前述沖洗處理時，以穿越前述鍍覆槽與前述基板固持器之間的空間之方式吹出氣體；及回收構件，其係配置於從前述吹氣噴嘴所吹出之前述氣體的下游側，回收從前述被沖洗構件落下，而登上從前述吹氣噴嘴吹出之前述氣流的前述沖洗液。

採用該樣態時，在執行沖洗處理時，藉由從沖洗噴嘴朝向被沖洗構件吐出沖洗液，可沖洗被沖洗構件。此外，可使從該被沖洗構件落下之沖洗液登上從吹氣噴嘴所吹出的氣流，而以回收構件回收。藉此，可抑制沖洗液大量進入鍍覆槽之鍍覆液。結果，可抑制因沖洗液導致鍍覆槽之鍍覆液過於稀薄。 （樣態2）

上述樣態1中，前述沖洗噴嘴及前述吹氣噴嘴亦可固定於前述基板固持器升降之區域的升降區域外側。 （樣態3）

上述樣態1中，前述沖洗模組亦可進一步具備移動機構，其係使前述吹氣噴嘴在前述基板固持器升降之區域的升降區域外側之第一位置與前述升降區域內側的第二位置之間移動。 （樣態4）

上述樣態3中，前述移動機構進一步亦可使前述沖洗噴嘴在前述第一位置與前述第二位置之間移動。 （樣態5）

上述樣態1～4之任何一個樣態中，前述吹氣噴嘴亦可係膜狀地吹出前述氣體之狹縫噴嘴。 （樣態6）

上述樣態1～4之任何一個樣態中，前述吹氣噴嘴亦可係以將前述吹氣噴嘴作為起點而放射狀吹出前述氣體之方式構成。 （樣態7）

上述樣態1～6之任何一個樣態中，在執行前述沖洗處理時，前述基板固持器亦可變成水平狀態。 （樣態8）

上述樣態1～6之任何一個樣態中，前述鍍覆模組亦可進一步具備傾斜機構，其係使前述基板固持器對水平方向傾斜，在執行前處沖洗處理時，前述基板固持器變成傾斜之狀態。 （樣態9）

上述樣態1～8之任何一個樣態中，在前述沖洗噴嘴開始吐出前述沖洗液之時期，亦可比前述吹氣噴嘴開始吹出前述氣體之時期早。 （樣態10）

上述樣態1～9之任何一個樣態中，前述鍍覆模組亦可進一步具備：框體，其係在內部至少收容前述鍍覆槽、前述基板固持器、前述旋轉機構、前述升降機構、及前述沖洗模組；及排氣機構，其係將前述框體內部之空氣排出前述框體外部。 （樣態11）

上述樣態10中，前述排氣機構亦可將前述吹氣噴嘴吹出氣體之期間的排氣流量，比在前述吹氣噴嘴開始吹出前述氣體前之時刻的排氣流量高。 （樣態12）

上述樣態10或11中，從前述吹氣噴嘴吹出之前述氣體所含的水蒸氣量，亦可高於前述框體內部之空氣所含的水蒸氣量。 （樣態13）

為了達成上述目的，本發明一個樣態之沖洗處理方法，係使用上述樣態1～12中任何一個樣態之鍍覆裝置的沖洗處理方法，且包含：第一工序，其係在前述基板固持器位於比前述鍍覆槽上方之狀態下，前述沖洗噴嘴朝向前述被沖洗構件吐出前述沖洗液；及第二工序，其係在藉由前述沖洗噴嘴執行吐出前述沖洗液期間，前述吹氣噴嘴吹出前述氣體，並且前述回收構件回收從前述被沖洗構件落下而登上從前述吹氣噴嘴吹出之前述氣流的前述沖洗液。

採用該樣態時，可抑制沖洗液大量進入鍍覆槽之鍍覆液。結果，可抑制因沖洗液導致鍍覆槽之鍍覆液過於稀薄。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，圖式係為了容易理解實施形態之特徵而模式地圖示，各構成元件之尺寸比率等未必與實際者相同。此外，一些圖式中圖示有X－Y－Z之正交座標作為參考用。該正交座標中，Z方向相當於上方，－Z方向相當於下方（重力作用之方向）。

圖1是表示本實施方式的鍍覆裝置1000的整體結構的立體圖。圖2是表示本實施方式的鍍覆裝置1000的整體結構的俯視圖（頂視圖）。如圖1及圖2所示，鍍覆裝置1000具備裝載口100、輸送機械臂110、對準器120、預濕模塊200、預浸模塊300、鍍覆模塊400、清洗模塊500、旋轉沖洗乾燥模塊600、輸送裝置700以及控制模塊800。

裝載口100是用於將收容於未圖示的FOUP等盒的基板搬入於鍍覆裝置1000或者從鍍覆裝置1000向盒搬出基板的模塊。在本實施方式中，4台裝載口100沿水平方向排列配置，但裝載口100的數量及配置是任意的。輸送機械臂110是用於輸送基板的機械臂，構成為在裝載口100、對準器120以及輸送裝置700之間交接基板。輸送機械臂110及輸送裝置700能夠在輸送機械臂110與輸送裝置700之間交接基板時，經由臨時放置台（未圖示）進行基板的交接。

對準器120是用於使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準的模塊。在本實施方式中，2台對準器120沿水平方向排列配置，但對準器120的數量及配置是任意的。預濕模塊200通過利用純水或脫氣水等處理液潤濕鍍覆處理前的基板的被鍍覆面，將在基板表面形成的圖案內部的空氣置換為處理液。預濕模塊200構成為實施通過在鍍覆時將圖案內部的處理液置換為鍍覆液而容易向圖案內部供給鍍覆液的預濕處理。在本實施方式中，2台預濕模塊200沿上下方向排列配置，但預濕模塊200的數量及配置是任意的。

預浸模塊300例如構成為實施利用硫酸、鹽酸等處理液對在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面形成的種子層表面等存在的電阻大的氧化膜進行蝕刻除去而對鍍覆基底表面進行清洗或活化的預浸處理。在本實施方式中，2台預浸模塊300沿上下方向排列配置，但預浸模塊300的數量及配置是任意的。鍍覆模塊400對基板實施鍍覆處理。在本實施方式中，沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台鍍覆模塊400的組件為兩組，合計設置有24台鍍覆模塊400，但鍍覆模塊400的數量及配置是任意的。

清洗模塊500構成為為了除去鍍覆處理後的基板上殘留的鍍覆液等而對基板實施清洗處理。在本實施方式中，2台清洗模塊500沿上下方向排列配置，但清洗模塊500的數量及配置是任意的。旋轉沖洗乾燥模塊600是用於使清洗處理後的基板高速旋轉而使其乾燥的模塊。在本實施方式中，2台旋轉沖洗乾燥模塊600沿上下方向排列配置，但旋轉沖洗乾燥模塊的數量及配置是任意的。輸送裝置700是用於在鍍覆裝置1000內的多個模塊之間輸送基板的裝置。控制模塊800構成為控制鍍覆裝置1000的多個模塊，例如能夠由具備與操作人員之間的輸入輸出接口的一般的計算機或專用計算機構成。

對鍍覆裝置1000進行的一系列鍍覆處理的一個例子進行說明。首先，將收容於盒的基板搬入於裝載口100。接著，輸送機械臂110從裝載口100的盒取出基板，並將基板輸送至對準器120。對準器120使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準。輸送機械臂110將由對準器120對準了方向的基板交接給輸送裝置700。

輸送裝置700將從輸送機械臂110接收到的基板輸送給預濕模塊200。預濕模塊200對基板實施預濕處理。輸送裝置700將實施了預濕處理的基板輸送給預浸模塊300。預浸模塊300對基板實施預浸處理。輸送裝置700將實施了預浸處理的基板輸送給鍍覆模塊400。鍍覆模塊400對基板實施鍍覆處理。

輸送裝置700將實施了鍍覆處理的基板輸送給清洗模塊500。清洗模塊500對基板實施清洗處理。輸送裝置700將實施了清洗處理的基板輸送給旋轉沖洗乾燥模塊600。旋轉沖洗乾燥模塊600對基板實施乾燥處理。輸送裝置700將實施了乾燥處理的基板交接給輸送機械臂110。輸送機械臂110將從輸送裝置700接收到的基板輸送給裝載口100的盒。最後，將收容基板的盒從裝載口100搬出。

另外，圖1及圖2所說明之鍍覆裝置1000的構成不過是一例，鍍覆裝置1000之構成並非限定於圖1及圖2之構成者。

此外，本實施形態之鍍覆模組400備有後述之沖洗模組40，該沖洗模組40執行之沖洗處理可取代藉由上述清洗模組500實施之清洗處理。因此，鍍覆裝置1000亦可不具備清洗模組500而構成。

繼續，說明鍍覆模組400。另外，由於本實施形態之鍍覆裝置1000具有的複數個鍍覆模組400具有同樣構成，因此就一個鍍覆模組400進行說明。

圖3係用於說明本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400之構成的模式圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係杯式的鍍覆裝置。圖3中例示之鍍覆模組400主要具備：鍍覆槽10、基板固持器20、旋轉機構30、升降機構32、傾斜機構34、及沖洗模組40，並且具備將此等構成元件收容於內部之框體70。此外，鍍覆模組400亦具備排氣機構80。另外，圖3中，一部分構成元件係模式性圖示其剖面。

本實施形態之鍍覆槽10係藉由在上方具有開口之有底的容器而構成。具體而言，鍍覆槽10具有：底壁10a；及從該底壁10a之外周緣延伸至上方的外周壁10b；該外周壁10b之上部開口。另外，鍍覆槽10之外周壁10b的形狀並無特別限定，不過，本實施形態之外周壁10b的一例為具有圓筒形狀。

在鍍覆槽10之內部貯存有鍍覆液Ps。鍍覆液Ps只要是含有構成鍍覆皮膜之金屬元素的離子之溶液即可，其具體例並無特別限定。本實施形態中，鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理，鍍覆液Ps之一例係使用硫酸銅溶液。另外，鍍覆液Ps中亦可含有指定之添加劑。

在鍍覆槽10之內部配置有陽極11。陽極11之具體種類並無特別限定，可使用溶解陽極或不溶解陽極。本實施形態中，陽極11之一例為使用不溶解陽極。該不溶解陽極之具體種類並無特別限定，可使用鉑或氧化銥等。

在鍍覆槽10之內部，且比陽極11上方配置有隔膜12。具體而言，隔膜12係配置於陽極11與基板Wf之間的部位。鍍覆槽10之內部藉由隔膜12在上下方向分割為2。將劃分為比隔膜12下方側之區域稱為陽極室13。並將比隔膜12上方側之區域稱為陰極室14。前述陽極11配置於陽極室13。隔膜12係藉由容許金屬離子通過，且抑制鍍覆液Ps中所含的添加劑通過之膜而構成。隔膜12之具體種類並無特別限定，例如可使用離子交換膜等。

在陰極室14中配置有離子電阻器15。具體而言，離子電阻器15係藉由具有貫穿離子電阻器15之上面與下面的複數個孔（細孔）之多孔性的板構件而構成。離子電阻器15係用於謀求形成於陽極11與基板Wf之間的電場均勻化而設的構件。離子電阻器15之具體材質並無特別限定，不過本實施形態中之一例為使用聚醚醚酮等樹脂。另外，鍍覆模組400之構成並非限定於此者，例如，鍍覆模組400亦可不具備離子電阻器15而構成。

基板固持器20係用於保持作為陰極之基板Wf的構件。基板Wf之下面相當於被鍍覆面。基板固持器20連接於旋轉機構30。旋轉機構30係用於使基板固持器20旋轉之機構。旋轉機構30可使用旋轉馬達等習知之機構。旋轉機構30連接於升降機構32。升降機構32藉由在上下方向延伸之支軸36而支撐。升降機構32係用於使基板固持器20、旋轉機構30及傾斜機構34在上下方向升降之機構。升降機構32可使用直動式之致動器等習知的升降機構。傾斜機構34係用於使基板固持器20及旋轉機構30傾斜之機構。傾斜機構34可使用活塞、汽缸等習知之傾斜機構。

執行鍍覆處理時，旋轉機構30使基板固持器20旋轉，而且升降機構32使基板固持器20移動至下方，而使基板Wf浸漬於鍍覆槽10之鍍覆液Ps。接著，藉由通電裝置（無圖示）而在陽極11與基板Wf之間流動電流。藉此，在基板Wf之下面形成鍍覆皮膜（亦即，實施鍍覆處理）。另外，在執行鍍覆處理時，傾斜機構34亦可依需要使基板固持器20傾斜。

排氣機構80係用於將框體70內部之空氣排出框體70外部的機構。只要是此種機構即可，排氣機構80之具體構成並無特別限定，不過，本實施形態之排氣機構80的一例為具備：一端連接於框體70之排氣管81；及連接於排氣管81之排氣泵浦82。

具體而言，本實施形態之排氣管81的排氣流動方向在上游側之端部連通於框體70內部，排氣管81之下游側的端部連通於框體70外部。更具體而言，本實施形態之排氣管81的下游側端部配置於鍍覆裝置1000外部（鍍覆裝置1000之框體外部）。排氣泵浦82接受控制模組800之指令而動作。藉由排氣泵浦82開始運轉，框體70內部之空氣通過排氣管81，並排出框體70外部（本實施形態係鍍覆裝置1000之外部）。藉此，可將框體70內部之壓力形成比框體70外部低之「負壓」。本實施形態中，該負壓具體而言成為比大氣壓低之壓力。

另外，連接有框體70中之排氣機構80的部位以外之部位亦可密閉。或是，框體70亦可在連接有排氣機構80之部位以外的部位設置間隙或開口部（亦即，亦可不密閉框體70）。如此，即使不密閉框體70時，仍可藉由排氣機構80將框體70之內部形成負壓。

控制模組800備有微電腦，該微電腦具備：作為處理器之CPU（中央處理單元）801；及作為永久性記憶媒體之記憶部802等。控制模組800中，CPU801依據記憶於記憶部802之程式的指令控制鍍覆模組400之動作。

繼續，說明沖洗模組40。圖4係用於說明沖洗模組40之模式圖。具體而言，圖4模式顯示沖洗模組40執行沖洗處理之狀態。圖5係沖洗模組40之模式的俯視圖。另外，圖5中，省略後述之沖洗噴嘴41的圖示。此外，在圖5之一部分（A2）亦圖示後述之吹氣噴嘴42的吹出口44附近部分之立體圖。

沖洗模組40係可對基板Wf及基板固持器20之至少一方的「被沖洗構件25」實施沖洗處理之模組。本實施形態之被沖洗構件25的一例為包含基板Wf及基板固持器20兩者。此外，本實施形態之沖洗處理，具體而言，係以沖洗液RL沖洗包含實施鍍覆處理後之基板Wf的被沖洗構件25之處理。

沖洗液RL之具體種類並無特別限定，不過，本實施形態之一例為使用純水。

參照圖4，執行沖洗處理時，基板固持器20位於比鍍覆槽10上方。此外，執行沖洗處理時，基板固持器20旋轉。再者，執行沖洗處理時，基板固持器20對水平方向傾斜。具體而言，基板固持器20在執行沖洗處理時，係以被沖洗構件25之被沖洗面（沖洗液RL附著之面）朝向後述的沖洗噴嘴41之方式而傾斜。

沖洗模組40具備：沖洗噴嘴41、吹氣噴嘴42、支撐構件43、回收構件50。支撐構件43係用於支撐沖洗噴嘴41及吹氣噴嘴42之構件。支撐構件43配置於基板固持器20升降之區域的「升降區域EA」之外側區域。

沖洗噴嘴41在執行沖洗處理時，朝向被沖洗構件25吐出沖洗液RL。本實施形態中，沖洗噴嘴41之一例為使用以廣角吐出沖洗液RL之方式而構成的噴灑式液體吐出噴嘴。

沖洗噴嘴41上連接有用於將沖洗液RL供給至沖洗噴嘴41之沖洗液供給裝置（無圖示）。該沖洗液供給裝置具備：貯存沖洗液RL之貯存槽；及將貯存槽之沖洗液RL壓送至沖洗噴嘴41的泵浦等。沖洗噴嘴41之沖洗液RL的吐出動作藉由控制模組800來控制。

此外，本實施形態之沖洗噴嘴41在執行沖洗處理時，係以沖洗液RL附著於旋轉之基板Wf整個下面的方式調整其吐出角度。具體而言，沖洗噴嘴41係以從基板Wf之下面中央，包含基板Wf之下面的外緣附著沖洗液RL之方式吐出沖洗液RL。藉此，可使沖洗液RL附著於旋轉之基板Wf的整個下面。此外，沖洗噴嘴41亦使基板固持器20中之配置於基板Wf外緣之外側的部分附著沖洗液RL。藉此，不僅基板Wf之下面，就連基板固持器20之一部分亦可藉由沖洗液RL而沖洗。

吹氣噴嘴42配置於比沖洗噴嘴41下方。吹氣噴嘴42在執行沖洗處理時，係以穿越鍍覆槽10與基板固持器20之間的空間（亦即，比鍍覆槽10上方，且比基板固持器20下方的空間）之方式吹出氣體Ga而構成。此外，本實施形態之吹氣噴嘴42的一例為在水平方向（－X方向）吹出氣體Ga。

參照圖4及圖5，本實施形態中，吹氣噴嘴42之一例為使用以膜狀吹出氣體Ga之方式而構成的狹縫噴嘴。具體而言，如圖5之A2部分的立體圖所示，本實施形態之吹氣噴嘴42具有在水平方向（圖5係Y方向）延伸之狹縫狀的吹出口44。藉由從該吹出口44在－X方向吹出氣體Ga，吹出之氣體Ga變成將Y方向作為寬度方向的膜狀。另外，作為該吹氣噴嘴42之狹縫噴嘴，一般而言係別稱為「氣刀（Air Knife）」的噴嘴。

但是，吹氣噴嘴42之構成並非限定於上述之狹縫噴嘴者。舉出吹氣噴嘴42之其他一例時，如圖11所例示，吹氣噴嘴42亦可以具備列狀配置於水平方向（Y方向）之複數個吹出口44，並從各個吹出口44吹出氣體Ga之方式而構成。

此外，本實施形態之吹氣噴嘴42係以氣體Ga通過位於傾斜之基板固持器20最下方的「最下點P3」之下的方式吹出氣體Ga。該最下點P3係附著於基板固持器20之沖洗液RL從基板固持器20最容易落下的部位。藉由該構成，可使從基板固持器20落下之沖洗液RL有效地登上氣體Ga的氣流。

吹氣噴嘴42上連接有用於將氣體Ga供給至吹氣噴嘴42的氣體供給裝置（無圖示）。該氣體供給裝置具備用於將氣體壓送至吹氣噴嘴42之泵浦等。吹氣噴嘴42吹出氣體Ga之動作藉由控制模組800來控制。

另外，本實施形態之氣體Ga的一例為空氣。但是，氣體Ga之種類並非限定於此者，舉出其他例時，亦可使用氮及氬等不活潑氣體。此時，氣體供給裝置例如只須具備貯存不活潑氣體之儲氣瓶等即可。

如圖4所示，沖洗噴嘴41及吹氣噴嘴42藉由配置於升降區域EA外側之支撐構件43而支撐。亦即，沖洗噴嘴41及吹氣噴嘴42係固定於升降區域EA之外側。

參照圖4及圖5，沖洗噴嘴41及吹氣噴嘴42從上方觀看時，係夾著基板固持器20之中央C1（此處亦係升降區域EA之中央C1），而配置於基板固持器20之最下點P3的相反側之部位。

回收構件50配置於從吹氣噴嘴42吹出之氣體Ga的下游側。回收構件50係以回收從沖洗噴嘴41吐出，附著於被沖洗構件25後，從被沖洗構件25落下而登上氣體Ga之氣流的沖洗液RL之方式構成。

具體而言，回收構件50係以夾著升降區域EA而與吹氣噴嘴42相對之方式配置。此外，參照圖4之A1部分的放大圖及圖5，回收構件50具備：導管構件51、收容構件52、排出管57。

導管構件51係藉由登上氣體Ga之氣流的沖洗液RL碰撞，並且將碰撞之沖洗液RL導入收容構件52之方式所配置的板構件而構成。本實施形態之導管構件51係以從收容構件52之後述的側壁54（具體而言，係後述之外側側壁56）的上端延伸至上方之方式配置。

收容構件52係以暫時收容與導管構件51碰撞後沿著導管構件51落下之沖洗液RL的方式所構成的構件。具體而言，本實施形態之收容構件52具備：底壁53；及從底壁53之外周緣延伸至上方的側壁54。在藉由該底壁53與側壁54所劃分之內部區域中暫時貯存與導管構件51碰撞後之沖洗液RL。

另外，側壁54中，將在基板固持器20之徑方向，且靠近基板固持器20中央之側的側壁稱為「內側側壁55」，並將與該內側側壁55相對，並且配置於比內側側壁55在基板固持器20之徑方向，且遠離基板固持器20中央之側的側壁稱為「外側側壁56」。

排出管57連接於收容構件52。排出管57係用於將暫時收容於收容構件52之沖洗液RL排出外部的管。具體而言，本實施形態之排出管57的上游側端部連接於收容構件52，下游側端部連接於排液回收槽（無圖示）。暫時收容於收容構件52之沖洗液RL通過該排出管57而收容於排液回收槽。另外，本實施形態之排液回收槽係配置於框體70之外部（具體而言，係鍍覆裝置1000之外部），不過排液回收槽之配置部位並非限定於此者。

圖6係用於說明沖洗處理時之鍍覆裝置1000的動作之流程圖的一例。圖6之流程圖係由控制模組800，更具體而言係由CPU801依據記憶部802之程式的指令來執行。

控制模組800在接受開始執行沖洗處理要旨之控制指令的「開始執行沖洗處理指令」時，開始進行圖6之流程圖。接受該開始執行沖洗處理指令時，控制模組800控制升降機構32使基板固持器20位於比鍍覆槽10上方，並控制傾斜機構34使基板固持器20對水平方向傾斜，又控制旋轉機構30使基板固持器20旋轉。藉此，在基板固持器20位於比鍍覆槽10上方、對水平方向傾斜、且旋轉狀態下，執行後述之步驟S10及步驟S20。

此外，控制模組800在接受開始執行沖洗處理指令時，使排氣機構80之排氣泵浦82開始運轉。藉此，在執行沖洗處理時（具體而言，係執行後述之步驟S10及步驟S20時）可將框體70之內部形成負壓。結果，含有化學物質之噴霧及微粒子等從框體70之內部漏出外部，可抑制附著於鍍覆裝置1000之其他構成元件（例如搬送裝置700等）。

控制模組800在步驟S10之第一工序中，開始從朝向被沖洗構件25之沖洗噴嘴41吐出沖洗液RL。具體而言，控制模組800藉由使前述之泵浦（用於將沖洗液RL壓送至沖洗噴嘴41之泵浦）工作，而開始從沖洗噴嘴41吐出沖洗液RL。

控制模組800在執行該步驟S10之吐出沖洗液RL期間，執行步驟S20之第二工序。該第二工序中，控制模組800開始從吹氣噴嘴42吹出氣體Ga。具體而言，控制模組800藉由使前述之泵浦（用於將氣體Ga壓送至吹氣噴嘴42之泵浦）工作，而開始從吹氣噴嘴42吹出氣體Ga。

該第二工序中，從被沖洗構件25落下而登上氣體Ga之氣流的沖洗液RL藉由回收構件50而回收。藉由以上之工序執行沖洗處理。

採用如以上說明之本實施形態時，在執行沖洗處理時，藉由從沖洗噴嘴41朝向被沖洗構件25吐出沖洗液RL，可沖洗被沖洗構件25。此外，使從該被沖洗構件25落下之沖洗液RL登上從吹氣噴嘴42吹出的氣體Ga之氣流，可藉由回收構件50回收。藉此，可抑制沖洗液RL大量進入鍍覆槽10之鍍覆液Ps。結果，可抑制因沖洗液RL導致鍍覆槽10之鍍覆液Ps過於稀薄。

另外，本實施形態中，在執行沖洗處理時，基板固持器20係傾斜，不過並非限定於該構成者。在執行沖洗處理時，基板固持器20亦可不傾斜而保持水平狀態。亦即，此時，保持於基板固持器20之基板Wf的下面係在水平狀態下執行沖洗處理。

此外，在步驟S10沖洗噴嘴41開始吐出沖洗液RL之時期，亦可比在步驟S20吹氣噴嘴42開始吹出氣體Ga的時期早。

採用該構成時，在從吹氣噴嘴42吹出氣體Ga之前，從沖洗噴嘴41吐出並附著於被沖洗構件25後，從被沖洗構件25落下的沖洗液RL（亦即，開始吐出初期之沖洗液RL）可返回鍍覆槽10。藉此，可將附著於被沖洗構件25之鍍覆液Ps與沖洗液RL一起返回鍍覆槽10。結果，可謀求減少「不返回鍍覆槽10而廢棄之鍍覆液Ps的量」。另外，從吹氣噴嘴42吹出氣體Ga後，由於可藉由回收構件50回收從被沖洗構件25落下之沖洗液RL，因此，可抑制沖洗液RL大量進入鍍覆槽10之鍍覆液Ps。

另外，此時，將開始吐出沖洗液RL之時期與開始吹出氣體Ga的時期比較，提早何種程度？宜依據從鍍覆槽10蒸發之水量來決定。舉出該具體例如下。

例如，從鍍覆槽10蒸發之水量每小時係N（L）時（亦即，N（L／hr）時），從沖洗噴嘴41吐出後進入鍍覆槽10之沖洗液RL的量係N（L／hr）以下時，可抑制沖洗液RL大量進入鍍覆槽10的鍍覆液Ps（另外，N係比零大之值）。因此，從沖洗噴嘴41吐出後進入鍍覆槽10之沖洗液RL的量在N（L／hr）以下的範圍，只須以開始吐出沖洗液RL之時期比開始吹出氣體Ga的時期早之方式，設定開始吐出沖洗液RL的時期即可。此種適合之開始吐出沖洗液RL的時期，例如藉由進行實驗或模擬等來適當決定即可。

此外，如上述，在設定開始吐出沖洗液RL之時期時，除了從鍍覆槽10蒸發的水量之外，宜進一步考慮每1小時執行鍍覆處理的次數（次數／hr）。舉出該具體例時，例如，假設使用一個鍍覆槽10，每1小時執行2次鍍覆處理（亦即，此時，使用一個鍍覆槽10，每1小時對2片基板Wf執行鍍覆處理）。此時，藉由執行2次鍍覆處理而進入鍍覆槽10之沖洗液RL的合計量為N（L／hr）以下之範圍，以開始吐出沖洗液RL之時期比開始吹出氣體Ga的時期提早之方式，設定開始吐出沖洗液RL之時期即可。

此外，排氣機構80亦可將在吹氣噴嘴42吹出氣體Ga之期間的排氣流量（亦即，排出之空氣流量（mm ³／sec）），比吹氣噴嘴42開始吹出氣體Ga之前的時間之排氣流量（mm ³／sec）高。具體而言，此時，控制模組800只須使在吹氣噴嘴42吹出氣體Ga之期間，排氣機構80之排氣泵浦82的轉數（rpm），比在吹氣噴嘴42開始吹出氣體Ga之前的時間，排氣泵浦82之轉數（rpm）增大即可。

採用該構成時，由於在吹氣噴嘴42吹出氣體Ga之期間，可有效將框體70之內部形成負壓，因此可有效抑制含有化學物質之噴霧及微粒子等從框體70的內部漏出外部。

此外，從吹氣噴嘴42所吹出之氣體Ga所含的水蒸氣量（g／m ³），亦可高於框體70之內部空氣所含的水蒸氣量（g／m ³）。具體而言，此時，例如在用於對吹氣噴嘴42供給氣體Ga之氣體供給裝置中附加加濕氣，藉由從吹氣噴嘴42吹出經由該加濕氣之氣體Ga，可使從吹氣噴嘴42吹出之氣體Ga所含的水蒸氣量，比框體70之內部空氣所含的水蒸氣量多。

採用該構成時，與例如從吹氣噴嘴42吹出之氣體Ga所含的水蒸氣量比框體70之內部空氣所含的水蒸氣量少的情況比較，可使被沖洗構件25不易乾燥。

繼續，說明上述實施形態之修改例。另外，在以下修改例之說明中，就與上述實施形態相同或對應之構成註記相同符號，而適切省略說明。 （修改例1）

圖7係實施形態之修改例1的沖洗模組40A之模式俯視圖。另外，圖7中，省略沖洗噴嘴41之圖示。本修改例之沖洗模組40A從上面觀看，吹氣噴嘴42配置於比基板固持器20之中央C1（升降區域EA之中央C1）靠近傾斜狀態之基板固持器20的最下點P3之側。亦即，本修改例之吹氣噴嘴42配置於在傾斜狀態之基板固持器20的最下點P3之附近處。這一點為本修改例之沖洗模組40A與前述圖5所示的沖洗模組40不同。

即使在本修改例中，仍可達到與前述實施形態同樣之作用效果。 （修改例2）

圖8係用於說明實施形態之修改例2的沖洗模組40B之模式圖。具體而言，圖8模式地顯示本修改例之沖洗模組40B執行沖洗處理的狀態。本修改例之沖洗模組40B與前述圖4所示之沖洗模組40不同之處為：進一步具備移動機構60；具備沖洗噴嘴41B來取代沖洗噴嘴41；具備吹氣噴嘴42B來取代吹氣噴嘴42；具備回收構件50B來取代回收構件50。

圖9係本修改例之沖洗模組40B的模式俯視圖。參照圖8及圖9，移動機構60係以使沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B在升降區域EA之外側的「第一位置P1」、與升降區域EA之內側的「第二位置P2」之間移動的方式構成。

具體而言，移動機構60具備：手臂61、手臂62、及旋轉軸63。手臂61之一端連接於沖洗噴嘴41B，另一端連接於旋轉軸63。手臂62之一端連接於吹氣噴嘴42B，另一端連接於比旋轉軸63中連接有手臂61之部位下方的部位。

旋轉軸63係手臂61及手臂62之旋轉軸，且配置於升降區域EA之外側。此外，旋轉軸63在上下方向（鉛直方向）延伸。旋轉軸63連接於旋轉馬達等之致動器（無圖示），並藉由該致動器而旋轉驅動。該致動器之動作藉由控制模組800來控制。

本修改例之沖洗模組40B藉由控制模組800控制，在沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B位於第二位置P2狀態下執行沖洗處理。具體而言，本修改例之控制模組800在接受前述之開始執行沖洗處理指令時，使旋轉軸63旋轉，並使沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B位於第二位置P2。如此，在沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B位於第二位置P2之狀態下，開始從沖洗噴嘴41B吐出沖洗液RL，及從吹氣噴嘴42B吹出氣體Ga。

另外，沖洗模組40B在執行沖洗處理之前或執行沖洗處理之後，使沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B移動至第一位置P1。具體而言，控制模組800在接受開始執行沖洗處理指令之前（執行沖洗處理前）或接受結束執行沖洗處理指令時（執行沖洗處理後），使旋轉軸63旋轉，而將沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B返回第一位置P1。亦即，該第一位置P1亦可稱為退開位置。

如此，在執行沖洗處理前或執行沖洗處理後，藉由沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B移動至第一位置P1，而不執行沖洗處理時，可抑制沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B進入基板固持器20之升降區域EA。

如圖8所示，沖洗噴嘴41B位於第二位置P2時，係位於被沖洗構件25之下方。該一例為本修改例之沖洗噴嘴41B在第二位置P2係位於基板固持器20之中央C1的下方。而沖洗噴嘴41B在第二位置P2，係朝向在沖洗噴嘴41B上方之被沖洗構件25吐出沖洗液RL。

本修改例之吹氣噴嘴42B亦係位於第二位置P2時，係位於被沖洗構件25之下方。該一例為本修改例之吹氣噴嘴42B在第二位置P2係位於基板固持器20之中央C1的下方。

此外，如圖8及圖9所示，吹氣噴嘴42B從上方觀看時，係將吹氣噴嘴42B作為起點而放射狀吹出氣體Ga。具體而言，本修改例之吹氣噴嘴42B如圖8之A3部分的放大圖所示，具有圓柱狀之外觀形狀。而後，吹氣噴嘴42B之複數個吹出口44周方向排列於該圓柱狀之吹氣噴嘴42B的外周面42a。藉由該構成，吹氣噴嘴42B之複數個吹出口44放射狀吹出氣體Ga。

如圖9所示，本修改例之回收構件50B從上方觀看時，係以整體覆蓋升降區域EA之外周的方式設置。具體而言，回收構件50B之收容構件52B的內側側壁55B從上方觀看時，整體覆蓋升降區域EA之外周。此外，回收構件50B之導管構件51B從上方觀看時，係比內側側壁55B在基板固持器20之徑方向配置於外側，且整體覆蓋內側側壁55B之外周。

另外，本修改例之導管構件51B的一部分設有手臂61貫穿之溝孔（溝狀之孔）、及手臂62貫穿之溝孔。藉此，當沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B在第一位置P1與第二位置P2之間移動時，可抑制手臂61及手臂62碰到導管構件51B。

但是，並非限定於上述構成者。例如，手臂62亦可以通過比回收構件50B下方（具體而言，比回收構件50B之底壁53下方）之方式配置。此時，導管構件51B亦可不具備上述手臂62用之溝孔。

與其同樣地，手臂61亦可以通過比回收構件50B下方（具體而言，比底壁53下方）之方式配置。此時，導管構件51B亦可不具備上述之手臂61用的溝孔。

此外，參照圖9，本修改例之回收構件50B的收容構件52B不僅以可收容與導管構件51B碰撞後落下之沖洗液RL的方式配置之外，還以收容構件52B之底壁53位於第一位置P1的沖洗噴嘴41B之下方的方式配置。藉此，即使沖洗噴嘴41B位於第一位置P1狀態下，沖洗液RL從沖洗噴嘴41B落下時，仍可藉由收容構件52B收容該滴下之沖洗液RL。

即使本修改例中，仍可達到與前述實施形態同樣之作用效果。具體而言，執行沖洗處理時，在沖洗模組40B之沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B位於第二位置P2的狀態下，藉由從沖洗噴嘴41B朝向被沖洗構件25吐出沖洗液RL，可沖洗被沖洗構件25。此外，可使從該被沖洗構件25落下之沖洗液RL登上從吹氣噴嘴42B吹出之氣體Ga的氣流，並以回收構件50B回收。藉此，可抑制沖洗液RL大量進入鍍覆槽10之鍍覆液Ps。

另外，執行圖8例示之沖洗處理時，基板固持器20並未傾斜，不過並非限定於該構成者。本修改例中，即使執行沖洗處理時，基板固持器20仍可對水平方向傾斜。

此外，本修改例中，沖洗噴嘴41B及吹氣噴嘴42B兩者皆在第一位置P1與第二位置P2之間移動，不過並非限定於該構成者。舉出其他例時，亦可吹氣噴嘴42B在第一位置P1與第二位置P2之間移動，另外，不使沖洗噴嘴41B移動，而如前述實施形態之沖洗噴嘴41（圖4）固定於升降區域EA的外側。

或是，亦可沖洗噴嘴41B在第一位置P1與第二位置P2之間移動，另外，不使吹氣噴嘴42B移動，而如前述實施形態之吹氣噴嘴42（圖4）固定於升降區域EA的外側。 （修改例3）

圖10係實施形態之修改例3的沖洗模組40C之模式俯視圖。本修改例之沖洗模組40C與前述圖5所例示的沖洗模組40不同之處為吹氣噴嘴42係藉由移動機構60而在第一位置P1與第二位置P2之間移動。

亦即，本修改例中，沖洗噴嘴41如前述圖4所例示，係藉由支撐構件43固定於升降區域EA之外側，另外，吹氣噴嘴42如圖10所例示，在第一位置P1與第二位置P2之間移動。

即使本修改例中，仍可達到與前述實施形態及修改例2同樣之作用效果。

以上，詳述本發明之實施形態及修改例，不過本發明並非限定於該特定之實施形態及修改例者，在申請專利範圍所記載之本發明的要旨範圍內可進行各種修改及變更。

10:鍍覆槽 10a:底壁 10b:外周壁 11:陽極 12:隔膜 13:陽極室 14:陰極室 15:離子電阻器 20:基板固持器 25:被沖洗構件 30:旋轉機構 32:升降機構 34:傾斜機構 36:支軸 40,40A,40B,40C:沖洗模組 41,41B:沖洗噴嘴 42,42B:吹氣噴嘴 42a:外周面 43:支撐構件 44:吹出口 50,50B:回收構件 51,51B:導管構件 52,52B:收容構件 53:底壁 54:側壁 55,55B:內側側壁 56:外側側壁 57:排出管 60:移動機構 61:手臂 62:手臂 63:旋轉軸 70:框體 80:排氣機構 81:排氣管 82:排氣泵浦 100:裝載埠 110:搬送機器人 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400:鍍覆模組 500:清洗模組 600:自旋沖洗乾燥機 700:搬送裝置 800:控制模組 801:CPU（中央處理單元） 802:記憶部 1000:鍍覆裝置 C1:中央 EA:升降區域 Ga:氣體 P1:第一位置 P2:第二位置 P3:最下點 Ps:鍍覆液 RL:沖洗液 Wf:基板

圖1係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。 圖2係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。 圖3係用於說明實施形態之鍍覆模組400的構成之模式圖。 圖4係用於說明實施形態之沖洗模組的模式圖。 圖5係實施形態之沖洗模組的模式俯視圖。 圖6係用於說明實施形態之沖洗處理時的鍍覆裝置之動作的流程圖之一例。 圖7係實施形態之修改例1的沖洗模組之模式俯視圖。 圖8係用於說明實施形態之修改例2的沖洗模組之模式圖。 圖9係實施形態之修改例2的沖洗模組之模式俯視圖。 圖10係實施形態之修改例3的沖洗模組之模式俯視圖。 圖11係模式顯示實施形態之吹氣噴嘴的吹出口之其他例的立體圖。

20:基板固持器

25:被沖洗構件

40:沖洗模組

41:沖洗噴嘴

42:吹氣噴嘴

43:支撐構件

50:回收構件

51:導管構件

52:收容構件

53:底壁

54:側壁

55:內側側壁

56:外側側壁

57:排出管

EA:升降區域

Ga:氣體

P3:最下點

RL:沖洗液

Wf:基板

Claims (13)

1. 一種鍍覆裝置，係具備鍍覆模組，其係具有： 鍍覆槽，其係配置有陽極；基板固持器，其係配置於比前述陽極上方，而保持作為陰極之基板； 旋轉機構，其係使前述基板固持器旋轉；升降機構，其係使前述基板固持器升降；及 沖洗模組，其係可執行沖洗處理，即在前述基板固持器位於比前述鍍覆槽上方之狀態下，以沖洗液沖洗前述基板及前述基板固持器之至少一方的被沖洗構件； 前述沖洗模組具備： 沖洗噴嘴，其係在執行前述沖洗處理時，朝向前述被沖洗構件吐出沖洗液； 吹氣噴嘴，其係配置於比前述沖洗噴嘴下方，執行前述沖洗處理時，以穿越前述鍍覆槽與前述基板固持器之間的空間之方式吹出氣體；及 回收構件，其係配置於從前述吹氣噴嘴所吹出之前述氣體的下游側，回收從前述被沖洗構件落下，而登上從前述吹氣噴嘴吹出之前述氣流的前述沖洗液。
2. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 前述沖洗噴嘴及前述吹氣噴嘴係固定於前述基板固持器升降之區域的升降區域外側。
3. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 前述沖洗模組進一步具備移動機構，其係使前述吹氣噴嘴在前述基板固持器升降之區域的升降區域外側之第一位置與前述升降區域內側的第二位置之間移動。
4. 如請求項3之鍍覆裝置，其中， 前述移動機構進一步使前述沖洗噴嘴在前述第一位置與前述第二位置之間移動。
5. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 前述吹氣噴嘴係膜狀地吹出前述氣體之狹縫噴嘴。
6. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 前述吹氣噴嘴係以將前述吹氣噴嘴作為起點而放射狀吹出前述氣體之方式構成。
7. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 在執行前述沖洗處理時，前述基板固持器係變成水平狀態。
8. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 前述鍍覆模組進一步具備傾斜機構，其係使前述基板固持器對水平方向傾斜， 在執行前處沖洗處理時，前述基板固持器變成傾斜之狀態。
9. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 前述沖洗噴嘴開始吐出前述沖洗液之時期，係比前述吹氣噴嘴開始吹出前述氣體之時期早。
10. 如請求項1之鍍覆裝置，其中， 前述鍍覆模組進一步具備：框體，其係在內部至少收容前述鍍覆槽、前述基板固持器、前述旋轉機構、前述升降機構、及前述沖洗模組；及排氣機構，其係將前述框體內部之空氣排出前述框體外部。
11. 如請求項10之鍍覆裝置，其中， 前述排氣機構係將前述吹氣噴嘴吹出氣體之期間的排氣流量，比在前述吹氣噴嘴開始吹出前述氣體前之時刻的排氣流量高。
12. 如請求項10之鍍覆裝置，其中， 前述吹氣噴嘴吹出之前述氣體所含的水蒸氣量，係高於前述框體內部之空氣所含的水蒸氣量。
13. 一種沖洗處理方法，係使用請求項1之鍍覆裝置，且包含： 第一工序，其係在前述基板固持器位於比前述鍍覆槽上方之狀態下，前述沖洗噴嘴朝向前述被沖洗構件吐出前述沖洗液；及 第二工序，其係在藉由前述沖洗噴嘴執行吐出前述沖洗液期間，前述吹氣噴嘴吹出前述氣體，並且前述回收構件回收從前述被沖洗構件落下而登上從前述吹氣噴嘴吹出之前述氣流的前述沖洗液。

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