JP7174201B1 - めっき装置 - Google Patents
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Abstract
Description
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも1つの補助アノードと、電気が供給される給電部位と、少なくとも1つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、前記めっき槽の内部における前記補助アノードと前記基板との間に配置され、前記補助アノードに沿うように延在する、少なくとも1つのイオン抵抗体と、を備え、前記イオン抵抗体は、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記イオン抵抗体の抵抗率が高くなるように構成されている。
上記の態様1において、前記イオン抵抗体は、複数の開口を有し、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の開口率が低くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっていてもよい。
上記の態様1において、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の厚みが厚くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっていてもよい。
上記の態様1~3のいずれか1態様において、前記バスバーは、前記給電部位と前記接続部位とを連結する連結部位を有し、前記連結部位は、前記基板の外周縁に沿うように延在する複数の延在部位を有し、複数の前記延在部位は、枠状に配置され、少なくとも1つの前記補助アノードは、複数の前記補助アノードを含み、各々の前記補助アノードは、複数の前記接続部位を介して各々の前記延在部位に接続されていてもよい。
上記の態様1~4のいずれか1態様は、少なくとも1つの前記補助アノードを内部に収容する収容部を備え、前記収容部には、前記基板の方を向くような開口が設けられ、前記収容部の前記開口は、前記めっき液に含まれる金属イオンが通過することは許容する一方で前記補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する隔膜によって閉塞されていてもよい。
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液を貯留するめっき槽と、前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも1つの補助アノードと、電気が供給される給電部位と、少なくとも1つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、を備え、前記補助アノードは、前記補助アノードの延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記補助アノードと前記基板との距離が大きくなるように構成されている。
まず、本発明の実施形態1に係るめっき装置1について説明する。図1は、本実施形態に係るめっき装置1の全体配置図である。図1に例示するように、本実施形態に係るめっき装置1は、2台のカセットテーブル102と、基板Wfのオリエンテーションフラットやノッチなどの位置を所定の方向に合わせるアライナ104と、めっき処理後の基板Wfを乾燥させるリンスドライヤ106とを備える。カセットテーブル102は、半導体ウェハ等の基板Wfを収納したカセット100を搭載する。リンスドライヤ106の近くには、基板ホルダ20を載置して基板Wfの着脱を行うロード/アンロードステーション120が設けられている。搬送ロボット122は、カセット100、アライナ104、リンスドライヤ106、及び、ロード/アンロードステーション120の間で基板Wfを搬送するためのロボットである。
イオン抵抗体80a~80dの構成は図8で説明した構成に限定されるものではない。イオン抵抗体80a~80dの他の一例として、以下のものを用いることもできる。図9(A)及び図9(B)は、実施形態1の変形例に係るめっき装置1Aのイオン抵抗体80a~80dを説明するための模式図である。具体的には、図9(A)は、本変形例に係る1つのイオン抵抗体(イオン抵抗体80a)の模式的な正面図であり、図9(B)は、本変形例に係る1つのイオン抵抗体(イオン抵抗体80a)の模式的な側面図である。
続いて、実施形態2に係るめっき装置1Bについて説明する。図10は、本実施形態に係るめっき装置1Bにおける1つのめっき槽10の周辺構成を示す模式的な断面図である。本実施形態に係るめっき装置1Bは、イオン抵抗体80a~80dを備えていない点において、図2で例示しためっき装置1と異なっている。
上述した実施形態の作用効果について、実験によって確認した。これについて説明する。まず、実施例に係るめっき装置として、前述した実施形態1に係るめっき装置1を準備した。また、比較例に係るめっき装置として、イオン抵抗体を備えていない点以外は実施例に係るめっき装置1と同じ構成を有するめっき装置を準備した。
10 めっき槽
20 基板ホルダ
30 アノード
51 隔膜
60a,60b,60c,60d 補助アノード
61 バスバー
62 給電部位
63 接続部位
64 連結部位
71 収容部
80a,80b,80c,80d イオン抵抗体
Ps めっき液
Wf 基板
D1 距離
t1 厚み
Claims (6)
- めっき液を貯留するめっき槽と、
前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、
前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、
前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも1つの補助アノードと、
電気が供給される給電部位と、少なくとも1つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、
前記めっき槽の内部における前記補助アノードと前記基板との間に配置され、前記補助アノードに沿うように延在する、少なくとも1つのイオン抵抗体と、を備え、
前記イオン抵抗体は、前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記イオン抵抗体の抵抗率が高くなるように構成されている、めっき装置。 - 前記イオン抵抗体は、複数の開口を有し、
前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の開口率が低くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっている、請求項1に記載のめっき装置。 - 前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど前記イオン抵抗体の厚みが厚くなることで、前記イオン抵抗体の抵抗率は前記イオン抵抗体の延在方向で前記給電部位に近づくほど高くなっている、請求項1に記載のめっき装置。
- 前記バスバーは、前記給電部位と前記接続部位とを連結する連結部位を有し、
前記連結部位は、前記基板の外周縁に沿うように延在する複数の延在部位を有し、
複数の前記延在部位は、枠状に配置され、
少なくとも1つの前記補助アノードは、複数の前記補助アノードを含み、
各々の前記補助アノードは、複数の前記接続部位を介して各々の前記延在部位に接続されている、請求項1に記載のめっき装置。 - 少なくとも1つの前記補助アノードを内部に収容する収容部を備え、
前記収容部には、前記基板の方を向くような開口が設けられ、
前記収容部の前記開口は、前記めっき液に含まれる金属イオンが通過することは許容する一方で前記補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する隔膜によって閉塞されている、請求項1に記載のめっき装置。 - めっき液を貯留するめっき槽と、
前記めっき槽の内部に配置されたアノードと、
前記めっき槽の内部において前記アノードに対向するように基板を配置可能に構成された基板ホルダと、
前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置され、前記基板の外周縁に沿うように延在する、少なくとも1つの補助アノードと、
電気が供給される給電部位と、少なくとも1つの前記補助アノードに接続されるとともに当該補助アノードの延在方向に配列した複数の接続部位と、を有し、前記給電部位に供給された電気を、前記接続部位を介して前記補助アノードに流すように構成された、バスバーと、を備え、
前記補助アノードは、前記補助アノードの延在方向で前記給電部位に近づくほど、前記補助アノードと前記基板との距離が大きくなるように構成されている、めっき装置。
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