TWI788793B - 鍍覆裝置 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種可抑制旋轉機構之軸承所產生的微粒子侵入鍍覆槽之技術。本發明之鍍覆裝置1000具備迷宮式密封構件50,迷宮式密封構件具有:配置於比軸承33下方而密封軸承之內側迷宮式密封53;配置於比內側迷宮式密封在旋轉軸32之徑方向外側的外側迷宮式密封54;以在形成於比內側迷宮式密封在徑方向內側之內側密封空間60供給空氣之方式而構成的吐出口55;及以吸引形成於比內側迷宮式密封在徑方向外側且比外側迷宮式密封在徑方向內側之外側密封空間65的空氣之方式而構成的吸引口56。
Description
本發明係關於一種鍍覆裝置。
過去,可對基板實施鍍覆處理之鍍覆裝置習知有所謂杯式之鍍覆裝置(例如,參照專利文獻1)。此種鍍覆裝置具備:貯存鍍覆液並且配置有陽極之鍍覆槽;配置於比陽極上方,而保持作為陰極之基板的基板固持器;及配置於比基板固持器上方而使基板固持器旋轉之旋轉機構。此外,此種旋轉機構具有:連接於基板固持器之旋轉軸;及軸支撐該旋轉軸之軸承。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2008-19496號公報
(發明所欲解決之問題)
上述過去之鍍覆裝置中,當旋轉機構之軸承所產生的塵埃等微粒子落下時,該落下之微粒子可能會侵入鍍覆槽。
本發明係鑑於上述情形而研創者,目的之一為提供一種可抑制旋轉機構之軸承所產生的微粒子侵入鍍覆槽之技術。
(解決問題之手段)
(樣態1)
為了達成上述目的,本發明一個樣態之鍍覆裝置具備:鍍覆槽,其係貯存鍍覆液,並且配置有陽極;基板固持器,其係配置於比前述陽極上方,並保持作為陰極之基板;旋轉機構,其係配置於比前述基板固持器上方,且具有:旋轉軸,其係連接於前述基板固持器;及軸承,其係軸支撐前述旋轉軸;及迷宮式密封構件,其係具有:內側迷宮式密封,其係配置於比前述軸承下方而密封前述軸承;外側迷宮式密封,其係配置於比前述內側迷宮式密封在前述旋轉軸之徑方向外側;吐出口,其係以在形成於比前述內側迷宮式密封在前述徑方向內側之內側密封空間供給空氣之方式而構成;及吸引口,其係以吸引形成於比前述內側迷宮式密封在前述徑方向外側且比前述外側迷宮式密封在前述徑方向內側之外側密封空間的空氣之方式而構成。
採用該樣態時,即使旋轉機構之軸承所產生的塵埃等微粒子落到迷宮式密封構件之內側密封空間時,仍可使該微粒子與供給至內側密封空間之空氣一起通過內側迷宮式密封,而排出外側密封空間,並從吸引口吸引排出該外側密封空間之微粒子。藉此,可抑制旋轉機構之軸承所產生的微粒子侵入鍍覆槽。
(樣態2)
上述樣態1中,前述迷宮式密封構件進一步具備:上板構件;及下板構件,其係配置於比前述上板構件下方;前述內側迷宮式密封及前述外側迷宮式密封係以夾在前述上板構件與前述下板構件之間的方式配置,前述吐出口及前述排出口亦可設於前述上板構件。
(樣態3)
上述樣態2中,前述旋轉機構具備外筒構件,其係在前述軸承之前述徑方向配置於外側,前述外筒構件係以即使前述旋轉軸旋轉時仍不旋轉之方式構成,前述上板構件亦可連接於前述外筒構件之下端,前述下板構件亦可連接於前述旋轉軸。
採用該樣態時,因為即使旋轉軸旋轉而外筒構件仍不旋轉,所以上板構件亦不旋轉,而後,由於在該不旋轉之上板構件上設有吐出口及吸引口,因此,例如與將吐出口及吸引口設於下板構件時比較,可謀求簡化迷宮式密封構件之構造。
(樣態4)
上述樣態1~3中任何一個樣態,亦可進一步具備控制模組,其係以至少前述旋轉機構使前述旋轉軸旋轉時,執行從前述吐出口供給空氣,並從前述吸引口吸引空氣之控制處理的方式構成。
以下,參照圖式說明本發明之實施形態。另外,以下之實施形態係就相同或對應之構成註記相同符號,並適切省略說明。此外,圖式係為了容易理解發明之特徵而模式性地圖示,各構成元件之尺寸比率等未必與實際者相同。此外,一些圖式中圖示有X-Y-Z正交座標作為參考。該正交座標中,Z方向相當於上方,-Z方向相當於下方(重力作用之方向)。
圖1係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。圖2係顯示本實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。如圖1、2所示,鍍覆裝置1000具備:裝載埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、自旋沖洗乾燥器600、搬送裝置700、及控制模組800。
裝載埠100係用於搬入收納於鍍覆裝置1000中無圖示之FOUP(前開式晶圓傳送盒)等匣盒的基板,或是從鍍覆裝置1000搬出基板至匣盒的模組。本實施形態係在水平方向並列配置4台裝載埠100,不過,裝載埠100之數量及配置不拘。搬送機器人110係用於搬送基板之機器人,且以在裝載埠100、對準器120、及搬送裝置700之間交接基板的方式構成。搬送機器人110及搬送裝置700在搬送機器人110與搬送裝置700之間交接基板時,可經由無圖示之暫置台進行基板的交接。
對準器120係用於將基板之定向範圍或凹槽等的位置對準指定方向之模組。本實施形態係在水平方向並列配置2台對準器120,不過,對準器120之數量及配置不拘。預濕模組200藉由將鍍覆處理前之基板的被鍍覆面以純水或脫氣水等處理液濕潤,並將形成於基板表面之圖案內部的空氣替換成處理液。預濕模組200係以在鍍覆時藉由將圖案內部之處理液替換成鍍覆液,而實施容易在圖案內部供給鍍覆液之預濕處理的方式構成。本實施形態係在上下方向並列配置2台預濕模組200,不過預濕模組200之數量及配置不拘。
預浸模組300例如係以實施藉由硫酸或鹽酸等處理液蝕刻除去形成於鍍覆處理前之基板的被鍍覆面之種層表面等上存在之電阻大的氧化膜,清洗或活化鍍覆基底表面之預浸處理的方式構成。本實施形態係在上下方向並列配置2台預浸模組300,不過預浸模組300之數量及配置不拘。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。本實施形態有2組在上下方向並列配置3台且在水平方向並列配置4台之12台的鍍覆模組400,而設置合計24台之鍍覆模組400,不過鍍覆模組400之數量及配置不拘。
清洗模組500係以為了除去殘留於鍍覆處理後之基板的鍍覆液等而對基板實施清洗處理之方式構成。本實施形態係在上下方向並列配置2台清洗模組500,不過清洗模組500之數量及配置不拘。自旋沖洗乾燥器600係用於使清洗處理後之基板高速旋轉而乾燥的模組。本實施形態係在上下方向並列配置2台自旋沖洗乾燥器,不過自旋沖洗乾燥器600之數量及配置不拘。搬送裝置700係用於在鍍覆裝置1000中之複數個模組間搬送基板的裝置。控制模組800係以控制鍍覆裝置1000之複數個模組的方式構成,例如可由具備與作業人員之間的輸入輸出介面之一般電腦或專用電腦而構成。
以下說明鍍覆裝置1000之一連串鍍覆處理的一例。首先,將收納於匣盒之基板搬入裝載埠100。繼續,搬送機器人110從裝載埠100之匣盒取出基板,並將基板搬送至對準器120。對準器120將基板之定向範圍或凹槽等的位置對準指定方向。搬送機器人110將藉由對準器120對準方向之基板送交搬送裝置700。
搬送裝置700將從搬送機器人110接收之基板搬送至預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。搬送裝置700將實施預濕處理後之基板搬送至預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。搬送裝置700將實施預浸處理後之基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。
搬送裝置700將實施鍍覆處理後之基板搬送至清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。搬送裝置700將實施清洗處理後之基板搬送至自旋沖洗乾燥器600。自旋沖洗乾燥器600對基板實施乾燥處理。搬送裝置700將實施乾燥處理後之基板送交搬送機器人110。搬送機器人110將從搬送裝置700所接收之基板搬送至裝載埠100的匣盒。最後,從裝載埠100搬出收納了基板之匣盒。
另外,圖1及圖2所說明之鍍覆裝置1000的構成不過是一例,鍍覆裝置1000之構成並非限定於圖1及圖2之構成者。
繼續,說明鍍覆模組400。另外,由於本實施形態之鍍覆裝置1000具有的複數個鍍覆模組400具有相同構成,因此就1個鍍覆模組400作說明。
圖3係用於說明本實施形態之鍍覆模組400的構成之模式圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係杯式的鍍覆裝置。鍍覆模組400主要具備:鍍覆槽10、基板固持器20、旋轉機構30、升降機構40、及迷宮式密封構件50。另外,圖3中,鍍覆槽10、基板固持器20、及旋轉機構30之剖面係模式性地圖示。
本實施形態之鍍覆槽10係藉由在上方具有開口之有底的容器而構成。具體而言,鍍覆槽10具有:底部10a;及從該底部10a之外周緣延伸至上方的外周部10b;該外周部10b之上部開口。另外,鍍覆槽10之外周部10b的形狀並非特別限定者,不過,本實施形態之外周部10b的一例為具有圓筒形狀。
在鍍覆槽10內部貯存有鍍覆液Ps。鍍覆液Ps只要是包含構成鍍覆皮膜之金屬元素的離子之溶液即可,其具體例並非特別限定者。本實施形態中,鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理,鍍覆液Ps之一例為使用硫酸銅溶液。此外,本實施形態中,鍍覆液Ps中含有指定之添加劑。但是,並非限定於該構成者,鍍覆液Ps亦可不含添加劑而構成。
在鍍覆槽10之鍍覆液Ps的內部配置有陽極11。陽極11之具體種類並非特別限定者,可使用溶解陽極或非溶解陽極。本實施形態中,陽極11為使用非溶解陽極。該非溶解陽極之具體種類並非特別限定者,可使用鉑或氧化銥等。
基板固持器20係用於保持作為陰極之基板Wf的構件。另外,基板Wf之下面Wfa相當於被鍍覆面。基板固持器20連接於旋轉機構30之旋轉軸32。
旋轉機構30配置於比基板固持器20上方。旋轉機構30係用於使基板固持器20旋轉之機構。該旋轉機構30詳述於後。
升降機構40藉由在上下方向延伸之支軸45而支撐。升降機構40係用於使基板固持器20及旋轉機構30在上下方向升降之機構。升降機構40可使用直動式之致動器等習知的升降機構。
執行鍍覆處理時,旋轉機構30使基板固持器20旋轉,並且升降機構40使基板固持器20移動至下方,並使基板Wf浸漬於鍍覆槽10之鍍覆液Ps中。將基板Wf浸漬於鍍覆液Ps後,藉由通電裝置(無圖示)使電流在陽極11與基板Wf之間流動。藉此,在基板Wf之下面Wfa形成鍍覆皮膜。
鍍覆模組400之動作藉由控制模組800來控制。控制模組800備有微電腦,該微電腦具備:作為處理器之CPU(中央處理單元(Central Processing Unit))801、及作為永久性記憶媒介之記憶部802等。控制模組800藉由CPU801依據記憶於記憶部802之程式的指令而動作,來控制鍍覆模組400之被控制部。此外,本實施形態之控制模組800亦控制後述之空氣供給裝置70。
圖4係用於說明旋轉機構30及迷宮式密封構件50之構成的模式圖。具體而言,圖4顯示圖3之A1部分的放大剖面。參照圖3及圖4,旋轉機構30具備:旋轉驅動裝置31、旋轉軸32、軸承33、及外筒構件34。
如圖3所示,旋轉軸32之上端連接於旋轉驅動裝置31,旋轉軸32之下端連接於基板固持器20。旋轉驅動裝置31藉由馬達等習知之旋轉驅動裝置而構成。藉由該旋轉驅動裝置31使旋轉軸32旋轉,而連接於旋轉軸32之基板固持器20旋轉。
參照圖4,旋轉軸32之具體性地構成並非特別限定者,不過,本實施形態之旋轉軸32的一例為具備:直徑相對大之大徑部32a;及直徑相對小之小徑部32b。小徑部32b連接於大徑部32a之下端。
軸承33係用於軸支撐旋轉軸32之構件。本實施形態之軸承33在旋轉軸32之大徑部32a的徑方向配置於外側。外筒構件34在軸承33之徑方向(旋轉軸32之徑方向)配置於外側。亦即,本實施形態之軸承33藉由旋轉軸32與外筒構件34夾著。
本實施形態之軸承33的數量之一例係複數個。具體而言,旋轉機構30具有:配置於上階側之軸承33;及配置於下階側之軸承33。但是,軸承33之數量並非限定於此者,亦可比2個多,或是,亦可係1個。軸承33之種類並非特別限定者,不過,本實施形態之一例為使用軸承(Bearing)(滾動軸承)。
圖5(A)係圖4之A2部分的放大剖面圖,圖5(B)係圖4之A3部分的放大剖面圖。參照圖4、圖5(A)及圖5(B),迷宮式密封構件50具備:上板構件51、下板構件52、內側迷宮式密封53、及外側迷宮式密封54。
上板構件51連接於外筒構件34之下端。當旋轉軸32旋轉時,由於外筒構件34不旋轉,因此連接於外筒構件34之上板構件51亦不旋轉。下板構件52配置於比上板構件51下方,並且連接於旋轉軸32之小徑部32b。當旋轉軸32旋轉時,下板構件52與旋轉軸32一起旋轉。內側迷宮式密封53及外側迷宮式密封54係以夾在上板構件51與下板構件52之間的方式配置。
內側迷宮式密封53配置於比旋轉機構30之軸承33下方,並為了密封該軸承33而設。如圖5(A)及圖5(B)所示,本實施形態之內側迷宮式密封53具備:連接於上板構件51之下面的上側密封構件53a;及連接於下板構件52之上面的下側密封構件53b。藉由該上側密封構件53a與下側密封構件53b形成迷宮式密封構造。比內側迷宮式密封53在徑方向內側之區域形成有內側密封空間60。
外側迷宮式密封54配置於比內側迷宮式密封53在徑方向外側。具體而言,外側迷宮式密封54具備:連接於上板構件51之下面的上側密封構件54a;及連接於下板構件52之上面的下側密封構件54b。藉由該上側密封構件54a與下側密封構件54b形成迷宮式密封構造。藉此,在比內側迷宮式密封53在徑方向外側,且比外側迷宮式密封54在徑方向內側之區域形成有外側密封空間65。
此外,迷宮式密封構件50具備:以在內側密封空間60供給空氣(Ar1)之方式而構成的吐出口55;及以吸引外側密封空間65之空氣(Ar2)的方式而構成的吸引口56。具體而言,本實施形態之吐出口55及吸引口56係設於上板構件51。
採用該構成時,由於在不旋轉之上板構件51中設有吐出口55及吸引口56,因此,與例如將吐出口55及吸引口56設於下板構件52(其與旋轉軸32一起旋轉)時比較,可謀求簡化迷宮式密封構件50之構造。
另外,本實施形態中,吐出口55及吸引口56分別各設有1個,不過吐出口55及吸引口56之數量並非限定於此者。列舉其他例時,吐出口55之數量亦可係複數個。同樣地,吸引口56之數量亦可係複數個。
參照圖4,吐出口55經由供給流路71而連通於空氣供給裝置70。空氣供給裝置70係用於對吐出口55供給空氣(Ar1)之裝置。從空氣供給裝置70供給之空氣(Ar1)在供給流路71中流動後從吐出口55吐出,並流入內側密封空間60。另外,本實施形態中,空氣供給裝置70並非鍍覆裝置1000之構成元件的一部分。具體而言,本實施形態中,空氣供給裝置70使用在設置有鍍覆裝置1000之工廠設備中具備的空氣供給裝置(亦即,工廠設備既有之空氣供給裝置)。
流入內側密封空間60之空氣(Ar1)從可內側迷宮式密封53的上側密封構件53a與下側密封構件53b之間的間隙(微小間隙)洩漏,而流入外側密封空間65。
另外,本實施形態中,從空氣供給裝置70供給至吐出口55之空氣(Ar1)的一例為使用不含0.1μm以上粒徑之微粒子的清淨空氣。
吸引口56連通於排氣流路81。本實施形態中,在排氣流路81之空氣流動方向的上游側端部連通於吸引口56,排氣流路81之下游側端部配置於鍍覆槽10外部之指定部位。藉此,從吸引口56所吸引之空氣(Ar2)通過排氣流路81而排出至鍍覆槽10外部的指定部位。另外,該指定部位宜係鍍覆槽10之鍍覆液Ps的上方以外之部位。此因採用該構成時,當通過排氣流路81之空氣中所含的微粒子落下時,可確實抑制該微粒子侵入鍍覆槽10之鍍覆液Ps的內部。此外,如本實施形態,即使不在排氣流路81上配置排氣泵浦等排氣裝置,只要從空氣供給裝置70供給空氣至吐出口55,即可利用外側密封空間65與大氣之壓力差,而從吸引口56吸引外側密封空間65之空氣。
此外,本實施形態之控制模組800係以至少旋轉機構30使旋轉軸32旋轉時(亦即,基板固持器20旋轉時),執行使吐出口55供給空氣且從吸引口56吸引空氣之控制處理的方式構成。
具體而言,本實施形態之控制模組800當至少旋轉機構30開始旋轉旋轉軸32時,開始從空氣供給裝置70供給空氣,並至少在旋轉軸32進行旋轉期間,持續從該空氣供給裝置70供給空氣。藉此,當至少旋轉機構30旋轉旋轉軸32期間,進行對吐出口55供給空氣,並且亦進行從吸引口56吸引空氣。
採用如以上說明之本實施形態時,即使旋轉機構30之軸承33所產生的塵埃等微粒子落到迷宮式密封構件50之內側密封空間60時,仍可使該微粒子與供給至內側密封空間60之空氣一起通過內側迷宮式密封53(通過內側迷宮式密封53之微小間隙)而排出至外側密封空間65,並從吸引口56吸引排出至該外側密封空間65之微粒子。藉此,可抑制旋轉機構30之軸承33所產生的微粒子侵入鍍覆槽10。
此外,採用本實施形態時,藉由從吐出口55供給空氣至內側密封空間60,可提高內側密封空間60之內壓而高於大氣壓。藉此,可有效抑制從鍍覆槽10之鍍覆液Ps所產生的酸性蒸氣侵入內側密封空間60。結果,可有效抑制該酸性蒸氣腐蝕旋轉機構30之軸承33。
以上,已詳述本發明之實施形態,不過本發明並非限定於該特定之實施形態者,在記載於申請專利範圍之本發明的要旨範圍內,可作各種修改、變更。
例如,迷宮式密封構件50並非限定於圖4所例示者。列舉其他一例時,例如,鍍覆裝置1000亦可具備複數個如圖4所例示之迷宮式密封構件50。具體而言,此時,複數個迷宮式密封構件50亦可在旋轉軸32之軸方向(上下方向)配置於複數階。
10:鍍覆槽
10a:底部
10b:外周部
11:陽極
20:基板固持器
30:旋轉機構
31:旋轉驅動裝置
32:旋轉軸
32a:大徑部
32b:小徑部
33:軸承
34:外筒構件
40:升降機構
50:迷宮式密封構件
51:上板構件
52:下板構件
53:內側迷宮式密封
53a:上側密封構件
53b:下側密封構件
54:外側迷宮式密封
54a:上側密封構件
54b:下側密封構件
55:吐出口
56:吸引口
60:內側密封空間
65:外側密封空間
70:空氣供給裝置
71:供給流路
81:排氣流路
400:鍍覆模組
800:控制模組
801:CPU
802:記憶部
1000:鍍覆裝置
Ar1, Ar2:空氣
Ps:鍍覆液
Wf:基板
Wfa:下面
圖1係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成立體圖。
圖2係顯示實施形態之鍍覆裝置的整體構成俯視圖。
圖3係用於說明實施形態之鍍覆裝置的鍍覆模組之構成的模式圖。
圖4係用於說明實施形態之旋轉機構及迷宮式密封構件的構成之模式圖。
圖5(A)係圖4之A2部分的放大剖面圖。圖5(B)係圖4之A3部分的放大剖面圖。
30:旋轉機構
32:旋轉軸
32a:大徑部
32b:小徑部
33:軸承
34:外筒構件
50:迷宮式密封構件
51:上板構件
52:下板構件
53:內側迷宮式密封
54:外側迷宮式密封
55:吐出口
56:吸引口
60:內側密封空間
65:外側密封空間
70:空氣供給裝置
71:供給流路
81:排氣流路
400:鍍覆模組
1000:鍍覆裝置
Ar1,Ar2:空氣
Claims (3)
- 一種鍍覆裝置,係具備:鍍覆槽,其係貯存鍍覆液,並且配置有陽極;基板固持器,其係配置於比前述陽極上方,並保持作為陰極之基板;旋轉機構,其係配置於比前述基板固持器上方,且具有:旋轉軸,其係連接於前述基板固持器;及軸承,其係軸支撐前述旋轉軸;迷宮式密封構件,其係具有:內側迷宮式密封,其係配置於比前述軸承下方而密封前述軸承;外側迷宮式密封,其係配置於比前述內側迷宮式密封在前述旋轉軸之徑方向外側;吐出口,其係以在形成於比前述內側迷宮式密封在前述徑方向內側之內側密封空間供給空氣之方式而構成;及吸引口,其係以吸引形成於比前述內側迷宮式密封在前述徑方向外側且比前述外側迷宮式密封在前述徑方向內側之外側密封空間的空氣之方式而構成;及控制模組,其係以至少前述旋轉機構使前述旋轉軸旋轉時,執行從前述吐出口供給空氣,並從前述吸引口吸引空氣之控制處理的方式構成。
- 如請求項1之鍍覆裝置,其中前述迷宮式密封構件進一步具備:上板構件;及下板構件,其係配置於比前述上板構件下方;前述內側迷宮式密封及前述外側迷宮式密封係以夾在前述上板構件與前述下板構件之間的方式配置,前述吐出口及前述排出口係設於前述上板構件。
- 如請求項2之鍍覆裝置,其中前述旋轉機構具備外筒構件,其係在前述軸承之前述徑方向配置於外側,前述外筒構件係以即使前述旋轉軸旋轉時仍不旋轉之方式構成,前述上板構件連接於前述外筒構件之下端,前述下板構件連接於前述旋轉軸。
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TW110106882A TWI788793B (zh) | 2021-02-26 | 2021-02-26 | 鍍覆裝置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
TW (1) | TWI788793B (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100907A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003214578A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ロータリジョイントおよびそれを用いためっき装置 |
JP2006249533A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
-
2021
- 2021-02-26 TW TW110106882A patent/TWI788793B/zh active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000100907A (ja) * | 1998-09-17 | 2000-04-07 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
JP2003214578A (ja) * | 2002-01-18 | 2003-07-30 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | ロータリジョイントおよびそれを用いためっき装置 |
JP2006249533A (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体製造装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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TW202233906A (zh) | 2022-09-01 |
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