JP6222817B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents
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Description
そのため、最近では、レジストのアッシングを行わずに、ウエハの表面にSPM液を供
給して、このSPM液に含まれるペルオキソ一硫酸(H2SO5)の強酸化力により、ウエハの表面からレジストを剥離して除去する手法が注目されつつある。
SPM液に高いレジスト剥離性能を発揮させる一つの手法として、ウエハの表面上のSPM液、とくにウエハの表面との境界付近のSPM液を高温(たとえば200℃以上)に昇温させるというものがある。このような手法であれば、表面に硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、ウエハの表面から除去することができる。ウエハの表面との境界付近のSPM液を高温に保つためには、高温のSPM液をウエハに供給し続けることが考えられるが、このような方策では、SPM液の使用量が増えるおそれがある。
そこで、本発明の目的は、基板の主面にダメージを与えることなく、当該主面に、ヒータを用いた良好な処理を施すことができる基板処理方法および基板処理装置を提供することである。
この発明の方法によれば、基板の主面に保持された液膜の所定部分にヒータから熱量が与えられ、基板の回転速度に応じて、単位時間当たりの熱量が調整される。基板の主面上の液膜の厚みは、基板の回転速度に従って変化する。そのため、ヒータから液膜の所定部分に与えられる単位時間当たりの熱量を、当該液膜の厚みに応じた熱量とすることができる。これにより、基板の回転速度の変化に伴って基板の主面上の液膜の厚みが変わったとしても、基板の主面が過度に加熱されたり、逆に処理液が十分に昇温されなかったりというようなことがない。その結果、基板の主面にダメージを与えることなく、基板の主面に、ヒータを用いた良好な処理を施すことができる。
前記の目的を達成するための請求項2に記載の発明は、基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程と、前記基板の主面に前記処理液の液膜を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程と、基板(W)の主面に処理液を供給する処理液供給工程(S5,S15,S31,S33,S41,S43)と、前記基板の主面に前記処理液の液膜(70,80)を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程(S12)と、前記基板回転工程に並行して、前記処理液の前記液膜を、前記基板の主面に対向配置されたヒータ(38)によって加熱するヒータ加熱工程(S3,S5,S13,S15,S33,S43)と、前記ヒータ加熱工程に並行して、前記液膜のうち前記ヒータに対向する部分において当該ヒータから与えられる単位時間当たりの熱量を前記基板の回転速度に応じて調整する熱量調整工程(S24)であって、前記基板の回転速度に応じて前記ヒータの移動速度を調整する熱量調整工程とを含み、前記基板回転工程は、第1の回転速度で前記基板を回転させる第1の回転工程と、前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転させる第2の回転工程とを含み、前記熱量調整工程は、前記第1の回転工程に並行して前記ヒータを第1の移動速度で移動させる第1の移動工程と、前記第2の回転工程に並行して前記ヒータを前記第1の移動速度よりも遅い第2の移動速度で移動させる第2の移動工程とを含む、基板処理方法である。
この発明の方法によれば、基板の主面に保持された液膜の所定部分にヒータから熱量が与えられ、基板の回転速度に応じて、単位時間当たりの熱量が調整される。基板の主面上の液膜の厚みは、基板の回転速度に従って変化する。そのため、ヒータから液膜の所定部分に与えられる単位時間当たりの熱量を、当該液膜の厚みに応じた熱量とすることができる。これにより、基板の回転速度の変化に伴って基板の主面上の液膜の厚みが変わったとしても、基板の主面が過度に加熱されたり、逆に処理液が十分に昇温されなかったりというようなことがない。その結果、基板の主面にダメージを与えることなく、基板の主面に、ヒータを用いた良好な処理を施すことができる。
この発明の方法によれば、基板の回転速度とヒータから与えられる単位時間当たりの熱量との対応関係を表す対応テーブルから単位時間当たりの熱量が決定される。基板の回転速度と単位時間当たりの熱量との対応関係が予め対応テーブルに規定されているので、基板の回転速度に応じた適切な熱量を、基板の主面上の液膜に与えることができる。
この発明の方法によれば、熱量調整工程では、基板処理工程を実行するためのレシピに含まれた基板の回転速度の情報に基づいて、単位時間当たりの熱量を決定する。したがって、基板の回転速度に応じた適切な熱量を、基板の主面上の液膜に与えることができる。
この発明の方法によれば、基板の主面にレジストが形成されている場合に、硫酸を含むレジスト剥離液を含む液が処理液として用いられる。ヒータにより基板の主面上の、硫酸を含むレジスト剥離液を高温に昇温させることができ、これにより、表面に硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、基板の主面から除去することが可能である。
また、前記の目的を達成するための請求項7に記載の発明は、基板(W)を保持する基板保持手段(3)と、前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させるための基板回転手段(6)と、前記基板保持手段に保持された前記基板の主面に処理液を供給する処理液供給手段(13)と、前記基板の主面に対向配置されたヒータ(38)と、前記基板回転手段、前記ヒータを制御して、前記基板に主面に前記処理液の液膜(70,80)を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程(S2)と、前記基板回転工程に並行して、前記処理液の前記液膜を前記ヒータによって加熱するヒータ加熱工程(S3,S5,S13,S15,S33,S43)と、前記ヒータ加熱工程に並行して、前記液膜のうち前記ヒータに対向する部分において当該ヒータから与えられる単位時間当たりの熱量を前記基板の回転速度に応じて調整する熱量調整工程(S22)であって、前記基板の回転速度に応じて前記ヒータの出力を調整する熱量調整工程とを実行する制御手段(55)とを含み、前記制御手段は、前記基板回転工程において、第1の回転速度で前記基板を回転させる第1の回転工程と、前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転させる第2の回転工程とを実行し、かつ前記熱量調整工程において、前記第1の回転工程に並行して前記ヒータの出力を第1の出力にする第1の出力工程と、前記第2の回転工程に並行して前記ヒータの出力を前記第1の出力よりも高い第2の出力とする第2の出力工程とを実行する、基板処理装置である。
また、前記の目的を達成するための請求項8に記載の発明は、基板(W)を保持する基板保持手段(3)と、前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させるための基板回転手段(6)と、前記基板保持手段に保持された前記基板の主面に処理液を供給する処理液供給手段(13)と、前記基板の主面に対向配置されたヒータ(38)と、前記基板回転手段、前記ヒータを制御して、前記基板に主面に前記処理液の液膜(70,80)を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程(S12)と、前記基板回転工程に並行して、前記処理液の前記液膜を前記ヒータによって加熱するヒータ加熱工程(S3,S5,S13,S15,S33,S43)と、前記ヒータ加熱工程に並行して、前記液膜のうち前記ヒータに対向する部分において当該ヒータから与えられる単位時間当たりの熱量を前記基板の回転速度に応じて調整する熱量調整工程(S24)であって、前記基板の回転速度に応じて前記ヒータの移動速度を調整する熱量調整工程とを実行する制御手段と(55)を含み、前記制御手段は、前記基板回転工程において、第1の回転速度で前記基板を回転させる第1の回転工程と、前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転させる第2の回転工程とを実行し、かつ前記熱量調整工程において、前記第1の回転工程に並行して前記ヒータを第1の移動速度で移動させる第1の移動工程と、前記第2の回転工程に並行して前記ヒータを前記第1の移動速度よりも遅い第2の移動速度で移動させる第2の移動工程とを実行する、基板処理装置である。
この構成によれば、請求項2の発明の方法に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる基板処理装置を提供することができる。
図1Aは、本発明の第1実施形態に係る基板処理装置1の概略構成を示す模式的な平面図である。
図1Aに示すように、基板処理装置1は、たとえば基板の一例としてのウエハWの表面(主面)に不純物を注入するイオン注入処理やドライエッチング処理の後に、そのウエハWの表面から不要になったレジストを除去するための処理に用いられる枚葉式の装置である。
基板処理装置1は、さらにロードポートLPとセンターロボットCRとの間でウエハWを搬送する搬送ロボットとしてのインデクサロボットIRと、インデクサロボットIRと各処理ユニット100との間でウエハWを搬送する搬送ロボットとしてのセンターロボットCRと、基板処理装置1に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御するコンピュータ55(制御手段)とを含む。
処理ユニット100は、隔壁により区画された処理室2(図1A参照)内に、ウエハWを保持するウエハ保持機構3(基板保持手段)と、ウエハ保持機構3に保持されているウエハWの表面(上面)に対して、レジスト剥離液の一例としてのSPM液を供給するための剥離液ノズル4と、ウエハ保持機構3に保持されているウエハWの表面に対向して配置されてウエハWや当該ウエハW上のSPM液の液膜を加熱するためのヒータ54(ヒータ)とを備えている。
剥離液ノズル4は、たとえば、連続流の状態でSPM液を吐出するストレートノズルである。剥離液ノズル4は、その吐出口を下方に向けた状態で、ほぼ水平に延びる第1液アーム11の先端に取り付けられている。第1液アーム11は、鉛直方向に延びる所定の揺動軸線まわりに旋回可能に設けられている。第1液アーム11には、第1液アーム11を所定角度範囲内で揺動させるための第1液アーム揺動機構12が結合されている。第1液アーム11の揺動により、剥離液ノズル4は、ウエハWの回転軸線A1上の位置(ウエハWの回転中心に対向する位置)と、ウエハ保持機構3の側方に設定されたホームポジションとの間で移動される。
ウエハ保持機構3の側方には、鉛直方向に延びる支持軸33が配置されている。支持軸33の上端には、水平方向に延びるヒータアーム34が結合されており、ヒータアーム34の先端に、ヒータ54が取り付けられている。また、支持軸33には、支持軸33を、その中心軸線まわりに回動させるための揺動駆動機構36と、支持軸33を、その中心軸線に沿って上下動させるための昇降駆動機構37とが結合されている。
図2に示すように、ヒータ54は、ヒータヘッド35と、赤外線ランプ38と、上部に開口部39を有し、赤外線ランプ38を収容する有底容器状のランプハウジング40と、ランプハウジング40の内部で赤外線ランプ38を吊下げ支持する支持部材42と、ランプハウジング40の開口部39を閉塞するための蓋41とを備えている。この実施形態では、蓋41がヒータアーム34の先端に固定されている。
図2および図4に示すように、蓋41は円板状をなし、ヒータアーム34の長手方向に沿う姿勢で固定されている。蓋41は、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)などのフッ素樹脂材料を用いて形成されている。この実施形態では、蓋41はヒータアーム34と一体に形成されている。しかしながら、蓋41をヒータアーム34と別に形成してもよい。また、蓋41の材料として、PTFE等の樹脂材料以外にも、セラミックスや石英などの材料を採用できる。
ヒータヘッド35では、ランプハウジング40は、その開口部39を上方に向けた状態で、蓋41の下面49(この実施形態では、溝部51を除く下面)に固定されている。ランプハウジング40の開口側の周端縁からは、円環状のフランジ40Aが径方向外方に向けて(水平方向に)突出している。ボルト等の固定手段(図示しない)を用いて、フランジ40Aが蓋41の下面49に固定されることにより、ランプハウジング40が蓋41に支持されている。
ヒータ54による赤外線の放射は、コンピュータ55(具体的には、後述するCPU55A)により制御されている。より具体的には、コンピュータ55によりヒータ54が制御されて赤外線ランプ38に電力が供給されると、赤外線ランプ38が赤外線の放射を開始する。赤外線ランプ38から放射された赤外線は、ランプハウジング40を介して、ヒータヘッド35の下方に向けて出射される。後述するレジスト除去処理の際に、ヒータヘッド35の下端面を構成するランプハウジング40の底板部52が、ウエハ保持機構3に保持されているウエハWの表面に対向して配置された状態では、ランプハウジング40の底板部52を介して出射された赤外線が、ウエハWおよびウエハW上のSPM液を加熱する。また、赤外線ランプ38の円環部43が水平姿勢であるので、同じく水平姿勢にあるウエハWの表面に対し均一に赤外線を照射することができ、これにより、赤外線を、ウエハW、およびウエハW上のSPM液に、効率良く照射することができる。
図5は、ヒータ54の配置位置を示す平面図である。
ヒータ54により、ウエハWおよびウエハW上のSPM液およびSC1を加熱する場合、ヒータ54は、ヒータヘッド35の下端面を構成する底板部52がウエハWの表面と微小間隔(たとえば3mm)を隔てて対向する近接位置に配置される。そして、その加熱中は、底板部52(下面52B)とウエハWの表面との間が、その微小間隔に保たれる。
ミドル近接位置は、ウエハWの表面における半径方向の中央位置(回転中心(回転軸線A1上)と周縁部との間の中央位置)に、平面視円形状のヒータ54の中心が対向するとともに、ヒータヘッド35の底板部52とウエハWの表面との間が微小間隔(たとえば3mm)になるヒータ54の位置である。
センター近接位置は、ウエハWの表面における回転中心(回転軸線A1上)に、平面視円形状のヒータ54の中心が対向するとともに、ヒータヘッド35の底板部52とウエハWの表面との間が微小間隔(たとえば3mm)になるヒータ54の位置である。
基板処理装置1は、コンピュータ55を備えている。コンピュータ55は、CPU55Aと、記憶装置55D(レシピ記憶手段)とを備えている。記憶装置55Dには、レシピ55Bと、SPM液用の回転速度−ヒータ出力対応テーブル55Cと、SC1用の回転速度−ヒータ出力対応テーブル55Fとが格納されている。
コンピュータ55には、回転駆動機構6、ヒータ54、揺動駆動機構36、昇降駆動機構37、第1液アーム揺動機構12、第2液アーム揺動機構29、硫酸バルブ18、過酸化水素水バルブ20、剥離液バルブ23、DIWバルブ27、SC1バルブ31、流量調節バルブ19,21等が制御対象として接続されている。
レジスト除去処理の実行に先立って、まず、ユーザによるレシピ入力操作部57の操作が実行され、ウエハWの処理条件に関するレシピ55Bが決定される。以降、CPU55Aは、当該レシピ55Bに基づき、ウエハWの処理を順次実行する。
また、CPU55Aは、揺動駆動機構36および昇降駆動機構37を制御して、ヒータ54を、ウエハ保持機構3の側方に設定されたホームポジションからエッジ近接位置(図5に二点鎖線で示す位置)の上方に移動させ、その後、エッジ近接位置まで下降させた後、センター近接位置(図5に二点鎖線で示す位置)に向けて一定の揺動速度で一方向揺動させる。
図10に示すように、ステップS31のSPM液膜形成工程において、CPU55Aは、レジスト剥離処の進行状況を管理するためのタイマ(図示しない)を参照しつつ、現在、ヒータ54のオン期間中であるか否かを判断する(ステップS21)。
このステップS32のSPM液膜加熱工程においても、ヒータ54の出力の大きさは、ウエハWの回転速度に基づいて決定される。具体的には、ステップS31のSPM液膜形成工程の場合と同様、ヒータ54のオン期間中には(図10のステップS21でYES)、CPU55Aは、レシピ55Bに記憶されているウエハWの回転速度と、SPM液用の回転速度−ヒータ出力対応テーブル55Cとに基づいて、ヒータ54に供給すべき電力を決定しており(図10のステップS22)、決定された電力が、ヒータ54に供給される。このとき、ステップS32のSPM液膜加熱工程では、ウエハWの回転速度が第1回転速度よりも遅い第2回転速度であるので、ウエハWの表面上には比較的厚いSPM液の液膜が形成される。前述のように、SPM液用の回転速度−ヒータ出力対応テーブル55C(図6参照)では、ウエハWの回転速度の上昇に伴って、ヒータ54の出力が低下するような対応関係が規定されているので、ヒータ54の出力は第1出力よりも大きな第2出力(たとえば、最大出力の95%程度の出力)に制御される。
ヒータ54がセンター近接位置に到達した後、所定の時間、当該センター近接位置でウエハWの加熱が継続される。ステップS32のSPM液膜加熱工程では、ヒータ54による赤外線の照射により、ウエハWのヒータヘッド35の底板部52に対向する部分が加熱されるとともに、当該部分に存在するSPM液の液膜80が加熱される。ステップS32のSPM液膜加熱工程は、液膜加熱処理時間(2秒〜90秒間の範囲で、たとえば約40秒間)の間が実行される。
そして、CPU55Aは、回転駆動機構6を制御して、ウエハWを所定の第3回転速度(300rpm〜1500rpmの範囲で、たとえば1000rpm)に加速するとともに、DIWバルブ27を開いて、DIWノズル24の吐出口からウエハWの回転中心付近に向けてDIWを供給する(ステップS4:中間リンス処理工程)。
さらに、ステップS5のSC1供給・ヒータ加熱工程において、ヒータ54の出力が第3出力に制御されるので、ウエハWの表面が過度に加熱されたり、逆にSC1の液膜が十分に昇温されなかったりというようなことがない。その結果、ステップS5のSC1供給・ヒータ加熱工程において、ウエハWの表面にダメージを与えることなく、ウエハWの表面を洗浄することができる。
SC1の供給が所定のSC1供給時間にわたって続けられると、CPU55Aは、SC1バルブ31を閉じるとともに、第2液アーム揺動機構29を制御して、SC1ノズル25をホームポジションに戻す。また、ウエハWの回転速度が第3回転速度に維持された状態で、CPU55Aは、DIWバルブ27を開いて、DIWノズル24の吐出口からウエハWの回転中心付近に向けてDIWを供給する(ステップS6:最終リンス工程)。
最終リンス工程の開始から所定時間が経過すると、CPU55Aは、DIWバルブ27を閉じて、ウエハWの表面へのDIWの供給を停止する。その後、CPU55Aは、回転駆動機構6を駆動して、ウエハWの回転速度を所定の高回転速度(たとえば1500rpm〜2500rpm)に上げて、ウエハWに付着しているDIWを振り切って乾燥されるスピンドライ処理が行われる(ステップS7)。
スピンドライ処理が予め定めるスピンドライ処理時間にわたって行われると、CPU55Aは、回転駆動機構6を駆動して、ウエハ保持機構3の回転を停止させる。これにより、1枚のウエハWに対するレジスト除去処理が終了し、センターロボットCRによって、処理済みのウエハWが処理室2から搬出される(ステップS8)。
このように、ステップS33のSPM供給・ヒータ加熱工程を採用した処理例であっても、前述の第1処理例において述べた効果と同様の効果を奏することができる。
図14は、本発明の第2実施形態に係るレジスト除去処理の第1処理例を示すフローチャートである。図15は、主として、後述するSPM液膜形成工程およびSPM液膜加熱工程におけるCPU55Aによる制御内容を説明するためのタイムチャートである。図16は、ヒータ54の移動速度の制御を示すフローチャートである。図17は、後述するSC1供給・ヒータ加熱工程を説明するためのタイムチャートである。
レジスト除去処理の実行に先立って、まず、ユーザによるレシピ入力操作部57の操作が実行され、ウエハWの処理条件に関するレシピ55Bが決定される。以降、CPU55Aは、当該レシピ55Bに基づき、ウエハWの処理を順次実行する。
また、CPU55Aは、図15に示すように、揺動駆動機構36および昇降駆動機構37を制御して、ヒータ54を、ウエハ保持機構3の側方に設定されたホームポジションからエッジ近接位置(図5に二点鎖線で示す位置)の上方に移動させ、その後、エッジ近接位置まで下降させた後、センター近接位置(図5に二点鎖線で示す位置)に向けて予め定められた第1移動速度で一方向揺動させる。
ヒータ54の移動期間中である場合(ステップS23のYES)、CPU55Aは、レシピ55Bに記憶されているウエハWの回転速度と、SPM用の回転速度−ヒータ移動速度対応テーブル55Eとに基づいて、ヒータアーム34の揺動速度を決定し、CPU55Aはその揺動速度となるように、揺動駆動機構36を制御する。つまり、ヒータ54の移動速度(ヒータアーム34の揺動速度)は通常等速であるが、このような制御により、ヒータ54の移動期間中に、ヒータ54の移動速度が変更されることになる。ヒータ54からの赤外線照射により、ウエハWの表面上のSPM液の液膜を高温に昇温させることができ、これにより、表面に硬化層を有するレジストであっても、アッシングすることなく、ウエハWの表面から除去することが可能である。
このように、ステップS13のSPM供給・ヒータ加熱工程におけるヒータ54の移動速度は、レシピ55Bに記憶されているウエハWの回転速度に応じた移動速度に制御される。ステップS41のSPM液膜形成工程では、ウエハWの回転速度が比較的速い第6回転速度であるので、ウエハWの表面には比較的に薄いSPM液の液膜が形成される。したがって、CPU55Aは、SPM用の回転速度−ヒータ移動速度対応テーブル55E(図13参照)に規定されたウエハWの回転速度とヒータ54の移動速度との対応関係から、ヒータ54の移動速度を比較的速い第1移動速度(たとえば5mm/min)に制御する。
このステップS42のSPM液膜加熱工程においても、ウエハWの回転速度と、SPM用の回転速度−ヒータ移動速度対応テーブル55Eとに基づいて、ヒータ54の揺動速度を決定し、CPU55Aはその揺動速度となるように、揺動駆動機構36を制御する。より具体的には、ステップS42のSPM液膜加熱工程では、ウエハWの回転速度が第6回転速度よりも遅い第7回転速度であるので、ウエハWの表面には第6回転速度時よりも厚いSPM液の液膜が形成される。前述のように、SPM用の回転速度−ヒータ移動速度対応テーブル55Eには、ウエハWの回転速度の減速に伴って、ヒータ54の移動速度を減速するような、ウエハWの回転速度と、ヒータ54の移動速度との対応関係が規定されているので、CPU55Aは、ヒータ54の移動速度を第1移動速度よりも遅い第2移動速度に制御する。
ヒータ54がセンター近接位置に到達した後、所定の時間、当該センター近接位置でウエハWの加熱が継続される。ステップS42のSPM液膜加熱工程では、ヒータ54による赤外線の照射により、ウエハWのヒータヘッド35の底板部52に対向する部分が加熱されるとともに、当該部分に存在するSPM液の液膜が加熱される。ステップS42のSPM液膜加熱工程は、液膜加熱処理時間(2秒〜90秒間の範囲で、たとえば約40秒間)の間が実行される。
そして、CPU55Aは、図15に示すように、回転駆動機構6を制御して、ウエハWを所定の第8回転速度に加速するとともに、DIWバルブ27を開いて、DIWノズル24の吐出口からウエハWの回転中心付近に向けてDIWを供給する(ステップS14:中間リンス処理工程)。第8回転速度は、300rpm〜1500rpmの範囲で、たとえば1000rpmである。
また、CPU55Aは、前述のステップS13のSPM供給・ヒータ加熱工程と同様、揺動駆動機構36および昇降駆動機構37を制御して、ヒータ54を、ウエハ保持機構3の側方に設定されたホームポジションからエッジ近接位置(図5に二点鎖線で示す位置)の上方に移動させる。なお、この場合、SC1ノズル25とヒータ54とが互いに干渉し合わないように、SC1ノズル25およびヒータ54のスキャンの態様が定められている。
このステップS15のSC1供給・ヒータ加熱工程においても、ウエハWの回転速度と、SC1用の回転速度−ヒータ移動速度対応テーブル55Gとに基づいて、ヒータ54の揺動速度を決定し、CPU55Aはその揺動速度となるように、揺動駆動機構36を制御する。ステップS15のSC1供給・ヒータ加熱工程では、ウエハWの回転速度は第8回転速度で一定であるので、ヒータ54の移動速度は、ウエハWの回転速度に応じた一定の第3移動速度に制御される。
ステップS15のSC1供給・ヒータ加熱工程では、ウエハWの表面の全域に、SC1がむらなく供給され、ウエハWの表面に付着したパーティクルを効率的に洗浄除去できる。また、ヒータ54によりSC1が加熱されるため、SC1は高活性化する。その結果、洗浄効率を著しく向上させることができる。
SC1の供給が所定のSC1供給時間にわたって続けられると、CPU55Aは、前述の第1実施形態におけるステップS6の最終リンス工程、ステップS7の乾燥工程およびステップS8のウエハW搬出と同様の、ステップS16の最終リンス工程、ステップS17の乾燥工程およびステップS18のウエハW搬出を行う。
このように、ステップS43のSPM供給・ヒータ加熱工程を採用した処理例であっても、前述の第1処理例において述べた効果と同様の効果を奏することができる。
たとえば、記憶装置55Dに、ウエハWの回転速度、ヒータ54の出力、およびヒータ54の移動速度の3つの対応関係が規定された回転速度−ヒータ出力−ヒータ移動速度対応テーブルが格納されており、当該テーブルを参照しながら、CPU55Aは、ウエハWの回転速度に基づいて、ヘッドの出力と、ヘッドの移動速度(ヒータアーム34の揺動速度)とをそれぞれ決定(変更)するようにしてもよい。
なお、前述の各実施形態では、ウエハWにレジスト除去処理を施す場合を例に挙げて説明したが、本発明は、リン酸エッチング処理などに代表されるエッチング処理にも適用することができる。この場合、リン酸水溶液やふっ酸水溶液のようなエッチング液や、SC1やSC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture:塩酸過酸化水素水混合液))などの洗浄液用薬液を処理液として採用できる。
3 ウエハ保持機構
6 回転駆動機構
13 剥離液供給機構
45 ヒータ
55 コンピュータ
55B レシピ
55C SPM液用の回転速度−ヒータ出力対応テーブル
55D 記憶装置
55E SPM液用の回転速度−ヒータ移動速度対応テーブル
55F SC1用の回転速度−ヒータ出力対応テーブル
55G SC1用の回転速度−ヒータ移動速度対応テーブル
70 液膜
80 液膜
101 基板処理装置
155 コンピュータ
W ウエハ
Claims (8)
- 基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記基板の主面に前記処理液の液膜を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程に並行して、前記処理液の前記液膜を、前記基板の主面に対向配置されたヒータによって加熱するヒータ加熱工程と、
前記ヒータ加熱工程に並行して、前記液膜のうち前記ヒータに対向する部分において当該ヒータから与えられる単位時間当たりの熱量を前記基板の回転速度に応じて調整する熱量調整工程であって、前記基板の回転速度に応じて前記ヒータの出力を調整する熱量調整工程とを含み、
前記基板回転工程は、
第1の回転速度で前記基板を回転させる第1の回転工程と、
前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転させる第2の回転工程とを含み、
前記熱量調整工程は、
前記第1の回転工程に並行して前記ヒータの出力を第1の出力にする第1の出力工程と、
前記第2の回転工程に並行して前記ヒータの出力を前記第1の出力よりも高い第2の出力とする第2の出力工程とを含む、基板処理方法。 - 基板の主面に処理液を供給する処理液供給工程と、
前記基板の主面に前記処理液の液膜を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程と、
前記基板回転工程に並行して、前記処理液の前記液膜を、前記基板の主面に対向配置されたヒータによって加熱するヒータ加熱工程と、
前記ヒータ加熱工程に並行して、前記ヒータを前記基板の主面に沿って移動させるヒータ移動工程と、
前記ヒータ移動工程に並行して、前記液膜のうち前記ヒータに対向する部分において当該ヒータから与えられる単位時間当たりの熱量を前記基板の回転速度に応じて調整する熱量調整工程であって、前記基板の回転速度に応じて前記ヒータの移動速度を調整する熱量調整工程とを含み、
前記基板回転工程は、
第1の回転速度で前記基板を回転させる第1の回転工程と、
前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転させる第2の回転工程とを含み、
前記熱量調整工程は、
前記第1の回転工程に並行して前記ヒータを第1の移動速度で移動させる第1の移動工程と、
前記第2の回転工程に並行して前記ヒータを前記第1の移動速度よりも遅い第2の移動速度で移動させる第2の移動工程とを含む、基板処理方法。 - 前記熱量調整工程は、前記基板の回転速度と、前記ヒータから与えられる前記単位時間当たりの熱量との対応関係を表す対応テーブルに基づいて、前記単位時間当たりの熱量を決定する工程を含む、請求項1または2に記載の基板処理方法。
- 前記熱量調整工程は、レシピ記憶手段に記憶されているレシピを参照し、そのレシピで定められている前記基板回転工程における前記基板の回転速度に基づいて、前記単位時間当たりの熱量を決定する工程を含む、請求項1〜3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記処理液は、硫酸を含むレジスト剥離液を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記処理液は、アンモニア水を含む薬液を含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させるための基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の主面に処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記基板の主面に対向配置されたヒータと、
前記基板回転手段および前記ヒータを制御して、前記基板に主面に前記処理液の液膜を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記処理液の前記液膜を前記ヒータによって加熱するヒータ加熱工程と、前記ヒータ加熱工程に並行して、前記液膜のうち前記ヒータに対向する部分において当該ヒータから与えられる単位時間当たりの熱量を前記基板の回転速度に応じて調整する熱量調整工程であって、前記基板の回転速度に応じて前記ヒータの出力を調整する熱量調整工程とを実行する制御手段とを含み、
前記制御手段は、前記基板回転工程において、第1の回転速度で前記基板を回転させる第1の回転工程と、前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転させる第2の回転工程とを実行し、かつ前記熱量調整工程において、前記第1の回転工程に並行して前記ヒータの出力を第1の出力にする第1の出力工程と、前記第2の回転工程に並行して前記ヒータの出力を前記第1の出力よりも高い第2の出力とする第2の出力工程とを実行する、基板処理装置。 - 基板を保持する基板保持手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板を回転させるための基板回転手段と、
前記基板保持手段に保持された前記基板の主面に処理液を供給するための処理液供給手段と、
前記基板の主面に対向配置されたヒータと、
前記ヒータを前記基板の主面に沿って移動させるヒータ移動手段と、
前記基板回転手段、前記ヒータおよび前記ヒータ移動手段を制御して、前記基板に主面に前記処理液の液膜を保持しながら、前記基板を回転させる基板回転工程と、前記基板回転工程に並行して、前記処理液の前記液膜を前記ヒータによって加熱するヒータ加熱工程と、前記ヒータ加熱工程に並行して、前記液膜のうち前記ヒータに対向する部分において当該ヒータから与えられる単位時間当たりの熱量を前記基板の回転速度に応じて調整する熱量調整工程であって、前記基板の回転速度に応じて前記ヒータの移動速度を調整する熱量調整工程とを実行する制御手段とを含み、
前記制御手段は、前記基板回転工程において、第1の回転速度で前記基板を回転させる第1の回転工程と、前記第1の回転速度よりも遅い第2の回転速度で前記基板を回転させる第2の回転工程とを実行し、かつ前記熱量調整工程において、前記第1の回転工程に並行して前記ヒータを第1の移動速度で移動させる第1の移動工程と、前記第2の回転工程に並行して前記ヒータを前記第1の移動速度よりも遅い第2の移動速度で移動させる第2の移動工程とを実行する、基板処理装置。
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