TWI814428B

TWI814428B - 鍍覆裝置

Info

Publication number: TWI814428B
Application number: TW111121135A
Authority: TW
Inventors: 中濱重之
Original assignee: 日商荏原製作所股份有限公司
Priority date: 2022-06-08
Filing date: 2022-06-08
Publication date: 2023-09-01
Also published as: TW202348841A

Abstract

本發明提供一種可抑制基板外周緣之膜厚不均勻的技術。鍍覆裝置1具備：鍍覆槽；陽極；基板固持器；至少一個輔助陽極60a~60d；具有供給電之饋電部位62與連接於至少1個輔助陽極，並且在該輔助陽極之延伸方向排列的複數個連接部位63之匯流條61；及至少1個離子電阻體80a~80d；離子電阻體係以在離子電阻體之延伸方向愈接近饋電部位，離子電阻體之電阻率愈高的方式而構成。

Description

鍍覆裝置

本發明係關於一種鍍覆裝置。

過去，對基板實施鍍覆處理之鍍覆裝置，習知有具備：貯存鍍覆液之鍍覆槽；配置於鍍覆槽內部之陽極；在鍍覆槽內部與陽極相對而可配置基板地構成之基板固持器；及配置於在鍍覆槽內部的陽極與基板之間，並沿著基板之外周緣而延伸的至少1個輔助陽極(輔助電極)者(例如，參照專利文獻1)。

〔先前技術文獻〕

〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2021-11624號公報

如上述之過去的鍍覆裝置中，為了對輔助陽極供給電而使用匯流條。具體而言，該匯流條具有：供給電之饋電部位；與連接於輔助陽極，並且在該輔助陽極之延伸方向排列的複數個連接部位；並以將供給饋電部位之電經由連接部位而流入輔助陽極的方式而構成。

如上述之鍍覆裝置時，匯流條之連接部位的電阻值愈接近饋電部位則愈小。因而，在鍍覆處理時會有從匯流條流入輔助陽極之電量愈接近饋電部位則愈大的傾向。在此種狀況下，對基板實施鍍覆處理時，可能造成基板外周緣之膜厚不均勻。

本發明係鑑於上述情形者，目的之一為提供一種可抑制基板外周緣之膜厚不均勻的技術。

(樣態1)

為了達成上述目的，本發明一個樣態之鍍覆裝置具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液；陽極，其係配置於前述鍍覆槽之內部；基板固持器，其係在前述鍍覆槽之內部，與前述陽極相對而可配置基板地構成；至少1個輔助陽極，其係配置於在前述鍍覆槽內部的前述陽極與前述基板之間，並沿著前述基板之外周緣而延伸；匯流條，其係具有：供給電之饋電部位、及連接於至少1個前述輔助陽極並且在該輔助陽極之延伸方向排列的複數個連接部位，並以將供給至前述饋電部位之電經由前述連接部位流入前述輔助陽極的方式而構成；及至少1個離子電阻體，其係配置於在前述鍍覆槽內部的前述輔助陽極與前述基板之間，並沿著前述輔助陽極而延伸；前述離子電阻體係以在前述離子電阻體之延伸方向愈接近前述饋電部位，前述離子電阻體之電阻率愈高的方式而構成。

採用該樣態時，可抑制因為匯流條之連接部位的電阻值愈接近饋電部位則愈小，而造成基板外周緣之膜厚不均勻。

(樣態2)

上述樣態1中，前述離子電阻體亦可具有複數個開口，藉由在前述離子電阻體之延伸方向愈接近前述饋電部位而前述離子電阻體的開口率愈低，而使前述離子電阻體之電阻率在前述離子電阻體的延伸方向愈接近前述饋電部位則愈高。

(樣態3)

上述樣態1中，亦可藉由在前述離子電阻體之延伸方向愈接近前述饋電部位而前述離子電阻體的厚度愈厚，而使前述離子電阻體之電阻率在前述離子電阻體的延伸方向愈接近前述饋電部位則愈高。

(樣態4)

上述樣態1~3之任何一個樣態中，前述匯流條亦可具有連結部位，其係連結前述饋電部位與前述連接部位，前述連結部位具有複數個延伸部位，其係沿著前述基板之外周緣而延伸，複數個前述延伸部位配置成框狀，至少1個前述輔助陽極包含複數個前述輔助陽極，各個前述輔助陽極經由複數個前述連接部位而連接於各個前述延伸部位。

(樣態5)

上述樣態1~4之任何一個樣態亦可具備收容部，其係在內部收容至少1個前述輔助陽極，前述收容部中設有朝向前述基板之方的開口，前述收容部之前述開口容許前述鍍覆液中所含之金屬離子通過，另外藉由抑制從前述輔助陽極表面產生之氧通過的隔膜而閉塞。

(樣態6)

為了達成上述目的，本發明一個樣態之鍍覆裝置具備：鍍覆槽，其係貯存鍍覆液；陽極，其係配置於前述鍍覆槽之內部；基板固持器，其係在前述鍍覆槽之內部，與前述陽極相對而可配置基板地構成；至少1個輔助陽極，其係配置於在前述鍍覆槽內部的前述陽極與前述基板之間，並沿著前述基板之外周緣而延伸；及匯流條，其係具有：供給電之饋電部位、及連接於至少1個前述輔助陽極並且在該輔助陽極之延伸方向排列的複數個連接部位，並以將供給至前述饋電部位之電經由前述連接部位流入前述輔助陽極的方式而構成；前述輔助陽極係以在前述輔助陽極之延伸方向愈接近前述饋電部位，前述輔助陽極與前述基板之距離愈大的方式而構成。

1,1A,1B:鍍覆裝置

10:鍍覆槽

20:基板固持器

30:陽極

40:陽極盒

40a:開口

45:陽極遮罩

45a:孔

50:隔膜

51:隔膜

60a,60b,60c,60d:輔助陽極

61:匯流條

62:饋電部位

63:連接部位

64:連結部位

65:導入部位

66a,66b,66c,66d:延伸部位

70:中間遮罩

70a:孔

71:收容部

71a:開口

72a,72b,72c,72d:邊

80a,80b,80c,80d:離子電阻體

81:開口

90a,90b,90c,90d:邊

91a,91b,91c,91d:角落部

100:匣盒

102:匣盒台

104:對準器

106:自旋沖洗乾燥機

110:鍍覆模組

120:裝載/卸載站

122:搬送機器人

124:暫存盒

126:預濕模組

128:預浸模組

130a:第一沖洗模組

130b:第二沖洗模組

132:噴氣模組

136:溢流槽

140:搬送裝置

142:第一搬送裝置

144:第二搬送裝置

150:軌道

152:裝載板

160:槳葉驅動部

162:槳葉從動部

170:控制模組

171:CPU

172:記憶裝置

200:電源

A1:空間區域

D1:距離

D1a:平均值

L1:長度

L2:寬度

Ps:鍍覆液

t1:厚度

Wf:基板

圖1係實施形態1之鍍覆裝置的整體配置圖。

圖2係顯示實施形態1之鍍覆裝置中的1個鍍覆槽周邊構成之剖面示意圖。

圖3係實施形態1之基板的前視示意圖。

圖4係實施形態1之中間遮罩周邊構成的立體示意圖。

圖5係實施形態1之匯流條及輔助陽極的前視示意圖。

圖6係實施形態1之離子電阻體的前視示意圖。

圖7係實施形態1之輔助陽極周邊構成的側視示意圖。

圖8係實施形態1之離子電阻體的前視示意圖。

圖9(A)及圖9(B)係用於說明實施形態1之修改例的鍍覆裝置之離子電阻體的示意圖。

圖10係顯示實施形態2之鍍覆裝置中的1個鍍覆槽周邊構成之剖面示意圖。

圖11係實施形態2之輔助陽極周邊構成的側視示意圖。

圖12係用於比較實施形態2之彼此鄰接的一對輔助陽極之示意圖。

圖13係顯示膜厚的量測結果圖。

以下，參照圖式說明本發明之實施形態。另外，以下各種實施形態就相同或對應之構成註記相同符號而適切省略說明。此外，圖式係為了容易瞭解實施形態之特徵而模式地圖示，各構成元件之尺寸比率等與實際者未必相同。一些圖式上圖示有X-Y-Z之正交座標作為參考。該正交座標中，Z方向相當於上方，-Z方向相當於下方(重力作用之方向)。

圖1係本實施形態之鍍覆裝置1的整體配置圖。如圖1中例示，本實施形態之鍍覆裝置1具備：2台匣盒台102；將基板Wf之定向平面及凹槽等的位置對準指定方向之對準器104；及使鍍覆處理後之基板Wf高速旋轉而乾燥的自旋沖洗乾燥機106。匣盒台102搭載收納半導體晶圓等之基板Wf的匣盒100。在自旋沖洗乾燥機106附近設有裝載基板固持器20並進行基板Wf之裝卸的裝載/卸載站120。搬送機器人122係用於在匣盒100、對準器104、自旋沖洗乾燥機106、及裝載/卸載站120之間搬送基板Wf的機器人。

裝載/卸載站120具備沿著軌道150而在橫方向滑動自如之平板狀的裝載板152。2個基板固持器20以水平狀態並列裝載於該裝載板152上。在一方的基板固持器20與搬送機器人122之間進行基板Wf的交接後，裝載板152橫方向滑動，並在另一方的基板固持器20與搬送機器人122之間進行基板Wf的交接。

此外，鍍覆裝置1具備：暫存盒124、預濕模組126、預浸模組128、第一沖洗模組130a、噴氣模組132、第二沖洗模組130b、鍍覆模組110、搬送裝置140、及控制模組170。暫存盒124進行基板固持器20之保管及暫時放置。預濕模組126將基板Wf浸漬於純水中。預浸模組128係蝕刻除去形成於基板Wf表面之晶種層等導電層表面的氧化膜。第一沖洗模組130a係與基板固持器20一起以清洗液(純水等)清洗預浸後的基板Wf。噴氣模組132係進行清洗後之基板Wf之液體去除。第二沖洗模組130b係與基板固持器20一起以清洗液清洗鍍覆處理後之基板Wf。

鍍覆模組110例如以在溢流槽136之內部收納複數個鍍覆槽10的方式構成。各個鍍覆槽10係以在內部收納1個基板Wf，使基板Wf浸漬於保持於內部的鍍覆液中，而在基板Wf表面實施銅鍍覆等的方式構成。

搬送裝置140係採用在構成鍍覆裝置1的各設備之間與基板Wf一起搬送基板固持器20之例如線性馬達方式的搬送裝置。本實施形態之搬送裝置140的一例為具有：第一搬送裝置142及第二搬送裝置144。第一搬送裝置142在裝載/卸載站120、暫存盒124、預濕模組126、預浸模組128、第一沖洗模組130a、及噴氣模組132之間搬送基板Wf。第二搬送裝置144在第一沖洗模組130a、第二沖洗模組130b、噴氣模組132、及鍍覆模組110之間搬送基板Wf。另外，鍍覆裝置1亦可不具備第二搬送裝置144，而僅具備第一搬送裝置142。

在溢流槽136之兩側配置有位於各個鍍覆槽10之內部而驅動攪拌鍍覆槽10內之鍍覆液的槳葉之槳葉驅動部160及槳葉從動部162。

控制模組170係以控制鍍覆裝置1之動作的方式構成。具體而言，本實施形態之控制模組170具備微電腦，該微電腦具備：作為處理器之CPU(中央處理單元)171；及作為永久性記憶媒體之記憶裝置172等。控制模組170藉由按照記憶於記憶裝置172之程式的指令使CPU171工作來控制鍍覆裝置1的被控制部。

以下說明藉由鍍覆裝置1進行之一連串鍍覆處理的一例。首先，搬送機器人122從搭載於匣盒台102之匣盒100取出1個基板Wf，並將基板Wf搬送至對準器104。對準器104將定向平面及凹槽等之位置對準指定方向。再以搬送機器人122將位置對準該指定方向之基板Wf搬送至裝載/卸載站120。

在裝載/卸載站120中，以搬送裝置140之第一搬送裝置142同時握持2座收容於暫存盒124內的基板固持器20，並搬送至裝載/卸載站120。而後，將2座基板固持器20同時水平地裝載於裝載/卸載站120的裝載板152上。在該狀態下，搬送機器人122搬送基板Wf至各個基板固持器20，並以基板固持器20保持搬送之基板Wf。

其次，以搬送裝置140之第一搬送裝置142同時握持2座保持了基板Wf的基板固持器20，並收納於預濕模組126。其次，將保持了經預濕模組126處理後之基板Wf的基板固持器20以第一搬送裝置142搬送至預浸模組128，並以預浸模組128蝕刻基板Wf上之氧化膜。接著將保持了該基板Wf之基板固持器20搬送至第一沖洗模組130a，並以收納於第一沖洗模組130a之純水來清洗基板Wf表面。

保持了清洗結束之基板Wf的基板固持器20藉由第二搬送裝置144從第一沖洗模組130a搬送至鍍覆模組110，並收納於鍍覆槽10。第二搬送裝置144依序反覆進行上述步驟，並依序將保持了基板Wf之基板固持器20收納於鍍覆模組110的各個鍍覆槽10中。

各個鍍覆槽10在鍍覆槽10內的陽極與基板Wf之間施加鍍覆電壓，而在基板Wf表面實施鍍覆處理。在該鍍覆處理時，亦可藉由槳葉驅動部160及槳葉從動部162驅動槳葉，來攪拌鍍覆槽10之鍍覆液。但是，鍍覆裝置1之構成並非限定於此者，例如，鍍覆裝置1之構成亦可不具備槳葉、槳葉驅動部160及槳葉從動部162。

經過鍍覆處理後，第二搬送裝置144同時握持2座保持了鍍覆處理後之基板Wf的基板固持器20，並搬送至第二沖洗模組130b，使其浸漬於收容在第二沖洗模組130b中的純水，以純水清洗基板Wf表面。其次，藉由第二搬送裝置144將基板固持器20搬送至噴氣模組132，藉由噴吹空氣等除去附著於基板固持器20之水滴。然後，藉由第一搬送裝置142將基板固持器20搬送至裝載/卸載站120。

裝載/卸載站120藉由搬送機器人122從基板固持器20取出處理後之基板Wf，並搬送至自旋沖洗乾燥機106。自旋沖洗乾燥機106藉由高速旋轉使鍍覆處理後之基板Wf高速旋轉而乾燥。並藉由搬送機器人122將乾燥後之基板Wf送回匣盒100。

另外，上述圖1所說明之鍍覆裝置1的構成為本發明之其中一實施樣態，鍍覆裝置1之構成並非限定於圖1之構成者。

接著詳細說明鍍覆裝置1中之鍍覆槽10的周邊構成。另外，由於本實施形態之複數個鍍覆槽10的構成相同，因此就1個鍍覆槽10之周邊構成作說明。

圖2係顯示本實施形態1之鍍覆裝置1中的1個鍍覆槽10周邊構成之模式剖面圖。圖2中例示之鍍覆裝置1的一例為將基板Wf之面方向(沿著面的方向)形成上下方向，而使基板Wf浸漬於鍍覆液Ps的鍍覆裝置(亦即，浸漬型鍍覆裝置)。

但是，鍍覆裝置1之具體實施例並非限定於此者。舉例來說，鍍覆裝置1亦可係將基板Wf之面方向形成水平方向，而使基板Wf浸漬於鍍覆液Ps之鍍覆裝置(亦即，杯式的鍍覆裝置)。

如圖2所例示，鍍覆槽10亦可藉由上部有開口之有底的容器而構成。在鍍覆槽10之內部貯存有鍍覆液Ps。鍍覆液Ps只要是包含構成鍍膜之金屬元素的離子之溶液即可，其具體例並非特別限定者。本實施形態中，鍍覆處理之一例為使用銅鍍覆處理，鍍覆液Ps之另一例為使用硫酸銅溶液。

鍍覆裝置1在鍍覆槽10之內部具備陽極30。陽極30電性連接於電源。陽極30之具體種類並非特別限定者，亦可係不溶解陽極，亦可係溶解陽極。本實施形態之陽極30的一例為使用不溶解陽極。該不溶解陽極之具體種類並非特別限定者，可使用鉑及氧化銥等。

鍍覆裝置1如圖2所例示，亦可在鍍覆槽10之內部具備：陽極盒40、隔膜50、陽極遮罩45。陽極盒40係用於在內部收容陽極30之構件(收容構件)。在陽極盒40中與基板Wf相對之部分設有開口40a。隔膜50係以閉塞該開口40a之方式而設。在陽極盒40之內部貯存有鍍覆液Ps。

隔膜50藉由容許鍍覆液Ps所含之金屬離子(例如硫酸銅中之銅離子)通過，另外抑制從陽極30表面產生的氧通過之膜而構成。此種隔膜50例如可使用中性隔膜。

採用本實施形態時，如上述，由於將陽極30收容於陽極盒40內部，並藉由隔膜50閉塞該陽極盒40之開口40a，因此，即使鍍覆處理時從陽極30表面產生氧時，仍可抑制該產生之氧侵入陽極盒40外側的鍍覆液Ps。藉此，可抑制因為侵入該陽極盒40外側之鍍覆液Ps的氧而造成基板Wf之鍍覆品質惡化。

陽極遮罩45配置於陽極30與基板Wf之間。具體而言，本實施形態之陽極遮罩45配置於陽極盒40的內部。陽極遮罩45在陽極遮罩45之中央具有在陽極30與基板Wf之間移動的離子等可通過之孔45a。

基板固持器20係用於保持作為陰極之基板Wf的構件。基板固持器20在鍍覆槽10內部，係以與陽極30相對而可配置基板Wf的方式構成。具體而言，對基板Wf實施鍍覆處理時，基板固持器20係以基板Wf之表面與陽極30相對的方式而保持基板Wf。更具體而言，本實施形態之基板固持器20係以基板Wf之面方向形成上下方向的方式而保持基板Wf。藉由鍍覆處理而在基板Wf之被鍍覆面(與陽極30相對之面)上形成鍍膜。

圖3係基板Wf之模式前視圖。具體而言，圖3係圖示從基板Wf之被鍍覆面的法線方向辨識基板Wf之情形。基板Wf之具體形狀並非特別限定者，不過如圖3所例示，亦可係具有複數個邊之角形基板。基板Wf之邊的數量並非特別限定者，亦可係3個，亦可係4個，亦可係5個以上。

本實施形態的基板Wf之邊的數量之一例係4個。亦即，本實施形態之基板Wf係具有：邊90a、邊90b、邊90c、及邊90d的四方形基板。邊90a及邊90b彼此相對，邊90c及邊90d彼此相對。在邊90a與邊90c之間設有角落部91a，在邊90a與邊90d之間設有角落部91b，在邊90b與邊90d之間設有角落部91c，在邊90b與邊90c之間設有角落部91d。

此外，一例為本實施形態之基板Wf的各個邊之長度彼此相等。亦即，本實施形態之基板Wf從正面觀看具有正方形的形狀。但是，基板Wf之構成並非限定於此者，例如，基板Wf各個邊之長度亦可彼此不同。

此外，本實施形態中，係從基板Wf之各個邊對基板Wf供給電。具體而言，本實施形態之基板Wf係從基板Wf之各個邊經由接觸構件(無圖示)而供給電。但是，並非限定於該構成者，例如，供給至基板Wf之電亦可從基板Wf的彼此相對之2邊供給。

再度參照圖2，本實施形態之鍍覆裝置1在鍍覆槽10內部具備至少1個輔助陽極。亦即，鍍覆裝置1亦可僅具備1個輔助陽極，亦可具備複數個輔助陽極。本實施形態之鍍覆裝置1的一例為具備複數個輔助陽極(輔助陽極60a、60b、60c、60d)。

輔助陽極60a~60d配置於在鍍覆槽10內部的陽極30與基板Wf之間的部分。具體而言，圖2所例示之輔助陽極60a~60d配置於基板Wf與後述中間遮罩70之間的部分。此外，本實施形態之輔助陽極60a~60d收容於後述收容部71之內部。

輔助陽極60a~60d之具體種類並非特別限定者，亦可係不溶解陽極，亦可係溶解陽極。本實施形態之輔助陽極60a~60d的一例為使用不溶解陽極。該不溶解陽極之具體種類並非特別限定者，可使用鉑、氧化銥、及鈦等各種金屬。本實施形態之輔助陽極60a~60d的一例為藉由板狀之鈦而構成，並在該鈦之表面塗布有氧化銥。

再度參照圖2，鍍覆裝置1具備：中間遮罩70、與隔膜51。圖4係中間遮罩70之周邊構成的模式立體圖。參照圖2及圖4，中間遮罩70配置於陽極30與基板Wf之間。具體而言，本實施形態之中間遮罩70係配置於陽極盒40與基板Wf之間。中間遮罩70之中央具有離子可移動之孔70a。

本實施形態中，中間遮罩70之孔70a的一例為多邊形孔，並具有分別對應於基板Wf之複數個邊的複數個邊(邊72a、72b、72c、72d)。具體而言，邊72a對應於基板Wf之邊90a，邊72b對應於基板Wf之邊90b，邊72c對應於基板Wf之邊90c，邊72d對應於基板Wf之邊90d。此外，邊72a在邊90a之延伸方向延伸，邊72b在邊90b之延伸方向延伸，邊72c在邊90c之延伸方向延伸，邊72d在邊90d之延伸方向延伸。

在本實施形態之中間遮罩70與基板Wf相對之面設有用於收容輔助陽極60a~60d的收容部71。收容部71具有朝向基板Wf之方而開口的開口71a。

隔膜51閉塞收容部71之開口71a。在收容部71之內部貯存有鍍覆液Ps。隔膜51可使用與前述之隔膜50同樣者。亦即，本實施形態之隔膜51容許鍍覆液Ps所含之金屬離子(例如硫酸銅中之銅離子)通過，另外藉由膜抑制從輔助陽極表面產生之氧通過而構成。此種隔膜51例如可使用中性隔膜。

採用本實施形態時，如上述，由於係將輔助陽極60a~60d收容於收容部71，並藉由隔膜51閉塞該收容部71之開口71a，因此，即使在鍍覆處理時從輔助陽極60a~60d表面產生氧時，仍可抑制該產生之氧侵入收容部71外側的鍍覆液Ps。藉此，可抑制因為侵入該收容部71外側之鍍覆液Ps的氧造成基板Wf之鍍覆品質惡化。

參照圖2，本實施形態之鍍覆裝置1在鍍覆槽10內部具備：匯流條61、及至少1個離子電阻體。本實施形態之鍍覆裝置1的一例為具備複數個離子電阻體(離子電阻體80a、80b、80c、80d)。

圖5係匯流條61及輔助陽極60a~60d之模式前視圖。另外，圖5中亦以二點鏈線圖示有基板Wf做為參考。此外，圖5中，電流動之方向(亦即，電流方向)係以「I」來例示。圖6係離子電阻體80a~80d之模式前視圖。另外，圖6中，亦以二點鏈線圖示有匯流條61及輔助陽極60a~60d做為參考。圖7係輔助陽極60a之周邊構成的模式側視圖。

如圖5所例示，本實施形態之輔助陽極60a~60d的數量與基板Wf之邊的數量一致。此外，輔助陽極60a~60d係以包圍指定之空間區域A1周圍的方式而配置。具體而言，本實施形態之輔助陽極60a~60d從基板Wf之被鍍覆面的法線方向來看，係以包圍基板Wf之外周緣的方式而配置。另外，本實施形態中，該空間區域A1係指相對於基板Wf往陽極30之一側，且相對於陽極30往基板Wf之一側的區域。

輔助陽極60a~60d沿著基板Wf之外周緣而延伸。具體而言，本實施形態之各個輔助陽極60a~60d係以與基板Wf之各個邊對應的方式而配置，並在基板Wf之各個邊的延伸方向而延伸。

更具體而言，如圖5所例示，輔助陽極60a對應於基板Wf之邊90a，並在邊90a之延伸方向(Y方向)延伸。輔助陽極60b對應於邊90b，並在邊90b之延伸方向(Y方向)延伸。輔助陽極60c對應於邊90c，並在邊90c之延伸方向(Z方向)延伸。輔助陽極60d對應於邊90d，並在邊90d之延伸方向(Z方向)延伸。

參照圖5，匯流條61係用於對輔助陽極60a~60d供給電之構件。匯流條61之具體構成並非特別限定者，不過，本實施形態之匯流條61例如係藉由如鈦之電導率佳的材質而構成。此外，本實施形態之匯流條61的一例為藉由平板狀之構件而構成。另外，匯流條61為了有效抑制鍍覆液Ps造成之腐蝕，亦可利用包覆材料將其表面進行包覆。

本實施形態之匯流條61具備：饋電部位62、複數個連接部位63、及連結部位64。饋電部位62係與電源200電性連接，並從該電源200供給電之方式而構成的部位。

參照圖5及圖7，連接部位63係連接於輔助陽極60a~60d之部位(亦即，連接支柱(Boss))。具體而言，本實施形態之連接部位63形成突起狀，而連結輔助陽極60a~60d與連結部位64之後述的延伸部位66a~66d。圖5中，就複數個連接部位63賦予#1~#12的編號。如圖5所例示，複數個連接部位63在與鄰接的連接部位63之間以間隔排列於輔助陽極60a~60d的延伸方向。

連結部位64係為了連結饋電部位62與連接部位63而構成的部位。如圖5所例示，本實施形態之連結部位64具備：導入部位65、及延伸部位66a~66d。導入部位65係連結延伸部位66a~66d與饋電部位62，並將饋電部位62之電導入延伸部位66a~66d的方式而構成之部位。

延伸部位66a~66d沿著輔助陽極60a~60d而延伸。具體而言，延伸部位66a在輔助陽極60a之延伸方向延伸，延伸部位66b在輔助陽極60b之延伸方向延伸，延伸部位66c在輔助陽極60c之延伸方向延伸，延伸部位66d在輔助陽極60d之延伸方向延伸。

延伸部位66a與延伸部位66d為電性串聯連接。延伸部位66c與延伸部位66b為電性串聯連接。而且延伸部位66a、66d與延伸部位66c、66b為電性並聯連接。因此輔助陽極60a與輔助陽極60c係以電性並聯之方式來配置，輔助陽極60d與輔助陽極60b係以電性並聯之方式來配置。

此外，延伸部位66a~66d係以包圍指定之空間區域A1周圍的方式而配置。具體而言，本實施形態之延伸部位66a~66d從基板Wf之被鍍覆面的法線方向來看，係以包圍基板Wf之外周緣的方式而配置。此外，本實施形態之延伸部位66a~66d彼此連結而配置成框狀。具體而言，本實施形態之延伸部位66a~66d的一例為多邊形(本實施形態之一例為四方形)的框狀。

各個輔助陽極60a~60d經由複數個連接部位63而連接於各個延伸部位66a~66d。具體而言，輔助陽極60a經由#1~#3之連接部位63而連接於延伸部位66a。輔助陽極60b經由#10~#12之連接部位63而連接於延伸部位66b。輔助陽極60c經由#7~#9之連接部位63而連接於延伸部位66c。輔助陽極60d經由#4~#6之連接部位63而連接於延伸部位66d。

從電源200經由饋電部位62而供給至匯流條61的電，流經連結部位64後，再流經連接部位63而供給至輔助陽極60a~60d。具體而言，供給至饋電部位62之電，流經連結部位64之導入部位65後，分別流入連結部位64之延伸部位66a及延伸部位66c。流經延伸部位66a之電，流經延伸部位66d，流經延伸部位66c之電，流經延伸部位66b。延伸部位66a之電，經由連接部位63而流入輔助陽極60a，延伸部位66b之電，經由連接部位63而流入輔助陽極60b。延伸部位66c之電，經由連接部位63而流入輔助陽極60c，延伸部位66d之電，經由連接部位63而流入輔助陽極60d。

此處，匯流條61之連接部位63的電阻值係愈接近饋電部位62之處則愈小(反之而言，離饋電部位62愈遠則愈大)。另外，所謂「接近饋電部位62」，具體而言，是指「離饋電部位62之電性距離短」。

例如列舉將100(mA)之電流流入匯流條61時各連接部位63的電阻值之一例時，#1係8(mΩ)，#2係10(mΩ)，#3係12(mΩ)，#4係12(mΩ)， #5係13(mΩ)，#6係15(mΩ)，#7係8(mΩ)，#8係10(mΩ)，#9係12(mΩ)，#10係13(mΩ)，#11係14(mΩ)，#12係15(mΩ)。

如此，匯流條61之連接部位63的電阻值愈接近饋電部位62則愈小的結果，在鍍覆處理時，從匯流條61流入輔助陽極60a~60d之電量(亦即電流值)有愈接近饋電部位62則愈大的傾向。因而，若未設後述之離子電阻體80a~80d時，基板Wf外周緣之膜厚可能愈接近饋電部位62之處則愈厚。具體而言，參照圖3，可能基板Wf之角落部91a周邊的膜厚最厚。為了應付該問題，本實施形態係具備以下說明之離子電阻體80a~80d。

參照圖2、圖6、及圖7，離子電阻體(離子電阻體80a~80d)係在鍍覆液Ps中對離子之移動發揮阻力功能的構件，具體而言，係藉由具有比鍍覆液Ps之電阻高的電阻之構件而構成。只要是具有此種功能者即可，離子電阻體80a~80d之具體材質並非特別限定者，例如，宜使用陶瓷等對鍍覆液Ps之耐腐蝕性能高的材質。

此外，離子電阻體80a~80d配置於鍍覆槽10內部的輔助陽極60a~60d與基板Wf之間。具體而言，本實施形態之離子電阻體80a~80d如圖2所例示，係配置於收容部71之內部，具體而言，係配置於輔助陽極60a~60d與隔膜51之間的區域。離子電阻體80a~80d藉由指定之安裝構件(無圖示)而安裝於鍍覆槽10內部。

離子電阻體80a~80d之「厚度t1(具體而言，從陽極30朝向基板Wf之方向的長度(mm))」並非特別限定者，不過，係形成離子電阻體80a~80d不致與隔膜51及輔助陽極60a~60d接觸之值。亦即，本實施形態之離子電阻體80a~80d係以在與隔膜51之間具有空間，且在與輔助陽極60a~60d之間亦具有空間的方式而配置。此外，如圖7所例示，本實施形態之離子電阻體80a~80d的厚度t1之一例為在離子電阻體80a~80d的整個延伸方向為相同值(亦即一樣)。

如圖6所例示，離子電阻體80a~80d沿著輔助陽極60a~60d而延伸。具體而言，離子電阻體80a在輔助陽極60a之延伸方向延伸，離子電阻體80b在輔助陽極60b之延伸方向延伸。此外，離子電阻體80c在輔助陽極60c之延伸方向延伸，離子電阻體80d在輔助陽極60d之延伸方向延伸。

此外，離子電阻體80a係以與輔助陽極60a相對之方式配置，離子電阻體80b係以與輔助陽極60b相對之方式配置。離子電阻體80c係以與輔助陽極60c相對之方式配置，離子電阻體80d係以與輔助陽極60d相對之方式配置。此外，此等離子電阻體80a~80d係以包圍空間區域A1周圍之方式而配置。具體而言，本實施形態之離子電阻體80a~80d從基板Wf之被鍍覆面的法線方向來看，係以包圍基板Wf之外周緣的方式而配置。

參照圖6，離子電阻體80a~80d在延伸方向之長度(L1)並非特別限定者，亦可比輔助陽極60a~60d在延伸方向之長度長，亦可比其短，亦可相同。本實施形態之一例為離子電阻體80a~80d之長度(L1)係在輔助陽極60a~60d之長度的80%以上，130%以下的範圍內，具體而言，係在輔助陽極60a~60d之長度的90%以上，120%以下的範圍內。另外，離子電阻體80a~80d之長度(L1)宜與輔助陽極60a~60d之長度相同，或是比輔助陽極60a~60d長。

此外，離子電阻體80a~80d之寬度(L2)並非特別限定者，亦可比輔助陽極60a~60d之寬度長，亦可比其短，亦可相同。本實施形態之一例為離子電阻體80a~80d之寬度(L2)係在輔助陽極60a~60d之寬度的80%以上，120%以下的範圍內。

圖8係複數個離子電阻體80a~80d中之1個離子電阻體(具體而言係離子電阻體80a)的模式前視圖。參照圖6及圖8，離子電阻體80a~80d係以在離子電阻體80a~80d之延伸方向愈接近饋電部位62，離子電阻體80a~80d之電阻率(Ω‧cm)愈高的方式而構成。具體而言，離子電阻體80a之電阻率在圖6係愈朝向Y方向則愈高。離子電阻體80b之電阻率在圖6係愈朝向Y方向則愈高。離子電阻體80c之電阻率在圖6係愈朝向Z方向則愈高。離子電阻體80d之電阻率在圖6係愈朝向Z方向則愈高。

更具體而言，如圖8所例示，本實施形態之離子電阻體80a~80d分別具有複數個開口81。而離子電阻體80a~80d之開口率(亦即，開口81部分之面積占離子電阻體每單位面積的比率)，係以在離子電阻體80a~80d之延伸方向愈接近饋電部位62則愈低的方式構成。藉此，採用本實施形態時，可以簡單之構成使離子電阻體80a~80d之電阻率愈接近饋電部位62則愈高。

另外，離子電阻體80a~80d之各個開口81的大小宜為在鍍覆處理中從輔助陽極60a~60d產生之氣泡(具體而言係由氧構成之氣泡)可通過該開口81。採用該構成時，可有效抑制從輔助陽極60a~60d產生之氣泡滯留在離子電阻體80a~80d與輔助陽極60a~60d相對之面。另外，該構成在離子電阻體80a~80d係在水平方向延伸之方式而配置時，可發揮特別高的效果。

此外，各個離子電阻體80a~80d之全部電阻率亦可彼此相同。具體而言，離子電阻體80a之全部電阻率(離子電阻體80a之一端至另一端的總電阻率)、離子電阻體80b之全部電阻率、離子電阻體80c之全部電阻率、及離子電阻體80d之全部電阻率彼此亦可係等值。

或是，各個離子電阻體80a~80d之全部電阻率亦可彼此不同。此時，宜為以配置於饋電部位62附近之離子電阻體之全部電阻率比遠離饋電部位62而配置之離子電阻體高的方式而構成。

具體而言，宜為離子電阻體80a之全部電阻率比離子電阻體80d高。換言之，離子電阻體80a之遠離饋電部位62側之端部(「遠位端(圖6係-Y方向側之端部)」)的電阻值，宜比離子電阻體80d之接近饋電部位62側之端部(「近位端(圖6係Z方向側之端部)」)的電阻值高。此外，離子電阻體80c之全部電阻率宜比離子電阻體80b高。換言之，離子電阻體80c之遠位端(圖6係-Z方向側之端部)的電阻值，宜比離子電阻體80b之近位端(圖6係Y方向側之端部)的電阻值高。

採用如以上說明之本實施形態時，由於係以離子電阻體80a~80d之電阻率愈接近饋電部位62則愈高的方式而構成，因此可抑制因為匯流條61之連接部位63的電阻值愈接近饋電部位62則愈小而造成基板Wf外周緣之膜厚不均勻。亦即，採用本實施形態時，可謀求基板Wf外周緣之膜厚均勻化。結果，亦可謀求基板Wf面內之膜厚均勻化。

(實施形態1之修改例)

離子電阻體80a~80d之構成並非限定於圖8所說明之構成者。離子電阻體80a~80d之其他一例亦可使用以下者。圖9(A)及圖9(B)係用於說明實施形態1之修改例的鍍覆裝置1A之離子電阻體80a~80d的模式圖。具體而言，圖9(A)係本修改例之1個離子電阻體(離子電阻體80a)的模式前視圖，圖9(B)係本修改例之1個離子電阻體(離子電阻體80a)的模式側視圖。

本修改例之離子電阻體80a~80d係以離子電阻體80a~80d之厚度t1在離子電阻體80a~80d之延伸方向愈接近饋電部位62則愈厚的方式而構成(參照圖9(B))。

具體而言，參照圖9(B)及前述之圖6，本修改例之離子電阻體80a的厚度t1，在離子電阻體80a之延伸方向愈朝向Y方向則愈厚。本修改例之離子電阻體80b的厚度t1，亦為在離子電阻體80b之延伸方向愈朝向Y方向則愈厚。本修改例之離子電阻體80d的厚度t1，在離子電阻體80d之延伸方向愈朝向Z方向則愈厚。本修改例之離子電阻體80c的厚度t1，亦為在離子電阻體80c之延伸方向愈朝向Z方向則愈厚。

此外，如圖9(A)所例示，本修改例之離子電阻體80a~80d亦可具有複數個開口81。此時，如圖9(A)所例示，本修改例之離子電阻體80a~80d的開口率不論從饋電部位62起之電性距離為何，亦可皆同。

採用本修改例時，藉由離子電阻體80a~80d之厚度t1在離子電阻體80a~80d之延伸方向愈接近饋電部位62則愈厚的簡單構成，可愈接近饋電部位62則愈提高離子電阻體80a~80d的電阻率。

(實施形態2)

接著說明實施形態2之鍍覆裝置1B。圖10係顯示本實施形態之鍍覆裝置1B中的1個鍍覆槽10周邊構成之模式剖面圖。本實施形態之鍍覆裝置1B與圖2所例示之鍍覆裝置1不同之處為不具備離子電阻體80a~80d。

圖11係本實施形態之1個輔助陽極(輔助陽極60a)周邊構成的模式側視圖。圖12係用於比較彼此鄰接之一對輔助陽極的模式圖。參照圖11、圖12、及前述圖5，本實施形態之輔助陽極60a~60d與前述實施形態之輔助陽極(參照圖7)不同之處為，係以在輔助陽極60a~60d之延伸方向愈接近饋電部位62，則輔助陽極60a~60d與基板Wf之距離D1愈大的方式而構成。本實施形態之輔助陽極60a~60d的其他構成與前述實施形態之輔助陽極相同。

具體而言，本實施形態之輔助陽極60a係以愈朝向Y方向則輔助陽極60a與基板Wf(具體而言係邊90a)之距離D1愈大的方式而構成。本實施形態之輔助陽極60b亦係以愈朝向Y方向則輔助陽極60b與基板Wf(具體而言係邊90b)之距離D1愈大的方式而構成。本實施形態之輔助陽極60c係以愈朝向Z方向則輔助陽極60c與基板Wf(具體而言係邊90c)之距離D1愈大的方式而構成。本實施形態之輔助陽極60d亦係以愈朝向Z方向則輔助陽極60d與基板Wf(具體而言係邊90d)之距離D1愈大的方式而構成。

此外，如圖12所例示，比較在電流動方向觀看彼此鄰接之一對輔助陽極時，配置於接近饋電部位62位置之輔助陽極，與配置於遠離饋電部位62位置的輔助陽極比較，輔助陽極與基板Wf之距離的平均值D1a宜大。

具體而言，如圖12所例示，比較彼此鄰接之輔助陽極60a與輔助陽極60d時，輔助陽極60a與基板Wf之距離的平均值D1a宜比輔助陽極60d與基板Wf之距離的平均值D1a大。同樣地，比較彼此鄰接之輔助陽極60c與輔助陽極60b時，輔助陽極60c與基板Wf之距離的平均值D1a宜比輔助陽極60b與基板Wf之距離的平均值D1a大。

此外，此時，輔助陽極60a與基板Wf之距離的平均值D1a亦可與輔助陽極60c與基板Wf之距離的平均值D1a相同。同樣地，輔助陽極60d與基板Wf之距離的平均值D1a亦可與輔助陽極60b與基板Wf之距離的平均值D1a相同。

採用本實施形態時，由於係以在輔助陽極60a~60d之延伸方向愈接近饋電部位62則輔助陽極60a~60d與基板Wf之距離D1愈大的方式而構成，因此可抑制因為匯流條61之連接部位63的電阻值愈接近饋電部位62則愈小，而造成基板Wf外周緣之膜厚不均勻。

(實施例)

經實驗已確認關於上述實施形態之作用效果。就此作說明。首先，準備前述實施形態1之鍍覆裝置1作為實施例的鍍覆裝置。此外，準備除了不具備離子電阻體之外，具有與實施例之鍍覆裝置1相同構成的鍍覆裝置，作為比較例之鍍覆裝置。

而後，分別使用實施例之鍍覆裝置1及比較例之鍍覆裝置，在相同鍍覆處理條件下，對基板Wf實施鍍覆處理，量測該鍍覆處理後之基板Wf的膜厚。具體而言，參照圖3，量測鍍覆處理後之基板Wf的鍍膜外周緣之膜厚。更具體而言，係將最接近饋電部位62之角落部91a的周邊膜厚作為「起點」，而在圖3中箭頭指示之方向(順時鐘的方向)量測膜厚。該膜厚之量測結果顯示於圖13。

圖13之橫軸顯示從「起點」之距離(mm)。圖13之縱軸顯示基板Wf之膜厚(亦即，形成於基板Wf之鍍膜的膜厚(μm))。從圖13瞭解，使用比較例之鍍覆裝置對基板Wf實施鍍覆處理時，在基板Wf之外周緣中，接近饋電部位62之角落部91a周邊的膜厚最厚，遠離饋電部位62之角落部91c周邊的膜厚最薄。而比較例時，基板Wf之鍍膜外周緣的膜厚分布以「Range/2Ave(亦即，(膜厚之最大值-最小值)/(膜厚之平均值×2))」量測時係6.8%。

相對而言，使用實施例之鍍覆裝置1對基板Wf實施鍍覆處理時，整體觀察時，雖然在基板Wf上接近饋電部位62之角落部91a周邊的膜厚最厚，遠離饋電部位62之角落部91c周邊的膜厚最薄，不過角落部91a周邊之膜厚的厚度與比較例比較為小。結果，實施例時，與比較例作比較，基板Wf外周緣之膜厚整體地均勻化。舉出具體數值時，實施例時，基板Wf外周緣之膜厚分布係5.5%(Range/2Ave)，與比較例作比較其數值變小。亦即，實施例與比較例作比較，可謀求基板Wf外周緣之膜厚分布的均勻化。

另外，前述實施形態1之修改例的鍍覆裝置1A、及實施形態2之鍍覆裝置1B皆係在與實施形態1時同樣的條件下對基板Wf實施鍍覆處理來量測膜厚。結果，鍍覆裝置1A及鍍覆裝置1B中仍與實施例之鍍覆裝置1時同樣地，其基板Wf外周緣之膜厚分布獲得5.5%(Range/2Ave)之值。前述實施形態之效果藉由實驗確認如上。

以上，詳述了本發明之實施形態，不過本發明並非限定於該特定之實施形態者，在記載於申請專利範圍之本發明的要旨範圍內，可進一步進行各種修改及變更。

1:鍍覆裝置