JP2024064787A - 基板処理装置、及び基板処理方法 - Google Patents

基板処理装置、及び基板処理方法 Download PDF

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Abstract

【課題】硫酸の消費量の低減を図ることができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理装置１００は、チャンバー２０１と、基板保持部３と、処理空間形成部７０と、基板回転部４と、処理液供給部６００と、過熱水蒸気吹出部８とを備える。チャンバー２０１は、基板Ｗを収容する。基板保持部３は、チャンバー２０１内で基板Ｗを保持する。処理空間形成部７０は、対向部材７２を含む。対向部材７２は、基板保持部３に保持された基板Ｗと対向する。処理空間形成部７０は、基板Ｗの処理が行われる処理空間を形成する。基板回転部４は、基板保持部３が保持する基板Ｗを回転させる。処理液供給部６００は、基板回転部４により回転される基板Ｗに、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液（ＳＰＭ）を供給する。過熱水蒸気吹出部８は、処理空間内に過熱水蒸気を吹き出す。【選択図】図２

Description

本発明は、基板処理装置、及び基板処理方法に関する。
ＳＰＭ（硫酸過酸化水素混合液）を用いて基板を１枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照。）。このような基板処理装置は、基板を水平に保持しながら回転させて、回転中の基板の上面に向けてＳＰＭを吐出する。
ＳＰＭによるレジスト除去の効率は、基板の温度に依存する。具体的には、基板の温度が低温であるほど、レジスト除去の効率が低下する。基板へのＳＰＭの供給開始時の基板の温度は室温と略同等であり、ＳＰＭの供給により基板の温度は昇温する。
特開２００９－２７２５４８号公報
しかしながら、基板の周囲の雰囲気の温度はＳＰＭの温度より低いため、ＳＰＭの供給によって基板の温度を昇温させる構成では、基板の温度の昇温に時間がかかり、処理時間が長くなる。処理期間が長くなると、ＳＰＭの消費量が増大する。したがって、硫酸の消費量が増大する。
本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、硫酸の消費量の低減を図ることができる基板処理装置、及び基板処理方法を提供することにある。
本発明の一局面によれば、基板処理装置は、チャンバーと、基板保持部と、処理空間形成部と、基板回転部と、処理液供給部と、過熱水蒸気吹出部とを備える。前記チャンバーは、基板を収容する。前記基板保持部は、前記チャンバー内で前記基板を保持する。前記処理空間形成部は、対向部材を含む。前記対向部材は、前記基板保持部に保持された前記基板と対向する。前記処理空間形成部は、前記基板の処理が行われる処理空間を形成する。前記基板回転部は、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる。前記処理液供給部は、前記基板回転部により回転される前記基板に、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を供給する。前記過熱水蒸気吹出部は、前記処理空間内に過熱水蒸気を吹き出す。
ある実施形態において、前記過熱水蒸気吹出部は、前記基板よりも上方に配置される第１過熱水蒸気吹出部を含む。
ある実施形態において、前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記対向部材に支持される。
ある実施形態において、前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記処理液供給部に含まれる。
ある実施形態において、前記処理空間形成部は、液受け部を更に含む。前記液受け部は、前記基板回転部により回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める。前記過熱水蒸気吹出部は、前記液受け部に支持される第２過熱水蒸気吹出部を含む。
ある実施形態において、上記の基板処理装置は、制御部を更に備える。前記制御部は、前記第１混合液の供給と、前記過熱水蒸気の吹き出しとを制御する。前記制御部は、前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
ある実施形態において、前記制御部は、前記基板回転部による前記基板の回転を更に制御する。前記制御部は、前記第１混合液の供給時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させる。前記制御部は、前記第１混合液の供給を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成する。前記制御部は、前記パドル状態の形成時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に前記基板に供給する。前記制御部は、前記過酸化水素水の供給を更に制御する。前記制御部は、前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。
ある実施形態において、前記処理液供給部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に前記基板に供給する。前記制御部は、前記過酸化水素水の供給を更に制御する。前記制御部は、前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させる。前記制御部は、前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。
ある実施形態において、前記処理液供給部は、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液と、前記第１混合液とを排他的に前記基板に供給する。前記制御部は、前記第２混合液の供給を更に制御する。前記制御部は、前記第２混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板保持部により、チャンバー内で基板を保持する工程と、前記基板保持部に保持された前記基板と対向する対向部材を含む処理空間形成部により、前記基板の処理が行われる処理空間を形成する工程と、前記処理空間に過熱水蒸気を吹き出す工程とを含む。
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる工程と、回転中の前記基板に、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を供給する工程とを更に含む。前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記第１混合液の供給時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させる工程と、前記第１混合液の供給を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成する工程とを更に含む。前記パドル状態の形成時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、回転中の前記基板に過酸化水素水を供給する工程を更に含む。前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、回転中の前記基板に過酸化水素水を供給する工程を更に含む。前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させる。前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。
ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる工程と、回転中の前記基板に、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を供給する工程とを更に含む。前記第２混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
本発明に係る基板処理装置、及び基板処理方法によれば、硫酸の消費量の低減を図ることができる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の模式図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す他の断面図である。 （ａ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれるノズルを下から視た下面図である。（ｂ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる流体供給部の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる第１吹出部及び過熱水蒸気供給部の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る基板処理方法に含まれる基板処理及び過熱水蒸気処理を示すフローチャートである。 事前加熱時の基板処理部を模式的に示す図である。 ＳＰＭ処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 パドル処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 過酸化水素水により基板を処理する際の基板処理部を模式的に示す図である。 リンス処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 ＳＣ１により基板を処理する際の基板処理部を模式的に示す図である。 乾燥処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 （ａ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の第１変形例に含まれるノズルを下から視た下面図である。（ｂ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の第１変形例に含まれる流体供給部の構成を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の第２変形例に含まれるノズルを下から視た下面図である。（ｂ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の第２変形例に含まれる流体供給部の構成を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の第３変形例に含まれるノズルを下から視た下面図である。（ｂ）は、本発明の実施形態に係る基板処理装置の第３変形例に含まれる流体供給部の構成を示す図である。
以下、図面（図１～図１８）を参照して本発明の基板処理装置、及び基板処理方法に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
本発明に係る基板処理装置、及び基板処理方法において、基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置、及び基板処理方法は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置、及び基板処理方法は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、処理液により基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。
図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２と、流体キャビネット１０Ａと、複数の流体ボックス１０Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。本実施形態では、未処理の基板Ｗ（処理前の基板Ｗ）の各々に、不要になったレジストのマスク（レジスト膜）が付着している。
インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
複数の基板処理部２は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２（図１では３つの基板処理部２）を含む。
流体キャビネット１０Ａは、流体を収容する。流体は、不活性ガス及び処理液を含む。流体ボックス１０Ｂはそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１０Ａ内の不活性ガス及び処理液は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部２に供給される。
不活性ガスは、例えば、窒素ガスである。処理液は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）、及びリンス液を含む。本実施形態において、リンス液は、純水である。純水は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ）である。なお、リンス液は、例えば、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）であってもよい。リンス液が純水でない場合、流体キャビネット１０Ａ内の流体は、純水を更に含む。
基板処理部２の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。具体的には、基板処理部２は、硫酸過酸化水素混合液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ Ａｃｉｄ Ｈｙｄｒｏｇｅｎ Ｐｅｒｏｘｉｄｅ Ｍｉｘｔｕｒｅ）、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、ＳＣ１、リンス液の順に基板Ｗに供給する。硫酸過酸化水素混合液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液である。ＳＣ１は、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された混合液である。
基板Ｗの上面にＳＰＭが供給されると、基板Ｗの上面からレジスト膜（有機物）が剥離されて、基板Ｗの上面からレジスト膜が除去される。基板Ｗの上面にＳＣ１が供給されると、基板Ｗの上面に付着しているパーティクルが除去される。より具体的には、ＳＣ１に含まれる過酸化水素水により基板Ｗの本体表面のシリコンが酸化し、シリコン酸化物がアンモニアによりエッチングされて、リフトオフにより各種パーティクルが除去される。したがって、ＳＣ１により、レジスト膜の残渣物、及び非溶解性のパーティクルが剥離除去される。
制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。
制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、例えば、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。具体的には、プロセスレシピは、基板処理に含まる一連の処理の実行順序、各処理の内容、及び各処理の条件（パラメータの設定値）を規定する。
記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでもよい。
続いて、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す他の断面図である。
図２に示すように、基板処理部２は、チャンバー２０１と、排気ダクト２０２と、スピンチャック３と、スピンモータ部４と、基板加熱部５と、流体供給部６００に含まれるノズル６と、吹出部８と、移動機構２０と、処理空間形成部７０とを備える。流体供給部６００は、処理液供給部の一例である。
チャンバー２０１は、略箱形状を有する。チャンバー２０１は、基板Ｗと、排気ダクト２０２の一部と、スピンチャック３と、スピンモータ部４と、基板加熱部５の一部と、ノズル６と、吹出部８と、移動機構２０と、処理空間形成部７０とを収容する。
スピンチャック３は、チャンバー２０１内で基板Ｗを保持する。スピンチャック３は、基板保持部の一例である。より具体的には、スピンチャック３は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。図２に示すように、スピンチャック３は、複数のチャック部材３１と、スピンベース３２とを有してもよい。
スピンベース３２は、略円盤状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材３１を支持する。複数のチャック部材３１は、スピンベース３２の周縁部に配置される。複数のチャック部材３１は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材３１により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材３１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
スピンモータ部４は、スピンチャック３に保持された基板Ｗを回転させる。スピンモータ部４は、基板回転部の一例である。より具体的には、スピンモータ部４は、鉛直方向に延びる回転軸線ＡＸを中心として、基板Ｗとスピンチャック３とを一体に回転させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部４による基板Ｗの回転を制御する。
詳しくは、回転軸線ＡＸは、スピンベース３２の中心を通る。複数のチャック部材３１は、基板Ｗの中心がスピンベース３２の中心と一致するように配置されている。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
図２に示すように、スピンモータ部４は、シャフト４１と、モータ本体４２とを有してもよい。シャフト４１はスピンベース３２に結合される。モータ本体４２は、シャフト４１を回転させる。その結果、スピンベース３２が回転する。モータ本体４２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
処理空間形成部７０は、遮断部材７２を含む。遮断部材７２は、スピンチャック３に保持された基板Ｗと対向する。遮断部材７２は、対向部材の一例である。より具体的には、遮断部材７２は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの上方に位置する。処理空間形成部７０は、基板Ｗの処理（基板処理）が行われる処理空間を形成する。処理空間は、処理空間の外部の雰囲気から略遮断された空間である。つまり、処理空間は、チャンバー２０１の内部に形成される局所空間である。処理空間は、チャンバー２０１内部の雰囲気から略遮断される。
詳しくは、遮断部材７２は、天蓋部７２１と、側壁部７２２とを有する。天蓋部７２１は、略円盤状の部材である。天蓋部７２１の下面は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの上面に対向する。つまり、天蓋部７２１の下面は、スピンチャック３に対向する。側壁部７２２は、略円筒状の部材である。側壁部７２２は、天蓋部７２１の外周部から下方に突出する。
より具体的には、天蓋部７２１は、略水平面に沿って拡がる。天蓋部７２１の直径は、例えば、基板Ｗの直径より大きい。天蓋部７２１の直径は、スピンベース３２の直径より大きくてもよい。天蓋部７２１の中心は、回転軸線ＡＸ上に位置してもよい。つまり、天蓋部７２１は、回転軸線ＡＸを中心とする略円盤状の部材であってもよい。同様に、側壁部７２２は、回転軸線ＡＸを中心とする略円筒状の部材であってもよい。
また、遮断部材７２は、貫通穴７２ａを有する。貫通穴７２ａは、天蓋部７２１を貫通する。貫通穴７２ａの一端は、天蓋部７２１の下面に位置する。したがって、貫通穴７２ａの一端は、スピンチャック３に保持された基板Ｗに対向する。つまり、貫通穴７２ａの一端は、スピンチャック３に対向する。
ノズル６は、基板処理の際に、不活性ガスを吐出する。また、ノズル６は、スピンモータ部４により回転される基板Ｗに処理液を供給する。より具体的には、ノズル６は、処理空間内に位置する基板Ｗに向けて処理液を吐出する。本実施形態において、ノズル６は、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、ＳＣ１、リンス液の順に基板Ｗに供給する。つまり、ノズル６は、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を排他的に基板Ｗに供給する。
また、ノズル６は、遮断部材７２の貫通穴７２ａに収容される。ノズル６の先端は、貫通穴７２ａの一端から露出する。ノズル６の先端から不活性ガス及び処理液が吐出される。ノズル６の先端は、貫通穴７２ａ内に位置してもよいし、貫通穴７２ａの外に位置してもよい。つまり、ノズル６の先端部は貫通穴７２ａからスピンチャック３に向かって突出してもよい。
より具体的には、貫通穴７２ａ及びノズル６は、略鉛直方向に延びる。貫通穴７２ａの一端は、貫通穴７２ａの下端であり、ノズル６の先端は、ノズル６の下端である。貫通穴７２ａは、例えば、平面視において略円形である。貫通穴７２ａの直径は、基板Ｗの直径に比べて十分に小さい。貫通穴７２ａは、例えば、回転軸線ＡＸ上に配置される。この場合、ノズル６は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの中央部に対向する。したがって、ノズル６から基板Ｗの中央部に向けて処理液が吐出される。
移動機構２０は、遮断部材７２を上下方向に移動させる。具体的には、移動機構２０は、保持部２１と、アーム部２２と、アーム基台２３と、昇降部２４とを備える。
アーム基台２３は鉛直方向に延びる。アーム部２２の基端部はアーム基台２３に結合している。アーム部２２は、アーム基台２３から水平方向に延びる。保持部２１は、アーム部２２の先端に結合している。保持部２１は、遮断部材７２を保持する。より具体的には、保持部２１は、天蓋部７２１が略水平な姿勢となるように遮断部材７２を保持する。
昇降部２４は、鉛直方向にアーム基台２３を昇降させる。この結果、遮断部材７２が上下方向に移動する。より具体的には、昇降部２４は、遮断位置と退避位置との間で遮断部材７２を昇降させる。図２は、遮断位置に位置する遮断部材７２を示す。図３は、退避位置に位置する遮断部材７２を示す。図２及び図３に示すように、処理位置は、退避位置の下方の位置である。つまり、処理位置は、退避位置と比べて、スピンチャック３に保持された基板Ｗに近い位置である。
昇降部２４の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。昇降部２４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、図１を参照して説明したセンターロボットＣＲとスピンチャック３との間で基板Ｗの受け渡しが行われる際に、遮断部材７２を処置位置から退避位置へ移動させる。つまり、チャンバー２０１内に基板Ｗが搬入される際に、遮断部材７２は退避位置に退避する。また、チャンバー２０１から基板Ｗが搬出される際に、遮断部材７２は退避位置に退避する。遮断位置は、遮断部材７２とスピンチャック３との間の隙間へのセンターロボットＣＲのハンドの進入が可能となる位置である。
制御装置１０１（制御部１０２）は、処理空間内で基板Ｗを処理する際に、遮断部材７２を退避位置から処理位置へ移動させる。遮断部材７２が処理位置へ移動することにより、処理空間が形成される。
本実施形態において、処理空間形成部７０は、液受け部７１を更に含む。液受け部７１は、スピンモータ部４により回転される基板Ｗから排出される処理液を受け止める。図２に示すように、液受け部７１は、ガード７１１と、ガード昇降部７１４とを有してもよい。
ガード７１１は、略円筒状であり、スピンチャック３に保持されている基板Ｗの周囲を取り囲む。ガード７１１は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。より具体的には、ガード７１１は、回転する基板Ｗから飛散する処理液を受け止める。
図２に示すように、ガード７１１は、筒状の案内部７１２と、筒状の傾斜部７１３とを含んでもよい。傾斜部７１３は、回転軸線ＡＸに向かって斜め上に延びる。案内部７１２は、傾斜部７１３の下端部から下方に延びる。傾斜部７１３は、円環状の上端７１ａを含む。傾斜部７１３の上端７１ａは、遮断部材７２よりも大きい内径を有する。傾斜部７１３の上端７１ａは、ガード７１１の上端に相当する。以下、傾斜部７１３の上端７１ａを、「ガード７１１の上端７１ａ」と記載する場合がある。
ガード昇降部７１４は、図２において二点鎖線で示す第１下位置と、図２において実線で示す第１上位置との間でガード７１１を昇降させる。ここで、第１下位置は、ガード７１１の上端７１ａが基板Ｗよりも下方に配置される位置を示す。第１上位置は、ガード７１１の上端７１ａが基板Ｗよりも上方に配置される位置を示す。
ガード昇降部７１４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。ガード昇降部７１４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗがスピンチャック３によって保持された後に、ガード７１１を第１下位置から第１上位置へ移動させる。ガード７１１が第１上位置に移動することで、基板Ｗから飛散する処理液をガード７１１によって受け止めることができる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗがチャンバー２０１から搬出される際に、ガード７１１を第１上位置から第１下位置へ移動させる。ガード７１１が第１下位置に移動することで、図１を参照して説明したセンターロボットＣＲとスピンチャック３との間での基板Ｗの受け渡しが可能となる。
本実施形態では、ガード７１１が第１上位置に移動し、遮断部材７２が処理位置に移動することにより、チャンバー２０１の内部に処理空間が形成される。詳しくは、第１上位置に配置されたガード７１１の上端７１ａは、処理位置に配置された遮断部材７２の側壁部７２２を取り囲む。この結果、チャンバー２０１内部の雰囲気から略遮断された局所空間（処理空間）が形成される。
既に説明したように、ノズル６は、基板Ｗを処理する際に不活性ガスを吐出する。不活性ガスは、処理空間に供給される。処理空間は、処理空間の外部の雰囲気から略遮断されるため、不活性ガスは処理空間内に充満する。詳しくは、不活性ガスは、処理空間が形成されている間、処理空間に常時供給される。
なお、本実施形態では、保持部２１が遮断部材７２を回転自在に保持する。遮断部材７２は、処理位置に移動すると、スピンチャック３に係合する。遮断部材７２は、スピンチャック３が回転すると、スピンチャック３と共に回転する。
排気ダクト２０２は、チャンバー２０１内の気体をチャンバー２０１の外に排出する。具体的には、排気ダクト２０２内の気体は、基板処理装置１００が設置される工場に設けられた排気設備（図示せず）によって常時吸引される。
排気ダクト２０２の上流端は、スピンベース３２よりも下方において、処理空間形成部７０により形成される処理空間に連通する。したがって、基板処理時に、処理空間内の不活性ガスが、排気ダクト２０２を通じて伝達される排気設備の吸引力によって、排気ダクト２０２の上流端に吸い寄せられる。その結果、処理空間内の不活性ガスは、排気ダクト２０２を通じてチャンバー２０１の外に排出される。
更に、処理空間内の薬液雰囲気が、不活性ガスと共に、排気ダクト２０２を通じてチャンバー２０１の外に排出される。薬液雰囲気は、ノズル６から薬液が吐出される際に、ノズル６の先端から発生する。また、薬液が基板Ｗの上面に衝突することにより、基板Ｗの上面から薬液雰囲気が発生する。スピンチャック３や液受け部７１等の基板Ｗの周辺の部材に薬液が衝突したときにも、薬液雰囲気が発生する。特に、１００℃以上のＳＰＭがノズル６から吐出される場合には、ＳＰＭに含まれる水の蒸発により、ＳＰＭの液滴やミストがノズル６から噴出する。ＳＰＭとレジスト膜との反応により基板Ｗからヒューム（煙のような気体）が発生する場合もある。
基板加熱部５は、スピンチャック３に保持された基板Ｗを加熱する。例えば、図２に示すように、基板加熱部５は、加熱部材５１と、昇降軸５２と、給電部５３と、ヒータ昇降部５４とを有してもよい。
加熱部材５１は、略円盤状であり、チャック部材３１に保持された基板Ｗとスピンベース３２との間に位置する。加熱部材５１には、ヒータが埋め込まれている。ヒータは、例えば、抵抗体を含む。給電部５３は、加熱部材５１に埋め込まれたヒータに通電して、加熱部材５１を加熱させる。給電部５３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
昇降軸５２は略棒状の部材であり、略鉛直方向に延びる。昇降軸５２は、加熱部材５１に結合する。ヒータ昇降部５４は、昇降軸５２を昇降させることにより、加熱部材５１を昇降させる。具体的には、ヒータ昇降部５４は、チャック部材３１に保持された基板Ｗの下面とスピンベース３２の上面との間で加熱部材５１を昇降させる。ヒータ昇降部５４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。ヒータ昇降部５４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
吹出部８は、処理空間内に過熱水蒸気を吹き出す。過熱水蒸気は、処理空間内に充満する。吹出部８は、過熱水蒸気吹出部の一例である。なお、過熱水蒸気は、水蒸気を加熱することにより生成される。したがって、過熱水蒸気は、水蒸気の温度より高温である。具体的には、水蒸気の発生時の温度は１００℃であり、過熱水蒸気の生成時の温度は１００℃より高温である。
本実施形態では、吹出部８は、第１吹出部８１と、第２吹出部８２とを含む。第１吹出部８１は、スピンチャック３に保持された基板Ｗよりも上方に配置される。第１吹出部８１は、第１過熱水蒸気吹出部の一例である。本実施形態では、第１吹出部８１は、遮断部材７２の内壁面に支持される。第２吹出部８２は、液受け部７１に支持される。具体的には、第２吹出部８２は、ガード７１１の内壁面に支持される。第２吹出部８２は、第２過熱水蒸気吹出部の一例である。例えば、第１吹出部８１は、ブラケットを介して遮断部材７２に固定されてもよい。同様に、第２吹出部８２は、ブラケットを介してガード７１１に固定されてもよい。
吹出部８からの過熱水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＰＭが供給されている際に、吹出部８から過熱水蒸気を吹き出させる。以下、ＳＰＭによる基板処理を、「ＳＰＭ処理」と記載する場合がある。
本実施形態によれば、ＳＰＭ処理時に、処理空間内に過熱水蒸気を充満させることができる。したがって、ＳＰＭの温度のみによって基板Ｗの温度を昇温させる構成と比べて、基板Ｗの温度の昇温に必要な時間を短縮することができる。その結果、処理時間を短くして、ＳＰＭの消費量の低減を図ることができる。よって、硫酸の消費量の低減を図ることができる。
また、ＳＰＭ処理の際には、基板Ｗの上面においてＳＰＭが流れる。具体的には、基板Ｗの上面に吐出されたＳＰＭが基板Ｗの中央部から周縁部へ流れて、基板Ｗから排出される。そのため、基板Ｗの上面は熱を与え難い。これに対し、本実施形態によれば、処理空間内に過熱水蒸気が充満するため、基板Ｗの下面から基板Ｗに熱を与えることができる。よって、基板Ｗの温度を効率的に昇温させることができる。
また、基板Ｗの周囲に配置される部材の温度が低い場合、基板Ｗの周囲に配置される部材の温度に起因して基板Ｗの温度が昇温し難くなる。これに対し、本実施形態によれば、処理空間内に過熱水蒸気が充満するため、スピンチャック３、液受け部７１、及び遮断部材７２等の基板Ｗの周囲に配置される部材の温度を過熱水蒸気により昇温させることができる。したがって、基板Ｗの温度の昇温に必要な時間を短縮することができる。
また、過熱水蒸気には若干の水分が含まれる。したがって、過熱水蒸気に含まれる水分がＳＰＭに接触して、ＳＰＭと水分とが反応する際に発生する熱により、基板Ｗの温度を昇温させることができる。
また、過熱水蒸気を供給することにより、処理空間の湿度が高くなる。その結果、基板Ｗの上面においてＳＰＭが拡がり易くなり、基板Ｗを効率よく処理することが可能となる。
また、基板処理時に処理空間内で発生した薬液雰囲気の殆どは、不活性ガスと共に、排気ダクト２０２を通じてチャンバー２０１の外に排出されるが、一部の薬液雰囲気が処理空間内で拡散して、基板Ｗの周囲の部材に付着する場合がある。この場合、基板Ｗが汚染されるおそれがある。これに対し、本実施形態によれば、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。したがって、薬液雰囲気に起因する基板Ｗの汚染を低減させることができる。
具体的には、過熱水蒸気は、排気ダクト２０２を通じて伝達される排気設備の吸引力によって、不活性ガスと共に、排気ダクト２０２の上流端に吸い寄せられる。その際、過熱水蒸気に含まれる液滴が、処理空間を漂う薬液成分に衝突する。この結果、薬液成分に排気ダクト２０２の上流端へ向かう加速度が与えられて、薬液雰囲気が、排気ダクト２０２を通じてチャンバー２０１の外に効率的に排出される。
特に、本実施形態では、第１吹出部８１が基板Ｗの上方に配置される。よって、基板Ｗから発生する薬液成分が基板Ｗの周囲の部材に付着する前に、基板Ｗから発生する薬液成分に過熱水蒸気の液滴が衝突し易い。よって、薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
また、本実施形態では、第１吹出部８１が遮断部材７２に支持される。よって、ノズル６から発生する薬液成分が基板Ｗの周囲の部材に付着する前に、ノズル６から発生する薬液成分に過熱水蒸気の液滴が衝突し易い。よって、薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
第１吹出部８１について更に説明する。本実施形態では、第１吹出部８１は、平面視において、スピンチャック３に保持された基板Ｗの外側に位置する。したがって、第１吹出部８１から水滴のぼた落ちが発生しても、その水滴は基板Ｗに落下し難い。
また、本実施形態では、第１吹出部８１は、側壁部７２２の内周面に支持される。したがって、ノズル６から比較的遠い位置に第１吹出部８１が配置される。よって、ノズル６から吐出されるＳＰＭに過熱水蒸気が引き寄せられ難い。その結果、過熱水蒸気が処理空間内で偏在し難くなるため、過熱水蒸気によって、基板Ｗや、基板Ｗの周囲に配置されている部材を効率よく昇温させることができる。
続いて、第２吹出部８２について更に説明する。本実施形態では、第２吹出部８２は、基板Ｗよりも下方に配置される。例えば、第２吹出部８２は、案内部７１２の内周面に支持される。基板Ｗよりも下方に第２吹出部８２を配置することにより、第２吹出部８２から基板Ｗの下面に向けて過熱水蒸気を効率よく供給することができる。したがって、基板Ｗの下面から効率よく基板Ｗの温度を昇温させることができる。
なお、本実施形態では、基板処理装置１００は、２つの吹出部８（第１吹出部８１及び第２吹出部８２）を備えるが、吹出部８の数は１つであってもよいし、３つ以上であってもよい。例えば、吹出部８は、第１吹出部８１と、第２吹出部８２とのうちの一方のみを含んでもよい。また、基板処理装置１００は、遮断部材７２に支持される２つ以上の吹出部８を備えてもよいし、液受け部７１に支持される２つ以上の吹出部８を備えてもよい。
続いて、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれるノズル６を下から視た下面図である。図４（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる流体供給部６００の構成を示す図である。
図４（ａ）に示すように、ノズル６は、第１吐出口６１～第４吐出口６４を有する。第１吐出口６１～第４吐出口６４は、ノズル６の下面（先端）に開口している。なお、第４吐出口６４は、円環状である。第４吐出口６４は、ノズル６の下面（先端）においてノズル６の外周部に沿って延びる。第１吐出口６１から、ＳＰＭと過酸化水素水とが排他的に吐出される。第２吐出口６２からＳＣ１が吐出される。第３吐出口６３からリンス液が吐出される。第４吐出口６４から不活性ガスが吐出される。なお、本実施形態において、不活性ガスは、窒素ガスである。
図４（ｂ）に示すように、流体供給部６００は、ノズル６に加えて、第１薬液供給部６１０と、第２薬液供給部６２０と、リンス液供給部６３０と、ガス供給部６４０とを更に含む。
ノズル６からのＳＰＭの吐出と、ノズル６からの過酸化水素水の吐出とは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１薬液供給部６１０を制御することにより、ノズル６からのＳＰＭの吐出と、ノズル６からの過酸化水素水の吐出とを制御する。
第１薬液供給部６１０は、ＳＰＭと過酸化水素水とを排他的にノズル６へ供給する。第１薬液供給部６１０からノズル６へ供給されたＳＰＭは、図４（ａ）を参照して説明した第１吐出口６１から吐出される。同様に、第１薬液供給部６１０からノズル６へ供給された過酸化水素水は、図４（ａ）を参照して説明した第１吐出口６１から吐出される。
具体的には、第１薬液供給部６１０は、第１薬液供給配管６１１と、第１成分開閉バルブ６１３と、第２成分開閉バルブ６１５と、ヒータ６１７とを有してもよい。第１薬液供給配管６１１の一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。第１成分開閉バルブ６１３、第２成分開閉バルブ６１５、及びヒータ６１７は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
第１薬液供給配管６１１は、ノズル６にＳＰＭと過酸化水素水とを排他的に供給する。具体的には、第１薬液供給配管６１１は、管状の部材であり、ＳＰＭ及び過酸化水素水をノズル６まで流通させる。
詳しくは、第１薬液供給配管６１１は、第１配管６１１ａと、第２配管６１１ｂとを含む。第１配管６１１ａの一端は、ノズル６に接続する。第２配管６１１ｂの一端は、第１配管６１１ａに接続する。第１配管６１１ａには、硫酸が流入する。第２配管６１１ｂには過酸化水素水が流入する。
ヒータ６１７は、第１配管６１１ａに介装される。例えば、ヒータ６１７は、第１成分開閉バルブ６１３よりも上流側において、第１配管６１１ａに介装される。ヒータ６１７は、第１配管６１１ａを流通する硫酸を加熱する。
第１成分開閉バルブ６１３は、第１配管６１１ａに介装される。具体的には、第１成分開閉バルブ６１３は、第１配管６１１ａと第２配管６１１ｂとの接続箇所ＣＰよりも上流側に配置される。第２成分開閉バルブ６１５は、第２配管６１１ｂに介装される。
第１成分開閉バルブ６１３及び第２成分開閉バルブ６１５は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１成分開閉バルブ６１３及び第２成分開閉バルブ６１５の開閉動作を制御する。第１成分開閉バルブ６１３及び第２成分開閉バルブ６１５のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＰＭを供給する際に、第１成分開閉バルブ６１３及び第２成分開閉バルブ６１５を開状態にする。第１成分開閉バルブ６１３及び第２成分開閉バルブ６１５を開状態にすると、硫酸がノズル６に向かって第１配管６１１ａを流通し、過酸化水素水が接続箇所ＣＰに向かって第２配管６１１ｂを流通する。この結果、接続箇所ＣＰにおいて硫酸と過酸化水素水とが混合されて、ＳＰＭが生成される。ＳＰＭは、ノズル６に向かって第１配管６１１ａを流通し、ノズル６から基板Ｗに向けてＳＰＭが吐出される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗに過酸化水素水を供給する際に、第１成分開閉バルブ６１３を閉状態にし、第２成分開閉バルブ６１５を開状態にする。第１成分開閉バルブ６１３を閉状態にし、第２成分開閉バルブ６１５を開状態にすると、第１配管６１１ａを介した硫酸の流通が停止し、過酸化水素水が接続箇所ＣＰに向かって第２配管６１１ｂを流通する。この結果、第１配管６１１ａに流入した過酸化水素水が、ノズル６に向かって第１配管６１１ａを流通し、ノズル６から基板Ｗに向けて過酸化水素水が吐出される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル６からのＳＰＭ及び過酸化水素水の吐出を停止させる際に、第１成分開閉バルブ６１３及び第２成分開閉バルブ６１５を閉状態にする。第１成分開閉バルブ６１３及び第２成分開閉バルブ６１５を閉状態にすると、第１配管６１１ａを介した硫酸の流通が停止し、第２配管６１１ｂを介した過酸化水素水の流通が停止する。
ノズル６からのＳＣ１の吐出は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２薬液供給部６２０を制御することにより、ノズル６からのＳＣ１の吐出を制御する。
第２薬液供給部６２０は、ＳＣ１をノズル６へ供給する。第２薬液供給部６２０からノズル６へ供給されたＳＣ１は、図４（ａ）を参照して説明した第２吐出口６２から吐出される。
具体的には、第２薬液供給部６２０は、第２薬液供給配管６２１と、薬液開閉バルブ６２３とを有してもよい。第２薬液供給配管６２１の一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。薬液開閉バルブ６２３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
第２薬液供給配管６２１は、ノズル６にＳＣ１を供給する。具体的には、第２薬液供給配管６２１は、管状の部材であり、ＳＣ１をノズル６まで流通させる。
薬液開閉バルブ６２３は、第２薬液供給配管６２１に介装される。薬液開閉バルブ６２３は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、薬液開閉バルブ６２３の開閉動作を制御する。薬液開閉バルブ６２３は、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＣ１を供給する際に、薬液開閉バルブ６２３を開状態にする。薬液開閉バルブ６２３を開状態にすると、ＳＣ１がノズル６に向かって第２薬液供給配管６２１を流通する。この結果、ノズル６から基板Ｗに向けてＳＣ１が吐出される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル６からのＳＣ１の吐出を停止させる際に、薬液開閉バルブ６２３を閉状態にする。薬液開閉バルブ６２３を閉状態にすると、第２薬液供給配管６２１を介したＳＣ１の流通が停止する。
ノズル６からのリンス液の吐出は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液供給部６３０を制御することにより、ノズル６からのリンス液の吐出を制御する。
リンス液供給部６３０は、リンス液をノズル６へ供給する。リンス液供給部６３０からノズル６へ供給されたリンス液は、図４（ａ）を参照して説明した第３吐出口６３から吐出される。
具体的には、リンス液供給部６３０は、リンス液供給配管６３１と、リンス液開閉バルブ６３３とを有してもよい。リンス液供給配管６３１の一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。リンス液開閉バルブ６３３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
リンス液供給配管６３１は、ノズル６にリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給配管６３１は、管状の部材であり、リンス液をノズル６まで流通させる。
リンス液開閉バルブ６３３は、リンス液供給配管６３１に介装される。リンス液開閉バルブ６３３は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液開閉バルブ６３３の開閉動作を制御する。リンス液開閉バルブ６３３は、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗにリンス液を供給する際に、リンス液開閉バルブ６３３を開状態にする。リンス液開閉バルブ６３３を開状態にすると、リンス液がノズル６に向かってリンス液供給配管６３１を流通する。この結果、ノズル６から基板Ｗに向けてリンス液が吐出される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、ノズル６からのリンス液の吐出を停止させる際に、リンス液開閉バルブ６３３を閉状態にする。リンス液開閉バルブ６３３を閉状態にすると、リンス液供給配管６３１を介したリンス液の流通が停止する。
ノズル６からの窒素ガスの吐出は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、ガス供給部６４０を制御することにより、ノズル６からの窒素ガスの吐出を制御する。
ガス供給部６４０は、窒素ガスをノズル６へ供給する。ガス供給部６４０からノズル６へ供給された窒素ガスは、図４（ａ）を参照して説明した第４吐出口６４から吐出される。
具体的には、ガス供給部６４０は、ガス供給配管６４１と、ガス開閉バルブ６４３とを有してもよい。ガス供給配管６４１の一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。ガス開閉バルブ６４３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
ガス供給配管６４１は、ノズル６に窒素ガスを供給する。具体的には、ガス供給配管６４１は、管状の部材であり、窒素ガスをノズル６まで流通させる。
ガス開閉バルブ６４３は、ガス供給配管６４１に介装される。ガス開閉バルブ６４３は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、ガス開閉バルブ６４３の開閉動作を制御する。ガス開閉バルブ６４３は、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
制御装置１０１（制御部１０２）は、図２を参照して説明した遮断部材７２が処理位置に移動すると、ガス開閉バルブ６４３を開状態にする。換言すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、図２を参照して説明した処理空間形成部７０によって処理空間が形成されると、ガス開閉バルブ６４３を開状態にする。ガス開閉バルブ６４３を開状態にすると、窒素ガスがノズル６に向かってガス供給配管６４１を流通して、ノズル６から窒素ガスが吐出される。この結果、ノズル６から処理空間に窒素ガスが供給される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、図２を参照して説明した遮断部材７２が退避位置に移動すると、ガス開閉バルブ６４３を閉状態にする。ガス開閉バルブ６４３を閉状態にすると、ガス供給配管６４１を介した窒素ガスの流通が停止して、ノズル６からの窒素ガスの吐出が停止する。
なお、図４（ａ）及び図４（ｂ）を参照して説明した流体供給部６００では、ノズル６の第１吐出口６１から、ＳＰＭと過酸化水素水とが排他的に吐出されたが、ノズル６は、ＳＰＭを吐出する吐出口と、過酸化水素水を吐出する吐出口とを個別に有してもよい。この場合、流体供給部６００は、ＳＰＭをノズル６へ供給する薬液供給ラインと、過酸化水素水をノズル６へ供給する薬液供給ラインとを個別に備える。
続いて、図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第１吹出部８１及び過熱水蒸気供給部８００の構成を示す図である。
図５に示すように、第１吹出部８１は円環状であり、図２を参照して説明した遮断部材７２の側壁部７２２の内周面に沿って延びる。第１吹出部８１は、管状の部材であり、過熱水蒸気は第１吹出部８１の内部を流通する。第１吹出部８１の内周側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、第１吹出部８１を流通する過熱水蒸気は、第１吹出部８１の吹出口から吹き出して、処理空間に供給される。なお、図５は、４つの吹出口を有する第１吹出部８１を例示している。図５の矢印は、第１吹出部８１から吹き出る過熱水蒸気を示す。
なお、図２を参照して説明した第２吹出部８２の構成も第１吹出部８１と同様である。具体的には、第２吹出部８２は円環状であり、図２を参照して説明したガード７１１の内周面に沿って延びる。第２吹出部８２は、管状の部材であり、過熱水蒸気は第２吹出部８２の内部を流通する。第２吹出部８２の内周側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、第２吹出部８２を流通する過熱水蒸気は、第２吹出部８２の吹出口から吹き出して、処理空間に供給される。
本実施形態によれば、第１吹出部８１が円環状であるため、第１吹出部８１に複数の吹出口を形成することにより、処理空間に偏りなく過熱水蒸気を供給することができる。但し、第１吹出部８１の吹出口の数は１つであってもよい。
同様に、第２吹出部８２が円環状であるため、第２吹出部８２に複数の吹出口を形成することにより、処理空間に偏りなく過熱水蒸気を供給することができる。但し、第２吹出部８２の吹出口の数は１つであってもよい。
また、本実施形態によれば、例えば、円周に沿って配列された複数のノズルにより第１吹出部８１を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。同様に、円周に沿って配列された複数のノズルにより第２吹出部８２を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。但し、第１吹出部８１は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。同様に、第２吹出部８２は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。
続いて、図５及び図６を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００の構成を示す図である。図５に示すように、基板処理装置１００は、過熱水蒸気供給部８００を更に備える。過熱水蒸気供給部８００は、第１吹出部８１に過熱水蒸気を供給する。また、図６に示すように、過熱水蒸気供給部８００は、第２吹出部８２に過熱水蒸気を供給する。
図５に示すように、過熱水蒸気供給部８００は、水蒸気発生部８００Ａと、第１水蒸気配管８１１と、過熱水蒸気バルブ８１２と、流量制御バルブ８１３と、過熱水蒸気生成ヒータ８０３とを有する。図６に示すように、過熱水蒸気供給部８００は、第２水蒸気配管８２１を更に有する。
水蒸気発生部８００Ａは、図１を参照して説明した流体キャビネット１０Ａに収容される。過熱水蒸気バルブ８１２、流量制御バルブ８１３、及び過熱水蒸気生成ヒータ８０３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。第１水蒸気配管８１１の一部、及び第２水蒸気配管８２１の一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。
水蒸気発生部８００Ａは、水蒸気を発生させる。図５に示すように、水蒸気発生部８００Ａから発生した水蒸気は、第１水蒸気配管８１１に流入する。具体的には、水蒸気発生部８００Ａは、貯留部８０１と、水蒸気生成ヒータ８０２とを有する。貯留部８０１は、純水を貯留する。水蒸気生成ヒータ８０２は、貯留部８０１に貯留されている純水を加熱して、水蒸気を発生させる。貯留部８０１には第１水蒸気配管８１１の一端が接続されている。水蒸気生成ヒータ８０２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
第１水蒸気配管８１１の他端は、第１吹出部８１に接続している。第１水蒸気配管８１１には、過熱水蒸気バルブ８１２と、流量制御バルブ８１３と、過熱水蒸気生成ヒータ８０３とが介装されている。
第１水蒸気配管８１１は、水蒸気及び過熱水蒸気が流通する管状の部材である。過熱水蒸気生成ヒータ８０３は、貯留部８０１から第１水蒸気配管８１１に流入した水蒸気を加熱して、過熱水蒸気を生成する。過熱水蒸気は、第１水蒸気配管８１１を流通して、第１吹出部８１に流入する。
第２水蒸気配管８２１は、過熱水蒸気が流通する管状の部材である。図６に示すように、第２水蒸気配管８２１の一端は、過熱水蒸気バルブ８１２よりも下流側において第１水蒸気配管８１１に接続している。したがって、第１水蒸気配管８１１から第２水蒸気配管８２１に過熱水蒸気が流入する。第２水蒸気配管８２１の他端は、第２吹出部８２に接続している。第２水蒸気配管８２１に流入した過熱水蒸気は、第２水蒸気配管８２１を流通して、第２吹出部８２に流入する。
過熱水蒸気バルブ８１２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、過熱水蒸気バルブ８１２の開閉動作を制御する。過熱水蒸気バルブ８１２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。過熱水蒸気バルブ８１２が開くことにより、過熱水蒸気が第１水蒸気配管８１１を介して第１吹出部８１まで流通して、第１吹出部８１に過熱水蒸気が供給される。また、過熱水蒸気バルブ８１２が開くことにより、過熱水蒸気が第２水蒸気配管８２１を介して第２吹出部８２まで流通して、第２吹出部８２に過熱水蒸気が供給される。過熱水蒸気バルブ８１２が閉じることにより、第１吹出部８１及び第２吹出部８２への過熱水蒸気の供給が停止する。
流量制御バルブ８１３は、第１水蒸気配管８１１及び第２水蒸気配管８２１を流通する過熱水蒸気の流量を制御する。具体的には、流量制御バルブ８１３は、開度の制御が可能であり、第１水蒸気配管８１１及び第２水蒸気配管８２１を流通する過熱水蒸気の流量は、流量制御バルブ８１３の開度に応じた大きさになる。流量制御バルブ８１３のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。流量制御バルブ８１３は、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。流量制御バルブ８１３の開度は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
続いて、図１～図７を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。本実施形態の基板処理方法は、例えば、図１～図６を参照して説明した基板処理装置１００により実行される。図７は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。詳しくは、図７は、制御装置１０１（制御部１０２）による処理の流れを示す。
図７に示すように、本実施形態の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ８を含む。図７に示す処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、センターロボットＣＲを制御して、チャンバー２０１内に基板Ｗを搬入させる（ステップＳ１）。制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンチャック３を制御して、センターロボットＣＲが搬入した基板Ｗを保持させる（ステップＳ２）。この結果、スピンチャック３により、チャンバー２０１内で基板Ｗが保持される。
スピンチャック３により基板Ｗが保持されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、移動機構２０を制御して、遮断部材７２を退避位置から処理位置まで下降させる（ステップＳ３）。この結果、遮断部材７２と液受け部７１とによって囲まれる局所空間（処理空間）が形成される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、処理空間が形成されると、基板処理部２を制御して、基板処理を実行させる（ステップＳ４）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理部２を制御して、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、ＳＣ１、リンス液の順に基板Ｗに供給させる。
また、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理空間が形成されると、図４（ｂ）を参照して説明したガス供給部６４０を制御して、処理空間に不活性ガス（窒素ガス）を供給する。より詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理空間形成部７０によって処理空間が形成されている間、ガス供給部６４０による不活性ガス（窒素ガス）の供給を継続させる。よって、処理空間が形成されている間、不活性ガス（窒素ガス）が処理空間に充満する。換言すると、基板処理が行われている間、不活性ガス（窒素ガス）が処理空間に充満する。
更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理と並行して、基板処理部２に過熱水蒸気処理を実行させる（ステップＳ５）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、図５及び図６を参照して説明した過熱水蒸気供給部８００を制御して、吹出部８から処理空間に過熱水蒸気を吹き出させる。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理の際に、吹出部８から過熱水蒸気を吹き出させる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理が終了すると、図４（ｂ）を参照して説明したガス供給部６４０を制御して、処理空間への不活性ガス（窒素ガス）の供給を停止させる。その後、制御装置１０１（制御部１０２）は、移動機構２０を制御して、遮断部材７２を処理位置から退避位置まで上昇させる（ステップＳ６）。
制御装置１０１（制御部１０２）は、遮断部材７２が処理位置から退避位置まで上昇すると、スピンチャック３を制御して、基板Ｗの保持を解除させる（ステップＳ７）。スピンチャック３による基板Ｗの保持が解除されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲを制御して、基板Ｗをチャンバー２０１から搬出させる（ステップＳ８）。この結果、図７に示す処理が終了する。
続いて、図１～図１５を参照して、図７に示す基板処理（ステップＳ４）及び過熱水蒸気処理（ステップＳ５）を説明する。図８は、本実施形態の基板処理方法に含まれる基板処理（ステップＳ４）及び過熱水蒸気処理（ステップＳ５）を示すフローチャートである。図９は、事前加熱時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１０は、ＳＰＭ処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１１は、パドル処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１２は、過酸化水素水により基板Ｗを処理する際の基板処理部２を模式的に示す図である。図１３は、リンス処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１４は、ＳＣ１により基板Ｗを処理する際の基板処理部２を模式的に示す図である。図１５は、乾燥処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。
図８に示すように、基板処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、基板加熱部５を制御して、基板Ｗを加熱させる（ステップＳ４１）。つまり、ＳＰＭ処理の実行前に基板Ｗを昇温させる。事前に基板Ｗを昇温させることにより、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離の効率が向上する。
詳しくは、図９に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、給電部５３を制御して、加熱部材５１に埋め込まれたヒータに通電させる。この結果、加熱部材５１が加熱される。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、ヒータ昇降部５４を制御して、加熱部材５１を第２下位置から第２上位置まで上昇させる。
ここで、第２下位置は、スピンベース３２の上面に加熱部材５１が近接する位置である。第２下位置は、スピンベース３２の上面に加熱部材５１が接触する位置であってもよい。第２上位置は、基板Ｗの下面に加熱部材５１が近接する位置である。加熱部材５１を第２上位置まで上昇させると、加熱部材５１からの輻射熱によって基板Ｗが加熱される。なお、事前加熱時に過熱水蒸気は処理空間に供給されない。
制御装置１０１（制御部１０２）は、予め定められた時間、基板Ｗを事前加熱した後、スピンモータ部４を制御して、スピンチャック３に保持させた基板Ｗの回転を開始させる（図１０参照）。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた回転速度に達すると、図４（ｂ）を参照して説明した第１薬液供給部６１０を制御して、回転中の基板Ｗに向けてノズル６からＳＰＭを吐出させる（ステップＳ４２）。この結果、図１０に示すように、回転中の基板Ｗの上面にＳＰＭが供給されて、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷへのＳＰＭの供給時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜を形成させる。
更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷへのＳＰＭの供給時に、第１過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ５１）。具体的には、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図５及び図６を参照して説明した過熱水蒸気供給部８００を制御して、吹出部８（第１吹出部８１及び第２吹出部８２）から処理空間に過熱水蒸気を吹き出させる。
本実施形態によれば、ＳＰＭ処理時に、処理空間内に過熱水蒸気を充満させることができる。したがって、既に説明したように、基板Ｗの温度の昇温に必要な時間を短縮することができる。その結果、処理時間を短くして、ＳＰＭの消費量の低減を図ることができる。よって、硫酸の消費量の低減を図ることができる。更に、本実施形態によれば、既に説明したように、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
吹出部８からの過熱水蒸気の吹き出しを開始するタイミングは、ＳＰＭの吐出開始前であってもよいし、ＳＰＭの吐出開始タイミングと同じタイミングであってもよい。あるいは、吹出部８からの過熱水蒸気の吹き出しを開始するタイミングは、ＳＰＭの吐出開始後であってもよい。制御装置１０１（制御部１０２）は、吹出部８から過熱水蒸気を連続して吹き出させてもよいし、間欠的に吹き出させてもよい。
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始前にのみ吹出部８から過熱水蒸気を吹き出させてもよいし、ＳＰＭの吐出開始時にのみ吹出部８から過熱水蒸気を吹き出させてもよい。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始から吐出終了までの間に、ＳＰＭの吐出開始から吐出終了までの期間よりも短い期間、吹出部８から過熱水蒸気を吹き出させてもよい。
なお、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始前に、ヒータ昇降部５４を制御して、加熱部材５１を第２上位置から第２下位置まで下降させてもよい。
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、図４（ｂ）を参照して説明した第１薬液供給部６１０を制御して、ＳＰＭの吐出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部４により基板Ｗの回転速度を制御して、ＳＰＭの液膜が基板Ｗの上面に支持されたパドル状態を形成する（ステップＳ４３）。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させて、パドル状態を形成してもよい（図１１参照）。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを低速回転させて、パドル状態を形成してもよい。パドル状態を形成することにより、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成時（パドル処理時）に、第２過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ５２）。具体的には、図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、過熱水蒸気供給部８００を制御して、吹出部８から過熱水蒸気を吹き出させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理からパドル処理にかけて、過熱水蒸気の供給を継続させてもよい。
本実施形態によれば、パドル処理時に、処理空間内に過熱水蒸気を充満させることができる。したがって、パドル処理時に基板Ｗの温度が低下し難い。よって、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。その結果、処理時間を短くして、ＳＰＭの消費量の低減を図ることができる。つまり、硫酸の消費量の低減を図ることができる。更に、本実施形態によれば、既に説明したように、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
また、基板Ｗの上面にはＳＰＭの液膜が形成されているため、基板Ｗの上面側からは、基板Ｗに熱を直接与えることができない。これに対し、本実施形態では、処理空間内に過熱水蒸気を充満させることができるため、基板Ｗの下面側から基板Ｗに熱を直接与えることができる。よって、パドル処理中に基板Ｗの温度が低下し難い。したがって、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。更に、本実施形態によれば、第２吹出部８２から基板Ｗの下面に向けて過熱水蒸気を効率よく供給することができるため、パドル処理中に基板Ｗの温度が低下することを、より抑制することができる。
なお、図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成時に、ヒータ昇降部５４を制御して、加熱部材５１を第２下位置から第２上位置まで上昇させて、加熱部材５１により基板Ｗを加熱させてもよい。
制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成を開始してから予め定められた時間が経過すると、スピンモータ部４を制御して、スピンチャック３に保持させた基板Ｗの回転を開始させる（図１２参照）。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成を開始してから予め定められた時間が経過すると、スピンモータ部４を制御して、基板Ｗの回転速度を増加させる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた回転速度に達すると、図４（ｂ）を参照して説明した第１薬液供給部６１０を制御して、回転中の基板Ｗに向けてノズル６から過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ４４）。この結果、図１２に示すように、回転中の基板Ｗの上面に過酸化水素水が供給されて、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜を形成させる。詳しくは、過酸化水素水の吐出によって、ＳＰＭが基板Ｗの上面から排出されて、ＳＰＭの液膜が過酸化水素水の液膜に置換される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時に、第３過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ５３）。具体的には、図１２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図５及び図６を参照して説明した過熱水蒸気供給部８００を制御して、吹出部８（第１吹出部８１及び第２吹出部８２）から吹き出させる過熱水蒸気の流量を減少させる。
詳しくは、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理時及びパドル処理時に、吹出部８から過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時に、吹出部８から過熱水蒸気を、第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、図５及び図６に示す流量制御バルブ８１３を制御することにより過熱水蒸気の流量を調整する。
なお、図１２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時に、加熱部材５１により基板Ｗを加熱させてもよい。
過酸化水素水は、基板Ｗを酸化させる可能性がある。特に、過酸化水素水の温度が高いほど、基板Ｗは酸化され易い。また、基板Ｗの温度が高いほど、基板Ｗは酸化され易い。これに対し、本実施形態によれば、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時に処理空間へ供給する過熱水蒸気の量を減少させることができる。この結果、過熱水蒸気による過酸化水素水の温度の上昇が抑制されるとともに、基板Ｗの温度が低下し易くなるため、過酸化水素水による基板Ｗの酸化を抑制することができる。
また、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時には、基板Ｗから大量のヒュームが発生する。更に、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時には、ノズル６からヒュームが発生し易い。本実施形態によれば、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時に過熱水蒸気を供給することにより、ヒュームの拡散を抑制することができる。
また、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時には、高温のＳＰＭの液膜が形成されている基板Ｗに向けて、常温の過酸化水素水が吐出される。この結果、基板Ｗの面内に温度勾配が発生して、基板Ｗが振動する。これに対し、本実施形態によれば、基板Ｗへの過酸化水素水の供給時に過熱水蒸気を供給することにより、温度勾配を抑制することができる。したがって、基板Ｗの振動を抑制することができる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、図４（ｂ）を参照して説明した第１薬液供給部６１０を制御して、過酸化水素水の吐出を停止させる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出を停止させた後、スピンチャック３に保持された基板Ｗを回転させた状態で、図４（ｂ）を参照して説明したリンス液供給部６３０を制御して、回転中の基板Ｗに向けてノズル６からリンス液を吐出させる（ステップＳ４５）。この結果、図１３に示すように、回転中の基板Ｗの上面にリンス液が供給されて、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗへのリンス液の供給時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面にリンス液の液膜を形成させる。詳しくは、リンス液の吐出によって、過酸化水素水が基板Ｗの上面から排出されて、過酸化水素水の液膜がリンス液の液膜に置換される。
図１３に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出を停止させた後、基板Ｗへのリンス液の供給を開始する前に、図５及び図６を参照して説明した過熱水蒸気供給部８００を制御して、吹出部８からの過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理空間への過熱水蒸気の供給を停止させる。
本実施形態によれば、基板Ｗへのリンス液の供給を開始する前に、処理空間への過熱水蒸気の供給を停止させるため、処理空間への過熱水蒸気の供給を継続させる場合と比べて、基板Ｗの上面からリンス液が蒸発し難くなる。
なお、図１３に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出開始前に、ヒータ昇降部５４を制御して、加熱部材５１を第２上位置から第２下位置まで下降させてもよい。これにより、基板Ｗの上面からリンス液が蒸発し難くなる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、図４（ｂ）を参照して説明したリンス液供給部６３０を制御して、リンス液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を停止させた後、スピンチャック３に保持された基板Ｗを回転させた状態で、図４（ｂ）を参照して説明した第２薬液供給部６２０を制御して、回転中の基板Ｗに向けてノズル６からＳＣ１を吐出させる（ステップＳ４６）。この結果、図１４に示すように、回転中の基板Ｗの上面にＳＣ１が供給されて、基板Ｗの上面にＳＣ１の液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷへのＳＣ１の供給時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面にＳＣ１の液膜を形成させる。詳しくは、ＳＣ１の吐出によって、リンス液が基板Ｗの上面から排出されて、リンス液の液膜がＳＣ１の液膜に置換される。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷへのＳＣ１の供給時に、第４過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ５４）。具体的には、図１４に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図５及び図６を参照して説明した過熱水蒸気供給部８００を制御して、吹出部８（第１吹出部８１及び第２吹出部８２）から過熱水蒸気を吹き出させる。
本実施形態によれば、基板ＷへのＳＣ１の供給時に処理空間に過熱水蒸気が供給されるため、基板Ｗの上面に供給されたＳＣ１を昇温させることができる。この結果、基板Ｗの本体表面がＳＣ１によって酸化され易い状態となる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＣ１の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、図４（ｂ）を参照して説明した第２薬液供給部６２０を制御して、ＳＣ１の吐出を停止させる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷへのＳＣ１の供給を停止させた後、ステップＳ４５と同様に、回転中の基板Ｗに向けてノズル６からリンス液を吐出させる（ステップＳ４７）。この結果、リンス液の吐出によって、ＳＣ１が基板Ｗの上面から排出されて、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。
また、既に説明したように、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理時に、吹出部８からの過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、処理空間への過熱水蒸気の供給を停止させる。
制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、図４（ｂ）を参照して説明したリンス液供給部６３０を制御して、リンス液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を停止させた後、スピンモータ部４により基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面からリンス液を除去して基板Ｗの上面を乾燥させる乾燥処理を実行する（ステップＳ４８）。この結果、図８に示す処理が終了する。
具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部４を制御して、基板Ｗを高速回転させる。基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗに付着しているリンス液が振り切られる。この結果、基板Ｗが乾燥する。また、図１５に示すように、乾燥処理の際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、吹出部８からの過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。詳しくは、リンス処理（ステップＳ４７）から乾燥処理にかけて、過熱水蒸気の吹き出しの停止を継続させる。
本実施形態によれば、乾燥処理の際に過熱水蒸気が処理空間に供給されないため、過熱水蒸気が供給される場合と比べて、処理空間の湿度を低下させることができる。よって、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
更に、本実施形態によれば、基板ＷへのＳＣ１の供給時（ステップＳ４６）に、処理空間に過熱水蒸気を充満させて、基板Ｗや基板Ｗの周囲の部材の温度を昇温させることができる。その結果、余熱によってリンス液が昇温するため、乾燥処理の際に、リンス液が蒸発し易くなり、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
続いて、図１６（ａ）及び図１６（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の第１変形例を説明する。第１変形例では、ノズル６から処理空間に向けて過熱水蒸気が供給される。
図１６（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００の第１変形例に含まれるノズル６を下から視た下面図である。図１６（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００の第１変形例に含まれる流体供給部６００の構成を示す図である。以下、第１変形例のノズル６を、「ノズル６ａ」と記載する場合がある。
図１６（ａ）に示すように、ノズル６ａは、図４（ａ）を参照して説明したノズル６と比べて、吹出口８ａが追加されている。吹出口８ａからは、過熱水蒸気が吹き出る。つまり、ノズル６ａは、過熱水蒸気を吹き出す吹出部として機能する。このように、過熱水蒸気を吹き出す吹出部は、流体供給部６００に含まれてもよい。
図１６（ｂ）に示すように、第１変形例では、ノズル６ａに過熱水蒸気供給部８００から過熱水蒸気が供給される。過熱水蒸気供給部８００からノズル６ａへ供給された過熱水蒸気は、図１６（ａ）を参照して説明した吹出口８ａから吹き出る。
なお、図２を参照して説明した吹出部８は、省略されてもよいし、省略されなくてもよい。
続いて、図１７（ａ）及び図１７（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の第２変形例を説明する。第２変形例では、ノズル６から基板Ｗに向けて、硫酸、過酸化水素水、純水、及びアンモニア水が吐出される。また、ノズル６から処理空間に向けて窒素ガスが供給される。
図１７（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００の第２変形例に含まれるノズル６を下から視た下面図である。図１７（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００の第２変形例に含まれる流体供給部６００の構成を示す図である。以下、第２変形例のノズル６を、「ノズル６ｂ」と記載する場合がある。
図１７（ａ）に示すように、ノズル６ｂは、第１吐出口６１ｂ～第５吐出口６５ｂを有する。第１吐出口６１ｂ～第５吐出口６５ｂは、ノズル６ｂの下面（先端）に開口している。なお、第５吐出口６５ｂは、円環状である。第５吐出口６５ｂは、ノズル６ｂの下面（先端）においてノズル６ｂの外周部に沿って延びる。第１吐出口６１ｂから、硫酸が吐出される。第２吐出口６２ｂから過酸化水素水が吐出される。第３吐出口６３ｂからアンモニア水が吐出される。第４吐出口６４ｂから純水が吐出される。第５吐出口６５ｂから不活性ガスが吐出される。第２変形例において、不活性ガスは、窒素ガスである。
図１７（ｂ）に示すように、第２変形例において、流体供給部６００は、ノズル６ｂと、第１薬液供給部６１０ｂと、第２薬液供給部６２０ｂと、第３薬液供給部６３０ｂと、純水供給部６４０ｂと、ガス供給部６５０ｂとを含む。
第１薬液供給部６１０ｂは、硫酸をノズル６ｂへ供給する。第１薬液供給部６１０ｂからノズル６ｂへ供給された硫酸は、図１７（ａ）を参照して説明した第１吐出口６１ｂから吐出される。
具体的には、第１薬液供給部６１０ｂは、第１薬液供給配管６１２ｂと、第１薬液開閉バルブ６１４ｂと、ヒータ６１６ｂとを有する。第１薬液供給配管６１２ｂの一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。第１薬液開閉バルブ６１４ｂ、及びヒータ６１６ｂは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
第１薬液供給配管６１２ｂは、ノズル６ｂに硫酸を供給する。具体的には、第１薬液供給配管６１２ｂは、管状の部材であり、硫酸をノズル６ｂまで流通させる。ヒータ６１６ｂは、第１薬液供給配管６１２ｂに介装される。ヒータ６１６ｂは、第１薬液供給配管６１２ｂを流通する硫酸を加熱する。
第１薬液開閉バルブ６１４ｂは、第１薬液供給配管６１２ｂに介装される。第１薬液開閉バルブ６１４ｂは、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１薬液開閉バルブ６１４ｂの開閉動作を制御する。第１薬液開閉バルブ６１４ｂのアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
第１薬液開閉バルブ６１４ｂを開状態にすると、硫酸がノズル６ｂに向かって第１薬液供給配管６１２ｂを流通する。この結果、ノズル６ｂから基板Ｗに向けて硫酸が吐出される。第１薬液開閉バルブ６１４ｂを閉状態にすると、第１薬液供給配管６１２ｂを介した硫酸の流通が停止する。したがって、ノズル６ｂから基板Ｗへの硫酸の供給が停止する。
第２薬液供給部６２０ｂは過酸化水素水をノズル６ｂへ供給する。第２薬液供給部６２０ｂからノズル６ｂへ供給された過酸化水素水は、図１７（ａ）を参照して説明した第２吐出口６２ｂから吐出される。
具体的には、第２薬液供給部６２０ｂは、第２薬液供給配管６２２ｂと、第２薬液開閉バルブ６２４ｂとを有する。第２薬液供給配管６２２ｂの一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。第２薬液開閉バルブ６２４ｂは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
第２薬液供給配管６２２ｂは、ノズル６ｂに過酸化水素水を供給する。具体的には、第２薬液供給配管６２２ｂは、管状の部材であり、過酸化水素水をノズル６ｂまで流通させる。
第２薬液開閉バルブ６２４ｂは、第２薬液供給配管６２２ｂに介装される。第２薬液開閉バルブ６２４ｂは、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２薬液開閉バルブ６２４ｂの開閉動作を制御する。第２薬液開閉バルブ６２４ｂのアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
第２薬液開閉バルブ６２４ｂを開状態にすると、過酸化水素水がノズル６ｂに向かって第２薬液供給配管６２２ｂを流通する。この結果、ノズル６ｂから基板Ｗに向けて過酸化水素水が吐出される。第２薬液開閉バルブ６２４ｂを閉状態にすると、第２薬液供給配管６２２ｂを介した硫酸の流通が停止する。したがって、ノズル６ｂから基板Ｗへの過酸化水素水の供給が停止する。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＰＭを供給する際に、第１薬液開閉バルブ６１４ｂ及び第２薬液開閉バルブ６２４ｂを開状態にする。この結果、基板Ｗの上面において硫酸と過酸化水素水とが混合されて、基板Ｗの上面にＳＰＭが供給される。
第３薬液供給部６３０ｂはアンモニア水をノズル６ｂへ供給する。第３薬液供給部６３０ｂからノズル６ｂへ供給されたアンモニア水は、図１７（ａ）を参照して説明した第３吐出口６３ｂから吐出される。
具体的には、第３薬液供給部６３０ｂは、第３薬液供給配管６３２ｂと、第３薬液開閉バルブ６３４ｂとを有する。第３薬液供給配管６３２ｂの一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。第３薬液開閉バルブ６３４ｂは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
第３薬液供給配管６３２ｂは、ノズル６ｂにアンモニア水を供給する。第３薬液開閉バルブ６３４ｂは、第３薬液供給配管６３２ｂに介装される。第３薬液開閉バルブ６３４ｂは、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。第３薬液開閉バルブ６３４ｂが開状態になると、アンモニア水が第３薬液供給配管６３２ｂを流通して、ノズル６ｂにアンモニア水が供給される。第３薬液開閉バルブ６３４ｂが閉状態になると、ノズル６ｂへのアンモニア水の供給が停止される。制御装置１０１（制御部１０２）は、第３薬液開閉バルブ６３４ｂの開閉動作を制御する。第３薬液供給部６３０ｂの構成は、第２薬液供給部６２０ｂと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
純水供給部６４０ｂは、純水をノズル６ｂへ供給する。純水供給部６４０ｂからノズル６ｂへ供給された純水は、図１７（ａ）を参照して説明した第４吐出口６４ｂから吐出される。
具体的には、純水供給部６４０ｂは、純水供給配管６４２ｂと、純水開閉バルブ６４４ｂとを有する。純水供給配管６４２ｂの一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。純水開閉バルブ６４４ｂは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
純水供給配管６４２ｂは、ノズル６ｂに純水を供給する。純水開閉バルブ６４４ｂは、純水供給配管６４２ｂに介装される。純水開閉バルブ６４４ｂは、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。純水開閉バルブ６４４ｂが開状態になると、純水が純水供給配管６４２ｂを流通して、ノズル６ｂに純水が供給される。純水開閉バルブ６４４ｂが閉状態になると、ノズル６ｂへの純水の供給が停止される。制御装置１０１（制御部１０２）は、純水開閉バルブ６４４ｂの開閉動作を制御する。純水供給部６４０ｂの構成は、第２薬液供給部６２０ｂと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＣ１を供給する際に、第２薬液開閉バルブ６２４ｂ、第３薬液開閉バルブ６３４ｂ、及び純水開閉バルブ６４４ｂを開状態にする。この結果、基板Ｗの上面において、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合されて、基板Ｗの上面にＳＣ１が供給される。
また、第２変形例において、リンス液は純水である。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理の際に、純水開閉バルブ６４４ｂを開状態にする。
ガス供給部６５０ｂは、窒素ガスをノズル６ｂへ供給する。ガス供給部６５０ｂからノズル６ｂへ供給された窒素ガスは、図１７（ａ）を参照して説明した第５吐出口６５ｂから吐出される。
具体的には、ガス供給部６５０ｂは、ガス供給配管６５２ｂと、ガス開閉バルブ６５４ｂとを有する。ガス供給配管６５２ｂの一部は、図２を参照して説明したチャンバー２０１内に収容される。ガス開閉バルブ６５４ｂは、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
ガス供給配管６５２ｂは、ノズル６ｂに窒素ガスを供給する。ガス開閉バルブ６５４ｂは、ガス供給配管６５２ｂに介装される。ガス開閉バルブ６５４ｂは、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。ガス開閉バルブ６５４ｂが開状態になると、窒素ガスがガス供給配管６５２ｂを流通して、ノズル６ｂに窒素ガスが供給される。ガス開閉バルブ６５４ｂが閉状態になると、ノズル６ｂへの窒素ガスの供給が停止される。制御装置１０１（制御部１０２）は、ガス開閉バルブ６５４ｂの開閉動作を制御する。ガス供給部６５０ｂの構成は、第２薬液供給部６２０ｂと略同様であるため、その詳しい説明は割愛する。
続いて、図１８（ａ）及び図１８（ｂ）を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の第３変形例を説明する。第３変形例では、ノズル６から処理空間に向けて過熱水蒸気が供給される。
図１８（ａ）は、本実施形態の基板処理装置１００の第３変形例に含まれるノズル６を下から視た下面図である。図１８（ｂ）は、本実施形態の基板処理装置１００の第３変形例に含まれる流体供給部６００の構成を示す図である。以下、第３変形例のノズル６を、「ノズル６ｃ」と記載する場合がある。
図１８（ａ）に示すように、ノズル６ｃは、第１吐出口６１ｃ～第５吐出口６５ｃと、吹出口８ａとを有する。ノズル６ｃの第１吐出口６１ｃ～第５吐出口６５ｃは、図１７（ａ）に示すノズル６ｂの第１吐出口６１ｂ～第５吐出口６５ｂに相当する。つまり、ノズル６ｃは、図１７（ａ）を参照して説明したノズル６ｂと比べて、吹出口８ａが追加されている。吹出口８ａからは、過熱水蒸気が吹き出る。したがって、ノズル６ｃは、過熱水蒸気を吹き出す吹出部として機能する。このように、過熱水蒸気を吹き出す吹出部は、流体供給部６００に含まれてもよい。
図１８（ｂ）に示すように、第３変形例では、ノズル６ｃに対し、過熱水蒸気供給部８００から過熱水蒸気が供給される。過熱水蒸気供給部８００からノズル６ｃへ供給された過熱水蒸気は、図１８（ａ）を参照して説明した吹出口８ａから吹き出る。
なお、図２を参照して説明した吹出部８は、省略されてもよいし、省略されなくてもよい。
以上、図面（図１～図１８（ｂ））を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
例えば、図１～図１８（ｂ）を参照して説明した実施形態において、スピンチャック３は、複数のチャック部材３１を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックであったが、基板Ｗを保持する方式は、基板Ｗを水平に保持できる限り、特に限定されない。例えば、スピンチャック３は、バキューム式のチャックであってもよいし、ベルヌーイ式のチャックであってもよい。
また、図１～図１８（ｂ）を参照して説明した実施形態では、基板Ｗへ過酸化水素水を供給する際（図８のステップＳ４４）、制御装置１０１（制御部１０２）は、吹出部８から吹き出させる過熱水蒸気の流量を減少させたが、基板Ｗへ過酸化水素水を供給する際（図８のステップＳ４４）、制御装置１０１（制御部１０２）は、吹出部８からの過熱水蒸気の吹き出しを停止させてもよい。なお、この場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス処理時（図８のステップＳ４５）にかけて、処理空間への過熱水蒸気の供給停止を継続させる。
また、図１～図１８（ｂ）を参照して説明した実施形態では、基板加熱部５はヒータにより基板Ｗを加熱したが、基板加熱部５が基板Ｗの加熱に用いる部材は、基板Ｗを加熱できる部材である限り、特に限定されない。例えば、基板加熱部５は、レーザ照射又は光照射により基板Ｗを加熱してもよい。
また、図１～図１８（ｂ）を参照して説明した実施形態では、基板処理装置１００に基板加熱部５が設けられたが、基板加熱部５は省略されてもよい。この場合、過熱水蒸気を用いて事前加熱を行ってもよい。
また、図１～図１８（ｂ）を参照して説明した実施形態では、パドル処理が行われたが、パドル処理は省略されてもよい。
また、基板処理装置１００は、処理空間の内部の洗浄時に吹出部８から処理空間へ過熱水蒸気を供給させてもよい。この結果、処理空間の内部の洗浄後に、処理空間形成部７０や、処理空間内に配置される部材を乾燥させ易くなる。
詳しくは、処理空間の内部の洗浄後、処理空間に窒素ガスのような不活性ガスを供給して、処理空間形成部７０や、処理空間内に配置される部材を乾燥させる処理が行われる。しかしながら、処理空間の内部を洗浄する際には、大量の純水が使用される。そのため、洗浄後の処理空間の内部は乾燥し難い状態となる。これに対し、処理空間の内部の洗浄時に吹出部８から処理空間へ過熱水蒸気を供給することで、処理空間形成部７０や、処理空間内に配置される部材の温度を昇温させることができる。その結果、処理空間の内部の洗浄後に、処理空間形成部７０や、処理空間内に配置される部材を効率よく乾燥させることができる。
なお、処理空間の内部の洗浄は、例えば、基板処理部２が予め定められた枚数（例えば、２４枚）の基板Ｗを処理する度に実行されてもよい。あるいは、処理空間の内部の洗浄は、予め定められた時間が経過する度に実行されてもよい。
本発明は、基板を処理する装置に有用であり、産業上の利用可能性を有する。
２ ：基板処理部
３ ：スピンチャック
４ ：スピンモータ部
６ ：ノズル
６ａ ：ノズル
６ｂ ：ノズル
６ｃ ：ノズル
８ ：吹出部
８ａ ：吹出口
７０ ：処理空間形成部
７１ ：液受け部
７２ ：遮断部材
８１ ：第１吹出部
８２ ：第２吹出部
１００ ：基板処理装置
１０１ ：制御装置
１０２ ：制御部
１０３ ：記憶部
２０１ ：チャンバー
６００ ：流体供給部
８００ ：過熱水蒸気供給部
Ｗ ：基板

Claims (16)

  1. 基板を収容するチャンバーと、
    前記チャンバー内で前記基板を保持する基板保持部と、
    前記基板保持部に保持された前記基板と対向する対向部材を含み、前記基板の処理が行われる処理空間を形成する処理空間形成部と、
    前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる基板回転部と、
    前記基板回転部により回転される前記基板に、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を供給する処理液供給部と、
    前記処理空間内に過熱水蒸気を吹き出す過熱水蒸気吹出部と
    を備える、基板処理装置。
  2. 前記過熱水蒸気吹出部は、前記基板よりも上方に配置される第１過熱水蒸気吹出部を含む、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記対向部材に支持される、請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記処理液供給部に含まれる、請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 前記処理空間形成部は、前記基板回転部により回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部を更に含み、
    前記過熱水蒸気吹出部は、前記液受け部に支持される第２過熱水蒸気吹出部を含む、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置。
  6. 前記第１混合液の供給と、前記過熱水蒸気の吹き出しとを制御する制御部を更に備え、
    前記制御部は、前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 前記制御部は、前記基板回転部による前記基板の回転を更に制御し、
    前記制御部は、前記第１混合液の供給時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させ、
    前記制御部は、前記第１混合液の供給を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成し、
    前記制御部は、前記パドル状態の形成時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記処理液供給部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に前記基板に供給し、
    前記制御部は、前記過酸化水素水の供給を更に制御し、
    前記制御部は、前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 前記処理液供給部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に前記基板に供給し、
    前記制御部は、前記過酸化水素水の供給を更に制御し、
    前記制御部は、前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
    前記制御部は、前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
  10. 前記処理液供給部は、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液と、前記第１混合液とを排他的に前記基板に供給し、
    前記制御部は、前記第２混合液の供給を更に制御し、
    前記制御部は、前記第２混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項６又は請求項７に記載の基板処理装置。
  11. 基板保持部により、チャンバー内で基板を保持する工程と、
    前記基板保持部に保持された前記基板と対向する対向部材を含む処理空間形成部により、前記基板の処理が行われる処理空間を形成する工程と、
    前記処理空間に過熱水蒸気を吹き出す工程と
    を含む、基板処理方法。
  12. 前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる工程と、
    回転中の前記基板に、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を供給する工程と
    を更に含み、
    前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記第１混合液の供給時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させる工程と、
    前記第１混合液の供給を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成する工程と
    を更に含み、
    前記パドル状態の形成時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 回転中の前記基板に過酸化水素水を供給する工程を更に含み、
    前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項１２又は請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 回転中の前記基板に過酸化水素水を供給する工程を更に含み、
    前記第１混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
    前記過酸化水素水の供給時に、前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項１２又は請求項１３に記載の基板処理方法。
  16. 前記基板保持部が保持する前記基板を回転させる工程と、
    回転中の前記基板に、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を供給する工程と
    を更に含み、
    前記第２混合液の供給時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１１から請求項１３のいずれか１項に記載の基板処理方法。
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JP5106800B2 (ja) * 2006-06-26 2012-12-26 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
JP5399678B2 (ja) * 2008-10-02 2014-01-29 芝浦メカトロニクス株式会社 レジスト剥離装置
JP6191953B2 (ja) * 2013-09-02 2017-09-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6222817B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6438649B2 (ja) * 2013-12-10 2018-12-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6811675B2 (ja) * 2017-04-28 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
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