CN101989538B - 液体处理装置和液体处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供液体处理装置和液体处理方法。液体处理装置(10)包括：液体供给机构(15)；供给管线(30)，其与液体供给装置相连接、且具有用于喷出被调节了温度的液体的喷出开口(30a)；处理单元(50)，其用于支承供给管线的喷出开口；回流管线(35)，其使被供给到供给管线中的液体返回到液体供给机构中；液体供给切换阀(38a)，其切换下述动作，即、供给用于在处理单元中处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作。液体供给切换阀(38a)设置在供给管线(30)上，且位于自供给管线(30)经由回流管线(35)返回到液体供给机构(15)中的液体的路径上。

Description

液体处理装置和液体处理方法
技术领域
本发明涉及使用被调节了温度的液体来处理被处理体的液体处理装置以及液体处理方法。另外，本发明还涉及一种存储有用于执行液体处理方法的程序的存储介质，该液体处理方法使用被调节了温度的液体来处理被处理体。
背景技术
以往，广泛采用对半导体晶圆(以下简称晶圆)、显示器用玻璃基板实施的蚀刻处理等一边向被处理体供给被调节了温度的液体一边处理被处理体的技术(例如JP2007-123393A)。通常，在用于进行处理的液体的温度较高时，能够活化该液体的反应，使处理容易进行。因而，通过加热用于进行处理的液体，能够获得缩短处理时间这样的优点。
另外，本申请的发明人还发现了通过加热IPA(异丙醇)等所代表的干燥用液体、能够使用该加热后的液体对由晶圆等构成的被处理体进行干燥处理的优点。详细而言，当将加热后的干燥用液体用于对被处理体进行干燥处理时，能够减少在干燥用液体蒸发时自被处理体吸收的热量，从而能够抑制在干燥处理过程中被处理体的温度下降。由此，能够抑制在被处理体上结露，从而能够有效地防止在被处理体上产生波纹(watermark)。
但是，在对用于处理被处理体的液体的温度进行调节时，如上所述由于液体的温度的不同，处理的进行产生较大的变化。因而，从确保被处理体间的处理的均匀化的方面出发，重要的是恒定地保持用于处理的液体的温度。
在JP2007-123393A号公报中，公开了下述基板处理装置，该装置包括贮存有药液的罐、一端与罐相连接的主配管(药液处理用供给管163)、自主配管的另一端分支而成的许多条供给管(药液处理用供给管64、83)以及与供给管相连接的许多个处理单元。在该基板装置中，在主配管上设有用于调节药液温度的温度调节机构，在各供给管上设有阀。于是，通过打开或关闭阀，能够将被调节了温度的药液供给到各处理单元中。
在该种以往的基板处理装置中，当关闭了阀时，被调节了温度的药液在供给管中不再流动。例如，在通过调节温度而加热液体时，若处理单元中的处理停止、即停止向处理单元供给加热后的液体，则供给管的温度持续下降。因此，在重新向该处理单元供给加热后的液体时，加热后的液体的热量被温度下降了的供给管吸收，从而使用于进行处理的被供给的液体的温度下降。
特别是，设在供给管上的阀的热容量远大于管的热容量。因而，在停止向处理单元供给被调节了温度的液体的期间内，若供给管的温度与阀的温度一起发生变化(例如下降)，则导致在重新向该处理单元供给液体时液体的温度明显变化。相对应地对被处理体进行的处理的进行程度也变得不稳定。
发明内容
本发明的一技术方案的液体处理装置使用被调节了温度的液体来对被处理体进行处理，该液体处理装置包括：
液体供给机构，其用于供给液体；
供给管线，其与上述液体供给机构相连接，且具有用于喷出被调节了温度的液体的喷出开口；
处理单元，其支承上述供给管线，且能够使用自上述供给管线的喷出开口喷出的被调节了温度的液体来对上述被处理体进行处理；
回流管线，其用于使被供给到上述供给管线中的液体返回到上述液体供给机构中；
液体供给切换阀，其设置在上述供给管线上，用于切换向上述喷出开口供给用于在上述处理单元中处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作；
上述液体供给切换阀位于使液体自上述供给管线经由上述回流管线返回到上述液体供给机构中的路径上。
本发明的一技术方案的液体处理方法使用被调节了温度的液体来对被处理体进行处理，该方法包括以下工序：
使自液体供给机构流入供给管线中的被调节了温度的液体经由回流管线返回到上述液体供给机构中，从而使被调节了温度的液体在包括上述供给管线和上述回流管线在内的路径中循环，由此调节上述供给管线的温度；
自上述供给管线的喷出开口喷出自上述液体供给机构流入上述供给管线中的被调节了温度的液体，对上述被处理体进行处理；
该方法在调节上述供给管线的温度时，液体供给切换阀也被调节温度，该液体供给切换阀设置在上述供给管线上，用于切换向上述喷出开口供给用于在上述处理单元中处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作。
本发明的一技术方案的存储介质存储有利用控制装置执行的程序，该控制装置对液体处理装置进行控制，该液体处理装置使用被调节了温度的液体来处理被处理体，通过利用上述控制装置执行上述程序，使液体处理装置实施上述本发明的一技术方案的液体处理方法。
附图说明
图1是概略地表示本发明的一实施方式的液体处理装置的整体结构的图。
图2是表示图1的液体处理装置的处理单元附近的配管类构件的图。
图3是表示图1的液体处理装置的处理单元的纵剖视图。
图4是图1的处理单元的支承构件的俯视图。
图5是用于说明采用图1的液体处理装置来实施的液体处理方法的一例的流程图。
图6是用于说明在对被处理体实施液体处理时的图1的液体处理装置的动作的流程图。
图7是与图2相对应的图，表示液体处理装置的一变形例。
图8是与图2相对应的图，表示液体处理装置的另一变形例。
图9是用于说明支承构件的臂(分隔构件)的变形例的图。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的一实施方式。另外，在本说明书所添加的附图中，为了方便图示以及理解，适当改变实物的比例尺和纵横的尺寸比等而夸张地表示。
图1～图6是用于说明本发明的一实施方式的图，此外图7～图9是用于说明图1～图6所示的实施方式的变形例的图。其中图1是概略地表示液体处理装置的整体结构的图。图2是将图1中以点划线包围的区域放大而更详细地表示该区域的图。图3和图4分别表示被装入在液体处理装置中的处理单元中的1个的纵剖视图和俯视图。
另外，在下述实施方式中，表示将本发明应用在半导体晶圆(被处理体的一例)的清洗处理的例子。并且，作为清洗处理，对被处理体即圆板状的晶圆实施采用药液进行的处理、采用纯水进行的处理以及采用干燥用液体进行的处理。其中，将干燥用液体加热到高于药液和纯水的温度来使用。但本发明当然不限定于应用在晶圆的清洗处理中。
如图1～图4所示，液体处理装置10包括用于供给第1液体的第1液体供给机构15、用于供给第2液体的第2液体供给机构40、一端与第1液体供给机构15相连接的第1供给管线30、一端与第2液体供给机构40相连接的第2供给管线45以及利用第1液体和第2液体来处理晶圆W的处理单元50。另外，液体处理装置10还包括回流管线35，该回流管线35的一端与循环管线20相连接，用于使被供给到第1供给管线30中的第1液体返回到第1液体供给机构15中。此外，液体处理装置10还包括用于控制液体处理装置10的各构成构件的动作、液体流路的控制装置12。在图示的例子中，在液体处理装置10中设有许多个(例如8台)处理单元50，第1供给管线30和第2供给管线45延伸进入各处理单元50内。
其中，首先说明向处理单元50供给第1液体的供给系统。另外，在以下的例子中，供给干燥用液体为第1液体、更详细而言供给IPA(异丙醇)为第1液体。
如图1所示，第1液体供给机构15包括环状的循环管线20以及设置在循环管线20上的输送机构(例如泵)26。其中，循环管线20包括用于供给被调节了温度的第1液体的第1液体供给源22以及能使自第1液体供给源22供给的被调节了的温度的第1液体进行循环的循环路径24。
第1液体供给源22包括能够贮存第1液体的贮存装置22a以及用于向贮存装置22a补充被调节了温度的第1液体的补充机构(未图示)。贮存装置22a例如由罐构成。循环路径24的两端与贮存装置22a相连接，以能够使自第1液体供给源22供给的第1液体循环。
另外，第1液体供给机构15经由第1供给管线30将第1液体分别供给到许多个处理单元50中。并且，随着来自第1液体供给机构15的循环管线20的第1液体被消耗，第1液体供给源22的补充机构向循环管线20补充第1液体。作为一例，可以使补充机构依据贮存装置22a内的液量自动向贮存装置22a内补充第1液体。
在图示的例子中，第1液体供给源22还包括用于调节贮存装置22a内的第1液体的温度的温度调节机构22b。即、第1液体供给源22不仅能向循环管线20补充被调节了温度的第1液体、还能依据需要调节正在循环路径24中循环的第1液体的温度然后再将该第1液体供给到循环路径24中。另外，如上所述，在本实施方式中，温度调节机构22b构成为加热机构，加热第1液体来作为对第1液体进行的温度调节。因而，在下述的本实施方式中，亦将温度调节机构22b称作加热机构22b。
输送机构26例如由泵构成，且被安装在循环路径24上。输送机构26驱动第1液体，以能够使自第1液体供给源22被供给到循环路径24中的加热后的第1液体在循环路径24内循环。因而，利用输送机构26输出的第1液体能够在循环管线20内循环而再次返回至输送机构26。
接下来，说明第1供给管线30和回流管线35。如图1所示，许多条第1供给管线30自循环管线20的循环路径24分支而延伸至所对应的处理单元50。与各第1供给管线30相对应地设置多条回流管线35。各回流管线35能够使自循环管线20流入所对应的第1供给管线30中的第1液体返回到循环管线20中。
如图2和图3所示，第1供给管线30具有用于喷出第1液体的喷出开口30a。喷出开口30a构成为被处理单元50的臂62支承的喷嘴，如后所述，能够自喷出开口30a将加热后的第1液体喷向被处理体即晶圆W。
如图2所示，在比第1供给管线30与回流管线35的连接位置靠上游侧的位置中的至少一区间内，第1供给管线30分开成多条管路地延伸。控制装置12通过对多条管路的开闭进行操作，能够控制自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体的量。
在图2所示的例子中，第1供给管线30分开成2条管路即第1管路31a以及与第1管路31a并列地延伸的第2管路31b。在第1管路31a上设有能够以手动的方式预先调节开度的流量调节阀(例如针阀)32。另外，在第1供给管线30上的、被分割成多条管路31a、31b的区间外的位置且比第1供给管线30与回流管线35的连接位置靠上游侧的位置也设有能以手动的方式预先调节开度的流量调节阀37。此外，如图2所示，在流量调节阀37的上游侧附近的第1供给管线30上设有用于测量在第1供给管线30内流动的第1液体的量的流量计36。
另一方面，在第2管路31b上设有能够利用流压驱动而进行开闭动作的开闭阀33。开闭阀33例如由利用空气压驱动而进行开闭动作的气动阀(air-operated valve)构成。由控制装置12控制该开闭阀33的开闭动作。
采用上述结构，仅通过使开闭阀33打开或关闭，就能使第1液体以两种不同的流量在第1供给管线30中流动。详细而言，利用流量调节阀32将第1管路31a的最大流量设定为A(l/min)，且利用流量调节阀37将第1供给管线30的最大流量设定为B(l/min)。另外，第2管路31b被设计成能使液体以(B-A)(l/min)以上的流量流动。在本例中，能够在开闭阀33打开的期间内使B(l/min)的第1液体在第1供给管线30中流动。另外，能够在开闭阀33关闭的期间内使第1液体以A(l/min)的流量在第1供给管线30中流动。另外，这里“A”和“B”是表示流量(l/min)的数值。
另一方面，如图2和图3所示，各回流管线35的上游侧的端部经由流路控制机构38与所对应的第1供给管线30的中途相连接。也就是说，各回流管线35在所对应的第1供给管线30的与循环管线20相连接的一侧的端部与所对应的第1供给管线30的喷出开口30a之间的某一位置上与所对应的第1供给管线30相连接，在本实施方式中，尤其是在比分割有多个管路31a、31b的上述一区间靠下游侧的位置相连接。控制装置12通过控制流路控制机构38(更详细而言是后述的流路控制机构38的液体供给切换阀38a)，能够控制是否自第1供给管线30的喷出开口30a喷出第1液体。
在图示的例子中，流路控制机构38能够将自循环管线20流入第1供给管线30中的液体选择性地维持如下状态中的任意一种状态：进一步在第1供给管线30中流动而流向喷出开口30a的状态以及不流向喷出开口30a而是流向回流管线35的状态。作为上述流路控制机构的一具体例，图示的流路控制机构38包括设置在第1供给管线30上且也与回流管线35的一端相连接的三通阀38a以及设置在回流管线35上的开闭阀38b。作为均能利用流体压力驱动而进行开闭动作的阀，三通阀38a和开闭阀38b例如由能被空气压驱动而进行开闭动作的气动阀构成。
三通阀38a能够维持以下状态：使回流管线35与上游侧(循环管线20侧)的第1供给管线30连通的状态以及上游侧的第1供给管线30既与回流管线35连通又与下游侧(处理单元50侧)的第1供给管线30连通的状态。即、在图示的例子中，三通阀38a作为切换下述动作的液体供给切换阀而发挥作用：供给用于在处理单元内处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作。因而，也将构成流路控制机构38的三通阀38a称作液体供给切换阀38a。
控制装置12对液体供给切换阀(三通阀)38a的两种状态的切换动作以及开闭阀38b的开闭动作进行控制。详细而言，如下所述那样控制液体供给切换阀38a和开闭阀38b的动作。在将流路控制机构38维持成使自循环管线20流入第1供给管线30中的液体进一步在第1供给管线30中流动而流向喷出开口30a的状态时，液体供给切换阀38a被保持成三个方向开放的状态，并且开闭阀38b被保持成关闭状态。即、通过将液体供给切换阀38a保持成三个方向开放的状态，能够确保将比液体供给切换阀38a靠上游侧的第1供给管线30与比液体供给切换阀38a靠下游侧的第1供给管线30连接起来的流路，从而形成能够将用于处理被处理体W的第1液体供给到处理单元50中的状态。
另外，优选与液体供给切换阀38a邻近地配置开闭阀38b。这是因为，在液体供给切换阀38a被保持成三个方向开放的状态、且开闭阀38b处于关闭的状态下，第1液体不会停留在三通阀38a与开闭阀38b之间。
另一方面，在将流路控制机构38维持成使自循环管线20流入第1供给管线30中的液体流向回流管线35的状态时，液体供给切换阀38a被保持成只两个方向开放的状态，并且开闭阀38b被保持成开放状态。即、通过将液体供给切换阀38a维持成使比液体供给切换阀38a靠上游侧的第1供给管线30只与回流管线35相连接的状态，能够切断将比液体供给切换阀38a靠上游侧的第1供给管线30以及比液体供给切换阀38a靠下游侧的第1供给管线30连接起来的流路，从而形成为不能向处理单元50供给用于处理被处理体W的第1液体的状态。
另外，在图1所示的例子中，多条回流管线35彼此合流而与第1液体供给机构15的循环管线20相连接。更详细而言，回流管线35的端部与循环管线20的循环路径24相连接。在上述那样多条回流管线35彼此合流而与循环管线20相连接时，能够有效节约用于设置多条回流管线35所需的空间。但本发明并不限定于该例，多条回流管线35也可以分别独立地与第1液体供给机构15相连接，另外，回流管线35还可以在除循环路径24以外的部位、例如在贮存装置22a中与第1液体供给机构15相连接而使第1液体返回到贮存装置22a中。
如图1所示，回流管线35与循环管线20的连接位置比循环管线20与多条第1供给管线30中的、循环管线20最下游侧的第1供给管线30的连接位置靠下游侧。在回流管线35与循环管线20的连接位置以及循环管线20与最下游侧的第1供给管线30的连接位置之间的循环管线20上设有第1溢流阀39a。另外，在回流管线35上、优选在与循环管线20的连接位置附近的回流管线35上设有第2溢流阀39b。并且，第1溢流阀39a的设定压力比第2溢流阀39b的设定压力高。即、回流管线35内的第1液体的压力被设定成比与第1供给管线30相连接的区域中的循环管线20内的第1液体的压力低。
另外，以加热后的第1液体在循环管线20内的液流为基准来判断循环管线20的上游侧和下游侧。即、以自第1液体供给源22被供给到循环路径24中的第1液体的、在循环管线20内的液流为基准，将贮存装置22a与构成循环路径24的管路的连接位置视作循环管线20的最上游侧，将自该连接位置(最上游侧位置)沿第1液体的液流去的朝向视作向下游去的朝向。
接下来，说明用于将第2液体供给到处理单元50中的供给系统。如上所述，自第2液体供给机构40供给第2液体。在第2液体供给机构40与各处理单元50之间分别设有第2供给管线45。如图3和图4所示，第2供给管线45具有用于喷出第2液体的喷出开口45a。喷出开口45a构成为被处理单元50的臂62支承的喷嘴。
在构成为晶圆W的清洗装置的本实施方式中，第2液体供给机构40能够供给例如用于对晶圆W进行药液处理的药液(稀氢氟酸、氨水/双氧水(SC1)、双氧水/盐酸(SC2))、以及用于对晶圆W进行冲洗处理的水、特别是纯水(DIW)作为第2液体。
另外，可以采用已知的供给系统作为用于将第2液体供给到处理单元50中的供给系统，这里省略进一步的详细说明。
接下来，说明使用第1液体和第2液体来处理晶圆W的处理单元50。如图3和图4所示，各处理单元50包括：保持机构52，其用于保持晶圆W；支承构件60，其用于支承第1供给管线30的喷出开口30a和第2供给管线45的喷出开口45a；分隔壁54，其划定用于对被处理体进行处理的处理室。
如图3所示，保持机构52能够以使晶圆W的表面沿着大致水平方向地保持晶圆W，且能够使所保持的晶圆W以由圆板状的形状构成的晶圆W的中心为轴线进行旋转。
如图3和图4所示，支承构件60被构成为所支承的喷出开口30a、45a能够在向被保持机构52保持的晶圆W供给液体的处理位置(图4中实线所示的位置)以及自处理位置偏离的非处理位置(图4中双点划线所示的位置)之间移动。
在图示的例子中，支承构件60包括可旋转的筒状轴构件64以及与筒状轴构件64相连接且能随着筒状轴构件64的旋转而摆动的臂62。第1供给管线30的喷出开口30a和第2供给管线45的喷出开口45a被支承在臂62的一端部的区域(前端部的区域)62a中。臂62在另一端部的区域(基端部的区域)62b中与贯穿分隔壁54而延伸的筒状轴构件64的一端相连接。筒状轴构件64呈圆筒状，且被保持成能以该筒状轴构件64的中心轴线为中心旋转。采用上述结构，如图4所示，能够将被支承构件60支承的喷出开口30a、45a配置在作为处理位置的、自上方面对晶圆W中心的位置上。另外，能够将喷出开口30a、45a配置在作为非处理位置的、自晶圆W的上方区域沿横向偏离晶圆W的位置上。
以能在处理过程中将供给管线30、45的喷出开口30a、45a配置在晶圆W上方的方式将该喷出开口30a、45a支承在臂62的前端部区域62a中。因此，如图3和图4所示，供给管线30、45中的至少喷出开口30a、45a附近的一部分沿支承构件60延伸。在本实施方式中，第1供给管线30和第2供给管线45大致并列地沿臂62延伸。但如图3所示，第1供给管线30在臂62的一侧延伸，第2供给管线45在臂62的另一侧延伸。即、支承构件60的臂62构成为在第1供给管线30和第2供给管线45之间延伸的分隔构件63，用于分隔第1供给管线30的路径以及第2供给管线45所通过的路径。详细而言，第1供给管线30以被分隔构件63支承的状态在分隔构件63的上侧延伸，第2供给管线45以被分隔构件63支承的状态在分隔构件63的下侧延伸。
此外，如图3和图4所示，支承构件60的一部分构成为呈筒状的筒状部66。并且，第1供给管线30和第2供给管线45的一方通过支承构件60的筒状部66的内部而延伸至所对应的液体供给机构15、40，第1供给管线30和第2供给管线45的另一方通过支承构件60的筒状部66的外部而延伸至所对应的液体供给机构15、40。
详细而言，支承构件60的筒状轴构件64形成为筒状部66的部位。而且，与筒状轴构件64相连接的臂62的基端部区域62b、即分隔构件63的一部分形成为筒状部66的部位。并且，第2供给管线45通过该筒状部66的内部。详细而言，如图3所示，第2供给管线45通过被形成在臂62上的筒状部66的内部而自支承有喷出开口45a的臂62的前端部区域62a延伸至基端部区域62b。并且，如图3所示，由臂62的一部分构成的筒状部66的内部与由筒状轴构件64构成的筒状部66的内部相连通，第2供给管线45自由臂62的一部分构成的筒状部66的内部延伸进入到由筒状轴构件64构成的筒状部66的内部。之后，如图3所示，第2供给管线45通过由筒状轴构件64构成的筒状部66的内部而横穿处理单元50的分隔壁54。
另一方面，如图3和图4所示，第1供给管线30通过由臂62的一部分构成的筒状部66的外部而自臂62的前端部区域62a延伸至基端部区域62b。第1供给管线30在臂62的基端部区域62b自支承构件60离开而贯穿分隔壁54。另外，臂62(分隔构件63)的并未形成为筒状部66的部分为板状。如上所述，在臂62(分隔构件63)的形成为板状的区域中，也将臂62(分隔构件63)夹在第1供给管线30与第2供给管线45之间而分开配置第1供给管线30和第2供给管线45。
另外，控制装置12与由键盘、显示器等构成的输入输出装置相连接，该键盘供工序管理者等进行命令的输入等操作以管理液体处理装置10，该显示器可视化地显示液体处理装置10的运转状况。另外，控制装置12能够访问存储介质13，该存储介质13存储有用于实现利用液体处理装置10执行的处理的程序等。可以利用ROM和RAM等存储器、硬盘、CD-ROM、DVD-ROM和软盘等盘状存储介质等已知的程序存储介质构成存储介质13。
接下来，说明能采用由上述结构构成的液体处理装置10执行的液体处理方法的一例。在以下说明的液体处理方法中，如图5所示，在1个处理单元50内对作为被处理体的晶圆W实施清洗处理。并且，在图5所示的一系列的液体处理方法中的使用了第1液体的处理工序S3中，使用自上述液体处理装置10的第1液体供给机构15供给的加热后的第1液体对晶圆W进行处理。在以下的说明中，首先一边参照图5所示的流程图一边概略地说明在1个处理单元50内对晶圆W实施的液体处理方法，然后说明与使用了第1液体的处理工序S 3相关联的液体处理装置10的动作。
另外，按照预先存储在程序存储介质13中的程序自控制装置12输出控制信号并根据该控制信号控制用于执行下述液体处理方法的各构成构件的动作。
如图5所示，首先将要被实施清洗处理的晶圆W放入液体处理装置10的各处理单元50内，且利用保持机构52将晶圆W保持在各处理单元5内(工序S1)。
接下来，使用第2液体实施对晶圆W进行处理的工序S2。作为使用了第2液体的处理的具体例，进行下述处理。首先，自第2液体供给机构40供给稀氢氟酸(DHF)作为第2液体，从而对晶圆W进行蚀刻处理。然后，自第2液体供给机构40供给纯水(DIW)作为第2液体，从而对晶圆W进行冲洗处理。这样，能够使用两种第2液体对晶圆W实施处理。另外，在本例中，不加热自第2液体供给机构40供给的第2液体而使用该第2液体在处理单元50内对晶圆W进行处理。
然后，使用加热后的第1液体实施对晶圆W进行处理的工序S3(工序S3)。作为使用第1液体进行处理的具体例，向被实施了稀氢氟酸(DHF)的蚀刻处理以及纯水的冲洗处理的晶圆W供给被加热到45～60℃左右的IPA。由此，将残留在晶圆W上的纯水替换成IPA，并进一步使IPA自晶圆W上蒸发。即、使用加热后的IPA对晶圆W实施干燥处理。通过使用加热后的IPA，能够在使IPA自晶圆W上蒸发时减少自晶圆W吸收的热量。因而，能够抑制晶圆W的温度下降，不易在晶圆上产生可引发波纹的结露。
通过上述操作，结束了在1个处理单元50内的晶圆W的清洗处理，自处理单元50搬出处理完毕的晶圆W(工序S4)。
接下来，说明与使用加热后的第1液体来对晶圆W进行处理的工序S3相关联的液体处理装置10的动作。
首先，如图6所示，在使用加热后的第1液体在处理单元内对晶圆W进行处理的上述工序S3之前，先实施用于准备第1液体的工序Sp1以及使用加热后的第1液体来进行预热的工序Sp2这两个准备工序。
另外，详见后述，准备第1液体的工序Sp1以及使用加热后的第1液体来进行预热的工序Sp2这两个准备工序不会影响上述使用第2液体进行的晶圆W的处理工序S2、晶圆W的搬入工序S1。另一方面，必须在用于在处理单元50内使用第1液体来对晶圆W进行处理的工序S3之前结束两个准备工序Sp1、Sp2。因而，准备第1液体的工序Sp1以及使用加热后的第1液体来进行预热的工序Sp2这两个工序既可以在上述搬入晶圆W的工序S1、使用第2液体对晶圆W进行处理的工序S2之前进行，也可以与上述工序S1、S2同时进行。
首先，说明用于准备第1液体的工序Sp1。在该工序Sp1中，将第1液体填充在循环管线20中，该循环管线20上延伸出多条分别与各处理单元50相连通的第1供给管线30。详细而言，自第1液体供给源22的未图示的补充机构将第1液体供给到贮存装置22a内。优选将自补充机构供给到贮存装置22a内的第1液体预先加热到规定温度。此外，加热机构22b也对被供给到贮存装置22a内的第1液体进行加热。这样，能够将加热后的第1液体填充在循环管线20的贮存装置22a和循环路径24中。此外，在本例中，在填充了第1液体之后、或在填充第1液体时使输送机构26动作，从而使第1液体在循环管线20内循环。
另外，在之后的工序中，在利用输送机构26的驱动使加热后的第1液体在第1液体供给机构15的循环管线20内循环的状态下，使加热后的第1液体自第1液体供给机构15的循环管线20流入多条第1供给管线30的各管线中。然后，自第1供给管线30的喷出开口30a喷出第1液体而持续消耗该第1液体。在该期间内，被装入在第1液体供给机构15中的、第1液体供给源22的未图示的补充机构向循环管线20补充第1液体，并且加热机构22b加热循环管线20内的第1液体，从而能够继续将第1液体的温度调节成期望的温度域内的温度。
然后，使用加热后的第1液体加热用于向处理单元50供给第1液体的供给系统(工序Sp2)。详细而言，在加热后的第1液体正在第1液体供给机构15的循环管线20内循环的状态下，使第1液体自循环管线20流入第1供给管线30内。于是，利用加热后的第1液体将第1液体的流路预热到第1液体的流路达到与第1液体的温度相同的温度。
如上所述，液体处理装置10具有用于使流入第1供给管线30中的第1液体返回到循环管线20内的回流管线35。并且，在该工序Sp2以及上述的即将进行工序Sp2前的工序Sp 1的期间内，设置在第1供给管线30与回流管线35之间的流路控制机构38使比构成流路控制机构38的液体供给切换阀(三通阀)38a的位置靠上游侧的第1供给管线30与回流管线35相连通。此外，利用第1溢流阀39a和第2溢流阀39b将回流管线35内的第1液体的压力调节成低于循环管线20内的压力。结果，能够使自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体经过回流管线35再次返回到循环管线20内。即、与由循环管线20构成的第1液体的循环路径不同地另外形成包括循环管线20的一部分、第1供给管线30的一部分和回流管线35在内的、加热用(在本实施方式中为预热用)的第2循环路径，使加热后的第1液体在该第2循环路径中稳定地循环。
通过使加热后的第1液体在预热用循环路径内循环，能够将用于向处理单元50供给第1液体的供给系统中的、构成预热用的循环路径的部分加热至与加热后的第1液体的温度相同的温度。即、能够将第1供给管线30的一部分和回流管线35加热至与加热后的第1液体的温度相同的温度。另外，流路控制机构38的液体供给切换阀(三通阀)38a和开闭阀38b也设置在预热用循环路径上。即、在该工序Sp2中，能够对热容量较大的阀类构件进行预热。
另外，在该预热工序Sp2中，设置在第1供给管线30的第2管路31b上的开闭阀33处于打开状态。因而，第1液体以在第1管路31a和第2管路31b这2条管路中均通过的方式流动。通过预先调节手动式的流量调节阀37，能够设定自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体的流量、且能够利用流量计36监测该流量。
另外，在本例中，在上述填充工序Sp1中，液体供给切换阀(三通阀)38a也停止向处理单元50供给第1液体，因此使第1供给管线30的上游侧与回流管线35相连通。因而，在填充工序Sp1中，同样能够利用边填充边加热的第1液体加热第1供给管线30的一部分和阀38a、38b。在这一点上，也可以同时实施用于准备第1液体的工序Sp 1以及使用第1液体预热第1供给管线30的工序Sp2。
在预热工序Sp2之后，切换阀38a、38b而自第1供给管线30的喷出开口30a喷出加热后的第1液体，实施上述对晶圆W进行处理的工序S3。详细而言，流路控制机构38的液体供给切换阀38a使第1供给管线30的上游侧与第1供给管线30的下游侧相连通而非与回流管线35相连通。此时，处理单元50内的晶圆W被保持机构52保持、并且被保持机构52驱动而旋转。于是，能够自被支承构件60支承在与旋转中的晶圆W面对的处理位置的喷出开口30a向晶圆W喷出加热后的第1液体。
另外，也可以在自喷出开口30a喷出第1液体的期间内使支承构件60摆动，以使喷出开口30a自面对晶圆W的中心部的位置向面对晶圆W的周缘部的位置扫描。另外，也可以在喷出开口30a的附近设置用于喷出非活性气体(例如氮气)的喷出口，从而能够与第1液体一起喷出非活性气体，由此能够进一步促进第1液体被干燥。
如上所述，在预先进行的预热工序Sp2中，第1供给管线30和液体供给切换阀38a被预热至与加热后的第1液体的温度大致相同的温度。并且，如图3所示，用于形成预热用循环路径的回流管线35在喷出开口30a的附近与第1供给管线30相连接。
另外，在该处理工序S3中，设置在第1供给管线30的第2管路31b上的开闭阀33处于关闭状态。因而，第1液体只通过第1管路31a和第2管路31b中的第1管路31a地进行流动。并且，通过预先调节手动式的流量调节阀32，能够设定自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体的流量、且能够利用流量计36监测该流量。
即、当在处理单元50内并未处理晶圆W时，第1液体在构成第1供给管线30的一个区间而并列延伸的多条管路中的2条以上的管路31a、31b中通过而进行流动。另一方面，当在处理单元50内处理晶圆W时，第1液体只在构成第1供给管线30的一个区间而并列延伸的多条管路中的、上述2条以上的管路31a、31b所含有的一部分管路31a中通过而进行流动。结果，与对晶圆W进行处理时自所对应的第1供给管线30的喷出开口30a喷出的第1液体的每单位时间内的量相比，预热第1供给管线30时在各回流管线35中流动的第1液体的每单位时间内的量较多。
采用该种方法，能以适量的第1液体处理晶圆W。另外，在预热时，能够使加热后的第1液体以大流量流入包括第1供给管线30和回流管线35而构成的预热用循环路径中，由此能够在短时间内将预热用循环路径加热至与第1液体的温度相同的温度。
而且，在使用第1液体来处理晶圆W时能供第1液体通过的管路31a是在预热第1供给管线30时构成预热用循环路径的管路，在开始进行处理时，能够将该管路31a加热至与第1液体的温度相同的温度。因而，能够抑制第1液体的温度在使用第1液体处理晶圆W时发生变化，由此能够有效地抑制晶圆W的处理程度产生偏差。
另外，供加热后的第1液体流动的第1供给管线30以及温度与第1液体不同的第2供给管线45延伸进入各处理单元50中。并且，第1供给管线30和第2供给管线45均被支承构件60支承，且大致并列地延伸。其中，在本实施方式中，第2供给管线45以在支承构件60的筒状部66的内部通过的方式延伸，第1供给管线30以在支承构件60的筒状部66的外部通过的方式延伸。特别是第2供给管线45通过筒状部66的内部而横穿用于划定处理室的分隔壁54，然后向第1供给管线30、45的路径设定自由度大幅高于处理室内的处理室外延伸。而且在第1供给管线30与第2供给管线45之间本来就延伸形成有由臂62构成的分隔构件63，从而第1供给管线30的路径和第2供给管线45的路径被分隔构件63隔开。即、在支承构件60中的未形成有筒状部66的臂62的前端部区域62a中，第1供给管线30和第2供给管线45夹着由臂62构成的分隔构件63而在分隔构件63的互不相同的一侧延伸。采用上述结构，能够极其有效地抑制在第1供给管线30内的第1液体与第2供给管线45内的第2液体之间发生的热移动。因而，能够自第1供给管线30的喷出开口30a以期望的温度喷出第1液体，并且能够自第2供给管线45的喷出开口45a以期望的温度喷出第2液体。
利用被设置在第1供给管线30上的液体供给切换阀38a使上游侧的第1供给管线30与回流管线35相连接，从而停止向处理单元50供给加热后的第1液体，由此结束上述使用了第1液体的晶圆W的处理工序S3。此时，回流管线35上的开闭阀38b随着液体供给切换阀38a的动作而打开。结果，能够再次形成含有第1供给管线30和回流管线35的温度调节用循环路径(加热用循环路径)，从而能够使自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体在该加热用循环路径中流动。
即、如图6所示，再次开始进行温度调节工序(加热工序)Sp2。可以在下述期间内执行该加热工序Sp2，即、将下一个应被处理的晶圆输送到处理单元50中且结束对该晶圆W进行的使用了第2液体的处理后直到使用第1液体对下一个应被处理的晶圆W进行的处理(工序S3)开始之前。这样，通过反复进行加热工序Sp2和使用了第1液体的处理工序S3，能够在使用了第1液体的处理工序S3的实施期间内维持第1供给管线30和液体供给切换阀38a的温度，结果，能够在使用了第1液体的处理工序S3中有效抑制向晶圆W供给的第1液体的温度发生变化。
如上所述，本实施方式的液体处理装置10包括：第1液体供给机构15，其用于供给液体；第1供给管线30，其与第1液体供给机构15相连接且具有用于喷出被调节了温度的液体的喷出开口30a；处理单元50，其支承第1供给管线30，且能够使用自第1供给管线30的喷出开口30a喷出的被调节了温度的液体对被处理体W进行处理；回流管线35，其用于使被供给到第1供给管线30中的液体返回到第1液体供给机构15中；液体供给切换阀38a、34，其设置在第1供给管线30上，用于切换向喷出开口30a供给用于在处理单元50中处理被处理体W的液体的动作以及停止供给该液体的动作，液体供给切换阀38a、34位于自第1供给管线30经由回流管线35返回到第1液体供给机构15中的液体的路径上。另外，本实施方式的液体处理方法包括以下工序：使自第1液体供给机构15流入第1供给管线30中的被调节了温度的液体经由回流管线35返回到第1液体供给机构15中，从而能够使被调节了温度的液体在包括第1供给管线30和回流管线35在内的路径中循环，由此调节第1供给管线30的温度；以及自第1供给管线30的喷出开口30a喷出自第1液体供给机构15流入第1供给管线30中的被调节了温度的液体，对被处理体W进行处理。该处理方法在调节第1供给管线30的温度时，液体供给切换阀38a、34也被调节温度，该液体供给切换阀38a、34设置在第1供给管线30上，用于切换向喷出开口30a供给用于在处理单元50中处理被处理体W的液体的动作以及停止供给该液体的动作。
即、在本实施方式中，由于设有使自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体返回到循环管线20中的回流管线35，因此加热后的第1液体不仅能在循环管线20内循环、而且还能在包括第1供给管线30和回流管线35在内的循环路径内循环。因而，在处理单元50开始使用第1液体对晶圆W进行处理之前，能够使用加热后的第1液体将第1供给管线30中的至少一部分预热到与加热后的第1液体的温度相同的温度。
特别是在本实施方式中，液体供给切换阀38a位于自第1供给管线30经由回流管线35返回到第1液体供给机构15中的第1液体的预热用循环路径上，该液体供给切换阀38a切换下述动作，即、供给用于在处理单元50中处理晶圆W的第1液体的动作以及停止供给该第1液体的动作。并且通常无需在向处理单元50内延伸的第1供给管线30的比液体供给切换阀38a靠下游侧的位置另外设置阀类构件。因而，如本实施方式所示，液体供给切换阀38a在向处理单元50供给第1液体的第1供给管线30上形成为设置在最下游侧的阀类构件。因此，在处理单元50开始处理晶圆W之前、以及在处理单元50处理晶圆W的期间内，能够加热(预热)用于向处理单元50供给加热后的第1液体的第1供给管线30上的所有阀类构件。通常，阀类构件的热容量远大于构成第1供给管线30的管类构件的热容量。因而，采用上述能使阀类构件的温度稳定的本实施方式，与以往的装置和方法相比，能够极其有效地抑制用于在处理单元50内处理晶圆W的加热后的第1液体的温度发生变化。
另外，本实施方式的液体处理装置10包括：循环管线20，其包括用于供给被调节了温度的液体的第1液体供给源22以及能使来自第1液体供给源22的液体循环的循环路径24；多条第1供给管线30，其是自循环管线20的循环路径24分支而成的；多个处理单元50，其与各第1供给管线30相对应地设置且能够使用自各第1供给管线30喷出的被调节了温度的液体来处理被处理体W；以及多条回流管线35，其用于使自循环管线20流入各第1供给管线30中的液体返回到循环管线20中，各回流管线35在比循环管线20与多条第1供给管线30中的最下游侧的供给管线的连接位置靠下游侧的位置与循环管线20相连接。另外，本实施方式的液体处理方法包括以下工序：将液体填充在循环管线20内，该循环管线20包括延伸形成有分别与各处理单元50相连通的多条第1供给管线30的循环路径24以及用于向循环路径24中供给被调节了温度的液体的第1液体供给源22；在被调节了温度的液体在循环管线20内循环的状态下使被调节了温度的液体自循环管线20流入各第1供给管线30中。该方法在被调节了温度的液体流入第1供给管线30中的期间内，分别在上述多个处理单元中，使自循环管线20流入第1供给管线30中的被调节了温度的液体经由回流管线35而在比循环管线20与多条第1供给管线30中的最下游侧的供给管线的连接位置靠下游侧的位置返回到循环管线20内，从而能够使被调节了温度的液体在包括第1供给管线30和回流管线35在内的路径中循环，由此能够调节第1供给管线30的温度，然后自第1供给管线30的喷出开口30a喷出自循环管线20流入第1供给管线30中的被调节了温度的液体，对被处理体W进行处理。
即、回流管线35在比循环管线20与多条第1供给管线30中的最下游侧的第1供给管线30的连接位置靠下游侧的位置与循环管线20相连接，以自第1液体供给源22被供给到循环路径中的液体在循环管线20内的液流为基准确定上述最下游侧。因而，在预热工序Sp2中不会将温度可能下降的已被用于预热的第1液体直接输入到另一处理单元50中而在该处理单元50内使用该第1液体处理晶圆W。已被用于预热的第1液体被补充加热后的液体、且经由设有加热机构22b的第1液体供给源22而再次自循环管线20流入任意一条第1供给管线30中。因此，虽然在液体处理装置10中设有许多个处理单元50、且在各处理单元50内在分别不同的时刻对晶圆W进行处理，但却能够使自循环管线20被供给到各第1供给管线30中的第1液体的温度稳定。即、能够抑制在1个处理单元50中的对晶圆W进行的处理影响在另一个处理单元50中实施的对晶圆W的处理。由此，在各处理单元50中，能够使用加热后的第1液体进行稳定的处理，从而能够在各处理单元50之间有效地抑制出现下述现象，即、使用加热后的第1液体对晶圆W进行的处理的程度发生变化。
另外，由于对应于与各处理单元50相连通的第1供给管线30且与循环管线20分别独立地设置回流管线35，因此能够使回流管线35在所对应的第1供给管线30的喷出开口30a附近与该第1供给管线30相连接。由此，能够有效地抑制第1液体的温度在该处理单元50开始处理晶圆W时下降。另外，由于用于加热的液体在包括第1供给管线30和回流管线35在内的循环路径中循环，因此不会增加第1液体的消耗量。
根据上述说明可知，采用本实施方式，能够抑制加热后的第1液体的温度在处理1个晶圆W的期间内发生变化，并且还能抑制在同一个处理单元50内或在不同的处理单元50内处理不同的晶圆W时所用的第1液体产生温度偏差。结果，能够对晶圆W稳定地实施程度偏差较小的处理。
另外，采用本实施方式，与在处理单元50内处理晶圆W时的自第1供给管线30的喷出开口30a喷出的第1液体的每单位时间内的量相比，未在处理单元50内处理晶圆W时的在回流管线35内流动的第1液体的每单位时间内的量较多。因而，能够在短时间内对包括第1供给管线30和回流管线35在内的循环路径进行预热。即、即使当在处理单元50内短时间且间歇地进行处理时，也能够充分地对包括第1供给管线30和回流管线35在内的循环路径进行预热，从而能够有效抑制第1液体的温度在处理开始时下降。
此外，本实施方式的液体处理装置10包括：第1供给管线30，其用于供给第1液体且具有用于喷出第1液体的喷出开口30a；第2供给管线45，其用于供给温度与第1液体不同的第2液体、且具有用于喷出第2液体的喷出开口45a；以及处理单元50，其具有用于支承第1供给管线30和第2供给管线45的支承构件60，并且能够使用第1液体和第2液体对被处理体W进行处理。支承构件60具有分隔构件63，第1供给管线30和第2供给管线45的一方在分隔构件63的一侧延伸，第1供给管线30和第2供给管线45的另一方在分隔构件63的另一侧延伸。另外，本实施方式的液体处理方法包括以下工序：使用自第1供给管线30供给的第1液体对被处理体W进行处理；在使用第1液体处理被处理体W的工序之前或之后，使用自第2供给管线45供给的温度与第1液体不同的第2液体处理被处理体W。该方法在使用第1液体处理被处理体W时，第1液体自被支承构件60支承的第1供给管线30的喷出开口30a喷出第1液体，在使用第2液体处理被处理体W时，自被用于支承第1供给管线30的支承构件60支承的第2供给管线45的喷出开口45a喷出第2液体，第1供给管线30和第2供给管线45的一方在构成支承构件60的至少一部分的分隔构件63的一侧延伸，第1供给管线30和第2供给管线45的另一方在分隔构件63的另一侧延伸。
近年来，用于处理被处理体的液体处理装置大多设有多条液体供给管线，且能够将经由该液体供给管线供给的液体的温度设定为各种温度。并且，为了能够连续地使用不同液体对被处理体进行处理，通常将多条供给管线设置成并列的路径，且并列地配置各液体供给管线的用于喷出液体的喷出开口。在该种装置中，在将温度彼此不同的液体供给到多条供给管线中时，可能在不同温度的液体之间发生热交换。此时，即使能够将被调节成期望温度的液体输入到供给管线中，但实际自喷出开口喷出的用于进行处理的液体的温度却与期望温度不同。
针对上述问题，采用本实施方式，使第1供给管线30和第2供给管线45的一方通过支承构件60的分隔构件63的一侧而延伸至所对应的液体供给机构15、40，且使第1供给管线30和第2供给管线45的另一方通过支承构件60的分隔构件63的另一侧而延伸至所对应的液体供给机构15、40。因而，能够有效地抑制第1供给管线30内的第1液体与第2供给管线45内的第2液体之间的热移动。结果，能够以期望的温度供给第1液体，并且能够以期望的温度供给第2液体。
另外，可以对上述实施方式施加各种变更。下面，说明一变形例。
例如，在上述的实施方式中，说明了将能以手动方式调节开度的流量调节阀37设置在被分支成第1管路31a和第2管路31b之前的第1供给管线30上的例子，但本发明并不限定于此，作为一例，也可以如图2中双点划线所示那样将该流量调节阀设置在第2管路31b上。在该变形例中，利用设置在第1管路31a上的流量调节阀32决定能在第1管路31a中通过的液量，利用设置在第2管路31b上的流量调节阀决定能在第2管路31b中通过的液量。
另外，在上述的实施方式中，说明了将第1供给管线30的一个区间分成2条管路31a、31b的例子，但本发明并不限定于此。例如也可以将第1供给管线30的一个区间分成3条以上的管路。另外，同样也可以使第1供给管线30的两个以上的区间分成多条管路而延伸。采用上述变形例，通过适当地改变关闭或开放的管路的组合，能够将可自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体的流量变成各种值。
此外，在上述的实施方式中，说明了使回流管线35与第1供给管线30的中途相连接的例子、即在喷出开口30a与循环管线20之间的位置与第1供给管线30相连接的例子，但本发明并不限定于此。例如，如图7所示，也可以使回流管线35与第1供给管线30的喷出开口30a相连接。另外，这里所说的“连接”不仅指回流管线35与第1供给管线30的喷出开口30a接触了的状态下的连接，也指形成液体自第1供给管线30的喷出开口30a流入回流管线35中的流路的这一层面上的连接。
在图7所示的例子中，回流管线35的形成为杯状的端部35a能够与位于非处理位置的第1供给管线30的喷出开口30a相连接。尤其也可以使回流管线35的杯状端部35a能够相对于位于非处理装置的喷出开口30a进行相对移动，从而能够接近喷出开口30a以及离开喷出开口30a。此外，也可以使回流管线35的杯状端部35a能够以封闭的状态与位于非处理位置的第1供给管线30的喷出开口30a相连接。于是，在进行加热工序Sp 2时，回流管线35对自第1供给管线30的喷出开口30a喷出的第1液体进行回收。另外，在本例中，在第1供给管线30上设有流体压力驱动方式的开闭阀34。该开闭阀34作为切换下述动作的液体供给切换阀而发挥作用，即、供给用于在处理单元50中处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作。并且，采用本例，能够将整个长度的第1供给管线30包含在加热用循环路径中而加热该第1供给管线30。即、能够使以液体供给切换阀(开闭阀)34为首的、设在第1供给管线30上的所有阀类构件位于加热用循环路径上，从而对该阀类构件进行加热。
另外，在图7所示的变形例中，构成回流管线35的管路的一部分35b具有柔软性、伸缩性，以能够使杯状端部35a移动。另外，图7所示的变形例中的其他结构与上述实施方式相同，因此这里省略重复说明。
此外，在上述的实施方式中，说明了能达到下述目的的流路控制机构38，即、能够将在第1供给管线30内流至流路控制机构38的第1液体选择性地维持成在第1供给管线30内进一步流动而只流向喷出开口30a的状态以及只流向回流管线35的状态中的任意一种状态，但本发明并不限定于此。例如，如图8所示，也可以构成能达到下述目的的流路控制机构38，即、能够将在第1供给管线30内流至流路控制机构38的第1液体选择性地维持成流向喷出开口30a和流向回流管线35这两个方向的状态以及只流向回流管线35的状态中的任意一种状态。在图8所示的例子中，流路控制机构38包括流体压力驱动方式的三通阀38a和设置在回流管线35上的流量控制阀38c，上述三通阀38a设置在第1供给管线30上且与回流管线35的一端相连接。利用内置有驱动设备的阀(例如质量流量控制器)构成流量控制阀38c，该驱动设备能够根据来自控制装置12的控制信号调节该流量控制阀38c的开度。另外，在该变形例中，与上述实施方式相同，三通阀38a同样作为切换下述动作的液体供给切换阀而发挥作用，即、供给用于在处理单元50中处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作。
在上述变形例中，利用流量调节阀37将自循环管线20流入第1供给管线30中的第1液体的流量保持为恒定量(例如A(l/min))。并且，在三通阀38a使第1供给管线30的上游侧只与回流管线35相连接时，设定流量控制阀38c的开度，以使可流过流量调节阀37的恒定量(例如A(l/min))以上的第1液体流过。另一方面，在三通阀38a使3个方向开放时，设定流量控制阀38c的开度，以仅能使小于可流过流量调节阀37的恒定量(例如A(l/min))的流量(例如B(l/min))的第1液体流过。此时，可以使自喷出开口30a喷出的第1液体的流量为可流入第1供给管线30中的第1液体的流量(例如A(l/min))与可在回流管线35中流动的第1液体的流量(例如B(l/min))的差(例如(A-B)(l/min))。
在该变形例中，在使用第1液体处理晶圆W的期间内，也使加热后的第1液体在包括回流管线35和第1供给管线30在内的加热用循环路径中循环。因而，在各处理单元50中，即使反复进行加热工序Sp2和处理工序S3，也能够实质性地防止在包括回流管线35和第1供给管线30在内而构成的加热用循环路径内循环的第1液体的温度发生变化以及在循环管线20内循环的第1液体的温度发生变化。由此，能够更加有效地抑制用于进行处理的加热后的第1液体的温度发生变化。
另外，图8所示的变形例中的其他结构与上述实施方式相同，因此这里省略重复的说明。
此外，在上述实施方式中，说明了第2供给管线45在由分隔构件63构成一部分的筒状部66的内部延伸、且第1供给管线30在该筒状部66的外部延伸的例子，但本发明并不限定于此。也可以使第1供给管线30在筒状部66的内部延伸，使第2供给管线45在该筒状部66的外部延伸。此外，如图9所示，也可以使第1供给管线30在第1筒状部66a的内部延伸，使第2供给管线45在与第1筒状部66a不同的第2筒状部66b的内部延伸。在图9所示的变形例中，利用分隔构件63形成第1筒状部66a与第2筒状部66b的边界部。另外，图9是用于说明支承构件60的臂62(分隔构件)的变形例的图，在与臂62的长度方向正交的截面上表示支承构件60。图9所示的变形例中的其他结构与上述实施方式相同，因此这里省略重复的说明。
此外，在上述实施方式中，说明了不加热第2液体的例子，但本发明并不限定于此。即使加热第2液体，也能获得上述有用的作用效果。
此外，在上述实施方式中，说明了将加热机构22b装入到第1液体供给机构15中而对贮存装置22a内的第1液体进行加热的例子，但本发明并不限定于此。例如，也可以加设用于加热循环管线20的循环路径24的加热机构。另外，还可以加设用于加热第1供给管线30、回流管线35的加热装置。
此外，在上述实施方式中，说明了先进行第2液体的处理、后进行加热后的第1液体的处理的例子，但本发明并不限定于此，也可以先进行加热后的第1液体的处理、后进行第2液体的处理。
另外，在上述说明中，说明了对上述实施方式进行的若干变形例，但当然也可以适当组合多个变形例地应用本发明。
此外，如本说明书开头所述，也可以将本发明应用在除晶圆的清洗处理以外的处理中，另外也可以使用除干燥用液体以外的液体作为应被加热的第1液体。
关联申请的参照
本发明主张在2009年7月31日提交的日本特愿2009-179283号、日本特愿2009-179456号以及日本特愿2009-179479号的优先权，且参照日本特愿2009-179283号、日本特愿2009-179456号以及日本特愿2009-179479号的全部内容并将该全部内容包含在本发明中。

Claims (12)

1.一种液体处理装置，其使用被调节了温度的液体来对被处理体进行处理，该液体处理装置包括：
液体供给机构，其用于供给液体；
供给管线，其与上述液体供给机构相连接，且具有用于喷出被调节了温度的液体的喷出开口；
处理单元，其支承上述供给管线，且能够使用自上述供给管线的喷出开口喷出的被调节了温度的液体对上述被处理体进行处理；
回流管线，其使被供给到上述供给管线中的液体返回到上述液体供给机构中；
液体供给切换阀，其设置在上述供给管线上，用于切换向上述喷出开口供给用于在上述处理单元中处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作；
上述液体供给切换阀位于自上述供给管线经由上述回流管线返回到上述液体供给机构中的液体的路径上，
该液体处理装置还包括控制装置，该控制装置以下述方式控制液体的流量：与在上述处理单元内处理上述被处理体时的自上述供给管线的上述喷出开口喷出的液体的每单位时间内的量相比，未在上述处理单元内处理上述被处理体时的在上述回流管线内流动的液体的每单位时间内的量较多，
上述液体供给切换阀构成为三通阀，该三通阀被设置在上述供给管线上且与上述回流管线的一端相连接，
该液体处理装置还包括第1开闭阀，该第1开闭阀被设置在上述回流管线上，
该液体处理装置还包括第2开闭阀，该第2开闭阀被设置在上述供给管线上，
上述控制装置控制上述液体供给切换阀、上述第1开闭阀和上述第2开闭阀的开闭，
该液体处理装置还包括流量计，上述流量计设置在上述供给管线上，
该液体处理装置还包括流量调节阀，该流量调节阀的开度能够被调整，该流量调节阀设置在上述供给管线上，
在位于上述供给管线与上述液体供给机构连接的连接位置的下游的至少一个区间内，上述供给管线分开为第1管路和第2管路，上述第1管路和上述第2管路在上述供给管线和上述回流管线彼此连接的连接位置的上游接合到一起，
在上述供给管线分开为上述第1管路和上述第2管路的区间的上游，上述流量计设置在上述供给管线上，
上述流量调节阀设置在上述第1管路上,
上述第2开闭阀设置在上述第2管路上，
上述第1开闭阀设置在上述回流管线的上述液体供给切换阀的下游，
上述控制装置以下述方式控制上述液体供给切换阀、上述第1开闭阀和上述第2开闭阀：
当未在上述处理单元内处理上述被处理体时，上述第2开闭阀打开上述第2管路，使得液体在上述第1管路和上述第2管路中均流过，上述液体供给切换阀仅连通上游侧供给管线与上述回流管线，上述上游侧供给管线是上述供给管线的位于上述液体供给切换阀上游的部分，上述第1开闭阀打开上述回流管线，
当在上述处理单元内处理上述被处理体时，上述第2开闭阀关闭上述第2管路，使得液体以被上述流量调节阀调节的流量仅流过上述第1管路，上述液体供给切换阀使得上游侧供给管线连通上述回流管线和下游侧供给管线二者，上述下游侧供给管线是上述供给管线的位于上述液体供给切换阀下游的部分，上述第1开闭阀关闭上述回流管线。
2.根据权利要求1所述的液体处理装置，其中，
该液体处理装置还包括流量控制阀，该流量控制阀被设置在上述回流管线上且能够调节可在上述回流管线中通过的液体的流量。
3.根据权利要求1所述的液体处理装置，其中，
上述处理单元包括：保持机构，其用于保持被处理体；支承构件，其用于支承上述供给管线的上述喷出开口；
上述支承构件被构成为能够使上述供给管线的上述喷出开口在能向由上述保持机构保持的被处理体供给液体的处理位置与自上述处理位置偏离的非处理位置之间移动；
上述回流管线能够与位于上述非处理位置的上述喷出开口相连接。
4.根据权利要求1所述的液体处理装置，其中，
上述液体供给机构具有循环管线，该循环管线包括液体供给源以及能使来自上述液体供给源的液体循环的循环路径；
自上述循环管线的上述循环路径分支地设置多条上述供给管线；
与上述多条供给管线分别对应地设置上述处理单元和上述回流管线。
5.根据权利要求4所述的液体处理装置，其中，
各回流管线在比上述循环管线与上述多条供给管线中的最下游侧的供给管线的连接位置靠下游侧的位置与上述循环管线相连接。
6.根据权利要求5所述的液体处理装置，其中，
在上述循环管线中的、上述循环管线与上述最下游侧的供给管线的连接位置以及上述循环管线与上述回流管线的连接位置之间的位置设有第1溢流阀；
在上述回流管线上设有第2溢流阀，该第2溢流阀的压力被设定成低于上述第1溢流阀的设定压力。
7.根据权利要求1所述的液体处理装置，其中，
该液体处理装置还包括用于供给温度与自上述供给管线的上述喷出开口喷出的液体的温度不同的第2液体的第2供给管线，该第2供给管线具有用于喷出上述第2液体的喷出开口；
上述处理单元具有用于支承上述供给管线和上述第2供给管线的支承构件；
上述支承构件具有分隔构件，上述供给管线和上述第2供给管线中的一方在上述分隔构件的一侧延伸，上述供给管线和上述第2供给管线中的另一方在上述分隔构件的另一侧延伸。
8.一种液体处理方法，其使用被调节了温度的液体来对被处理体进行处理，包括以下工序：
使自液体供给机构流入供给管线中的被调节了温度的液体经由回流管线返回到上述液体供给机构中，从而能够使被调节了温度的液体在包括上述供给管线和上述回流管线在内的路径中循环，由此调节上述供给管线的温度；
以及自上述供给管线的喷出开口喷出自上述液体供给机构流入上述供给管线中的被调节了温度的液体，对上述被处理体进行处理，
该方法在调节上述供给管线的温度时，液体供给切换阀也被调节温度，该液体供给切换阀设置在上述供给管线上，用于切换向上述喷出开口供给用于处理被处理体的液体的动作以及停止供给该液体的动作，
与在处理上述被处理体时的自上述喷出开口喷出的液体的每单位时间内的量相比，在调节上述供给管线的温度时的在上述回流管线内流动的液体的每单位时间内的量较多，
其中，上述回流管线经过由三通阀构成的上述液体供给切换阀而自上述供给管线的中途分支，且在上述回流管线上设有第1开闭阀，在上述供给管线上设有第2开闭阀、流量计和流量调节阀，该流量调节阀的开度能够被调整，
在位于上述供给管线与上述液体供给机构连接的连接位置的下游的至少一个区间内，上述供给管线分开为第1管路和第2管路，上述第1管路和上述第2管路在上述供给管线和上述回流管线彼此连接的连接位置的上游接合到一起，
在上述供给管线分开为上述第1管路和上述第2管路的区间的上游，上述流量计设置在上述供给管线上，
上述流量调节阀设置在上述第1管路上,
上述第2开闭阀设置在上述第2管路上，
上述第1开闭阀设置在上述回流管线的上述液体供给切换阀的下游，
在调节上述供给管线的温度时，上述第2开闭阀打开上述第2管路，使得液体在上述第1管路和上述第2管路中均流过，上述液体供给切换阀仅连通上游侧供给管线与上述回流管线，上述上游侧供给管线是上述供给管线的位于上述液体供给切换阀上游的部分，上述第1开闭阀打开上述回流管线，流入上述供给管线中的液体经由用于构成上述液体供给切换阀的上述三通阀而流入上述回流管线中，然后通过上述开闭阀而流动；
在处理上述被处理体时，上述第2开闭阀关闭上述第2管路，使得液体以被上述流量调节阀调节的流量仅流过上述第1管路，上述液体供给切换阀使得上游侧供给管线连通上述回流管线和下游侧供给管线二者，上述下游侧供给管线是上述供给管线的位于上述液体供给切换阀下游的部分，上述第1开闭阀关闭上述回流管线，流入上述供给管线中的液体通过用于构成上述液体供给切换阀的上述三通阀而进一步在上述供给管线中流动，然后被自上述喷出开口喷出。
9.根据权利要求8所述的液体处理方法，其中，
在上述回流管线上设有流量控制阀，该流量控制阀能够调节能在上述回流管线中通过的液体的流量；
在调节上述供给管线的温度时，流入上述供给管线中的液体经由用于构成上述液体供给切换阀的上述三通阀而流入上述回流管线中，然后通过上述流量控制阀而流动；
处理上述被处理体的期间内的上述流量控制阀的开度小于调节上述供给管线的温度的期间内的上述流量控制阀的开度。
10.根据权利要求8所述的液体处理方法，其中，
上述供给管线的上述喷出开口被配置在处理上述被处理体时能向被处理体供给液体的处理位置，上述供给管线的上述喷出开口被配置在调节上述供给管线的温度时自上述处理位置偏离的非处理位置；
在调节上述供给管线的温度时，上述回流管线与位于上述非处理位置的喷出开口相连接，从而设置在上述供给管线上的、由开闭阀构成的上述液体供给切换阀被调节温度。
11.根据权利要求8所述的液体处理方法，其中，
上述液体供给机构具有循环管线，该循环管线包括液体供给源以及能使来自上述液体供给源的液体循环的循环路径；
相对于多个处理单元自上述循环管线的上述循环路径分支地设置多条上述供给管线；
分别在各供给管线中调节该供给管线的温度以及使用自该供给管线供给的被调节了温度的液体处理被处理体。
12.根据权利要求11所述的液体处理方法，其中，
分别在上述多个处理单元中，使自上述循环管线流入上述供给管线中的被调节了温度的液体经由回流管线在比上述循环管线与上述多条供给管线中的最下游侧的供给管线的连接位置靠下游侧的位置返回到上述循环管线内，从而使被调节了温度的液体在包括上述供给管线和上述回流管线在内的路径中循环，由此调节上述供给管线的温度，然后自上述供给管线的喷出开口喷出自上述循环管线流入上述供给管线中的被调节了温度的液体，处理上述被处理体。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5813495B2 (ja) * 2011-04-15 2015-11-17 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置および記憶媒体
CN102787315B (zh) * 2011-05-19 2015-01-07 昆山西钛微电子科技有限公司 单片杯式旋转蚀刻装置
JP6250924B2 (ja) * 2012-10-02 2017-12-20 株式会社荏原製作所 基板洗浄装置および研磨装置
JP5893592B2 (ja) * 2013-08-23 2016-03-23 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
JP6449097B2 (ja) 2014-07-24 2019-01-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN104979255B (zh) * 2015-06-16 2017-11-14 无锡华瑛微电子技术有限公司 流体传送装置
WO2017042976A1 (ja) * 2015-09-11 2017-03-16 株式会社平出精密 三次元搬送式の卓上型洗浄装置
CN106111447A (zh) * 2016-07-28 2016-11-16 苏州华源包装股份有限公司 一种串联的注胶方法
KR101870650B1 (ko) * 2016-08-25 2018-06-27 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6975018B2 (ja) * 2017-02-22 2021-12-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
US10717117B2 (en) 2017-02-22 2020-07-21 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP6887836B2 (ja) * 2017-03-16 2021-06-16 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 処理液供給装置、基板処理装置、および処理液供給方法
JP7089902B2 (ja) * 2018-02-28 2022-06-23 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理装置における処理液排出方法、基板処理装置における処理液交換方法、基板処理装置における基板処理方法
KR102346529B1 (ko) * 2019-06-24 2021-12-31 세메스 주식회사 액 공급 유닛, 그리고 이를 가지는 기판 처리 장치 및 방법
JP2023137995A (ja) * 2022-03-18 2023-09-29 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6589338B1 (en) * 1999-12-02 2003-07-08 Tokyo Electron Limited Device for processing substrate
DE102006002389A1 (de) * 2006-01-17 2007-07-19 SCHÜTZE, Thomas System zur Zuführung mehrere Farbkomponenten für mindestens eine Lackierstation, insbesondere für Kraftfahrzeugkarosserien

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4027686A (en) * 1973-01-02 1977-06-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water
US4564280A (en) * 1982-10-28 1986-01-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for developing resist film including a movable nozzle arm
JPH02138427U (zh) 1989-04-24 1990-11-19
US5488964A (en) * 1991-05-08 1996-02-06 Tokyo Electron Limited Washing apparatus, and washing method
US5534297A (en) * 1994-02-16 1996-07-09 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for surface modification of polyolefin resin molded article and method for coating the surface of polyolefin resin molded article
JPH08108125A (ja) * 1994-10-13 1996-04-30 Sony Disc Technol:Kk 液供給装置
US5707007A (en) * 1995-11-22 1998-01-13 Fiedrich; Joachim Hydronic heating with continuous circulation supplying multi-temperature heating loops
EP0827186A3 (en) * 1996-08-29 1999-12-15 Tokyo Electron Limited Substrate treatment system
JPH10303163A (ja) 1997-04-25 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH10303164A (ja) 1997-04-30 1998-11-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JPH11260788A (ja) 1998-03-10 1999-09-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
KR100265286B1 (ko) * 1998-04-20 2000-10-02 윤종용 반도체장치 제조용 케미컬 순환공급장치 및 이의 구동방법
US6217659B1 (en) * 1998-10-16 2001-04-17 Air Products And Chemical, Inc. Dynamic blending gas delivery system and method
US20040065540A1 (en) * 2002-06-28 2004-04-08 Novellus Systems, Inc. Liquid treatment using thin liquid layer
US6982006B1 (en) * 1999-10-19 2006-01-03 Boyers David G Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution
EP1108960A3 (en) * 1999-12-17 2003-01-02 Noboru Maruyama Heat supply system
TW477882B (en) * 2000-07-03 2002-03-01 Tokyo Electron Ltd Processing apparatus with sealing mechanism
JP4108941B2 (ja) * 2000-10-31 2008-06-25 株式会社荏原製作所 基板の把持装置、処理装置、及び把持方法
JP2003017453A (ja) 2001-04-27 2003-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
US6858091B2 (en) * 2001-07-13 2005-02-22 Lam Research Corporation Method for controlling galvanic corrosion effects on a single-wafer cleaning system
JP2003215002A (ja) * 2002-01-17 2003-07-30 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
AU2003234287A1 (en) * 2002-04-26 2003-11-10 Phifer Smith Corporation Method and apparatus for treating a substrate with an ozone-solvent solution iii
JP4319189B2 (ja) * 2004-01-26 2009-08-26 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP4723268B2 (ja) 2005-03-23 2011-07-13 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20060213763A1 (en) * 2005-03-25 2006-09-28 Tokyo Electron Limited Temperature control method and apparatus, and plasma processing apparatus
JP2007123393A (ja) 2005-10-26 2007-05-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
TWM301693U (en) * 2006-05-09 2006-12-01 New Jein Ind Co Ltd Apparatus of liquid circulating and recycling
JP2007311446A (ja) 2006-05-17 2007-11-29 Realize Advanced Technology Ltd 洗浄装置
JP2008066505A (ja) 2006-09-07 2008-03-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 流体加熱装置及びそれを利用するウエハ処理装置
JP4940123B2 (ja) 2007-12-21 2012-05-30 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CL2009000218A1 (es) * 2008-02-11 2009-09-11 Akzo Nobel Coatings Int Bv Sistema y metodo de suministro de liquido para aplicar a un sustrato, que comprende; un tanque de liquido; unc onducto de alimentacion de liquido a una abertura de descarga; una bomba de alimentacion; una valvula para cambiar entre un modo de suministro y un modo de recirculacion, y una restriccion de area de flujo en un conducto de retorno.

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6589338B1 (en) * 1999-12-02 2003-07-08 Tokyo Electron Limited Device for processing substrate
DE102006002389A1 (de) * 2006-01-17 2007-07-19 SCHÜTZE, Thomas System zur Zuführung mehrere Farbkomponenten für mindestens eine Lackierstation, insbesondere für Kraftfahrzeugkarosserien

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