TWI809415B - 鍍覆裝置及鍍覆方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種無需物理/機械結構而可防止或緩和電場繞行的鍍覆裝置及鍍覆方法，所提供的其中一種鍍覆裝置，具備：基板固持器，其構成保持基板的態樣；鍍覆槽，其構成容納保持有前述基板之前述基板固持器的態樣，該鍍覆槽具備前述基板之第一面側的第一槽與前述基板之第二面側的第二槽，且前述第一槽與前述第二槽透過間隙連通；第一陽極電極，配置於前述鍍覆槽的前述第一槽；第一電源，其構成將鍍覆電流供給至前述基板與前述第一陽極電極之間的態樣；輔助陽極電極，配置於前述間隙的前述第一槽側；輔助陰極電極，配置於前述間隙的前述第二槽側；及輔助電源，其構成將輔助電流供給至前述輔助陽極電極與前述輔助陰極電極之間的態樣。

Description

鍍覆裝置及鍍覆方法

本發明係關於一種鍍覆裝置及鍍覆方法，更具體而言，係關於一種使鍍覆膜厚均勻化的技術。

在半導體裝置或電子元件用基板的表面形成Cu等的金屬鍍覆膜。例如，有時將作為鍍覆對象之基板保持於基板固持器，並使基板連同基板固持器一起浸漬於容納有鍍覆液之鍍覆槽中以進行電鍍。基板固持器係以使基板的鍍覆面露出的方式保持基板。在鍍覆液中，以與基板的露出面對應的方式配置陽極，可在基板與陽極之間賦予電壓而在基板的露出面上形成電鍍膜。

為了在基板的雙面上實施鍍覆，而存在於表面與背面雙面皆設有開口部的基板固持器。例如，具有一種以使一片基板的表面及背面雙面露出的方式保持基板的基板固持器。

使用以此方式於表面與背面雙面皆設有開口部之基板固持器進行鍍覆處理的情況下，有時會在基板固持器與鍍覆槽之間存在較大間隙。若基板固持器與鍍覆槽之間存在較大間隙，則可能在從陽極朝向基板的電場中發生繞行。例如，從陽極朝向與該陽極對向之基板固持器所保持的基板之表面的電場之一部分，有時會繞行至基板固持器所保持的基板之背面。若發生電場繞行，則難以在基板上形成均勻厚度的鍍覆膜。專利文獻1中揭示了一種鍍覆裝置，其構成使用物理/機械結構來遮蔽這種電場繞行的態樣。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2020-139206號公報

［發明所欲解決之課題］

本發明的目的之一在於提供一種無需物理/機械結構而可防止或緩和電場繞行的鍍覆裝置及鍍覆方法。 ［解決課題之手段］

根據一實施型態，可提供一種鍍覆裝置，其具備：基板固持器，其構成保持基板的態樣；鍍覆槽，其構成容納保持有前述基板之前述基板固持器的態樣，該鍍覆槽具備前述基板之第一面側的第一槽與前述基板之第二面側的第二槽，且前述第一槽與前述第二槽透過間隙連通；第一陽極電極，配置於前述鍍覆槽的前述第一槽；第一電源，其構成將鍍覆電流供給至前述基板與前述第一陽極電極之間的態樣；輔助陽極電極，配置於前述間隙的前述第一槽側；輔助陰極電極，配置於前述間隙的前述第二槽側；及輔助電源，其構成將輔助電流供給至前述輔助陽極電極與前述輔助陰極電極之間的態樣。

以下參照圖式對本發明之實施型態進行說明。在以下說明的圖式中，針對相同或相當的構成要件標註相同的符號而省略重複說明。

圖1係本發明之一實施型態的鍍覆裝置100的整體配置圖。鍍覆裝置100大致分為：裝載/卸載模組110，將基板裝載至基板固持器（圖中未顯示），或將基板從基板固持器卸載；處理模組120，將基板進行處理；及清洗模組50a。處理模組120更包含：前處理/後處理模組120A，進行基板的前處理及後處理；及鍍覆處理模組120B，對基板進行鍍覆處理。

裝載/卸載模組110具有處理載台26、基板搬送裝置27及固定站29。作為一例，本實施型態中，裝載/卸載模組110具有二個處理載台26：裝載用處理載台26A，將處理前的基板進行操作；及卸載用處理載台26B，將處理後的基板進行操作。本實施型態中，裝載用處理載台26A與卸載用處理載台26B的構成相同，以方向相差180°而配置。此外，處理載台26並不限於設置裝載用、卸載用處理載台26A、26B，亦可不區分裝載用、卸載用而使用。又，本實施型態中，裝載/卸載模組110具有二個固定站29。二個固定站29為相同機構，使用空置的一方（未處理基板的一方）。此外，處理載台26與固定站29分別可視鍍覆裝置100中的空間而設置一個或三個以上。

透過機械手臂24從多個（作為一例，圖1中為三個）卡匣台25將基板搬送至處理載台26（裝載用處理載台26A）。卡匣台25具備容納基板的卡匣25a。卡匣例如為前開式晶圓傳送盒（FOUP，Front Opening Unified Pod）。處理載台26構成將載置之基板的位置及方向進行調整（對準）的態樣。在處理載台26與固定站29之間配置有在該等之間搬送基板的基板搬送裝置27。基板搬送裝置27構成在處理載台26、固定站29及清洗模組50a之間搬送基板的態樣。又，在固定站29的附近設置用以容納基板固持器的暫存架30。

清洗模組50a具有將鍍覆處理後的基板清洗並使其乾燥的清洗裝置50。基板搬送裝置27構成將鍍覆處理後的基板搬送至清洗裝置50並將清洗後之基板從清洗裝置50取出的態樣。接著，清洗後的基板，藉由基板搬送裝置27將其傳遞至處理載台26（卸載用處理載台26B），並透過機械手臂24回到卡匣25a。

前處理/後處理模組120A具有預濕槽32、預浸槽33、預沖洗槽34、吹淨槽35及沖洗槽36。預濕槽32中，將基板浸漬於純水。預浸槽33中，將形成於基板表面之晶種層等導電層表面的氧化膜蝕刻去除。預沖洗槽34中，以清洗液（純水等）將預浸後的基板連同基板固持器一起清洗。吹淨槽35中，將清洗後的基板進行排水。沖洗槽36中，以清洗液將鍍覆後的基板連同基板固持器一起清洗。此外，此鍍覆裝置100的前處理/後處理模組120A的構成為一例，鍍覆裝置100的前處理/後處理模組120A的構成並無限定，可採用其他構成。

鍍覆處理模組120B例如係在溢流槽38的內部收納多個鍍覆槽39而構成。各鍍覆槽39構成下述態樣：在內部收納一個基板，使基板浸漬於內部所保持之鍍覆液中，以對基板表面實施鍍銅等鍍覆。

鍍覆裝置100具有採用例如線性馬達方式的傳送帶37，該傳送帶37位於前處理/後處理模組120A與鍍覆處理模組120B的側面，將基板固持器連同基板一起搬送。此傳送帶37構成在固定站29、暫存架30、預濕槽32、預浸槽33、預沖洗槽34、吹淨槽35、沖洗槽36及鍍覆槽39之間搬送基板固持器的態樣。

說明以此鍍覆裝置100進行的一系列鍍覆處理之一例。首先，以機械手臂24從搭載於卡匣台25之卡匣25a取出一個基板，並將基板搬送至處理載台26（裝載用處理載台26A）。處理載台26將所搬送之基板的位置及方向對準既定的位置及方向。利用基板搬送裝置27將以此處理載台26對準位置及方向後的基板搬送至固定站29。

另一方面，藉由傳送帶37將容納於暫存架30內之基板固持器搬送至固定站29，並水平地載置於固定站29上。接著，將藉由基板搬送裝置27搬來的基板載置於此狀態的基板固持器上，並將基板與基板固持器連接。

接著，以傳送帶37載持保持有基板之基板固持器，並收納於預濕槽32。接著，以傳送帶37將保持有以預濕槽32處理後之基板的基板固持器搬送至預浸槽33，並以預浸槽33將基板上的氧化膜進行蝕刻。接著，將保持有該基板之基板固持器搬送至預沖洗槽34，並以收納於此預沖洗槽34之純水將基板的表面進行水洗。

保持有水洗結束之基板的基板固持器，藉由傳送帶37將其從預沖洗槽34搬送至鍍覆處理模組120B，並收納於裝滿鍍覆液之鍍覆槽39。傳送帶37依序重複進行上述順序，將保持有基板之基板固持器依序收納於鍍覆處理模組120B的各鍍覆槽39。

各鍍覆槽39中，在鍍覆槽39內的陽極（圖中未顯示）與基板之間施加鍍覆電壓，藉此對於基板的表面進行鍍覆。

鍍覆結束後，以傳送帶37載持保持有鍍覆後之基板的基板固持器，搬送至沖洗槽36，浸漬於沖洗槽36中所容納之純水，將基板的表面進行純水清洗。接著，藉由傳送帶37將基板固持器搬送至吹淨槽35，藉由吹氣等將附著於基板固持器之水滴去除。之後，藉由傳送帶37將基板固持器搬送至固定站29。

固定站29中，藉由基板搬送裝置27從基板固持器取出處理後的基板，並搬送至清洗模組50a的清洗裝置50。清洗裝置50將鍍覆處理後的基板清洗並使其乾燥。經過乾燥之基板，藉由基板搬送裝置27將其傳遞至處理載台26（卸載用處理載台26B），並透過機械手臂24回到卡匣25a。

圖2至圖4係顯示鍍覆處理模組120B中的一個鍍覆槽39之構成的示意圖。圖3係顯示將鍍覆槽39在圖2中的AA面切斷並從箭號A方向觀看的態樣，圖4係顯示將鍍覆槽39在圖2中的BB面切斷並從箭號B方向觀看的態樣。鍍覆處理模組120B中的各鍍覆槽39具有與圖2至圖4所示相同的構成。

如上所述，保持有基板W之基板固持器30，藉由傳送帶37（參照圖1）進行搬送並容納於鍍覆槽39。在鍍覆槽39中，將基板W及基板固持器30浸漬於鍍覆液（電解液）Q中。圖3及圖4所示的水平線QS表示鍍覆液Q的液面。在鍍覆槽39的內壁及內部底部，以與基板W的面平行且與基板W及基板固持器30成為同一平面的方式設有分隔壁39a。分隔壁39a與基板W及基板固持器30成為一體，將鍍覆槽39的內側劃分為二個部分，亦即第一槽39-1與第二槽39-2。

分隔壁39a的一側端部與鍍覆槽39的內壁及內部底部連結（例如，分隔壁39a與鍍覆槽39的內壁及內部底部無間隙地連接）。另一方面，在分隔壁39a之相反側的端部與基板固持器30的外周之間存在間隙GP。例如，基板固持器30亦可以不接觸分隔壁39a的方式由圖中未顯示的支撐機構所支撐或懸掛，藉此，如圖3及4所示在基板固持器30的整個外周形成間隙GP。或是分隔壁39a亦可具有其一部與基板固持器30接觸的形狀，此情況下，在基板固持器30的部分外周形成間隙GP。

藉由在鍍覆槽39內的基板固持器30與分隔壁39a之間存在這樣的間隙GP，鍍覆槽39的第一槽39-1與第二槽39-2不會互相完全隔離。換言之，鍍覆槽39的第一槽39-1透過間隙GP與第二槽39-2連通，藉此，可使鍍覆液Q及鍍覆液Q所包含之離子透過間隙GP在第一槽39-1與第二槽39-2之間移動。

在鍍覆槽39的第一槽39-1中配置第一陽極電極221，其保持於圖中未顯示的陽極固持器。第一陽極電極221與第一電源231的正極電性連接，第一電源231的負極與基板W上朝向第一槽39-1側之面（以下記載為第一面W1）電性連接。亦可在基板W的第一面W1形成晶種層等導電性材料。第一電源231構成在第一陽極電極221與基板W的第一面W1之間供給鍍覆電流的態樣。

同樣，在鍍覆槽39的第二槽39-2中配置第二陽極電極222，其保持於圖中未顯示的陽極固持器。第二陽極電極222與第二電源232的正極電性連接，第二電源232的負極與基板W上朝向第二槽39-2側之面（以下記載為第二面W2）電性連接。亦可在基板W的第二面W2形成晶種層等導電性材料。第二電源232構成在第二陽極電極222與基板W的第二面W2之間供給鍍覆電流的態樣。

圖5係示意性地顯示在鍍覆槽39的第一槽39-1及第二槽39-2中流入鍍覆液Q中之鍍覆電流的圖。在第一槽39-1中，如箭號IQ1所示，鍍覆電流從第一陽極電極221流向基板W的第一面W1，又，在第二槽39-2中，如箭號IQ2所示，鍍覆電流從第二陽極電極222流向基板W的第二面W2。此處，基板W的第一面W1與第二面W2於基板內部導通（例如，基板W的第一面W1與第二面W2由通孔所連接）的情況下，可在鍍覆槽39內形成電流透過基板固持器30與鍍覆槽39的分隔壁39a之間的間隙GP流動的電流路徑。例如，若第一槽39-1中鍍覆液Q中的電流密度大於第二槽39-2中鍍覆液Q中的電流密度，則如圖5中箭號IQ12所示，產生透過間隙GP從第一槽39-1側繞行至第二槽39-2側的電流。若電流密度的大小關係相反，則與圖5相反，電流從第二槽39-2漏出至第一槽39-1，但以下係假設圖5的狀況來進行說明。

為了減少或防止上述的電流繞行，本實施型態之鍍覆裝置100於鍍覆槽39內具備輔助陽極電極241與輔助陰極電極242。如圖2及如圖3所示，輔助陽極電極241在間隙GP的附近，設於分隔壁39a之第一槽39-1側的表面。又，如圖2及如圖4所示，輔助陰極電極242在間隙GP的附近，設於分隔壁39a之第二槽39-2側的表面。如圖3及如圖4所示，輔助陽極電極241及輔助陰極電極242亦可沿著形成於基板固持器30與分隔壁39a之間的間隙GP的整個圓周配置。然而，這種配置並非必須，輔助陽極電極241與輔助陰極電極242的一者或兩者，例如，可僅沿著間隙GP的一部分配置，或是亦可沿著間隙GP分割成多個而配置。

輔助陽極電極241與輔助電源243的正極電性連接，輔助陰極電極242與輔助電源243的負極電性連接。輔助電源243構成透過間隙GP將輔助電流供給至輔助陽極電極241與輔助陰極電極242之間的態樣。圖6係示意性地顯示流入鍍覆槽39內之鍍覆電流（參照圖5）與輔助電流的圖，如此圖所示，在基板固持器30與分隔壁39a之間的間隙GP部分，輔助電流從第一槽39-1側流向第二槽39-2側（箭號IQ3）。又，在間隙GP的外側，輔助電流亦從輔助陽極電極241流向基板W的第一面W1（箭號IQ31），以及從第二陽極電極222流向輔助陰極電極242（箭號IQ32）。此輔助電流的成分IQ31及IQ32的方向與鍍覆電流的繞行成分IQ12的方向為相反方向，因此兩者相互削弱或相互抵消，藉此可減少或防止淨電流從第一槽39-1流入第二槽39-2（亦即鍍覆電流的繞行）。以下針對可與透過間隙GP從鍍覆槽39的第一槽39-1繞行至第二槽39-2之鍍覆電流抵消的最佳輔助電流大小進行說明。

圖7及圖8係顯示本實施型態之鍍覆裝置100中的鍍覆槽39之等效電路的圖。此等效電路係顯示圖2所示之各要件以何種方式互相電連接的關係。其中，為了方便說明及理解，圖7係省略關於輔助電流的部分要件而描繪的等效電路，另一方面，圖8係包含關於輔助電流之要件的完整等效電路。

參照圖7，將第一陽極電極221中的極化電阻設為R _A1，將第一陽極電極221與基板W的第一面W1之間的鍍覆液Q的電阻設為R _E1，將基板W的第一面W1（亦即陰極）上的極化電阻設為R _C1，將基板W的第一面W1的（例如晶種層的）電阻設為R _S1，將從間隙GP的第一槽39-1側開口至第二槽39-2側開口為止的鍍覆液Q的電阻設為R _IC，將連接基板W的第一面W1與第二面W2的（例如通孔的）內部連接電阻設為R _IS，將第二陽極電極222中的極化電阻設為R _A2，將第二陽極電極222與基板W的第二面W2之間的鍍覆液Q的電阻設為R _E2，將基板W的第二面W2（亦即陰極）上的極化電阻設為R _C2，將基板W的第二面W2的（例如晶種層的）電阻設為R _S2。又，將來自第一電源231的輸出電流設為I ₁，將I ₁之中流入基板W之第一面W1的電流設為I _1-1，將I ₁之中透過間隙GP流入第二槽39-2側的電流設為I _1-2，將來自第二電源232的輸出電流設為I ₂，將I ₂之中流入基板W之第二面W2的電流設為I _2-1，將I ₂之中透過間隙GP流入第一槽39-1側的電流設為I _2-2。其中，I ₁=I _1-1+I _1-2，I ₂=I _2-1+I _2-2。

此時，在圖7中所示之閉合電路C中，根據克希何夫（Kirchhoff）定律，下式成立。 V _C1=V _C2+（R _IC+R _IS）･（I _1-2-I _2-2）　　　……（1）

其中，V _C1及V _C2分別為基板W的第一面W1與第二面W2中的陰極反應（還原反應）的過電壓，具有V _C1＞V _C2的關係。此外，過電壓較小的情況下，由於過電壓與電流成比例，因此可表示為V _C1=R _C1･（I _1-1+I _2-2），V _C2=R _C2･（I _2-1+I _1-2）。

接著，如圖8所示，透過輔助陽極電極241與輔助陰極電極242從輔助電源243供給輔助電流I _aux。將I _aux之中從輔助陽極電極241流向基板W之第一面W1的電流設為I _aux-1，將透過間隙GP從輔助陽極電極241流向第二槽39-2的電流設為I _aux-2。其中，I _aux=I _aux-1+I _aux-2。此時，從第一槽39-1流入間隙GP的電流（以及從間隙GP流入第二槽39-2的電流）可表示為I _1-2-I _2-2-I _aux-1，若此電流為零，則不會產生從第一槽39-1流向第二槽39-2的淨電流。亦即，可使用輔助電流I _aux來抵消透過間隙GP從第一槽39-1側繞行至第二槽39-2側之鍍覆電流的條件如下式。 I _1-2-I _2-2=I _aux-1……（2）

在滿足上述條件時，圖8的等效電路之各處中的電流係如圖9所示的等效電路所示。與上式（1）相同，在圖9的閉合電路C中，由克希何夫定律得出下式。 V _C1-V _C2=R _IC･I _aux……（3）

因此，藉由以滿足式（3）的方式設定輔助電流I _aux，亦即，將輔助電流I _aux設定為以基板W的第一面W1中的過電壓V _C1與第二面W2中的過電壓V _C2之差值除以輔助陽極電極241與輔助陰極電極242之間的電阻值R _IC而得的值，藉此可防止鍍覆電流透過間隙GP從第一槽39-1側繞行至第二槽39-2側。換言之，可防止鍍覆電流繞行之輔助電流I _aux的最佳值表示為（V _C1-V _C2）/R _IC。式（3）表示輔助電流I _aux的最佳值，但輔助電流稍微偏離此最佳值，亦可一定程度地減少鍍覆電流的繞行。

此外，在式（3）中，基板W的第一面W1中的過電壓V _C1與第二面W2中的過電壓V _C2的值，可使用分別設置於基板W的第一面W1與第二面W2附近的參照電極（電位測量探針），測量未流入鍍覆電流時的平衡電位與流入鍍覆電流時反應中的電位，由其電位之差值而求得。關於過電壓V _C1及V _C2，之後亦可持續使用預先對於測試用基板進行電位測量所求得的值，或是亦可藉由對於實際的製品用基板實時測量電位而算出每一時刻的過電壓V _C1及V _C2，並使用其實時調整輔助電流I _aux。

又，式（3）中的輔助陽極電極241與輔助陰極電極242之間的電阻值R _IC，例如可使用間隙GP的尺寸與鍍覆液Q的導電率而算出。

過電壓V _C1及V _C2較小的情況下，由於過電壓與電流成比例，因此式（3）可變形如下。其中，R _p1、R _p2為每單位面積的極化電阻，i ₁、i ₂為電流密度。 I _aux=（R _C1･I ₁-R _C2･I ₂）/R _IC……（4） =（R _p1･i ₁-R _p2･i ₂）/R _IC……（4’）

再者，每單位面積的極化電阻R _p1、R _p2相等的情況下，若R _p=R _p1=R _p2，則式（4’）變成如下。 I _aux=R _p/R _IC･（i ₁-i ₂）　　　……（5）

因此，藉由使用式（4）或式（5），可從電流I ₁、I ₂或電流密度i ₁、i ₂的測量值來決定輔助電流I _aux的最佳值。此外，在式（4）及（5）中，極化電阻R _C1、R _C2、R _p的值，例如可從預先使用參照電極的測量而得的IV曲線所導出。

以上說明中係設定從第一電源231輸出電流I ₁，從第二電源232輸出電流I ₂，但來自第二電源232的輸出電流亦可為零（亦即I ₂=I _2-1=I _2-2=0）。例如，可以只是停止第二電源232的輸出，或是亦可將第二電源232及第二陽極電極222本身從鍍覆槽39省略。本實施型態之鍍覆裝置100亦可適用於以此方式僅對基板W的單面（第一面W1）進行鍍覆處理的情況。

圖10至圖12係顯示來自第二電源232的輸出電流為零時鍍覆槽39之等效電路的圖，分別與上述圖7至圖9對應。此情況下，上式（1）（2）（3）（4）（5）分別變成下式（6）（7）（8）（9）（10）。 V _C1=V _C2+（R _IC+R _IS）･I _1-2……（6） I _1-2=I _aux-1……（7） V _C1=R _IC･I _aux……（8） I _aux=R _C1･I ₁/R _IC……（9） I _aux=R _p1/R _IC･i ₁……（10）

因此，來自第二電源232的輸出電流為零的情況下，依照上式（8）、（9）或（10）來設定輔助電流I _aux，藉此可防止鍍覆電流透過間隙GP從第一槽39-1側繞行至第二槽39-2側。

圖13係顯示本實施型態之鍍覆裝置100的鍍覆槽39中包含分隔壁39a與間隙GP的部分之一構成例的圖。在圖13的例中，輔助陽極電極241與輔助陰極電極242容納於分隔壁39a的凹部而配置，並固定於匯流排245。分隔壁39a的凹部具備隔膜246，藉由此隔膜246而分隔成容納有輔助陽極電極241及輔助陰極電極242的凹部內側與鍍覆槽39的第一槽39-1及第二槽39-2。隔膜246係具有選擇性地僅使特定離子穿透之功能的膜。

利用隔膜246將輔助陽極電極241及輔助陰極電極242從第一槽39-1及第二槽39-2隔離，藉此，輔助陽極電極241及輔助陰極電極242為溶解性電極的情況下，可抑制從電極溶出之金屬離子或微粒子擴散至第一槽39-1及第二槽39-2。輔助陽極電極241為非溶解性電極的情況下，可抑制輔助陽極電極241所產生的活性氧擴散至第一槽39-1。

裝滿凹部內側的液體亦可為與鍍覆液Q不同的電解液。此情況下，可抑制或防止金屬析出至輔助陰極電極242。又，鍍覆液Q中包含添加劑的情況下，可抑制添加劑移動至輔助陽極電極241或輔助陰極電極242側而在電極表面分解。

圖14係顯示本實施型態之鍍覆裝置100的鍍覆槽39中包含分隔壁39a與間隙GP的部分之另一構成例的圖。在圖14的例中，基板固持器30構成為在與分隔壁39a對向之面具有凸部的形狀，鍍覆槽39的分隔壁39a則構成為在與基板固持器30對向之面具有凹部的形狀。基板固持器30與分隔壁39a之間的間隙GP，係藉由將基板固持器30的凸部與分隔壁39a的凹部組合，而形成在鍍覆槽39的第一槽39-1與第二槽39-2之間彎折的通路。

藉由此彎折之通路，第一槽39-1與第二槽39-2之間的離子移動距離變長，故間隙GP內的鍍覆液Q的電阻值R _IC變大。此處，根據上式（3）〜（5）及（8）〜（10），由於可防止鍍覆電流繞行之輔助電流I _aux的最佳值與R _IC成反比，因此藉由將間隙GP形成這種彎折之通路的結構，可使輔助電流I _aux的最佳值變小，而可降低防止鍍覆電流繞行所需的電力。

以上，根據幾個例子對本發明之實施型態進行說明，但上述發明的實施型態係用以使本發明容易理解，並非限定本發明。本發明只要不脫離其主旨，則可進行變更、改良，並且本發明當然亦包含其均等物。又，在可解決上述課題之至少一部分的範圍或是可發揮至少部分效果的範圍內，可將申請專利範圍及說明書所記載之各構成要件任意組合，或是將其省略。

24:機械手臂 25:卡匣台 25a:卡匣 26:處理載台 26A:裝載用處理載台 26B:卸載用處理載台 27:基板搬送裝置 29:固定站 30:基板固持器 32:預濕槽 33:預浸槽 34:預沖洗槽 35:吹淨槽 36:沖洗槽 37:傳送帶 38:溢流槽 39:鍍覆槽 39a:分隔壁 39-1:第一槽 39-2:第二槽 50:清洗裝置 50a:清洗模組 100:鍍覆裝置 110:裝載/卸載模組 120:處理模組 120A:前處理/後處理模組 120B:鍍覆處理模組 221:第一陽極電極 222:第二陽極電極 231:第一電源 232:第二電源 241:輔助陽極電極 242:輔助陰極電極 243:輔助電源 245:匯流排 246:隔膜 I _aux:輔助電流 Q:鍍覆液 IQ1:箭號 IQ2:箭號 IQ12:箭號 IQ3:箭號 IQ31:箭號 IQ32:箭號 A:箭號 B:箭號 C:閉合電路 GP:間隙 QS:水平線 W:基板 W1:第一面 W2:第二面

圖1係本發明之一實施型態的鍍覆裝置的整體配置圖。 圖2係顯示本發明之一實施型態的一個鍍覆槽之構成的示意圖。 圖3係顯示本發明之一實施型態的一個鍍覆槽之構成的示意圖。 圖4係顯示本發明之一實施型態的一個鍍覆槽之構成的示意圖。 圖5係示意性地顯示流入本發明之一實施型態的鍍覆槽內之鍍覆電流的圖。 圖6係示意性地顯示流入本發明之一實施型態的鍍覆槽內之鍍覆電流與輔助電流的圖。 圖7係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽之等效電路的圖。 圖8係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽之等效電路的圖。 圖9係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽之等效電路的圖。 圖10係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽之等效電路的圖。 圖11係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽之等效電路的圖。 圖12係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽之等效電路的圖。 圖13係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽中包含分隔壁與間隙的部分之一構成例的圖。 圖14係顯示本發明之一實施型態的鍍覆槽中包含分隔壁與間隙的部分之另一構成例的圖。

30:基板固持器

39:鍍覆槽

39a:分隔壁

39-1:第一槽

39-2:第二槽

221:第一陽極電極

222:第二陽極電極

231:第一電源

232:第二電源

241:輔助陽極電極

242:輔助陰極電極

243:輔助電源

I_aux:輔助電流

I1:電流

I2:電流

Q:鍍覆液

IQ12:箭號

IQ3:箭號

IQ31:箭號

IQ32:箭號

Claims (11)

1. 一種鍍覆裝置，其具備：基板固持器，其構成為保持基板；鍍覆槽，其構成為容納保持有前述基板之前述基板固持器，該鍍覆槽具備前述基板之第一面側的第一槽與前述基板之第二面側的第二槽，且前述第一槽與前述第二槽透過間隙連通；第一陽極電極，配置於前述鍍覆槽的前述第一槽；第一電源，其構成為將鍍覆電流供給至前述基板與前述第一陽極電極之間；輔助陽極電極，配置於前述間隙的前述第一槽側；輔助陰極電極，配置於前述間隙的前述第二槽側；及輔助電源，其構成為將直流的輔助電流供給至前述輔助陽極電極與前述輔助陰極電極之間。
2. 如請求項1之鍍覆裝置，其中，前述輔助電流係設定為以前述基板之前述第一面上的過電壓除以前述輔助陽極電極與前述輔助陰極電極之間的電解液之電阻值而得的電流值。
3. 如請求項1之鍍覆裝置，其更具備：第二陽極電極，配置於前述鍍覆槽的前述第二槽；及第二電源，其構成為將鍍覆電流供給至前述基板與前述第二陽極電極之間，來自前述第二電源的電流係以前述基板之前述第二面上的過電壓小於前述基板之前述第一面上的過電壓的方式設定。
4. 如請求項3之鍍覆裝置，其中，前述輔助電流係設定為以前述基板之前述第一面上的過電壓與前述基板之前述第二面上的過電壓之差值除以前述輔助陽極電極與前述輔助陰極電極之間的電解液之電阻值而得的電流值。
5. 如請求項4之鍍覆裝置，其更具備：第一參照電極，配置於前述基板之前述第一面附近，用以量測前述基板之前述第一面上的過電壓；及第二參照電極，配置於前述基板之前述第二面附近，用以量測前述基板之前述第二面上的過電壓；前述輔助電流係根據使用前述第一參照電極所量測的過電壓與使用前述第二參照電極所量測的過電壓來控制。
6. 如請求項4之鍍覆裝置，其中，前述輔助電流係根據從前述第一電源供給之電流的測量值與從前述第二電源供給之電流的測量值來控制。
7. 如請求項6之鍍覆裝置，其中，前述輔助電流係根據前述基板之前述第一面上的電流密度與前述基板之前述第二面上的電流密度之差值來控制。
8. 如請求項1~7中任一項之鍍覆裝置，其具備隔膜，該隔膜構成為選擇性地使離子穿透前述輔助陽極電極與前述鍍覆槽的前述第一槽之間以及前述輔助陰極電極與前述鍍覆槽的前述第二槽之間。
9. 如請求項1~7中任一項之鍍覆裝置，其中，前述間隙藉由彎折之通路將前述第一槽與前述第二槽連通。
10. 如請求項1~7中任一項之鍍覆裝置，其中，前述基板係前述第一面與前述第二面導通的基板。
11. 一種鍍覆方法，係用以在鍍覆裝置中將基板進行鍍覆，其中：前述鍍覆裝置具備：基板固持器，其構成為保持前述基板；及鍍覆槽，其構成為容納保持有前述基板之前述基板固持器，該鍍覆槽具備前述基板之第一面側的第一槽與前述基板之第二面側的第二槽，且前述第一槽與前述第二槽透過間隙連通；前述鍍覆方法包含下述步驟：從第一電源將鍍覆電流供給至配置於前述鍍覆槽之前述第一槽的第一陽極電極與前述基板之間；及從輔助電源將直流的輔助電流供給至配置於前述間隙之前述第一槽側的輔助陽極電極與配置於前述間隙之前述第二槽側的輔助陰極電極之間。