JP2000133630A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 基板を１枚ずつ枚葉方式で処理する場合に、
一連の処理の最終段階である乾燥処理に要する時間を短
縮し、スループットを向上させることができる装置を提
供する。 【手段】 スピンチャック１２によって保持された基板
Ｗの表面に対向するようにガス吹出し口を配設し、ガス
吹出し口へガス供給配管６８を通して窒素ガスを供給す
るガス供給ユニット２８を設け、ガス供給配管に、窒素
ガスを加熱するヒータ７４を介挿して設けた。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ、
液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基
板、電子部品などの基板に対して洗浄等の処理を施すた
めに使用される基板処理装置、特に、基板を水平姿勢に
保持して鉛直軸周りに回転させ、基板の表面へ洗浄液等
の処理液を供給して洗浄等の処理を施した後、基板を乾
燥させて、基板を１枚ずつ枚葉方式で処理する基板処理
装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに
回転させ基板の表面へ処理液を供給して基板を枚葉方式
で処理する基板処理装置、例えば、基板の表面へ加熱さ
れた洗浄液を供給して基板を洗浄処理する基板洗浄装置
としては、例えば図４に模式的断面図を示すような構成
の装置が使用される。この装置において、基板Ｗの洗浄
処理が行われる基板洗浄部１０は、基板Ｗを水平姿勢に
保持するスピンチャック１２、このスピンチャック１２
を水平姿勢に支持し回転自在に保持された回転支軸１
４、この回転支軸１４に回転軸が連接されてスピンチャ
ック１２を鉛直軸周りに回転させるスピンモータ１６、
および、スピンチャック１２に保持された基板Ｗの周囲
を取り囲むように配設され上面が開口した洗浄液回収用
のカップ１８を備えて構成されている。カップ１８の底
部には、その内底部に集まるドレンを排出するためのド
レン排出管２０、および、カップ１８の内部を排気する
ための排気管２２が接続されている。ドレン排出管２０
を通して排出されるドレンは、通常、その一部が循環使
用される。

【０００３】また、図示例の装置では、例えば特開平９
−３３０９０４号公報に開示されているように、スピン
チャック１２の上方に円形板状の遮蔽部材２４が設けら
れている。この遮蔽部材２４は、図示していないが、回
転・支持機構により、スピンチャック１２と同一の鉛直
軸周りに同一方向へほぼ同一の回転速度で回転させられ
るようになっている。また、遮蔽部材２４は、図に示し
た下方位置とその上方の待機位置との間において昇降自
在に支持されている。この遮蔽部材２４は、スピンチャ
ック１２によって支持された基板Ｗの表面に近接、例え
ば１０ｍｍ以下の間隔で近接して配置されることによ
り、基板Ｗの洗浄処理中に、回転する基板Ｗの周端縁か
ら振り切られて周囲へ飛散しカップ１８の内周面で跳ね
返った洗浄液やカップ１８内を浮遊している洗浄液のミ
ストが基板Ｗの表面に再付着して基板Ｗを汚染する、と
いったことを防止し、また、洗浄処理や水洗処理に引き
続いてそのまま基板Ｗの乾燥処理を行う場合に、乾燥処
理中に基板Ｗが周囲の雰囲気から受ける影響を無くし、
カップ１８内を浮遊している洗浄液や洗浄水のミストが
基板Ｗの表面に付着して乾燥処理が不均一、不完全にな
ったり基板Ｗにウォーターマークが形成されたりする、
といった不都合を防止するためのものである。

【０００４】遮蔽部材２４の中央部には、詳細を図示し
ていないが、スピンチャック１２によって支持された基
板Ｗの表面の中心部に対向するように洗浄液の吐出口お
よびガス吹出し口が形設されている。洗浄液の吐出口に
は、所定濃度に調整された洗浄液を加熱して供給する洗
浄液供給ユニット８０に流路接続され途中に開閉制御弁
８４が介挿された洗浄液供給配管８２が連通して接続さ
れている。洗浄液は、スピンチャック１２によって支持
された基板Ｗの表面に遮蔽部材２４が近接した状態で、
回転している基板Ｗの表面へ供給され、これにより、基
板Ｗの洗浄処理が行われる。この際、基板Ｗの表面の中
心部へ供給された洗浄液は、遠心力により基板Ｗの表面
全体に広がり、基板Ｗの周端縁から振り切られて、遮蔽
部材２４と基板Ｗの表面との間の隙間から周囲へ飛散す
る。

【０００５】なお、図示していないが、通常は、洗浄液
供給配管８２を途中で分岐させて、純水の供給源に流路
接続された純水供給配管と連通させ、三方切換弁等を用
いた流路の切換えにより、遮蔽部材２４の中央部の吐出
口へ洗浄液と純水とを選択的に供給することができるよ
うな装置構成とされ、洗浄液による洗浄処理の後に純水
による水洗処理を行うことができるようにされる。

【０００６】また、遮蔽部材２４の中央部のガス吹出し
口には、不活性ガス、例えば窒素ガスの供給源に流路接
続され途中にマスフローコントローラ８８および開閉制
御弁９０がそれぞれ介挿されたガス供給配管８６が連通
して接続されている。窒素ガスの供給は、スピンチャッ
ク１２によって支持された基板Ｗの表面に遮蔽部材２４
が近接した状態で行われる。この窒素ガスの供給によ
り、遮蔽部材２４と基板Ｗの表面との間に形成される狭
い空間を窒素ガスでパージして窒素ガス雰囲気にするこ
とができ、基板Ｗの表面に自然酸化膜やウォーターマー
クが形成されることを抑制することができる。

【０００７】なお、スピンチャック１２によって支持さ
れた基板Ｗの裏面側にも、その中心部に対向するように
洗浄液の吐出口およびガス吹出し口を設け、基板Ｗの表
裏両面を同時に洗浄処理することができるような装置構
成とすることもある。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】基板を１枚ずつ枚葉方
式で処理する上記したような構成の基板洗浄装置は、複
数枚の基板を同時にバッチ方式で浸漬処理して洗浄する
構成の装置に比べて、処理の均一性の点で有利である。
ここで、半導体基板は、近年、益々大口径化する傾向が
あるが、特に３００ｍｍ以上の大口径基板については、
その洗浄処理に対する要求スペックが厳しく、このた
め、処理の均一性の点で有利な枚葉式洗浄装置を使用す
ることが望まれる。ところが、枚葉式洗浄装置における
スループットは、一連の洗浄処理の最終段階である乾燥
処理の時間によって律速され、特に３００ｍｍ以上の大
口径基板では、その程度が大きい。

【０００９】しかしながら、図４に示したような従来の
装置では、洗浄液による洗浄処理後に基板Ｗの回転を継
続させ基板Ｗ上の洗浄液を振り切って乾燥処理する際
に、窒素ガス等の不活性ガスを供給すれば基板Ｗの乾燥
を或る程度早めることはできるが、３００ｍｍ以上の大
口径基板になると、それでは乾燥時間の短縮が不十分で
ある。従って、スループットを考慮すると、３００ｍｍ
以上の大口径基板については枚葉式洗浄装置を使用しづ
らい、といった現状がある。

【００１０】この発明は、以上のような事情に鑑みてな
されたものであり、基板を１枚ずつ枚葉方式で処理する
場合に、一連の処理の最終段階である乾燥処理に要する
時間を短縮して、スループットを向上させることがで
き、大口径基板についても枚葉方式で洗浄等の処理を行
うことが現実的にみて可能となるような基板処理装置を
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】請求項１に係る発明は、
基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに回転させる基板
保持・回転手段と、この基板保持・回転手段によって保
持された基板へ処理液を供給する処理液供給手段とを備
えた基板処理装置において、前記基板保持・回転手段に
よって保持された基板の表面および／または裏面に対向
するようにガス吹出し部を配設し、そのガス吹出し部へ
ガス供給路を通して不活性ガスを供給する不活性ガス供
給手段を設け、前記ガス供給路に、不活性ガスを加熱す
るガス加熱手段を介挿して設けたことを特徴とする。

【００１２】請求項２に係る発明は、請求項１記載の基
板処理装置において、上記ガス加熱手段が誘導加熱ヒー
タであり、その誘導加熱ヒータが、ガス供給路にそれぞ
れ連通接続されるガス流入口およびガス流出口が形設さ
れた密閉構造を有し少なくとも加熱部が非磁性体材料で
形成された加熱容器と、この加熱容器の外面の、前記加
熱部の位置に巻装されたコイルと、このコイルに高周波
電流を流す電源装置部と、前記加熱容器の内部の、前記
加熱部の位置に配設され導電性材料によって形成された
発熱体とから構成されたことを特徴とする。

【００１３】請求項３に係る発明は、請求項１又は請求
項２記載の基板処理装置において、ガス加熱手段を、ガ
ス供給路の、ガス吹出し部の直前に介挿して設けたこと
を特徴とする。

【００１４】請求項１に係る発明の基板処理装置を使用
するときは、一連の処理の最終段階である乾燥処理にお
いて、不活性ガス供給手段によりガス供給路を通してガ
ス吹出し部へ供給される不活性ガスを、ガス供給路に介
挿して設けられたガス加熱手段によって加熱し、ガス吹
出し部から基板保持・回転手段によって保持された基板
の表面および／または裏面に向けて加熱された不活性ガ
スを吹き出させることができるので、乾燥処理に要する
時間を短縮することが可能になる。

【００１５】請求項２に係る発明の基板処理装置では、
ガス供給路を通してガス吐出部へ供給される不活性ガス
が、ガス供給路に介在して設けられた誘導加熱ヒータを
通過する間に十分に加熱される。そして、誘導加熱ヒー
タにおいては、電源装置部により、加熱容器の外面に巻
装されたコイルに高周波電流が流されると、磁束が発生
し、磁界内にある加熱容器内部の発熱体に渦電流が生
じ、発熱体を形成している導電性材料の固有抵抗による
ジュール熱が発生して、発熱体が発熱する。従って、ガ
ス流入口を通って加熱容器内へ流入した不活性ガスは、
加熱容器内を通過する際に発熱体によって直接的に加熱
され、加熱された不活性ガスが加熱容器内からガス流出
口を通って流出する。

【００１６】請求項３に係る発明の基板処理装置では、
ガス供給路に設けられたガス加熱手段がガス吹出し部の
直前に介挿されているので、不活性ガス供給手段により
供給される不活性ガスが、ガス加熱手段により加熱され
て所定温度に調節された状態でそのまま、ガス吹出し部
から基板の表面および／または裏面に向けて吹き出され
る。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
について図１ないし図３を参照しながら説明する。

【００１８】図１は、この発明の実施形態の１例を示
し、基板処理装置の一種である基板洗浄装置の概略構成
を示す模式的断面図である。この基板洗浄装置は、基板
Ｗの洗浄処理が行われる基板洗浄部１０と、基板洗浄部
１０へ洗浄液を供給する洗浄液供給ユニット２６と、基
板洗浄部１０へ不活性ガス、例えば窒素ガスを供給する
ガス供給ユニット２８とから構成されているが、基板洗
浄部１０の構成は、図４に示した従来の装置と同じであ
るので、それぞれの構成要素に図４で使用した符号と同
一符号を付して、それらについての説明を省略する。

【００１９】この洗浄液供給ユニット２６は、洗浄液２
９が貯留される洗浄液貯留槽３０、遮蔽部材２４の中央
部に形設された洗浄液の吐出口と洗浄液貯留槽３０とを
流路的に接続する洗浄液供給配管３２、および、洗浄液
供給配管３２から分岐され洗浄液貯留槽３０に流路的に
接続された戻り配管３４から流路構成されている。戻り
配管３４には、ドレン排出管２０から分岐したドレン回
収配管３６が合流させられている。洗浄液供給配管３２
の、戻り配管３４への分岐位置より下流側の位置、戻り
配管３４の、ドレン回収配管３６との合流位置より上流
側の位置、ドレン排出管２０の、ドレン回収配管３６へ
の分岐位置より下流側の位置、および、ドレン回収配管
３６には、それぞれ開閉制御弁３８、４０、４２、４４
が介挿されている。また、洗浄液供給配管３２には、洗
浄液貯留槽３０と戻り配管３４への分岐位置との間に循
環ポンプ４６、フィルタ４８、濃度センサ５０および流
量センサ５２がそれぞれ介挿して設けられている。流量
センサ５２から出力される検出信号は、流量監視器５４
に入力されて、流量監視器５４により洗浄液供給配管３
２内を流れる洗浄液の流量が監視される。

【００２０】また、洗浄液貯留槽３０の内部には、薬液
Ａ、例えばアンモニア水を供給するための薬液供給配管
５６ａの先端、および、薬液Ｂ、例えば過酸化水素水を
供給するための薬液供給配管５６ｂの先端がそれぞれ連
通しており、各薬液供給配管５６ａ、５６ｂにそれぞれ
開閉制御弁５８ａ、５８ｂが介挿されている。さらに、
濃度センサ５０から出力される検出信号に基づいて各開
閉制御弁５８ａ、５８ｂを制御する濃度調節器６０が設
けられている。この濃度調節器６０によって各開閉制御
弁５８ａ、５８ｂをそれぞれ制御することにより、各薬
液供給配管５６ａ、５６ｂを通して洗浄液貯留槽３０内
へ供給される薬液Ａの量および薬液Ｂの量がそれぞれ調
整され、洗浄液貯留槽３０内の洗浄液２９の薬液濃度が
調節されて、所定濃度に調整された洗浄液が基板洗浄部
１０へ供給されるようになっている。

【００２１】さらに、この洗浄液供給ユニット２６で
は、洗浄液供給配管３２の、基板洗浄部１０の遮蔽部材
２４の中央部に形設された洗浄液の吐出口の直前に、す
なわち、開閉制御弁３８の介挿位置と洗浄液の吐出口と
の間に、洗浄液を加熱するヒータ６２が介挿して設けら
れている。また、ヒータ６２の下流側に温度センサ６４
が介挿されており、温度センサ６４から出力される検出
信号に基づいてヒータ６２を制御し吐出口へ送られる洗
浄液の温度を所定温度に調節する温度調節器６６が設け
られている。

【００２２】なお、洗浄液供給ユニットは、上記した構
成のものに限らず、種々の構成のものでもよいことは言
うまでもない。また、図示されていないが、通常は、洗
浄液供給配管３２を途中で分岐させて、純水の供給源に
流路接続された純水供給配管と連通させ、三方切換弁等
を用いた流路の切換えにより、遮蔽部材２４の中央部の
吐出口へ洗浄液と純水とを選択的に供給することができ
るような構成とされ、洗浄液による洗浄処理の後に純水
による水洗処理を行うことができるようにされる。

【００２３】また、ガス供給ユニット２８は、遮蔽部材
２４の中央部に形設されたガス吹出し口と窒素ガスの供
給源とをガス供給配管６８により流路接続し、そのガス
供給配管６８の途中にマスフローコントローラ７０およ
び開閉制御弁７２をそれぞれ介挿して構成されている。
さらに、このガス供給ユニット２８には、ガス供給配管
６８の、基板洗浄部１０の遮蔽部材２４の中央部に形設
されたガス吹出し口の直前に、すなわち、開閉制御弁７
２の介挿位置とガス吹出し口との間に、窒素ガスの供給
源からガス供給配管６８を通してガス吹出し口へ供給さ
れる窒素ガスを加熱するヒータ７４が介挿して設けられ
ている。また、ヒータ７４の下流側に温度センサ７６が
介挿されており、温度センサ７６から出力される検出信
号に基づいてヒータ７４を制御しガス吹出し口へ送られ
る窒素ガスの温度を所定温度に調節する温度調節器７８
が設けられている。

【００２４】ガス供給配管６８に介挿して設けられるヒ
ータ７４としては、ガス供給配管６８を通って流れる窒
素ガスを効率良く加熱して、そのヒータ７４を窒素ガス
が通過する間に窒素ガスを所定温度まで上昇させること
ができる機能を有するものが採用され、また、洗浄液供
給配管３２に介挿して設けられるヒータ６２としては、
洗浄液供給配管３２を通って流れる洗浄液を効率良く加
熱して、そのヒータ６２を洗浄液が通過する間に洗浄液
を所定温度まで上昇させることができる機能を有するも
のが採用されるが、このようなヒータとして、電磁誘導
加熱式の誘導加熱ヒータがある。図２および図３によ
り、誘導加熱ヒータの基本構成および作用について以下
に説明する。

【００２５】図２は、誘導加熱ヒータの概略構成を模式
的に示す外観斜視図であり、図３は、その縦断面図であ
る。この誘導加熱ヒータは、配管１の途中に介挿して設
けられる加熱容器２、この加熱容器２に巻装されたコイ
ル３、電源装置部（図示せず）、および、加熱容器２の
内部に配設された発熱体４から構成されている。なお、
図２において、コイル３は、半周部分を切断した状態で
示されている。

【００２６】加熱容器２は、密閉された円筒形状を有
し、配管１にそれぞれ連通接続される流体流入口５およ
び流体流出口６が両側端面部に形設されている。この加
熱容器２は、非磁性体材料、例えばフッ化樹脂等のプラ
スチック材料やセラミック材料で形成されている。な
お、加熱容器２の全体が非磁性体材料で形成されている
必要は必ずしもなく、少なくともコイル３が巻装されて
加熱部となる円筒面が非磁性体材料で形成されておれば
よい。また、加熱容器の形状は、円筒に限らず種々の形
状であってもよい。

【００２７】加熱容器２の円筒面に巻装されたコイル３
には、電源装置部が電気接続されていて、電源装置部に
よりコイル３に高周波電流が流されるようになってい
る。また、加熱容器２の内部に配設された発熱体４は、
金属材料によって形成されている。図示例では、発熱体
４は、耐食性を有するステンレス鋼等から成る複数枚の
金属薄板７を、間隔をあけて互いに平行に並列させて構
成されている。それぞれの金属薄板７は、加熱容器２の
軸線方向に沿って配置されており、各金属薄板７間の間
隙が流体（窒素ガスや洗浄液）の通路８となる。これら
の金属薄板７は、その表面が電解研磨等によって鏡面状
態とされ、精密洗浄されている。なお、発熱体の構成
は、図示例のように複数枚の金属薄板７を並列させたも
のに限らず、流体の通路が形成されて流体との接触面積
が或る程度確保される構造であればどのようなものでも
よく、例えばハニカム構造等のものでもよい。また、発
熱体の材質は、ステンレス鋼以外のもの、例えばニッケ
ル等の各種金属でもよい。その他、シリコンカーバイト
（ＳｉＣ）や炭素（Ｃ）でもよく、発熱体の材質は導電
性材料であればよい。

【００２８】図２および図３に示した構成の誘導加熱ヒ
ータにおいては、電源装置部によりコイル３に高周波電
流を流すと、磁束が発生して、加熱容器２の内部の金属
薄板７に渦電流を生じ、材料の固有抵抗によって金属薄
板７にジュール熱が発生して、金属薄板７が発熱する。
この際、加熱容器２は、非磁性体材料で形成されている
ため、それ自身が発熱することはない。そして、金属薄
板７が発熱することにより、配管１から流体流入口５を
通って加熱容器２内に流入した流体は、各金属薄板７間
の通路８を通って流れる際に、金属薄板７からの熱伝達
により直接的に加熱される。各金属薄板７間の通路８を
通過する間に加熱されて昇温した流体は、加熱容器２内
から流体流出口６を通って流出し配管１内へ流れ込む。

【００２９】上記した構成を備えた基板洗浄装置を使用
し基板Ｗの洗浄処理は、従来の装置と同様にして行われ
る。すなわち、洗浄液供給ユニット２６により、ヒータ
６２で所定温度に加熱された洗浄液を遮蔽部材２４の吐
出口へ供給し、遮蔽部材２４の吐出口からスピンチャッ
ク１２に保持され回転している基板Ｗの表面へ洗浄液を
吐出して基板Ｗを洗浄し、次いで、遮蔽部材２４の吐出
口から回転している基板Ｗの表面へ純水を吐出して基板
Ｗを水洗処理した後、引き続いて基板Ｗを回転させたま
まで、基板Ｗ上の洗浄水を振り切って乾燥処理する。こ
の乾燥処理の際に、この装置では、窒素ガス供給ユニッ
ト２８により、ヒータ７４で所定温度に加熱された窒素
ガスが遮蔽部材２４のガス吹出し口へ供給され、ガス吹
出し口から回転している基板Ｗの表面に向けて加熱され
た不活性ガスが吹き出される。このため、基板Ｗの乾燥
が速やかに進行して、一連の洗浄処理の最終段階である
乾燥処理に要する時間が短縮され、処理全体としてのス
ループットが向上することになる。

【００３０】なお、上記した実施形態では、スピンチャ
ック１２によって支持された基板Ｗの表面へ洗浄液を吐
出し、また、基板Ｗを洗浄した後に基板Ｗの表面に向け
て加熱された窒素ガスを吹き出すようにしたが、基板Ｗ
の裏面側にも、その中心部に対向するように洗浄液の吐
出口およびガス吹出し口を設け、基板Ｗの表裏両面を同
時に洗浄し乾燥処理することができるような構成とする
こともできる。また、上記した実施形態では、スピンチ
ャック１２の上方に遮蔽部材２４を設け、この遮蔽部材
２４の中央部に、スピンチャック１２によって支持され
た基板Ｗの表面の中心部に対向するように洗浄液の吐出
口およびガス吹出し口を形設したが、遮蔽部材を設けな
いで、スピンチャックによって支持された基板の表面の
中心部に対向するように洗浄液の吐出ノズルおよび不活
性ガスの吹出しノズルを配設するようにしてもよい。

【００３１】

【発明の効果】請求項１に係る発明の基板処理装置を使
用して、基板を１枚ずつ枚葉方式で処理するときは、一
連の処理の最終段階である乾燥処理に要する時間を短縮
して、スループットを向上させることができ、３００ｍ
ｍ以上の大口径基板についても、処理の均一性の点で有
利な枚葉方式による洗浄等の処理を行うことが現実的に
みて可能になる。

【００３２】請求項２に係る発明の基板処理装置では、
不活性ガスが誘導加熱ヒータ内を通過する間に不活性ガ
スを十分に加熱することができるので、所定温度に加熱
された不活性ガスをガス吹出し部へ供給することができ
る。

【００３３】請求項３に係る発明の基板処理装置では、
ガス加熱手段により加熱された不活性ガスが、所定温度
に調節された状態でそのまま、ガス吹出し部から基板の
表面および／または裏面に向けて吹き出されるので、基
板に対し常に所定温度に調節された不活性ガスを供給し
て速やかに基板を乾燥させることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の実施形態の１例を示し、基板処理装
置の一種である基板洗浄装置の概略構成を示す模式的断
面図である。

【図２】図１に示した基板洗浄装置において使用される
誘導加熱ヒータの基本構成を模式的に示す外観斜視図で
ある。

【図３】図２に示した誘導加熱ヒータの概略縦断面図で
ある。

【図４】従来の基板洗浄装置の概略構成の１例を示す模
式的断面図である。

【符号の説明】

Ｗ 基板 １０ 基板洗浄部 １２ スピンチャック １４ 回転支軸 １６ スピンモータ １８ 洗浄液回収用のカップ ２０ ドレン排出管 ２２ 排気管 ２４ 遮蔽部材 ２６ 洗浄液供給ユニット ２８ ガス供給ユニット ２９ 洗浄液 ３０ 洗浄液貯留槽 ３２ 洗浄液供給配管 ３４ 戻り配管 ３６ ドレン回収配管 ３８、４０、４２、４４、７２ 開閉制御弁 ４６ 循環ポンプ ６２、７４ ヒータ ６４、７６ 温度センサ ６６、７８ 温度調節器 ６８ ガス供給配管 ７０ マスフローコントローラ １ 配管 ２ 加熱容器 ３ コイル ４ 発熱体 ５ 加熱容器の液流入口 ６ 加熱容器の液流出口 ７ 金属薄板 ８ 洗浄液の通路

フロントページの続き (72)発明者 波多野 博之 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 3B201 AA03 AB08 AB34 AB47 BB21 BB82 BB92 BB93 CB12 CC01 CC12 CC13 CD22 CD33

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板を水平姿勢に保持して鉛直軸周りに
   回転させる基板保持・回転手段と、 この基板保持・回転手段によって保持された基板へ処理
   液を供給する処理液供給手段と、 を備えた基板処理装置において、 前記基板保持・回転手段によって保持された基板の表面
   および／または裏面に対向するようにガス吹出し部を配
   設し、そのガス吹出し部へガス供給路を通して不活性ガ
   スを供給する不活性ガス供給手段を設け、前記ガス供給
   路に、不活性ガスを加熱するガス加熱手段を介挿して設
   けたことを特徴とする基板処理装置。
2. 【請求項２】 ガス加熱手段が、 ガス供給路にそれぞれ連通接続されるガス流入口および
   ガス流出口が形設された密閉構造を有し少なくとも加熱
   部が非磁性体材料で形成された加熱容器と、この加熱容
   器の外面の、前記加熱部の位置に巻装されたコイルと、
   このコイルに高周波電流を流す電源装置部と、前記加熱
   容器の内部の、前記加熱部の位置に配設され導電性材料
   によって形成された発熱体とから構成された誘導加熱ヒ
   ータである請求項１記載の基板処理装置。
3. 【請求項３】 ガス加熱手段が、ガス供給路の、ガス吹
   出し部の直前に介挿して設けられた請求項１又は請求項
   ２記載の基板処理装置。