JP2015154063A - 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 212
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 238000003860 storage Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 87
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 54
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 100
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 88
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 54
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 50
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 31
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 9
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 claims description 7
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 claims description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 abstract description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 335
- 230000008569 process Effects 0.000 description 22
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 18
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 12
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 7
- 230000032258 transport Effects 0.000 description 7
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 6
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 4
- 206010037660 Pyrexia Diseases 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000005674 electromagnetic induction Effects 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
2 搬入出ステーション
3 剥離処理ステーション
20 第1の搬送装置
30 剥離装置
31 第1の洗浄装置
33 第2の洗浄装置
60 制御部
190 ポーラスチャック
200 温度調節機構
201 発熱体
202 給電部材
203 移動機構
212 洗浄液ノズル
300 温度調節機構
301 発熱体
302 磁場発生源
310 温度調節機構
311 光照射部
320 温度調節機構
321 気体供給部
G 接着剤
S 支持ウェハ
T 重合ウェハ
W 被処理ウェハ
Claims (17)
- 接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄装置であって、
被処理基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部に保持された被処理基板に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記回転保持部に保持された被処理基板の温度を調節する温度調節機構と、を有することを特徴とする、洗浄装置。 - 前記回転保持部に被処理基板が保持されてから、少なくとも前記洗浄液供給部から被処理基板への洗浄液の供給を開始するまで、被処理基板の温度を調節するように前記温度調節機構を制御する制御部をさらに有することを特徴とする、請求項1に記載の洗浄装置。
- 前記温度調節機構は、
前記回転保持部の内部に設けられた発熱体と、
前記発熱体に電力を供給する給電部材と、
前記回転保持部の外部と前記発熱体との間で前記給電部材を移動させる移動機構と、を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の洗浄装置。 - 前記温度調節機構は、
前記回転保持部で被処理基板を保持する前に、前記移動機構により前記給電部材を前記発熱体に移動させて、前記給電部材により前記発熱体に電力を供給し、
前記回転保持部で被処理基板を保持した後に、前記給電部材による電力の供給を停止し、前記移動機構により前記給電部材を前記回転保持部の外部に移動させることを特徴とする、請求項3に記載の洗浄装置。 - 前記温度調節機構は、
前記回転保持部の内部に設けられた発熱体と、
前記回転保持部の外部に設けられ、前記発熱体に磁場を印加する磁場発生源と、を有することを特徴とする、請求項1又は2に記載の洗浄装置。 - 前記温度調節機構は、前記回転保持部に保持された被処理基板に光を照射する光照射部を有することを特徴とする、請求項1〜5のいずれか一項に記載の洗浄装置。
- 前記温度調節機構は、前記回転保持部に保持された被処理基板に対して、温度調節された気体を供給する気体供給部を有することを特徴とする、請求項1〜6のいずれか一項に記載の洗浄装置。
- 前記洗浄液供給部から供給される洗浄液は所定の温度に調節されていることを特徴とする、請求項1〜7のいずれか一項に記載の洗浄装置。
- 請求項1〜8のいずれか一項に記載の洗浄装置を備えた剥離システムであって、
重合基板を被処理基板と支持基板に剥離する剥離装置と、前記剥離装置で剥離された被処理基板を洗浄する前記洗浄装置と、前記剥離装置で剥離された支持基板を洗浄する他の洗浄装置と、を備えた剥離処理ステーションと、
前記剥離処理ステーションに対して、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬入出する搬入出ステーションと、
前記剥離処理ステーションと前記搬入出ステーションとの間で、被処理基板、支持基板又は重合基板を搬送する搬送装置と、を有することを特徴とする、剥離システム。 - 接着剤で接合された重合基板を被処理基板と支持基板に剥離した後、剥離された被処理基板を洗浄する洗浄方法であって、
回転保持部で被処理基板を保持する保持工程と、
その後、前記回転保持部で被処理基板を回転させながら、洗浄液供給部から被処理基板に洗浄液を供給して当該被処理基板を洗浄する洗浄工程と、を有し、
前記保持工程の後に、温度調節機構によって被処理基板の温度を調節することを特徴とする、洗浄方法。 - 前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、少なくとも前記洗浄工程において前記洗浄液供給部から被処理基板への洗浄液の供給を開始するまで行われることを特徴とする、請求項10に記載の洗浄方法。
- 前記温度調節機構は、前記回転保持部の内部に設けられた発熱体を有し、
前記保持工程の前に、前記発熱体の発熱によって前記回転保持部を所定の温度に調節しておき、
前記保持工程の後に、前記発熱体の発熱を停止させることを特徴とする、請求項10又は11に記載の洗浄方法。 - 前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、前記回転保持部に保持された被処理基板に光を照射して行われることを特徴とする、請求項10〜12のいずれか一項に記載の洗浄方法。
- 前記温度調節機構による被処理基板の温度調節は、前記回転保持部に保持された被処理基板に対して、温度調節された気体を供給して行われることを特徴とする、請求項10〜13のいずれか一項に記載の洗浄方法。
- 前記洗浄液供給部から供給される洗浄液は所定の温度に調節されていることを特徴とする、請求項10〜14のいずれか一項に記載の洗浄方法。
- 請求項10〜15のいずか一項に記載の洗浄方法を洗浄装置によって実行させるように、当該洗浄装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラム。
- 請求項16に記載のプログラムを格納した読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014029828A JP6158721B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014029828A JP6158721B2 (ja) | 2014-02-19 | 2014-02-19 | 洗浄装置、剥離システム、洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2015154063A true JP2015154063A (ja) | 2015-08-24 |
JP6158721B2 JP6158721B2 (ja) | 2017-07-05 |
Family
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JP6158721B2 (ja) |
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Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |