KR102494899B1

KR102494899B1 - 도금 장치

Info

Publication number: KR102494899B1
Application number: KR1020227027989A
Authority: KR
Inventors: 시게유키 나카하마; 미즈키 나가이
Original assignee: 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼
Priority date: 2021-09-28
Filing date: 2021-09-28
Publication date: 2023-02-06
Also published as: US20240183057A1; WO2023053182A1; CN115135814A; CN115135814B; JPWO2023053182A1; JP7090834B1

Abstract

기판의 막 두께의 면내 균일성을 도모할 수 있는 기술을 제공한다.
도금 장치(1)는, 보조 애노드(60a, 60b, 60c, 60d)를 구비하고, 보조 애노드의 연장 방향의 단부 근방 영역은, 제로보다도 큰 전기 전도율을 가짐과 함께 도금액의 전기 전도율보다도 낮은 전기 전도율을 갖는 저항체(65)에 의해 피복되고, 보조 애노드의 단부 근방 영역보다도 중앙측의 영역은, 저항체에 의해 피복되어 있지 않아, 보조 애노드의 표면이 노출되어 있다.

Description

도금 장치

본 발명은, 도금 장치에 관한 것이다.

종래, 기판에 도금 처리를 실시하는 도금 장치로서, 도금액이 저류됨과 함께 애노드가 배치된 도금조와, 캐소드로서의 기판을 이 기판이 애노드에 대향하도록 보유 지지하는 기판 홀더와, 도금조의 내부에서의 애노드와 기판의 사이의 부분에 배치된 보조 애노드(보조 전극)를 구비하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 구체적으로는, 이 특허문헌 1에 예시된 도금 장치에서 사용되고 있는 기판은, 복수의 변을 갖는 각형의 기판이며, 또한, 기판 각각의 변으로부터 전기가 급전된다. 그리고, 보조 애노드는, 기판의 변의 연장 방향으로 연장되어 있다.

일본 특허 공개 제2021-11624호 공보

상술한 바와 같은 종래의 도금 장치의 경우, 보조 애노드의 단부 근방 영역으로부터 기판의 변의 단부 근방 영역(즉, 각형의 기판의 「코너부」)에 공급되는 전류의 양이 지나치게 많아질 우려가 있다. 이 경우, 기판의 코너부의 막 두께가 기판의 다른 부위의 막 두께에 비해서 증가하여, 기판의 막 두께의 면내 균일성이 악화될 우려가 있다.

그래서, 상기 문제에 대처하기 위해서, 보조 애노드의 단부 근방 영역을, 전류 차폐 마스크로 피복하는 것을 생각할 수 있다. 구체적으로는, 이 전류 차폐 마스크는 절연체에 의해 구성되어 있어, 전류를 차폐하는 성질을 갖고 있다. 그러나, 이러한 전류 차폐 마스크를 사용한 경우, 이번에는 기판의 코너부에 공급되는 전류의 양이 지나치게 적어져버릴 우려가 있다. 이 경우, 기판의 코너부의 막 두께가 기판의 다른 부위의 막 두께에 비해서 감소해버려, 기판의 막 두께의 면내 균일성을 충분히 도모하는 것은 곤란해져버린다.

이상과 같이, 종래의 도금 장치는, 기판의 막 두께의 면내 균일성을 도모한다는 관점에서, 개선의 여지가 있었다.

본 발명은, 상기 것을 감안하여 이루어진 것으로, 기판의 막 두께의 면내 균일성을 도모할 수 있는 기술을 제공하는 것을 목적의 하나로 한다.

(양태 1)

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 양태에 관한 도금 장치는, 도금액이 저류됨과 함께 애노드가 배치된 도금조와, 캐소드로서의 기판이며 복수의 변을 갖는 각형의 기판을 당해 기판이 상기 애노드에 대향하도록 보유 지지하는 기판 홀더와, 상기 도금조의 내부에서의 상기 애노드와 상기 기판의 사이에 배치되고, 상기 애노드와 상기 기판의 사이를 흐르는 전류가 통과 가능한 구멍을 갖는 중간 마스크와, 보조 애노드를 구비하고, 상기 중간 마스크의 상기 구멍은, 상기 기판의 상기 복수의 변에 각각 대응하는 복수의 변을 갖는 각형의 구멍이며, 상기 보조 애노드는, 상기 기판과 상기 중간 마스크의 사이에, 상기 중간 마스크의 상기 구멍의 적어도 하나의 변에 대응하도록 배치되고, 또한, 상기 중간 마스크의 당해 구멍의 당해 변의 연장 방향으로 연장되고, 상기 보조 애노드에서의, 당해 보조 애노드의 연장 방향의 양쪽 단부로부터 중앙을 향하는 단부 근방 영역은, 제로보다도 큰 전기 전도율을 가짐과 함께 상기 도금액의 전기 전도율보다도 낮은 전기 전도율을 갖는 저항체에 의해 피복되고, 당해 보조 애노드의 상기 단부 근방 영역보다도 상기 중앙측 영역은, 상기 저항체에 의해 피복되어 있지 않아, 당해 보조 애노드의 표면이 노출되어 있다.

이 양태에 의하면, 보조 애노드의 단부 근방 영역이 상기와 같은 저항체로 피복되어 있으므로, 보조 애노드의 단부 근방 영역으로부터 기판의 변의 단부 근방 영역(즉, 각형의 기판의 「코너부」)을 향해서 흐르는 전류의 양을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 기판의 코너부의 막 두께가 기판의 다른 부위의 막 두께에 비해서 증가하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 저항체는, 절연체에 의해 구성된 전류 차폐 마스크에 비해서 전기 전도율이 높으므로, 예를 들어 보조 애노드의 단부 근방 영역이 전류 차폐 마스크에 의해 피복되는 경우와 같이, 기판의 코너부의 막 두께가 기판의 다른 부위의 막 두께에 비해서 감소하는 것도 억제할 수 있다. 따라서, 이 양태에 의하면, 기판의 막 두께의 면내 균일성을 도모할 수 있다.

(양태 2)

상기의 양태 1에 있어서, 상기 저항체의 전기 전도율은, 상기 저항체가 피복되어 있는 상기 보조 애노드의 연장 방향에서 중앙측으로부터 단부측을 향함에 따라서 낮게 되어 있어도 된다.

이 양태에 의하면, 기판의 막 두께의 면내 균일성을 효과적으로 도모할 수 있다.

(양태 3)

상기 양태 1 또는 2에 있어서, 상기 저항체는, 복수의 구멍을 갖고, 상기 저항체에서의 상기 구멍의 밀도가 상기 중앙측으로부터 상기 단부측을 향함에 따라서 낮아짐으로써, 상기 저항체의 전기 전도율이 상기 중앙측으로부터 상기 단부측을 향함에 따라서 낮게 되어 있어도 된다.

저항체의 구멍의 밀도를 조정하는 것은 용이하므로, 이 양태에 의하면, 저항체의 전기 전도율을 중앙측으로부터 단부측을 향함에 따라서 낮게 하는 것을 용이하게 할 수 있다.

(양태 4)

상기의 양태 1 내지 3의 어느 한 양태에 의하면, 상기 보조 애노드의 상기 단부 근방 영역의 당해 보조 애노드의 연장 방향의 길이는, 당해 보조 애노드의 전체 길이의 10％ 이하의 길이이어도 된다.

(양태 5)

상기 양태 1 내지 4의 어느 한 양태에 있어서, 상기 보조 애노드를 내부에 수용하는 수용부를 구비하고, 상기 수용부에는, 상기 기판쪽을 향하도록 개구된 개구가 마련되고, 상기 개구는, 상기 도금액에 포함되는 금속 이온이 통과하는 것은 허용하는 한편, 상기 보조 애노드의 표면으로부터 발생한 산소가 통과하는 것은 억제하는 격막에 의해 폐색되어 있어도 된다.

이 양태에 의하면, 가령 보조 애노드의 표면으로부터 산소가 발생한 경우이어도, 이 발생한 산소가 수용부의 외측의 도금액에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 이 수용부의 외측의 도금액에 침입한 산소에 기인하여, 기판의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있다.

도 1은 실시 형태에 관한 도금 장치의 전체 배치도이다.
도 2는 실시 형태에 관한 도금 장치에서의 1개의 도금조의 주변 구성을 도시하는 모식적인 단면도이다.
도 3은 실시 형태에 관한 기판의 모식적인 정면도이다.
도 4는 실시 형태에 관한 콘택트 부재의 구성을 설명하기 위한 모식도이다.
도 5는 실시 형태에 관한 복수의 보조 애노드의 모식적인 정면도이다.
도 6은 실시 형태에 관한 1개의 보조 애노드를 확대해서 도시하는 모식도이다.
도 7은 실시 형태에 관한 중간 마스크의 주변 구성의 모식적인 사시도이다.
도 8은 실시예에 관한 도금 장치의 실험 결과를 도시하는 도면이다.
도 9는 비교예 1에 관한 도금 장치의 실험 결과를 도시하는 도면이다.
도 10은 비교예 2에 관한 도금 장치의 실험 결과를 도시하는 도면이다.

이하, 본 발명의 실시 형태에 대해서 도면을 참조하면서 설명한다. 또한, 도면은, 실시 형태의 특징의 이해를 용이하게 하기 위해서 모식적으로 도시되어 있으며, 각 구성 요소의 치수 비율 등은 실제의 것과 동일하다고는 할 수 없다. 또한, 몇 가지의 도면에는, 참고용으로서, X-Y-Z의 직교 좌표가 도시되어 있다. 이 직교 좌표 중, Z 방향은 상방에 상당하고, -Z 방향은 하방(중력이 작용하는 방향)에 상당한다.

도 1은, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1)의 전체 배치도이다. 도 1에 예시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1)는, 2대의 카세트 테이블(102)과, 기판(Wf)의 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞추는 얼라이너(104)와, 도금 처리 후의 기판(Wf)을 고속 회전시켜서 건조시키는 스핀 린스 드라이어(106)를 구비한다. 카세트 테이블(102)은, 반도체 웨이퍼 등의 기판(Wf)을 수납한 카세트(100)를 탑재한다. 스핀 린스 드라이어(106)의 근처에는, 기판 홀더(20)를 적재해서 기판(Wf)의 착탈을 행하는 로드/언로드 스테이션(120)이 마련되어 있다. 반송 로봇(122)은, 카세트(100), 얼라이너(104), 스핀 린스 드라이어(106) 및 로드/언로드 스테이션(120)의 사이에서 기판(Wf)을 반송하기 위한 로봇이다.

로드/언로드 스테이션(120)은, 레일(150)을 따라 가로 방향으로 슬라이드 가능한 평판상의 적재 플레이트(152)를 구비하고 있다. 2개의 기판 홀더(20)는, 이 적재 플레이트(152)에 수평 상태에서 병렬로 적재되어 있다. 한쪽의 기판 홀더(20)와 반송 로봇(122)의 사이에서 기판(Wf)의 전달이 행하여진 후, 적재 플레이트(152)가 가로 방향으로 슬라이드되어, 다른 쪽의 기판 홀더(20)와 반송 로봇(122)의 사이에서 기판(Wf)의 전달이 행하여진다.

또한, 도금 장치(1)는, 스토커(124)와, 프리웨트 모듈(126)과, 프리소크 모듈(128)과, 제1 린스 모듈(130a)과, 블로우 모듈(132)과, 제2 린스 모듈(130b)과, 도금 모듈(110)과, 반송 장치(140)와, 제어 모듈(170)을 구비하고 있다. 스토커(124)에서는, 기판 홀더(20)의 보관 및 일시 가배치가 행하여진다. 프리웨트 모듈(126)에서는, 기판(Wf)이 순수에 침지된다. 프리소크 모듈(128)에서는, 기판(Wf)의 표면에 형성한 시드층 등의 도전층의 표면의 산화막이 에칭 제거된다. 제1 린스 모듈(130a)에서는, 프리소크 후의 기판(Wf)이 기판 홀더(20)와 함께 세정액(순수 등)으로 세정된다. 블로우 모듈(132)에서는, 세정 후의 기판(Wf)의 액털기(liquid draining)가 행하여진다. 제2 린스 모듈(130b)에서는, 도금 처리 후의 기판(Wf)이 기판 홀더(20)와 함께 세정액으로 세정된다.

도금 모듈(110)은, 예를 들어 오버플로 조(136)의 내부에 복수의 도금조(10)를 수납하도록 구성되어 있다. 각각의 도금조(10)는, 내부에 1개의 기판(Wf)을 수납하고, 내부에 보유 지지한 도금액 중에 기판(Wf)을 침지시켜서 기판(Wf)의 표면에 구리 도금 등을 실시하도록 구성되어 있다.

반송 장치(140)는, 도금 장치(1)를 구성하는 각 기기의 사이에서 기판 홀더(20)를 기판(Wf)과 함께 반송하는, 예를 들어 리니어 모터 방식을 채용한 반송 장치이다. 본 실시 형태에 관한 반송 장치(140)는, 일례로서, 제1 반송 장치(142) 및 제2 반송 장치(144)를 갖고 있다. 제1 반송 장치(142)는, 로드/언로드 스테이션(120), 스토커(124), 프리웨트 모듈(126), 프리소크 모듈(128), 제1 린스 모듈(130a) 및 블로우 모듈(132)과의 사이에서 기판(Wf)을 반송한다. 제2 반송 장치(144)는, 제1 린스 모듈(130a), 제2 린스 모듈(130b), 블로우 모듈(132) 및 도금 모듈(110)과의 사이에서 기판(Wf)을 반송한다. 또한, 도금 장치(1)는, 제2 반송 장치(144)를 구비하지 않고, 제1 반송 장치(142)만을 구비하도록 해도 된다.

오버플로 조(136)의 양측에는, 각각의 도금조(10)의 내부에 위치해서 도금조(10) 내의 도금액을 교반하는 패들을 구동하는, 패들 구동부(160) 및 패들 종동부(162)가 배치되어 있다.

제어 모듈(170)은, 도금 장치(1)의 동작을 제어하도록 구성되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 제어 모듈(170)은, 마이크로컴퓨터를 구비하고 있고, 이 마이크로컴퓨터는, 프로세서로서의 CPU(Central Processing Unit)(171)나, 비일시적인 기억 매체로서의 기억 장치(172) 등을 구비하고 있다. 제어 모듈(170)은, 기억 장치(172)에 기억된 프로그램의 지령에 따라서 CPU(171)가 작동함으로써, 도금 장치(1)의 피제어부를 제어한다.

도금 장치(1)에 의한 일련의 도금 처리의 일례를 설명한다. 먼저, 카세트 테이블(102)에 탑재한 카세트(100)로부터, 반송 로봇(122)으로 기판(Wf)을 1개 취출하여, 얼라이너(104)에 기판(Wf)을 반송한다. 얼라이너(104)는, 오리엔테이션 플랫이나 노치 등의 위치를 소정의 방향으로 맞춘다. 이 소정의 방향으로 위치가 맞추어진 기판(Wf)을 반송 로봇(122)으로 로드/언로드 스테이션(120)에까지 반송한다.

로드/언로드 스테이션(120)에 있어서는, 스토커(124) 내에 수용되어 있던 기판 홀더(20)를 반송 장치(140)의 제1 반송 장치(142)로 2기 동시에 파지하여, 로드/언로드 스테이션(120)에까지 반송한다. 그리고, 2기의 기판 홀더(20)를, 로드/언로드 스테이션(120)의 적재 플레이트(152) 상에 동시에 수평하게 적재한다. 이 상태에서, 각각의 기판 홀더(20)에 반송 로봇(122)이 기판(Wf)을 반송하고, 반송한 기판(Wf)을 기판 홀더(20)에서 보유 지지한다.

이어서, 기판(Wf)을 보유 지지한 기판 홀더(20)를 반송 장치(140)의 제1 반송 장치(142)로 2기 동시에 파지하여, 프리웨트 모듈(126)에 수납한다. 이어서, 프리웨트 모듈(126)에서 처리된 기판(Wf)을 보유 지지한 기판 홀더(20)를, 제1 반송 장치(142)로 프리소크 모듈(128)에 반송하여, 프리소크 모듈(128)에서 기판(Wf) 상의 산화막을 에칭한다. 계속해서, 이 기판(Wf)을 보유 지지한 기판 홀더(20)를 제1 린스 모듈(130a)에 반송하여, 제1 린스 모듈(130a)에 수납된 순수로 기판(Wf)의 표면을 수세한다.

수세가 종료된 기판(Wf)을 보유 지지한 기판 홀더(20)는, 제2 반송 장치(144)에 의해, 제1 린스 모듈(130a)로부터 도금 모듈(110)에 반송되어, 도금조(10)에 수납된다. 제2 반송 장치(144)는, 상기 수순을 순차 반복해서 행하여, 기판(Wf)을 보유 지지한 기판 홀더(20)를 순차 도금 모듈(110) 각각의 도금조(10)에 수납한다.

각각의 도금조(10)에서는, 도금조(10) 내의 애노드와 기판(Wf)의 사이에 도금 전압이 인가되어, 기판(Wf)의 표면에 도금 처리가 실시된다. 이 도금 처리 시에 있어서, 패들 구동부(160) 및 패들 종동부(162)에 의해 패들이 구동됨으로써, 도금조(10)의 도금액은 교반되어도 된다. 단, 도금 장치(1)의 구성은 이것에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 도금 장치(1)는, 패들, 패들 구동부(160) 및 패들 종동부(162)를 구비하지 않은 구성으로 할 수도 있다.

도금 처리가 실시된 후, 도금 처리 후의 기판(Wf)을 보유 지지한 기판 홀더(20)를 제2 반송 장치(144)로 2기 동시에 파지하여, 제2 린스 모듈(130b)까지 반송하고, 제2 린스 모듈(130b)에 수용된 순수에 침지시켜서 기판(Wf)의 표면을 순수로 세정한다. 이어서, 기판 홀더(20)를, 제2 반송 장치(144)에 의해 블로우 모듈(132)에 반송하여, 에어의 분사 등에 의해 기판 홀더(20)에 부착된 수적을 제거한다. 그 후, 기판 홀더(20)를, 제1 반송 장치(142)에 의해 로드/언로드 스테이션(120)에 반송한다.

로드/언로드 스테이션(120)에서는, 반송 로봇(122)에 의해 기판 홀더(20)로부터 처리 후의 기판(Wf)이 취출되어, 스핀 린스 드라이어(106)에 반송된다. 스핀 린스 드라이어(106)는, 고속 회전에 의해 도금 처리 후의 기판(Wf)을 고속 회전시켜서 건조시킨다. 건조시킨 기판(Wf)은, 반송 로봇(122)에 의해 카세트(100)로 되돌려진다.

또한, 상술한 도 1에서 설명한 도금 장치(1)의 구성은, 일례에 지나지 않고, 도금 장치(1)의 구성은, 도 1의 구성에 한정되는 것은 아니다.

계속해서, 도금 장치(1)에서의 도금조(10)의 주변 구성의 상세에 대해서 설명한다. 또한, 본 실시 형태에 관한 복수의 도금조(10)의 구성은 마찬가지이므로, 1개의 도금조(10)의 주변 구성에 대해서 설명한다.

도 2는, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1)에서의 1개의 도금조(10)의 주변 구성을 도시하는 모식적인 단면도이다. 또한, 도 2는, 기판(Wf)에 도금 처리가 한창 실시되고 있는 도금조(10)의 주변 구성을 모식적으로 도시하고 있다. 도 2에 예시되어 있는 도금 장치(1)는, 일례로서, 기판(Wf)의 면 방향(면을 따른 방향)을 상하 방향으로 해서 기판(Wf)을 도금액(Ps)에 침지시키는 타입의 도금 장치(즉, 딥식 도금 장치)이다.

단, 도금 장치(1)의 구체예는, 이것에 한정되는 것은 아니다. 다른 일례를 들면, 도금 장치(1)는, 기판(Wf)의 면 방향을 수평 방향으로 해서 기판(Wf)을 도금액(Ps)에 침지시키는 타입의 도금 장치(즉, 컵식 도금 장치)이어도 된다.

도 2에 예시한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 도금조(10)는, 상부가 개구된 바닥이 있는 용기에 의해 구성되어 있다. 도금조(10)의 내부에는, 도금액(Ps)이 저류되어 있다. 도금액(Ps)으로서는, 도금 피막을 구성하는 금속 원소의 이온을 포함하는 용액이면 되며, 그 구체예는 특별히 한정되는 것은 아니다. 본 실시 형태에서는, 도금 처리의 일례로서 구리 도금 처리를 사용하고 있고, 도금액(Ps)의 일례로서 황산구리 용액을 사용하고 있다.

도금 장치(1)는, 애노드(30)와, 애노드 박스(40)와, 격막(50)과, 애노드 마스크(45)를 구비하고 있다. 애노드 박스(40)는, 도금조(10)의 내부에 배치되어 있다. 애노드 박스(40)는, 애노드(30)를 내부에 수용하기 위한 부재(수용 부재)이다. 본 실시 형태에 관한 애노드(30)는, 이 애노드 박스(40)의 내부에 배치되어 있다. 애노드 박스(40)에서의 기판(Wf)에 대향한 부분에는, 개구(40a)가 마련되어 있다. 격막(50)은, 이 개구(40a)를 폐색하도록 마련되어 있다. 애노드 박스(40)의 내부에는, 도금액(Ps)이 저류되어 있다.

애노드(30)는, 전원(도시하지 않음)의 양극(+극)에 전기적으로 접속되어 있다. 애노드(30)의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것이 아니고, 불용해 애노드이어도 되고, 용해 애노드이어도 된다. 본 실시 형태에서는, 애노드(30)의 일례로서 불용해 애노드를 사용하고 있다. 이 불용해 애노드의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것이 아니고, 백금이나 산화이리듐 등을 사용할 수 있다.

격막(50)은, 도금액(Ps)에 포함되는 금속 이온(예를 들어 황산구리 중의 구리 이온)이 통과하는 것은 허용하는 한편, 애노드(30)의 표면으로부터 발생한 산소가 통과하는 것은 억제하는 막에 의해 구성되어 있다. 이러한 격막(50)으로서는, 예를 들어 중성 격막을 사용할 수 있다.

본 실시 형태에 따르면, 상기와 같이 애노드(30)가 애노드 박스(40)의 내부에 수용되고, 이 애노드 박스(40)의 개구(40a)가 격막(50)에 의해 폐색되어 있으므로, 도금 처리 시에 있어서 가령 애노드(30)의 표면으로부터 산소가 발생한 경우에도, 이 발생한 산소가 애노드 박스(40)의 외측의 도금액(Ps)에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 이 애노드 박스(40)의 외측의 도금액(Ps)에 침입한 산소에 기인하여 기판(Wf)의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있다.

애노드 마스크(45)는, 애노드(30)와 기판(Wf)의 사이에 배치되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 애노드 마스크(45)는, 애노드 박스(40)의 내부에 배치되어 있다. 애노드 마스크(45)는, 애노드(30)와 기판(Wf)의 사이를 흐르는 전기가 통과하는 것이 가능한 구멍(45a)을, 애노드 마스크(45)의 중앙에 갖고 있다.

또한, 애노드 박스(40), 격막(50) 및 애노드 마스크(45)는, 본 실시 형태에 필수적인 구성인 것은 아니다. 도금 장치(1)는, 이러한 구성을 구비하고 있지 않아도 된다.

기판 홀더(20)는, 캐소드로서의 기판(Wf)을 보유 지지하기 위한 부재이다. 구체적으로는, 기판 홀더(20)는, 기판(Wf)의 도금 처리 시에 있어서, 기판(Wf)의 표면이 애노드(30)에 대향하도록 기판(Wf)을 보유 지지한다. 보다 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 기판 홀더(20)는, 기판(Wf)의 면 방향이 상하 방향으로 되도록 기판(Wf)을 보유 지지하고 있다. 도금 처리에 의해, 기판(Wf)의 피도금면(애노드(30)에 대향하는 면)에 도금 피막이 형성된다.

도 3은, 기판(Wf)의 모식적인 정면도이다. 구체적으로는, 도 3은, 기판(Wf)의 피도금면의 법선 방향으로부터 기판(Wf)을 시인한 모습을 도시하고 있다. 본 실시 형태에 관한 기판(Wf)은, 복수의 변을 갖는 각형의 기판이다. 기판(Wf)의 변의 개수는 특별히 한정되는 것이 아니라, 3개이어도 되고, 4개이어도 되고, 5개 이상이어도 된다. 본 실시 형태에 관한 기판(Wf)의 변의 개수는, 일례로서 4개이다. 즉, 본 실시 형태에 관한 기판(Wf)은, 변(90a), 변(90b), 변(90c) 및 변(90d)을 갖는 사각형의 각형 기판이다. 변(90a) 및 변(90b)은 서로 대향하고, 변(90c) 및 변(90d)은 서로 대향하고 있다.

또한, 일례로서, 본 실시 형태에 관한 기판(Wf) 각각의 변의 길이는, 서로 동등하다. 즉, 본 실시 형태에 관한 기판(Wf)은, 정면으로 보아 정사각형의 형상을 갖고 있다. 단, 기판(Wf)의 구성은 이것에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 기판(Wf) 각각의 변의 길이는 서로 달라도 된다.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 기판(Wf)에 급전되는 전기는, 기판(Wf) 각각의 변으로부터 공급된다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 기판(Wf)은, 기판(Wf) 각각의 변으로부터, 후술하는 콘택트 부재(80)를 통해서 전기가 급전된다. 단, 이 구성에 한정되는 것이 아니라, 예를 들어 기판(Wf)에 급전되는 전기는, 기판(Wf)의 서로 대향하는 2변으로부터 급전하는 것도 가능하다.

도 4는, 콘택트 부재(80)의 구성을 설명하기 위한 모식도이다. 콘택트 부재(80)는, 기판 홀더(20)에 배치되어 있다. 콘택트 부재(80)는, 전기 배선으로서의 버스 바(82)를 통해서, 전원의 음극(-극)에 전기적으로 접속되어 있다. 도 4의 A1 부분의 확대도를 참조하여, 콘택트 부재(80)는, 복수의 콘택트 핀(81)을 갖고 있다. 이 콘택트 핀(81)이, 기판(Wf) 각각의 변(변(90a) 내지 변(90d))에 접촉함으로써, 기판(Wf) 각각의 변에 전기가 급전된다.

도 2를 다시 참조하여, 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1)는, 적어도 하나의 보조 애노드를 구비하고 있다. 즉, 도금 장치(1)는, 1개의 보조 애노드를 구비하고 있어도 되고, 복수의 보조 애노드를 구비하고 있어도 된다. 본 실시 형태에 관한 도금 장치(1)는, 일례로서, 복수의 보조 애노드(보조 애노드(60a 내지 60d))를 구비하고 있다. 복수의 보조 애노드는, 도금조(10)의 내부에서의 애노드(30)와 기판(Wf)의 사이의 부분에 배치되어 있고, 구체적으로는, 기판(Wf)과 후술하는 중간 마스크(70)의 사이의 부분에 배치되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 관한 보조 애노드는, 후술하는 수용부(71)의 내부에 수용되어 있다. 복수의 보조 애노드는, 애노드(30)와 마찬가지로, 전원의 양극에 전기적으로 접속되어 있다.

보조 애노드의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것이 아니라, 불용해 애노드이어도 되고, 용해 애노드이어도 된다. 본 실시 형태에서는, 보조 애노드의 일례로서, 불용해 애노드를 사용하고 있다. 이 불용해 애노드의 구체적인 종류는 특별히 한정되는 것이 아니라, 백금이나 산화이리듐 등을 사용할 수 있다.

도 5는, 복수의 보조 애노드의 모식적인 정면도이다. 구체적으로는, 도 5는, 기판(Wf)의 피도금면의 법선 방향으로부터 복수의 보조 애노드를 시인한 모습을 모식적으로 도시하고 있다. 또한, 도 5에는, 참고용으로서, 기판(Wf)도 이점쇄선으로 도시되어 있다. 보조 애노드의 개수는, 기판(Wf)의 변의 개수와 일치함과 함께, 후술하는 중간 마스크(70)의 구멍(70a)의 변의 개수와 일치하고 있다.

구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 보조 애노드의 개수는, 일례로서 4개이다. 즉, 본 실시 형태에 관한 복수의 보조 애노드는, 보조 애노드(60a), 보조 애노드(60b), 보조 애노드(60c) 및 보조 애노드(60d)에 의해 구성되어 있다. 각각의 보조 애노드는, 도 5에 도시한 바와 같이, 기판(Wf)의 피도금면의 법선 방향으로부터 시인한 경우에, 기판(Wf)의 각 변의 근방에 위치하도록 배치되어 있다.

또한, 각각의 보조 애노드는, 중간 마스크(70)의 후술하는 구멍(70a) 각각의 변에 대응하도록 배치됨과 함께, 이 구멍(70a)의 변의 연장 방향으로 연장되어 있다(구멍(70a)의 변에 대해서는, 후술하는 도 7을 참조). 구체적으로는, 보조 애노드(60a)는, 구멍(70a)의 변(72a)에 대응하고, 또한, 변(72a)의 연장 방향(Y 방향)으로 연장되어 있다. 보조 애노드(60b)는, 구멍(70a)의 변(72b)에 대응하고, 또한, 변(72b)의 연장 방향(Y 방향)으로 연장되어 있다. 보조 애노드(60c)는, 구멍(70a)의 변(72c)에 대응하고, 또한, 변(72c)의 연장 방향(Z 방향)으로 연장되어 있다. 보조 애노드(60d)는, 구멍(70a)의 변(72d)에 대응하고, 또한, 변(72d)의 연장 방향(Z 방향)으로 연장되어 있다.

또한, 본 실시 형태에 관한 각각의 보조 애노드는, 기판(Wf) 각각의 변에 대응하도록 배치됨과 함께, 기판(Wf) 각각의 변의 연장 방향으로도 연장되어 있다. 구체적으로는, 보조 애노드(60a)는 기판(Wf)의 변(90a)에 대응하고, 또한, 변(90a)의 연장 방향(Y 방향)으로 연장되어 있다. 보조 애노드(60b)는 변(90b)에 대응하고, 또한, 변(90b)의 연장 방향(Y 방향)으로 연장되어 있다. 보조 애노드(60c)는 변(90c)에 대응하고, 또한, 변(90c)의 연장 방향(Z 방향)으로 연장되어 있다. 보조 애노드(60d)는 변(90d)에 대응하고, 또한, 변(90d)의 연장 방향(Z 방향)으로 연장되어 있다.

복수의 보조 애노드에의 급전은, 동시에 행해도 되고 개별로 행해도 된다. 또한, 복수의 보조 애노드 중, 서로 대향하고 또한 서로 평행하게 연장된 한 쌍의 보조 애노드마다 급전해도 된다. 또한, 상술한 바와 같이, 본 실시 형태에 관한 보조 애노드는, 기판(Wf) 각각의 변에 대응하도록 배치되어 있지만, 이 구성에 한정되는 것은 아니다. 보조 애노드는, 기판(Wf)의 1변만이나 대향하는 2변에만 대응하도록 배치되어 있어도 된다.

도 2를 다시 참조하여, 도금 장치(1)는, 중간 마스크(70)와, 격막(51)을 구비하고 있다. 도 7은, 중간 마스크(70)의 주변 구성의 모식적인 사시도이다. 도 2 및 도 7을 참조하여, 중간 마스크(70)는, 애노드(30)와 기판(Wf)의 사이에 배치되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 중간 마스크(70)는, 애노드 박스(40)와 기판(Wf)의 사이에 배치되어 있다. 중간 마스크(70)는, 애노드(30)와 기판(Wf)의 사이를 흐르는 전기가 통과 가능한 구멍(70a)을, 중간 마스크(70)의 중앙에 갖고 있다.

중간 마스크(70)의 구멍(70a)은, 각형의 구멍이며, 기판(Wf)의 복수의 변에 각각 대응하는 복수의 변(변(72a, 72b, 72c, 72d))을 갖고 있다. 구체적으로는, 변(72a)은 기판(Wf)의 변(90a)에 대응하고, 변(72b)은 기판(Wf)의 변(90b)에 대응하고, 변(72c)은 기판(Wf)의 변(90c)에 대응하고, 변(72d)은 기판(Wf)의 변(90d)에 대응하고 있다. 또한, 변(72a)은 변(90a)의 연장 방향으로 연장되고, 변(72b)은 변(90b)의 연장 방향으로 연장되고, 변(72c)은 변(90c)의 연장 방향으로 연장되고, 변(72d)은 변(90d)의 연장 방향으로 연장되어 있다.

본 실시 형태에 관한 중간 마스크(70)의 기판(Wf)에 대향하는 면에는, 보조 애노드(60a, 60b, 60c, 60d)를 수용하기 위한 수용부(71)가 마련되어 있다. 수용부(71)는, 기판(Wf)쪽을 향하도록 개구된 개구(71a)를 갖고 있다.

격막(51)은, 수용부(71)의 개구(71a)를 폐색하고 있다. 수용부(71)의 내부에는 도금액(Ps)이 저류되어 있다. 격막(51)으로서는, 상술한 격막(50)과 마찬가지의 것을 사용할 수 있다. 즉, 본 실시 형태에 관한 격막(51)은, 도금액(Ps)에 포함되는 금속 이온(예를 들어 황산구리 중의 구리 이온)이 통과하는 것은 허용하는 한편, 보조 애노드의 표면으로부터 발생한 산소가 통과하는 것은 억제하는 막에 의해 구성되어 있다. 이러한 격막(51)으로서는, 예를 들어 중성 격막을 사용할 수 있다.

본 실시 형태에 따르면, 상기와 같이 보조 애노드가 수용부(71)에 수용되고, 이 수용부(71)의 개구(71a)가 격막(51)에 의해 폐색되어 있으므로, 도금 처리 시에 있어서 가령 보조 애노드의 표면으로부터 산소가 발생한 경우에도, 이 발생한 산소가 수용부(71)의 외측의 도금액(Ps)에 침입하는 것을 억제할 수 있다. 이에 의해, 이 수용부(71)의 외측의 도금액(Ps)에 침입한 산소에 기인하여 기판(Wf)의 도금 품질이 악화되는 것을 억제할 수 있다.

도 6은, 복수의 보조 애노드 중 1개의 보조 애노드(구체적으로는 보조 애노드(60a))를 확대해서 도시하는 모식도이다. 도 5 및 도 6에 도시하는 바와 같이, 각각의 보조 애노드에서의, 보조 애노드의 연장 방향의 양쪽 단부로부터 중앙을 향하는 영역(「단부 근방 영역(R1)」이라고 칭함)은, 저항체(65)에 의해 피복되어 있다. 한편, 각각의 보조 애노드에서의 단부 근방 영역(R1)보다도 중앙측의 영역(「비단부 영역(R2)」이라고 칭함)은, 저항체(65)에 의해 피복되어 있지 않아, 보조 애노드의 표면이 노출되어 있다. 즉, 각각의 보조 애노드는, 저항체(65)에 의해 피복된 영역(단부 근방 영역(R1))과, 저항체(65)에 의해 피복되어 있지 않은 영역(비단부 영역(R2))을 갖고 있다.

또한, 본 실시 형태에 있어서, 보조 애노드에서의 단부 근방 영역(R1)의 길이(보조 애노드의 연장 방향에서 측정한 경우의 길이)는, 일례로서, 보조 애노드의 전체 길이(D1)의 10％ 이하의 길이로 되어 있다. 또한, 본 실시 형태에 있어서, 보조 애노드의 중앙보다도 한쪽 측의 단부 근방 영역(R1)의 길이와, 다른 쪽 측의 단부 근방 영역(R1)의 길이는, 동일한 값이지만, 이것에 한정되는 것은 아니다. 보조 애노드의 중앙보다도 한쪽 측의 단부 근방 영역(R1)의 길이와, 다른 쪽 측의 단부 근방 영역(R1)의 길이는, 서로 달라도 된다.

또한, 저항체(65)는, 보조 애노드의 단부 근방 영역(R1) 중, 보조 애노드의 연장 방향으로 연장되는 외주측면(예를 들어, 도 6에서는, Y 방향으로 연장되는 외주측면)뿐만 아니라, 보조 애노드의 연장 방향의 단부면(예를 들어, 도 6에서는 보조 애노드(60a)의 Y 방향 및 -Y 방향을 향한 단부면)도 피복하고 있다.

저항체(65)는, 제로보다도 큰 전기 전도율을 가짐과 함께, 도금액(Ps)의 전기 전도율보다도 낮은 전기 전도율을 갖고 있다.

또한, 도 6의 B1 부분의 확대도나 B2 부분의 확대도를 참조하여, 본 실시 형태에 관한 저항체(65)는, 이 저항체(65)가 피복되어 있는 보조 애노드의 연장 방향에서 중앙측으로부터 단부측을 향함에 따라서, 저항체(65)의 전기 전도율이 낮아지도록 구성되어 있다.

상술한 구성의 구체예로서, 본 실시 형태에 관한 저항체(65)는, 복수의 구멍(66)을 갖는 부재(즉, 「다공질 부재」)에 의해 구성되어 있다. 구체적으로는, 본 실시 형태에 관한 저항체(65)는, 복수의 구멍(66)을 갖는 절연체를 포함하는 다공질 부재에 의해 구성되어 있다. 또한, 복수의 구멍(66)은, 절연체를 관통하도록 마련되어 있다. 이 절연체로서는, 예를 들어 폴리에테르에테르케톤이나 폴리염화비닐 등의 수지를 사용할 수 있다. 전기는, 이 저항체(65)의 구멍(66)을 통과해서 흐를 수 있다. 이에 의해, 저항체(65)는 제로보다도 큰 전기 전도율을 갖고 있다.

그리고, 저항체(65)는, 저항체(65)에서의 구멍(66)의 밀도(저항체(65)의 단위 체적당에 있어서의 구멍(66)의 체적)가, 보조 애노드의 연장 방향에서 중앙측으로부터 단부측을 향함에 따라서 낮아지도록 구성되어 있다. 저항체(65)의 구멍(66)의 밀도를 조정하는 것은 용이하므로, 이 구성에 의하면, 저항체(65)의 전기 전도율을 중앙측으로부터 단부측을 향함에 따라서 낮게 하는 것을 용이하게 할 수 있다.

이상 설명한 바와 같은 본 실시 형태에 따르면, 보조 애노드의 연장 방향의 단부 근방 영역(R1)이 상술한 저항체(65)에 의해 피복되어 있으므로, 보조 애노드의 단부 근방 영역(R1)으로부터 기판(Wf)의 변의 단부 근방 영역(즉, 각형의 기판(Wf)의 「코너부(91)」)을 향해서 흐르는 전류의 양을 감소시킬 수 있다. 이에 의해, 기판(Wf)의 코너부(91)의 막 두께가 기판(Wf)의 다른 부위의 막 두께에 비해서 증가하는 것을 억제할 수 있다. 또한, 저항체(65)는, 전류 차폐 마스크에 비해서 전기 전도율이 높으므로, 보조 애노드의 단부 근방 영역(R1)이 전류 차폐 마스크에 의해 피복되는 경우와 같이, 기판(Wf)의 코너부(91)의 막 두께가 기판(Wf)의 다른 부위의 막 두께에 비해서 감소하는 것도 억제할 수 있다. 따라서, 이 양태에 의하면, 기판(Wf)의 막 두께의 면내 균일성을 도모할 수 있다.

또한, 본 실시 형태에 따르면, 저항체(65)의 전기 전도율이, 이 저항체(65)가 피복되어 있는 보조 애노드의 연장 방향에서 중앙측으로부터 단부측을 향함에 따라서 낮게 되어 있으므로, 기판(Wf)의 막 두께의 면내 균일성을 효과적으로 도모할 수 있다.

이상, 본 발명의 실시 형태나 변형예에 대해서 상세하게 설명했지만, 본 발명은 이러한 특정 실시 형태나 변형예에 한정되는 것이 아니라, 특허 청구 범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에서, 더한층의 다양한 변형·변경이 가능하다.

[실시예]

이하, 본 발명의 실시예에 대해서, 비교예와 함께 설명한다. 단, 본 발명은 이하에 설명하는 실시예에 한정되는 것은 아니다.

도 8은, 실시예에 관한 도금 장치(1)의 실험 결과를 도시하는 도면이다. 도 9는, 비교예 1에 관한 도금 장치의 실험 결과를 도시하는 도면이다. 도 10은, 비교예 2에 관한 도금 장치의 실험 결과를 도시하는 도면이다. 도 8, 도 9 및 도 10의 횡축은, 기판(Wf)의 변의 중앙으로부터의 거리(mm)를 나타내고, 종축은, 기판(Wf)의 도금 피막의 막 두께(μm)를 나타내고 있다. 또한, 막 두께의 측정 개소는, 상술한 도 3에서 「E1」로 나타낸 개소(변(90a)의 근방 개소)이다.

도 8의 측정에 사용한 도금 장치(1)의 기판(Wf)은, 도 3 등에서 설명한 각형의 기판(Wf)(구체적으로는, 정면으로 보아 정사각형의 기판)이다. 이 기판(Wf)의 각 변의 길이는 600mm이다. 또한, 측정에서 사용한 보조 애노드의 연장 방향의 전체 길이(D1)는 510mm이며, 보조 애노드의 단부 근방 영역(R1)의 길이는 30mm이며, 보조 애노드의 비단부 영역(R2)의 길이는 450mm이다.

단, 도 8의 측정에 사용한 저항체(65)는, 도 6에서 설명한 바와 같은, 전기 전도율이 보조 애노드의 연장 방향으로 변화한 것이 아니라, 전기 전도율이 보조 애노드의 연장 방향에서 중앙측으로부터 단부측을 향해서 균일한 것을 사용했다. 이러한 도금 장치(1)를 사용하여 기판(Wf)에 도금 처리를 실시하고, 기판(Wf)의 막 두께를 측정했다.

한편, 도 9에 도시하는 비교예 1에 관한 도금 장치는, 보조 애노드에 저항체(65)나 전류 차폐 마스크가 배치되어 있지 않은 점에서, 실시예에 관한 도금 장치(1)와 다르다. 도 10에 도시하는 비교예 2에 관한 도금 장치는, 저항체(65) 대신에 전류 차폐 마스크가 보조 애노드에 배치되어 있는 점에서, 실시예에 관한 도금 장치(1)와 다르다. 이 전류 차폐 마스크는, 절연체에 의해 구성되어 있다. 이 절연체로서는, 폴리에테르에테르케톤을 사용했다.

도 9의 C1 부분이나 C2 부분으로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 1에 관한 도금 장치의 경우, 기판의 변의 단부 근방 영역(즉, 「코너부」)의 막 두께가 기판의 변의 중앙부의 막 두께에 비해서 증가하고 있다. 이것은, 각각의 보조 애노드의 단부 근방 영역으로부터 기판의 코너부에 공급되는 전류의 양이 지나치게 많아져버려, 그 결과, 기판의 코너부의 막 두께가 기판의 다른 부위의 막 두께에 비해서 증가한 것으로 생각된다.

한편, 도 10의 비교예 2에 관한 도금 장치의 경우, 도 10의 C1 부분이나 C2 부분으로부터 알 수 있는 바와 같이, 기판의 코너부의 막 두께가 기판의 변의 중앙부의 막 두께에 비해서 감소하고 있다. 이것은, 전류 차폐 마스크에 의해, 보조 애노드의 단부 근방 영역으로부터 기판의 코너부를 향해서 흐르는 전류가 차폐된 것에 기인하는 것으로 생각된다.

또한, 도 10의 C3 부분이나 C4 부분으로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 2에 관한 도금 장치의 경우, 기판에서의 코너부보다도 중앙측 부분의 단부 근방 영역(중앙으로부터의 거리가 -200mm 또는 200mm의 근방 영역)에서, 막 두께가 증가하고 있는 것을 알 수 있다. 이것은, 전류 차폐 마스크에 의해 차폐된 전류가 이 부분에 집중된 것에 기인하는 것으로 생각된다. 또한, 이 비교예 2에 관한 도금 장치를 사용한 기판(Wf)의 막 두께의 면내 균일도는, 「Range/2Ave(즉, (막 두께의 최댓값-최솟값)/(막 두께의 평균값×2))」로 측정한 경우에 7％이다.

이에 대해, 도 8에 도시하는 본 실시예에 의하면, 비교예 1과 같은 C1 부분 및 C2 부분에서의 막 두께 증가가 확인되지 않고, 또한, 비교예 2와 같은 C1 부분 및 C2 부분에서의 막 두께 저하도 확인되지 않는다. 또한, 비교예 2와 같은, C3 부분 및 C4 부분에서의 막 두께 증가도 확인되지 않는다. 그 결과, 본 실시예에 의하면, 기판(Wf)의 변의 중앙으로부터 코너부(91)에 걸쳐서 균일한 막 두께가 얻어지고 있는 것을 알 수 있다. 또한, 본 실시예에 관한 도금 장치(1)를 사용한 기판(Wf)의 막 두께의 면내 균일도는, 「Range/2Ave」로 측정한 경우에 2％이다. 이와 같이, 본 실시예에 의하면, 기판(Wf)의 막 두께의 면내 균일성을 도모할 수 있다.

1: 도금 장치
10: 도금조
20: 기판 홀더
30: 애노드
51: 격막
60a, 60b, 60c, 60d: 보조 애노드
65: 저항체
66: 구멍
70: 중간 마스크
70a: 구멍
71: 수용부
71a: 개구
72a, 72b, 72c, 72d: 변
Ps: 도금액
Wf: 기판
90a, 90b, 90c, 90d: 기판의 변

Claims

도금액이 저류됨과 함께 애노드가 배치된 도금조와,
캐소드로서의 기판이며 복수의 변을 갖는 각형의 기판을 당해 기판이 상기 애노드에 대향하도록 보유 지지하는 기판 홀더와,
상기 도금조의 내부에서의 상기 애노드와 상기 기판의 사이에 배치되고, 상기 애노드와 상기 기판의 사이를 흐르는 전류가 통과 가능한 구멍을 갖는 중간 마스크와,
보조 애노드를 구비하고,
상기 중간 마스크의 상기 구멍은, 상기 기판의 상기 복수의 변에 각각 대응하는 복수의 변을 갖는 각형의 구멍이며,
상기 보조 애노드는, 상기 기판과 상기 중간 마스크의 사이에, 상기 중간 마스크의 상기 구멍의 적어도 하나의 변에 대응하도록 배치되고, 또한, 상기 중간 마스크의 당해 구멍의 당해 변의 연장 방향으로 연장되고,
상기 보조 애노드에서의, 당해 보조 애노드의 연장 방향의 양쪽 단부측으로부터 중앙측을 향하는 단부 근방 영역은, 제로보다도 큰 전기 전도율을 가짐과 함께 상기 도금액의 전기 전도율보다도 낮은 전기 전도율을 갖는 저항체에 의해 피복되고, 당해 보조 애노드의 상기 단부 근방 영역보다도 상기 중앙측의 영역은, 상기 저항체에 의해 피복되어 있지 않아, 당해 보조 애노드의 표면이 노출되어 있는, 도금 장치.
제1항에 있어서, 상기 저항체의 전기 전도율은, 상기 저항체가 피복되어 있는 상기 보조 애노드의 연장 방향에서 상기 중앙측으로부터 상기 단부측을 향함에 따라서 낮게 되어 있는, 도금 장치.
제1항에 있어서, 상기 저항체는, 복수의 구멍을 갖고,
상기 저항체에서의 상기 구멍의 밀도가 상기 중앙측으로부터 상기 단부측을 향함에 따라서 낮아짐으로써, 상기 저항체의 전기 전도율이 상기 중앙측으로부터 상기 단부측을 향함에 따라서 낮게 되어 있는, 도금 장치.
제1항에 있어서, 상기 보조 애노드의 상기 단부 근방 영역의 당해 보조 애노드의 연장 방향의 길이는, 당해 보조 애노드의 전체 길이의 10％ 이하의 길이인, 도금 장치.
제1항에 있어서, 상기 보조 애노드를 내부에 수용하는 수용부를 구비하고,
상기 수용부에는, 상기 기판쪽을 향하도록 개구된 개구가 마련되고,
상기 개구는, 상기 도금액에 포함되는 금속 이온이 통과하는 것은 허용하는 한편, 상기 보조 애노드의 표면으로부터 발생한 산소가 통과하는 것은 억제하는 격막에 의해 폐색되어 있는, 도금 장치.