CN102782807A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供能够更高效地加热并高效地使用处理液对板状基板的表面进行处理的基板处理装置。该基板处理装置具有向保持在旋转的基板保持部（10）上的板状基板（100）的表面供给处理液S的处理液供给机构（50），利用处理液S对板状基板（100）的表面进行处理，该基板处理装置具有：处理液保持板（15），其与保持在基板保持部（10）上的板状基板（100）的表面隔着规定的间隔相对配置，与板状基板（100）的表面之间保持有处理液；以及加热部（20），其与处理液保持板（15）的包含与基板保持部（10）的旋转轴对应的位置在内的规定区域接触，对该规定区域进行加热，处理液供给机构对与基板保持部（10）一起旋转的板状基板（100）的表面与被加热部（20）加热的处理液保持板（15）之间的间隙供给处理液S。

Description

基板处理装置及基板处理方法
技术领域
本发明涉及利用处理液对半导体晶片等板状基板的表面进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
背景技术
以往，公开有例如利用由硫酸和双氧水混合而成的处理液来去除形成在半导体晶片表面上的抗蚀剂的基板处理装置(参照专利文献1)。在该基板处理装置中，向在埋设有加热器的保持板上保持的半导体晶片的表面喷洒处理液。由于处理液被提供给如上所述进行加热的半导体晶片的表面，因此处理液借助于半导体晶片而被加热，从而能够提高其抗蚀剂去除能力，作为结果，能够从半导体晶片的表面可靠地去除抗蚀剂。
在先技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-66400号公报
发明内容
发明所要解决的课题
但是，在上述的以往的基板处理装置中，由于只是简单地在被加热的半导体晶片上喷上处理液，因此处理液的加热效率低，并且处理液的利用效率也不佳。
本发明是鉴于上述问题而完成的，提供能够在更高效地加热并高效使用处理液来对板状基板的表面进行处理的基板处理装置及基板处理方法。
用于解决课题的手段
本发明的基板处理装置具有处理液供给机构，该处理液供给机构向保持在以规定的旋转轴为中心进行旋转的基板保持部上的板状基板的表面供给处理液，该基板处理装置利用所述处理液对所述板状基板的表面进行处理，该基板处理装置具有：处理液保持板，其与被保持在所述基板保持部上的所述板状基板的表面隔着规定的间隔相对配置，在与所述板状基板的表面之间保持处理液；以及加热部，其与所述处理液保持板的包含与所述基板保持部的所述旋转轴对应的位置在内的规定区域接触，对该规定区域进行加热，所述处理液供给机构向与所述基板保持部一起旋转的所述板状基板的表面与被所述加热部加热的处理液保持板之间的间隙供给所述处理液。
本发明的基板处理方法使用上述基板处理装置，该基板处理方法包括：处理液供给步骤，从所述处理液供给机构向与所述基板保持板一起旋转的所述板状基板的表面与所述处理液保持板之间的间隙供给处理液；以及处理液保持步骤，在所述板状基板的表面与被所述加热部加热的所述处理液保持板之间的间隙中保持所述处理液。
发明效果
根据本发明的基板处理装置及基板处理方法，由于被处理液保持板加热的处理液以层状维持在该处理液保持板与旋转的板状基板之间，其中该处理液保持板是被加热部加热的，利用该被加热的同时以层状维持的处理液来对板状基板的表面进行处理，因此能够高效地使用而不浪费处理液地对该板状基板的表面进行处理。并且，由于加热部与处理液保持板的包含与基板保持部的旋转轴对应的位置在内的规定区域接触，因此能够使在处理液保持板与板状基板的表面之间保持的处理液的温度在旋转轴附近的中心部和其他的部分上均匀化。
附图说明
图1是示出本发明的第1实施方式的基板处理装置的结构的图。
图2是示出在图1所示的基板处理装置中使用的基板保持板的从图1的箭头X所示的方向观察到的构造的俯视图。
图3A是示出图1所示的基板处理装置的动作步骤的流程图(其1)。
图3B是示出图1所示的基板处理装置的动作步骤的流程图(其2)。
图4是示出图1所示的基板处理装置中的处理液保持板的上升动作的图。
图5是示出图1所示的基板处理装置中的半导体晶片的送入的图。
图6是示出图1所示的基板处理装置中的处理液保持板的下降动作的图。
图7是示出图1所示的基板处理装置中的基板保持板的旋转动作的图。
图8是示出图1所示的基板处理装置中的处理液的供给动作的图。
图9是示出基板处理装置的动作步骤的另一例子的流程图。
图10是示出本发明的第2实施方式的基板处理装置的结构的图。
图11是示出与保持在基板保持板上的半导体晶片的表面相对配置的处理液保持板的第1变形例的剖视图。
图12是示出上述处理液保持板的第1变形例的立体图。
图13是示出处理液保持板的第2变形例的剖视图。
图14是示出处理液保持板的上述第2变形例的俯视图(从图13的箭头Y观察到的图)。
图15是示出处理液保持板的第3变形例的放大剖视图。
图16是示出处理液保持板的上述第3变形例的俯视图(从图15的箭头Z的方向观察到的图)。
图17是示出处理液保持板的第4变形例的放大剖视图。
图18是示出处理液保持板的第5变形例的放大剖视图。
图19是示出在与保持在处理液保持板的基板保持板上的半导体晶片的表面相对的面的相反侧的面上设置的片状加热器的变形例的剖视图。
具体实施方式
以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。
本发明的第1实施方式的基板处理装置如图1所示构成。该基板处理装置进行在作为板状基板的半导体晶片(以下，简称为晶片)的表面形成的抗蚀剂的去除处理。
在图1中，该基板处理装置具有：基板保持板10(基板保持部)，其保持作为处理对象的晶片100；以及处理液保持板15，其与该基板保持板10相对配置。基板保持板10具有可通过旋转机构30以旋转轴C为中心进行旋转的构造。在基板保持板10的表面设置有多个支撑销11，晶片100是以其周围部分被这些多个支撑销11支撑的方式保持在基板保持板10上的。另外，处理液保持板15具有能够借助于升降机构40进行升降动作的构造。处理液保持板15是由后述的对处理液具有耐受性的材料(例如，石英材料)形成，如图1和图2(示出基板保持板10的从图1的箭头X所示的方向观察到的构造)所示，构成为在周边部形成有向与基板保持板10相反的一侧立起的壁的、圆形盆状的形状。在处理液保持板15的与基板保持板10相对的面的相反侧的面上，贴附有圆形片状的加热器20(加热部)。在圆形片状的加热器20，形成有用于使后述的处理液供给管55贯穿的圆形孔20a。该圆形孔20a的中心偏离基板保持板10的旋转轴C。
另外，该基板处理装置具有处理液供给机构50。处理液供给机构50具有储存处理液的4个处理液槽51a、51b、51c、51d。在处理液槽51a中储存有硫酸(H2SO4)，在处理液槽51b中储存有双氧水(H2O2)，在处理液槽51c中储存有纯水(H2O)，在处理液槽51d中储存有氨水(NH3)。从各处理液槽51a、51b、51c、51c延伸出单独输送管54a、54b、54c、54d，这些单独输送管54a、54b、54c、54d并列地与处理液供给管55结合。处理液供给管55从加热器20的孔20a穿过在处理液保持板15上与上述孔20a相对的位置处形成的孔，其前端部从与基板保持板10相对的面侧露出(参照图1及图2)。由此，经过处理液供给管55的处理液被提供给晶片100的表面。
在各单独输送管54a、54b、54c、54d设置有流量调整阀52a、52b、52c、52d和流量计53a、53b、53c、53d。通过调整各流量调整阀52a、52b、52c、52d，能够调整从对应的处理液槽51a、51b、51c、51d流入到处理液供给管55的处理液的量。另外，此时流过各单独输送管54a、54b、54c、54d的处理液的量被表示在对应的流量计53a、53b、53c、53d上。
另外，虽然未图示，但上述结构的基板处理装置具有控制旋转机构30、升降机构40、流量调整阀52a、52b、52c、52d及加热器20的动作的控制装置。
在该基板处理装置中，如下所述进行对晶片100的处理。
圆形片状的加热器20被通电。通过该通电的加热器20，处理液保持板15的与基板保持板10相对的面的相反侧的面被均匀地加热，处理液保持板15整体被保持在规定温度(例如，温度范围100℃～400℃内的温度)。在该状态下，按照图3A及图3B所示的步骤来进行动作。
如图4所示，处理液保持板15上升到最上位点，送入到该处理液保持板15与基板保持板10之间的作为处理对象的晶片100，如图5所示，其周围部分被多个支撑销11支撑而保持在基板保持板10上(S11)。此时，以晶片100的中心与基板保持板10的旋转轴C一致的方式进行定位。
接着，如图6所示，处理液保持板15下降到在与保持在基板保持板10上的晶片100的表面之间形成规定间隙(例如，4mm以下)的位置为止(S12)。并且，如图7所示，基板保持板10以比较低速的规定速度(例如，50rpm左右)来旋转。由此，晶片100与基板保持板10一起以上述规定速度旋转(S13)。
处理液保持板15与晶片100的表面隔着规定间隔地相对配置，在晶片100以比较低速的规定速度旋转的状态下，处理液从处理液供给管55供给到处理液保持板15与晶片100的表面之间的间隙中(S14)。具体地讲，在流量调整阀52c、52d被关闭的状态下，调整流量调整阀52a、52b的开度，来自处理液槽51a的硫酸(H2SO4)以与流量调整阀52a的开度对应的流量经过单独输送管54a，并且，来自处理液槽51b的双氧水(H2O2)以与流量调整阀52b的开度对应的流量经过单独输送管54b，流入到处理液供给管55。由此，硫酸(H2SO4)与双氧水(H2O2)混合而成的处理液S经过处理液供给管55供给到处理液保持板15与晶片100表面之间的间隙中。
当对旋转的晶片100的表面供给处理液S时，该处理液S朝向晶片100的外周方向依次移动。并且，如图8所示，在处理液保持板15与晶片100的表面之间的间隙中充满处理液S，由于处理液S的表面张力而在晶片100的表面保持了层状的处理液S。如上所述，在处理液保持板15与晶片100表面之间以层状保持的处理液S被处理液保持板15整体加热而维持在高温(例如，温度范围100℃～400℃内的温度)，其中，处理液保持板15是被加热器20加热的。并且，通过维持在该高温而提高了抗蚀剂去除能力的(硫酸(H2SO4)与双氧水(H2O2)混合而成的)处理液S而去除形成在晶片100表面的抗蚀剂。在该状态下，当从处理液供给管55连续供给处理液S时，晶片100表面的处理液S被新处理液S置换的同时维持层状的形态，溶解了抗蚀剂的处理液S从旋转的晶片100的外周部分依次作为废液排出(关于处理液的排出机构省略图示)。
回到图3A，如上所述，在一边供给处理液S一边进行晶片100表面的处理(抗蚀剂去除处理)并且经过了规定的处理时间时，流量调整阀52a、52b关闭，来自处理液槽51a的硫酸(H2SO4)、及来自处理液槽51b的双氧水(H2O2)的供给被中止(S15)。之后，调整流量调整阀52c的开度，来自处理液槽51c的纯水(H2O)以与流量调整阀52c的开度对应的流量经过单独输送管54c而流入到处理液供给管55(S16)。由此，代替上述处理液S，纯水(H2O)从处理液供给管55连续供给到晶片100的表面，晶片100的表面通过所供给的纯水(H2O)而被清洗(清洗处理1)。并且，当晶片100表面的基于纯水(H2O)的清洗进行了规定时间时，流量调整阀51c被关闭(S17)，基于纯水(H2O)的晶片100的表面的清洗结束。
接着，调整流量调整阀52b、52c、52d的开度，来自处理液槽51b的双氧水(H2O2)以与流量调整阀52b的开度对应的流量经过单独输送管54b，来自处理液槽51c的纯水(H2O)以与流量调整阀52c的开度对应的流量经过单独输送管54c，并且，来自处理液槽51d的氨水(NH3)以与流量阀52d的开度对应的流量经过单独输送管54d，流入到处理液供给管55。由此，双氧水(H2O2)、纯水(H2O)及氨水(NH3)混合而成的碱性处理液APM经过处理液供给管55供给到处理液保持板15与晶片100表面之间的间隙(S18)，通过所供给的处理液APM来中和晶片100表面的酸性残留物，进行晶片100表面的清洗(清洗处理2)。并且，当晶片100表面的基于处理液APM的清洗进行了规定时间时，关闭流量调整阀52b、52c、52d(S19)，基于处理液APM的晶片100表面的清洗结束。
之后，再次调整流量调整阀52c的开度，来自处理液槽51c的纯水(H2O)以与流量调整阀52c的开度对应的流量经过单独输送管54c流入到处理液供给管55(S20)。由此，纯水(H2O)从处理液供给管55连续供给到晶片100的表面，晶片100的表面通过所供给的纯水(H2O)而被再次清洗(清洗处理3)。并且，当晶片100表面的基于纯水(H2O)的清洗进行了规定时间时，关闭流量调整阀51c(S21)，基于纯水(H2O)的晶片100表面的清洗结束。
当如上所述各清洗处理1、2、3结束时，在处理液保持板15上升到最上位点(S22：参照图5)之后，按照图3B所示的步骤继续进行处理。即、基板保持板10以高速(例如，1500rpm左右)旋转。由此，晶片100与基板保持板10一起高速旋转(S23)。如上所述，当晶片100高速旋转时，残留在晶片100上的水分由于离心力而飞散，去除了晶片100上的水分(干燥处理)。
当上述晶片100的干燥处理进行了规定时间时，停止基板保持板10的旋转(S24)，送出保持在基板保持板10上的完成处理的晶片100(S25)。之后，对依次供给的晶片100按照与上述的相同的步骤(参照图3A及图3B)进行处理。
根据如上所述的基板处理装置，在保持于基板保持板10上的晶片100的表面以层状保持有处理液S，该层状的处理液S通过处理液保持板15被加热，其中该处理液保持板15是通过圆形片状的加热器20而被整体均匀地加热的，因此能够更高效地加热处理液S。另外，在该被加热的层状的处理液S始终保持在晶片100表面上的状态下，对晶片100的表面进行处理，因此能够不浪费该处理液S而高效地使用来对晶片100的表面进行处理。
另外，在加热器20上设置的圆形的孔20a的中心设置在偏移基板保持板10的旋转轴C的位置(偏心)。由此，能够使在处理液保持板15与晶片100的表面之间以层状保持的处理液S的温度在旋转轴C附近的中心部和其他的部分更加均匀化。也就是说，当孔20a配置在旋转轴上时，虽然始终是晶片100的相同地方(中心部分)与孔20a相对，但是当孔20a形成在相对于基板处理板10(晶片100)偏心的位置时，伴随晶片100的旋转，晶片100中的与孔20a相对的部分逐次变化，因此能够实现处理液S的温度均匀化。
另外，在上述的基板处理装置中，在进行了抗蚀剂去除处理(参照图3A中的S14、S15)之后，虽然进行利用纯水的清洗处理1(参照图3A中的S16、S17)、利用APM的清洗处理2(参照图3A中的S18、S19)以及利用纯水的清洗处理3(参照图3A中的S20、S21)这3次清洗处理，但是也可以省去利用APM的清洗处理2及省去1次利用纯水的清洗处理3。此时，如图9所示，在抗蚀剂去除处理(S14、S15)结束之后，仅进行1次利用纯水的清洗处理(参照S16、17)。之后，处理液保持板15上升到最上位点(S22)，干燥处理(S23)进行规定时间。并且，在该干燥处理结束之后，停止晶片100的旋转(S24)，送出晶片100(S25)。
在上述的抗蚀剂去除处理(参照图3及图9中的S14)中，在晶片100的表面与处理液保持板15之间保持了处理液S的状态下，处理液S经过处理液供给管55而被连续地供给。此时，如上所述，晶片100表面的处理液S一边被新的处理液S置换一边维持层状的形态，溶解了抗蚀剂的处理液S从旋转的晶片100的外周部分依次作为废液排出。基于处理液S的晶片100(板状基板)的表面处理不限于此，在晶片100的表面与处理液保持板15之间保持了处理液S的状态下，也能够停止经过处理液供给管55的处理液S的供给。例如，在使用具有当超过规定温度时处理能力急剧提高的特性的处理液时等，优选在晶片100表面与处理液保持板15之间保持了处理液S的状态下停止经过处理液供给管55的处理液S的供给。此时，新的处理液S的供给被中止，处理液S不会被置换而留在晶片100的表面，当在此期间被加热的处理液S超过上述规定温度时，晶片100表面被温度超过该规定温度而变为比较高温的处理液进行处理。例如，作为处理液使用磷酸，在对形成在晶片100表面的氮化膜进行蚀刻(去除)时，优选使用这样的方法。在该方法中，例如，当通过超过规定温度的处理液S来完成晶片100的必要处理时，能够使处理液S的供给停止预计的时间，另外，能够根据利用了温度计等的温度管理来使处理液S的供给停止。
本发明的第2实施方式的基板处理装置如图10所示构成。在该处理装置中，从储存硫酸(H2SO4)的处理液槽51a延伸的单独输送管54a具有与设置在处理液保持板15的圆形片状的加热器20抵接配置的加热输送管部分54aa。从处理液槽51a流出而经过单独输送管54a的硫酸(H2SO4)，在经过加热输送管部分54aa时被加热器20加热，在变为高温的状态下，流入到处理液供给管55。另外，其他结构与图1所示的本发明的第1实施方式的基板处理装置相同。
根据如上所述的基板处理装置，在硫酸(H2SO4)被设置在处理液保持板15的加热器20加热的状态下，在处理液供给管55内与双氧水(H2O2)混合而生成处理液S，因此比较高温的处理液S被供给到处理液保持板15与晶片100的表面之间的间隙中。并且，该比较高温的处理液S以层状保持在处理液保持板15与晶片100表面之间，被处理液保持板15再次加热。因此，不用另外设置其他的加热单元，能够进一步高效地加热处理液S。
对处理液保持板15的变形例进行说明。
处理液保持板15的第1变形例如图11及图12所示。
在图11及图12中，该处理液保持板15具有如下所述的构造：具有板主体151和以在板主体151的周缘向基板保持板10侧突出的方式形成的壁部152。板主体151与上述的处理液保持板(参照图1及图2)同样，构成为圆形盆状，在与基板保持板10相对的面的相反侧的面上贴附有圆形片状的加热器20。并且，处理液供给管55贯通形成在加热器20上的孔20a以及与该孔20a对应形成在板主体151上的孔。与板主体151的基板保持板10相对的面，具有能够覆盖晶片100的表面、进而覆盖基板保持板10的面的尺寸，板主体15的周缘位于晶片100的周缘及基板保持板10的周缘的外侧。
另外，形成在板主体151周缘的壁部152以其前端向横切该处理液保持板15的方向(图11中的左右方向)倾斜的方式形成。具体地讲，其前端以壁部152从图11中的右侧向左侧慢慢变高的方式倾斜。
根据如上所述构造的处理液保持板15，例如，在上述的清洗处理3(参照图3A)和清洗处理(参照图9)结束时或者是在抗蚀剂去除处理的过程中，由于某种原因使处理液保持板15上升时，加热温度比较低而很难被蒸发的、附着在处理液保持板15周缘的纯水和处理液S传递到倾斜的壁部152的前端而汇集在处理液保持板15的一侧。并且，该纯水和处理液S的液滴从晶片100的周缘和/或基板保持板10的周缘而滴到外侧。由此，能够防止纯水和处理液S滴到基板保持板10和保持在该基板保持板10上的晶片100上。而且，在处理液保持板15上升的状态下，还能够防止在进入到处理液保持板15与基板保持板10之间的机械臂上附着从处理液保持板15滴下的纯水和处理液S。即，通过在板15的一侧汇集处理液S和纯水，从而如果是使机械臂从与处理液汇集的方向相反的方向(板15的另一方)进入的构造，则能够防止处理液附着在该机械臂上。
处理液保持板15的第2变形例示出在图13及图14。另外，图13示出图14所示的处理液保持板15的A-A′线的截面。
在图13及图14(从图13的箭头Y的方向观察到的图)中，在接近圆形片状的加热器20周缘的规定部位上形成有孔20a，处理液供给管55穿过该孔20a插入到处理液保持板15。在处理液保持板15上，形成有沿着与晶片10的表面相对的面延伸的流路153。在处理液保持板15的与晶片10的表面相对的面的大致中央形成有开口153a，流路153从处理液供给管55的前端以漩涡状延伸而到达开口153a。
根据如上所述构造的处理液保持板15，流过处理液供给管55而来的处理液S在经过以旋涡状形成在处理液保持板15内的流路153的期间内被加热，该被加热而变为比较高温度的处理液S从流路153的开口153a供给到晶片100的表面与处理液保持板15之间。因此，能够使更高温度的处理液S以层状维持在处理液保持板15与晶片100之间。
在圆形片状的加热器20不是从面全体均匀地发热，而是例如线状发热体以规定的形状进行配置的构造时，被该加热器20加热的处理液保持板15的面内的温度分布与加热器20中的上述线状发热体的配置形状对应。在如上所述的情况下，上述的流路153也可以沿着根据处理液保持板15的面内的温度分布而确定的容易加热的区域(例如，与加热器20中的线状发热体的配置形状对应)形成。此时，由于处理液保持板15中的容易加热的区域被流过流路153的处理液S冷却(处理液S被加热)，因此通过加热器20而被加热的处理液保持板15的面内的温度分布能够更均匀。其结果，在晶片100的表面与处理液保持板15之间以层状维持的处理液S的温度分布也能够更均匀。
处理液保持板15的第3变形例示出在图15及图16(从图15的箭头Z的方向观察到的图)。另外，图15示出图16所示的处理液保持板15的A-A′线的截面。
在图15及图16中，在处理液保持板15的与晶片100的表面相对的面上，形成有在该面上开口而穿出到该处理液保持板15的周侧面156的多个槽155。如图16所示，这些多个槽155在处理液保持板15的相应面上以纵/横的格子状配置。
根据如上所述构造的处理液保持板15，即使接触到被圆形片状的加热器20加热的处理液保持板15的与晶片100表面相对的面的处理液S气化而产生气体，也不会在处理液S与处理液保持板15的表面之间形成气体的层，而能够使该气体经过各槽155而排出到处理液保持板15之外。因此，不会被上述气体隔热，能够高效地加热处理液S。
上述的多个槽155虽然如图16所示以格子状排列，但是只要各槽155穿出到处理液保持板15的周侧面156，则其排列的方式不特别限定，例如也可以是以放射状排列的槽。
处理液保持板15的第4变形例示出在图17。
在图17中，与上述的第3变形例(参照图15及图16)同样，在处理液保持板15的与晶片100的表面相对的面上，以格子状形成有在该面上开口而穿出到该处理液保持板15的周侧面156的多个槽155。而且，在各槽155的底部形成有宽度比槽宽大的圆筒状通路155a。由此，能够使被加热的处理液S蒸发而导入到各槽155的气体经过该圆筒状通路155a可靠地排出到处理液保持板15之外。
处理液保持板15的第5变形例示出在图18。
在图18中，与上述的第4变形例(参照图17)同样，在处理液保持板15的与晶片100的表面相对的面上，在各槽155的底部形成有圆筒状通路155a，该各槽155在该面上开口并穿出到该处理液保持板15的周侧面156而形成的。而且，各槽155的处理液保持板15的面上的开口部，是作为宽度比槽宽大的半圆筒状凹部155b来形成。由此，即使接触到被加热器20加热的处理液保持板15的与晶片100表面相对的面的处理液S气化而产生气体，也能够通过半圆筒状凹部155b汇集该气体而有效地导入到各槽155内。并且，如上所述，能够使导入到各槽155的气体经过圆筒状通路155a而可靠地排出到处理液保持板15之外。另外，由于通过作为各槽155的开口部形成的半圆筒状凹部155b而增大处理液保持板15的与晶片100的表面相对的面的表面积，因此能够更高效地加热与该面接触的处理液S。
而且，在处理液保持板15的各槽155开口的面(与晶片100的表面相对的面)上，形成有多个凹部157。各凹部157可以是球面状(酒窝状)，也可以是槽状，并且也可以是其他的形状。如上所述，在处理液保持板15的各槽155开口的面上形成有多个凹部157时，由于处理液保持板15的与晶片100相对的面的表面积变得更大，因此能够更高效地加热与处理液保持板15的相应面接触的处理液S。
接着，圆形片状的加热器20的变形例示出在图19。
在图19中，在处理液保持板15的与晶片100的表面相对的面的相反侧的面上贴附的圆形片状的加热器20，由能够分别控制发热量的2个加热器片201、202来构成。在圆形加热器片201的外侧同心地配置有圆环状加热器片202。根据如上所述的加热器20，通过分别控制同心配置的2个加热器片201、202的发热量，从而能够通过温度部分不同的处理液S、具体地讲是每个同心状部分的温度不同的处理液S来对晶片100的表面进行处理。例如，当在晶片100的中心部分上涂布有很多的抗蚀剂时，通过将位于内侧的圆状加热器片201的发热量控制得比外侧的圆环状加热器202的发热量多，从而能够有效地去除附着在晶片100表面的抗蚀剂。
上述的本发明的各实施方式的基板处理装置，虽然进行晶片100表面的抗蚀剂去除处理，但是也可以对液晶基板等其他板状基板进行处理。另外，虽然在处理液保持板15上作为处理液加热机构设置了片状的加热器，但是只要能够加热处理液保持板15则不限于片状。例如，也可以使用在板状部件上埋入棒状加热器的加热器。而且，在作为处理对象选择了晶片时，虽然优选圆形的加热器，但是根据处理对象可以适当变更设定形状。
【符号说明】
10 基板保持板(基板保持部)
15 处理液保持板
20 加热器(加热部)
20a 孔
30 旋转机构
40 升降机构
50 处理液供给机构
51a、51b、51c、51d 处理液槽
52a、52b、52c、52d 阀
53a、53b、53c、53d 流量计
54a、54b、54c、54d 单独输送管
55 处理液供给管
100 半导体晶片(板状基板)
151 板主体
152 壁部
153 流路
153a 开口
155 槽
155a 圆筒状通路
155b 半圆筒状凹部
156 周侧面
157 凹部
201、202 加热器片

Claims (18)

1.一种基板处理装置，其具有处理液供给机构，该处理液供给机构向保持在以规定的旋转轴为中心进行旋转的基板保持部上的板状基板的表面供给处理液，该基板处理装置利用所述处理液对所述板状基板的表面进行处理，其特征在于，该基板处理装置具有：
处理液保持板，其与被保持在所述基板保持部上的所述板状基板的表面隔着规定的间隔相对配置，在与所述板状基板的表面之间保持处理液；以及
加热部，其与所述处理液保持板的包含与所述基板保持部的所述旋转轴对应的位置在内的规定区域接触，对该规定区域进行加热，
所述处理液供给机构向与所述基板保持部一起旋转的所述板状基板的表面与被所述加热部加热的处理液保持板之间的间隙供给所述处理液。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给机构贯穿所述处理液保持板的没有接触所述加热部的部分而将所述处理液供给到所述板状基板的表面与所述处理液保持板之间的间隙中。
3.根据权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热部具有片状加热器，该片状加热器被设置为和所述处理液保持板的与所述板状基板相对的面的相反侧的面抵接，
在该片状加热器上，在偏离所述基板保持部的所述旋转轴的位置处形成有孔，
所述处理液供给机构穿过所述片状加热器的所述孔而将所述处理液供给到所述板状基板的表面与所述处理液保持板之间的间隙中。
4.根据权利要求1至3中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给机构贯穿所述处理液保持板的偏离所述基板保持部的所述旋转轴的位置而将所述处理液供给到所述板状基板的表面与所述处理液保持板之间的间隙中。
5.根据权利要求1至4中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液保持板具有：能够覆盖所述板状基板的表面的板主体；以及在该板主体的周缘以向所述基板保持部侧突出的方式形成的壁部，
所述壁部的前端在横切所述处理液保持板的方向上倾斜。
6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理液保持板内，形成有沿着该处理液保持板的与所述板状基板的表面相对的面延伸并在该面的规定位置处开口的流路，
来自所述处理液供给机构的所述处理液流过所述流路而供给到该处理液保持板与所述板状基板的表面之间的间隙中。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路以漩涡状形成在所述处理液保持板内。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其特征在于，
所述流路是沿着依照所述处理液保持板的面内的温度分布而确定的容易加热区域而形成的，其中，所述处理液保持板的面内的温度分布是由于所述加热部的加热而产生的。
9.根据权利要求1至8中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述加热部是由能够独立控制发热量的多个单独加热部形成的。
10.根据权利要求3所述的基板处理装置，其特征在于，
所述片状加热器具有能够独立控制发热量的多个加热器部，该多个加热器部呈同心状配置在所述处理液保持板的与所述板状基板相对的面的相反侧的面上。
11.根据权利要求1至10中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理液保持板的与所述板状基板相对的面形成有在该面上开口并穿出到该处理液保持板的侧面的多个槽。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述多个槽中的至少1个槽的底部形成有宽度大于槽宽的通路。
13.根据权利要求11或12所述的基板处理装置，其特征在于，
所述多个槽中的至少1个槽在所述处理液保持板的与所述板状基板相对的面上的开口部形成为宽度大于槽宽的凹部。
14.根据权利要求1至13中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
在所述处理液保持板的与所述板状基板相对的面形成有多个凹部。
15.根据权利要求1至14中的任意一项所述的基板处理装置，其特征在于，
所述处理液供给机构具有流路，该流路中流过所述处理液的全部或一部分，被来自对所述处理液保持板进行加热的加热部的热加热。
16.一种使用权利要求1至15中的任意一项所述的基板处理装置的基板处理方法，其特征在于，该基板处理方法包括：
处理液供给步骤，从所述处理液供给机构向与所述基板保持板一起旋转的所述板状基板的表面与所述处理液保持板之间的间隙供给处理液；以及
处理液保持步骤，在所述板状基板的表面与被所述加热部加热的所述处理液保持板之间的间隙中保持所述处理液。
17.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
在持续从所述处理液供给机构供给所述处理液的同时，执行所述处理液保持步骤。
18.根据权利要求15所述的基板处理方法，其特征在于，
在不持续从所述处理液供给机构供给所述处理液的情况下，执行所述处理液保持步骤。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105051869A (zh) * 2013-03-29 2015-11-11 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
CN110491805A (zh) * 2019-08-07 2019-11-22 长江存储科技有限责任公司 半导体处理设备及半导体处理方法
TWI681451B (zh) * 2016-03-31 2020-01-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置
CN113448186A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理装置及晶圆处理方法
CN114981485A (zh) * 2020-12-21 2022-08-30 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2383771B1 (de) * 2010-04-29 2020-04-22 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Lösen einer Polymerschicht von einer Oberfläche eines Substrats
JP6222817B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
KR20160085845A (ko) * 2013-11-13 2016-07-18 티이엘 에프에스아이, 인코포레이티드 마이크로전자 디바이스들 및 그 전구체를 제조하기 위하여 산성 케미스트리들을 사용할 때의 향상된 챔버 세정
JP6564362B2 (ja) * 2014-03-11 2019-08-21 芝浦メカトロニクス株式会社 反射型マスクの洗浄装置および反射型マスクの洗浄方法
WO2015200860A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-30 Viasat, Inc. System and apparatus for driving antenna
JP6748524B2 (ja) * 2015-09-30 2020-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7403320B2 (ja) * 2020-01-07 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JP2023152532A (ja) 2022-04-04 2023-10-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
KR20240102872A (ko) 2022-12-26 2024-07-03 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61104621A (ja) * 1984-10-29 1986-05-22 Nec Corp ポジレジスト現像装置
JPH10135127A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Canon Sales Co Inc 基板現像装置
US6190063B1 (en) * 1998-01-09 2001-02-20 Tokyo Electron Ltd. Developing method and apparatus
JP2002110525A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 現像処理方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3527426B2 (ja) * 1998-01-09 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
JP2008066400A (ja) 2006-09-05 2008-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5410040B2 (ja) * 2008-06-26 2014-02-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61104621A (ja) * 1984-10-29 1986-05-22 Nec Corp ポジレジスト現像装置
JPH10135127A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Canon Sales Co Inc 基板現像装置
US6190063B1 (en) * 1998-01-09 2001-02-20 Tokyo Electron Ltd. Developing method and apparatus
JP2002110525A (ja) * 2000-10-02 2002-04-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 現像処理方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105051869A (zh) * 2013-03-29 2015-11-11 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置以及基板处理方法
US10026760B2 (en) 2013-03-29 2018-07-17 Shibaura Mechatronics Corporation Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI681451B (zh) * 2016-03-31 2020-01-01 日商芝浦機械電子裝置股份有限公司 基板處理裝置
CN110491805A (zh) * 2019-08-07 2019-11-22 长江存储科技有限责任公司 半导体处理设备及半导体处理方法
CN113448186A (zh) * 2020-03-27 2021-09-28 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理装置及晶圆处理方法
CN113448186B (zh) * 2020-03-27 2024-05-14 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理装置及晶圆处理方法
US12001142B2 (en) 2020-03-27 2024-06-04 Changxin Memory Technologies, Inc. Wafer processing device and method
CN114981485A (zh) * 2020-12-21 2022-08-30 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法
CN114981485B (zh) * 2020-12-21 2023-03-28 株式会社荏原制作所 镀覆装置以及镀覆液的搅拌方法

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