JP7090834B1 - めっき装置 - Google Patents
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- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
Abstract
Description
上記目的を達成するため、本発明の一態様に係るめっき装置は、めっき液が貯留されるとともに、アノードが配置されためっき槽と、カソードとしての基板であって複数の辺を有する角形の基板を当該基板が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置されて、前記アノードと前記基板との間を流れる電流が通過可能な孔を有する中間マスクと、補助アノードと、を備え、前記中間マスクの前記孔は、前記基板の前記複数の辺にそれぞれ対応する複数の辺を有する角形の孔であり、前記補助アノードは、前記基板と前記中間マスクとの間に、前記中間マスクの前記孔の少なくとも1つの辺に対応するように配置され、且つ、前記中間マスクの当該孔の当該辺の延在方向に延在し、前記補助アノードにおける、当該補助アノードの延在方向の両方の端部から中央に向かう端部近傍領域は、ゼロよりも大きい電気伝導率を有するとともに前記めっき液の電気伝導率よりも低い電気伝導率を有する抵抗体によって被覆され、当該補助アノードの前記端部近傍領域よりも前記中央の側の領域は、前記抵抗体によって被覆されておらず、当該補助アノードの表面が露出している。
上記の態様1において、前記抵抗体の電気伝導率は、前記抵抗体が被覆されている前記補助アノードの延在方向で中央側から端部側に向かうに従って低くなっていてもよい。
上記の態様1又は2において、前記抵抗体は、複数の孔を有し、前記抵抗体における前記孔の密度が前記中央側から前記端部側に向かうに従って低くなることで、前記抵抗体の電気伝導率が前記中央側から前記端部側に向かうに従って低くなっていてもよい。
上記の態様1~3のいずれか1態様によれば、前記補助アノードの前記端部近傍領域の当該補助アノードの延在方向の長さは、当該補助アノードの全長の10%以下の長さであってもよい。
上記の態様1~4のいずれか1態様において、前記補助アノードを内部に収容する収容部を備え、前記収容部には、前記基板の方を向くように開口した開口が設けられ、前記開口は、前記めっき液に含まれる金属イオンが通過することは許容する一方で前記補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する隔膜によって閉塞されていてもよい。
10 めっき槽
20 基板ホルダ
30 アノード
51 隔膜
60a,60b,60c,60d 補助アノード
65 抵抗体
66 孔
70 中間マスク
70a 孔
71 収容部
71a 開口
72a,72b,72c,72d 辺
Ps めっき液
Wf 基板
90a,90b,90c,90d 基板の辺
Claims (5)
- めっき液が貯留されるとともに、アノードが配置されためっき槽と、
カソードとしての基板であって複数の辺を有する角形の基板を当該基板が前記アノードに対向するように保持する基板ホルダと、
前記めっき槽の内部における前記アノードと前記基板との間に配置されて、前記アノードと前記基板との間を流れる電流が通過可能な孔を有する中間マスクと、
補助アノードと、を備え、
前記中間マスクの前記孔は、前記基板の前記複数の辺にそれぞれ対応する複数の辺を有する角形の孔であり、
前記補助アノードは、前記基板と前記中間マスクとの間に、前記中間マスクの前記孔の少なくとも1つの辺に対応するように配置され、且つ、前記中間マスクの当該孔の当該辺の延在方向に延在し、
前記補助アノードにおける、当該補助アノードの延在方向の両方の端部から中央に向かう端部近傍領域は、ゼロよりも大きい電気伝導率を有するとともに前記めっき液の電気伝導率よりも低い電気伝導率を有する抵抗体によって被覆され、当該補助アノードの前記端部近傍領域よりも前記中央の側の領域は、前記抵抗体によって被覆されておらず、当該補助アノードの表面が露出している、めっき装置。 - 前記抵抗体の電気伝導率は、前記抵抗体が被覆されている前記補助アノードの延在方向で中央側から端部側に向かうに従って低くなっている、請求項1に記載のめっき装置。
- 前記抵抗体は、複数の孔を有し、
前記抵抗体における前記孔の密度が前記中央側から前記端部側に向かうに従って低くなることで、前記抵抗体の電気伝導率が前記中央側から前記端部側に向かうに従って低くなっている、請求項1又は2に記載のめっき装置。 - 前記補助アノードの前記端部近傍領域の当該補助アノードの延在方向の長さは、当該補助アノードの全長の10%以下の長さである、請求項1~3のいずれか1項に記載のめっき装置。
- 前記補助アノードを内部に収容する収容部を備え、
前記収容部には、前記基板の方を向くように開口した開口が設けられ、
前記開口は、前記めっき液に含まれる金属イオンが通過することは許容する一方で前記補助アノードの表面から発生した酸素が通過することは抑制する隔膜によって閉塞されている、請求項1~4のいずれか1項に記載のめっき装置。
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Patent Citations (2)
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