TW202236489A - 基板固持器之保管方法、鍍覆裝置 - Google Patents

Abstract

本發明係將沖洗模組中清洗後殘留於基板固持器的鍍覆液去除。提出一種在鍍覆基板的裝置中保管基板固持器的方法，其包含下述步驟：在將未保持基板之狀態的基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置的暫存架中，將前述基板固持器浸漬於預先儲存的前述水中，使殘留於前述基板固持器的鍍覆液在前述水中擴散以清洗前述基板固持器；及將非活性氣體填充至前述水中及/或一邊使前述水進行循環一邊進行脫氣，藉此使前述水中的溶氧濃度降低。

Description

基板固持器之保管方法、鍍覆裝置

本案係關於一種基板固持器之保管方法及鍍覆裝置。

以往，在設於半導體晶圓等表面的細微配線用溝槽、孔洞或光阻開口部中形成配線，或於半導體晶圓等的表面形成與封裝體之電極等電性連接的凸塊（突起狀電極）。作為形成這種配線及凸塊的方法，例如，電鍍法、蒸鍍法、印刷法、焊球凸塊法等已為人所知。近年來，隨著半導體晶片的I/O數增加、間距細化，逐漸大量使用可細微化且性能較穩定的電鍍法。

用於電鍍法的鍍覆裝置中，具有使用基板固持器的情況，其係將半導體晶圓等基板的端面及背面密封，而使表面（被鍍覆面）露出並保持。在該鍍覆裝置中對基板表面進行鍍覆處理時，使保持有基板的基板固持器浸漬於鍍覆液中。又，鍍覆處理之後，以沖洗模組將基板和基板固持器一起清洗，以沖洗附著於基板固持器的鍍覆殘液。例如，日本特開2019-71382號公報（專利文獻1）中記載了將保持有鍍覆後之基板的基板固持器浸漬於沖洗液，藉由通氣或槳等攪拌沖洗液，來將基板及基板固持器進行清洗。日本特開2014-19900號公報（專利文獻2）中係以水不接觸接點的方式將保持有虛擬基板的基板固持器浸漬於清洗液，藉此將基板固持器清洗。又，其記載了設置兩台將保持有虛擬基板的基板固持器進行清洗的清洗槽，使液體不流入一台清洗槽而將該清洗槽作為暫存架使用。 ［先前技術文献］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2019-71382號公報 ［專利文獻2］日本特開2014-19900號公報

［發明所欲解決之課題］

在鍍覆處理後，基板固持器上會附著有無法被沖洗模組中的清洗完全去除的鍍覆殘液（例如，約1%濃度的液體）。亦即，基板固持器附帶著包含約1%濃度之鍍覆液的水。若水蒸發而鍍覆液成分濃縮，則會對基板固持器的零件造成損傷，在運送下一片基板時，附著於基板固持器的鍍覆液成分在鍍覆槽內溶解，而可能成為基板表面之微粒的原因。上述專利文獻中，並未研究關於殘留並附著於基板固持器之鍍覆殘液的對策。

本發明的目的之一係將沖洗模組中清洗後殘留於基板固持器的鍍覆液去除。又，本發明的目的之一在於抑制裝置的處理量（throughput）降低，並且將沖洗模組中清洗後殘留於基板固持器的鍍覆液去除。 ［解決課題之手段］

根據一實施形態，可提供一種方法，係在鍍覆基板的裝置中保管基板固持器的方法，其包含下述步驟：在將未保持基板之狀態的基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置的暫存架中，將前述基板固持器浸漬於預先儲存的前述水中，使殘留於前述基板固持器的鍍覆液在前述水中擴散以清洗前述基板固持器；及將非活性氣體填充至前述水中及/或一邊使前述水進行循環一邊進行脫氣，藉此使前述水中的溶氧濃度降低。

以下，參照圖式對本發明之實施形態進行說明。在附圖中，對於相同或類似的要件標註相同或類似的參照符號，有時在各實施形態的說明中省略相同或類似的要件相關的重複說明。又，各實施形態所顯示的特徵，只要不互相矛盾，亦可應用於其他實施形態。

在本說明書中「基板」，不僅為半導體基板、玻璃基板、液晶基板、印刷電路基板，還包含磁記錄媒體、磁記錄感測器、反射鏡、光學元件、微小機械元件、或局部製作之積體電路、其他任意的被處理對象物。基板包含具有多邊形、圓形的任意形狀者。又，在本說明書中使用「前面」、「後面」、「前」、「後」、「上」、「下」、「左」、「右」等表達，但該等表達係為了方便說明表示例示的圖式在紙面上的位置、方向，在使用裝置時等的實際配置中可能不同。 （第1實施形態）

圖1係一實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。鍍覆裝置100係在將基板（晶圓）保持於基板固持器11（圖2）的狀態下對基板實施鍍覆處理。鍍覆裝置100大致分成：裝載/卸載站110，將基板裝載於基板固持器11，或將基板從基板固持器11卸載；處理站120，處理基板；及清洗站50a。處理站120中配置有：前處理･後處理站120A，進行基板的前處理及後處理；鍍覆站120B，對基板進行鍍覆處理。

裝載/卸載站110具有1個或多個卡匣台25及基板裝卸模組29。卡匣台25搭載收納有基板的卡匣25a。基板裝卸模組29係構成對於基板固持器11裝卸基板的態樣。又，在基板裝卸模組29的附近（例如下方）設有用以收納未保持基板之狀態的基板固持器11的暫存架30。清洗站50a具有清洗鍍覆處理後的基板並使其乾燥的清洗模組50。清洗模組50例如為旋轉沖洗乾燥機。

在由卡匣台25、基板裝卸模組29及清洗站50a所包圍的位置上，配置有在該等單元之間運送基板的運送機械手臂27。運送機械手臂27構成可藉由移動機構28移動。運送機械手臂27例如構成下述態樣：將鍍覆前的基板從卡匣25a取出並搬送至基板裝卸模組29，從基板裝卸模組29接收鍍覆後的基板，將鍍覆後的基板運送至清洗模組50，再將經過清洗及乾燥之基板從清洗模組50取出並收納於卡匣25a。

前處理･後處理站120A具有預濕模組32、預浸模組33、第1沖洗模組34、吹氣模組35及第2沖洗模組36。預濕模組32構成實施預濕處理的態樣，該預濕處理係以水等的處理液將基板的圖案開口內的空氣進行置換（脫氣）。藉由預濕處理，在鍍覆時將圖案開口內的處理液置換成鍍覆液，容易將鍍覆液供給至圖案開口內。預浸模組33構成實施預浸處理的態樣，該預浸處理例如係以硫酸或鹽酸等的處理液將存在於基板之晶種層表面等的電阻大的氧化膜蝕刻去除，以將鍍覆基底表面清洗或活性化。第1沖洗模組34中，以清洗液（純水等）將預浸後的基板和基板固持器11一起清洗。吹氣模組35中，將清洗後的基板進行排液。第2沖洗模組36中，以清洗液（純水等）將鍍覆後的基板和基板固持器11一起清洗。預濕模組32、預浸模組33、第1沖洗模組34、吹氣模組35、第2沖洗模組36係按照此順序配置。此外，該構成為一例，而不限定於上述構成，前處理･後處理站120A可採用其他構成。

鍍覆站120B具有：鍍覆模組39，具有多個鍍覆單元；及溢流槽38。各鍍覆單元於內部收納一個基板，使基板浸漬於內部所保持之鍍覆液中以對基板表面進行鍍銅等的鍍覆。此處，鍍覆液的種類並無特別限定，可視用途使用各種鍍覆液。該鍍覆站120B的構成為一例，鍍覆站120B可採用其他構成。

鍍覆裝置100具有例如採用線性馬達方式的運送裝置37，位於該等各設備的側面，在該等各設備之間運送基板固持器11。該運送裝置37具備1條或多條傳送帶37A，構成在基板裝卸模組29、暫存架30、預濕模組32、預浸模組33、第1沖洗模組34、吹氣模組35、第2沖洗模組36及鍍覆站120B之間運送基板固持器11的態樣。

以上述方式所構成的鍍覆裝置100具有以控制上述各部的方式所構成的作為控制部的控制模組（控制器）175。控制器175具有：記憶體175B，儲存有既定的程式；及CPU175A，執行記憶體175B的程式。構成記憶體175B的儲存媒體儲存有各種程式等，包含控制各種設定資料、鍍覆裝置100的程式。程式例如包含執行下述控制的程式：運送機械手臂27的運送控制、基板裝卸模組29中對於基板固持器11裝卸基板的控制、運送裝置37的運送控制、暫存架30中的控制、各處理模組中的處理的控制、鍍覆模組39中的鍍覆處理的控制、清洗站50a的控制。儲存媒體可包含非揮發性及/或揮發性的儲存媒體。作為儲存媒體，例如，可使用能夠以電腦讀取的ROM、RAM、快閃記憶體等記憶體、硬碟、CD-ROM、DVD-ROM及軟碟等碟狀儲存媒體等習知者。

控制器175構成可與統籌控制鍍覆裝置100及其他關聯裝置的圖中未顯示之上位控制器通訊，而可在與上位控制器所具有的資料庫之間進行資料傳輸。控制器175的一部分或全部的功能可由特定應用積體電路（ASIC，Application Specific Integrated Circuit）等硬體所構成。控制器175的一部分或全部的功能亦可由定序器所構成。控制器175的一部分或全部可配置於鍍覆裝置100之框體的內部及/或外部。控制器175的一部分或全部係以可利用有線及/或無線與鍍覆裝置100的各部通訊的方式連接。

圖2係顯示基板固持器的概略圖。基板固持器11具備第1保持構件12及第2保持構件13，在第1保持構件12與第2保持構件13之間夾住基板以保持。第2保持構件13例如透過鉸件（hinge）連結於第1保持構件12，而可相對於第1保持構件12開閉。此外，第2保持構件13亦可為下述構成：以相對於第1保持構件12接近或分開的方式平移運動，而與第1保持構件12一起夾住基板以保持。又，在第1保持構件12及第2保持構件13上設有鎖定機構（省略圖式），在夾住基板的狀態下將第1保持構件12及第2保持構件13互相鎖定。在第2保持構件13的背面設有該圖中以虛線顯示的多個接點41。該等接點41透過基板固持器11內的配線（省略圖式）與外部電源連接。以第1保持構件12及第2保持構件13夾住以保持時，該等接點41與基板的晶種層接觸，而可使鍍覆電流從外部電源流入基板。

圖3係顯示一實施形態之暫存架的概略圖。暫存架30係保管及/或暫置未保持基板之狀態的多個基板固持器11的模組。本實施形態中，暫存架30構成為在儲存有水（例如，DIW等的純水）的狀態下保管基板固持器11等的濕式暫存架。亦即，基板固持器11在被搬出以用於鍍覆處理之前，係在浸漬於水中的狀態下保管及/或暫置。以下列舉水為DIW的情況作為例子進行說明。

暫存架30具備暫存架槽60及配置於暫存架槽60內部的氣體供給裝置62。又，在暫存架30上設有水供給部（水供給線）61，將DIW從水供給部61供給至暫存架槽60內，以在暫存架槽60中儲存DIW。又，亦可在暫存架30上設置排出DIW的排出口（省略圖式）。使暫存架槽60內的DIW的水位為可浸漬多個基板固持器11整體的高度。使搬入鍍覆處理後的基板固持器11之前的暫存架槽60（初期暫存架槽）之DIW的酸性度pH約為6。藉由控制器175來控制暫存架30及與暫存架30相關的裝置各部（包含水供給部61、閥64）。

氣體供裝置62例如係由具有1個或多個吐出口62a的管材所構成，透過流路65與氣體供給源63流體連接。氣體供給源63係供給非活性氣體的供給源。非活性氣體可為氮氣、氬氣等稀有氣體。此外，使用氮氣作為非活性氣體時，可較安全且低價地將非活性氣體填充至DIW。又，亦可在流路65上設置由開閉閥或流量控制閥所構成的閥64。從氣體供給裝置62供給非活性氣體，例如係藉由控制閥64的開閉或開度而以控制器175進行控制。從氣體供給源63供給至氣體供給裝置62的非活性氣體，將其從氣體供給裝置62的1個或多個吐出口62a供給至暫存架槽60內的DIW中，在DIW中形成非活性氣體的氣泡，以將DIW進行通氣。非活性氣體所進行的通氣，例如設為12.5L/min的供給速度。

本實施形態中，氣體供給裝置62發揮作為溶氧濃度調整裝置的功能，其係以抑制或降低濕式暫存架30內之水的溶氧濃度的方式進行運作。將氣體供給裝置62配置於基板固持器11的下方或暫存架槽60的底部，從下往上產生氣泡。將非活性氣體連續地填充至暫存架槽60內的DIW中，藉此將DIW中的溶氧與非活性氣體進行置換，使DIW中的溶氧濃度降低，以使DIW成為脫氧水。此時，以使非活性氣體的氣泡進入鄰接的基板固持器11之間的方式調整氣體供給裝置62之吐出口62a的配置，而使各基板固持器周圍的DIW整體的溶氧濃度降低。較佳係將DIW儲存於暫存架槽60，在收納基板固持器11之間持續對DIW供給非活性氣體。此外，非活性氣體的供給亦可因應DIW的酸性度變化而間歇地實施。

該暫存架30中，使鍍覆後的基板固持器11在暫存架槽60內浸漬於DIW，藉此將附著於基板固持器11的鍍覆殘液（圖2中示意性顯示的Q’）以DIW稀釋及/或藉由濃度差在DIW中擴散以進行清洗。又，若將清洗後的基板固持器11從暫存架30取出，則從水供給部61供給與取出之基板固持器11的體積相應量的DIW，藉此將暫存架槽60內的水位保持固定。

另一方面，每次附著於基板固持器11之鍍覆殘液在DIW中溶出，就會發生暫存架槽60內的DIW逐漸成為酸性側（pH降低）的現象。一例中，每1個基板固持器，將硫酸銅濃度1%、7.9mL的鍍覆液帶入暫存架30，DIW的pH降低至約5.1。於是，本實施形態中，藉由氣體供給裝置62將非活性氣體連續地填充至槽內的DIW，使DIW內的溶氧濃度降低，以抑制基板固持器11的金屬零件因酸性度高的DIW而腐蝕的反應。亦即，將參與腐蝕反應的DIW中的溶氧置換成不參與腐蝕反應的非活性氣體，藉此抑制基板固持器11之金屬零件的腐蝕。

圖7係顯示暫存架內之水的pH變化的圖表。圖中，縱軸表示暫存架30內之DIW的pH，橫軸表示基板（晶圓）的處理片數、亦即搬入暫存架30的鍍覆及後處理後的基板固持器11的片數。此例中，設定原本的鍍覆液（鍍覆模組39內的鍍覆液）的pH為0.5，搬入鍍覆及後處理後的基板固持器11之前的暫存架30之DIW的pH為6，每1個基板固持器的鍍覆液攜帶量為7.9mL，每1個基板固持器將硫酸銅濃度1%、7.9mL的鍍覆液帶入暫存架30。又，暫存架30中，以去除與基板固持器11的體積相應量的9.59L之DIW將基板固持器11的鍍覆殘液稀釋，每次搬出基板固持器11則補充暫存架30中減少之水分的DIW（pH=6）。如圖7所示，可知隨著基板的處理片數（將鍍覆後的基板固持器搬入暫存架30的數量）增加，暫存架30內之DIW的pH降低（傾向酸性側），而控制在pH=約5.1。

圖8係說明金屬零件之腐蝕機制的說明圖。該圖中顯示基板固持器11的接點41、與接點41電性連接的配線（線材）42及將線材42固定於接點41的螺絲及墊圈43。此例中，接點41的材質為SUS，對於表面實施金鈷的鍍覆。線材42的材質為軟銅，在鎳的基底上實施鍍金。螺絲及墊圈43的材質為SUS。如該圖所示，若具有標準電極電位差的金屬與包含硫酸銅的溶液（電導性）Q接觸，則構成局部電池，而進行不同種類之金屬間的電子傳輸。此時，發生下述反應：標準電極電位低的金屬向標準電極電位高的金屬發射電子，變成離子（圖中的Ni ⁺）而溶解，溶液中的溶氧接收電子e ^-而變成氫氧離子OH ^-。標準電極電位（將氫設為0時），鎳為-0.257（V）、銅為+0.342（V），SUS與銅的標準電極電位為相同程度。

線材42的表面為鍍金，有時會在彎曲處、藉由螺絲及墊圈43緊固於接點41之處發生物理性損傷或剝離而導致基底的鎳露出。此時，線材42之基底的鎳與螺絲及墊圈43的SUS接觸。相較於SUS，鎳的標準電極電位較低而發射電子，鎳溶解於液體中。因此，發生基底鎳的剝離而導致軟銅露出。作為其對策，藉由使溶液中的溶氧濃度降低，可降低鎳溶解之反應的反應速度。如上所述，本實施形態中係將非活性氣體連續地填充至暫存架30內的DIW，將DIW中的溶氧置換成非活性氣體，藉此降低DIW中的溶氧濃度，故可抑制基板固持器11之金屬零件的被膜（基底、鍍覆）的剝離。

又，溶液中的溶氧濃度高的情況下，也可能因溶氧濃度梯度所產生的局部電池效應而發生軟銅在溶液中溶出的現象，但藉由非活性氣體置換將暫存架30的DIW中的溶氧濃度降低，因此亦能有效抑制溶氧濃度梯度所產生之局部電池效應。

圖9係以非活性氣體進行通氣時的線材腐蝕的實驗結果。圖10係未以非活性氣體進行通氣時的線材腐蝕的實驗結果。此例中係顯示將與上述線材42相同的線材零件（材質：軟銅，基底：鎳，表面：鍍金）浸漬於含有硫酸銅鍍覆液之水（調整為pH5）中4星期的結果。如圖10所示，未以非活性氣體進行通氣的情況下，線材零件上出現材質的軟銅露出的部分A。另一方面，如圖9所示，以非活性氣體進行通氣的情況下，線材零件上未出現材質的軟銅露出的部分。由此結果可知，藉由於酸性溶液中以非活性氣體進行通氣，可有效地抑制金屬零件的腐蝕。

圖6係鍍覆處理的流程圖。該流程的控制係藉由控制器175進行控制。步驟S10中，將暫存架30中保管或暫置於DIW中的基板固持器11從暫存架30取出，並運送至基板裝卸模組29。步驟S20中，在基板裝卸模組29中將基板安裝於基板固持器11。步驟S30中，對於基板固持器11所保持的基板實施前處理（預濕模組32、預浸模組33、第1沖洗模組34）。步驟S40中，對於基板固持器11所保持的基板實施鍍覆處理（鍍覆站120B）。步驟S50中，對於基板固持器11所保持的基板實施後處理（第2沖洗模組36、吹氣模組35）。步驟S60中，在基板裝卸模組29中將基板從基板固持器11卸下。步驟S70中，在將基板固持器11收納於暫存架30，使其浸漬於暫存架槽60中預先儲存之DIW中進行保管或暫置期間，附著於基板固持器11之鍍覆殘液在DIW中擴散，藉此進行清洗。藉此，在以第2沖洗模組36清洗後，將殘留於基板固持器11的鍍覆液進行稀釋及/或擴散以清洗。此時，如上所述，將非活性氣體連續地填充至DIW中，維持DIW中的溶氧濃度較低的狀態，藉此抑制基板固持器11之金屬零件的腐蝕。對於暫存架內的多個基板固持器實施該等一系列處理。一例中，將多片（例如2片）基板固持器作為1組從暫存架30取出，實施上述一系列處理，再回到暫存架30。

根據上述實施形態，使鍍覆及以沖洗模組清洗後的基板固持器浸漬於暫存架30內的DIW，藉此可將沖洗模組中無法完全清除的殘留於基板固持器的鍍覆液去除。藉此，可抑制殘留於基板固持器的鍍覆液對基板固持器造成損傷。又，可抑制因殘留於基板固持器的鍍覆液所產生的基板固持器之分解物等在運送下一片基板時擴散至各處理模組而在基板表面上產生微粒。

又，根據上述實施形態，由於以非活性氣體置換暫存架30內的DIW中的溶氧，來使DIW中的溶氧濃度降低，因此即使DIW的pH傾向酸性，亦可抑制基板固持器11之金屬零件的腐蝕。 （第2實施形態）

圖4係顯示第2實施形態之暫存架30的概略圖。此外，僅說明與上述實施形態不同的點，針對同一或同樣的構成標註與上述實施形態相同的符號，而省略說明。本實施形態中，暫存架30與循環流路73連接，在循環流路73上設有泵71、第1模組72。第1模組72發揮作為溶氧濃度調整裝置的功能，其係以抑制或降低濕式暫存架30內之水的溶氧濃度的方式進行運作。第1模組72係藉由真空泵等將包含氧氣的氣體從DIW去除的脫氣模組或將包含氧氣的氣體置換成非活性氣體的置換模組。暫存架槽60內的DIW係以下述方式循環：藉由泵71將其導出至循環流路73，在第1模組72進行脫氣或非活性氣體置換，再回到暫存架槽60。亦即，將暫存架槽60內的DIW一邊循環一邊進行脫氣或非活性氣體置換。因搬出基板固持器11而下降的DIW水位，與前述相同地從水供給部61補充至暫存架槽60。暫存架30及與暫存架30相關的裝置各部（包含水供給部61、泵71、第1模組72）係藉由控制器175進行控制。根據該構成，藉由第1模組72對於暫存架槽60內的DIW實施脫氣或非活性氣體置換處理，因此可降低DIW中的溶氧濃度，而發揮與第1實施形態相同的作用效果。 （第3實施形態）

圖5係顯示第3實施形態之暫存架30的概略圖。本實施形態中，在暫存架30的暫存架槽60內設置壓電元件81。壓電元件81發揮作為溶氧濃度調整裝置的功能，其係以抑制或降低濕式暫存架內之水的溶氧濃度的方式進行運作。壓電元件81透過配線83與交流電壓源82連接。壓電元件81從交流電壓源82接收交流電壓，在暫存架槽60內的DIW中產生超音波或對其供給超音波。壓電元件81較佳係由可耐受暫存架槽60內的DIW之酸性度的具有耐酸性的材質所形成，或由具有耐酸性的材質所被覆。因搬出基板固持器11而下降的DIW的水位，與前述相同地從水供給部61補充至暫存架槽60。暫存架30及與暫存架30相關的裝置各部（包含水供給部61、壓電元件81、交流電壓源82）係藉由控制器175進行控制。本實施形態中，可利用超音波在DIW中形成壓力差（高壓部及低壓部），將DIW中的溶氧去除以降低溶氧濃度，而發揮與第1實施形態相同的作用效果。 （其他實施形態）

（1）上述實施形態中，列舉圓形基板的基板固持器為例進行說明，但可將上述實施形態應用於四邊形等多邊形、其他任意形狀之基板的基板固持器。

（2）上述實施形態中，列舉使基板固持器浸漬於鍍覆液而鍍覆至基板的鍍覆裝置（所謂的浸漬式）為例進行說明，但亦可將上述實施形態應用於以基板固持器使基板保持朝下而接觸鍍覆液來鍍覆至基板的鍍覆裝置（所謂的倒置式或杯式）。

本發明亦記載為以下形態。 根據第1形態，可提供一種方法，係在鍍覆基板的裝置中保管基板固持器的方法，其包含下述步驟：在將未保持基板之狀態的基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置的暫存架中，將前述基板固持器浸漬於預先儲存的前述水中，使殘留於前述基板固持器的鍍覆液在前述水中擴散以清洗前述基板固持器；及將非活性氣體填充至前述水中及/或一邊使前述水進行循環一邊進行脫氣，藉此使前述水中的溶氧濃度降低。

根據該形態，將保管及/或暫置基板固持器的暫存架構成為儲存有水的濕式暫存架。該暫存架中，將基板固持器在浸漬於水中的狀態下保管及/或暫置於暫存架。根據該構成，將基板固持器浸漬於預先儲存之水中，可在以暫存架保管及/或暫置基板固持器期間，使殘留於基板固持器的鍍覆液（鍍覆後以沖洗模組清洗後仍無法完全清除的鍍覆殘液）在水中擴散，以進行清洗。

又，即使因清洗基板固持器而累積的酸性成分導致水的酸性度上升，對於暫存架的水實施非活性氣體置換處理或脫氣處理，亦會使水中的溶氧濃度降低（抑制溶氧濃度的上升），故可抑制因標準電極電位差而引起基板固持器零件的金屬在水中溶出的反應，而抑制基板固持器零件的腐蝕。又，即使基板固持器中幾乎無鍍覆殘液的情況下，亦可藉由將水的溶氧濃度維持較低狀態，來將基板固持器零件維持良好的狀態。

又，由於將鍍覆後的基板剛被卸下後的基板固持器保管及/或暫置於儲存有水的暫存架，故可抑制殘留於基板固持器的鍍覆液長時間處於乾燥狀態，而可防止鍍覆液中的成分固化或基板固持器的零件分解。

又，由於可在以暫存架保管及/或暫置基板固持器的情況中清洗鍍覆殘液，故可抑制處理量降低，並抑制佔地面積增加。由於可在以暫存架保管及/或暫置基板固持器的情況中清洗鍍覆殘液，故無需另外配置基板固持器清洗裝置，或可抑制基板固持器清洗裝置的使用頻率來抑制處理量降低。

根據第2形態，如第1形態的方法，其中在將前述基板保持於前述基板固持器的狀態下進行鍍覆，並以沖洗模組將保持前述基板的基板固持器進行清洗後，對於已卸下前述基板的前述基板固持器實施前述暫存架中的前述基板固持器的清洗。

根據該形態，可在以暫存架保管及/或暫置基板固持器期間，使鍍覆後以沖洗模組清洗後仍無法完全清除而殘留於基板固持器的鍍覆液在水中擴散，以進行清洗。

根據第3形態，如第1或第2形態的方法，其中從配置於前述暫存架內之底部的氣體供給裝置將前述非活性氣體供給至前述水中，藉此在前述水中產生從下往上的前述非活性氣體之氣泡。

根據該形態，可在暫存架內部從下往上供給非活性氣體的氣泡，而將暫存架內的水中溶氧高效率地置換成非活性氣體。

根據第4形態，如第1或第2形態的方法，其中藉由使前述暫存架的前述水進行循環的循環流路上所配置的模組對於前述水進行脫氣或非活性氣體置換處理，藉此使前述水中的溶氧濃度降低。

根據該方法，以配置於循環流路上的模組對於暫存架內的水實施脫氣或非活性氣體置換處理，藉此可使暫存架內的水中溶氧濃度降低。又，由於將模組設置於暫存架的外部，故可抑制暫存架的大型化。

根據第5形態，如第1至第4形態的任一方法，其中前述非活性氣體為氮氣。

根據該形態，使用氮氣作為非活性氣體，藉此可較安全且低價地進行非活性氣體置換。

根據第6形態，如第1或第2形態的方法，其中藉由配置於前述暫存架內的壓電元件在前述水中產生超音波，以將前述水進行脫氣。

根據該形態，可利用由壓電元件所產生的超音波高效率地將暫存架內的水進行脫氣。

根據第7形態，可提供一種裝置，係將基板保持於基板固持器以進行鍍覆的裝置，其具備：暫存架，在將未保持前述基板的前述基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置；氣體供給裝置，配置於前述暫存架內，將非活性氣體供給至前述水中，使前述基板固持器從下方朝向上方產生前述非活性氣體的氣泡；運送裝置，運送前述基板固持器；及控制模組，控制前述運送裝置，以將前述基板固持器浸漬於前述暫存架中預先儲存之水中。前述暫存架為濕式暫存架。前述氣體供給裝置係以下述方式運作的溶氧濃度調整裝置：將非活性氣體填充至濕式暫存架內的水，以使水的溶氧濃度降低。

根據該形態，在發揮第1形態所述之作用效果的同時，可在暫存架內的水中從下往上產生非活性氣體的氣泡，而高效率地將暫存架內的水中溶氧置換成非活性氣體。

根據第8形態，可提供一種裝置，係將基板保持於基板固持器以進行鍍覆的裝置，其具備：暫存架，在將未保持前述基板的前述基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置；循環流路，與前述暫存架連接，使前述水進行循環；第1模組，配置於前述循環流路上，對於前述水實施脫氣或非活性氣體置換處理；運送裝置，運送前述基板固持器；及控制模組，控制前述運送裝置，以將前述基板固持器浸漬於前述暫存架中預先儲存之水中。前述暫存架為濕式暫存架。前述第1模組係以下述方式運作的溶氧濃度調整裝置：對濕式暫存架內的水實施脫氣或非活性氣體置換處理，以使水的溶氧濃度降低。

根據該方法，在發揮第1形態所述之作用效果的同時，以配置於循環流路上的模組對於暫存架內的水實施脫氣或非活性氣體置換處理，藉此可使暫存架內的水中溶氧濃度降低。又，由於將模組設置於暫存架的外部，故可抑制暫存架的大型化。

根據第9形態，如第7或第8形態的裝置，其中前述非活性氣體為氮氣。

根據該形態，使用氮氣作為非活性氣體，藉此可較安全且低價地進行非活性氣體置換。

根據第10形態，可提供一種裝置，係將基板保持於基板固持器以進行鍍覆的裝置，其具備：暫存架，在將未保持前述基板的前述基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置；壓電元件，配置於前述暫存架內，使前述水中產生超音波；運送裝置，運送前述基板固持器；及控制模組，控制前述運送裝置，以將前述基板固持器浸漬於前述暫存架中預先儲存之水中。前述暫存架為濕式暫存架。前述壓電元件係以下述方式運作的溶氧濃度調整裝置：將濕式暫存架內的水進行脫氣，以使水的溶氧濃度降低。

根據該形態，在發揮第1形態所述之作用效果的同時，可利用由壓電元件所產生的超音波而高效率地將暫存架內的水進行脫氣。

以上對本發明之實施形態進行說明，但上述發明的實施形態係用於使本發明容易理解，並非限定本發明。本發明只要不脫離其主旨，則可進行變更、改良，並且本發明當然包含其均等物。又，在可解決上述課題之至少一部分的範圍，或發揮效果之至少一部分的範圍內，可任意組合實施形態及變化例，亦可任意組合或省略申請專利範圍及說明書中所記載之各構成要件。包含日本特開2019-71382號公報（專利文獻1）及日本特開2014-19900號公報（專利文獻2）的說明書、申請專利範圍、圖式及摘要的全部揭示內容，藉由參照而整體併入本案。

11:基板固持器 12:第1保持構件 13:第2保持構件 25:卡匣台 25a:卡匣 27:運送機械手臂 28:移動機構 29:基板裝卸模組 30:暫存架 32:預濕模組 33:預浸模組 34:第1沖洗模組 35:吹氣模組 36:第2沖洗模組 37:運送裝置 37A:傳送帶 38:溢流槽 39:鍍覆模組 41:接點 42:配線（線材） 43:螺絲及墊圈 50:清洗模組 50a:清洗站 60:暫存架槽 61:水供給部 62:氣體供給裝置 62a:吐出口 63:氣體供給源 64:閥 65:流路 71:泵 72:第1模組 73:循環流路 81:壓電元件 82:交流電壓源 83:配線 100:鍍覆裝置 110:裝載/卸載站 120:處理站 120A:前處理･後處理站 120B:鍍覆站 175:控制模組（控制器） 175B:記憶體 175A:CPU A:材質的軟銅露出的部分 Q:溶液（電導性） Q’:鍍覆殘液 S10~S70:步驟

圖1係一實施形態之鍍覆裝置的整體配置圖。 圖2係顯示基板固持器的概略圖。 圖3係顯示暫存架的概略圖。 圖4係顯示暫存架之另一例的概略圖。 圖5係顯示暫存架之另一例的概略圖。 圖6係鍍覆處理的流程圖。 圖7係顯示暫存架內的水之pH變化的圖表。 圖8係說明金屬零件的腐蝕機制的說明圖。 圖9係有進行非活性氣體通氣時的線材腐蝕的實驗結果。 圖10係未進行非活性氣體通氣時的線材腐蝕的實驗結果。

11:基板固持器

30:暫存架

60:暫存架槽

61:水供給部

62:氣體供給裝置

62a:吐出口

63:氣體供給源

64:閥

65:流路

Claims (8)

1. 一種基板固持器之保管方法，係在鍍覆基板的裝置中保管基板固持器的方法，其包含下述步驟： 在將未保持基板之狀態的基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置的暫存架中，將前述基板固持器浸漬於預先儲存的前述水中，使殘留於前述基板固持器的鍍覆液在前述水中擴散以清洗前述基板固持器；及 將非活性氣體填充至前述水中及/或一邊使前述水進行循環一邊進行脫氣，藉此使前述水中的溶氧濃度降低。
2. 如請求項1之基板固持器之保管方法，其中在將前述基板保持於前述基板固持器的狀態下進行鍍覆，並以沖洗模組將保持前述基板的基板固持器進行清洗後，對於已卸下前述基板的前述基板固持器實施前述暫存架中的前述基板固持器的清洗。
3. 如請求項1或2之基板固持器之保管方法，其中從配置於前述暫存架內之底部的氣體供給裝置將前述非活性氣體供給至前述水中，藉此在前述水中產生從下往上的前述非活性氣體之氣泡。
4. 如請求項1或2之基板固持器之保管方法，其中藉由使前述暫存架的前述水進行循環的循環流路上所配置的模組對於前述水進行脫氣或非活性氣體置換處理，藉此使前述水中的溶氧濃度降低。
5. 如請求項1或2之基板固持器之保管方法，其中藉由配置於前述暫存架內的壓電元件在前述水中產生超音波，以將前述水進行脫氣。
6. 一種鍍覆裝置，係將基板保持於基板固持器以進行鍍覆的裝置，其具備： 暫存架，在將未保持前述基板的前述基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置； 氣體供給裝置，配置於前述暫存架內，將非活性氣體供給至前述水中，使前述基板固持器從下方朝向上方產生前述非活性氣體的氣泡； 運送裝置，運送前述基板固持器；及 控制模組，控制前述運送裝置，以將前述基板固持器浸漬於前述暫存架中預先儲存之水中。
7. 一種鍍覆裝置，係將基板保持於基板固持器以進行鍍覆的裝置，其具備： 暫存架，在將未保持前述基板的前述基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置； 循環流路，與前述暫存架連接，使前述水進行循環； 第1模組，配置於前述循環流路上，對於前述水實施脫氣或非活性氣體置換處理； 運送裝置，運送前述基板固持器；及 控制模組，控制前述運送裝置，以將前述基板固持器浸漬於前述暫存架中預先儲存之水中。
8. 一種鍍覆裝置，係將基板保持於基板固持器以進行鍍覆的裝置，其具備： 暫存架，在將未保持前述基板的前述基板固持器浸漬於儲存之水中的狀態下進行保管及/或暫置； 壓電元件，配置於前述暫存架內，使前述水中產生超音波； 運送裝置，運送前述基板固持器；及 控制模組，控制前述運送裝置，以將前述基板固持器浸漬於前述暫存架中預先儲存之水中。

Images