CN116391063A - 镀覆装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够抑制基板的外周缘的膜厚变得不均匀的技术。镀覆装置(1)具备镀覆槽、阳极、基板保持件、至少一个辅助阳极(60a～60d)、具有供给电的供电部位(62)、和与至少一个辅助阳极连接并且在该辅助阳极的延伸方向上排列的多个连接部位(63)的汇流条(61)、以及至少一个离子电阻体(80a～80d)，离子电阻体构成为在离子电阻体的延伸方向上越接近供电部位，则离子电阻体的电阻率越高。

Description

镀覆装置

技术领域

本发明涉及镀覆装置。

背景技术

以往，作为对基板实施镀覆处理的镀覆装置，公知由如下的装置，该装置具备：镀覆槽，贮存镀覆液；阳极，配置于镀覆槽的内部；基板保持件，构成为在镀覆槽的内部能够将基板配置为与阳极对置；以及至少一个辅助阳极(辅助电极)，配置于镀覆槽的内部中的阳极与基板之间，并以沿着基板的外周缘的方式延伸(例如，参照专利文献1)。

专利文献1：日本特开2021-11624号公报

在上述那样的以往的镀覆装置中，存在为了向辅助阳极供给电而使用汇流条的情况。具体而言，该汇流条具有供给电的供电部位、和与辅助阳极连接并且在该辅助阳极的延伸方向上排列的多个连接部位，该汇流条构成为使供给至供电部位的电经由连接部位流向辅助阳极。

在上述那样的镀覆装置的情况下，越接近供电部位则汇流条的连接部位的电阻值越小。因此，在镀覆处理时存在越接近供电部位则从汇流条向辅助阳极流动的电的量越大的趋势。在这样的状况下，在对基板实施了镀覆处理的情况下，基板的外周缘的膜厚有可能变得不均匀。

发明内容

本发明是鉴于上述情况而完成的，其目的之一在于提供一种能够抑制基板的外周缘的膜厚变得不均匀的技术。

(形态1)

为了达成上述目的，本发明的一个形态所涉及的镀覆装置具备：镀覆槽，贮存镀覆液；阳极，配置于上述镀覆槽的内部；基板保持件，构成为在上述镀覆槽的内部能够将基板配置为与上述阳极对置；至少一个辅助阳极，配置于上述镀覆槽的内部中的上述阳极与上述基板之间，并以沿着上述基板的外周缘的方式延伸；汇流条，具有供给电的供电部位、和与至少一个上述辅助阳极连接并且在该辅助阳极的延伸方向上排列的多个连接部位，并构成为使供给至上述供电部位的电经由上述连接部位流向上述辅助阳极；以及至少一个离子电阻体，配置于上述镀覆槽的内部中的上述辅助阳极与上述基板之间，并以沿着上述辅助阳极的方式延伸，上述离子电阻体构成为在上述离子电阻体的延伸方向上越接近上述供电部位，则上述离子电阻体的电阻率越高。

根据该形态，能够抑制因越接近供电部位则汇流条的连接部位的电阻值越小而导致基板的外周缘的膜厚变得不均匀的情况。

(形态2)

也可以构成为：在上述形态1的基础上，上述离子电阻体具有多个开口，在上述离子电阻体的延伸方向上越接近上述供电部位，则上述离子电阻体的开口率越低，由此在上述离子电阻体的延伸方向上越接近上述供电部位，则上述离子电阻体的电阻率越高。

(形态3)

也可以构成为：在上述形态1的基础上，在上述离子电阻体的延伸方向上越接近上述供电部位，则上述离子电阻体的厚度越厚，由此在上述离子电阻体的延伸方向上越接近上述供电部位，则上述离子电阻体的电阻率越高。

(形态4)

也可以构成为：在上述形态1～3中任一形态的基础上，上述汇流条具有连结部位，该连结部位连结上述供电部位和上述连接部位，上述连结部位具有以沿着上述基板的外周缘的方式延伸的多个延伸部位，多个上述延伸部位配置成框状，至少一个上述辅助阳极包括多个上述辅助阳极，各个上述辅助阳极经由多个上述连接部位与各个上述延伸部位连接。

(形态5)

也可以构成为：上述形态1～4中的任一形态具备在内部容纳至少一个上述辅助阳极的容纳部，在上述容纳部设置有朝向上述基板的方向那样的开口，上述容纳部的上述开口被允许上述镀覆液所包含的金属离子通过而抑制从上述辅助阳极的表面产生的氧通过的隔膜封闭。

(形态6)

为了达成上述目的，本发明的一个形态所涉及的镀覆装置具备：镀覆槽，贮存镀覆液；阳极，配置于上述镀覆槽的内部；基板保持件，构成为在上述镀覆槽的内部能够将基板配置为与上述阳极对置；至少一个辅助阳极，配置于上述镀覆槽的内部中的上述阳极与上述基板之间，并以沿着上述基板的外周缘的方式延伸；以及汇流条，具有供给电的供电部位、和与至少一个上述辅助阳极连接并且在该辅助阳极的延伸方向上排列的多个连接部位，并构成为使供给至上述供电部位的电经由上述连接部位流向上述辅助阳极，上述辅助阳极构成为在上述辅助阳极的延伸方向上越接近上述供电部位，则上述辅助阳极与上述基板的距离越大。

根据该形态，能够抑制因越接近供电部位则汇流条的连接部位的电阻值越小而导致基板的外周缘的膜厚变得不均匀的情况。

附图说明

图1是实施方式1所涉及的镀覆装置的整体配置图。

图2是表示实施方式1所涉及的镀覆装置中的一个镀覆槽的周边结构的示意性的剖视图。

图3是实施方式1所涉及的基板的示意性的主视图。

图4是实施方式1所涉及的中间罩的周边结构的示意性的立体图。

图5是实施方式1所涉及的汇流条和辅助阳极的示意性的主视图。

图6是实施方式1所涉及的离子电阻体的示意性的主视图。

图7是实施方式1所涉及的辅助阳极的周边结构的示意性的侧视图。

图8是实施方式1所涉及的离子电阻体的示意性的主视图。

图9的(A)和图9的(B)是用于说明实施方式1的变形例所涉及的镀覆装置的离子电阻体的示意图。

图10是表示实施方式2所涉及的镀覆装置中的一个镀覆槽的周边结构的示意性的剖视图。

图11是实施方式2所涉及的辅助阳极的周边结构的示意性的侧视图。

图12是用于比较实施方式2所涉及的相互邻接的一对辅助阳极的示意图。

图13是表示膜厚的测定结果的图。

具体实施方式

以下，边参照附图边对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的各实施方式中，有时对相同或对应的结构标注相同的附图标记并适当地省略说明。另外，附图为了容易理解实施方式的特征而示意性地进行了图示，各构成元件的尺寸比例等并不一定与实际的相同。在若干附图中，图示出X－Y－Z的正交坐标作为参考用。该正交坐标中，Z方向相当于上方，－Z方向相当于下方(重力发挥作用的方向)。

(实施方式1)

首先，对本发明的实施方式1所涉及的镀覆装置1进行说明。图1是本实施方式所涉及的镀覆装置1的整体配置图。如图1所例示的那样，本实施方式所涉及的镀覆装置1具备：两台盒式工作台102；对准器104，在规定的方向上校对基板Wf的定向平面、凹口等的位置；以及漂洗干燥机106，使镀覆处理后的基板Wf干燥。盒式工作台102搭载收纳了半导体晶片等基板Wf的盒100。在漂洗干燥机106的附近设置有载置基板保持件20来进行基板Wf的装卸的装载/卸载站120。搬运机器人122是用于在盒100、对准器104、漂洗干燥机106以及装载/卸载站120之间搬运基板Wf的机器人。

装载/卸载站120具备沿着导轨150在横向上自由地滑动的平板状的载置板152。两个基板保持件20在水平状态下并列地载置于该载置板152。当在一个基板保持件20与搬运机器人122之间进行基板Wf的交接后，载置板152在横向上滑动，并在另一个基板保持件20与搬运机器人122之间进行基板Wf的交接。

另外，镀覆装置1具备储料器124、预湿模块126、预浸模块128、第一冲洗模块130a、吹气模块132、第二冲洗模块130b、镀覆模块110、搬运装置140以及控制模块170。在储料器124中进行基板保持件20的保管和临时放置。在预湿模块126中，将基板Wf浸渍于纯水。在预浸模块128中，将形成于基板Wf的表面的种子层等导电层的表面的氧化膜蚀刻去除。在第一冲洗模块130a中，用清洗液(纯水等)将预浸后的基板Wf与基板保持件20一起清洗。在吹气模块132中，进行清洗后的基板Wf的除液。在第二冲洗模块130b中，用清洗液将镀覆处理后的基板Wf与基板保持件20一起清洗。

镀覆模块110例如构成为在溢流槽136的内部收纳多个镀覆槽10。各个镀覆槽10构成为在内部收纳一个基板Wf并使基板Wf浸渍于保持于内部的镀覆液中来对基板Wf的表面实施镀铜等。

搬运装置140是在构成镀覆装置1的各设备之间将基板保持件20与基板Wf一起搬运的例如采用了线性马达方式的搬运装置。作为一个例子，本实施方式所涉及的搬运装置140具有第一搬运装置142和第二搬运装置144。第一搬运装置142在装载/卸载站120、储料器124、预湿模块126、预浸模块128、第一冲洗模块130a以及吹气模块132之间搬运基板Wf。第二搬运装置144在第一冲洗模块130a、第二冲洗模块130b、吹气模块132以及镀覆模块110之间搬运基板Wf。此外，镀覆装置1也可以不具备第二搬运装置144而仅具备第一搬运装置142。

在溢流槽136的两侧配置有对位于各个镀覆槽10的内部并搅拌镀覆槽10内的镀覆液的搅棒进行驱动的搅棒驱动部160和搅棒从动部162。

控制模块170构成为控制镀覆装置1的动作。具体而言，本实施方式所涉及的控制模块170具备微型计算机，该微型计算机具备作为处理器的CPU(Central ProcessingUnit)171、作为非临时性的存储介质的存储装置172等。控制模块170通过CPU171根据在存储装置172中存储的程序的指令而工作，从而控制镀覆装置1的被控制部。

对由镀覆装置1进行的一系列的镀覆处理的一个例子进行说明。首先，用搬运机器人122从搭载于盒式工作台102的盒100中取出一个基板Wf，并将基板Wf搬运至对准器104。对准器104在规定的方向上校对定向平面、凹口等的位置。用搬运机器人122将在该规定的方向上校对了位置的基板Wf搬运至装载/卸载站120。

在装载/卸载站120，用搬运装置140的第一搬运装置142同时把持两个容纳于储料器124内的基板保持件20，并搬运至装载/卸载站120。然后，将两个基板保持件20同时水平地载置于装载/卸载站120的载置板152上。在该状态下，搬运机器人122向每个基板保持件20搬运基板Wf，并用基板保持件20保持所搬运的基板Wf。

接下来，用搬运装置140的第一搬运装置142同时把持两个保持了基板Wf的基板保持件20，并收纳于预湿模块126。接下来，用第一搬运装置142将保持有在预湿模块126中进行了处理的基板Wf的基板保持件20搬运至预浸模块128，并在预浸模块128中对基板Wf上的氧化膜进行蚀刻。接着，将保持有该基板Wf的基板保持件20搬运至第一冲洗模块130a，并用收纳于第一冲洗模块130a的纯水对基板Wf的表面进行水洗。

由第二搬运装置144将保持有完成了水洗的基板Wf的基板保持件20从第一冲洗模块130a搬运至镀覆模块110，并收纳于镀覆槽10。第二搬运装置144依次重复进行上述步骤，将保持有基板Wf的基板保持件20依次收纳于镀覆模块110的各个镀覆槽10。

在各个镀覆槽10中，向镀覆槽10内的阳极与基板Wf之间外加镀覆电压，对基板Wf的表面实施镀覆处理。在该镀覆处理时，也可以通过由搅棒驱动部160和搅棒从动部162驱动搅棒来搅拌镀覆槽10的镀覆液。但是，镀覆装置1的结构并不限定于此，例如镀覆装置1也能够为不具备搅棒、搅棒驱动部160以及搅棒从动部162的结构。

在实施镀覆处理后，用第二搬运装置144同时把持两个保持有镀覆处理后的基板Wf的基板保持件20，搬运至第二冲洗模块130b，使其浸渍于容纳于第二冲洗模块130b的纯水来用纯水清洗基板Wf的表面。接下来，通过第二搬运装置144将基板保持件20搬运至吹气模块132，通过空气的吹送等去除附着于基板保持件20的水滴。之后，通过第一搬运装置142将基板保持件20搬运至装载/卸载站120。

在装载/卸载站120，由搬运机器人122从基板保持件20取出处理后的基板Wf，并搬运至漂洗干燥机106。漂洗干燥机106使镀覆处理后的基板Wf干燥。通过搬运机器人122使干燥后的基板Wf返回至盒100。

此外，在上述的图1中说明的镀覆装置1的结构只不过是一个例子，镀覆装置1的结构并不限定于图1的结构。

接着，对镀覆装置1中的镀覆槽10的周边结构的详情进行说明。此外，本实施方式所涉及的多个镀覆槽10的结构相同，因此对一个镀覆槽10的周边结构进行说明。

图2是表示本实施方式所涉及的镀覆装置1中的一个镀覆槽10的周边结构的示意性的剖视图。作为一个例子，图2所例示的镀覆装置1是使基板Wf的面方向(沿着面的方向)为上下方向来使基板Wf浸渍于镀覆液Ps的类型的镀覆装置(即浸渍式的镀覆装置)。

但是，镀覆装置1的具体例子并不限定于此。举出另一个例子，镀覆装置1也可以是使基板Wf的面方向为水平方向来使基板Wf浸渍于镀覆液Ps的类型的镀覆装置(即杯式的镀覆装置)。

如图2所例示的那样，镀覆槽10由上部开口的有底的容器构成。在镀覆槽10的内部贮存有镀覆液Ps。作为镀覆液Ps，只要是包含构成镀覆皮膜的金属元素的离子在内的溶液即可，其具体例子并不特别地限定。在本实施方式中，使用镀铜处理作为镀覆处理的一个例子，使用硫酸铜溶液作为镀覆液Ps的一个例子。

镀覆装置1在镀覆槽10的内部具备阳极30。阳极30与电源电连接。阳极30的具体的种类并不特别地限定，可以是不溶性阳极，也可以是可溶性阳极。在本实施方式中，使用不溶性阳极作为阳极30的一个例子。该不溶性阳极的具体的种类并不特别地限定，能够使用白金、氧化铱等。

如图2所例示的那样，镀覆装置1在镀覆槽10的内部具备阳极箱40、隔膜50以及阳极罩45。阳极箱40是用于在内部容纳阳极30的部件(容纳部件)。在阳极箱40中的与基板Wf对置的部分设置有开口40a。隔膜50设置为封闭该开口40a。在阳极箱40的内部贮存有镀覆液Ps。

隔膜50由允许镀覆液Ps所包含的金属离子(例如硫酸铜中的铜离子)通过而抑制从阳极30的表面产生的氧通过的膜构成。例如能够使用中性隔膜作为这样的隔膜50。

根据本实施方式，如上述那样将阳极30容纳于阳极箱40的内部，并由隔膜50封闭该阳极箱40的开口40a，因此即使是在镀覆处理时从阳极30的表面产生了氧的情况，也能够抑制该产生的氧向阳极箱40的外侧的镀覆液Ps侵入。由此，能够抑制由侵入至该阳极箱40的外侧的镀覆液Ps的氧导致基板Wf的镀覆品质恶化。

阳极罩45配置于阳极30与基板Wf之间。具体而言，本实施方式所涉及的阳极罩45配置于阳极箱40的内部。阳极罩45在阳极罩45的中央具有能够供在阳极30与基板Wf之间移动的离子等通过的孔45a。

基板保持件20是用于保持作为阴极的基板Wf的部件。基板保持件20构成为在镀覆槽10的内部能够将基板Wf配置为与阳极30对置。具体而言，基板保持件20在对基板Wf的镀覆处理时，将基板Wf保持为基板Wf的表面与阳极30对置。更具体而言，本实施方式所涉及的基板保持件20以基板Wf的面方向成为上下方向的方式保持基板Wf。通过镀覆处理，在基板Wf的被镀覆面(与阳极30对置的面)形成镀覆皮膜。

图3是基板Wf的示意性的主视图。具体而言，图3图示出从基板Wf的被镀覆面的法线方向视觉辨认基板Wf的情形。基板Wf的具体的形状并不特别地限定，但如图3所例示的那样，也可以是具有多个边的方形的基板。基板Wf的边的个数并不特别地限定，可以是三个，可以是四个，也可以是五个。

作为一个例子，本实施方式所涉及的基板Wf的边的个数是四个。即，本实施方式所涉及的基板Wf是具有边90a、边90b、边90c以及边90d的四边形的方形基板。边90a与边90b相互对置，边90c与边90d相互对置。在边90a与边90c之间设置有角部91a，在边90a与边90d之间设置有角部91b，在边90b与边90d之间设置有角部91c，在边90b与边90c之间设置有角部91d。

另外，作为一个例子，本实施方式所涉及的基板Wf的各个边的长度相互相等。即，本实施方式所涉及的基板Wf在正面观察时具有正方形的形状。但是，基板Wf的结构并不限定于此，例如，基板Wf的各个边的长度也可以相互不同。

另外，在本实施方式中，从基板Wf的各个边对基板Wf供给电。具体而言，本实施方式所涉及的基板Wf被从基板Wf的各个边经由接触部件(未图示)供给电。但是，并不限定于该结构，例如，向基板Wf供给的电也能够从基板Wf的相互相对的两个边供给。

再次参照图2，本实施方式所涉及的镀覆装置1在镀覆槽10的内部至少具备一个辅助阳极。即，镀覆装置1可以仅具备一个辅助阳极，也可以具备多个辅助阳极。作为一个例子，本实施方式所涉及的镀覆装置1具备多个辅助阳极(辅助阳极60a、60b、60c、60d)。

辅助阳极60a～60d配置于镀覆槽10的内部中的阳极30与基板Wf之间的部分。具体而言，图2所例示的辅助阳极60a～60d配置于基板Wf与后述的中间罩70之间的部分。另外，本实施方式所涉及的辅助阳极60a～60d容纳于后述的容纳部71的内部。

辅助阳极60a～60d的具体的种类并不特别地限定，可以是不溶性阳极，也可以是可溶性阳极。在本实施方式中，使用不溶性阳极作为辅助阳极60a～60d的一个例子。该不溶性阳极的具体的种类并不特别地限定，能够使用白金、氧化铱、钛等各种金属。作为一个例子，本实施方式所涉及的辅助阳极60a～60d由板状的钛构成，并在该钛的表面涂布有氧化铱。

再次参照图2，镀覆装置1也可以具备中间罩70和隔膜51。图4是中间罩70的周边结构的示意性的立体图。参照图2和图4，中间罩70配置于阳极30与基板Wf之间。具体而言，本实施方式所涉及的中间罩70配置于阳极箱40与基板Wf之间。中间罩70在中间罩70的中央具有能够供离子移动的孔70a。

在本实施方式中，作为一个例子，中间罩70的孔70a是方形的孔，具有与基板Wf的多个边分别对应的多个边(边72a、72b、72c、72d)。具体而言，边72a与基板Wf的边90a对应，边72b与基板Wf的边90b对应，边72c与基板Wf的边90c对应，边72d与基板Wf的边90d对应。另外，边72a在边90a的延伸方向上延伸，边72b在边90b的延伸方向上延伸，边72c在边90c的延伸方向上延伸，边72d在边90d的延伸方向上延伸。

在本实施方式所涉及的中间罩70的与基板Wf对置的面设置有用于容纳辅助阳极60a～60d的容纳部71。容纳部71具有以朝向基板Wf的方向的方式开口的开口71a。

隔膜51将容纳部71的开口71a封闭。在容纳部71的内部贮存有镀覆液Ps。能够使用与上述的隔膜50相同的隔膜作为隔膜51。即，本实施方式所涉及的隔膜51由允许镀覆液Ps所包含的金属离子(例如硫酸铜中的铜离子)通过而抑制从辅助阳极的表面产生的氧通过的膜构成。例如能够使用中性隔膜作为这样的隔膜51。

根据本实施方式，如上述那样将辅助阳极60a～60d容纳于容纳部71，并由隔膜51封闭该容纳部71的开口71a，因此即使是在镀覆处理时从辅助阳极60a～60d的表面产生了氧的情况，也能够抑制该产生的氧向容纳部71的外侧的镀覆液Ps侵入。由此，能够抑制因侵入至该容纳部71的外侧的镀覆液Ps的氧而导致基板Wf的镀覆品质恶化。

参照图2，本实施方式所涉及的镀覆装置1在镀覆槽10的内部具备汇流条61和至少一个离子电阻体。作为一个例子，本实施方式所涉及的镀覆装置1具备多个离子电阻体(离子电阻体80a、80b、80c、80d)。

图5是汇流条61和辅助阳极60a～60d的示意性的主视图。此外，在图5中还用双点划线图示出基板Wf作为参考用。另外，在图5中用“I”例示出电的流动的方向(即电流的方向)。图6是离子电阻体80a～80d的示意性的主视图。此外，在图6中还用双点划线图示出汇流条61和辅助阳极60a～60d作为参考用。图7是辅助阳极60a的周边结构的示意性的侧视图。

如图5所例示的那样，本实施方式所涉及的辅助阳极60a～60d的个数与基板Wf的边的个数一致。另外，辅助阳极60a～60d配置为包围规定的空间区域A1的周围。具体而言，本实施方式所涉及的辅助阳极60a～60d在从基板Wf的被镀覆面的法线方向视觉辨认的情况下配置为包围基板Wf的外周缘。此外，在本实施方式中，该空间区域A1是比基板Wf靠阳极30侧的区域，且是比阳极30靠基板Wf侧的区域。

辅助阳极60a～60d以沿着基板Wf的外周缘的方式延伸。具体而言，本实施方式所涉及的各个辅助阳极60a～60d配置为与基板Wf的各个边对应，并且在基板Wf的各个边的延伸方向上延伸。

更具体而言，如图5所例示的那样，辅助阳极60a与基板Wf的边90a对应，并且在边90a的延伸方向(Y方向)上延伸。辅助阳极60b与边90b对应，并且在边90b的延伸方向(Y方向)上延伸。辅助阳极60c与边90c对应，并且在边90c的延伸方向(Z方向)上延伸。辅助阳极60d与边90d对应，并且在边90d的延伸方向(Z方向)上延伸。

参照图5，汇流条61是用于向辅助阳极60a～60d供给电的部件。汇流条61的具体的结构并不特别地限定，但本实施方式所涉及的汇流条61例如由钛那样的电导率良好的材质构成。另外，作为一个例子，本实施方式所涉及的汇流条61由平板状的部件构成。此外，汇流条61为了有效地抑制由镀覆液Ps导致的腐蚀，也可以被包覆材料包覆。

本实施方式所涉及的汇流条61具备供电部位62、多个连接部位63以及连结部位64。供电部位62与电源200电连接，是构成为从该电源200供给电的部位。

参照图5和图7，连接部位63是与辅助阳极60a～60d连接的部位(即连接凸起)。具体而言，本实施方式所涉及的连接部位63形成为突起状，将辅助阳极60a～60d与连结部位64的后述的延伸部位66a～66d连结。在图5中对多个连接部位63赋予#1～#12的编号。如图5所例示的那样，多个连接部位63在与邻接的连接部位63之间隔开间隔，在辅助阳极60a～60d的延伸方向上排列。

连结部位64是以连结供电部位62和连接部位63的方式构成的部位。如图5所例示的那样，本实施方式所涉及的连结部位64具备导入部位65和延伸部位66a～66d。导入部位65是构成为连结延伸部位66a～66d和供电部位62来将供电部位62的电向延伸部位66a～66d导入的部位。

延伸部位66a～66d以沿着辅助阳极60a～60d的方式延伸。具体而言，延伸部位66a在辅助阳极60a的延伸方向上延伸，延伸部位66b在辅助阳极60b的延伸方向上延伸。延伸部位66c在辅助阳极60c的延伸方向上延伸，延伸部位66d在辅助阳极60d的延伸方向上延伸。

延伸部位66a与延伸部位66d以串联的方式电连接。延伸部位66c与延伸部位66b以串联的方式电连接。而且，延伸部位66a、66d与延伸部位66c、66b以并联的方式电连接。其结果是，辅助阳极60a与辅助阳极60c配置为电并联，辅助阳极60d与辅助阳极60b配置为电并联。

另外，延伸部位66a～66d配置为包围规定的空间区域A1的周围。具体而言，本实施方式所涉及的延伸部位66a～66d在从基板Wf的被镀覆面的法线方向视觉辨认的情况下配置为包围基板Wf的外周缘。另外，本实施方式所涉及的延伸部位66a～66d相互连结而配置成框状。具体而言，作为一个例子，本实施方式所涉及的延伸部位66a～66d形成为方形(作为一个例子，在本实施方式中为四边形)的框状。

各个辅助阳极60a～60d经由多个连接部位63与各个延伸部位66a～66d连接。具体而言，辅助阳极60a经由#1～#3的连接部位63与延伸部位66a连接。辅助阳极60b经由#10～#12的连接部位63与延伸部位66b连接。辅助阳极60c经由#7～#9的连接部位63与延伸部位66c连接。辅助阳极60d经由#4～#6的连接部位63与延伸部位66d连接。

从电源200经由供电部位62供给至汇流条61的电当在连结部位64中流动之后，在连接部位63中流动，并被向辅助阳极60a～60d供给。具体而言，供给至供电部位62的电当在连结部位64的导入部位65中流动之后，分别向连结部位64的延伸部位66a和延伸部位66c流入。在延伸部位66a中流动后的电在延伸部位66d中流动，在延伸部位66c中流动后的电在延伸部位66b中流动。延伸部位66a的电经由连接部位63向辅助阳极60a流动，延伸部位66b的电经由连接部位63向辅助阳极60b流动。延伸部位66c的电经由连接部位63向辅助阳极60c流动，延伸部位66d的电经由连接部位63向辅助阳极60d流动。

这里，越是接近供电部位62的部位则汇流条61的连接部位63的电阻值越小(反之，越远离供电部位62则越大)。此外，具体而言，“接近供电部位62”是指“距供电部位62的电气距离较短”。

例如当列举使100(mA)的电流流向了汇流条61的情况下的各连接部位63的电阻值的一个例子时，#1为8(mΩ)，#2为10(mΩ)，#3为12(mΩ)，#4为12(mΩ)，#5为13(mΩ)，#6为15(mΩ)，#7为8(mΩ)，#8为10(mΩ)，#9为12(mΩ)，#10为13(mΩ)，#11为14(mΩ)，#12为15(mΩ)。

这样，越接近供电部位62则汇流条61的连接部位63的电阻值越小，其结果是，在镀覆处理时从汇流条61向辅助阳极60a～60d流动的电的量(即电流值)存在越接近供电部位62则越大的趋势。因此，即使是未设置后述的离子电阻体80a～80d的情况，基板Wf的外周缘的膜厚也有可能越接近供电部位62的部位则越厚。具体而言，参照图3，有可能基板Wf的角部91a的周边的膜厚变得最厚。为了应对该问题，在本实施方式中具备以下说明的离子电阻体80a～80d。

参照图2、图6以及图7，离子电阻体(离子电阻体80a～80d)是作为镀覆液Ps中的针对离子的移动的电阻发挥功能的部件，具体而言，由具有比镀覆液Ps的电阻高的电阻的部件构成。只要具有这样的功能，离子电阻体80a～80d的具体的材质就不特别地限定，例如优选使用陶瓷等那样的对镀覆液Ps的耐腐蚀性能高的材质。

另外，离子电阻体80a～80d配置于镀覆槽10的内部中的辅助阳极60a～60d与基板Wf之间。具体而言，如图2所例示的那样，本实施方式所涉及的离子电阻体80a～80d配置于容纳部71的内部，具体而言，配置于辅助阳极60a～60d与隔膜51之间的区域。离子电阻体80a～80d通过规定的安装部件(未图示)安装于镀覆槽10的内部。

离子电阻体80a～80d的“厚度t1(具体而言，从阳极30朝向基板Wf的方向的长度(mm))”并不特别地限定，但是为离子电阻体80a～80d不与隔膜51及辅助阳极60a～60d接触的值。即，本实施方式所涉及的离子电阻体80a～80d配置为在与隔膜51之间具有空间，且在与辅助阳极60a～60d之间也具有空间。另外，如图7所例示的那样，作为一个例子，本实施方式所涉及的离子电阻体80a～80d的厚度t1在离子电阻体80a～80d的延伸方向上为相同的值(即一样)。

如图6所例示的那样，离子电阻体80a～80d以沿着辅助阳极60a～60d的方式延伸。具体而言，离子电阻体80a在辅助阳极60a的延伸方向上延伸，离子电阻体80b在辅助阳极60b的延伸方向上延伸。另外，离子电阻体80c在辅助阳极60c的延伸方向上延伸，离子电阻体80d在辅助阳极60d的延伸方向上延伸。

另外，离子电阻体80a配置为与辅助阳极60a对置，离子电阻体80b配置为与辅助阳极60b对置。离子电阻体80c配置为与辅助阳极60c对置，离子电阻体80d配置为与辅助阳极60d对置。另外，这些离子电阻体80a～80d配置为包围空间区域A1的周围。具体而言，本实施方式所涉及的离子电阻体80a～80d在从基板Wf的被镀覆面的法线方向视觉辨认的情况下配置为包围基板Wf的外周缘。

参照图6，离子电阻体80a～80d的延伸方向的长度(L1)并不特别地限定，可以比辅助阳极60a～60d的延伸方向的长度长，也可以比其短，也可以相同。在本实施方式中，作为一个例子，离子电阻体80a～80d的长度(L1)在辅助阳极60a～60d的长度的80％以上且130％以下的范围内，具体而言，在辅助阳极60a～60d的长度的90％以上且120％以下的范围内。此外，优选离子电阻体80a～80d的长度(L1)与辅助阳极60a～60d的长度相同、或者比辅助阳极60a～60d的长度长。

另外，离子电阻体80a～80d的宽度(L2)并不特别地限定，可以比辅助阳极60a～60d的宽度长，也可以比其短，也可以相同。在本实施方式中，作为一个例子，离子电阻体80a～80d的宽度(L2)在辅助阳极60a～60d的宽度的80％以上且120％以下的范围内。

图8是多个离子电阻体80a～80d中的一个离子电阻体(具体而言，为离子电阻体80a)的示意性的主视图。参照图6和图8，离子电阻体80a～80d构成为在离子电阻体80a～80d的延伸方向上越接近供电部位62则离子电阻体80a～80d的电阻率(Ω·cm)越高。具体而言，在图6中越朝向Y方向则离子电阻体80a的电阻率越高。在图6中越朝向Y方向则离子电阻体80b的电阻率越高。在图6中越朝向Z方向则离子电阻体80c的电阻率越高。在图6中越朝向Z方向则离子电阻体80d的电阻率越高。

更具体而言，如图8所例示的那样，本实施方式所涉及的离子电阻体80a～80d分别具有多个开口81。而且，离子电阻体80a～80d的开口率(即开口81部分的面积占离子电阻体的每单位面积的比率)构成为在离子电阻体80a～80d的延伸方向上越接近供电部位62则越低。由此，根据本实施方式，能够通过简易的结构使离子电阻体80a～80d的电阻率越接近供电部位62则越高。

此外，优选离子电阻体80a～80d的各个开口81为在镀覆处理中从辅助阳极60a～60d产生的气泡(具体而言，由氧构成的气泡)能够通过该开口81的大小。根据该结构，能够有效地抑制从辅助阳极60a～60d产生的气泡滞留于离子电阻体80a～80d的与辅助阳极60a～60d对置的面。此外，在离子电阻体80a～80d配置为在水平方向上延伸的情况下，该结构能够发挥特别高的效果。

另外，各个离子电阻体80a～80d的整体的电阻率也可以相互相同。具体而言，离子电阻体80a的整体的电阻率(从离子电阻体80a的一端到另一端的总电阻率)、离子电阻体80b的整体的电阻率、离子电阻体80c的整体的电阻率以及离子电阻体80d的整体的电阻率也可以为相互相同的值。

或者，各个离子电阻体80a～80d的整体的电阻率也可以相互不同。在该情况下，优选构成为配置于供电部位62的附近的离子电阻体的整体的电阻率比远离供电部位62配置的离子电阻体的整体的电阻率高。

具体而言，优选离子电阻体80a的整体的电阻率比离子电阻体80d的整体的电阻率高。换言之，优选离子电阻体80a的远离供电部位62的一侧的端部(“远位端(在图6中为－Y方向侧的端部)”)的电阻值比离子电阻体80d的靠近供电部位62的一侧的端部(“近位端(在图6中为Z方向侧的端部)”)的电阻值高。另外，优选离子电阻体80c的整体的电阻率比离子电阻体80b的整体的电阻率高。换言之，优选离子电阻体80c的远位端(在图6中为－Z方向侧的端部)的电阻值比离子电阻体80b的近位端(在图6中为Y方向侧的端部)的电阻值高。

根据以上说明的那样的本实施方式，由于构成为越接近供电部位62则离子电阻体80a～80d的电阻率越高，因此能够抑制因越接近供电部位62则汇流条61的连接部位63的电阻值越小而导致基板Wf的外周缘的膜厚变得不均匀的情况。即，根据本实施方式，能够实现基板Wf的外周缘的膜厚的均匀化。其结果是，也能够实现基板Wf的面内的膜厚的均匀化。

(实施方式1的变形例)

离子电阻体80a～80d的结构并不限定于图8所说明的结构。作为离子电阻体80a～80d的另一个例子，也能够使用以下结构。图9的(A)和图9的(B)是用于说明实施方式1的变形例所涉及的镀覆装置1A的离子电阻体80a～80d的示意图。具体而言，图9的(A)是本变形例所涉及的一个离子电阻体(离子电阻体80a)的示意性的主视图，图9的(B)是本变形例所涉及的一个离子电阻体(离子电阻体80a)的示意性的侧视图。

本变形例所涉及的离子电阻体80a～80d构成为在离子电阻体80a～80d的延伸方向上越接近供电部位62则离子电阻体80a～80d的厚度t1越厚(参照图9的(B))。

具体而言，参照图9的(B)和上述的图6，在离子电阻体80a的延伸方向上越朝向Y方向则本变形例所涉及的离子电阻体80a的厚度t1越厚。在离子电阻体80b的延伸方向上越朝向Y方向则本变形例所涉及的离子电阻体80b的厚度t1也越厚。在离子电阻体80d的延伸方向上越朝向Z方向则本变形例所涉及的离子电阻体80d的厚度t1越厚。在离子电阻体80c的延伸方向上越朝向Z方向则本变形例所涉及的离子电阻体80c的厚度t1也越厚。

另外，如图9的(A)所例示的那样，本变形例所涉及的离子电阻体80a～80d也可以具有多个开口81。在该情况下，如图9的(A)所例示的那样，本变形例所涉及的离子电阻体80a～80d的开口率也可以与距供电部位62的电气距离无关都是一样的。

根据本变形例，能够通过在离子电阻体80a～80d的延伸方向上越接近供电部位62则离子电阻体80a～80d的厚度t1越厚的简易的结构，使离子电阻体80a～80d的电阻率越接近供电部位62则越高。

(实施方式2)

接着，对实施方式2所涉及的镀覆装置1B进行说明。图10是表示本实施方式所涉及的镀覆装置1B中的一个镀覆槽10的周边结构的示意性的剖视图。本实施方式所涉及的镀覆装置1B在不具备离子电阻体80a～80d这一点上与图2所例示的镀覆装置1不同。

图11是本实施方式所涉及的一个辅助阳极(辅助阳极60a)的周边结构的示意性的侧视图。图12是用于比较相互邻接的一对辅助阳极的示意图。参照图11、图12以及上述的图5，本实施方式所涉及的辅助阳极60a～60d在构成为在辅助阳极60a～60d的延伸方向上越接近供电部位62，则辅助阳极60a～60d与基板Wf的距离D1越大的这一点上与上述的实施方式所涉及的辅助阳极(参照图7)不同。本实施方式所涉及的辅助阳极60a～60d的其他结构与上述的实施方式所涉及的辅助阳极相同。

具体而言，本实施方式所涉及的辅助阳极60a构成为越朝向Y方向，则辅助阳极60a与基板Wf(具体而言，为边90a)的距离D1越大。本实施方式所涉及的辅助阳极60b也构成为越朝向Y方向，则辅助阳极60b与基板Wf(具体而言，为边90b)的距离D1越大。本实施方式所涉及的辅助阳极60c构成为越朝向Z方向，则辅助阳极60c与基板Wf(具体而言，为边90c)的距离D1越大。本实施方式所涉及的辅助阳极60d也构成为越朝向Z方向，则辅助阳极60d与基板Wf(具体而言，为边90d)的距离D1越大。

另外，优选：如图12所例示的那样，在比较当在电流动的方向上观察时相互邻接的一对辅助阳极的情况下，配置于靠近供电部位62的位置的辅助阳极与配置于远离供电部位62的位置的辅助阳极相比，辅助阳极与基板Wf的距离的平均值D1a较大。

具体而言，优选：如图12所例示的那样，在比较相互邻接的辅助阳极60a和辅助阳极60d的情况下，辅助阳极60a与基板Wf的距离的平均值D1a大于辅助阳极60d与基板Wf的距离的平均值D1a。同样，优选：在比较相互邻接的辅助阳极60c和辅助阳极60b的情况下，辅助阳极60c与基板Wf的距离的平均值D1a大于辅助阳极60b与基板Wf的距离的平均值D1a。

另外，在该情况下，辅助阳极60a与基板Wf的距离的平均值D1a也可以和辅助阳极60c与基板Wf的距离的平均值D1a相同。同样，辅助阳极60d与基板Wf的距离的平均值D1a也可以和辅助阳极60b与基板Wf的距离的平均值D1a相同。

根据本实施方式，由于构成为在辅助阳极60a～60d的延伸方向上越接近供电部位62，则辅助阳极60a～60d与基板Wf的距离D1越大，因此能够抑制因越接近供电部位62则汇流条61的连接部位63的电阻值越小而导致基板Wf的外周缘的膜厚变得不均匀的情况。

(实施例)

通过实验对上述的实施方式的作用效果进行了确认。对此进行说明。首先，作为实施例所涉及的镀覆装置，准备了上述的实施方式1所涉及的镀覆装置1。另外，作为比较例所涉及的镀覆装置，准备了除了不具备离子电阻体的这一点以外具有与实施例所涉及的镀覆装置1相同的结构的镀覆装置。

然后，分别使用实施例所涉及的镀覆装置1和比较例所涉及的镀覆装置，在相同的镀覆处理条件下，对基板Wf实施镀覆处理，并测定出该镀覆处理后的基板Wf的膜厚。具体而言，参照图3，测定出镀覆处理后的基板Wf的镀覆皮膜的外周缘的膜厚。更具体而言，以最靠近供电部位62的角部91a的周边的膜厚为“起点”，沿着在图3中用箭头表示的方向(顺时针的方向)测定出膜厚。在图13示出该膜厚的测定结果。

图13的横轴表示距“起点”的距离(mm)。图13的纵轴表示基板Wf的膜厚(即形成于基板Wf的镀覆皮膜的膜厚(μm))。根据图13可知，在使用比较例所涉及的镀覆装置对基板Wf实施了镀覆处理的情况下，在基板Wf的外周缘中，靠近供电部位62的角部91a的周边的膜厚最高，远离供电部位62的角部91c的周边的膜厚最低。而且，在比较例的情况下，基板Wf的镀覆皮膜的外周缘的膜厚分布在通过“Range/2Ave(即(膜厚的最大值－最小值)/(膜厚的平均值×2))”进行了测定的情况下为6.8％。

相对于此，在使用实施例所涉及的镀覆装置1对基板Wf实施了镀覆处理的情况下，在整体观察时，虽然基板Wf中的靠近供电部位62的角部91a的周边的膜厚最高，远离供电部位62的角部91c的周边的膜厚最低，但与比较例相比，角部91a的周边的膜厚的厚度较小。其结果是，在实施例的情况下，与比较例相比，基板Wf的外周缘的膜厚整体上均匀化。若举出具体的数值，则在实施例的情况下，基板Wf的外周缘的膜厚分布为5.5％(Range/2Ave)，与比较例相比，数值较小。即，实施例与比较例相比，可实现基板Wf的外周缘的膜厚分布的均匀化。

此外，对于上述的实施方式1的变形例所涉及的镀覆装置1A和实施方式2所涉及的镀覆装置1B，也在与实施方式1的情况相同的条件下对基板Wf实施镀覆处理并测定出膜厚。其结果是，在镀覆装置1A和镀覆装置1B中，也与实施例所涉及的镀覆装置1的情况相同，得到5.5％(Range/2Ave)的值作为基板Wf的外周缘的膜厚分布。如以上那样，通过实验确认了上述的实施方式的效果。

以上，对本发明的实施方式进行了详述，但本发明并不限定于上述特定的实施方式，可以在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内，进一步进行各种变形、变更。

附图标记说明

1...镀覆装置；10...镀覆槽；20...基板保持件；30...阳极；51...隔膜；60a、60b、60c、60d...辅助阳极；61...汇流条；62...供电部位；63...连接部位；64...连结部位；71...容纳部；80a、80b、80c、80d...离子电阻体；Ps...镀覆液；Wf...基板；D1...距离；t1...厚度。

Claims (6)

1.一种镀覆装置，其特征在于，

所述镀覆装置具备：

镀覆槽，贮存镀覆液；

阳极，配置于所述镀覆槽的内部；

基板保持件，构成为在所述镀覆槽的内部能够将基板配置为与所述阳极对置；

至少一个辅助阳极，配置于所述镀覆槽的内部中的所述阳极与所述基板之间，并以沿着所述基板的外周缘的方式延伸；

汇流条，具有供给电的供电部位、和与至少一个所述辅助阳极连接并且在该辅助阳极的延伸方向上排列的多个连接部位，并构成为使供给至所述供电部位的电经由所述连接部位流向所述辅助阳极；以及

至少一个离子电阻体，配置于所述镀覆槽的内部中的所述辅助阳极与所述基板之间，并以沿着所述辅助阳极的方式延伸，

所述离子电阻体构成为在所述离子电阻体的延伸方向上越接近所述供电部位，则所述离子电阻体的电阻率越高。

2.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

所述离子电阻体具有多个开口，

在所述离子电阻体的延伸方向上越接近所述供电部位，则所述离子电阻体的开口率越低，由此在所述离子电阻体的延伸方向上越接近所述供电部位，则所述离子电阻体的电阻率越高。

3.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

在所述离子电阻体的延伸方向上越接近所述供电部位，则所述离子电阻体的厚度越厚，由此在所述离子电阻体的延伸方向上越接近所述供电部位，则所述离子电阻体的电阻率越高。

4.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

所述汇流条具有连结部位，该连结部位连结所述供电部位和所述连接部位，

所述连结部位具有以沿着所述基板的外周缘的方式延伸的多个延伸部位，

多个所述延伸部位配置成框状，

至少一个所述辅助阳极包括多个所述辅助阳极，

各个所述辅助阳极经由多个所述连接部位与各个所述延伸部位连接。

5.根据权利要求1所述的镀覆装置，其特征在于，

具备在内部容纳至少一个所述辅助阳极的容纳部，

在所述容纳部设置有朝向所述基板的方向那样的开口，

所述容纳部的所述开口被允许所述镀覆液所包含的金属离子通过而抑制从所述辅助阳极的表面产生的氧通过的隔膜封闭。

6.一种镀覆装置，其特征在于，

所述镀覆装置具备：

镀覆槽，贮存镀覆液；

阳极，配置于所述镀覆槽的内部；

基板保持件，构成为在所述镀覆槽的内部能够将基板配置为与所述阳极对置；

至少一个辅助阳极，配置于所述镀覆槽的内部中的所述阳极与所述基板之间，并以沿着所述基板的外周缘的方式延伸；以及

汇流条，具有供给电的供电部位、和与至少一个所述辅助阳极连接并且在该辅助阳极的延伸方向上排列的多个连接部位，并构成为使供给至所述供电部位的电经由所述连接部位流向所述辅助阳极，

所述辅助阳极构成为在所述辅助阳极的延伸方向上越接近所述供电部位，则所述辅助阳极与所述基板的距离越大。

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