KR101690402B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR101690402B1
KR101690402B1 KR1020147036554A KR20147036554A KR101690402B1 KR 101690402 B1 KR101690402 B1 KR 101690402B1 KR 1020147036554 A KR1020147036554 A KR 1020147036554A KR 20147036554 A KR20147036554 A KR 20147036554A KR 101690402 B1 KR101690402 B1 KR 101690402B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
plate
treatment liquid
liquid
processing
Prior art date
Application number
KR1020147036554A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20150013342A (ko
Inventor
요시아키 구로카와
고이치 하마다
노부오 고바야시
유지 나가시마
Original Assignee
시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 filed Critical 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
Publication of KR20150013342A publication Critical patent/KR20150013342A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101690402B1 publication Critical patent/KR101690402B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02043—Cleaning before device manufacture, i.e. Begin-Of-Line process
    • H01L21/02052—Wet cleaning only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/423—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral acids or salts thereof, containing mineral oxidizing substances, e.g. peroxy compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Abstract

본 발명의 목적은 처리액을 보다 효율적으로 가열하면서 효율적으로 사용하여 판형 기판의 표면을 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다. 회전하는 기판 유지부(10)에 유지된 판형 기판(100)의 표면에 처리액(S)을 공급하는 처리액 공급 기구(50)를 구비하고, 처리액(S)에 의해 판형 기판(100)의 표면을 처리하는 기판 처리 장치로서, 기판 유지부(10)에 유지된 판형 기판(100)의 표면에 대하여 소정 간격을 갖고서 대향 배치되고, 판형 기판(100)의 표면과의 사이에 처리액을 유지하는 처리액 유지 플레이트(15)와, 처리액 유지 플레이트(15)의 기판 유지부(10)의 회전축에 대응하는 위치를 포함하는 소정 영역에 접하여 상기 소정 영역을 가열하는 가열부(20)를 가지고, 처리액 공급 기구는, 기판 유지부(10)와 함께 회전하는 판형 기판(100)의 표면과 가열부(20)에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트(15) 사이의 간극에 처리액(S)을 공급하는 구성이 된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 판형 기판의 표면을 처리액으로 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 레지스트를, 예컨대 황산과 과산화수소수를 혼합하여 이루어지는 처리액으로 제거하는 기판 처리 장치가 제안되어 있다(특허문헌 1 참조). 이 기판 처리 장치에서는, 히터가 매설된 유지 플레이트 상에 유지된 반도체 웨이퍼의 표면에 처리액이 내뿜어지게 되어 있다. 이와 같이 가열된 반도체 웨이퍼의 표면에 처리액이 공급되기 때문에, 처리액이 반도체 웨이퍼를 통해 가열되어서 그 레지스트 제거 능력을 높일 수 있고, 결과적으로, 반도체 웨이퍼의 표면에서 레지스트를 확실하게 제거할 수 있게 된다.
특허 문헌 1 : 일본 특허 공개 제2008-66400호 공보
그러나, 전술한 종래의 기판 처리 장치에서는, 가열되는 반도체 웨이퍼에 처리액이 단순히 내뿜어질 뿐이기 때문에, 처리액의 가열 효율이 나쁘고, 또한 처리액의 이용 효율도 나쁘다.
본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 처리액을 보다 효율적으로 가열하면서 효율적으로 사용하여 판형 기판의 표면을 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 소정의 회전축을 중심으로 회전하는 기판 유지부에 유지된 판형 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구를 구비하고, 상기 처리액에 의해 상기 판형 기판의 표면을 처리하는 기판 처리 장치로서, 상기 기판 유지부에 유지된 상기 판형 기판의 표면에 대하여 소정의 간격을 두고 대향 배치되고, 상기 판형 기판의 표면과의 사이에 처리액을 유지하는 처리액 유지 플레이트와, 상기 기판 유지부의 상기 회전축에 대응하는 위치를 포함하는 상기 처리액 유지 플레이트의 소정 영역에 접하여 상기 소정 영역을 가열하는 가열부를 구비하고, 상기 처리액 공급 기구는, 상기 기판 유지부와 함께 회전하는 상기 판형 기판의 표면과 상기 가열부에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 상기 처리액을 공급하는 구성으로 된다.
본 발명에 따른 기판 처리 방법은, 전술한 기판 처리 장치를 이용하고, 상기처리액 공급 기구로부터 상기 기판 유지 플레이트와 함께 회전하는 상기 판형 기판의 표면과 상기 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 처리액을 공급하는 처리액 공급 스텝과, 상기 판형 기판의 표면과 상기 가열부에 의해서 가열되는 상기 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 상기 처리액을 유지하는 처리액 유지 스텝을 갖는 구성으로 된다.
본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 따르면, 가열부에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트에 의해서 가열되는 처리액이 상기 처리액 유지 플레이트와 회전하는 판형 기판의 사이에 층형으로 유지되고, 그 가열되면서 층형으로 유지된 처리액에 의해서 판형 기판의 표면이 처리되기 때문에, 처리액을 낭비없이 효율적으로 사용하여 상기 판형 기판의 표면을 처리할 수 있게 된다. 그리고, 가열부가 처리액 유지 플레이트의 기판 유지부의 회전축에 대응하는 위치를 포함하는 소정 영역에 접하고 있기 때문에, 처리액 유지 플레이트와 판형 기판의 표면의 사이에 유지되는 처리액의 온도를, 회전축 부근의 중심부와 그 밖의 부분에서 균일화시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 2는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에 이용되는 기판 유지 플레이트의 도 1의 화살표 X로 도시하는 방향에서 본 구조를 도시하는 평면도이다.
도 3a는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치의 동작 순서를 도시하는 플로우차트(파트 1)이다.
도 3b는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치의 동작 순서를 도시하는 플로우차트(파트 2)이다.
도 4는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리액 유지 플레이트의 상승 동작을 도시하는 도면이다.
도 5는 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에 있어서의 반도체 웨이퍼의 반입을 도시하는 도면이다.
도 6은 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리액 유지 플레이트의 하강 동작을 도시하는 도면이다.
도 7은 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에 있어서의 기판 유지 플레이트의 회전 동작을 도시하는 도면이다.
도 8은 도 1에 도시하는 기판 처리 장치에 있어서의 처리액의 공급 동작을 도시하는 도면이다.
도 9는 기판 처리 장치의 동작 순서의 다른 예를 도시하는 플로우차트이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 구성을 도시하는 도면이다.
도 11은 기판 유지 플레이트에 유지된 반도체 웨이퍼의 표면에 대향하여 배치되는 처리액 유지 플레이트의 제1 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 12는 상기 처리액 유지 플레이트의 제1 변형예를 도시하는 사시도이다.
도 13은 처리액 유지 플레이트의 제2 변형예를 도시하는 단면도이다.
도 14는 처리액 유지 플레이트의 상기 제2 변형예를 도시하는 평면도(도 13의 화살표 Y에서 본 도면)이다.
도 15는 처리액 유지 플레이트의 제3 변형예를 도시하는 확대 단면도이다.
도 16은 처리액 유지 플레이트의 상기 제3 변형예를 도시하는 평면도(도 15의 화살표 Z 방향에서 본 도면)이다.
도 17은 처리액 유지 플레이트의 제4 변형예를 도시하는 확대 단면도이다.
도 18은 처리액 유지 플레이트의 제5 변형예를 도시하는 확대 단면도이다.
도 19는 처리액 유지 플레이트의 기판 유지 플레이트에 유지된 반도체 웨이퍼의 표면에 대향하는 면과 반대측 면에 설치되는 시트형 히터의 변형예를 도시하는 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 이용하여 설명한다.
본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치는 도 1에 도시한 바와 같이 구성된다. 이 기판 처리 장치는, 판형 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 웨이퍼라고 한다)의 표면에 형성된 레지스트의 제거 처리를 하는 것이다.
도 1에 있어서, 이 기판 처리 장치는 처리 대상이 되는 웨이퍼(100)를 유지하는 기판 유지 플레이트(10)(기판 유지부)와, 이 기판 유지 플레이트(10)에 대향하여 배치되는 처리액 유지 플레이트(15)를 갖고 있다. 기판 유지 플레이트(10)는, 회전 기구(30)에 의해서 회전축 C를 중심으로 회전 가능한 구조로 되어 있다. 기판 유지 플레이트(10)의 표면에는 복수의 지지핀(11)이 설치되어 있고, 웨이퍼(100)는, 그 주위 부분이 이들 복수의 지지핀(11)으로 지지되도록 하여 기판 유지 플레이트(10)에 유지된다. 또한, 처리액 유지 플레이트(15)는, 승강 기구(40)에 의해서 승강 동작 가능한 구조로 되어 있다. 처리액 유지 플레이트(15)는, 후술하는 처리액에 내성을 갖는 재료(예컨대, 수정재)로 형성되고, 도 1과 함께, 도 2(기판 유지 플레이트(10)의 도 1의 화살표 X로 도시하는 방향에서 본 구조를 도시한다)에 도시한 바와 같이, 주변부에 기판 유지 플레이트(10)와 반대측에 상승하는 벽이 형성된 원형 보울(bowl) 형상으로 되어 있다. 기판 유지 플레이트(10)에 대향하는 면과 반대측의 처리액 유지 플레이트(15)의 면에는, 원형 시트형의 히터(20)(가열부)가 접착되어 있다. 원형 시트형의 히터(20)에는, 후술하는 처리액 공급관(55)을 통과시키기 위한 원형의 구멍(20a)이 형성되어 있다. 이 원형의 구멍(20a)은, 그 중심이 기판 유지 플레이트(10)의 회전축 C에서 벗어난 것으로 되어 있다.
또한, 이 기판 처리 장치는, 처리액 공급 기구(50)를 갖고 있다. 처리액 공급 기구(50)는, 처리액을 저류하는 4개의 처리액조(51a, 51b, 51c, 51d)를 갖고 있다. 처리액조(51a)에는 황산(H2SO4)이, 처리액조(51b)에는 과산화수소수(H2O2)가, 처리액조(51c)에는 순수(H2O)가, 처리액조(51d)에는 암모니아수(NH3)가, 각각 저류되어 있다. 각 처리액조(51a, 51b, 51c, 51c)로부터는 개별 송통관(54a, 54b, 54c, 54d)이 연장되어 있고, 이들 개별 송통관(54a, 54b, 54c, 54d)이 병렬적으로 처리액 공급관(55)에 결합되어 있다. 처리액 공급관(55)은, 히터(20)의 구멍(20a)에서 처리액 유지 플레이트(15)의 상기 구멍(20a)에 대향하는 위치에 형성된 구멍을 통하여, 그 앞단부가 기판 유지 플레이트(10)에 대향하는 면측에서 노출되어 있다(도 1 및 도 2 참조). 이에 따라, 처리액 공급관(55)을 통한 처리액은, 웨이퍼(100)의 표면에 공급된다.
각 개별 송통관(54a, 54b, 54c, 54d)에는, 유량 조정 밸브(52a, 52b, 52c, 52d)와, 유량계(53a, 53b, 53c, 53d)가 설치되어 있다. 각 유량 조정 밸브(52a, 52b, 52c, 52d)를 조정함으로써, 대응하는 처리액조(51a, 51b, 51c, 51d)로부터 처리액 공급관(55)으로 유입되는 처리액의 양을 조정할 수 있다. 또한, 그때에 각 개별 송통관(54a, 54b, 54c, 54d)을 흐르는 처리액의 양이 대응하는 유량계(53a, 53b, 53c, 53d)에 표시된다.
도시하지 않지만, 전술한 구성의 기판 처리 장치는 회전 기구(30), 승강 기구(40), 유량 조정 밸브(52a, 52b, 52c, 52d) 및 히터(20)의 동작을 제어하는 제어 장치를 갖고 있다.
이 기판 처리 장치에서는, 다음과 같이 하여 웨이퍼(100)에 대한 처리가 이루어진다.
원형 시트형의 히터(20)가 통전된다. 이 통전된 히터(20)에 의해서 기판 유지 플레이트(10)에 대향하는 면과 반대측의 처리액 유지 플레이트(15)의 면이 균등하게 가열되고, 처리액 유지 플레이트(15)의 전체가 소정 온도(예컨대, 온도 범위 100℃∼400℃ 내의 온도)로 유지된다. 이 상태로, 도 3a 및 도 3b에 도시하는 순서에 따라서 동작이 이루어진다.
도 4에 도시한 바와 같이, 처리액 유지 플레이트(15)가 최상위점까지 상승되고, 이 처리액 유지 플레이트(15)와 기판 유지 플레이트(10) 사이에 반입된 처리 대상의 웨이퍼(100)가, 도 5에 도시한 바와 같이 그 주위 부분이 복수의 지지핀(11)에 지지되도록 하여 기판 유지 플레이트(10) 상에 유지된다(S11). 이때, 웨이퍼(100)의 중심과 기판 유지 플레이트(10)의 회전축 C가 합치하도록 위치 결정된다.
계속해서, 처리액 유지 플레이트(15)가, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판 유지 플레이트(10) 상에 유지된 웨이퍼(100)의 표면과의 사이에 소정의 간극(예컨대, 4 mm 이하)이 형성되는 위치까지 하강한다(S12). 그리고, 도 7에 도시한 바와 같이, 기판 유지 플레이트(10)가 비교적 저속인 소정 속도(예컨대, 50 rpm 정도)로 회전된다. 이에 따라, 웨이퍼(100)가 기판 유지 플레이트(10)와 함께 상기 소정 속도로 회전한다(S13).
처리액 유지 플레이트(15)가 웨이퍼(100)의 표면에 대하여 소정 간격을 두고 대향 배치되어, 웨이퍼(100)가 비교적 저속의 소정 속도로 회전하는 상태에서, 처리액 공급관(55)으로부터의 처리액이 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100)의 표면 사이의 간극에 공급된다(S14). 구체적으로는, 유량 조정 밸브(52c, 52d)가 폐쇄된 상태로, 유량 조정 밸브(52a, 52b)의 개방도가 조정되고, 처리액조(51a)로부터의 황산(H2SO4)이 유량 조정 밸브(52a)의 개방도에 따른 유량으로 개별 송통관(54a)을 통하고, 또한, 처리액조(51b)로부터의 과산화수소수(H2O2)가 유량 조정 밸브(52b)의 개방도에 따른 유량으로 개별 송통관(54b)을 통하여, 처리액 공급관(55)으로 유입된다. 이에 따라, 황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)가 혼합되어 이루어지는 처리액(S)이 처리액 공급관(55)을 통하여 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 표면 사이의 간극에 공급된다.
회전하는 웨이퍼(100)의 표면에 처리액(S)이 공급되면, 그 처리액(S)이 웨이퍼(100)의 외주 방향을 향해서 순차 이동한다. 그리고, 도 8에 도시한 바와 같이, 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 표면 사이의 간극에 처리액(S)이 채워져서, 처리액(S)의 표면 장력에 의해서 웨이퍼(100)의 표면에 층형의 처리액(S)이 유지된다. 이와 같이, 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 표면 사이에 층형으로 유지되는 처리액(S)은, 히터(20)에 의해서 가열되는 처리액 유지 플레이트(15)에 의해서 전체적으로 가열되어 고온(예컨대, 온도 범위 100℃∼400℃ 내의 온도)으로 유지된다. 그리고, 이 고온으로 유지되어 레지스트 제거 능력이 높여진 처리액(S)[황산(H2SO4)과 과산화수소수(H2O2)를 혼합하여 이루어짐]에 의해서 웨이퍼(100)의 표면에 형성된 레지스트가 제거되어 간다. 이 상태에서, 처리액(S)이 처리액 공급관(55)으로부터 연속적으로 공급되면, 웨이퍼(100) 표면의 처리액(S)이 새로운 처리액(S)으로 치환되면서 층형의 형태를 유지하고, 레지스트가 용해된 처리액(S)이 회전하는 웨이퍼(100)의 외주 부분으로부터 순차 폐액으로서 배출된다(처리액 배출 기구에 관하여는 도시 생략).
도 3a로 되돌아가서, 상기한 바와 같이하여, 처리액(S)이 공급되면서 웨이퍼(100) 표면의 처리(레지스트 제거 처리)가 이루어지고, 소정의 처리 시간이 경과하면, 유량 조정 밸브(52a, 52b)가 폐쇄되고, 처리액조(51a)로부터의 황산(H2SO4), 및 처리액조(51b)로부터의 과산화수소수(H2O2)의 공급이 정지된다(S15). 그 후, 유량 조정 밸브(52c)의 개방도가 조정되어, 처리액조(51c)로부터의 순수(H2O)가 유량 조정 밸브(52c)의 개방도에 따른 유량으로 개별 송통관(54c)을 통하여 처리액 공급관(55)으로 유입된다(S16). 이에 따라, 상기 처리액(S) 대신에, 순수(H2O)가 처리액 공급관(55)으로부터 웨이퍼(100) 표면에 연속적으로 공급되고, 웨이퍼(100)의 표면이, 공급되는 순수(H2O)에 의해서 세정된다(세정 처리 1). 그리고, 웨이퍼(100) 표면의 순수(H2O)에 의한 세정이 소정 시간 이루어지면, 유량 조정 밸브(51c)가 폐쇄되고(S17), 순수(H2O)에 의한 웨이퍼(100) 표면의 세정이 종료된다.
다음에, 유량 조정 밸브(52b, 52c, 52d)의 개방도가 조정되어, 처리액조(51b)로부터의 과산화수소수(H2O2)가 유량 조정 밸브(52b)의 개방도에 따른 유량으로 개별 송통관(54b)을 통하고, 처리액조(51c)로부터의 순수(H2O)가 유량 조정 밸브(52c)의 개방도에 따른 유량으로 개별 송통관(54c)을 통하고, 또한, 처리액조(51d)로부터의 암모니아수(NH3)가 유량 밸브(52d)의 개방도에 따른 유량으로 개별 송통관(54d)을 통하여, 처리액 공급관(55)으로 유입된다. 이에 따라, 과산화수소수(H2O2), 순수(H2O) 및 암모니아(NH3)를 혼합하여 이루어지는 알카리성의 처리액(APM)이 처리액 공급관(55)을 통하여 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 표면 사이의 간극에 공급되고(S18), 공급되는 처리액(APM)에 의해서 웨이퍼(100) 표면의 산성 잔류물이 중화되어, 웨이퍼(100) 표면의 세정이 이루어진다(세정 처리 2). 그리고, 웨이퍼(100) 표면의 처리액(APM)에 의한 세정이 소정 시간 이루어지면, 유량 조정 밸브(52b, 52c, 52d)가 폐쇄되고(S19), 처리액(APM)에 의한 웨이퍼(100) 표면의 세정이 종료된다.
그 후, 재차 유량 조정 밸브(52c)의 개방도가 조정되어, 처리액조(51c)로부터의 순수(H2O)가 유량 조정 밸브(52c)의 개방도에 따른 유량으로 개별 송통관(54c)을 통하여 처리액 공급관(55)으로 유입된다(S20). 이에 따라, 순수(H2O)가 처리액 공급관(55)으로부터 웨이퍼(100)의 표면에 연속적으로 공급되고, 웨이퍼(100)의 표면이, 공급되는 순수(H2O)에 의해서 재차 세정된다(세정 처리 3). 그리고, 웨이퍼(100) 표면의 순수(H2O)에 의한 세정이 소정 시간 이루어지면, 유량 조정 밸브(51c)가 폐쇄되고(S21), 순수(H2O)에 의한 웨이퍼(100) 표면의 세정이 종료된다.
이와 같이 하여 각 세정 처리 1, 2, 3이 종료하면, 처리액 유지 플레이트(15)가 최상위점까지 상승된(S22 : 도 5 참조) 후에, 도 3b에 도시하는 순서에 따라서 처리가 계속된다. 즉, 기판 유지 플레이트(10)가 고속(예컨대, 1500 rpm 정도)으로 회전된다. 이에 따라, 웨이퍼(100)가 기판 유지 플레이트(10)와 함께 고속으로 회전한다(S23). 이와 같이 웨이퍼(100)가 고속으로 회전하면, 웨이퍼(100) 상에 잔류한 수분이 원심력에 의해서 비산되어, 웨이퍼(100) 상의 수분이 제거된다(건조 처리).
상기 웨이퍼(100)의 건조 처리가 소정 시간 이루어지면, 기판 유지 플레이트(10)의 회전이 정지되고(S24), 기판 유지 플레이트(10) 상에 유지된 처리 완료의 웨이퍼(100)가 반출된다(S25). 이후, 순차 공급되는 웨이퍼(100)에 대하여 전술한 것과 같은 순서(도 3a 및 도 3b 참조)에 따라서, 처리가 이루어진다.
전술한 바와 같은 기판 처리 장치에 따르면, 기판 유지 플레이트(10) 상에 유지된 웨이퍼(100) 표면에 처리액(S)이 층형으로 유지되고, 그 층형의 처리액(S)이 전체적으로 원형 시트형의 히터(20)에 의해서 균등하게 가열되는 처리액 유지 플레이트(15)에 의해서 가열되기 때문에, 처리액(S)을 보다 효율적으로 가열할 수 있다. 또한, 그 가열되는 층형의 처리액(S)이 웨이퍼(100)의 표면에 상시 유지된 상태로 웨이퍼(100)의 표면이 처리되기 때문에, 그 처리액(S)을 낭비 없이 효율적으로 사용하여 웨이퍼(100)의 표면을 처리할 수 있다.
또한, 히터(20)에 설치한 원형의 구멍(20a)은, 그 중심이 기판 유지 플레이트(10)의 회전축 C에서 벗어난 위치(편심)에 설치되어 있다. 이에 따라, 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 표면의 사이에 층형으로 유지되는 처리액(S)의 온도를, 회전축 C 부근의 중심부와 그 밖의 부분에서 보다 균일화시킬 수 있다. 즉, 구멍(20a)이 회전축 상에 배치되면, 항상 웨이퍼(100)의 동일한 개소(중심 부분)가 구멍(20a)에 대향하게 되지만, 구멍(20a)이 기판 처리 플레이트(10)[웨이퍼(100)]에 대하여 편심한 위치에 형성되어 있으면, 웨이퍼(100)의 회전에 따라 웨이퍼(100)에 있어서의 구멍(20a)과의 대향 부분이 순차 변화하기 때문에, 처리액(S)의 온도의 균일화를 꾀할 수 있다.
전술한 기판 처리 장치에서는, 레지스트 제거 처리(도 3a에서의 S14, S15 참조)를 행한 후에, 순수에 의한 세정 처리 1(도 3a에서의 S16, S17 참조), APM에 의한 세정 처리 2(도 3a에서의 S18, S19 참조), 또한, 순수에 의한 세정 처리 3(도 3a에서의 S20, S21 참조)의 3회의 세정 처리가 이루어졌지만, APM의 세정 처리 2 및 1 회분의 순수에 의한 세정 처리 3을 생략할 수도 있다. 이 경우, 도 9에 도시한 바와 같이, 레지스트 제거 처리(S14, S15)가 종료한 뒤에, 순수에 의한 세정 처리(S16, 17 참조)가 한번만 행해진다. 그 후, 처리액 유지 플레이트(15)가 최상위점까지 상승되어(S22), 건조 처리(S23)가 소정 시간 이루어진다. 그리고, 그 건조 처리가 종료한 뒤에, 웨이퍼(100)의 회전이 정지되어(S24), 웨이퍼(100)가 반출된다(S25).
전술한 레지스트 제거 처리(도 3a 및 도 9에서의 S14 참조)에서는, 웨이퍼(100)의 표면과 처리액 유지 플레이트(15)의 사이에 처리액(S)이 유지된 상태로, 처리액 공급관(55)을 통하여 처리액(S)이 연속적으로 공급된다. 이 경우, 전술한 바와 같이, 웨이퍼(100) 표면의 처리액(S)이 새로운 처리액(S)으로 치환되면서 층형의 형태를 유지하고, 레지스트가 용해된 처리액(S)이 회전하는 웨이퍼(100)의 외주 부분으로부터 순차 폐액으로서 배출되어 간다. 처리액(S)에 의한 웨이퍼(100)(판형 기판) 표면의 처리는, 이것에 한정되지 않고, 웨이퍼(100) 표면과 처리액 유지 플레이트(15)의 사이에 처리액(S)이 유지된 상태로, 처리액 공급관(55)을 통과시킨 처리액(S)의 공급을 멈출 수도 있다. 예컨대, 소정 온도를 넘으면 급격하게 처리 능력을 높이는 특성의 처리액을 이용하는 경우 등에서는, 웨이퍼(100)의 표면과 처리액 유지 플레이트(15)의 사이에 처리액(S)이 유지된 상태로 처리액 공급관(55)을 통과시킨 처리액(S)의 공급을 멈추는 것이 바람직하다. 이 경우, 처리액(S)의 새로운 공급이 정지되고, 웨이퍼(100)의 표면 상에 처리액(S)이 치환되지 않고서 남아 있게 할 수 있고, 그 동안 가열되는 처리액(S)이 상기 소정 온도를 넘으면 웨이퍼(100)의 표면이 그 소정 온도를 넘어서 비교적 고온이 된 처리액에 의해 처리된다. 예컨대, 처리액으로서 인산을 이용하여, 웨이퍼(100)의 표면에 형성된 질화막을 에칭(제거)하는 경우, 이러한 수법을 취하는 것이 바람직하다. 이 수법에서는, 예컨대 소정 온도를 넘은 처리액(S)으로 웨이퍼(100)의 필요한 처리가 완료한다고 예상되는 시간만큼 처리액(S)의 공급을 정지시킬 수 있고, 또한 온도계 등을 이용한 온도 관리에 따라서 처리액(S)의 공급을 정지시킬 수 있다.
본 발명의 제2 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 도 10에 도시한 바와 같이 구성된다. 이 처리 장치에서는, 황산(H2SO4)을 저류하는 처리액조(51a)로부터 연장되는 개별 송통관(54a)이, 처리액 유지 플레이트(15)에 설치된 원형 시트형의 히터(20)에 접촉 배치되는 가열 송통관 부분(54aa)을 갖고 있다. 처리액조(51a)로부터 유출하여 개별 송통관(54a)을 통하는 황산(H2SO4)은, 가열 송통관 부분(54aa)을 통과할 때에 히터(20)에 의해서 가열되어, 고온이 된 상태로 처리액 공급관(55)으로 유입된다. 또, 다른 구성은, 도 1에 도시하는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 기판 처리 장치와 동일하다.
이러한 기판 처리 장치에 따르면, 황산(H2SO4)이 처리액 유지 플레이트(15)에 설치된 히터(20)에 의해서 가열된 상태로, 처리액 공급관(55) 내에서 과산화수소수(H2O2)와 혼합되어서 처리액(S)이 생성되기 때문에, 비교적 높은 온도의 처리액(S)이 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 표면 사이의 간극에 공급된다. 그리고, 그 비교적 높은 온도의 처리액(S)이, 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 표면 사이에서 층형으로 유지되어, 처리액 유지 플레이트(15)에 의해서 재차 가열되게 된다. 따라서, 다른 가열 수단을 별도 설치하는 일없이, 처리액(S)을 더욱 효율적으로 가열할 수 있게 된다.
처리액 유지 플레이트(15)의 변형예에 관해서 설명한다.
처리액 유지 플레이트(15)의 제1 변형예가 도 11 및 도 12에 도시된다.
도 11 및 도 12에 있어서, 이 처리액 유지 플레이트(15)는, 플레이트 본체(151)와 플레이트 본체(151)의 주연부에 기판 유지 플레이트(10)측으로 돌출하도록 형성된 벽부(152)를 갖는 구조로 되어 있다. 플레이트 본체(151)는, 전술한 처리액 유지 플레이트(도 1 및 도 2 참조)와 마찬가지로, 원형 보울 형상으로 되고, 기판 유지 플레이트(10)에 대향하는 면과 반대측의 면에 원형 시트형의 히터(20)가 접착되어 있다. 그리고, 히터(20)에 형성된 구멍(20a) 및 그 구멍(20a)에 대응하여 플레이트 본체(151)에 형성된 구멍을 처리액 공급관(55)이 관통하고 있다. 플레이트 본체(151)의 기판 유지 플레이트(10)에 대향하는 면은, 웨이퍼(100)의 표면, 아울러, 기판 유지 플레이트(10)의 면을 덮는 것이 가능한 사이즈로 되어, 플레이트 본체(15)의 주연부가 웨이퍼(100)의 주연부 및 기판 유지 플레이트(10)의 주연부 외측에 위치하도록 되어 있다.
또한, 플레이트 본체(151)의 주연부에 형성된 벽부(152)는, 그 선단이 상기 처리액 유지 플레이트(15)를 가로지르는 방향(도 11에 있어서 좌우 방향)으로 경사지도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 도 11에서의 우측에서 좌측으로 향하여 벽부(152)가 서서히 높아지도록 그 선단이 경사져 있다.
이러한 구조의 처리액 유지 플레이트(15)에 따르면, 예컨대 전술한 세정 처리 3(도 3a 참조)이나 세정 처리(도 9 참조)가 종료한 경우나, 레지스트 제거 처리의 과정에서 어떠한 이유에 의해, 처리액 유지 플레이트(15)를 상승시켰을 때에, 가열 온도가 비교적 낮고 증발하기 어려운 처리액 유지 플레이트(15)의 주연부에 부착된 순수나 처리액(S)이, 경사지는 벽부(152)의 선단을 타고 처리액 유지 플레이트(15)의 한쪽에 모인다. 그리고, 그 순수나 처리액(S)의 액적이 웨이퍼(100)의 주연부나 기판 유지 플레이트(10)의 주연부보다 외측에 적하한다. 이에 따라, 기판 유지 플레이트(10)나 그것에 유지된 웨이퍼(100)에 순수나 처리액(S)이 적하하는 것을 방지할 수 있다. 또한, 처리액 유지 플레이트(15)가 상승한 상태로, 처리액 유지 플레이트(15)와 기판 유지 플레이트(10) 사이에 진입한 로봇 아암에 처리액 유지 플레이트(15)로부터 적하한 순수나 처리액(S)이 부착하는 것을 방지할 수도 있다. 즉, 플레이트(15)의 한쪽에 처리액(S)이나 순수를 모음으로써 처리액이 모이는 방향과 반대 방향[플레이트(15)의 다른 쪽]으로부터 로봇 아암을 진입시키는 구조로 하면, 상기 로봇 아암에 처리액이 부착하는 것을 방지할 수 있다.
처리액 유지 플레이트(15)의 제2 변형예가 도 13 및 도 14에 도시된다. 도 13은, 도 14에 도시하는 처리액 유지 플레이트(15)의 A-A'선에서의 단면을 도시하고 있다.
도 13 및 도 14(도 13의 화살표 Y 방향에서 본 도면)에 있어서, 원형 시트형의 히터(20) 주연부에 가까운 소정 부위에 구멍(20a)이 형성되고, 그 구멍(20a)을 통하여 처리액 공급관(55)이 처리액 유지 플레이트(15)에 삽입되어 있다. 처리액 유지 플레이트(15)에는, 웨이퍼(10)의 표면에 대향하는 면을 따라서 연장되는 유로(153)가 형성되어 있다. 처리액 유지 플레이트(15)에 있어서의 웨이퍼(10)의 표면에 대향하는 면의 대략 중앙에는 개구(153a)가 형성되고, 유로(153)는, 처리액 공급관(55)의 선단으로부터 나선형으로 연장되어 개구(153a)에 이르고 있다.
이러한 구조의 처리액 유지 플레이트(15)에 따르면, 처리액 공급관(55)을 흘러 온 처리액(S)이 처리액 유지 플레이트(15) 내에 나선형으로 형성된 유로(153)를 통과하고 있는 동안에 가열되고, 그와 같이 가열되어 비교적 높은 온도가 된 처리액(S)이 유로(153)의 개구(153a)에서 웨이퍼(100)의 표면과 처리액 유지 플레이트(15) 사이에 공급된다. 그 때문에, 보다 높은 온도의 처리액(S)을 처리액 유지 플레이트(15)와 웨이퍼(100) 사이에 층형으로 유지시킬 수 있게 된다.
원형 시트형의 히터(20)가 면 전체에서 균일하게 발열하는 것은 아니고, 예컨대 선형의 발열체가 소정의 형상으로 배치되는 구조인 경우, 그 히터(20)에 의해서 가열되는 처리액 유지 플레이트(15)의 면내에서의 온도 분포는, 히터(20)에 있어서의 상기 선형 발열체의 배치 형상에 대응한 것이 된다. 이러한 경우, 전술한 유로(153)는, 처리액 유지 플레이트(15)의 면내에서의 온도 분포에 따라서 결정된 가열되기 쉬운 영역에 따라서[예컨대, 히터(20)에 있어서의 선형 발열체의 배치 형상에 대응시켜] 형성할 수도 있다. 이 경우, 처리액 유지 플레이트(15)에 있어서의 가열되기 쉬운 영역이 유로(153)를 흐르는 처리액(S)에 의해서 냉각(처리액(S)이 가열)되도록 되기 때문에, 히터(20)에 의해서 가열되는 처리액 유지 플레이트(15)의 면내에서의 온도 분포가 보다 균일한 것이 될 수 있다. 그 결과, 웨이퍼(100)의 표면과 처리액 유지 플레이트(15) 사이에 층형으로 유지되는 처리액(S)의 온도 분포도 보다 균일하게 될 수 있다.
처리액 유지 플레이트(15)의 제3 변형예가 도 15 및 도 16(도 15의 화살표 Z 방향에서 본 도면)에 도시된다. 도 15는, 도 16에 도시하는 처리액 유지 플레이트(15)의 A-A'선에서의 단면을 도시하고 있다.
도 15 및 도 16에 있어서, 웨이퍼(100)의 표면에 대향하는 처리액 유지 플레이트(15)의 면에, 상기 면에서 개구하여 상기 처리액 유지 플레이트(15)의 둘레측면(156)으로 빠지는 복수의 홈(155)이 형성되어 있다. 이들 복수의 홈(155)은, 도 16에 도시한 바와 같이, 처리액 유지 플레이트(15)의 상기 면에 세로·가로의 격자형으로 배치되어 있다.
이러한 구조의 처리액 유지 플레이트(15)에 따르면, 원형 시트형의 히터(20)에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트(15)의 웨이퍼(100) 표면에 대향하는 면에 접하는 처리액(S)이 기화하여 기체가 발생하더라도, 처리액(S)과 처리액 유지 플레이트(15)의 표면 사이에 기체의 층이 형성되는 일없이, 그 기체가 각 홈(155)을 통하여 처리액 유지 플레이트(15)의 밖으로 빠져나갈 수 있게 된다. 이 때문에, 상기 기체에 의해서 단열되는 일없이, 처리액(S)을 효율적으로 가열할 수 있게 된다.
전술한 복수의 홈(155)은, 도 16에 도시한 바와 같이 격자형으로 배열되어 있지만, 그 배열의 형태는, 각 홈(155)이 처리액 유지 플레이트(15)의 둘레측면(156)으로 빠지는 것이라면, 특히 한정되지 않고, 예컨대 방사상으로 배열되는 것이라도 좋다.
처리액 유지 플레이트(15)의 제4 변형예가 도 17에 도시된다.
도 17에 있어서, 전술한 제3 변형예(도 15 및 도 16 참조)와 마찬가지로, 웨이퍼(100)의 표면에 대향하는 처리액 유지 플레이트(15)의 면에, 상기 면에서 개구하여 상기 처리액 유지 플레이트(15)의 둘레측면(156)으로 빠지는 복수의 홈(155)이 격자형으로 형성되어 있다. 또한, 각 홈(155)의 저부에, 홈 폭보다 넓은 폭의 원통형 통로(155a)가 형성되어 있다. 이것에 따르면, 가열되는 처리액(S)이 증발하여 각 홈(155)으로 유도된 기체가 그 원통형 통로(155a)를 통해서 확실하게 처리액 유지 플레이트(15)의 밖으로 빠져나갈 수 있게 된다.
처리액 유지 플레이트(15)의 제5 변형예가 도 18에 도시된다.
도 18에 있어서, 전술한 제4 변형예(도 17 참조)와 마찬가지로, 웨이퍼(100)의 표면에 대향하는 처리액 유지 플레이트(15)의 면에, 상기 면에서 개구하여 상기 처리액 유지 플레이트(15)의 둘레측면(156)으로 빠지는 각 홈(155)의 저부에 원통형 통로(155a)가 형성되어 있다. 또한, 각 홈(155)의 처리액 유지 플레이트(15)의 면에서의 개구부가, 홈 폭보다 넓은 폭의 반원통형 오목부(155b)로서 형성되어 있다. 이것에 따르면, 히터(20)에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트(15)의 웨이퍼(100) 표면에 대향하는 면에 접하는 처리액(S)이 기화하여 기체가 발생하더라도, 그 기체를 반원통형 오목부(155b)에 의해서 모아서 유효하게 각 홈(155) 내로 유도할 수 있게 된다. 그리고, 그와 같이 각 홈(155)으로 유도된 기체가 원통형 통로(155a)를 통해서 확실하게 처리액 유지 플레이트(15)의 밖으로 빠져나갈 수 있다. 또한, 각 홈(155)의 개구부로서 형성되는 반원통형 오목부(155b)에 의해서 웨이퍼(100)의 표면에 대향하는 처리액 유지 플레이트(15)의 면의 표면적이 커지기 때문에, 상기 면에 접하는 처리액(S)을 보다 효율적으로 가열할 수 있게 된다.
또한, 처리액 유지 플레이트(15)의 각 홈(155)이 개구하는 면[웨이퍼(100)의 표면에 대향하는 면]에는, 복수의 오목부(157)가 형성되어 있다. 각 오목부(157)는, 구면형(딤플형)인 것이라도 좋고, 홈형인 것이라도 좋고, 또한, 다른 형상인 것이라도 좋다. 이와 같이 처리액 유지 플레이트(15)의 각 홈(155)이 개구하는 면에 복수의 오목부(157)가 있는 경우, 웨이퍼(100)에 대향하는 처리액 유지 플레이트(15)의 면의 표면적이 더욱 커지기 때문에, 처리액 유지 플레이트(15)의 상기 면에 접하는 처리액(S)을 더욱 효율적으로 가열할 수 있게 된다.
다음에, 원형 시트형 히터(20)의 변형예가 도 19에 도시된다.
도 19에 있어서, 웨이퍼(100)의 표면에 대향하는 면과 반대측의 처리액 유지 플레이트(15)의 면에 접착된 원형 시트형의 히터(20)는, 발열량을 개별적으로 제어 가능한 2개의 히터 부재(201, 202)로 구성된다. 원형의 히터 부재(201)의 외측에 원환형의 히터 부재(202)가 동심으로 배치되어 있다. 이러한 히터(20)에 따르면, 동심으로 배치된 2개의 히터 부재(201, 202)의 발열량을 개별적으로 제어함으로써, 부분적으로 온도가 다른 처리액(S), 구체적으로는, 동심형의 부분마다 온도가 다른 처리액(S)으로 웨이퍼(100)의 표면을 처리할 수 있게 된다. 예컨대, 웨이퍼(100)의 중심 부분에 많은 레지스트가 도포되어 있는 경우, 내측에 위치하는 원형의 히터 부재(201)의 발열량이 외측의 원환형 히터(202)의 발열량보다 많아지도록 제어함으로써, 웨이퍼(100)의 표면에 부착된 레지스트를 유효하게 제거할 수 있게 된다.
전술한 본 발명의 각 실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 웨이퍼(100) 표면의 레지스트 제거 처리를 하는 것이었지만, 액정 기판 등의 다른 판형 기판을 처리하는 것이라도 좋다. 또한, 처리액 유지 플레이트(15)에는 처리액 가열 기구로서 시트형의 히터를 설치했지만, 처리액 유지 플레이트(15)를 가열할 수 있으면 시트형으로 한정되지 않는다. 예컨대, 판형 부재에 막대형 히터를 매립한 것을 이용하더라도 상관없다. 또한, 처리 대상으로서 웨이퍼를 선택한 경우, 히터는 원형이 바람직하지만, 형상은 처리 대상에 따라서 적절하게 변경 설정하는 것이다.
10 : 기판 유지 플레이트(기판 유지부)
15 : 처리액 유지 플레이트
20 : 히터(가열부)
20a : 구멍
30 : 회전 기구
40 : 승강 기구
50 : 처리액 공급 기구
51a, 51b, 51c, 51d : 처리액조
52a, 52b, 52c, 52d : 밸브
53a, 53b, 53c, 53d : 유량계
54a, 54b, 54c, 54d : 개별 송통관
55 : 처리액 공급관
100 : 반도체 웨이퍼(판형 기판)
151 : 플레이트 본체
152 : 벽부
153 : 유로
153a : 개구
155 : 홈
155a : 원통형 통로
155b : 반원통형 오목부
156 : 둘레측면
157 : 오목부
201, 202 : 히터 부재

Claims (14)

  1. 정해진 회전축을 중심으로 회전하는 기판 유지부에 유지된 판형 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 기구를 구비하고, 상기 처리액에 의해 상기 판형 기판의 표면을 처리하는 기판 처리 장치로서,
    상기 기판 유지부에 유지된 상기 판형 기판의 표면에 대하여 정해진 간격을 두고 대향 배치되어, 상기 판형 기판의 표면과의 사이에 처리액층을 형성하는 처리액 유지 플레이트와,
    상기 처리액 유지 플레이트에 있어서의, 상기 기판 유지부의 상기 회전축에 대응하는 위치를 포함하는 영역 전체에 접하여, 상기 처리액 유지 플레이트를 가열하는 가열부를 구비하고,
    상기 처리액 공급 기구는, 상기 기판 유지부와 함께 회전하고 있는 상태의 상기 판형 기판의 표면과, 상기 가열부에 의해 가열되는 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 상기 처리액을 공급하는 것인, 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급 기구는, 상기 처리액 유지 플레이트에 있어서의, 상기 가열부가 접하지 않는 부분을 관통하여, 상기 처리액을 상기 판형 기판의 표면과 상기 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 공급하는 것인, 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급 기구는, 상기 처리액 유지 플레이트에 있어서의, 상기 기판 유지부의 상기 회전축에 대응하는 위치로부터 벗어난 위치를 관통하여, 상기 판형 기판의 표면과 상기 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 상기 처리액을 공급하는 것인, 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트 내에, 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 판형 기판의 표면에 대향하는 면을 따라서 연장되어 상기 면의 정해진 위치에서 개구되는 유로가 형성되고,
    상기 처리액 공급 기구로부터의 상기 처리액이 상기 유로를 통하여 상기 처리액 유지 플레이트와 상기 판형 기판의 표면 사이의 간극에 공급되는 것인, 기판 처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 유로는, 상기 처리액 유지 플레이트 내에서 나선형으로 형성된 것인, 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 가열부는, 발열량을 개별적으로 제어 가능한 복수의 개별 가열부에 의해 형성된 것인, 기판 처리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 판형 기판에 대향하는 면에는, 상기 면에서 개구하여 상기 처리액 유지 플레이트의 측면으로 빠지는 복수의 홈이 형성된 것인, 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 복수의 홈의 적어도 하나의 저부에, 홈 폭보다 넓은 폭의 통로가 형성된 것인, 기판 처리 장치.
  9. 제7항에 있어서, 상기 복수의 홈의 적어도 하나의 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 판형 기판에 대향하는 면에서의 개구부가, 홈 폭보다 넓은 폭의 오목부로서 형성된 것인, 기판 처리 장치.
  10. 제1항에 있어서, 상기 처리액 유지 플레이트의 상기 판형 기판에 대향하는 면에는, 복수의 오목부가 형성된 것인, 기판 처리 장치.
  11. 제1항에 있어서, 상기 처리액 공급 기구는, 상기 처리액의 전부 또는 일부가 흐르고, 상기 처리액 유지 플레이트를 가열하는 가열부로부터의 열에 의해 가열되는 유로를 갖는 것인, 기판 처리 장치.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 기판 처리 장치를 이용하고,
    상기 처리액 공급 기구로부터, 상기 기판 유지부와 함께 회전하고 있는 상태의 상기 판형 기판의 표면과, 상기 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 처리액을 공급하는 처리액 공급 스텝과,
    상기 판형 기판의 표면과, 상기 가열부에 의해서 가열되는 상기 처리액 유지 플레이트 사이의 간극에 상기 처리액을 유지하는 처리액 유지 스텝
    을 포함하는 것인, 기판 처리 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 처리액 유지 스텝은, 상기 처리액 공급 기구로부터의 상기 처리액의 공급을 계속시키면서 실행되는 것인, 기판 처리 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 처리액 유지 스텝은, 상기 처리액 공급 기구로부터의 상기 처리액의 공급을 일정량 행한 후 정지하고 나서, 실행되는 것인, 기판 처리 방법.
KR1020147036554A 2010-01-22 2011-01-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR101690402B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2010-012634 2010-01-22
JP2010012634 2010-01-22
PCT/JP2011/051019 WO2011090141A1 (ja) 2010-01-22 2011-01-20 基板処理装置及び基板処理方法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127021668A Division KR101555088B1 (ko) 2010-01-22 2011-01-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150013342A KR20150013342A (ko) 2015-02-04
KR101690402B1 true KR101690402B1 (ko) 2017-01-09

Family

ID=44306941

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020147036554A KR101690402B1 (ko) 2010-01-22 2011-01-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR1020127021668A KR101555088B1 (ko) 2010-01-22 2011-01-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020127021668A KR101555088B1 (ko) 2010-01-22 2011-01-20 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9240314B2 (ko)
JP (2) JP5841431B2 (ko)
KR (2) KR101690402B1 (ko)
CN (1) CN102782807B (ko)
TW (1) TWI451524B (ko)
WO (1) WO2011090141A1 (ko)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2383771B1 (de) * 2010-04-29 2020-04-22 EV Group GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Lösen einer Polymerschicht von einer Oberfläche eines Substrats
JP6271304B2 (ja) * 2013-03-29 2018-01-31 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6222817B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN105722612A (zh) * 2013-11-13 2016-06-29 东京毅力科创Fsi公司 当利用酸化学物质制造微电子器件及前体时改进的室清洗
US20170017151A1 (en) * 2014-03-11 2017-01-19 Shibaura Mechatronics Corporation Reflective mask cleaning apparatus and reflective mask cleaning method
WO2015200860A1 (en) * 2014-06-27 2015-12-30 Viasat, Inc. System and apparatus for driving antenna
JP6748524B2 (ja) * 2015-09-30 2020-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6903441B2 (ja) * 2016-03-31 2021-07-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
CN110491805A (zh) * 2019-08-07 2019-11-22 长江存储科技有限责任公司 半导体处理设备及半导体处理方法
JP7403320B2 (ja) 2020-01-07 2023-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
WO2021190305A1 (zh) * 2020-03-27 2021-09-30 长鑫存储技术有限公司 晶圆处理装置及晶圆处理方法
WO2022137277A1 (ja) * 2020-12-21 2022-06-30 株式会社荏原製作所 めっき装置及びめっき液の撹拌方法
JP2023152532A (ja) 2022-04-04 2023-10-17 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61104621A (ja) 1984-10-29 1986-05-22 Nec Corp ポジレジスト現像装置
JPH10135127A (ja) 1996-10-31 1998-05-22 Canon Sales Co Inc 基板現像装置
JP3527426B2 (ja) * 1998-01-09 2004-05-17 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法および現像処理装置
US6190063B1 (en) 1998-01-09 2001-02-20 Tokyo Electron Ltd. Developing method and apparatus
JP4566376B2 (ja) 2000-10-02 2010-10-20 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の製造方法
JP2008066400A (ja) 2006-09-05 2008-03-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5410040B2 (ja) * 2008-06-26 2014-02-05 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5841431B2 (ja) 2016-01-13
JP6000404B2 (ja) 2016-09-28
US20130025636A1 (en) 2013-01-31
TW201140744A (en) 2011-11-16
US9240314B2 (en) 2016-01-19
TWI451524B (zh) 2014-09-01
CN102782807A (zh) 2012-11-14
JP2015159331A (ja) 2015-09-03
KR101555088B1 (ko) 2015-09-22
CN102782807B (zh) 2015-07-08
KR20150013342A (ko) 2015-02-04
KR20120106899A (ko) 2012-09-26
WO2011090141A1 (ja) 2011-07-28
JPWO2011090141A1 (ja) 2013-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101690402B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
TWI525685B (zh) 液體處理裝置、液體處理方法及記憶媒體
KR102354361B1 (ko) 기판 액처리 장치, 탱크 세정 방법 및 기억 매체
TWI527109B (zh) A substrate processing apparatus and a substrate processing method
JP6808423B2 (ja) 基板処理装置および処理液供給方法
US20150114561A1 (en) Liquid processing apparatus
CN107078092A (zh) 基板载置台
AU2022202809B2 (en) Methods and apparatuses for treating agricultural matter
KR20180059772A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20080072925A1 (en) Wafer cleaning apparatus
JP2010225789A (ja) 基板処理装置
JP6909620B2 (ja) 基板処理方法
US9748117B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
KR20100015359A (ko) 경사진 진공 도관을 갖는 근접 헤드 시스템, 장치 및 방법
KR20070040207A (ko) 파티션 구조형 가열유닛과 이를 이용한 히팅장치
JP2000133630A (ja) 基板処理装置
TW200805483A (en) Processing apparatus and processing method
JP6375160B2 (ja) 基板処理方法
CN107275258B (zh) 基板处理装置
TW202141614A (zh) 處理液溫度調整方法、基板處理方法、處理液溫度調整裝置、及基板處理系統
JP6234174B2 (ja) 基板処理装置
KR20130019540A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant