TW202219328A - 鍍覆裝置之氣泡去除方法及鍍覆裝置 - Google Patents

Abstract

本發明揭示一種鍍覆裝置的氣泡去除方法以及鍍覆裝置。本發明提供一種能夠抑制因滯留在隔膜的下表面的氣泡而導致基板的鍍覆品質變差的技術。鍍覆裝置的氣泡去除方法是將具備鍍覆槽（10）和基板保持件（30）的鍍覆裝置（1000）中的陽極室（13）的氣泡去除的氣泡去除方法，其包括：從設置於陽極室的外周部（12）的至少一個供給口（70）向陽極室供給鍍覆液（Ps），使以與供給口對置的方式設置於陽極室的外周部的至少一個排出口（71）吸入該供給的鍍覆液，由此在陽極室中的隔膜（61）的下表面（61a）形成沿著該下表面的鍍覆液的剪切流（Sf）。

Description

鍍覆裝置之氣泡去除方法及鍍覆裝置

本發明係關於一種鍍覆裝置的氣泡去除方法以及鍍覆裝置。本申請主張基於在2020年10月1日申請的日本專利申請編號第2020-166868號的優先權。日本專利申請編號第2020-166868號的包括說明書、發明申請專利範圍、附圖以及摘要的全部的公開內容通過參照而整體被本申請引用。

以往，作為對基板實施鍍覆處理的鍍覆裝置，公知有所謂的杯式的鍍覆裝置（例如，參照專利文獻1）。這樣的鍍覆裝置具備：鍍覆槽，配置有陽極；和基板保持件，配置於比陽極靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為基板的鍍覆面與陽極對置。

在這樣的鍍覆裝置中，鍍覆液中含有的添加劑的成分由於陽極側的反應而分解或反應，由此可能會生成對鍍覆產生不良影響的成分（將這稱為“由添加劑成分引起的不良影響”）。因此，開發了如下技術：將允許金屬離子的通過且抑制添加劑的通過的隔膜配置在陽極與基板之間，並在被劃分為比該隔膜靠下方側的區域（稱為陽極室）配置陽極，由此抑制由添加劑成分引起的不良影響（例如，參照專利文獻1、專利文獻2）。

[專利文獻1]：日本特開2008-19496號公報 [專利文獻2]：美國專利第6821407號說明書

在上述那樣的具有隔膜的杯式的鍍覆裝置中，由於某些原因，有可能在陽極室產生氣泡。在這樣在陽極室產生氣泡，該氣泡滯留在隔膜的下表面的情況下，存在因該氣泡而導致基板的鍍覆品質變差的擔憂。

本發明是鑑於上述狀況而完成的，其目的之一在於提供一種能夠抑制因滯留在隔膜的下表面的氣泡而導致基板的鍍覆品質變差的技術。

（方式1） 為了實現上述目的，本發明的一個方式所涉及的鍍覆裝置的氣泡去除方法是將鍍覆裝置中的上述陽極室的氣泡去除的氣泡去除方法，上述鍍覆裝置具備：鍍覆槽，配置有隔膜，並且在被劃分於比上述隔膜靠下方側的陽極室配置有陽極；和基板保持件，配置於比上述陽極室靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為上述基板的被鍍覆面與上述陽極對置，上述氣泡去除方法包括：從設置於上述陽極室的外周部的至少一個供給口向上述陽極室供給鍍覆液，使該供給的鍍覆液被吸入於以與上述供給口對置的方式設置於上述陽極室的上述外周部的至少一個排出口，由此在上述陽極室中的上述隔膜的下表面形成沿著上述下表面的鍍覆液的剪切流。

根據該方式，能夠使陽極室的氣泡隨著剪切流，從排出口有效地排出。由此，能夠抑制氣泡滯留在隔膜的下表面，從而能夠抑制因該氣泡而導致基板的鍍覆品質變差。

（方式2） 上述方式1可以還包括：在將從上述陽極室排出的鍍覆液中包含的氣泡去除後，使該鍍覆液返回到上述陽極室。根據該方式，能夠向陽極室供給不含氣泡的鍍覆液。

（方式3） 為了實現上述目的，本發明的一個方式所涉及的鍍覆裝置具備：鍍覆槽，配置有隔膜，並且在被劃分於比上述隔膜靠下方側的陽極室配置有陽極；基板保持件，配置於比上述陽極室靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為上述基板的被鍍覆面與上述陽極對置；至少一個供給口，設置於上述陽極室的外周部，向上述陽極室供給鍍覆液；以及至少一個排出口，以與上述供給口對置的方式設置於上述陽極室的上述外周部，將上述陽極室的鍍覆液吸入並從上述陽極室排出，上述供給口及上述排出口構成為通過上述排出口吸入從上述供給口供給的鍍覆液，從而在上述陽極室中的上述隔膜的下表面形成沿著上述下表面的鍍覆液的剪切流。

根據該方式，能夠使陽極室的氣泡隨著剪切流，從排出口有效地排出。由此，能夠抑制氣泡滯留在隔膜的下表面，從而能夠抑制因該氣泡而導致基板的鍍覆品質變差。

（方式4） 在上述方式3中，可以在從下方側觀察上述陽極室的仰視觀察時，上述供給口配置於上述陽極室的上述外周部中的比上述陽極室的中心線靠一方側的位置，在上述仰視觀察時，上述排出口配置於上述陽極室的上述外周部中的比上述中心線靠另一方側的位置，從上述隔膜的上述下表面到上述排出口的距離與從上述下表面到上述供給口的距離相等。根據該方式，能夠容易地形成沿著隔膜的下表面，並且夾著陽極室的中心線從一方側朝向另一方側的剪切流。

（方式5） 在上述方式4中，可以是上述供給口遍及上述陽極室的上述外周部中的比上述中心線靠上述一方側的整週地配置，上述排出口遍及上述陽極室的上述外周部中的比上述中心線靠上述另一方側的整週地配置。根據該方式，能夠在隔膜的下表面，容易地形成整體上沿著隔膜的下表面並且夾著陽極室的中心線從一方側朝向另一方側的剪切流。由此，能夠將陽極室的氣泡從排出口有效地排出。

（方式6） 上述方式5可以還具備引導構件，該引導構件配置於上述隔膜的上述下表面，對沿著上述隔膜的上述下表面流動的剪切流的流動進行引導。根據該方式，通過引導構件引導沿著隔膜61的下表面流動的剪切流，從而能夠將其有效地吸入到各個排出口。

（方式7） 上述方式3~6中的任一方式可以還具備鍍覆液循環裝置，該鍍覆液循環裝置構成為使從上述排出口排出的鍍覆液返回到上述供給口，上述鍍覆液循環裝置具備暫時存積從上述排出口排出的鍍覆液的貯槽，上述貯槽具有將供給至上述貯槽的鍍覆液中包含的氣泡去除的氣泡去除機構。根據該方式，能夠在利用氣泡去除機構將從陽極室的排出口排出的鍍覆液中包含的氣泡去除之後，使上述鍍覆液返回到陽極室的供給口。

（方式8） 在上述方式7中，可以在上述貯槽設置有：第二供給口，與上述排出口連通，並且將從上述排出口排出的鍍覆液供給至上述貯槽；和第二排出口，與上述供給口連通，並且將上述貯槽的鍍覆液從上述貯槽排出，上述第二供給口位於比上述第二排出口靠上方的位置，上述氣泡去除機構具有上述第二供給口及上述第二排出口。根據該方式，能夠抑制從第二供給口供給至貯槽的鍍覆液中包含的氣泡流入第二排出口，並且能夠利用浮力使該氣泡浮起至液面。由此，能夠使不含氣泡的鍍覆液流入第二排出口，因此使不含氣泡的鍍覆液從第二排出口排出，返回到陽極室的供給口。

（方式9） 在上述方式7中，可以在上述貯槽設置有：第二供給口，與上述排出口連通，並且將從上述排出口排出的鍍覆液供給至上述貯槽；第二排出口，與上述供給口連通，並且將上述貯槽的鍍覆液從上述貯槽排出；以及分隔構件，向比上述貯槽的鍍覆液的液面靠上方側突出，並且在不與上述貯槽的底部接觸的範圍內朝向比上述貯槽的液面靠下方側延伸，在上述貯槽的剖面中，上述第二供給口設置於比上述分隔構件靠一方側，上述第二排出口設置於比上述分隔構件靠另一方側，上述氣泡去除機構具有上述分隔構件。根據該方式，能夠抑制從貯槽的第二供給口供給至貯槽的鍍覆液中包含的氣泡流入比分隔構件靠另一方側（第二排出口的一方側）。由此，能夠在將從第二供給口供給至貯槽的鍍覆液中包含的氣泡去除之後，使上述鍍覆液從第二排出口排出，返回到陽極室的供給口。

（方式10） 在上述方式7~9中的任一方式中，上述鍍覆液循環裝置可以在鍍覆液的流動方向上從上述排出口到上述貯槽之間的部位進一步具備排氣配管，該排氣配管將在該部位流動的鍍覆液中包含的氣體排放到大氣中。根據該方式，能夠將從排出口排出並向貯槽流動的鍍覆液中的氣泡所含的氣體經由排氣配管排放到大氣中。由此，能夠使該氣泡消失。

以下，參照附圖對本發明的實施方式進行說明。此外，在以下的實施方式、實施方式的變形例中，往往對相同或對應的結構標註相同的附圖標記並適當省略說明。另外，附圖是為了容易理解實施方式的特徵而示意性地圖示的，各構成要素的尺寸比率等不限於與實際的相同。另外，在幾個附圖中，作為參考用，圖示了X-Y-Z的正交坐標。該正交坐標中的，Z方向相當於上方，－Z方向相當於下方（重力作用的方向）。

（鍍覆裝置的整體結構） 圖1是表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的立體圖。圖2是表示本實施方式的鍍覆裝置的整體結構的俯視圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000具備裝載口100、輸送機械臂110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、清洗模組500、旋轉沖洗乾燥模組600、輸送裝置700以及控制模組800。

裝載口100是用於將收納於未圖示的FOUP等盒的基板搬入於鍍覆裝置1000或者從鍍覆裝置1000向盒搬出基板的模組。在本實施方式中，4台裝載口100沿水平方向排列配置，但裝載口100的數量及配置是任意的。輸送機械臂110是用於輸送基板的機械臂，構成為在裝載口100、對準器120以及輸送裝置700之間交接基板。輸送機械臂110及輸送裝置700能夠在輸送機械臂110與輸送裝置700之間交接基板時，經由未圖示的臨時放置台進行基板的交接。

對準器120是用於使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準的模組。在本實施方式中，2台對準器120沿水平方向排列配置，但對準器120的數量及配置是任意的。預濕模組200是通過使純水或脫氣水等處理液潤濕鍍覆處理前的基板的被鍍覆面，將在基板表面形成的圖案內部的空氣置換為處理液。預濕模組200構成為實施通過在鍍覆時將圖案內部的處理液置換為鍍覆液而容易向圖案內部供給鍍覆液的預濕處理。在本實施方式中，2台預濕模組200沿上下方向排列配置，但預濕模組200的數量及配置是任意的。

預浸模組300例如構成為實施利用硫酸、鹽酸等處理液對在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面形成的種晶層表面等存在的電阻大的氧化膜進行蝕刻去除而對鍍覆基底表面進行清洗或活化的預浸處理。在本實施方式中，2台預浸模組300沿上下方向排列配置，但預浸模組300的數量及配置是任意的。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。在本實施方式中，沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台鍍覆模組400的組件為兩組，合計設置有24台鍍覆模組400，但鍍覆模組400的數量及配置是任意的。

清洗模組500構成為為了去除鍍覆處理後的基板上殘留的鍍覆液等而對基板實施清洗處理。在本實施方式中，2台清洗模組500沿上下方向排列配置，但清洗模組500的數量及配置是任意的。旋轉沖洗乾燥模組600是用於使清洗處理後的基板高速旋轉而使其乾燥的模組。在本實施方式中，2台旋轉沖洗乾燥模組沿上下方向排列配置，但旋轉沖洗乾燥模組的數量及配置是任意的。輸送裝置700是用於在鍍覆裝置1000內的多個模組之間輸送基板的裝置。控制模組800構成為控制鍍覆裝置1000的多個模組，例如能夠由具備與操作人員之間的輸入輸出接口的一般的計算機或專用計算機構成。

對鍍覆裝置1000進行的一系列鍍覆處理的一個例子進行說明。首先，將收納於盒的基板搬入於裝載口100。接著，輸送機械臂110從裝載口100的盒取出基板，並將基板輸送至對準器120。對準器120使基板的定向平面、凹口等的位置與規定的方向對準。輸送機械臂110將由對準器120對準了方向的基板交接給輸送裝置700。

輸送裝置700將從輸送機械臂110接收到的基板輸送給預濕模組200。預濕模組200對基板實施預濕處理。輸送裝置700將實施了預濕處理的基板輸送給預浸模組300。預浸模組300對基板實施預浸處理。輸送裝置700將實施了預浸處理的基板輸送給鍍覆模組400。鍍覆模組400對基板實施鍍覆處理。

輸送裝置700將實施了鍍覆處理的基板輸送給清洗模組500。清洗模組500對基板實施清洗處理。輸送裝置700將實施了清洗處理的基板輸送給旋轉沖洗乾燥模組600。旋轉沖洗乾燥模組600對基板實施乾燥處理。輸送裝置700將實施了乾燥處理的基板交接給輸送機械臂110。輸送機械臂110將從輸送裝置700接收到的基板輸送給裝載口100的盒。最後，將收納基板的盒從裝載口100搬出。

此外，在圖1、圖2中說明的鍍覆裝置1000的結構只不過是一個例子，鍍覆裝置1000的結構不限定於圖1、圖2的結構。

接著，對鍍覆模組400進行說明。此外，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000所具有的多個鍍覆模組400具有相同的結構，因此對一個鍍覆模組400進行說明。

圖3是示意性地表示本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000中的一個鍍覆模組400的結構的圖。圖4是放大表示鍍覆模組400的鍍覆槽10的附近區域的示意性剖視圖。如圖3及圖4所示，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000是杯式的鍍覆裝置。本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000的鍍覆模組400具備鍍覆槽10、溢流槽20、基板保持件30、旋轉機構40、升降機構45以及鍍覆液循環裝置50。

如圖4所示，本實施方式所涉及的鍍覆槽10由在上方具有開口的有底的容器構成。具體而言，鍍覆槽10具有底部11和從該底部11的外周緣向上方延伸的外周部12（換言之，外周側壁部），該外周部12的上部開口。此外，鍍覆槽10的外周部12的形狀沒有特別限定，本實施方式所涉及的外周部12作為一個例子，具有圓筒形狀。在鍍覆槽10的內部存積有鍍覆液Ps。

作為鍍覆液Ps，只要是含有構成鍍膜的金屬元素的離子的溶液即可，其具體例沒有特別限定。在本實施方式中，作為鍍覆處理的一個例子，使用鍍銅處理，作為鍍覆液Ps的一個例子，使用硫酸銅溶液。另外，在本實施方式中，鍍覆液Ps中含有規定的添加劑。但是，不限定於該結構，鍍覆液Ps也能夠是不含添加劑的結構。

在鍍覆槽10的內部配置有陽極60。具體而言，本實施方式所涉及的陽極60配置於鍍覆槽10的底部11。另外，本實施方式所涉及的陽極60配置為沿水平方向延伸。

陽極60的具體種類沒有特別限定，可以是不溶解陽極，也可以是溶解陽極。在本實施方式中，作為陽極60的一個例子，使用不溶解陽極。該不溶解陽極的具體種類沒有特別限定，能夠使用白金、氧化銥等。

在鍍覆槽10的內部，在比陽極60靠上方配置有隔膜61。具體而言，隔膜61配置於陽極60與基板Wf（陰極）之間的部位。隔膜61的外周部經由保持構件62（參照圖4的A1部分、A2部分的放大圖），與鍍覆槽10的外周部12連接。另外，本實施方式所涉及的隔膜61配置為隔膜61的面方向為水平方向。

鍍覆槽10的內部被隔膜61沿上下方向分割為兩部分。將被劃分於比隔膜61靠下方側的區域且配置有陽極60的區域稱為陽極室13。將比隔膜61靠上方側的區域稱為陰極室14。

隔膜61由允許金屬離子的通過，並且抑制鍍覆液Ps所含的添加劑的通過的膜構成。即，在本實施方式中，陰極室14的鍍覆液含有添加劑，但陽極室13的鍍覆液Ps不含添加劑。但是，不限定於該結構，例如陽極室13的鍍覆液Ps也可以含有添加劑。然而，在這種情況下，陽極室13的添加劑的濃度也比陰極室14的添加劑的濃度低。隔膜61的具體種類沒有特別限定，能夠使用公知的隔膜。若列舉該隔膜61的具體例，則例如能夠使用電解隔膜，作為該電解隔膜的具體例，例如能夠使用株式會社Yuasa Membrane Systems制的鍍覆用電解隔膜，或者使用離子交換膜等。

如本實施方式那樣，通過鍍覆裝置1000具備隔膜61，能夠抑制鍍覆液Ps所含的添加劑的成分由於陽極側的反應而分解或反應，由此能夠抑制產生生成對鍍覆產生不良影響的成分的現象（即，“由添加劑成分引起的不良影響”）。

在本實施方式中，在鍍覆槽10的內部配置有電阻體63。電阻體63設置於陰極室14中的隔膜61與基板Wf之間的部位。電阻體63由具有多個孔（細孔）的多孔性的板構件構成。電阻體63是為了實現在陽極60與基板Wf之間形成的電場的均勻化而設置的構件。這樣，鍍覆裝置1000具有電阻體63，由此能夠容易地實現形成於基板Wf的鍍膜（鍍覆層）的膜厚的均勻化。此外，該電阻體63不是本實施方式必需的構件，鍍覆裝置1000也能夠為不具備電阻體63的結構。

溢流槽20配置於鍍覆槽10的外側，由有底的容器構成。溢流槽20是為了暫時存積超過鍍覆槽10的外周部12的上端的鍍覆液Ps（即，從鍍覆槽10溢出的鍍覆液Ps）而設置的槽。暫時存積於溢流槽20的鍍覆液Ps從溢流槽20用的排出口72排出後，暫時存積於溢流槽20用的貯槽（未圖示）。存積於該貯槽的鍍覆液Ps之後通過溢流用的泵（未圖示）再次循環至陰極室14。

基板保持件30將作為陰極的基板Wf保持為基板Wf的被鍍覆面Wfa與陽極60對置。換言之，基板保持件30將基板Wf保持為基板Wf的被鍍覆面Wfa朝向下方。如圖3所示，基板保持件30與旋轉機構40連接。旋轉機構40是用於使基板保持件30旋轉的機構。旋轉機構40與升降機構45連接。升降機構45由沿上下方向延伸的支柱46支承。升降機構45是用於使基板保持件30及旋轉機構40升降的機構。此外，基板Wf及陽極60與通電裝置（未圖示）電連接。通電裝置是用於在執行鍍覆處理時，使電流在基板Wf與陽極60之間流動的裝置。

如圖3所示，鍍覆液循環裝置50是用於使從鍍覆槽10排出的鍍覆液Ps返回到鍍覆槽10的裝置。本實施方式所涉及的鍍覆液循環裝置50具備貯槽51、泵52、過濾器53以及多個配管（配管54a、配管54b）。

配管54a是構成為將陽極室13的鍍覆液Ps供給至貯槽51的配管。配管54b是構成為向陽極室13供給貯槽51的鍍覆液Ps的配管。

泵52及過濾器53配置於配管54b。泵52是將貯槽51的鍍覆液Ps向鍍覆槽10壓送的流體壓送裝置。過濾器53是去除鍍覆液Ps中包含的異物的裝置。此外，貯槽51的詳細內容在後面敘述。

在執行鍍覆處理時，首先，通過鍍覆液循環裝置50使鍍覆液Ps循環。接下來，旋轉機構40使基板保持件30旋轉，並且升降機構45使基板保持件30向下方移動，使基板Wf浸漬於鍍覆槽10的鍍覆液Ps。接下來，通過通電裝置，使電流在陽極60與基板Wf之間流動。由此，在基板Wf的被鍍覆面Wfa形成鍍膜。

然而，參照圖4，在本實施方式那樣的杯式的鍍覆裝置1000中，由於某些原因，有時在陽極室13產生氣泡Bu。具體而言，如本實施方式那樣，在使用不溶解陽極作為陽極60的情況下，在執行鍍覆處理時（通電時），在陽極室13基於以下的反應式產生氧氣（O2）。在該情況下，該產生的氧氣成為氣泡Bu。

2H ₂O→O ₂+4H ⁺+4e ^-

另外，在假設使用溶解陽極作為陽極60的情況下，不產生上述那樣的反應式，但例如，在將鍍覆液Ps首先導入於鍍覆槽10時，存在於配管54b的內部的空氣有可能與鍍覆液Ps一起流入陽極室13。因此，即使在使用溶解陽極作為陽極60的情況下，也存在在陽極室13產生氣泡Bu的可能性。

如上述那樣，在陽極室13產生氣泡Bu的情況下，假設該氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面61a的情況下，該氣泡Bu有可能切斷電場。在該情況下，基板Wf的鍍覆品質有可能變差。因此，在本實施方式中，為了抑制氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面，抑制因該氣泡Bu而導致基板Wf的鍍覆品質變差，使用以下說明的技術。

圖5是示意性地表示從下方側觀察陽極室13的內部的狀況的仰視圖（底視圖）。在圖5中，對於後述的供給口70及排出口71，示意性地圖示了沿著圖4的B1-B1線切斷的截面。圖5所圖示的中心線13X是在仰視觀察時表示陽極室13的中心的線，並且在本實施方式中，也是表示隔膜61的中心的線。

參照圖4及圖5，鍍覆裝置1000在陽極室13的外周部12具備向陽極室13供給鍍覆液Ps的至少一個供給口70。具體而言，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000具備多個供給口70。另外，鍍覆裝置1000在陽極室13的外周部12具備將陽極室13的鍍覆液Ps吸入並從陽極室13排出的至少一個排出口71，並且設置為與供給口70對置。具體而言，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000具備多個排出口71，該多個排出口71設置為各個排出口71與各個供給口70對置。

供給口70及排出口71構成為排出口71吸入從供給口70供給的鍍覆液Ps，從而在陽極室13中的隔膜61的下表面61a形成沿著該下表面61a的鍍覆液Ps的剪切流Sf。即，本實施方式所涉及的剪切流Sf是與隔膜61的下表面61a平行的方向的流動，這也是水平方向的流動。

根據該結構，能夠使陽極室13的氣泡Bu隨著剪切流Sf，從排出口71有效地排出。由此，能夠抑制氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面61a，從而能夠抑制因該氣泡Bu而導致基板Wf的鍍覆品質變差。

具體而言，如圖5所示，在從下方側觀察陽極室13的仰視觀察時，本實施方式所涉及的供給口70配置於陽極室13的外周部12中的比中心線13X靠一方側（X方向的一方側）的位置。另外，在仰視觀察時，排出口71配置於陽極室13的外周部12中的比中心線13X靠另一方側（－X方向的一方側）的位置。另外，如圖4所示，從隔膜61的下表面61a到排出口71的距離設定為與從隔膜61的下表面61a到供給口70的距離相等。

根據該結構，能夠容易地形成沿著隔膜61的下表面61a並且夾著中心線13X從一方側朝向另一方側的剪切流Sf。

更具體而言，如圖5所示，本實施方式所涉及的供給口70遍及陽極室13的外周部12中的比中心線13X靠一方側的整週地配置。另外，排出口71遍及陽極室13的外周部12中的比中心線13X靠另一方側的整週地配置。換言之，供給口70遍及陽極室13的外周部12的半週部分地配置，排出口71遍及陽極室13的外周部12的另一半週部分地配置。

根據該結構，能夠在隔膜61的下表面61a容易地形成整體上沿著隔膜61的下表面61a並且夾著中心線13X從一方側朝向另一方側的剪切流Sf。由此，能夠將陽極室13的氣泡Bu從排出口71有效地排出。另外，根據該結構，能夠容易地使剪切流Sf為夾著中心線13X從一方側朝向另一方側的均勻的流動，因此能夠抑制渦流的產生。在這一點上，也能夠將陽極室13的氣泡Bu從排出口71有效地排出。

此外，本實施方式所涉及的供給口70將鍍覆液Ps朝向與隔膜61的下表面61a平行的方向（即，水平方向）排出。換言之，本實施方式所涉及的多個供給口70的軸線與隔膜61的下表面61a平行。同樣，本實施方式所涉及的排出口71的軸線也與隔膜61的下表面61a平行。但是，供給口70的軸線不限定於與隔膜61的下表面61a平行。此外，供給口70的另一例在後述的變形例1（圖7）中進行說明。排出口71的軸線也不限定於與隔膜61的下表面61a平行。

另外，在本實施方式中，在相鄰的供給口70之間設置有隔壁73a，在相鄰的排出口71之間也設置有隔壁73b。另外，多個供給口70的上游側的部分合流，將該合流的部分的上游側端部稱為合流口74a。上述配管54b的下游側端部連接於該合流口74a。另外，多個排出口71的下游側的部分合流，將該合流的部分的下游側端部稱為合流口74b。上述配管54a的上游側端部連接於該合流口74b。

但是，供給口70及排出口71的結構不限定於此。例如，也能夠是多個供給口70的上游側不合流的結構，即各個供給口70的上游側經由配管54b與貯槽51連接的結構。同樣，也能夠是多個排出口71的下游側不合流的結構，即，各個排出口71的下游側經由配管54a與貯槽51連接的結構。

另外，供給口70及排出口71的個數也只要能夠形成剪切流Sf，則不限定於多個。例如，鍍覆裝置1000也能夠形成為分別僅具備一個供給口70及排出口71的結構。

另外，在鍍覆裝置1000分別具備一個供給口70及排出口71的情況下，將供給口70遍及陽極室13的外周部12中的比中心線13X靠一方側的整週地配置，將排出口71遍及比中心線13X靠另一方側的整週地配置的情況下，例如，只要不具備圖5所示的隔壁73a及隔壁73b即可。即，在該情況下，在圖5中，通過沒有隔壁73a，相鄰的供給口70被連接而成為一個大的供給口。同樣，通過沒有隔壁73b，相鄰的排出口71被連接而成為一個大的排出口。在該情況下，能夠獲得在比中心線13X靠一方側遍及整週地配置有一個供給口70，並且在比中心線13X靠另一方側遍及整週地配置有一個排出口71的結構。

另外，從隔膜61的下表面61a到供給口70及排出口71的距離的具體值沒有特別限定，但優選為盡可能小的值，這在能夠在隔膜61的下表面61a有效地形成剪切流Sf這一點上優選。若列舉優選的例子，則從隔膜61的下表面61a到供給口70及排出口71的距離優選為從隔膜61的下表面61a到陽極60的上表面60a的距離（將其稱為“隔膜·陽極間距離”）的1／2以下，更優選為該隔膜·陽極間距離的1／4以下，進一步優選為該隔膜·陽極間距離的1／8以下。

此外，具體而言，“到供給口70的距離”只要是“到供給口70的下游側端面的任意部位的距離”即可，例如，可以是到供給口70的下游側端面的上端的距離，也可以是到供給口70的下游側端面的中心的距離，也可以是到供給口70的下游側端面的下端的距離。同樣，具體而言，“到排出口71的距離”只要是“到排出口71的上游側端面的任意部位的距離”即可，例如，可以是到排出口71的上游側端面的上端的距離，也可以是到排出口71的上游側端面的中心的距離，也可以是到排出口71的上游側端面的下端的距離。

接著，對貯槽51的詳細內容進行說明。圖6是本實施方式所涉及的貯槽51的示意性剖視圖。參照圖3及圖6，貯槽51是用於暫時存積從陽極室13的排出口71排出的鍍覆液的槽。本實施方式所涉及的貯槽51由在上方具有開口的有底的容器構成。即，本實施方式所涉及的貯槽51具有底部55和從該底部55的外周緣向上方延伸的外周部56，該外周部56的上部開口。此外，貯槽51的上部不限定於本實施方式那樣開口的結構，例如，也可以是封閉的。貯槽51的外周部56的具體形狀沒有特別限定，本實施方式所涉及的外周部56作為一個例子具有圓筒形狀。

另外，在貯槽51設置有供給口57（即，“第二供給口”）、以及排出口58（即，“第二排出口”）。供給口57是構成為經由配管54a與陽極室13的排出口71連通，並且將從該排出口71排出的鍍覆液Ps供給至貯槽51的供給口。即，從陽極室13的排出口71排出的鍍覆液Ps經由配管54a流入該供給口57，並從該供給口57被供給至貯槽51。

排出口58是構成為經由配管54b與陽極室13的供給口70連通，並且將貯槽51的鍍覆液Ps從貯槽51排出的排出口。即，貯槽51的鍍覆液Ps在從該排出口58被排出後，經由配管54b流入陽極室13的供給口70。

在本實施方式中，供給口57及排出口58設置於貯槽51的外周部56。另外，供給口57位於比排出口58靠上方的位置。即，從貯槽51的鍍覆液Ps的液面Psa到供給口57的距離小於從該液面Psa到排出口58的距離。

根據本實施方式，能夠抑制從供給口57供給至貯槽51的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu流入排出口58，並且能夠利用浮力使該氣泡Bu浮起至液面Psa。由此，能夠使不含氣泡Bu的鍍覆液Ps流入排出口58，從而能夠使不含氣泡Bu的鍍覆液Ps從排出口58排出，返回到陽極室13的供給口70。

即，本實施方式所涉及的供給口57及排出口58具有作為“氣泡去除機構80”的功能，該氣泡去除機構80將供給至貯槽51的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu去除。

根據本實施方式，由於具備上述的氣泡去除機構80，因此能夠在利用氣泡去除機構80將從陽極室13的排出口71排出的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu去除之後，使鍍覆液Ps返回到陽極室13的供給口70。由此，能夠有效地抑制氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面61a，從而能夠有效地抑制因該氣泡Bu而導致基板Wf的鍍覆品質變差。

此外，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000的氣泡去除方法通過上述的鍍覆裝置1000來實現。即，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000的氣泡去除方法包括：從供給口70向陽極室13供給鍍覆液Ps，使排出口71吸入該供給的鍍覆液Ps，由此在陽極室13中的隔膜61的下表面61a形成沿著該下表面61a的鍍覆液Ps的剪切流Sf。另外，本實施方式所涉及的鍍覆裝置1000的氣泡去除方法包括：在將從陽極室13排出的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu去除後，使該鍍覆液Ps返回到陽極室13。該氣泡去除方法的具體內容在上述的鍍覆裝置1000的說明中實質上進行了說明，因此省略氣泡去除方法的進一步詳細的說明。

（變形例1） 接著，對實施方式的變形例1進行說明。圖7是針對本變形例所涉及的鍍覆裝置1000A，放大表示後述的供給口70A的附近部位（A1部分）的示意性剖視圖。本變形例所涉及的鍍覆裝置1000A在具備供給口70A來代替供給口70這一點上，與上述鍍覆裝置1000不同。供給口70A在將鍍覆液Ps向斜上方排出這一點上，與圖4所示的供給口70不同。具體而言，本變形例所涉及的供給口70A配置為與排出口71對置，並且供給口70A的軸線70X與隔膜61的下表面61a交叉。

在本變形例中，也通過排出口71吸入從供給口70A供給的鍍覆液Ps，從而能夠在陽極室13的隔膜61的下表面61a形成沿著該下表面61a的鍍覆液Ps的剪切流Sf。由此，能夠抑制氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面61a，因此能夠抑制因該氣泡Bu而導致基板Wf的鍍覆品質變差。

（變形例2） 接著，對實施方式的變形例2進行說明。圖8是本變形例所涉及的鍍覆裝置1000B的貯槽51B的示意性剖視圖。本變形例所涉及的貯槽51B在供給口57配置在與排出口58相同的高度這一點、以及具備氣泡去除機構80B來代替氣泡去除機構80這一點上，與圖6所示的貯槽51不同。本變形例所涉及的氣泡去除機構80B在不具有供給口57及排出口58，而具有後述的分隔構件59這一點上，與圖6所示的氣泡去除機構80不同。

分隔構件59向比貯槽51B的鍍覆液Ps的液面Psa靠上方側突出，並且在不與貯槽51B的底部55接觸的範圍內向比貯槽51B的液面Psa靠下方延伸。即，分隔構件59的上端59a比液面Psa向上方側突出，分隔構件59的下端59b位於比液面Psa靠下方的位置且在與底部55之間具有間隙。此外，本變形例所涉及的分隔構件59向圖8的Y方向及－Y方向延伸，該Y方向側的端部及－Y方向側的端部與貯槽51B的外周部56連接，由此其位置被固定。但是，分隔構件59向貯槽51B的固定方法不限定於此。

在貯槽51B的剖面中，供給口57（“第二供給口”）設置於比分隔構件59靠一方側（X方向的一方側）。排出口58（“第二排出口”）設置於比分隔構件59靠另一方側（－X方向的一方側）。另外，分隔構件59的下端59b位於比供給口57靠下方的位置。

根據本變形例，能夠抑制從供給口57供給至貯槽51B的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu流入比分隔構件59靠另一方側（排出口58的一方側）。具體而言，從供給口57供給的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu利用浮力而浮起至液面Psa。而且，能夠抑制浮起至該液面Psa的中途的氣泡Bu、浮起至液面Psa的氣泡Bu流入比分隔構件59靠排出口58的一方側。此外，由於分隔構件59的下端59b不與貯槽51B的底部55接觸，因此存積於貯槽51B的比分隔構件59靠供給口57的一方側的鍍覆液Ps能夠通過該下端59b與底部55之間的間隙，流入比分隔構件59靠排出口58的一方側。由此，能夠抑制比分隔構件59靠供給口57的一方側的鍍覆液Ps超過分隔構件59的上端59a而流入排出口58的一方側。

如以上那樣，根據本變形例，能夠在將從供給口57供給至貯槽51B的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu去除之後，使該鍍覆液Ps從排出口58排出，返回到陽極室13的供給口70。由此，能夠有效地抑制氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面61a，從而能夠有效地抑制因該氣泡Bu而導致基板Wf的鍍覆品質變差。

此外，在圖8中，供給口57配置在與排出口58相同的高度，但不限定於該結構。供給口57也可以配置在與排出口58不同的高度。

另外，在本變形例中，分隔構件59的下端59b位於比供給口57靠下方的位置，但不限定於該結構。分隔構件59的下端59b也可以位於比供給口57靠上方的位置。然而，分隔構件59的下端59b位於比供給口57靠下方的位置的情況與該下端59b位於比供給口57靠上方的位置的情況相比，在能夠有效地抑制從供給口57供給的鍍覆液Ps中包含的氣泡Bu通過分隔構件59的下端59b與貯槽51B的底部55之間的間隙，流入比分隔構件59靠排出口58的一方側這一點上，優選。

此外，本變形例所涉及的鍍覆裝置1000B也可以進一步具備上述變形例1所涉及的鍍覆裝置1000A的特徵。

（變形例3） 接著，對實施方式的變形例3進行說明。圖9是放大表示本變形例所涉及的鍍覆裝置1000C的陽極室13的附近區域的示意性剖視圖。本變形例所涉及的鍍覆裝置1000C在還具備引導構件90這一點上，與圖4所示的鍍覆裝置1000不同。圖10是示意性地表示從下方側（圖9的C1方向）觀察引導構件90的狀況的仰視圖。此外，在圖10中，作為參考用，供給口70、排出口71也用假想線（雙點劃線）圖示。另外，圖10也圖示了引導構件90的一部分（A3部分）的示意性立體圖。

如圖9及圖10所示，引導構件90配置於隔膜61的下表面61a。引導構件90是對沿著隔膜61的下表面61a流動的剪切流Sf的流動進行引導的構件。

具體而言，如圖10所示，本變形例所涉及的引導構件90具備多個引導板91。多個引導板91的X方向及－X方向側的端部由上述的保持構件62保持。多個引導板91在沿著陽極室13的中心線13X的方向（Y軸的方向）上排列，以在與彼此相鄰的引導板91之間形成間隙。

多個引導板91中的在沿著中心線13X的方向上配置於端部的引導板91與陽極室13的外周部12之間設置的間隙、以及在相互對置的引導板91之間設置的間隙作為用於將沿著隔膜61的下表面61a流動的剪切流Sf導向從供給口70朝向排出口71的方向的引導流路92發揮功能。在仰視觀察時，該引導流路92配置為將各個供給口70與各個排出口71連通。

根據本變形例，能夠通過引導構件90對從供給口70供給並沿著隔膜61的下表面61a流動的剪切流Sf進行引導並使排出口71有效地吸入。由此，能夠容易地形成強的剪切流Sf。其結果，能夠有效地抑制氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面61a，從而能夠有效地抑制因該氣泡Bu而導致基板Wf的鍍覆品質變差。

此外，本變形例所涉及的鍍覆裝置1000C也可以進一步具備上述變形例1所涉及的鍍覆裝置1000A的特徵以及／或者變形例2所涉及的鍍覆裝置1000B的特徵。

（變形例4） 接著，對實施方式的變形例4進行說明。圖11是放大表示本變形例所涉及的鍍覆裝置1000D的排出口71的附近區域的示意性剖視圖。本變形例所涉及的鍍覆裝置1000D在還具備排氣配管95這一點上，與圖4所示的鍍覆裝置1000不同。此外，在圖11中，作為參考用，還圖示了排氣配管95的附近區域（A4部分）的示意性剖視圖。

排氣配管95是配置在鍍覆液Ps的流動方向上從排出口71到貯槽51之間的部位的、用於將在該部位流動的鍍覆液Ps中包含的氣體排放到大氣中的配管構件。具體而言，本變形例所涉及的排氣配管95與配管54a的中途部位連接，以使配管54a的中途部位與大氣連通。

更具體而言，本變形例所涉及的排氣配管95的一端95a與配管54a的中途部位連通。另外，排氣配管95具有用於將通過排氣配管95的氣體向大氣釋放的大氣釋放孔95c。本變形例所涉及的大氣釋放孔95c作為一個例子，設置於排氣配管95的另一端95b。另外，排氣配管95的另一端95b位於比一端95a靠上方的位置。在配管54a流動的鍍覆液Ps中的氣泡Bu所含的氣體通過排氣配管95，從大氣釋放孔95c被排放到大氣中。由此，該氣泡Bu消失。

根據本變形例，如上述那樣，能夠使從陽極室13向貯槽51流動的鍍覆液Ps的氣泡Bu消失，因此能夠抑制向貯槽51供給的鍍覆液Ps中包含氣泡Bu。由此，能夠抑制從貯槽51返回到陽極室13的鍍覆液Ps中包含氣泡Bu，從而能夠有效地抑制氣泡Bu滯留在隔膜61的下表面61a。其結果，能夠有效地抑制因該氣泡Bu而導致基板Wf的鍍覆品質變差。

此外，本變形例所涉及的鍍覆裝置1000D也可以進一步具備上述的變形例1所涉及的鍍覆裝置1000A的特徵、以及／或者變形例2所涉及的鍍覆裝置1000B的特徵、以及／或者變形例3所涉及的鍍覆裝置1000C的特徵。

以上，對本發明的實施方式、變形例進行了詳細敘述，但本發明不限定於上述特定的實施方式、變形例，在發明申請專利範圍所記載的本發明的主旨的範圍內，能夠進行進一步的各種變形·變更。

10:鍍覆槽 11:底部 12:外周部 13:陽極室 13X:中心線 14:陰極室 20:溢流槽 30:基板保持件 40:旋轉機構 45:升降機構 46:支柱 50:鍍覆液循環裝置 51:貯槽 51B:貯槽 52:泵 53:過濾器 54a:配管 54b:配管 55:底部 56:外周部 57:供給口（第二供給口） 58:排出口（第二排出口） 59:分隔構件 59a:上端 60:陽極 60a:上表面 61:隔膜 61a:下表面 62:保持構件 63:電阻體 70:供給口 70X:軸線 70A:供給口 71:排出口 72:排出口 73a:隔壁 73b:隔壁 74a:合流口 74b:合流口 80:氣泡去除機構 80B:氣泡去除機構 90:引導構件 91:引導板 92:引導流路 95:排氣配管 95a:端 95b:端 95c:大氣釋放孔 100:裝載口 110:輸送機械臂 120:對準器 200:預濕模組 300:預浸模組 400:鍍覆模組 500:清洗模組 600:旋轉沖洗乾燥模組 700:輸送裝置 800:控制模組 1000:鍍覆裝置 1000A:鍍覆裝置 1000B:鍍覆裝置 1000C:鍍覆裝置 1000D:鍍覆裝置 Bu:氣泡 Wf:基板 Wfa:被鍍覆面 Ps:鍍覆液 Psa:液面 Sf:剪切流

圖1係表示實施方式所涉及的鍍覆裝置的整體結構的立體圖。 圖2係表示實施方式所涉及的鍍覆裝置的整體結構的俯視圖。 圖3係示意性地表示實施方式所涉及的鍍覆模組的結構的圖。 圖4係放大表示實施方式所涉及的鍍覆槽的附近區域的示意性剖視圖。 圖5係示意性地表示從下方側觀察實施方式所涉及的陽極室的內部的狀況的仰視圖。 圖6係實施方式所涉及的貯槽的示意性剖視圖。 圖7係放大表示實施方式的變形例1所涉及的鍍覆裝置的供給口的附近部位的示意性剖視圖。 圖8係實施方式的變形例2所涉及的鍍覆裝置的貯槽的示意性剖視圖。 圖9係放大表示實施方式的變形例3所涉及的鍍覆裝置的陽極室的附近區域的示意性剖視圖。 圖10係示意性地表示從下方側觀察實施方式的變形例3所涉及的引導構件的狀況的仰視圖。 圖11係放大表示實施方式的變形例4所涉及的鍍覆裝置的排出口的附近區域的示意性剖視圖。

10:鍍覆槽

11:底部

12:外周部

13:陽極室

14:陰極室

20:溢流槽

30:基板保持件

54a:配管

54b:配管

60:陽極

60a:上表面

61:隔膜

61a:下表面

62:保持構件

63:電阻體

70:供給口

71:排出口

72:排出口

1000:鍍覆裝置

Bu:氣泡

Ps:鍍覆液

Sf:剪切流

Wf:基板

Wfa:被鍍覆面

Claims (10)

1. 一種鍍覆裝置之氣泡去除方法，是將鍍覆裝置中的陽極室的氣泡去除的氣泡去除方法，所述鍍覆裝置具備： 鍍覆槽，配置有隔膜，並且在被劃分於比所述隔膜靠下方側的所述陽極室配置有陽極；和 基板保持件，配置於比所述陽極室靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為所述基板的被鍍覆面與所述陽極對置， 其中，所述氣泡去除方法包括： 從設置於所述陽極室的外周部的至少一個供給口向所述陽極室供給鍍覆液，使該供給的鍍覆液被吸入於以與所述供給口對置的方式設置於所述陽極室的所述外周部的至少一個排出口，從而在所述陽極室中的所述隔膜的下表面形成沿著所述下表面的鍍覆液的剪切流。
2. 如請求項1所述的鍍覆裝置之氣泡去除方法，其中，所述氣泡去除方法還包括：在將從所述陽極室排出的鍍覆液中所包含的氣泡去除後，使該鍍覆液返回到所述陽極室。
3. 一種鍍覆裝置，包括： 鍍覆槽，配置有隔膜，並且在被劃分於比所述隔膜靠下方側的陽極室配置有陽極； 基板保持件，配置於比所述陽極室靠上方的位置，將作為陰極的基板保持為所述基板的被鍍覆面與所述陽極對置； 至少一個供給口，設置於所述陽極室的外周部，向所述陽極室供給鍍覆液；以及 至少一個排出口，以與所述供給口對置的方式設置於所述陽極室的所述外周部，將所述陽極室的鍍覆液吸入並從所述陽極室排出， 所述供給口及所述排出口構成為所述排出口吸入從所述供給口供給的鍍覆液，從而在所述陽極室中的所述隔膜的下表面形成沿著所述下表面的鍍覆液的剪切流。
4. 如請求項3所述的鍍覆裝置，其中，在從下方側觀察所述陽極室的仰視觀察時，所述供給口配置於所述陽極室的所述外周部中的比所述陽極室的中心線靠一方側的位置，在所述仰視觀察時，所述排出口配置於所述陽極室的所述外周部中的比所述中心線靠另一方側的位置，從所述隔膜的所述下表面到所述排出口的距離與從所述下表面到所述供給口的距離相等。
5. 如請求項4所述的鍍覆裝置，其中，所述供給口遍及所述陽極室的所述外周部中的比所述中心線靠所述一方側的整週地配置，所述排出口遍及所述陽極室的所述外周部中的比所述中心線靠所述另一方側的整週地配置。
6. 如請求項5所述的鍍覆裝置，其中，所述鍍覆裝置還具備引導構件，所述引導構件配置於所述隔膜的所述下表面，對沿著所述隔膜的所述下表面流動的剪切流的流動進行引導。
7. 如請求項3所述的鍍覆裝置，其中，所述鍍覆裝置還具備鍍覆液循環裝置，所述鍍覆液循環裝置構成為使從所述排出口排出的鍍覆液返回到所述供給口，所述鍍覆液循環裝置具備暫時存積從所述排出口排出的鍍覆液的貯槽，所述貯槽具有將供給至所述貯槽的鍍覆液中所包含的氣泡去除的氣泡去除機構。
8. 如請求項7所述的鍍覆裝置，其中，在所述貯槽設置有：第二供給口，與所述排出口連通，並且將從所述排出口排出的鍍覆液供給至所述貯槽；和第二排出口，與所述供給口連通，並且將所述貯槽的鍍覆液從所述貯槽排出， 所述第二供給口位於比所述第二排出口靠上方的位置， 所述氣泡去除機構具有所述第二供給口以及所述第二排出口。
9. 如請求項7所述的鍍覆裝置，其中，在所述貯槽設置有：第二供給口，與所述排出口連通，並且將從所述排出口排出的鍍覆液供給至所述貯槽；第二排出口，與所述供給口連通，並且將所述貯槽的鍍覆液從所述貯槽排出；以及分隔構件，向比所述貯槽的鍍覆液的液面靠上方側突出，並且在不與所述貯槽的底部接觸的範圍內向比所述貯槽的液面靠下方側延伸， 在所述貯槽的剖面中，所述第二供給口設置於比所述分隔構件靠一方側，所述第二排出口設置於比所述分隔構件靠另一方側， 所述氣泡去除機構具有所述分隔構件。
10. 如請求項7所述的鍍覆裝置，其中，所述鍍覆液循環裝置在鍍覆液的流動方向上從所述排出口到所述貯槽之間的部位還具備排氣配管，所述排氣配管將在該部位流動的鍍覆液中所包含的氣體排放到大氣中。

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