CN114916234A - 镀覆装置以及镀覆处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及镀覆装置以及镀覆处理方法。本发明提供一种能够抑制因滞留在隔膜的下表面的工艺气体而导致基板的镀覆品质变差的技术。镀覆装置(1000)具备：镀覆槽(10)，在阳极室(13)配置有阳极(11)；和基板保持件(30)，配置于比阳极室靠上方的位置，并保持作为阴极的基板(Wf)，阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状，镀覆装置还具备：气体存积部(60)，以在与阳极之间具有空间，并且覆盖阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于阳极室，存积从阳极产生的工艺气体；和排出机构(70)，使存积于气体存积部的工艺气体排出到镀覆槽的外部。

Description

镀覆装置以及镀覆处理方法

技术领域

本发明涉及镀覆装置以及镀覆处理方法。

背景技术

以往，作为对基板实施镀覆处理的镀覆装置，公知有所谓的杯式的镀覆装置(例如，参照专利文献1)。这样的镀覆装置具备：镀覆槽，配置有隔膜，并且在被划分于比该隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极；和基板保持件，配置于比阳极室靠上方的位置，保持作为阴极的基板。另外，在这样的现有的镀覆装置中，阳极具有沿水平方向延伸的平板形状。

此外，作为关于本发明的其他现有技术文献，可列举专利文献2。在该专利文献2中，公开了与阳极掩膜相关的技术。具体而言，在该专利文献2中公开了一种镀覆装置，其具备：阳极掩膜，具有供在阳极与基板之间流动的电气通过的开口部；和变更该开口部的大小的机构(称为开口部可变机构)。根据这样的镀覆装置，通过利用开口部可变机构来变更阳极掩膜的开口部的大小，能够使在阳极与基板之间形成的电场的形成方式变化。

专利文献1：日本特开2008-19496号公报

专利文献2：日本特开2017-137519号公报

在上述专利文献1所例示的现有的杯式的镀覆装置中，存在在镀覆处理时从阳极产生的工艺气体滞留在隔膜的下表面的担忧。在该情况下，存在因该工艺气体而导致基板的镀覆品质变差的担忧。

发明内容

本发明是鉴于上述状况而完成的，其目的之一在于提供一种能够抑制因滞留在隔膜的下表面的工艺气体而导致基板的镀覆品质变差的技术。

(方式1)

为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的镀覆装置具备：镀覆槽，配置有隔膜，并且在被划分于比上述隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极；和基板保持件，配置于比上述阳极室靠上方的位置，保持作为阴极的基板，上述阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状，上述镀覆装置还具备：气体存积部，以在与上述阳极之间具有空间，并且覆盖上述阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于上述阳极室，存积从上述阳极产生的工艺气体；和排出机构，使存积于上述气体存积部的工艺气体排出到上述镀覆槽的外部。

根据该方式，能够使从沿上下方向延伸的圆筒形状的阳极产生的工艺气体存积于气体存积部，并通过排出机构使该存积的工艺气体排出到镀覆槽的外部。由此，能够抑制工艺气体滞留在隔膜的下表面，因此能够抑制因该工艺气体而导致基板的镀覆品质变差。

(方式2)

上述方式1也可以还具备：阳极掩膜，配置于上述阳极室，具有供在上述阳极与上述基板之间流动的电气通过的开口部；和阳极移动机构，使上述阳极在上下方向移动。

根据该方式，通过使阳极在上下方向移动，能够使在基板与阳极之间形成的电场的形成方式变化。另外，由于能够以使阳极在上下方向移动的简单的机构，使电场的形成方式变化，因此与镀覆装置具备变更阳极掩膜的开口部的大小的开口部可变机构的情况相比，能够抑制镀覆装置的构造复杂化。

(方式3)

在上述方式2中，上述阳极掩膜也可以配置为上述阳极掩膜的上表面与上述隔膜的下表面接触。

(方式4)

在上述方式2中，上述阳极掩膜也可以配置为在上述阳极掩膜的上表面与上述隔膜的下表面之间形成有空间。

(方式5)

在上述方式2中，上述阳极移动机构也可以经由第一连接部件与上述阳极连接，通过使上述第一连接部件在上下方向移动来使上述阳极在上下方向移动，上述阳极掩膜构成为经由第二连接部件连接于上述第一连接部件，在上述阳极移动机构使上述第一连接部件移动的情况下，与上述阳极一起移动。

(方式6)

另外，为了实现上述目的，本发明的一个方式所涉及的镀覆处理方法是使用镀覆装置的镀覆处理方法，该镀覆装置具备：镀覆槽，配置有隔膜，并且在被划分于比上述隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极；和基板保持件，配置于比上述阳极室靠上方的位置，保持作为阴极的基板，上述阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状，上述镀覆装置还具备：气体存积部，以在与上述阳极之间具有空间，并且覆盖上述阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于上述阳极室，存积从上述阳极产生的工艺气体；和排出机构，使存积于上述气体存积部的工艺气体排出到上述镀覆槽的外部，上述镀覆处理方法包括在对上述基板实施镀覆处理的镀覆处理时，通过上述排出机构使存积于上述气体存积部的工艺气体排出到上述镀覆槽的外部。

根据该方式，能够使从沿上下方向延伸的圆筒形状的阳极产生的工艺气体存积于气体存积部，并通过排出机构使该存积的工艺气体排出到镀覆槽的外部。由此，能够抑制工艺气体滞留在阳极室的隔膜的下表面。其结果，能够抑制因该工艺气体而导致基板的镀覆品质变差。

附图说明

图1是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的立体图。

图2是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的俯视图。

图3是用于说明实施方式所涉及的镀覆模块的结构的图。

图4是实施方式所涉及的阳极的示意性立体图。

图5(A)及图5(B)是用于说明实施方式所涉及的气体存积部及排出机构的示意性剖视图。

图6是实施方式所涉及的排出机构的控制的流程图的一个例子。

图7(A)是实施方式所涉及的隔膜及阳极掩膜的示意性剖视图。图7(B)是实施方式所涉及的阳极掩膜的示意性立体图。

图8是示意性地表示实施方式所涉及的镀覆模块的阳极移动机构的周边结构的剖视图。

图9(A)及图9(B)是表示实施方式所涉及的阳极的上下方向的位置变化的情况下的电场的形成方式的变化的示意性剖视图。

图10(A)是表示实施方式的变形例1所涉及的镀覆装置的阳极掩膜的周边结构的示意性剖视图。图10(B)是表示实施方式的变形例2所涉及的镀覆装置的阳极掩膜的周边结构的示意性剖视图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外，在以下的实施方式、实施方式的变形例中，往往对相同或对应的结构标注相同的附图标记并适当省略说明。另外，附图是为了容易理解实施方式、变形例的特征而示意性地图示的，各构成要素的尺寸比率等不限于与实际的相同。另外，在几个附图中，作为参考用，图示了X-Y-Z的正交坐标。该正交坐标中的、Z方向相当于上方，－Z方向相当于下方(重力作用的方向)。

图1是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的俯视图。如图1及图2所示，镀覆装置1000具备装载口100、输送机械臂110、对准器120、预湿模块200、预浸模块300、镀覆模块400、清洗模块500、旋转冲洗干燥模块600、输送装置700以及控制模块800。

装载口100是用于将收容于未图示的FOUP等盒的基板搬入于镀覆装置1000或者从镀覆装置1000向盒搬出基板的模块。在本实施方式中，4台装载口100沿水平方向排列配置，但装载口100的数量及配置是任意的。输送机械臂110是用于输送基板的机械臂，构成为在装载口100、对准器120以及输送装置700之间交接基板。输送机械臂110及输送装置700能够在输送机械臂110与输送装置700之间交接基板时，经由临时放置台(未图示)进行基板的交接。

对准器120是用于使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准的模块。在本实施方式中，2台对准器120沿水平方向排列配置，但对准器120的数量及配置是任意的。预湿模块200通过利用纯水或脱气水等处理液润湿镀覆处理前的基板的被镀覆面，将在基板表面形成的图案内部的空气置换为处理液。预湿模块200构成为实施通过在镀覆时将图案内部的处理液置换为镀覆液而容易向图案内部供给镀覆液的预湿处理。在本实施方式中，2台预湿模块200沿上下方向排列配置，但预湿模块200的数量及配置是任意的。

预浸模块300例如构成为实施利用硫酸、盐酸等处理液对在镀覆处理前的基板的被镀覆面形成的种子层表面等存在的电阻大的氧化膜进行蚀刻除去而对镀覆基底表面进行清洗或活化的预浸处理。在本实施方式中，2台预浸模块300沿上下方向排列配置，但预浸模块300的数量及配置是任意的。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中，沿上下方向排列3台且沿水平方向排列4台而配置的12台镀覆模块400的组件为两组，合计设置有24台镀覆模块400，但镀覆模块400的数量及配置是任意的。

清洗模块500构成为为了除去镀覆处理后的基板上残留的镀覆液等而对基板实施清洗处理。在本实施方式中，2台清洗模块500沿上下方向排列配置，但清洗模块500的数量及配置是任意的。旋转冲洗干燥模块600是用于使清洗处理后的基板高速旋转而使其干燥的模块。在本实施方式中，2台旋转冲洗干燥模块600沿上下方向排列配置，但旋转冲洗干燥模块600的数量及配置是任意的。输送装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块之间输送基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块，例如能够由具备与操作人员之间的输入输出接口的一般的计算机或专用计算机构成。

对镀覆装置1000进行的一系列镀覆处理的一个例子进行说明。首先，将收容于盒的基板搬入于装载口100。接着，输送机械臂110从装载口100的盒取出基板，并将基板输送至对准器120。对准器120使基板的定向平面、凹口等的位置与规定的方向对准。输送机械臂110将由对准器120对准了方向的基板交接给输送装置700。

输送装置700将从输送机械臂110接收到的基板输送给预湿模块200。预湿模块200对基板实施预湿处理。输送装置700将实施了预湿处理的基板输送给预浸模块300。预浸模块300对基板实施预浸处理。输送装置700将实施了预浸处理的基板输送给镀覆模块400。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。

输送装置700将实施了镀覆处理的基板输送给清洗模块500。清洗模块500对基板实施清洗处理。输送装置700将实施了清洗处理的基板输送给旋转冲洗干燥模块600。旋转冲洗干燥模块600对基板实施干燥处理。输送装置700将实施了干燥处理的基板交接给输送机械臂110。输送机械臂110将从输送装置700接收到的基板输送给装载口100的盒。最后，将收容基板的盒从装载口100搬出。

此外，在图1、图2中说明的镀覆装置1000的结构只不过是一个例子，镀覆装置1000的结构不限定于图1、图2的结构。

接着，对镀覆模块400进行说明。此外，本实施方式所涉及的镀覆装置1000所具有多个镀覆模块400具有相同的结构，因此对一个镀覆模块400进行说明。

图3是用于对本实施方式所涉及的镀覆装置1000的镀覆模块400的结构进行说明的图。本实施方式所涉及的镀覆装置1000是杯式的镀覆装置。本实施方式所涉及的镀覆装置1000的镀覆模块400主要具备镀覆槽10、溢流槽20、基板保持件30、旋转机构40、升降机构45、气体存积部60、排出机构70、液位传感器75以及阳极移动机构80。此外，在图3中，示意性地图示了镀覆槽10、溢流槽20以及基板保持件30的截面。

本实施方式所涉及的镀覆槽10由在上方具有开口的有底的容器构成。具体而言，镀覆槽10具有底壁部10a和从该底壁部10a的外周缘向上方延伸的外周壁部10b，该外周壁部10b的上部开口。此外，镀覆槽10的外周壁部10b的形状没有特别限定，本实施方式所涉及的外周壁部10b作为一个例子，具有圆筒形状。

在镀覆槽10的内部存积有镀覆液Ps。作为镀覆液Ps，只要是含有构成镀膜的金属元素的离子的溶液即可，其具体例没有特别限定。在本实施方式中，作为镀覆处理的一个例子，使用镀铜处理，作为镀覆液Ps的一个例子，使用硫酸铜溶液。另外，在本实施方式中，在镀覆液Ps含有规定的添加剂。但是，不限定于该结构，镀覆液Ps也能够形成为不含添加剂的结构。

在镀覆槽10的内部配置有阳极11。图4是阳极11的示意性立体图。参照图3及图4，本实施方式所涉及的阳极11具有沿上下方向延伸的圆筒形状。如图3所示，作为导电性部件的母线50连接于阳极11的下端。母线50经由布线55与通电装置(未图示)电连接。此外，作为阴极的基板Wf也经由布线(未图示)与该通电装置电连接。

阳极11的具体例只要是产生后述的工艺气体Ga的结构即可，没有特别限定，在本实施方式中，作为阳极11的具体例，使用不溶解阳极。该不溶解阳极的具体种类没有特别限定，能够使用铂、氧化铱等。

根据本实施方式，阳极11具有沿上下方向延伸的圆筒形状，因此能够通过后述的气体存积部60容易地回收从阳极11产生的工艺气体Ga。

如图3所示，在镀覆槽10的内部，在比阳极11靠上方配置有隔膜12。具体而言，隔膜12配置在阳极11与基板Wf(阴极)之间的部位。本实施方式所涉及的隔膜12的外周部与后述的气体存积部60的侧壁部60b连接。另外，本实施方式所涉及的隔膜12配置为隔膜12的面方向成为水平方向。

镀覆槽10的内部被隔膜12在上下方向分割成两部分。将被划分为比隔膜12靠下方侧的区域称为阳极室13。将比隔膜12靠上方侧的区域称为阴极室14。上述的阳极11配置于阳极室13。

隔膜12由允许金属离子通过，并且抑制镀覆液Ps中含有的添加剂通过的膜构成。即，在本实施方式中，阴极室14的镀覆液Ps含有添加剂，但阳极室13的镀覆液Ps不含添加剂。但是，不限定于该结构，例如，阳极室13的镀覆液Ps也可以含有添加剂。然而，在这种情况下，阳极室13的添加剂的浓度也比阴极室14的添加剂的浓度低。隔膜12的具体种类没有特别限定，能够使用公知的隔膜。若列举该隔膜12的具体例，例如能够使用电解隔膜，作为该电解隔膜的具体例，例如，能够使用株式会社Yuasa Membrane Systems制的镀覆用电解隔膜，或者使用离子交换膜等。

如本实施方式那样，镀覆装置1000具备隔膜12，由此能够抑制由于阳极侧的反应而导致镀覆液Ps中含有的添加剂的成分进行分解或反应，由此，能够抑制由于该添加剂的成分的分解或者反应而导致生成对镀覆造成不良影响的成分。

在镀覆槽10设置有用于对阳极室13供给镀覆液Ps的阳极用供给口15。另外，在镀覆槽10设置有用于将阳极室13的镀覆液Ps从阳极室13排出的阳极用排出口16。从阳极用排出口16排出的镀覆液Ps在之后存积于阳极用的贮槽(未图示)，然后从阳极用供给口15被再次供给至阳极室13。

在镀覆槽10设置有用于对阴极室14供给镀覆液Ps的阴极用供给口17。具体而言，在本实施方式所涉及的镀覆槽10的外周壁部10b的与阴极室14对应的部分的一部分设置有向镀覆槽10的中心侧突出的突出部10c，在该突出部10c设置有阴极用供给口17。

溢流槽20配置于镀覆槽10的外侧，由有底的容器构成。溢流槽20是为了存积超过镀覆槽10的外周壁部10b的上端的镀覆液Ps(即，从镀覆槽10溢流的镀覆液Ps)而设置的槽。从阴极用供给口17供给至阴极室14的镀覆液Ps在流入到溢流槽20之后，从溢流槽20用的排出口(未图示)排出，存积于阴极用的贮槽(未图示)。然后，镀覆液Ps从阴极用供给口17被再次供给至阴极室14。

在本实施方式中的阴极室14配置有多孔的电阻体18。具体而言，本实施方式所涉及的电阻体18设置于突出部10c的上端部附近部位。电阻体18由具有多个孔(细孔)的多孔性的板部件构成。但是，电阻体18在本实施方式中不是必须的结构，镀覆装置1000也能够形成为不具备电阻体18的结构。

另外，在本实施方式中，在阳极室13配置有阳极掩膜19。该阳极掩膜19的详细内容在后面叙述。

基板保持件30是用于保持作为阴极的基板Wf的部件。本实施方式所涉及的基板保持件30保持基板Wf以使基板Wf的被镀覆面Wfa朝向下方。基板保持件30与旋转机构40连接。旋转机构40是用于使基板保持件30旋转的机构。作为旋转机构40，能够使用旋转马达等公知的机构。旋转机构40与升降机构45连接。升降机构45由沿上下方向延伸的支轴46支承。升降机构45是用于使基板保持件30及旋转机构40在上下方向升降的机构。作为升降机构45，能够使用直动式致动器等公知的升降机构。

在执行镀覆处理时，旋转机构40使基板保持件30旋转，并且升降机构45使基板保持件30向下方移动，使基板Wf浸渍于镀覆槽10的镀覆液Ps。接下来，通过通电装置，使电气在阳极11与基板Wf之间流动。由此，在基板Wf的被镀覆面Wfa形成镀膜。

镀覆模块400的动作由控制模块800控制。控制模块800具备微型计算机，该微型计算机具备作为处理器的CPU(CentralProcessingUnit：中央处理器)801、作为非暂时性存储介质的存储部802等。在控制模块800中，基于存储于存储部802的程序的指令，CPU801控制镀覆模块400的被控制部的动作。

此外，在本实施方式中，一个控制模块800作为统一控制镀覆模块400的被控制部的控制装置发挥功能，但不限定于该结构。例如，控制模块800可以具备多个控制装置，该多个控制装置分别单独地控制镀覆模块400的各个被控制部。

接着，对气体存积部60及排出机构70进行说明。图5(A)及图5(B)是用于说明气体存积部60及排出机构70的示意性剖视图。具体而言，图5(A)示意性地表示图3的镀覆槽10的排出机构70的周边结构的截面，图5(B)示意性地表示图3的镀覆槽10的液位传感器75的周边结构的截面。

这里，在镀覆装置1000对基板Wf进行镀覆处理时，基于以下的反应式，在阳极室13产生作为工艺气体Ga的氧(O₂)。

2H₂O→O₂+4H⁺+4e^-

在这样的工艺气体Ga滞留在隔膜12的下表面12a的情况下，该工艺气体Ga有可能切断电场。在该情况下，基板Wf的镀覆品质有可能变差。因此，本实施方式所涉及的镀覆模块400为了抑制工艺气体Ga滞留在隔膜12的下表面12a，抑制因该工艺气体Ga而导致基板Wf的镀覆品质变差，而具备以下说明的气体存积部60及排出机构70。

气体存积部60设置于阳极室13。气体存积部60构成为存积从阳极11产生的工艺气体Ga。具体而言，本实施方式所涉及的气体存积部60以在与圆筒形状的阳极11之间具有空间，并且覆盖阳极11的上端11c、外周面11a以及内周面11b(附图标记参照图4)的方式设置于阳极室13。

更具体而言，本实施方式所涉及的气体存积部60具有上壁部60a和侧壁部60b。上壁部60a是与镀覆槽10的外周壁部10b连接，并且配置于比阳极11的上端11c靠上方的部位。侧壁部60b是构成为其上端部与上壁部60a连接，并且从上壁部60a向下方延伸的部位。此外，本实施方式所涉及的上壁部60a具有环状(或者凸缘形状)，侧壁部60b具有圆筒形状。从阳极11产生的工艺气体Ga存积于由镀覆槽10的外周壁部10b、气体存积部60的上壁部60a以及侧壁部60b划分出的区域。

参照图5(A)，排出机构70是构成为将存积于气体存积部60的工艺气体Ga排出到镀覆槽10的外部的机构。具体而言，本实施方式所涉及的排出机构70具备排出管71和配置于该排出管71的开闭阀72。排出管71将气体存积部60与镀覆槽10的外部连通。开闭阀72的开闭动作由控制模块800控制。开闭阀72通常处于闭阀状态。通过使开闭阀72成为开阀状态，气体存积部60的工艺气体Ga通过排出管71，排出到镀覆槽10的外部(具体而言，大气中)。

参照图5(B)，液位传感器75是用于检测气体存积部60中的镀覆液Ps的液面的位置(高度)的传感器。液位传感器75将其检测结果传给控制模块800。在气体存积部60不存在工艺气体Ga的情况下，气体存积部60被镀覆液Ps充满。若在气体存积部60存积有工艺气体Ga，则气体存积部60中的镀覆液Ps的液面降低。这样，气体存积部60中的镀覆液Ps的液面与存积于气体存积部60的工艺气体Ga的量具有相关关系。因此，本实施方式所涉及的控制模块800基于该液位传感器75的检测结果，控制排出机构70。使用流程图说明该控制模块800对排出机构70的控制，如下。

图6是本实施方式所涉及的控制模块800对排出机构70的控制的流程图的一个例子。在步骤S10中，控制模块800判定是否满足开始使气体存积部60的工艺气体Ga排出的条件即“排出开始条件”。

具体而言，在该步骤S10中，控制模块800基于液位传感器75的检测结果，来判定气体存积部60的镀覆液Ps的液面是否位于比规定的基准位置靠下方的位置。控制模块800在判定为镀覆液Ps的液面位于比基准位置靠下方的位置的情况下，判定为满足排出开始条件(是)。

在步骤S10中判定为“是”的情况下，控制模块800使开闭阀72开阀(步骤S11)。由此，气体存积部60的工艺气体Ga被排出到镀覆槽10的外部。

此外，控制模块800在使开闭阀72开阀一次之后，基于液位传感器75的检测结果，判定为气体存积部60的镀覆液Ps的液面位于基准位置或者比该基准位置靠上方的位置的情况下，使开闭阀72返回到闭阀状态即可。或者，控制模块800也可以在从使开闭阀72开阀起经过了预先设定的规定时间后，使开闭阀72返回到闭阀状态(即，在该情况下，开闭阀72在规定时间的期间，成为开阀状态)。

根据以上那样的本实施方式，能够使从沿上下方向延伸的圆筒形状的阳极11产生的工艺气体Ga存积于气体存积部60，并通过排出机构70使存积于该气体存积部60的工艺气体Ga排出到镀覆槽10的外部。由此，能够抑制工艺气体Ga滞留在阳极室13的隔膜12的下表面12a。其结果，能够抑制因该工艺气体Ga而导致基板Wf的镀覆品质变差。

接着，对阳极掩膜19进行说明。图7(A)是隔膜12及阳极掩膜19的示意性剖视图。图7(B)是阳极掩膜19的示意性立体图。参照图3、图7(A)以及图7(B)，阳极掩膜19配置于阳极室13。本实施方式所涉及的阳极掩膜19具有环状。阳极掩膜19具有供在阳极11与基板Wf之间流动的电气通过的开口部19b。在本实施方式中，开口部19b的径(直径)比阳极11的内径小。另外，本实施方式所涉及的阳极掩膜19如图7(A)所示，配置为阳极掩膜19的上表面19a与隔膜12的下表面12a接触。

接着，对阳极移动机构80进行说明。图8是示意性地表示镀覆模块400的阳极移动机构80的周边结构的剖视图。阳极移动机构80是用于使阳极11在上下方向移动的机构。具体而言，本实施方式所涉及的阳极移动机构80经由母线50与阳极11连接。

即，本实施方式所涉及的母线50是连接阳极移动机构80与阳极11的“第一连接部件90”的一个例子。本实施方式所涉及的阳极移动机构80通过使作为该第一连接部件90的母线50在上下方向移动来使阳极11在上下方向移动。

此外，本实施方式所涉及的母线50具备沿上下方向延伸的棒状部50b和与棒状部50b的上端连接且沿水平方向延伸的平板部50a。平板部50a的外周缘与阳极11的下端连接。平板部50a及棒状部50b由导电性的材料构成。另外，本实施方式所涉及的母线50还具备包覆平板部50a及棒状部50b的包覆材料50c。包覆材料50c的具体材质没有特别限定，在本实施方式中，作为一个例子，使用聚四氟乙烯、聚醚醚酮等树脂。

作为阳极移动机构80，只要能够使阳极11在上下方向移动即可，其具体的结构没有特别限定，本实施方式所涉及的阳极移动机构80作为一个例子，由活塞缸机构构成。具体而言，本实施方式所涉及的阳极移动机构80具备缸体81、一边相对于缸体81滑动一边出入缸体81的活塞82、以及驱动活塞82的致动器83。致动器83的动作由控制模块800控制。另外，阳极移动机构80配置为活塞82在上下方向位移。

母线50的棒状部50b(具体而言，覆盖棒状部50b的周围的包覆材料50c)连接于活塞82的上端。致动器83接受控制模块800的指示而使活塞82向上方位移，因此母线50向上方移动，由此，阳极11也向上方移动。另一方面，致动器83接受控制模块800的指示而使活塞82向下方位移，因此母线50向下方移动，由此，阳极11也向下方移动。

此外，在镀覆槽10的底壁部10a设置有用于供母线50的棒状部50b通过的贯通孔，在该贯通孔的内周面设置有密封部件57。通过该密封部件57，能够有效地抑制阳极室13的镀覆液Ps从该贯通孔泄漏到外部。

图9(A)及图9(B)是表示阳极11的上下方向的位置变化的情况下的电场的形成方式的变化的示意性剖视图。具体而言，图9(A)示意性地表示在镀覆处理时阳极11位于相较于图9(B)靠上方的位置的状态的截面，图9(B)示意性地表示在镀覆处理时阳极11位于相较于图9(A)靠下方的位置的状态的截面。图9(A)及图9(B)所图示的“Ef”表示电力线。

如图9(A)及图9(B)所示，通过阳极移动机构80使阳极11向上方及下方移动，从而能够变更基板Wf与阳极11的距离。由此，能够使镀覆处理时在基板Wf与阳极11之间形成的电场的形成方式变化。

另外，根据本实施方式，能够以通过阳极移动机构80使阳极11在上下方向移动的简单的机构，使电场的形成方式变化，因此例如与镀覆装置1000具备变更开口部19b的大小的开口部可变机构的情况相比，能够抑制镀覆装置1000的构造复杂化。由此，能够实现镀覆装置1000的成本的降低。

此外，在本实施方式的情况下，阳极11越向下方移动，通过阳极掩膜19的开口部19b的电力线Ef的密度越大。因此，在想要增大通过阳极掩膜19的开口部19b的电力线Ef的密度的情况下，使阳极11向下方移动即可，相反，在想要降低通过开口部19b的电力线Ef的密度的情况下，使阳极11向上方移动即可。

此外，本实施方式所涉及的镀覆处理方法由上述的镀覆装置1000实现。因此，省略重复的说明，从而省略该镀覆处理方法的详细的说明。

(变形例1)

在上述实施方式中，阳极掩膜19配置为其上表面19a与隔膜12的下表面12a接触(图7(A))，但不限定于该结构。例如，阳极掩膜19也可以配置在以下那样的位置。

图10(A)是表示实施方式的变形例1所涉及的镀覆装置1000A的镀覆模块400A中的阳极掩膜19的周边结构的示意性剖视图。本变形例所涉及的阳极掩膜19配置于如下位置：阳极掩膜19的上表面19a不与隔膜12的下表面12a接触，而在阳极掩膜19的上表面19a与隔膜12的下表面12a之间形成有空间。在本变形例中，也能够起到与上述实施方式相同的作用效果。

(变形例2)

图10(B)是表示实施方式的变形例2所涉及的镀覆装置1000B的镀覆模块400B中的阳极掩膜19的周边结构的示意性剖视图。本变形例所涉及的镀覆模块400B主要在还具备第二连接部件91这一点上，与上述镀覆模块400、镀覆模块400A不同。

第二连接部件91是用于将阳极掩膜19与第一连接部件90(在本变形例中为母线50)连接的部件。由此，本变形例所涉及的阳极掩膜19在为了使阳极11在上下方向移动而阳极移动机构80使第一连接部件90在上下方向移动的情况下，与阳极11一起在上下方向移动。

第二连接部件91的具体例没有特别限定，在本变形例中，作为第二连接部件91的一个例子，使用第二电阻体18B。具体而言，该第二电阻体18B与电阻体18同样，由多孔的部件构成。另外，第二电阻体18B配置于阳极室13中的比阳极11在径向(阳极11的径向)上靠内侧的区域。另外，第二电阻体18B具有圆筒形状。而且，第二电阻体18B的上端与阳极掩膜19连接，第二电阻体18B的下端与覆盖母线50的平板部50a的表面的包覆材料50c连接。

在本变形例中，也能够起到与上述实施方式相同的作用效果。另外，根据本变形例，能够使阳极掩膜19与阳极11一起在上下方向移动。

以上，对本发明的实施方式、变形例进行了详细叙述，但本发明不限定于上述特定的实施方式、变形例，在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内，能够进行进一步的各种变形、变更。

附图标记说明

10…镀覆槽；11…阳极；11a…外周面；11b…内周面；11c…上端；12…隔膜；12a…下表面；13…阳极室；19…阳极掩膜；19a…上表面；19b…开口部；30…基板保持件；60…气体存积部；70…排出机构；80…阳极移动机构；90…第一连接部件；91…第二连接部件；400…镀覆模块；1000…镀覆装置；Wf…基板；Wfa…被镀覆面；Ps…镀覆液；Ef…电力线；Ga…工艺气体。

Claims (6)

1.一种镀覆装置，具备：镀覆槽，配置有隔膜，并且在被划分于比所述隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极；和基板保持件，配置于比所述阳极室靠上方的位置，对作为阴极的基板进行保持，其中，

所述阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状，

所述镀覆装置还具备：

气体存积部，以在与所述阳极之间具有空间，并且覆盖所述阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于所述阳极室，存积从所述阳极产生的工艺气体；和

排出机构，使存积于所述气体存积部的工艺气体排出到所述镀覆槽的外部。

2.根据权利要求1所述的镀覆装置，其中，还具备：

阳极掩膜，配置于所述阳极室，具有供在所述阳极与所述基板之间流动的电气通过的开口部；和

阳极移动机构，使所述阳极在上下方向移动。

3.根据权利要求2所述的镀覆装置，其中，

所述阳极掩膜配置为所述阳极掩膜的上表面与所述隔膜的下表面接触。

4.根据权利要求2所述的镀覆装置，其中，

所述阳极掩膜配置为在所述阳极掩膜的上表面与所述隔膜的下表面之间形成有空间。

5.根据权利要求2所述的镀覆装置，其中，

所述阳极移动机构经由第一连接部件与所述阳极连接，通过使所述第一连接部件在上下方向移动而使所述阳极在上下方向移动，

所述阳极掩膜构成为经由第二连接部件连接于所述第一连接部件，并在所述阳极移动机构使所述第一连接部件移动的情况下与所述阳极一起移动。

6.一种镀覆处理方法，是使用镀覆装置的镀覆处理方法，所述镀覆装置具备：镀覆槽，配置有隔膜，并且在被划分于比所述隔膜靠下方侧的阳极室配置有阳极；和基板保持件，配置于比所述阳极室靠上方的位置，对作为阴极的基板进行保持，其中，

所述阳极具有沿上下方向延伸的圆筒形状，

所述镀覆装置还具备：气体存积部，以在与所述阳极之间具有空间，并且覆盖所述阳极的上端、外周面以及内周面的方式设置于所述阳极室，存积从所述阳极产生的工艺气体；和排出机构，使存积于所述气体存积部的工艺气体排出到所述镀覆槽的外部，

所述镀覆处理方法包括：在对所述基板实施镀覆处理的镀覆处理时，通过所述排出机构使存积于所述气体存积部的工艺气体排出到所述镀覆槽的外部。

Images