TWI782379B - 鍍覆裝置 - Google Patents

Abstract

本案所提供的技術可抑制氣泡滯留在電場遮蔽板的下面，本案提供一種鍍覆裝置，係具備：鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且配置有陽極；基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，以前述基板的被鍍覆面與前述陽極相對向的方式保持作為陰極的基板；隔膜，其係將前述鍍覆槽的內部區隔為配置前述陽極的陽極區域、及配置前述基板的陰極區域；及支持構件，其係接觸前述隔膜的下面來支持該隔膜的支持構件，具有沿著前述隔膜的下面遍及前述陽極與前述基板之間的區域延伸的複數橫樑部分，該橫樑部分具有用以由前述陽極與前述基板之間的區域對外部導引氣泡的氣泡導引路。

Description

鍍覆裝置

本發明係關於鍍覆裝置。

以往以對基板施行鍍覆處理的鍍覆裝置而言，已知有所謂杯式的鍍覆裝置（參照例如專利文獻1）。如上所示之鍍覆裝置係具備：配置有陽極的鍍覆槽；及配置在比陽極更為上方，以基板的被鍍覆面與陽極相對向的方式保持作為陰極的基板的基板保持具。

此外，以往係使用溶解於鍍覆液的溶解性陽極或不溶解於鍍覆液的不溶性陽極，來作為陽極。若使用不溶性陽極來進行鍍覆處理，因陽極與鍍覆液的反應會產生氧，在鍍覆液係有包含用以促進或抑制鍍覆膜的成膜速度、或使鍍覆膜的膜質提升的添加劑的情形下，添加劑會與該氧起反應而被分解。此外，亦已知若使用例如含磷銅作為溶解性陽極，因與非電解時由陽極所發生的一價銅起反應，添加劑(特別是促進劑)會產生變質。為防止此情形，若以鍍覆液中的添加劑的濃度保持為一定以上的方式將添加劑隨時追加在鍍覆液即可。但是，由於添加劑昂貴，因此仍以儘可能地抑制添加劑分解的方式為宜。

因此，已提案出在鍍覆液槽內，將配置陽極的空間（陽極區域）、基板及配置陰極的空間（陰極區域），以隔膜區隔，以抑制鍍覆液中的添加劑到達陽極的方式，來抑制添加劑的分解（例如參照專利文獻2）。 ［先前技術文獻］ ［專利文獻］

［專利文獻1］日本特開2008-19496號公報 ［專利文獻1］日本特開2019-218618號公報

[發明所欲解決之問題]

在專利文獻1所例示之習知的杯式的鍍覆裝置中，適用如專利文獻2所例示的技術，考慮在鍍覆槽的內部之陽極與基板之間的部分配置隔膜。但是，若為如上所示之鍍覆裝置，恐有鍍覆液中的氣泡滯留在隔膜的下面之虞。若如上所示氣泡滯留在隔膜的下面，因該氣泡而阻礙基板與陽極的電流，恐會造成基板的鍍覆品質惡化。

本發明係鑑於上述情形而完成者，以提供可抑制氣泡滯留在隔膜的下面的技術為目的之一。 [解決問題之技術手段]

藉由一實施形態，提案一種鍍覆裝置，該鍍覆裝置係具備：鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且配置有陽極；基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，以前述基板的被鍍覆面與前述陽極相對向的方式保持作為陰極的基板；隔膜，其係將前述鍍覆槽的內部區隔為配置前述陽極的陽極區域、及配置前述基板的陰極區域；及支持構件，其係接觸前述隔膜的下面來支持該隔膜的支持構件，具有沿著前述隔膜的下面遍及前述陽極與前述基板之間的區域延伸的複數橫樑部分，該橫樑部分具有用以由前述陽極與前述基板之間的區域對外部導引氣泡的氣泡導引路。藉由該鍍覆裝置，可抑制氣泡滯留在隔膜的下面。

以下一邊參照圖示，一邊說明本發明之實施形態。其中，在以下之實施形態或實施形態的變形例中，針對相同或對應的構成，有標註相同符號且適當省略說明的情形。此外，圖示係為易於理解實施形態的特徵而模式圖示，各構成要素的尺寸比率等並不一定與實際者相同。 ＜鍍覆裝置的全體構成＞

圖1係示出本實施形態之鍍覆裝置的全體構成的斜視圖。圖2係示出本實施形態之鍍覆裝置的全體構成的平面圖。如圖1、2所示，鍍覆裝置1000係具備：載入埠100、搬送機器人110、對準器120、預濕模組200、預浸模組300、鍍覆模組400、洗淨模組500、旋乾機600、搬送裝置700、及控制模組800。

載入埠100係用以將被收納在未圖示的FOUP等匣盒的基板搬入至鍍覆裝置1000、或用以由鍍覆裝置1000將基板搬出至匣盒的模組。在本實施形態中，係以水平方向排列配置4台載入埠100，惟載入埠100的數量及配置為任意。搬送機器人110係用以搬送基板的機器人，以在載入埠100、對準器120、及搬送裝置700之間收授基板的方式構成。搬送機器人110及搬送裝置700係當在搬送機器人110與搬送裝置700之間收授基板時，可透過未圖示的暫置台來進行基板的收授。

對準器120係用以將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向的模組。在本實施形態中係以水平方向排列配置2台對準器120，惟對準器120的數量及配置為任意。預濕模組200係將鍍覆處理前的基板的被鍍覆面以純水或脫氣水等處理液弄濕，藉此將形成在基板表面的圖案內部的空氣置換成處理液。預濕模組200係構成為在鍍覆時將圖案內部的處理液置換為鍍覆液，藉此施行容易對圖案內部供給鍍覆液的預濕處理。在本實施形態中，係以上下方向排列配置2台預濕模組200，惟預濕模組200的數量及配置為任意。

預浸模組300係構成為將例如形成在鍍覆處理前的基板的被鍍覆面的種層表面等所存在的電阻大的氧化膜，施行以硫酸或鹽酸等處理液進行蝕刻去除而將鍍覆基底表面進行洗淨或活性化的預浸處理。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台預浸模組300，惟預浸模組300的數量及配置為任意。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。在本實施形態中，以上下方向排列配置3台而且以水平方向排列配置4台的12台鍍覆模組400的集合有2個，設有合計24台鍍覆模組400，惟鍍覆模組400的數量及配置為任意。

洗淨模組500係構成為對基板施行洗淨處理，俾以去除殘留在鍍覆處理後的基板的鍍覆液等。在本實施形態中，係以上下方向排列配置2台洗淨模組500，惟洗淨模組500的數量及配置為任意。旋乾機600係用以使洗淨處理後的基板高速旋轉而乾燥的模組。在本實施形態中係以上下方向排列配置2台旋乾機，惟旋乾機的數量及配置為任意。搬送裝置700係用以在鍍覆裝置1000內的複數模組間搬送基板的裝置。控制模組800係構成為控制鍍覆裝置1000的複數模組，可由具備例如與操作人員之間的輸出入介面的一般電腦或專用電腦所構成。

說明藉由鍍覆裝置1000所為之一連串鍍覆處理之一例。首先，被收納在匣盒的基板搬入至載入埠100。接著，搬送機器人110係由載入埠100的匣盒取出基板，將基板搬送至對準器120。對準器120係將基板的定向平面或凹口等的位置對合在預定的方向。搬送機器人110係將以對準器120將方向對合的基板對搬送裝置700進行收授。

搬送裝置700係將由搬送機器人110所收取到的基板搬送至預濕模組200。預濕模組200係對基板施行預濕處理。搬送裝置700係將已施行預濕處理的基板搬送至預浸模組300。預浸模組300係對基板施行預浸處理。搬送裝置700係將已施行預浸處理的基板搬送至鍍覆模組400。鍍覆模組400係對基板施行鍍覆處理。

搬送裝置700係將已被施行鍍覆處理的基板搬送至洗淨模組500。洗淨模組500係對基板施行洗淨處理。搬送裝置700係將已被施行洗淨處理的基板搬送至旋乾機600。旋乾機600係對基板施行乾燥處理。搬送裝置700係將已被施行乾燥處理的基板對搬送機器人110進行收授。搬送機器人110係將由搬送裝置700所收取到的基板搬送至載入埠100的匣盒。最後，由載入埠100搬出收納有基板的匣盒。

其中，圖1或圖2中所說明的鍍覆裝置1000的構成僅為一例，鍍覆裝置1000的構成並非僅限定於圖1或圖2的構成者。 ＜鍍覆模組＞

接著，說明鍍覆模組400。其中，本實施形態之鍍覆裝置1000所具有的複數鍍覆模組400係具有相同構成，因此僅說明一個鍍覆模組400。 ＜第1實施形態＞

圖3係示出鍍覆裝置1000中的第1實施形態的鍍覆模組400的構成的模式剖面圖。本實施形態之鍍覆裝置1000係杯式的鍍覆裝置。鍍覆裝置1000的鍍覆模組400係具備：鍍覆槽10、基板保持具30、旋轉機構40、升降機構45、及阻力體56。

本實施形態之鍍覆槽10係藉由在上方具有開口的有底容器所構成。具體而言，鍍覆槽10係具有：底部11、及由該底部11的外周緣朝上方延伸的外周部12（換言之為外周側壁部），該外周部12的上部形成有開口。其中，鍍覆槽10的外周部12的形狀並非為特別限定者，惟本實施形態之外周部12係以具有圓筒形狀作為一例。在鍍覆槽10的內部係貯留有鍍覆液Ps。其中，在鍍覆模組400係另外設有被設為用以暫時貯留越過鍍覆槽10的外周部12的上端的鍍覆液Ps（亦即，由鍍覆槽10溢流的鍍覆液Ps）的溢流槽。

以鍍覆液Ps而言，若為含有構成鍍覆被膜的金屬元素的離子的溶液即可，其具體例並非為特別限定者。在本實施形態中，以鍍覆處理之一例而言，係使用銅鍍覆處理，以鍍覆液Ps之一例而言，係使用硫酸銅溶液。

在鍍覆槽10的內部係配置有陽極50。具體而言，本實施形態之陽極50係配置在鍍覆槽10的底部11。此外，本實施形態之陽極50係配置成朝水平方向延伸。

陽極50的具體種類並非為特別限定者，可為不溶解陽極，亦可為溶解陽極。在本實施形態中，以陽極50之一例而言，係使用不溶解陽極。該不溶解陽極的具體種類並非為特別限定者，係可使用鉑或氧化銥等。

基板保持具30係以基板Wf的被鍍覆面Wfa與陽極50相對向的方式保持作為陰極的基板Wf。換言之，基板保持具30係以基板Wf的被鍍覆面Wfa朝向下方的方式保持基板Wf。在基板保持具30係連接有旋轉機構40。旋轉機構40係用以使基板保持具30旋轉的機構。此外，在旋轉機構40係連接有升降機構45。升降機構45係藉由朝鉛直方向延伸的支柱46予以支持。升降機構45係用以使基板保持具30及旋轉機構40以鉛直方向作升降的機構。其中，基板Wf及陽極50係與通電裝置（未圖示）作電性連接。通電裝置係在執行鍍覆處理時，用以在基板Wf與陽極50之間流通電流的裝置。

阻力體56係設在陽極50與基板Wf之間，以與陽極50及基板Wf形成平行的方式作配置。在本實施形態中，阻力體56係連接於鍍覆槽10的外周部12的周方向的全體，以上面視具有圓板狀的形狀。阻力體56係藉由具有複數孔的多孔質的構件所構成。具體而言，複數孔係形成為將比阻力體56更為上方側的區域與比阻力體56更為下方側的區域相連通。其中，阻力體56的具體材質並非為特別限定者，惟在本例中作為一例，係使用聚醚醚酮等樹脂。此外，在本實施形態中，並非為限定者，惟阻力體56係設在後述之陰極區域16。其中，鍍覆模組400亦可不具備阻力體56。

執行鍍覆處理時，首先，旋轉機構40使基板保持具30旋轉，並且升降機構45使基板保持具30朝下方移動，而使基板Wf浸漬在鍍覆槽10的鍍覆液Ps。接著，藉由通電裝置，電流在陽極50與基板Wf之間流通。藉此，在基板Wf的被鍍覆面Wfa形成鍍覆被膜。

此外，鍍覆模組400係具備以上下方向區隔鍍覆槽10的內部的隔膜14。鍍覆槽10的內部係藉由隔膜14而被區隔為陰極區域16與陽極區域18。隔膜14係例如陽離子交換膜般的離子交換膜、或中性隔膜。隔膜14並不會有使鍍覆液Ps中的添加劑通過的情形，可在鍍覆處理時使陽離子由陽極側通過至陰極側。作為隔膜14的具體一例而言，列舉諸如（股）Yuasa Membrane製造的YuMiCRON（註冊商標）。

隔膜14係藉由被支持構件20所支持而被配置在鍍覆槽10內。支持構件20係被固定在鍍覆槽10的外周部（外周側壁部）12，作為一例。其中，支持構件20亦可形成為藉由螺釘等緊固具而被固定在鍍覆槽10的外周部12者，亦可構成為與鍍覆槽10的外周部12為一體的構件。其中，支持構件20係可以各種方法支持隔膜14。以一例而言，支持構件20亦可以上下方向夾著隔膜14予以支持。此外，以一例而言，隔膜14亦可使用接著劑或螺釘等緊固具而被固定在支持構件20。

圖4係由鉛直上方示出第1實施形態的鍍覆槽10與支持構件20的模式圖。其中，在圖4中，為易於理解，在支持構件20（複數橫樑部分210）附上影線。此外，在圖4中，橫樑部分210係表示上下方向中的投影形狀，包含後述之上面部222與側面部224來示出。支持構件20係具有沿著隔膜14的下面遍及陽極50與基板Wf之間的區域延伸的複數橫樑部分210。以下，由上方觀看，在陽極50與基板Wf之間的區域中，存在支持構件20（橫樑部分210）的區域亦稱為「遮蔽區域」，不存在支持構件20（橫樑部分210）的區域亦稱為「非遮蔽區域」。在圖4所示之例中，複數橫樑部分210的各個係由鍍覆槽10的外周部12的一端側朝另一端側以直線狀延伸且彼此平行而設。此外，在圖4所示之例中，複數橫樑部分210的各個係具有同一寬幅（圖4中為上下方向的長度）Wb。此外，複數橫樑部分210的各個係以均等間隔作配置。換言之，複數橫樑部分210彼此的間隙，亦即各非遮蔽區域的寬幅（上下方向的長度）Ws係形成為相同。

但是，並非限定於該例，亦可在複數橫樑部分210之中，接近鍍覆槽10（或基板Wf）的中央的橫樑部分210（第1橫樑部分）具有第1寬幅Wb，遠離鍍覆槽10的中央的橫樑部分210（第2橫樑部分）具有比第1寬幅Wb為更大或更小的第2寬幅Wb。以一例而言，亦可複數橫樑部分210之中，愈為接近鍍覆槽10的中央的橫樑部分210，寬幅Wb愈小，愈為遠離鍍覆槽10的中央的橫樑部分210，寬幅Wb愈大。

此外，亦可橫樑部分210彼此的間隙，亦即複數非遮蔽區域之中，接近鍍覆槽10（或基板Wf）的中央的區域（第1非遮蔽區域）係具有第1寬幅Ws，遠離鍍覆槽10的中央的區域（第2非遮蔽區域）係具有大於或小於第1寬幅Ws的第2寬幅Ws。以一例而言，亦可複數非遮蔽區域之中，愈為接近鍍覆槽10的中央的區域，寬幅Ws愈大，愈為遠離鍍覆槽10的中央的橫樑部分，寬幅Ws愈小。

此外，複數橫樑部分210並非限定於以直線狀延伸者，以一例而言，亦可為波形狀、或曲面狀。此外，複數橫樑部分210並非限定於彼此平行設置，以一例而言，亦可以放射狀延伸而彼此相連接。

此外，複數橫樑部分210較佳為存在於陽極50與基板Wf之間的面積（亦即遮蔽區域）為基板Wf的被鍍覆面Wfa的40百分比以下。此係基於若遮蔽區域為基板Wf的被鍍覆面Wfa的40百分比以下，因支持構件20所致之陽極50與基板Wf的電流的阻礙的影響小之故。其中，複數橫樑部分210係以遮蔽區域為基板Wf的被鍍覆面Wfa的30百分比以下為較佳，以20百分比以下為更佳。

其中，在本實施形態中，複數橫樑部分210並未設在遠離基板Wf的中央的端部區域（圖4中係上端區域及下端區域）。但是，並非限定於該例，複數橫樑部分210亦可設在端部區域。

但是，尤其有在陽極區域18的鍍覆液Ps包含氣泡Bu的情形。具體而言，該氣泡Bu係對鍍覆槽10供給鍍覆液Ps時鍍覆液Ps所包含的氣泡Bu、或在執行鍍覆處理中由陽極50所發生的氣泡Bu。假設，若該氣泡Bu滯留於隔膜14的下面，因氣泡Bu而阻礙陽極50與基板Wf的電流，恐造成基板Wf的鍍覆品質惡化。因此，為解決該問題，在本實施形態中，支持構件20中的複數橫樑部分210的各個係具有用以由陽極50與基板Wf之間的區域將氣泡導引至外部的氣泡導引路。

圖5係模式示出第1實施形態的橫樑部分210之由下方觀看的斜視圖。其中在圖5中，為易於理解，將隔膜14以影線表示。如圖5所示，第1實施形態中的橫樑部分210的各個係具有在下方形成開口的導引溝，作為氣泡導引路220。亦即，複數橫樑部分210的各個係具有：接觸隔膜14的上面部222、及由上面部222的短邊方向的兩端朝下方延伸的側面部224，藉由側面部224與上面部222來劃定氣泡導引路220。

此外，在本實施形態中，以作為氣泡導引路220的導引溝朝向下方擴展的方式，側面部224係相對上面部222傾斜而設。換言之，作為氣泡導引路220的導引溝係形成為朝向橫樑部分210中的短邊方向的中心側變窄的錐形狀。藉此，可將氣泡適當捕集在氣泡導引路220內。但是，並非限定於該例，以一例而言，側面部224亦可沿著鉛直而設。其中，如圖5所示，若橫樑部分210中的側面部224由上面部222朝向外側呈傾斜，側面部224的下端彼此的距離相當於橫樑部分210的寬幅Wb，鄰接的橫樑部分210中的側面部224的下端彼此的距離相當於非遮蔽區域的寬幅Ws。亦即，「遮蔽區域」係由下觀看時隔膜14覆蓋在橫樑部分210的區域，「非遮蔽區域」係由下觀看時隔膜14未覆蓋在橫樑部分210的區域。

圖6係模式示出第1實施形態的橫樑部分210的長邊方向剖面的圖。如圖5及圖6所示，在本實施形態中，作為氣泡導引路220的導引溝係具有朝向鍍覆槽10的中心側而在下方形成為凸的傾斜面。亦即，尤其如圖6所示，橫樑部分210中的上面部222係由鍍覆槽10的中心朝向外側而在上方呈傾斜。藉此，在圖6中，如白圈及粗線箭號所示，可朝向鍍覆槽10的外側導引已進入至氣泡導引路220的氣泡Bu。其中，在圖5及圖6所示之例中，橫樑部分210中的上面部222係以直線狀傾斜，惟並非限定於該例，亦可以曲面狀傾斜作為一例。

再次參照圖3及圖4，第1實施形態的鍍覆模組400係在陽極區域18中，具備將橫樑部分210中的氣泡導引路220與鍍覆槽10的外部相連接的連接流路15。在圖3所示之例中，連接流路15係貫穿鍍覆槽10的外周部12，沿著外周部12的外周面而延伸至鍍覆槽10的上端。

藉由如上所示之構成，在本實施形態中的鍍覆模組400中，如圖3中的粗線箭號等所示，可將存在於陽極區域18的氣泡Bu，藉由支持構件20（氣泡導引路220），由陽極50與基板Wf之間有效逸逃至外部。具體而言，存在於陽極區域18的氣泡Bu係被捕集在支持構件20的氣泡導引路220而被導引至連接流路15，由連接流路15被排出至鍍覆槽10的外部。藉此，可抑制氣泡Bu滯留在隔膜14的下面。因此，可抑制基板Wf的鍍覆品質惡化。 ＜第2實施形態＞

圖7係示出鍍覆裝置1000中的第2實施形態的鍍覆模組400A的構成的模式剖面圖。第2實施形態的鍍覆模組400A在於支持隔膜14的支持構件20A及其周邊構成與第1實施形態的鍍覆模組400不同，在其他方面係與第1實施形態的鍍覆模組400相同。在第2實施形態的鍍覆模組400A中，針對與第1實施形態的鍍覆模組400相同的構成，係標註相同符號，且省略重複說明。

在第2實施形態中，隔膜14亦藉由支持構件20A而被配置在鍍覆槽10內。支持構件20A係與第1實施形態的支持構件20同樣地，被固定在鍍覆槽10的外周部12，作為一例。圖8係由鉛直上方示出第2實施形態的鍍覆槽10與支持構件20A的模式圖。其中，在圖8中，為了容易理解，在支持構件20A（複數橫樑部分210A）附上影線。此外，在圖8中，橫樑部分210A係表示上下方向中的投影形狀。支持構件20A係與第1實施形態的支持構件20同樣地，具有沿著隔膜14的下面遍及陽極50與基板Wf之間的區域延伸的複數橫樑部分210A。其中，與第1實施形態中針對複數橫樑部分210所說明的同樣地，第2實施形態的複數橫樑部分210A並非為限定於圖8等所示之例者。

圖9係模式示出第2實施形態的橫樑部分210A之由下方觀看的斜視圖。其中，在圖9中，為易於理解，係以影線表示隔膜14。如圖9所示，第2實施形態中的橫樑部分210A的各個係由中空構件所形成，在其內部劃定有氣泡導引路220A。在圖9所示之例中，各橫樑部分210A係具有矩形狀的橫剖面，具有：接觸隔膜14的下面的上面部222A、側面部224A、及下面部226A。接著，在下面部226A係形成有將橫樑部分210A的內部（亦即氣泡導引路220A）、與橫樑部分210A的外部（亦即鍍覆槽10的陽極區域18）相連接的複數開口216A。在圖9所示之例中，複數開口216A的各個係正圓狀，惟並非限定於該例，以一例而言，亦可為橢圓形狀，亦可為多角形形狀。此外，在圖9所示之例中，複數開口216A係形成在橫樑部分210A的下面部226A，惟亦可取代此，或另外形成在橫樑部分210A的側面部224A。

再次參照圖7及圖8，第2實施形態的鍍覆模組400A係具備有：將橫樑部分210A中的氣泡導引路220A、與鍍覆槽10的外部相連接的循環流路15A。如圖7所示，在第2實施形態中，循環流路15A係通過鍍覆槽10的外部，在比支持構件20A為更低的位置，再次連接於鍍覆槽10內。其中，在圖8中，以一例而言，複數橫樑部分210A中的氣泡導引路220A連接於1個循環流路15A。在循環流路15A係設有泵60，其係以鍍覆液Ps在氣泡導引路220A流動的方式吸引鍍覆液Ps。泵60係相當於「流路生成機構」之一例，可採用周知的各種泵。其中，鍍覆模組400A亦可取代吸引氣泡導引路220A內的鍍覆液Ps的泵60，或除此之外，具備有藉由對鍍覆槽10內壓送鍍覆液Ps，使鍍覆液Ps由氣泡導引路220流至外部的其他機構。此外，在循環流路15A係設有氣液分離器62，其係用以去除在循環流路15A流通的鍍覆液Ps所包含的氣泡Bu。氣液分離器62係可採用周知的各種機構。

藉由驅動泵60，氣泡導引路220A內的鍍覆液Ps流至鍍覆槽10外部（參照圖7中粗線箭號），通過氣液分離器62而再次返回至鍍覆槽10內（參照圖7中一點鏈線）。藉此，可將存在於陽極區域18的氣泡Bu，通過橫樑部分210A的複數開口216A而吸引至氣泡導引路220A。接著，已進入至氣泡導引路220A的氣泡Bu係連同鍍覆液Ps一起流至鍍覆槽10外部，且在氣液分離器62中由鍍覆液Ps分離。藉此，與第1實施形態同樣地，可將存在於陽極區域18的氣泡Bu排出至鍍覆槽10的外部（參照圖7中粗線箭號）。因此，可抑制氣泡Bu滯留在隔膜14的下面，且可抑制基板Wf的鍍覆品質惡化。 ＜變形例＞

圖10係模式示出第2實施形態的變形例的橫樑部分210B之對應圖9的圖。在變形例中，複數橫樑部分210B係具有圓形的橫剖面，形成為中空而在內部劃定有氣泡導引路220B。亦即，複數橫樑部分210B係圓筒狀。此外，在複數橫樑部分210B的側方係形成有複數開口216B。其中，複數開口216B亦可不設在側方、而改設在下方或是任意場所，或是不只是設在側方、也更加設在下方或是任意場所。在該例中，亦具有與上述複數橫樑部分210A同樣的功能／效果。

其中，在第2實施形態的橫樑部分210A、210B中，氣泡導引路220A、220B亦可在其上面形成傾斜面。以一例而言，氣泡導引路220A、220B亦可具有愈接近泵60愈成為鉛直上方的傾斜面。此外，上述第1實施形態的鍍覆模組400亦可以鍍覆液通過氣泡導引路220而流至外部的方式具備泵60。在該情形下，複數橫樑部分210的上面部222亦可不具有傾斜面。

本發明亦可記載為以下形態。 ［形態1］藉由形態1，提案一種鍍覆裝置，前述鍍覆裝置係具備：鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且配置有陽極；基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，以前述基板的被鍍覆面與前述陽極相對向的方式保持作為陰極的基板；隔膜，其係將前述鍍覆槽的內部區隔為配置前述陽極的陽極區域、及配置前述基板的陰極區域；及支持構件，其係接觸前述隔膜的下面來支持該隔膜的支持構件，具有沿著前述隔膜的下面遍及前述陽極與前述基板之間的區域延伸的複數橫樑部分，該橫樑部分具有用以由前述陽極與前述基板之間的區域對外部導引氣泡的氣泡導引路。藉由形態1，可抑制氣泡滯留在隔膜的下面。

［形態2］藉由形態2，在形態1中，前述橫樑部分係具有在下方形成開口的導引溝，作為前述氣泡導引路。

［形態3］藉由形態3，在形態2中，前述導引溝係具有隨著朝向前述鍍覆槽的中心側，在下方形成為凸的傾斜面。藉由形態3，可藉由導引溝適當收集氣泡。

［形態4］藉由形態4，在形態2或3中，前述導引溝係形成為朝向前述橫樑部分中的短邊方向的中心側變窄的錐形狀。

［形態5］藉由形態5，在形態1中，前述橫樑部分係形成為在內部劃定前述氣泡導引路的中空狀，具有將前述氣泡導引路與前述陽極區域相連接的複數開口。

［形態6］藉由形態6，在形態5中，前述複數開口的至少一部分係形成在前述橫樑部分的下方。

［形態7］藉由形態7，在形態5或6中，前述複數開口的至少一部分係形成在前述橫樑部分的側方。

［形態8］藉由形態8，在形態1至7中，另外具備：流路生成機構，其係以鍍覆液通過前述氣泡導引路而流至前述外部的方式將鍍覆液進行吸引或壓送。

［形態9］藉由形態9，在形態1至8中，前述支持構件係由上方觀看，存在於前述基板的被鍍覆區域與前述陽極之間的面積為前述基板的前述被鍍覆區域中的40百分比以下。藉由形態9，可減少因支持構件所致之陽極與基板的電流的阻礙的影響。

［形態10］藉由形態10，在形態1至9中，前述複數橫樑部分的各個係由上方觀看以直線狀彼此平行延伸。

［形態11］藉由形態11，在形態1至10中，前述橫樑部分係具有矩形狀的橫剖面。

［形態12］藉由形態12，在形態1至10中，前述橫樑部分係圓筒狀。

［形態13］藉由形態13，在形態1至12中，另外具備：旋轉機構，其係用以使前述基板保持具旋轉。

［形態14］藉由形態14，在形態1至13中，另外具備：多孔質的阻力體，其係在前述鍍覆槽的內部被配置在前述陽極與前述基板之間，前述隔膜與前述支持構件係配置在比前述阻力體更為下方側。

以上詳述本發明之實施形態或變形例，惟本發明並非為限定於該特定的實施形態或變形例者，可在申請專利範圍所記載之本發明之要旨的範圍內，作進一步的各種變形／變更／省略／附加。

10:鍍覆槽 11:底部 12:外周部 14:隔膜 15:連接流路 15A:循環流路 16:陰極區域 18:陽極區域 20, 20A, 20B:支持構件 210, 210A, 210B:橫樑部分 216A, 216B:開口 220, 220A, 220B:氣泡導引路 30:基板保持具 40:旋轉機構 45:升降機構 46:支柱 50:陽極 56:阻力體 60:泵 62:氣液分離器 100:載入埠 110:搬送機器人 120:對準器 200:預濕模組 222, 222A:上面部 224, 224A:側面部 226A:下面部 300:預浸模組 400, 400A:鍍覆模組 500:洗淨模組 600:旋乾機 700:搬送裝置 800:控制模組 1000:鍍覆裝置 Wb, Ws:寬幅 Wf:基板 Wfa:被鍍覆面 Ps:鍍覆液 Bu:氣泡

圖1係示出實施形態之鍍覆裝置的全體構成的斜視圖。 圖2係示出實施形態之鍍覆裝置的全體構成的平面圖。 圖3係示出鍍覆裝置中的第1實施形態的鍍覆模組的構成的模式剖面圖。 圖4係由鉛直上方示出第1實施形態的鍍覆槽與支持構件的模式圖。 圖5係模式示出第1實施形態的橫樑部分之由下方觀看的斜視圖。 圖6係模式示出第1實施形態的橫樑部分的長邊方向剖面的圖。 圖7係示出鍍覆裝置中的第2實施形態的鍍覆模組400A的構成的模式剖面圖。 圖8係由鉛直上方示出第2實施形態的鍍覆槽與支持構件的模式圖。 圖9係模式示出第2實施形態的橫樑部分之由下方觀看的斜視圖。 圖10係模式示出第2實施形態的變形例的橫樑部分之對應圖9的圖。

10:鍍覆槽

11:底部

12:外周部

14:隔膜

15:連接流路

16:陰極區域

18:陽極區域

20:支持構件

30:基板保持具

40:旋轉機構

45:升降機構

46:支柱

50:陽極

56:阻力體

400:鍍覆模組

1000:鍍覆裝置

Wf:基板

Wfa:被鍍覆面

Ps:鍍覆液

Bu:氣泡

Claims (12)

1. 一種鍍覆裝置，其係具備：鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且配置有陽極；基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，以前述基板的被鍍覆面與前述陽極相對向的方式保持作為陰極的基板；隔膜，其係將前述鍍覆槽的內部區隔為配置前述陽極的陽極區域、及配置前述基板的陰極區域；及支持構件，其係接觸前述隔膜的下面來支持該隔膜的支持構件，具有沿著前述隔膜的下面遍及前述陽極與前述基板之間的區域延伸的複數橫樑部分，該橫樑部分具有用以由前述陽極與前述基板之間的區域對外部導引氣泡的氣泡導引路，其中，前述橫樑部分係具有在下方形成開口的導引溝，作為前述氣泡導引路，其中，前述導引溝係具有隨著朝向前述鍍覆槽的中心側，在下方形成為凸的傾斜面。
2. 如請求項1之鍍覆裝置，其中，前述導引溝係形成為朝向前述橫樑部分中的短邊方向的中心側變窄的錐形狀。
3. 一種鍍覆裝置，其係具備：鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且配置有陽極；基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，以前述基板的被鍍覆面與前述陽極相對向的方式保持作為陰極的基板； 隔膜，其係將前述鍍覆槽的內部區隔為配置前述陽極的陽極區域、及配置前述基板的陰極區域；及支持構件，其係接觸前述隔膜的下面來支持該隔膜的支持構件，具有沿著前述隔膜的下面遍及前述陽極與前述基板之間的區域延伸的複數橫樑部分，該橫樑部分具有用以由前述陽極與前述基板之間的區域對外部導引氣泡的氣泡導引路，其中，前述橫樑部分係形成為在內部劃定前述氣泡導引路的中空狀，具有將前述氣泡導引路與前述陽極區域相連接的複數開口。
4. 如請求項3之鍍覆裝置，其中，前述複數開口的至少一部分係形成在前述橫樑部分的下方。
5. 如請求項3之鍍覆裝置，其中，前述複數開口的至少一部分係形成在前述橫樑部分的側方。
6. 如請求項1~5中任一項之鍍覆裝置，其中，另外具備：流路生成機構，其係以鍍覆液通過前述氣泡導引路而流至前述外部的方式將鍍覆液進行吸引或壓送。
7. 一種鍍覆裝置，其係具備：鍍覆槽，其係貯留鍍覆液，並且配置有陽極；基板保持具，其係配置在比前述陽極更為上方，以前述基板的被鍍覆面與前述陽極相對向的方式保持作為陰極的基板；隔膜，其係將前述鍍覆槽的內部區隔為配置前述陽極的陽極區域、及配置前述基板的陰極區域；及 支持構件，其係接觸前述隔膜的下面來支持該隔膜的支持構件，具有沿著前述隔膜的下面遍及前述陽極與前述基板之間的區域延伸的複數橫樑部分，該橫樑部分具有用以由前述陽極與前述基板之間的區域對外部導引氣泡的氣泡導引路，其中，前述支持構件係由上方觀看，存在於前述基板的被鍍覆區域與前述陽極之間的面積為前述基板的前述被鍍覆區域中的40百分比以下。
8. 如請求項7之鍍覆裝置，其中，前述複數橫樑部分的各個係由上方觀看以直線狀彼此平行延伸。
9. 如請求項7之鍍覆裝置，其中，前述橫樑部分係具有矩形狀的橫剖面。
10. 如請求項7之鍍覆裝置，其中，前述橫樑部分係圓筒狀。
11. 如請求項1、3、7中任一項之鍍覆裝置，其中，另外具備：旋轉機構，其係用以使前述基板保持具旋轉。
12. 如請求項1、3、7中任一項之鍍覆裝置，其中，另外具備：多孔質的阻力體，其係在前述鍍覆槽的內部被配置在前述陽極與前述基板之間，前述隔膜與前述支持構件係配置在比前述阻力體更為下方側。

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