TW202227675A - 鍍覆裝置及鍍覆液之攪拌方法 - Google Patents

Abstract

提供無須使用攪棒，即可攪拌鍍覆液的技術。鍍覆裝置1000係具備：被配置在基板保持具30，基板保持具旋轉時，連同基板保持具一起旋轉的保持具蓋件50，保持具蓋件係具有被浸漬在鍍覆液，並且位於比基板的被鍍覆面更為下方的下面，在保持具蓋件的下面係設有以相對保持具蓋件的旋轉方向呈交叉的方向延伸的至少一個蓋件溝。

Description

鍍覆裝置及鍍覆液之攪拌方法

本發明係關於鍍覆裝置及鍍覆液之攪拌方法。

以往已知一種所謂杯式(cup type)的鍍覆裝置，作為可對基板施行鍍覆處理的鍍覆裝置（參照例如專利文獻1）。如上所示之鍍覆裝置係具備：貯留鍍覆液，並且在內部配置有陽極的鍍覆槽；保持作為陰極的基板的基板保持具；及使基板保持具旋轉的旋轉機構。

此外，以往已知一種技術係為了攪拌鍍覆槽的鍍覆液，對形成在基板表面的通孔(via)供給充分的金屬離子，所以在鍍覆槽配置攪棒(paddle)，該攪棒藉由與基板的表面呈平行地作往返運動，來攪拌鍍覆液（參照例如專利文獻2、專利文獻3）。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2008-19496號公報 ［專利文獻2］日本特開2009-155726號公報 ［專利文獻3］美國特許第7390383號說明書

［發明所欲解決之問題］

在上述專利文獻1所例示之杯式的鍍覆裝置中，係考慮例如專利文獻2或專利文獻3所例示之將攪棒配置在鍍覆槽。但是，此時，在攪棒的往返運動方向的兩端附近，有攪棒的移動速度變慢的情形，此時有形成在基板的鍍覆被膜的均一性降低之虞。或者，若攪棒瞬間停止，有在基板上形成電場的影子之虞，此時亦有鍍覆被膜的均一性降低之虞。

此外，若如上所述將攪棒配置在鍍覆槽，亦有鍍覆裝置大型化的可能性。

本發明係鑑於上述情形而完成者，目的之一在提供無須使用攪棒，即可攪拌鍍覆液的技術。 ［解決問題之技術手段］ （態樣1）

為達成上述目的，本發明之一態樣之鍍覆裝置係具備：鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且在內部配置有陽極；基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，保持作為陰極的基板；旋轉機構，其係使前述基板保持具旋轉；及保持具蓋件，其係被配置在前述基板保持具，前述基板保持具旋轉時，連同前述基板保持具一起旋轉，前述保持具蓋件係具有被浸漬在前述鍍覆液並且位於比前述基板的被鍍覆面更為下方的下面，在前述保持具蓋件的前述下面係設有以相對前述保持具蓋件的旋轉方向呈交叉的方向延伸的至少一個蓋件溝。

藉由該態樣，若保持具蓋件因基板保持具旋轉而旋轉時，可藉由設有蓋件溝的保持具蓋件的下面，攪拌鍍覆液。藉此，無須使用攪棒，即可攪拌鍍覆液。結果，可抑制伴隨使用攪棒之鍍覆被膜的均一性的降低或鍍覆裝置的大型化。 （態樣2）

在上述態樣1中，亦可前述保持具蓋件係以仰視具有環形狀。 （態樣3）

上述態樣1或2亦可另外具備：亂流發生構件，其係被配置在前述鍍覆槽的前述內部之比前述基板更為下方且比前述陽極更為上方的部位，使由比前述基板更為下方側朝向前述基板流動的前述鍍覆液發生亂流。

藉由該態樣，亂流發生構件使鍍覆液發生亂流，藉此可有效地攪拌鍍覆液。 （態樣4）

在上述態樣3中，亦可前述亂流發生構件係具有：將前述亂流發生構件的下端與前述亂流發生構件的上端相連通，供朝向前述基板的前述鍍覆液流動的內部流路，前述內部流路係在仰視前述亂流發生構件下，具有阿基米德螺旋形狀。

藉由該態樣，基板保持具旋轉時，可一邊儘可能抑制陽極與基板之間的電場被保持具蓋件所阻礙，一邊攪拌鍍覆液。 （態樣5）

在上述態樣4中，亦可在前述內部流路係設有使在前述內部流路流動的前述鍍覆液發生亂流的突起。

藉由該態樣，與在內部流路未設有突起的情形相比較，可使在內流流路流動的鍍覆液有效地發生亂流。藉此，可使鍍覆液更有效地攪拌。 （態樣6）

在上述態樣4或5中，亦可前述亂流發生構件係構成為在進行對前述基板施行鍍覆處理的鍍覆處理時，前述亂流發生構件的前述上端一邊在與前述基板的前述被鍍覆面之間具有間隙一邊位於比前述保持具蓋件的前述下面更為上方。

藉由該態樣，例如，與亂流發生構件的上端位於比保持具蓋件的下面更為下方的情形相比較，可減小間隙的間隔，而可使在該間隙流動的鍍覆液的流速有效地上升。結果，可有效攪拌鍍覆液。 （態樣7）

為達成上述目的，本發明之一態樣之鍍覆液之攪拌方法係如上述態樣1～6中任1態樣之鍍覆裝置的前述鍍覆液之攪拌方法，其係包含：進行對前述基板施行鍍覆處理的鍍覆處理時，在前述保持具蓋件的前述下面被浸漬在前述鍍覆液的狀態下，藉由前述旋轉機構，使前述基板保持具旋轉。

藉由該態樣，無須使用攪棒，即可攪拌鍍覆液。藉此，可抑制伴隨使用攪棒之鍍覆被膜的均一性的降低或鍍覆裝置的大型化。

以下一邊參照圖式一邊說明本發明之實施形態。其中，在以下之實施形態或實施形態的變形例中，針對相同或對應的構成，有標註相同符號且適當省略說明的情形。此外，圖式係為了容易理解物的特徵而模式圖示，各構成要素的尺寸比率等並不一定與實際者相同。此外，在若干圖式中，為作參考用，圖示出X-Y-Z的正交座標。該正交座標之中，Z方向相當於上方，-Z方向相當於下方（重力作用的方向）。

圖1係示出本實施形態之鍍覆裝置1000的全體構成的立體圖。圖2係示出本實施形態之鍍覆裝置1000的全體構成的俯視圖。如圖1及圖2所示，鍍覆裝置1000係具備：載入埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、洗淨模組500、旋乾機600、搬送裝置700、及控制模組800。

載入埠100係用以將被收容在未圖示的FOUP等匣盒的基板搬入至鍍覆裝置1000、或將基板由鍍覆裝置1000搬出至匣盒的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置4台載入埠100，惟載入埠100的數量及配置為任意。搬送機器人110係用以搬送基板的機器人，構成為在載入埠100、對準器120、及搬送裝置700之間收授基板。搬送機器人110及搬送裝置700係當在搬送機器人110與搬送裝置700之間收授基板時，係可透過暫置台（未圖示）來進行基板的收授。

對準器120係用以將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置2台對準器120，惟對準器120的數量及配置為任意。預濕模組200係以純水或脫氣水等處理液將鍍覆處理前的基板的被鍍覆面弄濕，藉此將形成在基板表面的圖案內部的空氣置換成處理液。預濕模組200係構成為施行藉由在鍍覆時將圖案內部的處理液置換成鍍覆液，以對圖案內部容易供給鍍覆液的預濕處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台預濕模組200，惟預濕模組200的數量及配置為任意。

預浸模組300係構成為施行例如將形成在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面的種層表面等所存在的電阻大的氧化膜，以硫酸或鹽酸等處理液蝕刻去除而將鍍覆基底表面進行洗淨或活性化的預浸處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台預浸模組300，惟預浸模組300的數量及配置為任意。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。在本實施形態中，係以上下方向排列配置3台且以水平方向排列配置4台的12台鍍覆模組400的集合有2個，設有合計24台鍍覆模組400，惟鍍覆模組400的數量及配置為任意。

洗淨模組500係構成為對基板施行洗淨處理，俾以去除殘留在鍍覆處理後的基板的鍍覆液等。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台洗淨模組500，惟洗淨模組500的數量及配置為任意。旋乾機600係用以使洗淨處理後的基板高速旋轉而乾燥的模組。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台旋乾機600，惟旋乾機600的數量及配置為任意。搬送裝置700係用以在鍍覆裝置1000內的複數模組間搬送基板的裝置。控制模組800係構成為控制鍍覆裝置1000的複數模組，可由具備例如與操作員之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。

以下說明藉由鍍覆裝置1000所為之一連串鍍覆處理之一例。首先，被收容在匣盒的基板被搬入至載入埠100。接著，搬送機器人110係由載入埠100的匣盒取出基板，且將基板搬送至對準器120。對準器120係將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向。搬送機器人110係將以對準器120將方向對合後的基板對搬送裝置700進行收授。

搬送裝置700係將由搬送機器人110所收取到的基板搬送至預濕模組200。預濕模組200係對基板施行預濕處理。搬送裝置700係將已施行預濕處理的基板搬送至預浸模組300。預浸模組300係對基板施行預浸處理。搬送裝置700係將已施行預浸處理的基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。

搬送裝置700係將已施行鍍覆處理的基板搬送至洗淨模組500。洗淨模組500係對基板施行洗淨處理。搬送裝置700係將已施行洗淨處理的基板搬送至旋乾機600。旋乾機600係對基板施行乾燥處理。搬送裝置700係將已施行乾燥處理的基板對搬送機器人110進行收授。搬送機器人110係將由搬送裝置700所收取到的基板搬送至載入埠100的匣盒。最後由載入埠100搬出收容有基板的匣盒。

其中，圖1或圖2中所說明的鍍覆裝置1000的構成僅為一例，鍍覆裝置1000的構成並非為限定於圖1或圖2的構成者。

接著，說明鍍覆模組400。其中，本實施形態之鍍覆裝置1000所具有的複數鍍覆模組400係具有同樣的構成，因此說明1個鍍覆模組400。

圖3係用以說明本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400的構成的模式圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係杯式的鍍覆裝置。本實施形態之鍍覆裝置1000的鍍覆模組400係主要具備有：鍍覆槽10、溢流槽20、基板保持具30、旋轉機構40、升降機構45、保持具蓋件50、及亂流發生構件60。其中，在圖3中，鍍覆槽10、溢流槽20及基板保持具30係模式圖示剖面。

本實施形態之鍍覆槽10係藉由在上方具有開口的有底的容器所構成。具體而言，鍍覆槽10係具有：底壁部10a、及由該底壁部10a的外周緣朝上方延伸的外周壁部10b，該外周壁部10b的上部形成開口。其中，鍍覆槽10的外周壁部10b的形狀並非為特別限定者，本實施形態之外周壁部10b係具有圓筒形狀作為一例。

在鍍覆槽10的內部係貯留有鍍覆液Ps。以鍍覆液Ps而言，若為含有構成鍍覆被膜的金屬元素的離子的溶液即可，其具體例並非為特別限定者。在本實施形態中，係使用銅鍍覆處理，作為鍍覆處理之一例，使用硫酸銅溶液，作為鍍覆液Ps之一例。此外，在本實施形態中，在鍍覆液Ps係含有預定的添加劑。但是，並非為限定於該構成者，鍍覆液Ps係可形成為未含有添加劑的構成。

在鍍覆槽10的內部係配置有陽極11。陽極11的具體種類並非為特別限定者，可使用溶解陽極或不溶解陽極。在本實施形態中，係使用不溶解陽極作為陽極11。該不溶解陽極的具體種類並非為特別限定者，可使用鉑或氧化銥等。

在鍍覆槽10的內部，在比陽極11更為上方配置有隔膜12。具體而言，隔膜12係被配置在陽極11與基板Wf（陰極）之間的部位。本實施形態之隔膜12係透過保持構件10d而連接於鍍覆槽10的外周壁部10b，作為一例。此外，本實施形態之隔膜12係配置成隔膜12的面方向成為水平方向。

鍍覆槽10的內部係藉由隔膜12以上下方向作2分割。將區劃在比隔膜12更為下方側的區域稱為陽極室13。將比隔膜12更為上方側的區域稱為陰極室14。前述之陽極11係被配置在陽極室13。

隔膜12係藉由一邊容許金屬離子通過，一邊抑制鍍覆液Ps所含有的添加劑通過的膜所構成。亦即，在本實施形態中，陰極室14的鍍覆液Ps係含有添加劑，惟陽極室13的鍍覆液Ps並未含有添加劑。但是，並非為限定於該構成者，例如，陽極室13的鍍覆液Ps亦可含有添加劑。但是，在該情形下，陽極室13的添加劑的濃度亦比陰極室14的添加劑的濃度為更低。隔膜12的具體種類並非為特別限定者，可使用周知的隔膜。若列舉該隔膜12的具體例，例如可使用電解隔膜，以該電解隔膜的具體例而言，可使用例如Yuasa Membrane Systems股份有限公司製的鍍覆用電解隔膜、或使用離子交換膜等。

如本實施形態所示，藉由鍍覆裝置1000具備隔膜12，可抑制因在陽極側的反應而致鍍覆液Ps所含有的添加劑的成分作分解或反應，藉此，可抑制因該添加劑的成分的分解或反應而致生成對鍍覆造成不良影響的成分。

在鍍覆槽10係設有用以對陽極室13供給鍍覆液Ps的陽極用供給口15。此外，在鍍覆槽10係設有用以將陽極室13的鍍覆液Ps由陽極室13排出的陽極用排出口16。由陽極用排出口16被排出的鍍覆液Ps係在之後被暫時貯留在陽極用的貯存槽（未圖示）之後，由陽極用供給口15再次被供給至陽極室13。

在鍍覆槽10係設有用以對陰極室14供給鍍覆液Ps的陰極用供給口17。具體而言，在本實施形態之鍍覆槽10的外周壁部10b中對應陰極室14的部分的一部分係設有朝鍍覆槽10的中心側突出的突出部10c，在該突出部10c設有陰極用供給口17。

溢流槽20係被配置在鍍覆槽10的外側且藉由有底的容器所構成。溢流槽20係設為用以暫時貯留越過鍍覆槽10的外周壁部10b的上端的鍍覆液Ps（亦即由鍍覆槽10溢流的鍍覆液Ps）的槽。由陰極用供給口17被供給至陰極室14的鍍覆液Ps係在流入至溢流槽20之後，由溢流槽20用的排出口（未圖示）被排出，而被暫時貯留在陰極用的貯存槽（未圖示）。之後，鍍覆液Ps係由陰極用供給口17被再次供給至陰極室14。

在本實施形態中，在鍍覆槽10的內部之比陽極11更為上方，配置有多孔質的阻力體18。具體而言，阻力體18係設在陰極室14。此外，本實施形態之阻力體18係設在突出部10c的上端近傍部位。阻力體18係藉由具有複數孔（細孔）的多孔性的板構件所構成。比阻力體18更為下方側的鍍覆液Ps係構成為可通過阻力體18而流動至比阻力體18更為上方側。該阻力體18係形成在陽極11與基板Wf之間為達成電場均一化而設的構件。如上所示，因鍍覆裝置1000具有阻力體18，可有效達成形成在基板Wf的被鍍覆面Wfa的鍍覆被膜（鍍覆層）的膜厚均一化（亦即，鍍覆被膜的均一性）。

但是，上述之阻力體18在本實施形態中並非為必須的構成，鍍覆裝置1000亦可形成為未具備有阻力體18的構成。

此外，在本實施形態中，在陽極室13係配置有陽極遮罩19。本實施形態之陽極遮罩19係配置成陽極遮罩19的上面接觸隔膜12的下面。但是，陽極遮罩19的配置部位若為陽極室13即可，並非為限定於圖3所示之部位者。若列舉其他例，陽極遮罩19亦可以在與隔膜12之間具有空間的方式，配置在比隔膜12更為下方側的部位。陽極遮罩19係具有在陽極11與基板Wf之間流動的電氣所通過的開口部19a。如上所示，因鍍覆裝置1000具備陽極遮罩19，可使基板Wf的鍍覆被膜的面內均一性提升。

基板保持具30係用以保持作為陰極的基板Wf的構件。基板Wf係配置在比陽極11更為上方。基板保持具30係以基板Wf的被鍍覆面Wfa朝向下方的方式保持基板Wf。具體而言，本實施形態之基板保持具30係具有：第1保持構件31、及第2保持構件32。第1保持構件31係保持基板Wf的上面。第2保持構件32係保持基板Wf的被鍍覆面Wfa的外周緣部。基板保持具30係以藉由第1保持構件31與第2保持構件32夾持基板Wf的方式，保持基板Wf。

旋轉機構40係用以使基板保持具30旋轉的機構。具體而言，旋轉機構40係連接於基板保持具30，接受控制模組800的指令，至少在對基板Wf施行鍍覆處理的鍍覆處理時，使基板保持具30旋轉。以旋轉機構40而言，係可使用旋轉馬達等周知的機構。其中，圖3所圖示的「R」係藉由旋轉機構40所致之基板保持具30的旋轉方向之一例。旋轉機構40係連接於升降機構45。升降機構45係藉由以上下方向延伸的支軸46所支持。升降機構45係用以使基板保持具30及旋轉機構40以上下方向作升降的機構。以升降機構45而言，係可使用直動式的致動器等周知的升降機構。

在鍍覆處理時，旋轉機構40使基板保持具30旋轉，並且升降機構45使基板保持具30朝下方移動，使基板Wf浸漬在鍍覆槽10的鍍覆液Ps。其中，此時，後述之保持具蓋件50的下面50a亦被浸漬在鍍覆液Ps。接著，藉由通電裝置，電氣流至陽極11與基板Wf之間。藉此，在基板Wf的被鍍覆面Wfa形成鍍覆被膜。

鍍覆模組400的動作係藉由控制模組800予以控制。控制模組800係具備微電腦，該微電腦係具備：作為處理器的CPU（Central Processing Unit，中央處理單元）801、或作為非暫態記憶媒體的記憶部802等。在控制模組800中，係根據被記憶在記憶部802的程式的指令，CPU801控制鍍覆模組400的動作。

其中，在本實施形態中，一個控制模組800作為統合式控制鍍覆模組400的被控制部的控制裝置來發揮功能，惟並非為限定於該構成者。例如，亦可控制模組800具備複數控制裝置，該複數控制裝置分別個別控制鍍覆模組400的各個的被控制部。

接著，說明保持具蓋件50。圖4係基板Wf被浸漬在鍍覆液Ps的狀態下的基板Wf的周邊構成的模式圖。其中，在圖4中係省略溢流槽20的圖示。圖5係保持具蓋件50的模式仰視圖。其中，在圖5亦一併圖示保持具蓋件50的一部分（A2部分）的模式立體圖。參照圖4及圖5，保持具蓋件50係配置在基板保持具30。保持具蓋件50係構成為基板保持具30旋轉時即連同基板保持具30一起旋轉。

具體而言，如圖4所示，本實施形態之保持具蓋件50係連接於第2保持構件32的至少下面32a。更具體而言，保持具蓋件50係連接於第2保持構件32的下面32a及外周面32b。在鍍覆處理時，保持具蓋件50的至少下面50a係被浸漬在鍍覆液Ps。此外，保持具蓋件50的下面50a係位於比基板Wf的被鍍覆面Wfa更為下方。

參照圖4及圖5，本實施形態之保持具蓋件50係以在仰視下，保持具蓋件50的下面50a包圍基板Wf的被鍍覆面Wfa的周圍的方式，配置在基板保持具30的第2保持構件32。具體而言，本實施形態之保持具蓋件50的下面50a係具有在中央部具有開口部53的環形狀。

如圖5所示，在保持具蓋件50的下面50a係設有至少一個蓋件溝51。具體而言，本實施形態之蓋件溝51係設有複數個作為一例。蓋件溝51係以與保持具蓋件50的旋轉方向（或周方向）呈交叉的方向延伸。具體而言，本實施形態之蓋件溝51係朝向保持具蓋件50的徑方向延伸。

在本實施形態中，複數蓋件溝51係在與鄰接的蓋件溝51之間具有一定的間隔，全體設在保持具蓋件50的下面50a的周方向。此外，本實施形態之蓋件溝51的溝壁部52係藉由平直狀的平面所構成。

該蓋件溝51係被設為用以若保持具蓋件50旋轉時，對鍍覆液Ps賦予離心力，而賦予由鍍覆槽10的內側（中心側）朝向外側（外周側）的流動者（該鍍覆液Ps的流動的樣子係例示於後述之圖7）。亦即，若保持具蓋件50旋轉，存在於保持具蓋件50的蓋件溝51的鍍覆液Ps係因被賦予離心力，而通過蓋件溝51而朝向外側流動。藉此，在鍍覆槽10的徑方向由內側朝向外側的鍍覆液Ps的流動被加速。結果，存在於基板Wf與阻力體18之間的鍍覆液Ps即被攪拌。

如以上所示，藉由本實施形態，連同基板保持具30的旋轉，保持具蓋件50一起旋轉時，可藉由設有蓋件溝51的保持具蓋件的下面50a，來攪拌鍍覆液Ps。藉此，無須使用攪棒，即可攪拌鍍覆液Ps。結果，可抑制伴隨使用攪棒之鍍覆被膜的均一性的降低或鍍覆裝置1000的大型化。

此外，藉由本實施形態，與將攪棒配置在阻力體18與基板Wf之間的情形相比較，可減小阻力體18與基板Wf之間的距離。藉此，可有效達成鍍覆被膜的均一性。此外，可有效抑制鍍覆裝置1000的大型化。

接著，說明亂流發生構件60。參照圖3及圖4，亂流發生構件60係被配置在鍍覆槽10的鍍覆液Ps的內部之比基板Wf更為下方且比陽極11更為上方的部位。具體而言，本實施形態之亂流發生構件60係被配置在陰極室14，並且透過連接構件70而連接於阻力體18的上面。但是，藉由連接構件70所為之亂流發生構件60的連接手法並非於限定圖4所示者。若列舉其他一例，例如，連接構件70亦可構成為將陰極室14中的鍍覆槽10的外周壁部10b的內周面與亂流發生構件60的外周面相連接。

亂流發生構件60係構成為使由比基板Wf更為下方側朝向基板Wf流動的鍍覆液Ps（具體而言，在本實施形態中，由比阻力體18更為下方側通過阻力體18而朝向基板Wf流動的鍍覆液Ps）發生亂流的構件。具體而言，本實施形態之亂流發生構件60係具有以下構成。

圖6係亂流發生構件60的模式仰視圖。圖7係示出亂流發生構件60的周邊的鍍覆液Ps的流動的樣子的模式剖面圖。其中，在圖7中係省略溢流槽20的圖示。參照圖4、圖6及圖7，本實施形態之亂流發生構件60係具有供通過阻力體18而朝向基板Wf的鍍覆液Ps流動的內部流路61。

本實施形態之內部流路61係如圖4所示，構成為將亂流發生構件60的下端60a（亦即，與陽極11或阻力體18相對向的部位）、與亂流發生構件60的上端60b（亦即，與基板Wf相對向的部位）相連通。此外，如圖6所示，本實施形態之內部流路61係在仰視亂流發生構件60下具有「阿基米德螺旋形狀」。其中，如上所示之具有阿基米德螺旋形狀的內部流路61係構成為鄰接的內部流路61彼此的間隔成為相等。

在圖6中係圖示將基板Wf的被鍍覆面Wfa的任意一點投影在亂流發生構件60而得的投影點P1。該投影點P1係若基板Wf旋轉，即描繪圓形狀的軌跡C1。若如本實施形態所示內部流路61具有阿基米德螺旋形狀，當基板Wf旋轉一圈時，投影點P1係僅在投影點P2至投影點P3的部分，與亂流發生構件60中的內部流路61以外的部位重疊。藉此，藉由本實施形態，基板保持具30旋轉時，可一邊儘可能抑制陽極11與基板Wf之間的電場被保持具蓋件50所阻礙，一邊攪拌鍍覆液Ps。

此外，如圖4所示，本實施形態之亂流發生構件60係構成為進行對基板Wf施行鍍覆處理的鍍覆處理時，一邊亂流發生構件60的上端60b在與基板Wf的被鍍覆面Wfa之間具有間隙80，一邊位於比保持具蓋件50的下面50a更為上方。

如圖7所示，已通過阻力體18的鍍覆液Ps係在亂流發生構件60的內部流路61流動之後，朝向基板Wf流動。如前所述，藉由本實施形態，因保持具蓋件50旋轉，由鍍覆槽10的內側（中心側）朝向外側（外周側）的流動被加速。因此，在亂流發生構件60的內部流路61流動後的鍍覆液Ps係在亂流發生構件60的上端60b與基板Wf的被鍍覆面Wfa之間的間隙80流動，藉此沿著基板Wf的被鍍覆面Wfa，在鍍覆槽10的徑方向由內側朝向外側勢頭強地流動。之後，鍍覆液Ps係在基板保持具30與鍍覆槽10的外周壁部10b之間的部分流動，越過鍍覆槽10的外周壁部10b的上端而流入至溢流槽20。

如圖7所示，本實施形態之亂流發生構件60係在亂流發生構件60的上端60b，使鍍覆液Ps發生亂流。具體而言，因在亂流發生構件60與基板Wf之間流動的鍍覆液Ps衝撞亂流發生構件60的上端60b，而在該上端60b會在鍍覆液Ps發生亂流。

此外，在本實施形態之內部流路61係設有構成為使在內部流路61流動的鍍覆液Ps發生亂流的突起62。具體而言，本實施形態之突起62係設在內部流路61中的流路壁部60c（以徑方向朝向外側的流路壁部）的下端。該突起62的剖面形狀並非為特別限定者，在本實施形態中係以矩形作為一例。因在內部流路61流動的鍍覆液Ps的一部分衝撞突起62，而在該鍍覆液Ps發生亂流。

如上所示，藉由本實施形態，可藉由亂流發生構件60，使朝向基板Wf流動的鍍覆液Ps發生亂流。藉此，可有效地攪拌鍍覆液Ps。

此外，藉由本實施形態，由於在內部流路61設有突起62，因此與在內部流路61未設有突起62的情形相比較，可使在內部流路61流動的鍍覆液Ps有效地發生亂流。藉此，可更有效地攪拌鍍覆液Ps。

其中，突起62係不僅設在流路壁部60c，亦可設在與流路壁部60c為相反側的流路壁部60d（在徑方向朝向內側的流路壁部）。或者，突起62亦可未設在流路壁部60c，而僅設在流路壁部60d。

此外，藉由本實施形態，亂流發生構件60的上端60b一邊在與被鍍覆面Wfa之間具有間隙80一邊位於比保持具蓋件50的下面50a更為上方，因此例如與亂流發生構件60的上端60b位於比保持具蓋件50的下面50a更為下方的情形相比較，可減小間隙80的間隔（上下方向的距離）。藉此，可使在該間隙80流動的鍍覆液Ps的流速有效地上升，因此可有效地攪拌鍍覆液Ps。

該間隙80的間隔的具體數值並非為特別限定者，惟若在鍍覆液Ps的攪拌的觀點下列舉適當數值例，以例如15mm以下為佳，以10mm以下為較佳，以5mm以下為更佳。

其中，本實施形態之鍍覆液之攪拌方法係藉由上述之鍍覆裝置1000來實現。亦即，本實施形態之鍍覆液之攪拌方法係包含：進行對被浸漬在鍍覆液Ps的基板Wf施行鍍覆處理的鍍覆處理時，在保持具蓋件50的下面50a被浸漬在鍍覆液Ps的狀態下藉由旋轉機構40來使基板保持具30旋轉。該鍍覆液之攪拌方法的詳細內容與上述鍍覆裝置1000的說明重複，故省略之。藉由本實施形態之鍍覆液之攪拌方法，亦可達成與上述之鍍覆裝置1000同樣的作用效果。 （變形例1）

保持具蓋件50的構成並非為限定於前述圖5等中所說明的構成者。以下說明保持具蓋件50的變形例。圖8（A）係實施形態的變形例1之保持具蓋件50A的模式仰視圖。本變形例之保持具蓋件50A係在仰視下，蓋件溝51A的溝壁部52A形成為圓弧狀，此與圖5所示之保持具蓋件50不同。在本變形例中亦可達成與前述實施形態之保持具蓋件50同樣的作用效果。 （變形例2）

圖8（B）係實施形態的變形例2之保持具蓋件50B的模式仰視圖。本變形例之保持具蓋件50B係蓋件溝51A僅設在保持具蓋件50B的下面50a的一部分，此與圖8（A）所示之保持具蓋件50A不同。具體而言，本變形例之蓋件溝51A係在仰視保持具蓋件50B下，僅設在夾著保持具蓋件50B的中心線L1的一側，作為一例。在本變形例中，亦可達成與前述之變形例1之保持具蓋件50A同樣的作用效果。

其中，本變形例之保持具蓋件50B亦可具有前述之蓋件溝51，來取代蓋件溝51A。此外，上述之變形例1及變形例2之保持具蓋件係保持具蓋件50之變形例之一例，保持具蓋件50的變形例並非為限定於上述者。 （變形例3）

在上述之實施形態中，亂流發生構件60的剖面形狀並非限定於圖4等中所例示的構成者。以下說明亂流發生構件60的變形例。

圖9（A）係實施形態的變形例3之亂流發生構件60A的模式剖面圖。其中，該圖9（A）係針對本變形例之亂流發生構件60A，模式圖示相當於圖4的A1部分的部位的放大剖面（此係後述之圖9（B）～圖12亦同）。

本變形例之亂流發生構件60A係突起62不僅設在流路壁部60c（以徑方向朝向外側的流路壁部），亦設在流路壁部60d（以徑方向朝向內側的流路壁部）；及該等突起62被設在亂流發生構件60的上下方向的中央部，在此二點方面與圖4所示之實施形態之亂流發生構件60不同。

此外，亂流發生構件60A係在流路壁部60c中的突起62與上端60b之間的部分、及突起62與下端60a之間的部分具有曲面形狀；及流路壁部60d中的突起62與上端60b之間的部分、及突起62與下端60a之間的部分形成為相對水平方向呈傾斜的傾斜面；以及突起62的前端具有尖銳的形狀，在此三點方面亦與圖4所示之亂流發生構件60不同。

藉由本變形例，可藉由流路壁部60c的突起62與流路壁部60d的突起62，使亂流有效發生。 （變形例4）

圖9（B）係實施形態的變形例4之亂流發生構件60B的模式剖面圖。本變形例之亂流發生構件60B主要係流路壁部60d中的突起62與上端60b之間的部分、及突起62與下端60a之間的部分具有曲面形狀，在此一點方面與圖9（A）所示之亂流發生構件60A不同。此外，亂流發生構件60B係具有上端60b及下端60a尖銳的形狀，在此一點方面亦與圖9（A）所示之亂流發生構件60A不同。

在本變形例中，亦可達成與變形例3之亂流發生構件60A同樣的作用效果。 （變形例5）

圖10（A）係實施形態的變形例5之亂流發生構件60C的模式剖面圖。本變形例之亂流發生構件60C主要係在流路壁部60d未設有突起62，流路壁部60d形成為以上下方向延伸的平面；流路壁部60c中的突起62與上端60b之間的部分、及突起62與下端60a之間的部分形成為傾斜面，在此二點方面與圖9（B）所示之亂流發生構件60B不同。

藉由本變形例，可藉由流路壁部60c的突起62而使亂流有效地發生。 （變形例6）

圖10（B）係實施形態的變形例6之亂流發生構件60D的模式剖面圖。本變形例之亂流發生構件60D主要係流路壁部60d中的突起62與上端60b之間的部分、及突起62與下端60a之間的部分具有曲面形狀，在此一點方面與圖9（A）所示之亂流發生構件60A不同。在本變形例中，亦可達成與變形例3之亂流發生構件60A同樣的作用效果。 （變形例7）

圖11（A）係實施形態的變形例7之亂流發生構件60E的模式剖面圖。本變形例之亂流發生構件60E主要係突起62被設在流路壁部60c中的上下方向的中央部；及在流路壁部60c中的突起62與上端60b之間的部分、及突起62與下端60a之間的部分，分別設有段差63，在此二點方面與圖4所示之亂流發生構件60不同。在本變形例中，亦可藉由流路壁部60c的突起62，使亂流有效地發生。 （變形例8）

圖11（B）係實施形態的變形例8之亂流發生構件60F的模式剖面圖。本變形例之亂流發生構件60F主要係流路壁部60c的突起62被設在流路壁部60d的上下方向的中央部；及該突起62的基端部（與流路壁部60c的交界部）形成為曲面64，在此二點方面與圖4所示之亂流發生構件60不同。在本變形例中，亦可達成與亂流發生構件60同樣的作用效果。 （變形例9）

圖12係實施形態的變形例9之亂流發生構件60G的模式剖面圖。本變形例之亂流發生構件60G係在流路壁部60c未具備有突起62，結果，流路壁部60c形成為平坦的平面，在此一點方面與圖4所示之亂流發生構件60不同。在本變形例中，亦如圖7中所說明，可藉由亂流發生構件60G的上端60b來使亂流發生。

其中，上述變形例3～變形例9之亂流發生構件係亂流發生構件60的變形例之一例，亂流發生構件60的變形例並非為限定於上述者。

以上詳述了本發明之實施形態或變形例，惟本發明並非為限定於該特定的實施形態或變形例者，可在申請專利範圍所記載之本發明之要旨的範圍內，作進一步的各種變形／變更。

10:鍍覆槽 10a:底壁部 10b:外周壁部 10c:突出部 10d:保持構件 11:陽極 12:隔膜 13:陽極室 14:陰極室 15:陽極用供給口 16:陽極用排出口 17:陰極用供給口 18:阻力體 19:陽極遮罩 19a:開口部 20:溢流槽 30:基板保持具 31:第1保持構件 32:第2保持構件 32a:下面 32b:外周面 40:旋轉機構 45:升降機構 46:支軸 50,50A,50B:保持具蓋件 50a:下面 51,51A:蓋件溝 52,52A溝壁部 53:開口部 60,60A,60B,60C,60D,60E,60F,60G:亂流發生構件 60a:下端 60b:上端 60c,60d:流路壁部 61:內部流路 62:突起 63:段差 64:曲面 70:連接構件 80:間隙 100:載入埠 110:搬送機器人 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400:鍍覆模組 500:洗淨模組 600:旋乾機 700:搬送裝置 800:控制模組 801:CPU(中央處理單元) 802:記憶部 1000:鍍覆裝置 C1:軌跡 L1:中心線 P1:投影點 P2:投影點 P3:投影點 Ps:鍍覆液 R:藉由旋轉機構40所致之基板保持具30的旋轉方向 Wf:基板 Wfa:被鍍覆面

圖1係示出實施形態之鍍覆裝置的全體構成的立體圖。 圖2係示出實施形態之鍍覆裝置的全體構成的俯視圖。 圖3係用以說明實施形態之鍍覆裝置的鍍覆模組的構成的模式圖。 圖4係實施形態之基板被浸漬在鍍覆液的狀態下的基板的周邊構成的模式圖。 圖5係實施形態之保持具蓋件的模式仰視圖。 圖6係實施形態之亂流發生構件的模式仰視圖。 圖7係示出實施形態之亂流發生構件的周邊的鍍覆液的流動的樣子的模式剖面圖。 圖8（A）係實施形態的變形例1之保持具蓋件的模式仰視圖。圖8（B）係實施形態的變形例2之保持具蓋件的模式仰視圖。 圖9（A）係實施形態的變形例3之亂流發生構件的模式剖面圖。圖9（B）係實施形態的變形例4之亂流發生構件的模式剖面圖。 圖10（A）係實施形態的變形例5之亂流發生構件的模式剖面圖。圖10（B）係實施形態的變形例6之亂流發生構件的模式剖面圖。 圖11（A）係實施形態的變形例7之亂流發生構件的模式剖面圖。圖11（B）係實施形態的變形例8之亂流發生構件的模式剖面圖。 圖12係實施形態的變形例9之亂流發生構件的模式剖面圖。

10:鍍覆槽

10a:底壁部

10b:外周壁部

10c:突出部

10d:保持構件

11:陽極

12:隔膜

13:陽極室

14:陰極室

15:陽極用供給口

16:陽極用排出口

17:陰極用供給口

18:阻力體

19:陽極遮罩

19a:開口部

20:溢流槽

30:基板保持具

31:第1保持構件

32:第2保持構件

40:旋轉機構

45:升降機構

46:支軸

50:保持具蓋件

60:亂流發生構件

70:連接構件

400:鍍覆模組

800:控制模組

801:CPU(中央處理單元)

802:記憶部

1000:鍍覆裝置

R:藉由旋轉機構40所致之基板保持具30的旋轉方向

Ps:鍍覆液

Wf:基板

Wfa:被鍍覆面

Claims (7)

1. 一種鍍覆裝置，其係具備： 鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且在內部配置有陽極； 基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，保持作為陰極的基板； 旋轉機構，其係使前述基板保持具旋轉；及 保持具蓋件，其係被配置在前述基板保持具，前述基板保持具旋轉時，連同前述基板保持具一起旋轉， 前述保持具蓋件係具有被浸漬在前述鍍覆液並且位於比前述基板的被鍍覆面更為下方的下面， 在前述保持具蓋件的前述下面係設有以相對前述保持具蓋件的旋轉方向呈交叉的方向延伸的至少一個蓋件溝。
2. 如請求項1所述之鍍覆裝置，其中，前述保持具蓋件係以仰視具有環形狀。
3. 如請求項1或2所述之鍍覆裝置，其中，另外具備：亂流發生構件，其係被配置在前述鍍覆槽的前述內部之比前述基板更為下方且比前述陽極更為上方的部位，使由比前述基板更為下方側朝向前述基板流動的前述鍍覆液發生亂流。
4. 如請求項3所述之鍍覆裝置，其中，前述亂流發生構件係具有：將前述亂流發生構件的下端與前述亂流發生構件的上端相連通，供朝向前述基板的前述鍍覆液流動的內部流路， 前述內部流路係在仰視前述亂流發生構件下，具有阿基米德螺旋形狀。
5. 如請求項4所述之鍍覆裝置，其中，在前述內部流路係設有使在前述內部流路流動的前述鍍覆液發生亂流的突起。
6. 如請求項4所述之鍍覆裝置，其中，前述亂流發生構件係構成為在進行對前述基板施行鍍覆處理的鍍覆處理時，前述亂流發生構件的前述上端一邊在與前述基板的前述被鍍覆面之間具有間隙一邊位於比前述保持具蓋件的前述下面更為上方。
7. 一種鍍覆液之攪拌方法，其係如請求項1至6中任一項所述之鍍覆裝置的前述鍍覆液之攪拌方法，其係包含： 進行對前述基板施行鍍覆處理的鍍覆處理時，在前述保持具蓋件的前述下面被浸漬在前述鍍覆液的狀態下，藉由前述旋轉機構，使前述基板保持具旋轉。

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