CN114981486A - 镀覆装置、预湿处理方法以及清洗处理方法 - Google Patents
镀覆装置、预湿处理方法以及清洗处理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN114981486A CN114981486A CN202080034254.9A CN202080034254A CN114981486A CN 114981486 A CN114981486 A CN 114981486A CN 202080034254 A CN202080034254 A CN 202080034254A CN 114981486 A CN114981486 A CN 114981486A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- module
- plating
- substrate
- processing liquid
- nozzles
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/10—Agitating of electrolytes; Moving of racks
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/08—Rinsing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/08—Electroplating with moving electrolyte e.g. jet electroplating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D5/00—Electroplating characterised by the process; Pretreatment or after-treatment of workpieces
- C25D5/48—After-treatment of electroplated surfaces
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/001—Apparatus specially adapted for electrolytic coating of wafers, e.g. semiconductors or solar cells
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/02—Tanks; Installations therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D17/00—Constructional parts, or assemblies thereof, of cells for electrolytic coating
- C25D17/06—Suspending or supporting devices for articles to be coated
- C25D17/08—Supporting racks, i.e. not for suspending
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D21/00—Processes for servicing or operating cells for electrolytic coating
- C25D21/12—Process control or regulation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
- C25D7/123—Semiconductors first coated with a seed layer or a conductive layer
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
Abstract
本发明提供能够实现镀覆装置的小型化的技术。镀覆装置具备喷出模块(50),喷出模块具备:模块主体(51),具有将处理液朝向上方喷出的多个喷嘴(52);和移动机构(60),具有配置于镀覆槽的旁边并且与模块主体连接的旋转轴(61),通过旋转轴旋转来使模块主体移动,移动机构使模块主体在第1位置与第2位置之间移动,多个喷嘴配置为在模块主体移动至第2位置的情况下,从多个喷嘴喷出的处理液从基板的下表面的中心部起抵接至外周缘部,模块主体还具备回收部件,上述回收部件构成为对在被从多个喷嘴喷出并与基板的下表面抵接之后落下的处理液进行回收。
Description
技术领域
本发明涉及镀覆装置、预湿处理方法以及清洗处理方法。
背景技术
以往,作为能够对基板实施镀覆的镀覆装置,公知有所谓的杯式的镀覆装置(例如参照专利文献1)。这样的镀覆装置具备:镀覆槽,配置有阳极;基板保持架,配置于比阳极靠上方并保持作为阴极的基板;以及旋转机构,使基板保持架旋转。
另外,以往,在对基板实施镀覆之前(即在镀覆处理的执行前),执行利用规定的处理液浸湿基板的预湿处理,或者在镀覆处理的执行后,执行利用规定的处理液清洗基板的清洗处理(例如参照专利文献2)。具体而言,该专利文献2公开一种镀覆装置,该镀覆装置具备:镀覆模块,具有镀覆槽、基板保持架以及旋转机构并执行镀覆处理;预湿模块,执行预湿处理;以及清洗模块,执行清洗处理。
专利文献1:日本特开2008-19496号公报
专利文献2:日本特开2020-43333号公报
近年来,追求镀覆装置的小型化。关于此,上述那样的现有的镀覆装置在镀覆装置的小型化的观点上存在改善的余地。
发明内容
本发明是鉴于上述情况而完成的,其目的之一在于提供能够实现镀覆装置的小型化的技术。
(方式1)
为了实现上述目的,本发明的一个方式所涉及的镀覆装置具有镀覆模块,上述镀覆模块具备:镀覆槽,配置有阳极;基板保持架,配置于比上述阳极靠上方,保持作为阴极的基板;以及旋转机构,使上述基板保持架旋转,上述镀覆模块还具备喷出模块,上述喷出模块使规定的处理液朝向被上述基板保持架保持的上述基板的下表面喷出,上述喷出模块具备:模块主体,具有将上述处理液朝向上方喷出的多个喷嘴;和移动机构,具有配置于上述镀覆槽的旁边并且与上述模块主体连接的旋转轴,通过上述旋转轴旋转来使上述模块主体移动,上述移动机构使上述模块主体在第1位置与第2位置之间移动,上述第1位置是上述模块主体不处于上述基板与上述阳极之间的位置,上述第2位置是上述模块主体处于上述基板与上述阳极之间且从上述多个喷嘴喷出的上述处理液与上述基板的下表面抵接的位置,上述多个喷嘴配置为在上述模块主体移动至上述第2位置的情况下,从上述多个喷嘴喷出的上述处理液从上述基板的下表面的中心部起抵接至外周缘部,上述模块主体还具备回收部件,上述回收部件构成为对在被从上述多个喷嘴喷出并与上述基板的下表面抵接之后落下的上述处理液进行回收。
根据该方式,利用移动机构使模块主体从第1位置向第2位置移动,边利用旋转机构使基板保持架旋转边使处理液从多个喷嘴喷出,从而能够执行预湿处理,或者执行清洗处理。因此,根据该方式,不独立于镀覆模块而具备预湿模块、清洗模块就能够执行预湿处理、清洗处理。由此,与独立于镀覆模块而具备预湿模块、清洗模块的现有的镀覆装置相比,能够实现镀覆装置的小型化。
另外,根据该方式,使处理液从基板的下表面的中央部起整体地抵接至外周缘部,能够整体地浸湿或者清洗基板的下表面。另外,根据该方式,能够利用回收部件来回收落下的处理液,因此,能够抑制该落下的处理液进入至镀覆槽的内部。
(方式2)
在上述的方式1中,也可以是,在俯视下,上述模块主体向远离上述旋转轴的方向延伸,在俯视下,上述多个喷嘴在上述模块主体的延伸方向上排列有多个,并且在与上述模块主体的延伸方向垂直的方向上也排列有多个。
(方式3)
在上述的方式1或者2中,也可以是,上述回收部件具备形成于上述模块主体的上表面的凹部,上述多个喷嘴配置于上述凹部。
(方式4)
在上述的方式1~3中任一个方式中,也可以是,上述处理液是纯水。
(方式5)
另外,为了实现上述目的,本发明的一个方式所涉及的预湿处理方法是使用上述的方式1~4中任一个方式所涉及的镀覆装置的预湿处理方法,包括:在对被上述基板保持架保持的上述基板的下表面实施镀覆的镀覆处理的执行前,执行利用上述处理液浸湿上述基板的下表面的预湿处理,上述预湿处理包括:通过上述移动机构使上述模块主体从上述第1位置向上述第2位置移动,并边通过上述旋转机构使上述基板保持架旋转边使上述处理液从上述多个喷嘴喷出。
根据该方式,不独立于镀覆模块而具备预湿模块就能够执行预湿处理,因此,与独立于镀覆模块而具备预湿模块的现有的镀覆装置相比,能够实现镀覆装置的小型化。
(方式6)
在上述的方式5中,也可以是,上述镀覆装置还具备:使上述基板保持架倾斜的倾斜机构,上述预湿处理包括:在使上述处理液从上述多个喷嘴喷出时,上述倾斜机构使上述基板保持架倾斜为上述基板保持架的外周缘中的接近上述旋转轴的部位位于比远离上述旋转轴的部位靠下方。根据该方式,能够有效地抑制在被从喷嘴喷出之后落下的处理液进入至镀覆槽的内部。
(方式7)
另外,为了实现上述目的,本发明的一个方式所涉及的清洗处理方法是使用上述的方式1~4中任一个方式所涉及的镀覆装置的清洗处理方法,包括:在对被上述基板保持架保持的上述基板的下表面实施镀覆的镀覆处理的执行后,执行利用上述处理液清洗上述基板的下表面的清洗处理,上述清洗处理包括:通过上述移动机构使上述模块主体从上述第1位置向上述第2位置移动,并边通过上述旋转机构使上述基板保持架旋转边使上述处理液从上述多个喷嘴喷出。
根据该方式,不独立于镀覆模块而具备清洗模块就能够执行清洗处理,与独立于镀覆模块而具备清洗模块的现有的镀覆装置相比,能够实现镀覆装置的小型化。
(方式8)
在上述的方式7中,也可以是,上述镀覆装置还具备使上述基板保持架倾斜的倾斜机构,上述清洗处理包括:在使上述处理液从上述多个喷嘴喷出时,上述倾斜机构使上述基板保持架倾斜为上述基板保持架的外周缘中的接近上述旋转轴的部位位于比远离上述旋转轴的部位靠下方。根据该方式,能够有效地抑制在被从喷嘴喷出之后落下的处理液进入至镀覆槽的内部。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的立体图。
图2是表示实施方式所涉及的镀覆装置的整体结构的俯视图。
图3是用于对实施方式所涉及的镀覆模块的结构进行说明的图。
图4的(A)以及图4的(B)是实施方式所涉及的喷出模块的示意性的俯视图。
图5是表示实施方式所涉及的喷出模块的整体结构的示意图。
图6是示意性地表示图5的A2-A2线截面的剖视图。
图7是实施方式的变形例3所涉及的预湿处理或者清洗处理的执行时的基板保持架的周边结构的示意图。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的实施方式进行说明。此外,在以下的实施方式、实施方式的变形例中,针对相同或者相应的结构,有时标注相同的附图标记并适当地省略说明。另外,附图是为了容易理解实施方式的特征而示意性地图示的,各构成要素的尺寸比率等未必与实际物品相同。另外,在几个附图中,作为参考用而图示了X-Y-Z的正交坐标。该正交坐标中的Z方向相当于上方,-Z方向相当于下方(重力作用的方向)。
图1是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的立体图。图2是表示本实施方式的镀覆装置1000的整体结构的俯视图。如图1以及图2所示,镀覆装置1000具备装载口100、输送机械臂110、对准器120、预浸模块300、镀覆模块400、自旋冲洗干燥器600、输送装置700以及控制模块800。另外,本实施方式所涉及的镀覆模块400具备喷出模块50,但在图1中,省略该喷出模块50的图示。
装载口100是用于将收容于未图示的FOUP等的盒的基板搬入于镀覆装置1000或者从镀覆装置1000向盒搬出基板的模块。在本实施方式中,4台装载口100沿水平方向排列配置,但装载口100的数量及配置是任意的。输送机械臂110是用于输送基板的机械臂,构成为在装载口100、对准器120以及输送装置700之间交接基板。输送机械臂110以及输送装置700能够在输送机械臂110与输送装置700之间交接基板时经由临时放置台(未图示)进行基板的交接。
对准器120是用于使基板的定向平面、凹槽等位置与规定方向匹配的模块。在本实施方式中,2台对准器120沿水平方向排列配置,但对准器120的数量及配置是任意的。
预浸模块300构成为实施预浸处理,上述预浸处理例如利用硫酸、盐酸等处理液将对在镀覆处理前的基板的被镀覆面形成的种子层表面等存在的电阻大的氧化膜进行蚀刻除去而对镀覆基底表面进行清洗或者活化。在本实施方式中,2台预浸模块300沿上下方向排列配置,但预浸模块300的数量及配置是任意的。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。在本实施方式中,存在2组沿上下方向排列配置3台且沿水平方向排列配置4台的12台镀覆模块400,合计设置有24台镀覆模块400,但镀覆模块400的数量及配置是任意的。
自旋冲洗干燥器600是用于使清洗处理后的基板高速旋转来使之干燥的模块。在本实施方式中,2台自旋冲洗干燥器600沿上下方向排列配置,但自旋冲洗干燥器600的数量及配置是任意的。输送装置700是用于在镀覆装置1000内的多个模块之间输送基板的装置。控制模块800构成为控制镀覆装置1000的多个模块,例如能够由具备与操作人员之间的输入输出接口的一般的计算机或者专用计算机构成。
喷出模块50是用于执行预湿处理的模块,该预湿处理通过利用规定的处理液PL浸湿镀覆处理的执行前的基板的下表面(被镀覆面)来利用处理液PL置换形成于基板表面的图案内部的空气。另外,喷出模块50还是用于为了除去镀覆处理的执行后残留于基板的镀覆液等而执行清洗处理的模块,该清洗处理利用处理液PL清洗镀覆处理的执行后的基板的下表面。这样本实施方式所涉及的喷出模块50具有作为预湿模块以及清洗模块的功能。该喷出模块50的详情将后述。
对由镀覆装置1000进行的一系列镀覆处理的一个例子进行说明。首先,将收容于盒的基板搬入于装载口100。接着,输送机械臂110从装载口100的盒取出基板,并将基板输送至对准器120。对准器120使基板的定向平面、凹槽等位置与规定方向对准。输送机械臂110将由对准器120对准了方向的基板交接给输送装置700。
输送装置700将由输送机械臂110接受到的基板输送给镀覆模块400。在镀覆模块400中,喷出模块50对基板实施预湿处理。输送装置700将实施了预湿处理的基板输送给预浸模块300。预浸模块300对基板实施预浸处理。输送装置700将实施了预浸处理的基板输送给镀覆模块400。镀覆模块400对基板实施镀覆处理。
接着,喷出模块50对基板实施清洗处理。输送装置700将实施了清洗处理的基板输送给自旋冲洗干燥器600。自旋冲洗干燥器600对基板实施干燥处理。输送装置700将实施了干燥处理的基板交接给输送机械臂110。输送机械臂110将从输送装置700接受到的基板输送给装载口100的盒。最后,从装载口100搬出收容有基板的盒。
此外,图1、图2中说明的镀覆装置1000的结构只不过是一个例子,镀覆装置1000的结构不限定于图1、图2的结构。
接着,对镀覆模块400进行说明。此外,本实施方式所涉及的镀覆装置1000所具有的多个镀覆模块400具有相同的结构,因此,对一个镀覆模块400进行说明。
图3是用于对本实施方式所涉及的镀覆装置1000的镀覆模块400的结构进行说明的图。本实施方式所涉及的镀覆装置1000是杯式的镀覆装置。图3所例示的本实施方式所涉及的镀覆装置1000的镀覆模块400主要具备镀覆槽10、溢流槽20、基板保持架30、旋转机构40、升降机构45、倾斜机构47。此外,如前述那样,镀覆模块400还具备喷出模块50,但在图3中,省略该喷出模块50的图示。另外,图3中,示意性地剖视图示了镀覆槽10、溢流槽20以及基板保持架30。
本实施方式所涉及的镀覆槽10由在上方具有开口的有底的容器构成。具体而言,镀覆槽10具有底壁部10a和从该底壁部10a的外周缘向上方延伸的外周壁部10b,该外周壁部10b的上部开口。此外,镀覆槽10的外周壁部10b的形状不特别限定,但作为一个例子,本实施方式所涉及的外周壁部10b具有圆筒形状。
在镀覆槽10的内部存积有镀覆液Ps。作为镀覆液Ps,只要是包含构成镀膜的金属元素的离子的溶液即可,其具体例不特别限定。在本实施方式中,作为镀覆处理的一个例子,使用镀铜处理,作为镀覆液Ps的一个例子,使用硫酸铜溶液。另外,在本实施方式中,镀覆液Ps包含规定的添加剂。但是,不限定于该构成,镀覆液Ps也能够成为不包含添加剂的构成。
在镀覆槽10的内部配置有阳极11。阳极11的具体种类不特别限定,能够使用溶解阳极、不溶解阳极。在本实施方式中,作为阳极11的一个例子,使用不溶解阳极。该不溶解阳极的具体种类不特别限定,能够使用铂、氧化铱等。
在镀覆槽10的内部,在比阳极11靠上方配置有隔膜12。具体而言,隔膜12配置于阳极11与基板Wf之间的位置。作为一个例子,本实施方式所涉及的隔膜12经由保持部件10d与镀覆槽10的外周壁部10b连接。另外,本实施方式所涉及的隔膜12配置为隔膜12的面方向成为水平方向。
镀覆槽10的内部被隔膜12在上下方向上分为两部分。将被划分为比隔膜12靠下方侧的区域称为阳极室13。将比隔膜12靠上方侧的区域称为阴极室14。前述的阳极11配置于阳极室13。
隔膜12由允许金属离子的通过并且抑制镀覆液Ps所含的添加剂的通过的膜构成。即,在本实施方式中,阴极室14的镀覆液包括添加剂,但阳极室13的镀覆液Ps不包含添加剂。但是,不限定于该构成,例如,可以是阳极室13的镀覆液Ps也包含添加剂。然而,即便在这种情况下,阳极室13的添加剂的浓度也比阴极室14的添加剂的浓度低。隔膜12的具体种类不特别限定,能够使用公知的隔膜。若举出该隔膜12的具体例,则例如能够使用电解隔膜,作为该电解隔膜的具体例,例如,能够使用YUASA Membrane System公司制的镀覆用电解隔膜,或者使用离子交换膜等。
在镀覆槽10设置有用于向阳极室13供给镀覆液Ps的阳极用供给口15。另外,在镀覆槽10设置有用于将阳极室13的镀覆液Ps从阳极室13排出的阳极用排出口16。从阳极用排出口16排出的镀覆液Ps在此后暂时存积于阳极用的贮存罐(未图示)之后,从阳极用供给口15再次供给至阳极室13。
在镀覆槽10设置有用于向阴极室14供给镀覆液Ps的阴极用供给口17。具体而言,在本实施方式所涉及的镀覆槽10的外周壁部10b的与阴极室14对应的部分的一部分设置有向镀覆槽10的中心侧突出的突出部10c,在该突出部10c设置有阴极用供给口17。
溢流槽20由配置于镀覆槽10的外侧的有底的容器构成。溢流槽20是为了暂时存积超过镀覆槽10的外周壁部10b的上端的镀覆液Ps(即从镀覆槽10溢流出的镀覆液Ps)而设置的槽。从阴极用供给口17供给至阴极室14的镀覆液Ps在流入至溢流槽20之后,被从溢流槽20用的排出口(未图示)排出,并暂时存积于阴极用的贮存罐(未图示)。然后,镀覆液Ps从阴极用供给口17再次供给至阴极室14。
在本实施方式的阴极室14配置有多孔质的电阻体18。具体而言,本实施方式所涉及的电阻体18设置于突出部10c的上端部附近处。电阻体18由具有多个孔(细孔)的多孔性的板部件构成。电阻体18是为了实现形成于阳极11与基板Wf之间的电场的均匀化而设置的部件。
另外,在本实施方式中,在阳极室13配置有阳极掩模19。本实施方式所涉及的阳极掩模19配置为阳极掩模19的上表面与隔膜12的下表面接触。但是,阳极掩模19的配置位置为阳极室13即可,不限定于图3所示的位置。若举出其他例子,则也可以是,阳极掩模19以在与隔膜12之间具有空间的方式配置于比隔膜12靠下方侧的位置。阳极掩模19具有供在阳极11与基板Wf之间流动的电流通过的开口19a。
基板保持架30是用于保持作为阴极的基板Wf的部件。基板Wf的下表面Wfa相当于被镀覆面。基板保持架30与旋转机构40连接。旋转机构40是用于使基板保持架30旋转的机构。作为旋转机构40,能够使用旋转马达等公知的机构。旋转机构40与升降机构45连接。升降机构45被在上下方向上延伸的支轴46支承。升降机构45是用于使基板保持架30、旋转机构40以及倾斜机构47在上下方向上升降的机构。作为升降机构45,能够使用直动式的促动器等公知的升降机构。倾斜机构47是用于使基板保持架30以及旋转机构40倾斜的机构。作为倾斜机构47,能够使用活塞缸(piston cylinder)等公知的倾斜机构。
在执行镀覆处理时,旋转机构40使基板保持架30旋转,并且升降机构45使基板保持架30向下方移动,使基板Wf浸渍于镀覆槽10的镀覆液Ps。接着,通过通电装置,使电流在阳极11与基板Wf之间流动。由此,在基板Wf的下表面Wfa形成镀膜(即实施镀覆处理)。
镀覆模块400的动作由控制模块800控制。控制模块800具备微电脑,该微电脑具备作为处理器的CPU(Central Processing Unit)801、作为非暂时的存储介质的存储部802等。在控制模块800中,CPU801基于存储于存储部802的程序的指令来控制镀覆模块400的动作。
此外,在本实施方式中,一个控制模块800作为统一控制镀覆模块400的被控制部的控制装置发挥功能,但不限定于该结构。例如也可以是,控制模块800具备多个控制装置,该多个控制装置分别单独控制镀覆模块400的各个被控制部。
接着,对喷出模块50的详情进行说明。图4的(A)以及图4的(B)是喷出模块50的示意性的俯视图。具体而言,图4的(A)示出喷出模块50的后述的模块主体51处于第1位置的状态,图4的(B)示出模块主体51处于第2位置的状态。此外,在图4的(A)以及图4的(B)中,除喷出模块50之外还图示了镀覆槽10,但省略了该镀覆槽10的内部结构的图示。另外,图5是表示喷出模块50的整体结构的示意图。此外,在图5中,示意性地图示了喷出模块50的模块主体51以及旋转轴61的图4的(B)的A1-A1线截面。另外,在图5中,省略镀覆槽10的图示,取代此而图示了基板保持架30、旋转机构40。图6是示意性地表示图5的A2-A2线截面的剖视图。以下,参照这些图对喷出模块50进行如下说明。
如图5所示,喷出模块50主要具备模块主体51、移动机构60、泵(泵70a及泵70b)、贮存罐(贮存罐71a及贮存罐71b)、配管(配管72a及配管72b)。
如图4的(A)以及图的4(B)所示,作为一个例子,在俯视(从上观察)下,本实施方式所涉及的模块主体51具有向远离后述的旋转轴61的方向延伸的形状。具体而言,模块主体51具有将远离旋转轴61的方向作为长边且将与其垂直的方向作为短边的长方形的形状。如图4的(A)、图4的(B)、图5以及图6所示,模块主体51具备将处理液PL朝向上方喷出的至少一个喷嘴52。另外,本实施方式所涉及的模块主体51还具备回收部件53。
具体而言,本实施方式所涉及的喷嘴52的个数为多个。作为该具体例,本实施方式所涉及的多个喷嘴52在模块主体51的延伸方向(长边方向)上排列有多个(作为一个例子为5个),并且在与该延伸方向垂直的方向(短边方向(或者宽度方向))上也排列有多个(作为一个例子为2个)。具体而言,如图6所示,在沿短边方向剖切模块主体51的剖视下,在该短边方向上排列的2个喷嘴52隔着后述的凹部54的中心轴线XL而在一侧和另一侧分别各排列有一个。其结果是,本实施方式所涉及的多个喷嘴52的个数合计为10个。但是,喷嘴52的个数不限定于此,可以比10个少,也可以比10个多。
参照图5,在本实施方式中,以使在模块主体51处于后述的第2位置的情况下从喷嘴52喷出的处理液PL从基板Wf的下表面Wfa的中央部起抵接至外周缘部的方式设定多个喷嘴52的配置位置。另外,各个喷嘴52构成为将处理液PL朝向上方大角度(即扇形状)地喷射。具体而言,各个喷嘴52具有大角度地喷射处理液PL的喷出口,从该喷出口朝向上方大角度地喷射处理液PL。
作为从喷嘴52喷出的处理液PL,只要是能够执行预湿处理、清洗处理的液体即可,其具体种类不特别限定,在本实施方式中,作为具体例,使用纯水。作为该纯水,优选使用例如电阻率为“0.1(MΩ·cm)”以上的纯水。另外,作为该纯水,也可以使用脱气了空气的纯水(即脱气纯水),也可以使用未脱气的纯水,或者也可以使用除去了离子的纯水(即脱离子水)。
参照图4的(A)以及图4的(B),移动机构60是用于使模块主体51移动的机构。具体而言,移动机构60构成为使模块主体51在“第1位置(图4的(A))”与“第2位置(图4的(B))”之间移动,该“第1位置是该模块主体51不处于基板Wf与阳极11之间的位置,该第2位置是模块主体51处于基板Wf与阳极11之间且从喷嘴52喷出的处理液PL与基板Wf的下表面Wfa抵接的位置。此外,在本实施方式中,具体而言,该第2位置是喷嘴52位于基板Wf的下表面Wfa的正下方那样的位置,换言之,也是喷嘴52与基板Wf的下表面Wfa对置那样的位置。
如图5所示,本实施方式所涉及的移动机构60具备旋转轴61和促动器62。旋转轴61配置于镀覆槽10的旁边。另外,旋转轴61与模块主体51连接。促动器62是用于驱动旋转轴61的装置。在图5中,旋转轴61以Z轴为中心旋转。由促动器62驱动的旋转轴61旋转,从而模块主体51在第1位置与第2位置之间移动。作为促动器62,例如能够使用具备能够向一个旋转方向以及另一个旋转方向旋转的马达(即能够正转以及反转的马达)等的公知的促动器。促动器62的动作由控制模块800控制。
在本实施方式所涉及的模块主体51的内部以及旋转轴61的内部设置有供给流路73以及排出流路74。此外,供给流路73以及排出流路74也可以不是在旋转轴61的内部通过,而是在旋转轴61的外侧通过并与后述的配管(配管72a、配管72b)连接。供给流路73是用于供向喷嘴52供给的处理液PL流通的流路。排出流路74是用于供由后述的回收部件53回收的处理液PL流通的流路。
供给流路73经由配管72a与贮存罐71a连通。在贮存罐71a存积有处理液PL。在配管72a配置有泵70a。在泵70a接收到控制模块800的指令而进行了驱动的情况下,存积于贮存罐71a的处理液PL被泵70a吸起,在配管72a以及供给流路73流通,被从喷嘴52喷出。排出流路74经由配管72b与贮存罐71b连通。在配管72b连接有泵70b。
参照图4的(B)、图5以及图6,回收部件53是构成为对在被从多个喷嘴52喷出并与基板Wf的下表面Wfa抵接后落下的处理液PL进行回收的部位。这样,根据本实施方式,能够利用回收部件53回收在被从多个喷嘴52朝向上方喷出后落下的处理液PL,因此,能够抑制该落下的处理液PL进入至镀覆槽10的内部。
具体而言,如图6所示,本实施方式所涉及的回收部件53由在模块主体51的上表面51a形成的凹部54构成。另外,在该凹部54的底部的中心部设置有槽55,在该槽55配置有前述的排出流路74。在排出流路74设置有用于供被回收部件53的凹部54回收到的处理液PL流入至排出流路74的吸入口(未图示)。该吸入口的具体形成位置不特别限定,例如可以是排出流路74的上游侧端部,也可以是排出流路74的侧面(构成排出流路74的配管的侧面)。
在排出流路74的内部因泵70b接收到控制模块800的指令进行驱动而成为负压的情况下,由回收部件53回收到的处理液PL从该吸入口流入至排出流路74,然后,在配管72b流通并存积于贮存罐71b。
另外,在本实施方式中,模块主体51的多个喷嘴52配置于凹部54。由此,能够通过凹部54有效地回收在被从多个喷嘴52喷出后落下的处理液PL。
另外,在本实施方式中,隔着凹部54的中心轴线XL配置于一侧的喷嘴52和配置于另一侧的喷嘴52分别将处理液PL朝向上方侧且朝向凹部54的中心侧喷出。由此,能够容易使被从多个喷嘴52喷出并与基板Wf的下表面Wfa抵接过的处理液PL朝向凹部54的中心侧落下。在这点上,能够通过凹部54有效地回收处理液PL。
接着,对本实施方式所涉及的预湿处理时以及清洗处理时的镀覆装置1000的动作进行说明。即,对使用本实施方式所涉及的镀覆装置1000的预湿处理方法、清洗处理方法进行说明。
首先,控制模块800在通常时使模块主体51移动至第1位置(图4的(A))。在执行预湿处理的情况下,控制模块800通过控制移动机构60来使旋转轴61旋转而使模块主体51移动至第2位置(图4的(B))。接着,控制模块800控制旋转机构40来使基板保持架30旋转,并且使泵70a驱动来使处理液PL从喷嘴52喷出。另外,控制模块800通过使泵70b与泵70a的驱动同时也驱动来使被回收部件53回收到的处理液PL返回至贮存罐71b。
边使基板保持架30旋转,边从喷嘴52喷出处理液PL,从而能够使处理液PL整体地附着于被基板保持架30保持的基板Wf的下表面Wfa,利用处理液PL整体地浸湿基板Wf的下表面Wfa。如以上那样执行预湿处理。
在预湿处理的结束后,控制模块800使基于旋转机构40的基板保持架30的旋转停止,并且使泵70a以及泵70b停止。泵70a停止,从而处理液PL从喷嘴52的喷出停止,泵70b停止,从而回收部件53对处理液PL的回收也停止。接着,控制模块800使旋转轴61旋转来使模块主体51移动至第1位置。
控制模块800在镀覆处理的执行后进行的清洗处理的执行时,也进行与上述的预湿处理的情况相同的控制。具体而言,控制模块800通过控制移动机构60来使旋转轴61旋转而使模块主体51移动至第2位置。接着,控制模块800控制旋转机构40来使基板保持架30旋转,并且使泵70a驱动来使处理液PL从喷嘴52喷出。另外,控制模块800通过使泵70b与泵70a的驱动同时也驱动,从而使被回收部件53回收到的处理液PL返回至贮存罐71b。
边使基板保持架30旋转,边从喷嘴52喷出处理液PL,从而能够利用处理液PL对被基板保持架30保持的基板Wf的下表面Wfa整体地进行清洗。如以上那样执行清洗处理。在该清洗处理的结束后,控制模块800使基于旋转机构40的基板保持架30的旋转停止,并且使泵70a以及泵70b停止。另外,使模块主体51移动至第1位置。
根据以上说明过那样的本实施方式,通过喷出模块50,能够执行预湿处理或者执行清洗处理。即,喷出模块50能够发挥作为执行预湿处理的预湿模块、执行清洗处理的清洗模块的功能。由此,不独立于镀覆模块400而具备预湿模块、清洗模块就能够执行预湿处理、清洗处理,因此,与独立于镀覆模块400而具备预湿模块、清洗模块的现有的镀覆装置相比,能够实现镀覆装置1000的小型化。
另外,根据本实施方式,能够如上述那样实现镀覆装置1000的小型化,因此,还能够使基板Wf的输送距离变短。由此,能够使镀覆装置1000的生产率(throughput)提高。
另外,根据本实施方式,以使从喷嘴52喷出的处理液PL从基板Wf的下表面Wfa的中央部起抵接至外周缘部的方式配置有多个喷嘴52,因此,能够使处理液PL从基板Wf的下表面Wfa的中央部起整体地抵接至外周缘部,整体地浸湿或者清洗下表面Wfa。
(变形例1)
在上述的实施方式中,镀覆装置1000使用喷出模块50执行预湿处理以及清洗处理双方,但不限定于该结构。例如,也可以是,镀覆装置1000不执行基于喷出模块50的清洗处理,而仅执行基于喷出模块50的预湿处理。在这种情况下,优选镀覆装置1000独立于镀覆模块400而具备执行清洗处理的清洗模块。
在本变形例中,不独立于镀覆模块400而具备预湿模块就能够执行预湿处理,因此,与独立于镀覆模块400而具备预湿模块的现有的镀覆装置相比,能够实现镀覆装置1000的小型化。
(变形例2)
或者也可以是,镀覆装置1000不执行基于喷出模块50的预湿处理,而仅执行基于喷出模块50的清洗处理。在这种情况下,优选镀覆装置1000独立于镀覆模块400而具备执行预湿处理的预湿模块。
在本变形例中,也不独立于镀覆模块400而具备清洗模块就能够执行清洗处理,因此,与独立于镀覆模块400而具备清洗模块的现有的镀覆装置相比,能够实现镀覆装置1000的小型化。
(变形例3)
图7是本变形例所涉及的预湿处理或者清洗处理的执行时的基板保持架30的周边结构的示意图。在上述的实施方式或者变形例1中,预湿处理可以还包括:在使处理液PL从喷嘴52喷出时,通过倾斜机构47使基板保持架30倾斜为基板保持架30的外周缘中的接近旋转轴61的部位30a位于比远离旋转轴61的部位30b靠下方。即,在这种情况下,在预湿处理中,在基板保持架30如上述那样倾斜的状态下,边使基板保持架30旋转,边从喷嘴52喷出处理液PL。
与此同样,在上述的实施方式或者变形例2中,清洗处理也可以包括:在使处理液PL从喷嘴52喷出时,通过倾斜机构47使基板保持架30倾斜为基板保持架30的外周缘中的接近旋转轴61的部位30a位于比远离旋转轴61的部位30b靠下方。即,在这种情况下,在清洗处理中,在基板保持架30如上述那样倾斜的状态下,边使基板保持架30旋转,边从喷嘴52喷出处理液PL。
根据本变形例,能够有效地抑制在被从喷嘴52喷出后落下的处理液PL进入至镀覆槽10的内部。
以上,对本发明的实施方式、变形例进行了详述,但本发明不限定于上述的特定的实施方式、变形例,在权利要求书所记载的本发明的主旨的范围内,能够进行各种变形、变更。
附图标记说明
10...镀覆槽;11...阳极;30...基板保持架;40...旋转机构;47...倾斜机构;50...喷出模块;51...模块主体;51a...上表面;52...喷嘴;53...回收部件;54...凹部;60...移动机构;61...旋转轴;400...镀覆模块;1000...镀覆装置;Wf...基板;Wfa...下表面;Ps...镀覆液;PL...处理液。
Claims (8)
1.一种镀覆装置,具有镀覆模块,所述镀覆模块具备:镀覆槽,配置有阳极;基板保持架,配置于比所述阳极靠上方,保持作为阴极的基板;以及旋转机构,使所述基板保持架旋转,
所述镀覆装置的特征在于,
所述镀覆模块还具备喷出模块,所述喷出模块使规定的处理液朝向被所述基板保持架保持的所述基板的下表面喷出,
所述喷出模块具备:模块主体,具有将所述处理液朝向上方喷出的多个喷嘴;和移动机构,具有配置于所述镀覆槽的旁边并且与所述模块主体连接的旋转轴,通过所述旋转轴旋转来使所述模块主体移动,
所述移动机构使所述模块主体在第1位置与第2位置之间移动,所述第1位置是所述模块主体不处于所述基板与所述阳极之间的位置,所述第2位置是所述模块主体处于所述基板与所述阳极之间且从所述多个喷嘴喷出的所述处理液与所述基板的下表面抵接的位置,
所述多个喷嘴配置为在所述模块主体移动至所述第2位置的情况下,从所述多个喷嘴喷出的所述处理液从所述基板的下表面的中心部起抵接至外周缘部,
所述模块主体还具备回收部件,所述回收部件构成为对在被从所述多个喷嘴喷出并与所述基板的下表面抵接之后落下的所述处理液进行回收。
2.根据权利要求1所述的镀覆装置,其特征在于,
在俯视下,所述模块主体向远离所述旋转轴的方向延伸,
在俯视下,所述多个喷嘴在所述模块主体的延伸方向上排列有多个,并且在与所述模块主体的延伸方向垂直的方向上也排列有多个。
3.根据权利要求1或2所述的镀覆装置,其特征在于,
所述回收部件具备形成于所述模块主体的上表面的凹部,
所述多个喷嘴配置于所述凹部。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
所述处理液是纯水。
5.一种预湿处理方法,使用权利要求1~4中任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
包括:在对被所述基板保持架保持的所述基板的下表面实施镀覆的镀覆处理的执行前,执行利用所述处理液浸湿所述基板的下表面的预湿处理,
所述预湿处理包括:通过所述移动机构使所述模块主体从所述第1位置向所述第2位置移动,并边通过所述旋转机构使所述基板保持架旋转边使所述处理液从所述多个喷嘴喷出。
6.根据权利要求5所述的预湿处理方法,其特征在于,
所述镀覆装置还具备使所述基板保持架倾斜的倾斜机构,
所述预湿处理包括:在使所述处理液从所述多个喷嘴喷出时,所述倾斜机构使所述基板保持架倾斜为所述基板保持架的外周缘中的接近所述旋转轴的部位位于比远离所述旋转轴的部位靠下方。
7.一种清洗处理方法,使用权利要求1~4中任一项所述的镀覆装置,其特征在于,
包括:在对被所述基板保持架保持的所述基板的下表面实施镀覆的镀覆处理的执行后,执行利用所述处理液清洗所述基板的下表面的清洗处理,
所述清洗处理包括:通过所述移动机构使所述模块主体从所述第1位置向所述第2位置移动,并边通过所述旋转机构使所述基板保持架旋转边使所述处理液从所述多个喷嘴喷出。
8.根据权利要求7所述的清洗处理方法,其特征在于,
所述镀覆装置还具备使所述基板保持架倾斜的倾斜机构,
所述清洗处理包括:在使所述处理液从所述多个喷嘴喷出时,所述倾斜机构使所述基板保持架倾斜为所述基板保持架的外周缘中的接近所述旋转轴的部位位于比远离所述旋转轴的部位靠下方。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2020/047931 WO2022137339A1 (ja) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | めっき装置、プリウェット処理方法及び洗浄処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114981486A true CN114981486A (zh) | 2022-08-30 |
CN114981486B CN114981486B (zh) | 2023-03-24 |
Family
ID=77550024
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202080034254.9A Active CN114981486B (zh) | 2020-12-22 | 2020-12-22 | 镀覆装置、预湿处理方法以及清洗处理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20220396897A1 (zh) |
JP (1) | JP6934127B1 (zh) |
KR (1) | KR102338157B1 (zh) |
CN (1) | CN114981486B (zh) |
WO (1) | WO2022137339A1 (zh) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023037495A1 (ja) * | 2021-09-10 | 2023-03-16 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びリンス処理方法 |
JP7101925B1 (ja) * | 2021-10-14 | 2022-07-15 | 株式会社荏原製作所 | プリウェット処理方法 |
WO2023079634A1 (ja) * | 2021-11-04 | 2023-05-11 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置および基板洗浄方法 |
JP7089133B1 (ja) * | 2021-11-04 | 2022-06-21 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置および基板洗浄方法 |
KR102544636B1 (ko) * | 2021-11-04 | 2023-06-20 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 장치 및 콘택트 세정 방법 |
TWI803048B (zh) * | 2021-11-11 | 2023-05-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 鍍覆裝置及基板清洗方法 |
TWI775670B (zh) * | 2021-11-11 | 2022-08-21 | 日商荏原製作所股份有限公司 | 鍍覆裝置及基板清洗方法 |
WO2023243079A1 (ja) * | 2022-06-17 | 2023-12-21 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
KR102595617B1 (ko) * | 2022-08-02 | 2023-10-31 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 도금 방법 및 도금 장치 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0313591A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-22 | Susumu Kogyo Kk | メッキ方法及びその装置 |
JPH05263290A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Toshiba Corp | 高速半田メッキ装置 |
JP2007138304A (ja) * | 2000-03-17 | 2007-06-07 | Ebara Corp | めっき装置及び方法 |
JP2008060500A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Tousetsu:Kk | ウエハー洗浄方法及びその装置 |
JP2015034349A (ja) * | 2014-10-10 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
CN108203838A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-26 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置、镀覆方法及可计算机读取的记录介质 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6280581B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-08-28 | David Cheng | Method and apparatus for electroplating films on semiconductor wafers |
US7189647B2 (en) * | 2001-04-05 | 2007-03-13 | Novellus Systems, Inc. | Sequential station tool for wet processing of semiconductor wafers |
JP2003027291A (ja) * | 2001-07-10 | 2003-01-29 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置および液処理方法 |
JP2008019496A (ja) | 2006-07-14 | 2008-01-31 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解めっき装置および電解めっき方法 |
JP2008308709A (ja) * | 2007-06-13 | 2008-12-25 | Panasonic Corp | 半導体装置の製造方法及び製造装置 |
JP5321574B2 (ja) * | 2010-12-17 | 2013-10-23 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体製造装置の動作方法及び半導体装置の製造方法 |
CN203245737U (zh) * | 2013-05-14 | 2013-10-23 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 多功能研磨液供应结构及研磨装置 |
JP2015023048A (ja) * | 2013-07-16 | 2015-02-02 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP2016058665A (ja) * | 2014-09-12 | 2016-04-21 | 株式会社Screenホールディングス | 基板洗浄方法および基板洗浄装置 |
US9816194B2 (en) * | 2015-03-19 | 2017-11-14 | Lam Research Corporation | Control of electrolyte flow dynamics for uniform electroplating |
JP7014553B2 (ja) * | 2017-09-22 | 2022-02-01 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置 |
JP7291030B2 (ja) | 2018-09-06 | 2023-06-14 | 株式会社荏原製作所 | 基板処理装置 |
-
2020
- 2020-12-22 WO PCT/JP2020/047931 patent/WO2022137339A1/ja active Application Filing
- 2020-12-22 US US17/612,024 patent/US20220396897A1/en active Pending
- 2020-12-22 JP JP2021518979A patent/JP6934127B1/ja active Active
- 2020-12-22 KR KR1020217034766A patent/KR102338157B1/ko active IP Right Grant
- 2020-12-22 CN CN202080034254.9A patent/CN114981486B/zh active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0313591A (ja) * | 1989-06-09 | 1991-01-22 | Susumu Kogyo Kk | メッキ方法及びその装置 |
JPH05263290A (ja) * | 1992-03-18 | 1993-10-12 | Toshiba Corp | 高速半田メッキ装置 |
JP2007138304A (ja) * | 2000-03-17 | 2007-06-07 | Ebara Corp | めっき装置及び方法 |
JP2008060500A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Tousetsu:Kk | ウエハー洗浄方法及びその装置 |
JP2015034349A (ja) * | 2014-10-10 | 2015-02-19 | 東京エレクトロン株式会社 | めっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体 |
CN108203838A (zh) * | 2016-12-19 | 2018-06-26 | 株式会社荏原制作所 | 镀覆装置、镀覆方法及可计算机读取的记录介质 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102338157B1 (ko) | 2021-12-10 |
WO2022137339A1 (ja) | 2022-06-30 |
US20220396897A1 (en) | 2022-12-15 |
CN114981486B (zh) | 2023-03-24 |
JP6934127B1 (ja) | 2021-09-08 |
JPWO2022137339A1 (zh) | 2022-06-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN114981486B (zh) | 镀覆装置、预湿处理方法以及清洗处理方法 | |
US20150090584A1 (en) | Plating apparatus and cleaning device used in the plating apparatus | |
US20070158202A1 (en) | Plating apparatus and method for controlling plating solution | |
US20240209542A1 (en) | Plating method and plating apparatus | |
KR102406835B1 (ko) | 도금 장치 및 도금 처리 방법 | |
CN115087764B (zh) | 镀覆装置的维护方法 | |
KR102333344B1 (ko) | 도금 장치 및 도금액의 교반 방법 | |
WO2018205404A1 (zh) | 晶圆的电镀设备和电镀方法 | |
KR102467233B1 (ko) | 도금 장치 및 린스 처리 방법 | |
JP6903171B2 (ja) | 多層配線の形成方法および記憶媒体 | |
TWI762135B (zh) | 鍍覆裝置、預濕處理方法及清洗處理方法 | |
US20240175165A1 (en) | Plating apparatus | |
US20230340687A1 (en) | Plating apparatus and cleaning method of contact member of plating apparatus | |
CN115135815B (zh) | 镀覆处理方法 | |
US11993861B2 (en) | Plating apparatus and air bubble removing method | |
TWI758006B (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆處理方法 | |
TWI837780B (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆方法 | |
CN116897226B (zh) | 镀覆装置以及镀覆方法 | |
TWI789096B (zh) | 鍍覆裝置 | |
TWI790581B (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆裝置之接觸構件清洗方法 | |
TWI787703B (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆液之攪拌方法 | |
TW202409358A (zh) | 鍍覆裝置及鍍覆方法 | |
JP2004197220A (ja) | 電解処理装置及びその方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |