JPH11350185A - カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法 - Google Patents
カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法Info
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- JPH11350185A JPH11350185A JP10164568A JP16456898A JPH11350185A JP H11350185 A JPH11350185 A JP H11350185A JP 10164568 A JP10164568 A JP 10164568A JP 16456898 A JP16456898 A JP 16456898A JP H11350185 A JPH11350185 A JP H11350185A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アノードから生じる不純物の影響や不溶
性アノードを使用した際に生じるめっき添加剤の消耗を
防止するともにアノードから発生するバブルの影響も確
実に解消できる技術を提供することを目的とする。 【解決手段】 上端にウェーハ２を載置するウェーハ支
持部３を備えためっき槽１と、めっき槽１底部中央に設
けられた液供給部５と、めっき槽１内部に設けられたア
ノード６と、及びめっき槽１に設けられたアノード６と
ウェーハ２とを隔離する隔膜７とを備えたカップ式めっ
き装置において、隔膜７には、液供給部５から外周に向
かう方向に上昇する傾斜が与えられると共に、めっき槽
１には、隔膜７上端部のアノード６側に集められたバブ
ルを抜けるような位置にガス放出口９を設けたものとし
た。
性アノードを使用した際に生じるめっき添加剤の消耗を
防止するともにアノードから発生するバブルの影響も確
実に解消できる技術を提供することを目的とする。 【解決手段】 上端にウェーハ２を載置するウェーハ支
持部３を備えためっき槽１と、めっき槽１底部中央に設
けられた液供給部５と、めっき槽１内部に設けられたア
ノード６と、及びめっき槽１に設けられたアノード６と
ウェーハ２とを隔離する隔膜７とを備えたカップ式めっ
き装置において、隔膜７には、液供給部５から外周に向
かう方向に上昇する傾斜が与えられると共に、めっき槽
１には、隔膜７上端部のアノード６側に集められたバブ
ルを抜けるような位置にガス放出口９を設けたものとし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体用のウェーハ
にめっきを施す技術に関するものであり、特にカップ式
めっき装置に関するものである。
にめっきを施す技術に関するものであり、特にカップ式
めっき装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体用のウェーハにめっきを施
す装置として、カップ式めっき装置が知られている。こ
のカップ式めっき装置は、めっき槽の上端へ載置された
ウェーハのめっき対象面に、めっき槽の下方からめっき
液を上昇流で供給しめっき処理を行うもので、小ロット
の生産やめっき処理工程の自動化に好適なめっき装置と
して広く用いられている。
す装置として、カップ式めっき装置が知られている。こ
のカップ式めっき装置は、めっき槽の上端へ載置された
ウェーハのめっき対象面に、めっき槽の下方からめっき
液を上昇流で供給しめっき処理を行うもので、小ロット
の生産やめっき処理工程の自動化に好適なめっき装置と
して広く用いられている。
【０００３】しかしながら、このカップ式めっき装置に
は次の二つのような問題点が挙げられる。その一つは、
めっき処理中にアノード表面へ形成される皮膜、例えば
ブラックフィルム等、が剥離してめっきの不純物とな
り、その不純物が上昇流で供給されるめっき液の流動に
従ってウェーハのめっき対象面まで到達し、不均一なめ
っき状性を引き起こすことである。
は次の二つのような問題点が挙げられる。その一つは、
めっき処理中にアノード表面へ形成される皮膜、例えば
ブラックフィルム等、が剥離してめっきの不純物とな
り、その不純物が上昇流で供給されるめっき液の流動に
従ってウェーハのめっき対象面まで到達し、不均一なめ
っき状性を引き起こすことである。
【０００４】もう一つは、アノードに不溶性のものを使
用した場合、めっき性状等をコントロールするために投
入される添加剤が著しく消耗することである。これは、
不溶性アノードを使用する場合、めっき処理中にアノー
ド金属の溶解が生じない代わりに不溶性アノード付近の
添加剤が分解されるためである。このような添加剤の消
耗現象は、めっき処理工程管理を困難とするばかりでな
く、めっき処理コストの増加にもつながる。
用した場合、めっき性状等をコントロールするために投
入される添加剤が著しく消耗することである。これは、
不溶性アノードを使用する場合、めっき処理中にアノー
ド金属の溶解が生じない代わりに不溶性アノード付近の
添加剤が分解されるためである。このような添加剤の消
耗現象は、めっき処理工程管理を困難とするばかりでな
く、めっき処理コストの増加にもつながる。
【０００５】これら二つの問題を解消するには、めっき
槽内に隔膜を配置することが考えられる。つまり、アノ
ード側とウェーハのめっき対象面側とを隔離することで
ある。このめっき槽内に隔膜を配置するものとしては、
例えば実開昭６２−３６５２９号公報、特開平１−２４
２７９７号公報、特開平４−１５４９８９号公報に開示
されている。
槽内に隔膜を配置することが考えられる。つまり、アノ
ード側とウェーハのめっき対象面側とを隔離することで
ある。このめっき槽内に隔膜を配置するものとしては、
例えば実開昭６２−３６５２９号公報、特開平１−２４
２７９７号公報、特開平４−１５４９８９号公報に開示
されている。
【０００６】実開昭６２−３６５２９号公報、特開平１
−２４２７９７号公報に開示されているめっき槽内の隔
膜は、アノード表面全体の上方を覆うように配置され
る。この隔膜の配置は、めっき対象面に対して上昇流で
供給されるめっき液にアノードから発生する不純物の混
入を防止することができる。そして、アノードがウェー
ハのめっき対象面と隔離されることになるので不溶性ア
ノードを使用した際の添加剤の消耗も低減できるものと
いえる。しかしながら、このような隔膜の配置では、め
っき液の供給位置によっては、直接上昇流を遮ることに
なりめっき液流動をスムーズに行えないこととなる。そ
して、めっき槽内に水平方向に配置された隔膜の下側に
は、アノードから発生するバブルや不純物が、常時、滞
留することになり、めっき電流の安定供給等を妨げるこ
とになる。
−２４２７９７号公報に開示されているめっき槽内の隔
膜は、アノード表面全体の上方を覆うように配置され
る。この隔膜の配置は、めっき対象面に対して上昇流で
供給されるめっき液にアノードから発生する不純物の混
入を防止することができる。そして、アノードがウェー
ハのめっき対象面と隔離されることになるので不溶性ア
ノードを使用した際の添加剤の消耗も低減できるものと
いえる。しかしながら、このような隔膜の配置では、め
っき液の供給位置によっては、直接上昇流を遮ることに
なりめっき液流動をスムーズに行えないこととなる。そ
して、めっき槽内に水平方向に配置された隔膜の下側に
は、アノードから発生するバブルや不純物が、常時、滞
留することになり、めっき電流の安定供給等を妨げるこ
とになる。
【０００７】また、例えば特開平４−１５４９８９号公
報には、めっき槽内を隔膜によりアノード側とウェーハ
側とを上下に区画し、その上下に区画されためっき槽内
において、別々にめっき液を供給するようにしたものが
開示されている。これは、隔膜により区画されたアノー
ド側のめっき槽内にもめっき液が供給されるため、その
めっき液の流れに従いバブルや不純物も流動し、上記し
たような隔膜下側への滞留は生じにくい。しかし、水平
方向に配置された隔膜の下側には、不純物やバブルがど
うしても滞留しやすくなる。そして、めっき槽内を上下
に区画してめっき液を別々に供給してはいるものの、上
下に区画されためっき槽内からそれぞれ流出するめっき
液が１つのめっき液貯槽で混ぜ合わされることになって
いるため、めっき液中に不純物が増加し良好なめっき処
理を妨げる要因となる。
報には、めっき槽内を隔膜によりアノード側とウェーハ
側とを上下に区画し、その上下に区画されためっき槽内
において、別々にめっき液を供給するようにしたものが
開示されている。これは、隔膜により区画されたアノー
ド側のめっき槽内にもめっき液が供給されるため、その
めっき液の流れに従いバブルや不純物も流動し、上記し
たような隔膜下側への滞留は生じにくい。しかし、水平
方向に配置された隔膜の下側には、不純物やバブルがど
うしても滞留しやすくなる。そして、めっき槽内を上下
に区画してめっき液を別々に供給してはいるものの、上
下に区画されためっき槽内からそれぞれ流出するめっき
液が１つのめっき液貯槽で混ぜ合わされることになって
いるため、めっき液中に不純物が増加し良好なめっき処
理を妨げる要因となる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情を背景になされたもので、従来の隔膜を配置した
カップ式めっき装置を改善し、アノードから生じる不純
物の影響や不溶性アノードを使用した際に生じるめっき
添加剤の消耗を防止すると同時にアノードから発生する
バブルの影響も確実に解消できる技術を提供せんとする
ものである。
な事情を背景になされたもので、従来の隔膜を配置した
カップ式めっき装置を改善し、アノードから生じる不純
物の影響や不溶性アノードを使用した際に生じるめっき
添加剤の消耗を防止すると同時にアノードから発生する
バブルの影響も確実に解消できる技術を提供せんとする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的のために
本発明では、上端にウェーハを載置するためのウェーハ
支持部を備えためっき槽と、めっき槽底部中央に設けら
れた液供給部と、めっき槽内部に設けられたアノード
と、及び前記めっき槽に設けられたアノードとウェーハ
とを隔離する隔膜とを備えたカップ式めっき装置につい
て、前記隔膜には、液供給部から外周に向かう方向に上
昇する傾斜が与えられると共に、前記めっき槽には、隔
膜上端部のアノード側に集められたバブルを抜けるよう
な位置にガス放出口が設けられているものとした。
本発明では、上端にウェーハを載置するためのウェーハ
支持部を備えためっき槽と、めっき槽底部中央に設けら
れた液供給部と、めっき槽内部に設けられたアノード
と、及び前記めっき槽に設けられたアノードとウェーハ
とを隔離する隔膜とを備えたカップ式めっき装置につい
て、前記隔膜には、液供給部から外周に向かう方向に上
昇する傾斜が与えられると共に、前記めっき槽には、隔
膜上端部のアノード側に集められたバブルを抜けるよう
な位置にガス放出口が設けられているものとした。
【００１０】通常、カップ式めっき装置はめっき槽の底
部中央にめっき液の上昇流を供給する液供給部が設けら
れ、その液供給部の周りにアノードが配置される構造と
なっている。本発明のように、めっき槽底部中央、即ち
液供給部の周囲から外周に向かう方向に上昇する傾斜が
与えらた隔膜を配置すれば、アノード側とウェーハのめ
っき対象面側とが隔膜により隔離されることになる。そ
のため、アノードから生じる不純物はウェーハのめっき
対象面に到達することはなく、また、不溶性アノードを
使用した場合に生じる添加剤の消耗も低減することがで
きる。同時に、めっき処理中にアノードから発生するバ
ブルは隔膜の傾斜に従って隔膜上端部のアノード側に集
まり、隔膜とめっき槽内面との接合位置の下方に設けら
れたガス放出口から外部にバブルが抜けて、バブルがめ
っき対象面へ到達することもなく、隔膜の下側にも滞留
しない。
部中央にめっき液の上昇流を供給する液供給部が設けら
れ、その液供給部の周りにアノードが配置される構造と
なっている。本発明のように、めっき槽底部中央、即ち
液供給部の周囲から外周に向かう方向に上昇する傾斜が
与えらた隔膜を配置すれば、アノード側とウェーハのめ
っき対象面側とが隔膜により隔離されることになる。そ
のため、アノードから生じる不純物はウェーハのめっき
対象面に到達することはなく、また、不溶性アノードを
使用した場合に生じる添加剤の消耗も低減することがで
きる。同時に、めっき処理中にアノードから発生するバ
ブルは隔膜の傾斜に従って隔膜上端部のアノード側に集
まり、隔膜とめっき槽内面との接合位置の下方に設けら
れたガス放出口から外部にバブルが抜けて、バブルがめ
っき対象面へ到達することもなく、隔膜の下側にも滞留
しない。
【００１１】上記本発明によるカップ式めっき装置で用
いる隔膜は、通常のめっき処理に使用される隔膜ならば
どのようなものを使用しても良いが、めっき液の隔離を
十分にするために微細孔の構造を有しているものが好ま
しい。また、この隔膜の種類及び微細孔のサイズ等は、
使用するめっき液や添加剤等の種類を考慮して適宜選択
すれば良いものである。
いる隔膜は、通常のめっき処理に使用される隔膜ならば
どのようなものを使用しても良いが、めっき液の隔離を
十分にするために微細孔の構造を有しているものが好ま
しい。また、この隔膜の種類及び微細孔のサイズ等は、
使用するめっき液や添加剤等の種類を考慮して適宜選択
すれば良いものである。
【００１２】そして、本発明のカップ式めっき装置で
は、良好なめっき処理を長時間維持実現するために、隔
膜により区画されるアノード側のめっき槽内部に供給す
る液と液供給部からウェーハに対して供給する液とを混
合しないような別々の液循環経路を備えたものとした。
このようにすれば、ウェーハに対して供給する液、即ち
めっき液自体はアノードにより酸化されることもなく添
加剤の消耗が抑制されるとともに、アノードから発生す
る不純物等がウェーハに対して供給するめっき液へ混入
しないため、めっき液の管理も容易となるからである。
は、良好なめっき処理を長時間維持実現するために、隔
膜により区画されるアノード側のめっき槽内部に供給す
る液と液供給部からウェーハに対して供給する液とを混
合しないような別々の液循環経路を備えたものとした。
このようにすれば、ウェーハに対して供給する液、即ち
めっき液自体はアノードにより酸化されることもなく添
加剤の消耗が抑制されるとともに、アノードから発生す
る不純物等がウェーハに対して供給するめっき液へ混入
しないため、めっき液の管理も容易となるからである。
【００１３】上記する本発明のカップ式めっき装置を用
いてめっき処理する場合には、ウェーハにめっきする金
属イオンが含まれる電解液を液供給部からウェーハに対
して供給し、ウェーハにめっきする金属イオンが含まれ
ない電解液を隔膜により区画されるアノード側のめっき
槽内部に供給し、これらの電解液を混ざり合わせないよ
うに別々に循環してめっきを施すようにすることがより
好ましい。このようにすることで、ウエーハにめっきす
る金属イオンが含まれる電解液、即ち、めっき液自体の
使用量を少なくすることができ、コスト的に有利にな
る。また、このようにすると隔膜により区画されたアノ
ード側のめっき槽内部に供給する電解液はその液組成を
自由に調整することができるので、例えばこの電解液に
還元剤等を添加して、アノードからのバブル発生を抑制
することもできる。この場合において、めっき槽内の隔
膜によって区画されたアノード側のめっき槽内部に供給
する電解液は、ウェーハに対して供給するめっき液を使
用してもよい。また、ウェーハにめっきする金属イオン
を含まない電解液とは、例えば、ウエーハに対して供給
する電解液が硫酸銅溶液である場合、めっきするＣｕイ
オンが含まれていない電解液、即ち硫酸水溶液等のこと
をいうものである。
いてめっき処理する場合には、ウェーハにめっきする金
属イオンが含まれる電解液を液供給部からウェーハに対
して供給し、ウェーハにめっきする金属イオンが含まれ
ない電解液を隔膜により区画されるアノード側のめっき
槽内部に供給し、これらの電解液を混ざり合わせないよ
うに別々に循環してめっきを施すようにすることがより
好ましい。このようにすることで、ウエーハにめっきす
る金属イオンが含まれる電解液、即ち、めっき液自体の
使用量を少なくすることができ、コスト的に有利にな
る。また、このようにすると隔膜により区画されたアノ
ード側のめっき槽内部に供給する電解液はその液組成を
自由に調整することができるので、例えばこの電解液に
還元剤等を添加して、アノードからのバブル発生を抑制
することもできる。この場合において、めっき槽内の隔
膜によって区画されたアノード側のめっき槽内部に供給
する電解液は、ウェーハに対して供給するめっき液を使
用してもよい。また、ウェーハにめっきする金属イオン
を含まない電解液とは、例えば、ウエーハに対して供給
する電解液が硫酸銅溶液である場合、めっきするＣｕイ
オンが含まれていない電解液、即ち硫酸水溶液等のこと
をいうものである。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を説明
する。図１は本実施形態によるカップ式めっき装置のめ
っき槽断面の概略を表したものである。図１で示すよう
に、本実施形態によるカップ式めっき装置は、めっき槽
１の上部開口に沿ってウェーハ２を載置できるとともに
ウェーハ２を載置した際図示せぬカソードと接続できる
ようにしたウェーハ支持部３と、このウェーハ支持部３
の下側位置にめっき槽１の内部から外部に貫通するめっ
き液流出口４と、めっき槽１底部中央にあるめっき液供
給口５と、図示せぬ供給電源に接続されている不溶性ア
ノード（Ｐｔ／Ｔｉ製）６とを設けたものである。
する。図１は本実施形態によるカップ式めっき装置のめ
っき槽断面の概略を表したものである。図１で示すよう
に、本実施形態によるカップ式めっき装置は、めっき槽
１の上部開口に沿ってウェーハ２を載置できるとともに
ウェーハ２を載置した際図示せぬカソードと接続できる
ようにしたウェーハ支持部３と、このウェーハ支持部３
の下側位置にめっき槽１の内部から外部に貫通するめっ
き液流出口４と、めっき槽１底部中央にあるめっき液供
給口５と、図示せぬ供給電源に接続されている不溶性ア
ノード（Ｐｔ／Ｔｉ製）６とを設けたものである。
【００１５】隔膜７は、めっき液供給口５の周囲から外
周に向かう方向に上昇する傾斜が与えられた状態で配置
され、めっき槽１内周面８に接合させた。そして、その
隔膜７上端とめっき槽内周面８との接合する部分の直下
には、アノード６から発生して隔膜７上端に集まるバブ
ルを抜くためのガス放出口９を設けた。この隔膜７の配
置によって、めっき槽１内部は、ウエーハ２側とアノー
ド６側とに隔離され、アノード６側には区画室１０が作
られることになる。更に、めっき槽１にはガス放出口９
を通して区画室１０からの電解液が流出するようにした
液貯留部１１を設け、その液貯留部１１の一部上方には
ガス放出口９から抜き出てくるバブルをめっき槽１の外
部に排出する補助口１２を設けた。
周に向かう方向に上昇する傾斜が与えられた状態で配置
され、めっき槽１内周面８に接合させた。そして、その
隔膜７上端とめっき槽内周面８との接合する部分の直下
には、アノード６から発生して隔膜７上端に集まるバブ
ルを抜くためのガス放出口９を設けた。この隔膜７の配
置によって、めっき槽１内部は、ウエーハ２側とアノー
ド６側とに隔離され、アノード６側には区画室１０が作
られることになる。更に、めっき槽１にはガス放出口９
を通して区画室１０からの電解液が流出するようにした
液貯留部１１を設け、その液貯留部１１の一部上方には
ガス放出口９から抜き出てくるバブルをめっき槽１の外
部に排出する補助口１２を設けた。
【００１６】区画室１０への電解液の供給は、めっき槽
１底部側に設けた電解液供給口１３より行い、アノード
６下方より徐々に充満され、めっき液供給口５の周りに
設けられた間隙１４を通過して区画室１０内を充満す
る。区画室１０内を充満した電解液はガス放出口９から
液貯留部１１に流出する。区画室１０から流出する電解
液は、液貯留部１１に設けられた電解液排出口１５によ
り、図示せぬ電解液貯槽に送られる。この区画室１０側
に供給される電解液とめっき液供給口５から供給される
めっき液とは、互いに混合しないように異なる液循環経
路としてある。
１底部側に設けた電解液供給口１３より行い、アノード
６下方より徐々に充満され、めっき液供給口５の周りに
設けられた間隙１４を通過して区画室１０内を充満す
る。区画室１０内を充満した電解液はガス放出口９から
液貯留部１１に流出する。区画室１０から流出する電解
液は、液貯留部１１に設けられた電解液排出口１５によ
り、図示せぬ電解液貯槽に送られる。この区画室１０側
に供給される電解液とめっき液供給口５から供給される
めっき液とは、互いに混合しないように異なる液循環経
路としてある。
【００１７】次に、本実施形態におけるカップ式めっき
装置と隔膜を配置していないカップ式めっき装置とを用
いて、添加剤の消耗量を調べた試験結果を示す。添加剤
の消耗量を調べた際のめっき条件及び評価法は以下の表
１に示すとおりである。
装置と隔膜を配置していないカップ式めっき装置とを用
いて、添加剤の消耗量を調べた試験結果を示す。添加剤
の消耗量を調べた際のめっき条件及び評価法は以下の表
１に示すとおりである。
【００１８】
【表１】
【００１９】表２に添加剤の消耗量試験結果を示す。本
実施形態における隔膜７を有したカップ式めっき装置で
は、区画室１０内の電解液としてウェーハ２に対して供
給する硫酸銅溶液と同じものを使用した。添加剤初期濃
度２．０ｍｌ／ｌの硫酸銅溶液を電解液供給口１４より
供給することで区画室１０を充満し、ウェーハ２に対し
ては同じ添加剤初期濃度の硫酸銅溶液をめっき液供給口
５から上昇流で供給し、所定時間めっき処理を行った。
そして、めっき処理後に、区画室１０内の硫酸銅溶液中
の添加剤量と、ウェーハ２側にめっき供給口５から上昇
流で供給した硫酸銅溶液中の添加剤量とをＣＶＳ（Cycl
ic Voltammetric Stripping Analysis）分析により
測定し、添加剤消耗量を算出した。また、めっき槽１内
に隔膜７を配置していない従来式のカップ式めっき装置
についても、添加剤初期濃度２．０ｍｌ／ｌの硫酸銅溶
液を使用して所定時間めっき処理後、その硫酸銅溶液中
の添加剤量を分析して同様に消耗量を算出した。この消
耗量試験に使用した硫酸銅溶液は、銅濃度、硫酸濃度が
全て同じ条件のものを使用して行った。
実施形態における隔膜７を有したカップ式めっき装置で
は、区画室１０内の電解液としてウェーハ２に対して供
給する硫酸銅溶液と同じものを使用した。添加剤初期濃
度２．０ｍｌ／ｌの硫酸銅溶液を電解液供給口１４より
供給することで区画室１０を充満し、ウェーハ２に対し
ては同じ添加剤初期濃度の硫酸銅溶液をめっき液供給口
５から上昇流で供給し、所定時間めっき処理を行った。
そして、めっき処理後に、区画室１０内の硫酸銅溶液中
の添加剤量と、ウェーハ２側にめっき供給口５から上昇
流で供給した硫酸銅溶液中の添加剤量とをＣＶＳ（Cycl
ic Voltammetric Stripping Analysis）分析により
測定し、添加剤消耗量を算出した。また、めっき槽１内
に隔膜７を配置していない従来式のカップ式めっき装置
についても、添加剤初期濃度２．０ｍｌ／ｌの硫酸銅溶
液を使用して所定時間めっき処理後、その硫酸銅溶液中
の添加剤量を分析して同様に消耗量を算出した。この消
耗量試験に使用した硫酸銅溶液は、銅濃度、硫酸濃度が
全て同じ条件のものを使用して行った。
【００２０】
【表２】
【００２１】表２に示すとおり、隔膜を配置した本実施
形態におけるカップ式めっき装置では、ウェーハに対し
て供給される硫酸銅溶液中の添加剤消耗量（表中）
は、隔膜無しの場合に比較して大幅に抑制されているこ
とが確認できた。また、隔膜を配置した場合のめっき処
理では、非常に良好なめっき外観を有するものが得られ
た。
形態におけるカップ式めっき装置では、ウェーハに対し
て供給される硫酸銅溶液中の添加剤消耗量（表中）
は、隔膜無しの場合に比較して大幅に抑制されているこ
とが確認できた。また、隔膜を配置した場合のめっき処
理では、非常に良好なめっき外観を有するものが得られ
た。
【００２２】
【発明の効果】本発明のカップ式めっき装置によれば、
アノードから生じる不純物の影響や不溶性アノードを使
用した際に生じるめっき液添加剤の消耗を防止できると
同時にアノードから発生するバブルの影響も確実に解消
することが可能となり、ウェーハに良好なめっきを施す
ことができるものとなる。
アノードから生じる不純物の影響や不溶性アノードを使
用した際に生じるめっき液添加剤の消耗を防止できると
同時にアノードから発生するバブルの影響も確実に解消
することが可能となり、ウェーハに良好なめっきを施す
ことができるものとなる。
【図１】一実施形態によるカップ式めっき装置のめっき
槽断面図。
槽断面図。
１ めっき槽 ２ ウェーハ ３ ウェーハ支持部 ４ めっき液流出口 ５ めっき液供給口 ６ 不溶性アノード ７ 隔膜 ８ 内周面 ９ ガス放出口 １０ 区画室 １１ 液貯留部 １２ 補助口 １３ 電解液供給口 １４ 間隙 １５ 電解液排出口
Claims (3)
- 【請求項１】 上端にウェーハを載置するためのウェー
ハ支持部を備えためっき槽と、めっき槽底部中央に設け
られた液供給部と、めっき槽内部に設けられたアノード
と、及び前記めっき槽に設けられたアノードとウェーハ
とを隔離する隔膜とを備えたカップ式めっき装置におい
て、 前記隔膜には、液供給部から外周に向かう方向に上昇す
る傾斜が与えられると共に、前記めっき槽には、隔膜上
端部のアノード側に集められたバブルを抜けるような位
置にガス放出口が設けられていることを特徴とするカッ
プ式めっき装置。 - 【請求項２】 隔膜により区画されるアノード側のめっ
き槽内部に供給する液と液供給部からウェーハに対して
供給する液とを混合しないような別々の液循環経路を備
えた請求項１に記載のカップ式めっき装置。 - 【請求項３】 請求項２に記載するカップ式めっき装置
を用いたウェーハのめっき方法であって、ウェーハにめ
っきする金属イオンが含まれる電解液を液供給部からウ
ェーハに対して供給し、ウェーハにめっきする金属イオ
ンが含まれない電解液を隔膜により区画されるアノード
側のめっき槽内部に供給することによりめっきを施すも
のであるウェーハのめっき方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10164568A JP2908790B1 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法 |
| US09/404,752 US6332963B1 (en) | 1998-06-12 | 1999-09-24 | Cup-type plating apparatus and method for plating wafer using the same |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10164568A JP2908790B1 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法 |
| US09/404,752 US6332963B1 (en) | 1998-06-12 | 1999-09-24 | Cup-type plating apparatus and method for plating wafer using the same |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2908790B1 JP2908790B1 (ja) | 1999-06-21 |
| JPH11350185A true JPH11350185A (ja) | 1999-12-21 |
Family
ID=26489615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10164568A Expired - Fee Related JP2908790B1 (ja) | 1998-06-12 | 1998-06-12 | カップ式めっき装置及びそれを用いたウェーハのめっき方法 |
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| Country | Link |
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| US (1) | US6332963B1 (ja) |
| JP (1) | JP2908790B1 (ja) |
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| JP2001316867A (ja) * | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
| JP2006517004A (ja) * | 2001-08-31 | 2006-07-13 | セミトゥール・インコーポレイテッド | 電気泳動エマルジョン付着装置及び方法 |
| KR100772755B1 (ko) | 2005-11-22 | 2007-11-01 | 니혼 엘렉트로플레이팅 엔지니어스 가부시키가이샤 | 도금장치 |
| KR100817761B1 (ko) | 2007-05-02 | 2008-03-31 | 주식회사 대성엔지니어링 | 웨이퍼 자동 도금시스템의 도금 및 도금액제거장치 |
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| JP2006312775A (ja) * | 2005-04-08 | 2006-11-16 | Sharp Corp | めっき装置、めっき方法、及び半導体装置の製造方法 |
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-
1998
- 1998-06-12 JP JP10164568A patent/JP2908790B1/ja not_active Expired - Fee Related
-
1999
- 1999-09-24 US US09/404,752 patent/US6332963B1/en not_active Expired - Lifetime
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| WO2001071780A3 (en) * | 2000-03-21 | 2004-12-23 | Semitool Inc | Apparatus and method for electrochemically processing a microelectronic workpiece |
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| KR100817761B1 (ko) | 2007-05-02 | 2008-03-31 | 주식회사 대성엔지니어링 | 웨이퍼 자동 도금시스템의 도금 및 도금액제거장치 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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