WO2024090475A1 - 基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法 - Google Patents

基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法 Download PDF

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WO2024090475A1
WO2024090475A1 PCT/JP2023/038504 JP2023038504W WO2024090475A1 WO 2024090475 A1 WO2024090475 A1 WO 2024090475A1 JP 2023038504 W JP2023038504 W JP 2023038504W WO 2024090475 A1 WO2024090475 A1 WO 2024090475A1
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WO
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substrate
blowing
superheated steam
unit
chamber
Prior art date
Application number
PCT/JP2023/038504
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English (en)
French (fr)
Inventor
雅視 澤村
淳一 新庄
喬 太田
Original Assignee
株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス
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Publication date
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a chamber cleaning method.
  • Single-wafer substrate processing equipment that processes substrates by discharging a chemical solution from a nozzle toward the substrate.
  • a chemical solution atmosphere containing chemical solution components is generated near the substrate.
  • a chemical solution atmosphere is also generated near the substrate when the chemical solution collides with a chuck pin or cup.
  • SPM sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture
  • the water contained in the SPM evaporates, causing droplets and mist of the SPM to spray from the nozzle.
  • fumes smoke-like gas
  • Patent Document 1 discloses a substrate processing apparatus that sprays water into a chamber to generate a mist within the chamber, and causes the water particles contained in the mist to combine with the chemical particles contained in the chemical atmosphere. By combining the water particles with the chemical particles, the chemical particles become less likely to float, and as a result, the diffusion of the chemical atmosphere is suppressed.
  • the present invention was made in consideration of the above problems, and its purpose is to provide a substrate processing apparatus, a substrate processing method, and a chamber cleaning method that can reduce contamination of substrates caused by a chemical atmosphere.
  • a substrate processing apparatus includes a chamber, a blowing mechanism, a substrate holding unit, a substrate rotating unit, a first mixed liquid discharge unit, and a first superheated steam blowing unit.
  • Substrate processing is performed in the chamber.
  • the blowing mechanism blows air into the chamber.
  • the substrate holding unit holds a substrate in the chamber.
  • the substrate rotating unit rotates the substrate held by the substrate holding unit.
  • the first mixed liquid discharge unit is located in the chamber.
  • the first mixed liquid discharge unit discharges a first mixed liquid, which is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, toward the substrate rotated by the substrate rotating unit.
  • the first superheated steam blowing unit is located between the blowing mechanism and the substrate held by the substrate holding unit.
  • the first superheated steam blowing unit blows superheated steam into the chamber.
  • the substrate processing apparatus further includes a control unit.
  • the control unit controls the ejection of the first mixed liquid from the first mixed liquid ejection unit and the ejection of the superheated steam from the first superheated steam blowing unit.
  • the control unit causes the first superheated steam blowing unit to eject the superheated steam when ejecting the first mixed liquid.
  • the substrate processing apparatus further includes a liquid receiving section and a second superheated steam blowing section.
  • the liquid receiving section receives the first mixed liquid discharged from the substrate rotated by the substrate rotating section.
  • the second superheated steam blowing section is supported by the liquid receiving section.
  • the second superheated steam blowing section blows the superheated steam toward the substrate held by the substrate holding section.
  • control unit further controls the blowing of the superheated steam from the second superheated steam blowing unit and the rotation of the substrate by the substrate rotation unit.
  • the control unit controls the rotation speed of the substrate when the first mixed liquid is being ejected, thereby forming a liquid film of the first mixed liquid on the upper surface of the substrate.
  • the control unit stops the ejection of the first mixed liquid and controls the rotation speed of the substrate to form a paddle state in which the liquid film is supported on the upper surface of the substrate.
  • the control unit causes the superheated steam to be blown out from the first superheated steam blowing unit and the second superheated steam blowing unit when the paddle state is formed.
  • the second superheated steam blowing section includes an upper superheated steam blowing section and a lower superheated steam blowing section.
  • the upper superheated steam blowing section blows the superheated steam toward the upper surface of the substrate held by the substrate holding section.
  • the lower superheated steam blowing section blows the superheated steam toward the lower surface of the substrate held by the substrate holding section.
  • the first mixed liquid discharge unit exclusively discharges the first mixed liquid and hydrogen peroxide solution.
  • the control unit further controls the discharge of the hydrogen peroxide solution from the first mixed liquid discharge unit.
  • the control unit stops the blowing of the superheated water vapor when the hydrogen peroxide solution is being discharged.
  • the first mixed liquid discharge unit exclusively discharges the first mixed liquid and hydrogen peroxide solution.
  • the control unit further controls the discharge of the hydrogen peroxide solution from the first mixed liquid discharge unit.
  • the control unit causes the first superheated steam blowing unit to blow the superheated steam at a first flow rate.
  • the control unit causes the first superheated steam blowing unit to blow the superheated steam at a second flow rate smaller than the first flow rate.
  • the substrate processing apparatus further includes a second mixed liquid discharge unit.
  • the second mixed liquid discharge unit discharges a second mixed liquid of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and pure water toward the substrate rotated by the substrate rotation unit.
  • the control unit further controls the discharge of the second mixed liquid from the second mixed liquid discharge unit.
  • the control unit blows out the superheated water vapor when discharging the second mixed liquid.
  • the substrate processing apparatus further includes a rinsing liquid ejection unit and a water vapor blowing unit.
  • the rinsing liquid ejection unit ejects rinsing liquid toward the substrate rotated by the substrate rotation unit.
  • the water vapor blowing unit is located between the air blowing mechanism and the substrate held by the substrate holding unit.
  • the water vapor blowing unit blows water vapor into the chamber.
  • the control unit further controls the ejection of the rinsing liquid from the rinsing liquid ejection unit and the blowing of the water vapor from the water vapor blowing unit.
  • the control unit blows the water vapor when the rinsing liquid is ejected.
  • control unit further controls the rotation of the substrate by the substrate rotation unit.
  • the control unit performs a drying process after stopping the ejection of the rinsing liquid.
  • the drying process refers to a process of controlling the rotation speed of the substrate to remove the rinsing liquid from the upper surface of the substrate and dry the upper surface of the substrate.
  • the control unit stops the ejection of the water vapor when the drying process is performed.
  • the substrate processing apparatus further includes a third superheated steam blowing section and a water vapor blowing section.
  • the third superheated steam blowing section blows superheated steam toward the inner wall surface of the chamber.
  • the water vapor blowing section is located between the blowing mechanism and the substrate holding section.
  • the water vapor blowing section blows water vapor into the chamber.
  • the control section further controls the blowing of the water vapor from the water vapor blowing section and the blowing of the superheated steam from the third superheated steam blowing section.
  • the control section causes the water vapor to be blown from the water vapor blowing section and the superheated steam to be blown from the third superheated steam blowing section when cleaning the inside of the chamber.
  • the substrate processing method includes a step of holding a substrate in a chamber by a substrate holding unit, and a step of blowing superheated steam into the chamber from a first superheated steam blowing unit located between the blowing mechanism and the substrate held by the substrate holding unit while air is being blown into the chamber by a blowing mechanism.
  • the substrate processing method further includes a first mixed liquid ejection step of rotating the substrate held by the substrate holder and ejecting a first mixed liquid, which is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide, toward the rotating substrate.
  • a first mixed liquid which is a mixture of sulfuric acid and hydrogen peroxide
  • the substrate processing method further includes a puddle step of stopping the discharge of the first mixed liquid and controlling the rotation speed of the substrate to form a puddle state in which a liquid film of the first mixed liquid is supported on the upper surface of the substrate.
  • a puddle state in which a liquid film of the first mixed liquid is supported on the upper surface of the substrate.
  • the second superheated steam blowing section includes an upper superheated steam blowing section and a lower superheated steam blowing section.
  • the upper superheated steam blowing section blows the superheated steam toward the upper surface of the substrate held by the substrate holding section.
  • the lower superheated steam blowing section blows the superheated steam toward the lower surface of the substrate held by the substrate holding section.
  • the substrate processing method further includes an extrusion step of ejecting hydrogen peroxide toward the rotating substrate to eject a liquid film of the first liquid mixture from the upper surface of the substrate.
  • an extrusion step of ejecting hydrogen peroxide toward the rotating substrate to eject a liquid film of the first liquid mixture from the upper surface of the substrate.
  • the substrate processing method further includes an extrusion step of ejecting hydrogen peroxide toward the rotating substrate to eject a liquid film of the first liquid mixture from the upper surface of the substrate.
  • an extrusion step of ejecting hydrogen peroxide toward the rotating substrate to eject a liquid film of the first liquid mixture from the upper surface of the substrate.
  • the superheated water vapor is ejected from the first superheated water vapor ejection part at a first flow rate.
  • the superheated water vapor is ejected from the first superheated water vapor ejection part at a second flow rate smaller than the first flow rate.
  • the substrate processing method further includes a second mixed liquid ejection step of ejecting a second mixed liquid, which is a mixture of ammonia water, hydrogen peroxide, and pure water, toward the rotating substrate while the substrate held by the substrate holder is rotated.
  • the superheated steam is ejected from the first superheated steam ejection part when the second mixed liquid is ejected.
  • the substrate processing method further includes the steps of blowing water vapor into the chamber from a water vapor blowing section located between the air blowing mechanism and the substrate held by the substrate holding section while air is being blown into the chamber by the air blowing mechanism, and ejecting a rinsing liquid toward the rotating substrate while the substrate held by the substrate holding section is being rotated.
  • the water vapor is ejected from the water vapor blowing section when the rinsing liquid is ejected.
  • the substrate processing method further includes a drying step in which, after the ejection of the rinsing liquid is stopped, the rotation speed of the substrate is controlled to remove the rinsing liquid from the upper surface of the substrate and dry the upper surface of the substrate. During the drying step, the ejection of the water vapor is stopped.
  • a chamber cleaning method includes a step of cleaning the inside of a chamber in which substrate processing is performed.
  • superheated steam is blown toward the inner wall surface of the chamber, and steam is blown into the chamber from a steam blowing unit located between a blowing mechanism that blows air into the chamber and a substrate holding unit that holds a substrate in the chamber.
  • the substrate processing apparatus, substrate processing method, and chamber cleaning method according to the present invention can reduce contamination of substrates caused by chemical atmospheres.
  • 1 is a schematic plan view of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • 1 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing section included in a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • 11 is another cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing section included in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 11 is another cross-sectional view showing a schematic configuration of a substrate processing section included in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
  • FIG. 1 is a diagram showing a configuration of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention
  • 2 is a diagram showing a configuration of a first chemical liquid supply unit included in the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention
  • 2 is a flowchart showing a substrate processing method according to an embodiment of the present invention.
  • 2 is a flowchart showing a substrate treatment and a water vapor treatment included in a substrate treatment method according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing section during pre-heating.
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic view of a substrate processing section during SPM processing.
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing section during puddle processing.
  • FIG. 1 is a diagram showing a substrate processing section when processing a substrate with hydrogen peroxide solution
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing section during a rinsing process.
  • 2 is a diagram showing a schematic view of a substrate processing section when a substrate is processed by SC1;
  • FIG. 2 is a diagram illustrating a substrate processing section during a drying process.
  • FIG. 2 is a diagram showing a schematic view of a substrate processing section when the inside of a chamber is cleaned;
  • 11 is a cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a substrate processing section included in a modified example of a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
  • the "substrate" to be processed can be a variety of substrates, such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, substrates for FEDs (Field Emission Displays), substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, and substrates for magneto-optical disks.
  • substrates such as semiconductor wafers, glass substrates for photomasks, glass substrates for liquid crystal displays, glass substrates for plasma displays, substrates for FEDs (Field Emission Displays), substrates for optical disks, substrates for magnetic disks, and substrates for magneto-optical disks.
  • FEDs Field Emission Displays
  • substrates for optical disks substrates for magnetic disks
  • substrates for magneto-optical disks substrates for magneto-optical disks.
  • an embodiment of the present invention will be described mainly using a case where a disk-shaped semiconductor wafer is the substrate to be processed, but the substrate processing apparatus, substrate processing method
  • FIG. 1 is a schematic diagram of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. More specifically, FIG. 1 is a schematic plan view of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 processes substrates W with a processing liquid. More specifically, the substrate processing apparatus 100 is a single-wafer type apparatus, and processes substrates W one by one.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of substrate processing units 2, a fluid cabinet 10A, a plurality of fluid boxes 10B, a plurality of load ports LP, an indexer robot IR, a center robot CR, and a control device 101.
  • Each load port LP accommodates a stack of multiple substrates W.
  • each unprocessed substrate W substrate W before processing
  • has an unwanted resist mask resist film attached to it.
  • the indexer robot IR transports substrates W between the load port LP and the center robot CR.
  • the center robot CR transports substrates W between the indexer robot IR and the substrate processing unit 2.
  • a placement stage (path) on which substrates W are temporarily placed may be provided between the indexer robot IR and the center robot CR, and the device may be configured to indirectly transfer substrates W between the indexer robot IR and the center robot CR via the placement stage.
  • the multiple substrate processing units 2 form multiple towers TW (four towers TW in FIG. 1).
  • the multiple towers TW are arranged to surround the center robot CR in a plan view.
  • Each tower TW includes multiple substrate processing units 2 (three substrate processing units 2 in FIG. 1) stacked one above the other.
  • the fluid cabinet 10A contains a fluid.
  • the fluid includes a processing liquid.
  • Each of the fluid boxes 10B corresponds to one of the multiple towers TW.
  • the processing liquid in the fluid cabinet 10A is supplied to all of the substrate processing units 2 included in the tower TW corresponding to the fluid box 10B via one of the fluid boxes 10B.
  • the processing liquid includes sulfuric acid (H 2 SO 4 ), hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), ammonia water (NH 4 OH), and a rinse liquid.
  • the rinse liquid is pure water.
  • the pure water is, for example, deionized water (DIW).
  • the rinse liquid may be, for example, carbonated water, electrolytic ionized water, hydrogen water, ozone water, ammonia water, or diluted hydrochloric acid (for example, hydrochloric acid having a concentration of about 10 ppm to 100 ppm). If the rinse liquid is not pure water, the fluid in the fluid cabinet 10A further includes pure water.
  • Each of the substrate processing units 2 supplies processing liquid to the upper surface of the substrate W.
  • the substrate processing units 2 supply a sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture (SPM), hydrogen peroxide solution, rinsing liquid, and SC1 to the substrate W in the following order: SPM, hydrogen peroxide solution, rinsing liquid, SC1, rinsing liquid.
  • SPM sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture
  • SC1 is a mixture of ammonia water, hydrogen peroxide solution, and pure water.
  • SC1 When SPM is supplied to the upper surface of the substrate W, the resist film (organic matter) is peeled off from the upper surface of the substrate W, and the resist film is removed from the upper surface of the substrate W.
  • SC1 When SC1 is supplied to the upper surface of the substrate W, particles adhering to the upper surface of the substrate W are removed. More specifically, the hydrogen peroxide contained in SC1 oxidizes silicon on the main surface of the substrate W, the silicon oxide is etched by ammonia, and various particles are removed by lift-off. Thus, SC1 peels off and removes resist film residue and insoluble particles.
  • the control device 101 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 100.
  • the control device 101 controls the load port LP, the indexer robot IR, the center robot CR, and the substrate processing unit 2.
  • the control device 101 includes a control unit 102 and a memory unit 103.
  • the control unit 102 controls the operation of each part of the substrate processing apparatus 100 based on various information stored in the memory unit 103.
  • the control unit 102 has, for example, a processor.
  • the control unit 102 may have a CPU (Central Processing Unit) or an MPU (Micro Processing Unit) as the processor.
  • the control unit 102 may have a general-purpose computing device or a dedicated computing device.
  • the memory unit 103 stores various information for controlling the operation of the substrate processing apparatus 100.
  • the memory unit 103 stores data and computer programs.
  • the data includes various recipe data.
  • the recipe data includes, for example, a process recipe.
  • a process recipe is data that specifies the procedure for substrate processing. Specifically, a process recipe specifies the execution order of a series of processes included in the substrate processing, the content of each process, and the conditions (parameter setting values) for each process.
  • the storage unit 103 has a main storage device.
  • the main storage device is, for example, a semiconductor memory.
  • the storage unit 103 may further have an auxiliary storage device.
  • the auxiliary storage device includes, for example, at least one of a semiconductor memory and a hard disk drive.
  • the storage unit 103 may include removable media.
  • Figure 2 is a cross-sectional view that shows a schematic configuration of the substrate processing section 2 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • Figure 3 is another cross-sectional view that shows a schematic configuration of the substrate processing section 2 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment. In particular, Figure 3 shows the inside of the substrate processing section 2 as viewed from above.
  • the substrate processing unit 2 includes a blower mechanism 3, a chamber 201, a baffle plate 204, a spin chuck 4, a spin motor unit 5, a first nozzle 6, a first nozzle moving mechanism 61, a second nozzle 7, a second nozzle moving mechanism 71, a third nozzle 8, a liquid receiving unit 9, a substrate heating unit 20, and an exhaust duct 206.
  • the substrate processing apparatus 100 also includes a first chemical liquid supply unit 62, a second chemical liquid supply unit 72, and a rinsing liquid supply unit 82.
  • control device 101 controls the air blowing mechanism 3, the spin chuck 4, the spin motor unit 5, the first nozzle moving mechanism 61, the second nozzle moving mechanism 71, the liquid receiving unit 9, the substrate heating unit 20, the first chemical liquid supply unit 62, the second chemical liquid supply unit 72, and the rinsing liquid supply unit 82.
  • the chamber 201 has a generally box-like shape. More specifically, the chamber 201 has an upper wall 202, a side wall 203, and a lower wall 205.
  • the chamber 201 accommodates the substrate W, the baffle plate 204, the spin chuck 4, the spin motor unit 5, the first nozzle 6, the first nozzle movement mechanism 61, the second nozzle 7, the second nozzle movement mechanism 71, the third nozzle 8, the liquid receiving unit 9, part of the substrate heating unit 20, part of the exhaust duct 206, part of the first chemical liquid supply unit 62, part of the second chemical liquid supply unit 72, and part of the rinsing liquid supply unit 82.
  • the substrate W is loaded into the chamber 201 and processed in the chamber 201. That is, the substrate processing is performed in the chamber 201.
  • the blower mechanism 3 is disposed outside the chamber 201. More specifically, the blower mechanism 3 is disposed above the chamber 201 (upper wall 202) and faces the outer wall surface of the upper wall 202. The blower mechanism 3 may be installed on the outer wall surface of the upper wall 202.
  • the chamber 201 has an air outlet 202a that penetrates the upper wall 202 in the vertical direction, and the blower mechanism 3 is disposed above the air outlet 202a.
  • the air outlet 202a is formed, for example, at a position that overlaps with the substrate W in a planar view.
  • the blower mechanism 3 blows air into the chamber 201. More specifically, the blower mechanism 3 draws in air from the clean room in which the substrate processing apparatus 100 is installed, and blows the air into the chamber 201 through the air outlet 202a. More specifically, the blower mechanism 3 has blades, an electric motor, and a filter. The blades rotate to draw in air from the clean room and blow it toward the air outlet 202a. The electric motor rotates the blades. The filter filters the air sent by the rotating blades. As a result, air purified by the filter is blown into the chamber 201.
  • the blower mechanism 3 is, for example, a fan filter unit (FFU).
  • FFU fan filter unit
  • the straightening plate 204 is disposed within the chamber 201. More specifically, the straightening plate 204 is held in a horizontal position. Thus, the straightening plate 204 extends along a horizontal plane. For example, the straightening plate 204 is supported by the side wall 203.
  • the straightening plate 204 divides the internal space of the chamber 201 into a lower space 2a and an upper space 2b.
  • the upper space 2b is a space above the lower space 2a.
  • the baffle plate 204 is disposed at the upper part of the chamber 201 and faces the inner wall surface of the upper wall 202. Specifically, the baffle plate 204 is disposed above the members used for substrate processing within the chamber 201. Therefore, the substrate processing is performed in the lower space 2a. In other words, the lower space 2a is the processing space.
  • the members used for substrate processing include the spin chuck 4, the spin motor unit 5, the first nozzle 6, the first nozzle movement mechanism 61, the second nozzle 7, the second nozzle movement mechanism 71, the third nozzle 8, the liquid receiving unit 9, and the substrate heating unit 20.
  • the straightening plate 204 straightens the air sent from the blower mechanism 3 into the chamber 201. More specifically, the straightening plate 204 straightens the air sent from the blower mechanism 3 to the upper space 2b, generating a downflow in the lower space 2a (treatment space).
  • the straightening plate 204 has a large number of through holes 204a.
  • Each of the through holes 204a penetrates the straightening plate 204 in the thickness direction of the straightening plate 204.
  • each of the through holes 204a extends in the vertical direction.
  • the large number of through holes 204a are formed throughout the straightening plate 204.
  • the air outlet 202a of the upper wall 202 connects the outside of the chamber 201 to the upper space 2b.
  • the air blown from the blowing mechanism 3 diffuses within the upper space 2b and fills the upper space 2b.
  • the air filling the upper space 2b passes through the large number of through holes 204a and flows into the lower space 2a from the entire straightening plate 204.
  • a downward air current (downflow) that flows downward from the entire straightening plate 204 is generated in the lower space 2a.
  • the electric motor of the blower mechanism 3 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the control device 101 may, for example, control the electric motor of the blower mechanism 3 to constantly generate a downflow in the lower space 2a (treatment space).
  • the spin chuck 4 holds the substrate W in the lower space 2a of the chamber 201.
  • the spin chuck 4 is an example of a substrate holding unit. More specifically, the spin chuck 4 holds the substrate W in a horizontal position. As shown in FIG. 2, the spin chuck 4 may have a spin base 41 and multiple chuck members 42.
  • the spin base 41 is approximately disk-shaped and supports multiple chuck members 42 in a horizontal position.
  • the multiple chuck members 42 are arranged on the periphery of the spin base 41.
  • the multiple chuck members 42 clamp the periphery of the substrate W.
  • the multiple chuck members 42 hold the substrate W in a horizontal position.
  • the operation of the multiple chuck members 42 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the spin motor unit 5 rotates the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the spin motor unit 5 is an example of a substrate rotation unit. More specifically, the spin motor unit 5 rotates the substrate W and the spin chuck 4 together around a first rotation axis AX1 that extends vertically.
  • the control device 101 controls the rotation of the substrate W by the spin motor unit 5.
  • the first rotation axis AX1 passes through the center of the spin base 41.
  • the multiple chuck members 42 are arranged so that the center of the substrate W coincides with the center of the spin base 41. Therefore, the substrate W rotates around the center of the substrate W as the center of rotation.
  • the spin motor unit 5 may have a shaft 51 and a motor body 52.
  • the shaft 51 is coupled to the spin base 41.
  • the motor body 52 rotates the shaft 51.
  • the spin base 41 rotates.
  • the operation of the motor body 52 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the first nozzle 6 is located in the lower space 2a of the chamber 201, and exclusively ejects SPM and hydrogen peroxide solution toward the substrate W rotated by the spin motor unit 5.
  • the first nozzle 6 is an example of a first mixed liquid ejection unit.
  • SPM is ejected onto the top surface of the rotating substrate W
  • a liquid film of SPM is formed on the top surface of the substrate W.
  • hydrogen peroxide solution is ejected onto the top surface of the rotating substrate W
  • a liquid film of hydrogen peroxide solution is formed on the top surface of the substrate W.
  • the ejection of SPM from the first nozzle 6 and the ejection of hydrogen peroxide from the first nozzle 6 are controlled by the control device 101 (control unit 102). Specifically, the control device 101 (control unit 102) controls the ejection of SPM from the first nozzle 6 and the ejection of hydrogen peroxide from the first nozzle 6 by controlling the first chemical liquid supply unit 62.
  • the first chemical liquid supply unit 62 exclusively supplies SPM and hydrogen peroxide solution to the first nozzle 6.
  • the first chemical liquid supply unit 62 may have a first chemical liquid supply pipe 621, a first component on-off valve 631, and a second component on-off valve 632.
  • a portion of the first chemical liquid supply pipe 621 is housed within the chamber 201.
  • the first component on-off valve 631 and the second component on-off valve 632 are housed in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the first chemical supply pipe 621 exclusively supplies SPM and hydrogen peroxide to the first nozzle 6.
  • the first chemical supply pipe 621 is a tubular member, and distributes SPM and hydrogen peroxide to the first nozzle 6.
  • the first chemical supply pipe 621 includes a first pipe 621a and a second pipe 621b. One end of the first pipe 621a is connected to the first nozzle 6. The second pipe 621b is connected to the first pipe 621a. Sulfuric acid flows into the first pipe 621a. Hydrogen peroxide flows into the second pipe 621b.
  • the first component on-off valve 631 is disposed in the first pipe 621a. Specifically, the first component on-off valve 631 is disposed upstream of the connection point CP between the first pipe 621a and the second pipe 621b.
  • the second component on-off valve 632 is disposed in the second pipe 621b.
  • the first component opening/closing valve 631 and the second component opening/closing valve 632 can be switched between an open state and a closed state.
  • the control device 101 controls the opening and closing operations of the first component opening/closing valve 631 and the second component opening/closing valve 632.
  • the actuators of the first component opening/closing valve 631 and the second component opening/closing valve 632 are, for example, pneumatic actuators or electric actuators.
  • the control device 101 When supplying SPM to the substrate W, the control device 101 (control unit 102) opens the first component on-off valve 631 and the second component on-off valve 632.
  • the first component on-off valve 631 and the second component on-off valve 632 are opened, sulfuric acid flows through the first pipe 621a toward the first nozzle 6, and hydrogen peroxide flows through the second pipe 621b toward the connection point CP.
  • the sulfuric acid and hydrogen peroxide mix at the connection point CP to generate SPM.
  • the SPM flows through the first pipe 621a toward the first nozzle 6, and is ejected from the first nozzle 6 toward the substrate W.
  • the control device 101 When supplying hydrogen peroxide to the substrate W, the control device 101 (control unit 102) closes the first component on-off valve 631 and opens the second component on-off valve 632.
  • the first component on-off valve 631 is closed and the second component on-off valve 632 is opened, the flow of sulfuric acid through the first pipe 621a stops, and hydrogen peroxide flows through the second pipe 621b toward the connection point CP.
  • the hydrogen peroxide that has flowed into the first pipe 621a flows through the first pipe 621a toward the first nozzle 6, and the hydrogen peroxide is ejected from the first nozzle 6 toward the substrate W.
  • control device 101 stops the ejection of SPM and hydrogen peroxide solution from the first nozzle 6, it closes the first component opening/closing valve 631 and the second component opening/closing valve 632.
  • the first component opening/closing valve 631 and the second component opening/closing valve 632 are closed, the flow of sulfuric acid through the first pipe 621a stops, and the flow of hydrogen peroxide solution through the second pipe 621b stops.
  • the second nozzle 7 is located in the lower space 2a of the chamber 201, and ejects SC1 toward the substrate W rotated by the spin motor unit 5.
  • the second nozzle 7 is an example of a second mixed liquid ejection unit.
  • the ejection of SC1 from the second nozzle 7 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the control device 101 controls the ejection of SC1 from the second nozzle 7 by controlling the second chemical liquid supply unit 72.
  • the second chemical liquid supply unit 72 supplies SC1 to the second nozzle 7.
  • the second chemical liquid supply unit 72 may have a second chemical liquid supply pipe 721 and a chemical liquid opening/closing valve 731.
  • a portion of the second chemical liquid supply pipe 721 is housed in the chamber 201.
  • the chemical liquid opening/closing valve 731 is housed in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the second chemical liquid supply pipe 721 supplies SC1 to the second nozzle 7.
  • the second chemical liquid supply pipe 721 is a tubular member, and distributes SC1 to the second nozzle 7.
  • the chemical liquid on-off valve 731 is disposed in the second chemical liquid supply pipe 721.
  • the chemical liquid on-off valve 731 can be switched between an open state and a closed state.
  • the control device 101 controls the opening and closing operation of the chemical liquid on-off valve 731.
  • the actuator of the chemical liquid on-off valve 731 is, for example, a pneumatic actuator or an electric actuator.
  • the control device 101 opens the chemical liquid on-off valve 731 when supplying SC1 to the substrate W.
  • SC1 flows through the second chemical liquid supply pipe 721 toward the second nozzle 7.
  • SC1 is ejected from the second nozzle 7 toward the substrate W.
  • control device 101 stops the discharge of SC1 from the second nozzle 7, it closes the chemical solution opening/closing valve 731.
  • the chemical solution opening/closing valve 731 is closed, the flow of SC1 through the second chemical solution supply pipe 721 is stopped.
  • the third nozzle 8 is located in the lower space 2a of the chamber 201, and ejects the rinsing liquid toward the substrate W rotated by the spin motor unit 5.
  • the third nozzle 8 is an example of a rinsing liquid ejection unit.
  • the ejection of the rinsing liquid from the third nozzle 8 is controlled by the control device 101 (control unit 102). Specifically, the control device 101 (control unit 102) controls the ejection of the rinsing liquid from the third nozzle 8 by controlling the rinsing liquid supply unit 82.
  • the rinse liquid supply unit 82 supplies rinse liquid to the third nozzle 8.
  • the rinse liquid supply unit 82 may have a rinse liquid supply pipe 821 and a rinse liquid opening/closing valve 831.
  • a portion of the rinse liquid supply pipe 821 is housed within the chamber 201.
  • the rinse liquid opening/closing valve 831 is housed in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the rinse liquid supply pipe 821 supplies rinse liquid to the third nozzle 8.
  • the rinse liquid supply pipe 821 is a tubular member that distributes the rinse liquid to the third nozzle 8.
  • the rinse liquid opening/closing valve 831 is disposed in the rinse liquid supply pipe 821.
  • the rinse liquid opening/closing valve 831 can be switched between an open state and a closed state.
  • the control device 101 controls the opening and closing operation of the rinse liquid opening/closing valve 831.
  • the actuator of the rinse liquid opening/closing valve 831 is, for example, a pneumatic actuator or an electric actuator.
  • the control device 101 opens the rinse liquid opening/closing valve 831 when supplying rinse liquid to the substrate W.
  • the rinse liquid opening/closing valve 831 is opened, the rinse liquid flows through the rinse liquid supply pipe 821 toward the third nozzle 8. As a result, the rinse liquid is ejected from the third nozzle 8 toward the substrate W.
  • control device 101 stops the discharge of the rinse liquid from the third nozzle 8, it closes the rinse liquid opening/closing valve 831.
  • the rinse liquid opening/closing valve 831 is closed, the flow of the rinse liquid through the rinse liquid supply pipe 821 stops.
  • the first nozzle moving mechanism 61 moves the first nozzle 6 along a horizontal plane.
  • the operation of the first nozzle moving mechanism 61 is controlled by the control device 101 (control unit 102). More specifically, the first nozzle moving mechanism 61 moves the first nozzle 6 between the first evacuation area and the processing position.
  • the first evacuation area is an area outside the spin chuck 4.
  • the first evacuation area may be an area outside the liquid receiving unit 9.
  • Figure 3 shows the first nozzle 6 moved to the first evacuation area.
  • the processing position of the first nozzle 6 is a position facing the center of the substrate W.
  • the first nozzle 6 exclusively ejects SPM and hydrogen peroxide solution from the processing position toward the substrate W.
  • the first nozzle movement mechanism 61 moves the first nozzle 6 horizontally along an arc-shaped trajectory that passes through the center of the substrate W.
  • the first nozzle movement mechanism 61 may have a first nozzle arm 611, a first nozzle base 612, and a first nozzle movement part 613.
  • the first nozzle base 612 extends vertically.
  • the base end of the first nozzle arm 611 is connected to the first nozzle base 612.
  • the first nozzle arm 611 extends horizontally from the first nozzle base 612.
  • the first nozzle arm 611 supports the first nozzle 6.
  • the first nozzle 6 protrudes vertically downward from the first nozzle arm 611.
  • the first nozzle 6 may be disposed at the tip of the first nozzle arm 611.
  • the first nozzle moving unit 613 rotates the first nozzle base 612 around the second rotation axis AX2 extending in the vertical direction. As a result, the first nozzle 6 moves around the first nozzle base 612 in the circumferential direction around the second rotation axis AX2.
  • the first nozzle moving unit 613 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the first nozzle moving unit 613 may include, for example, a ball screw mechanism and an electric motor that provides a driving force to the ball screw mechanism.
  • the second nozzle moving mechanism 71 moves the second nozzle 7 along a horizontal plane.
  • the operation of the second nozzle moving mechanism 71 is controlled by the control device 101 (control unit 102). More specifically, the second nozzle moving mechanism 71 moves the second nozzle 7 between a position facing the center of the substrate W and the second evacuation area.
  • the second evacuation area is an area outside the spin chuck 4.
  • the second evacuation area may be an area outside the liquid receiving portion 9.
  • Figure 3 shows the second nozzle 7 moved to the second evacuation area.
  • the second nozzle 7 ejects SC1 toward the substrate W while moving between a position facing the center of the substrate W and a position facing the peripheral edge of the substrate W.
  • the second nozzle 7 is a so-called scan nozzle.
  • the second nozzle moving mechanism 71 moves the second nozzle 7 horizontally along an arc-shaped trajectory that passes through the center of the substrate W.
  • the second nozzle moving mechanism 71 may have a second nozzle arm 711, a second nozzle base 712, and a second nozzle moving part 713.
  • the second nozzle moving part 713 rotates the second nozzle base 712 about a third rotation axis AX3 extending in the vertical direction.
  • the second nozzle 7 moves around the second nozzle base 712 in the circumferential direction about the third rotation axis AX3.
  • the configuration of the second nozzle moving mechanism 71 is substantially similar to that of the first nozzle moving mechanism 61, and therefore a description thereof will be omitted.
  • the liquid receiving section 9 receives the processing liquid (SPM, hydrogen peroxide, rinse liquid, and SC1) discharged from the substrate W rotated by the spin motor section 5. As shown in FIG. 2, the liquid receiving section 9 may have a guard 91 and a guard lifting section 94.
  • the guard 91 is approximately cylindrical and surrounds the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the guard 91 receives the processing liquid discharged from the substrate W. More specifically, the guard 91 receives the processing liquid that splashes from the rotating substrate W.
  • the guard 91 may include a cylindrical guide portion 92 and a cylindrical inclined portion 93.
  • the inclined portion 93 extends obliquely upward toward the first rotation axis AX1.
  • the guide portion 92 extends downward from the lower end of the inclined portion 93.
  • the inclined portion 93 includes an annular upper end 9a.
  • the upper end 9a has an inner diameter larger than the substrate W and the spin base 41.
  • the upper end 9a of the inclined portion 93 corresponds to the upper end of the guard 91.
  • the upper end 9a of the inclined portion 93 may be referred to as the upper end 9a of the guard 91.
  • the upper end 9a surrounds the substrate W and the spin base 41 in a plan view.
  • the guard lifting unit 94 raises and lowers the guard 91 between a first lower position shown by a two-dot chain line in FIG. 2 and a first upper position shown by a solid line in FIG. 2.
  • the first lower position indicates a position where the upper end 9a of the guard 91 is positioned below the substrate W.
  • the first upper position indicates a position where the upper end 9a of the guard 91 is positioned above the substrate W.
  • the guard lifting unit 94 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the guard lifting unit 94 may include, for example, a ball screw mechanism and an electric motor that provides a driving force to the ball screw mechanism.
  • control device 101 moves the guard 91 from the first lower position to the first upper position after the substrate W is held by the spin chuck 4.
  • the guard 91 can receive processing liquid splashed from the substrate W.
  • the control device 101 also moves the guard 91 from the first upper position to the first lower position when the substrate W is unloaded from the chamber 201.
  • the substrate W can be transferred between the center robot CR and the spin chuck 4 described with reference to FIG. 1.
  • the exhaust duct 206 exhausts the gas in the chamber 201 to the outside of the chamber 201.
  • the gas in the exhaust duct 206 is constantly sucked in by an exhaust system (not shown) installed in the factory where the substrate processing apparatus 100 is installed.
  • the upstream end of the exhaust duct 206 is located below the spin base 41.
  • the gas inside the guard 91 is sucked to the upstream end of the exhaust duct 206 by the suction force of the exhaust system transmitted through the exhaust duct 206.
  • the gas floating in the space above the guard 91 is sucked to the inside of the upper end 9a of the guard 91 by the suction force transmitted from the exhaust duct 206 to the inside of the guard 91.
  • the gas in the chamber 201 is exhausted to the outside of the chamber 201 through the inside of the guard 91.
  • the gas in the chamber 201 passes near the peripheral portion of the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the substrate heating section 20 heats the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the substrate heating section 20 may have a heating member 21, a lifting shaft 22, a power supply section 23, and a heater lifting section 24.
  • the heating member 21 is approximately disk-shaped and is located between the substrate W held by the chuck member 42 and the spin base 41.
  • a heater is embedded in the heating member 21.
  • the heater includes, for example, a resistor.
  • the power supply unit 23 applies electricity to the heater embedded in the heating member 21 to heat the heating member 21.
  • the power supply unit 23 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the lifting shaft 22 is a generally rod-shaped member that extends generally vertically.
  • the lifting shaft 22 is coupled to the heating member 21.
  • the heater lifting unit 24 raises and lowers the heating member 21 by raising and lowering the lifting shaft 22. Specifically, the heater lifting unit 24 raises and lowers the heating member 21 between the lower surface of the substrate W held by the chuck member 42 and the upper surface of the spin base 41.
  • the heater lifting unit 24 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the heater lifting unit 24 may include, for example, a ball screw mechanism and an electric motor that provides a driving force to the ball screw mechanism.
  • the chamber 201 further has a shutter 207. Also, a loading/unloading port 203a is formed in the side wall 203 of the chamber 201.
  • the shutter 207 is movable between a position where the loading/unloading port 203a is opened and a position where the loading/unloading port 203a is closed. The operation of the shutter 207 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the loading/unloading opening 203a is an opening that communicates between the inside and outside of the chamber 201.
  • the center robot CR described with reference to FIG. 1 loads the substrate W into the lower space 2a of the chamber 201 through the loading/unloading opening 203a when the shutter 207 opens the loading/unloading opening 203a.
  • the center robot CR described with reference to FIG. 1 unloads the substrate W from the inside of the chamber 201 to the outside through the loading/unloading opening 203a when the shutter 207 opens the loading/unloading opening 203a.
  • the control device 101 closes the shutter 207 after the substrate W is transferred from the center robot CR to the spin chuck 4 and the hand of the center robot CR is retracted to the outside of the chamber 201.
  • the substrate processing apparatus 2 further includes a first blowing section 31, a second blowing section 32, a third blowing section 33, and a fourth blowing section 34.
  • the first blowing section 31 is located between the blowing mechanism 3 and the substrate W held by the spin chuck 4, and blows out superheated water steam into the lower space 2a of the chamber 201.
  • the first blowing section 31 is an example of a first superheated water steam blowing section.
  • the blowing out of superheated water steam from the first blowing section 31 is controlled by the control device 101 (control section 102).
  • control section 102 controls the control device 101 (control section 102).
  • the superheated water steam blown out from the first blowing section 31 flows with the air inside the chamber 201 due to the downflow and the suction force from the exhaust duct 206. Therefore, the superheated water steam is drawn to the inside of the upper end 9a of the guard 91. At that time, the superheated water steam passes near the peripheral portion of the substrate W held by the spin chuck 4. As a result, the superheated water steam suppresses a decrease in the temperature of the peripheral portion of the substrate W.
  • the first blowing section 31 is positioned above the first nozzle 6.
  • the first blowing section 31 may be supported by the straightening plate 204.
  • the first blowing section 31 is fixed to the straightening plate 204 via a bracket.
  • the first blowing section 31 is located outside the substrate W held by the spin chuck 4. Therefore, even if water droplets drip from the first blowing section 31, the water droplets are unlikely to fall onto the substrate W.
  • the first blowing section 31 may be positioned so as to overlap with the liquid receiving section 9 in a plan view.
  • the first blowing section 31 blows out superheated steam, for example, when the substrate W is being processed by SPM. That is, the control device 101 (control section 102) causes the first blowing section 31 to blow out superheated steam when SPM is being ejected from the first nozzle 6.
  • substrate processing using SPM may be referred to as "SPM processing.”
  • the SPM is discharged from the first nozzle 6 toward the center of the substrate W. Therefore, the temperature of the peripheral portion of the substrate W, which is far from the center of the substrate W, is more likely to drop than that of the center of the substrate W. Therefore, it is not easy to peel off the resist film adhering to the peripheral portion of the substrate W, and the time for the SPM processing must be set to a relatively long time.
  • the drop in temperature of the peripheral portion of the substrate W can be suppressed by the superheated water vapor, making it easier to peel off the resist film adhering to the peripheral portion of the substrate W. Therefore, the time for the SPM processing can be set to a relatively short time, and the efficiency of resist peeling by SPM can be improved. As a result, the amount of SPM used in substrate processing can be reduced.
  • the superheated water vapor can suppress the diffusion of the chemical atmosphere. Therefore, contamination of the substrate W caused by the chemical atmosphere can be reduced.
  • the downflow causes droplets contained in the superheated water vapor to collide with the chemical components floating in the lower space 2a of the chamber 201, and the chemical components are accelerated downward.
  • the chemical components are drawn to the inside of the upper end 9a of the guard 91 by the suction force transmitted from the exhaust duct 206 to the inside of the guard 91, and are exhausted to the outside of the chamber 201 through the inside of the guard 91 together with the gas in the chamber 201.
  • the first blowing section 31 is disposed above the first nozzle 6. Therefore, compared to a configuration in which the first blowing section 31 is disposed below the first nozzle 6, the diffusion of the chemical liquid atmosphere generated from the first nozzle 6 can be more efficiently suppressed.
  • the superheated steam can be used to apply heat to components around the substrate W, such as the liquid receiving section 9, the spin chuck 4, and the spin motor section 5, thereby increasing the temperature of the components around the substrate W. As a result, it becomes more difficult for the temperature of the substrate W to decrease. This can further improve the efficiency of resist stripping by SPM.
  • the first blowing section 31 is disposed at a position relatively far from the first nozzle 6. Therefore, the superheated steam is less likely to be attracted to the SPM discharged from the first nozzle 6. As a result, the superheated steam is less likely to be unevenly distributed within the lower space 2a, and the superheated steam can efficiently heat the components disposed in the lower space 2a of the chamber 201.
  • superheated steam contains a small amount of moisture. Therefore, when the moisture contained in the superheated steam comes into contact with the SPM and reacts with the SPM, the heat generated can be used to suppress a drop in the temperature of the substrate W.
  • the second blowing section 32 is supported by the liquid receiving section 9 and blows out superheated steam towards the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the second blowing section 32 is an example of a second superheated steam blowing section.
  • the second blowing section 32 is supported by the guard 91.
  • the second blowing section 32 is fixed to the guard 91 via a bracket.
  • the blowing of superheated steam from the second blowing section 32 is controlled by the control device 101 (control section 102).
  • superheated water vapor can be supplied to the substrate W from a position relatively close to the substrate W. This makes it more difficult for the temperature of the substrate W to drop, further improving the efficiency of resist stripping by SPM. In addition, the diffusion of the chemical atmosphere generated from the substrate W can be efficiently suppressed.
  • the second blowing section 32 includes an upper blowing section 32a and a lower blowing section 32b.
  • the upper blowing section 32a blows superheated water steam toward the upper surface of the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the lower blowing section 32b blows superheated water steam toward the lower surface of the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the upper blowing section 32a is an example of an upper superheated water steam blowing section.
  • the lower blowing section 32b is an example of a lower superheated water steam blowing section.
  • the upper blowing section 32a is fixed to the top of the outer peripheral surface of the inclined section 93.
  • the upper blowing section 32a is supported near the upper end 9a of the guard 91.
  • the lower blowing section 32b is fixed to the inner peripheral surface of the guard 91.
  • the lower blowing section 32b may be fixed to the inner peripheral surface of the guide section 92.
  • superheated water vapor can be supplied to both the upper and lower surfaces of the substrate W. This makes it more difficult for the temperature of the substrate W to drop, further improving the efficiency of resist stripping by SPM.
  • superheated water vapor can be supplied to the upper surface of the substrate W from a position relatively close to the substrate W. This makes it possible to efficiently suppress the diffusion of the chemical atmosphere generated from the substrate W.
  • the upper blowing section 32a is disposed at the top of the outer peripheral surface of the inclined section 93, so that gas (including superheated steam) is drawn from the space above the guard 91 to the inside of the upper end 9a of the guard 91 without being obstructed by the upper blowing section 32a.
  • the third blowing section 33 blows out superheated steam toward the inner wall surface of the chamber 201.
  • the third blowing section 33 is an example of a third superheated steam blowing section.
  • the third blowing section 33 blows out superheated steam toward the inner wall surface of the side wall 203.
  • the blowing out of superheated steam from the third blowing section 33 is controlled by the control device 101 (control section 102).
  • the control device 101 controls the third blowing section 33 to blow out superheated steam when cleaning the inside of the chamber 201.
  • a process is performed to dry the inside of the chamber 201.
  • an inert gas such as nitrogen gas is supplied to the inside of the chamber 201 to dry the inside of the chamber 201.
  • the cleaned chamber 201 is used for substrate processing after the inside of the chamber 201 has dried.
  • the cleaning of the inside of the chamber 201 may be performed, for example, every time the substrate processing section 2 processes a predetermined number of substrates W (e.g., 24 substrates). Alternatively, the cleaning of the inside of the chamber 201 may be performed every time a predetermined time has elapsed.
  • the fourth blowing section 34 is located between the blowing mechanism 3 and the substrate W held by the spin chuck 4, and blows water vapor into the lower space 2a of the chamber 201.
  • the fourth blowing section 34 is an example of a water vapor blowing section.
  • the blowing of water vapor from the fourth blowing section 34 is controlled by the control device 101 (control section 102). As already explained, water vapor has a lower temperature than superheated water vapor. Furthermore, water vapor has a higher moisture content and larger droplets than superheated water vapor.
  • the water vapor supplied from the fourth blowing section 34 may be a mist.
  • the fourth blowing section 34 is positioned above the first nozzle 6.
  • the fourth blowing section 34 may be supported by the straightening plate 204.
  • the fourth blowing section 34 is fixed to the straightening plate 204 via a bracket.
  • the fourth blowing section 34 is located outside the substrate W held by the spin chuck 4. Therefore, even if water droplets drip from the fourth blowing section 34, the water droplets are unlikely to fall onto the substrate W.
  • the fourth blowing section 34 may be positioned so as to overlap with the liquid receiving section 9 in a plan view.
  • the fourth blowing section 34 blows out water vapor, for example, when the substrate W is being treated with a rinsing liquid. That is, the control device 101 (control section 102) causes the fourth blowing section 34 to blow out water vapor when a rinsing liquid is being ejected from the third nozzle 8.
  • substrate treatment with a rinsing liquid may be referred to as a "rinsing process.”
  • the water vapor can further suppress the diffusion of the chemical atmosphere.
  • the water vapor droplets are larger than the superheated water vapor droplets. Therefore, the water vapor droplets are more likely to collide with the chemical components than the superheated water vapor. Therefore, the chemical components can be efficiently discharged outside the chamber 201 by the suction force transmitted from the exhaust duct 206 to the inside of the guard 91.
  • a part of the chemical components collided with the water vapor droplets adheres to the liquid film of the rinsing liquid formed on the upper surface of the substrate W and is discharged from the substrate W together with the rinsing liquid.
  • the chemical components are discharged outside the chamber 201 together with the rinsing liquid.
  • the chemical atmosphere is relatively unlikely to be generated.
  • the chemical atmosphere is unlikely to increase. Therefore, by supplying water vapor to the lower space 2a of the chamber 201 during the rinsing process, the diffusion of the chemical atmosphere can be more efficiently suppressed.
  • the upper blowing section 32a As shown in FIG. 3, the upper blowing section 32a is annular and extends along the upper end 9a of the guard 91.
  • the upper blowing section 32a is a tubular member, and superheated water steam flows inside the upper blowing section 32a.
  • At least one blowing port (not shown) is formed on the inner periphery of the upper blowing section 32a.
  • the blowing port is an opening, and the superheated water steam flowing through the upper blowing section 32a is blown out of the blowing port of the upper blowing section 32a towards the top surface of the substrate W.
  • the configuration of the lower blowing section 32b is the same as that of the upper blowing section 32a.
  • the lower blowing section 32b is annular and extends along the inner circumferential surface of the guard 91.
  • the lower blowing section 32b is a tubular member, and superheated water steam flows inside the lower blowing section 32b.
  • At least one blowing port (not shown) is formed on the inner circumferential side of the lower blowing section 32b.
  • the blowing port is an opening, and the superheated water steam flowing through the lower blowing section 32b is blown out of the blowing port of the lower blowing section 32b toward the underside of the substrate W.
  • the upper blowing section 32a since the upper blowing section 32a has a circular ring shape, by forming multiple blowing ports in the upper blowing section 32a, superheated water steam can be supplied to the upper surface of the substrate W from multiple directions. Therefore, a decrease in the temperature of the substrate W can be efficiently suppressed.
  • the number of blowing ports in the upper blowing section 32a may be one.
  • the lower blowing section 32b has a circular ring shape, by forming multiple blowing ports in the lower blowing section 32b, superheated water steam can be supplied to the underside of the substrate W from multiple directions. Therefore, a decrease in the temperature of the substrate W can be efficiently suppressed.
  • the number of blowing ports in the lower blowing section 32b may be one.
  • the configuration of the substrate processing apparatus 100 is simpler than, for example, the case where the upper blowing section 32a is formed by a plurality of nozzles arranged along a circumference, making it easier to manufacture the substrate processing apparatus 100.
  • the configuration of the substrate processing apparatus 100 is simpler than, for example, the case where the lower blowing section 32b is formed by a plurality of nozzles arranged along a circumference, making it easier to manufacture the substrate processing apparatus 100.
  • the upper blowing section 32a may be formed by at least one nozzle.
  • the lower blowing section 32b may be formed by at least one nozzle.
  • FIG. 4 is another cross-sectional view that shows a schematic configuration of the substrate processing section 2 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • FIG. 4 shows the inside of the substrate processing section 2 as viewed from below.
  • the first blowing section 31 is annular.
  • the first blowing section 31 is a tubular member, and superheated steam flows inside the first blowing section 31.
  • At least one blowing outlet (not shown) is formed on the underside of the first blowing section 31.
  • the blowing outlet is an opening, and the superheated steam flowing through the first blowing section 31 is blown out downward from the blowing outlet of the first blowing section 31.
  • the configuration of the fourth blowing section 34 is the same as that of the first blowing section 31. Specifically, the fourth blowing section 34 is annular. The fourth blowing section 34 is a tubular member, and water vapor flows through the interior of the fourth blowing section 34. At least one blowing outlet (not shown) is formed on the underside of the fourth blowing section 34. The blowing outlet is an opening, and water vapor flowing through the fourth blowing section 34 is blown out downward from the blowing outlet of the fourth blowing section 34.
  • the first blowing section 31 is annular, by forming multiple blowing outlets in the first blowing section 31, it is possible to supply superheated steam evenly to the lower space 2a of the chamber 201.
  • the number of blowing outlets in the first blowing section 31 may be one.
  • the fourth blowing section 34 has a circular ring shape, by forming multiple blowing outlets in the fourth blowing section 34, water vapor can be supplied evenly to the lower space 2a of the chamber 201.
  • the number of blowing outlets in the fourth blowing section 34 may be one.
  • the configuration of the substrate processing apparatus 100 is simpler than, for example, the first blowing section 31 being formed from multiple nozzles, making it easier to manufacture the substrate processing apparatus 100.
  • the configuration of the substrate processing apparatus 100 is simpler than, for example, the fourth blowing section 34 being formed from multiple nozzles, making it easier to manufacture the substrate processing apparatus 100.
  • the first blowing section 31 may be formed from at least one nozzle.
  • the fourth blowing section 34 may be formed from at least one nozzle.
  • the fourth blowing section 34 is disposed inside the first blowing section 31, but the fourth blowing section 34 may be disposed outside the first blowing section 31.
  • the first blowing section 31 and the fourth blowing section 34 are each configured with a plurality of nozzles, for example, the nozzles of the first blowing section 31 and the nozzles of the fourth blowing section 34 may be disposed alternately along the circumference.
  • the third blowing section 33 extends along the side wall 203 of the chamber 201.
  • the third blowing section 33 is a tubular member, and the superheated steam flows through the inside of the third blowing section 33.
  • At least one blowing outlet (not shown) is formed in the third blowing section 33.
  • the blowing outlet is an opening. Specifically, the blowing outlet of the third blowing section 33 opens toward the inner surface of the side wall 203. The superheated steam flowing through the third blowing section 33 is blown out from the blowing outlet of the third blowing section 33 toward the side wall 203 of the chamber 201.
  • the third blowing section 33 extends along the side wall 203 of the chamber 201, by forming multiple blowing outlets in the third blowing section 33, it is possible to supply superheated steam evenly to the inner surface of the side wall 203.
  • the number of blowing outlets in the third blowing section 33 may be one.
  • the configuration of the substrate processing apparatus 100 is simplified compared to, for example, a case in which the third blowing section 33 is configured by a plurality of nozzles arranged along the side wall 203 of the chamber 201, and the substrate processing apparatus 100 is easily manufactured.
  • the third blowing section 33 may be configured by at least one nozzle.
  • FIG. 5 is a diagram showing the configuration of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 further includes a water vapor supply section 300.
  • the water vapor supply section 300 supplies superheated water vapor to the first blowing section 31 and the third blowing section 33.
  • the water vapor supply section 300 also supplies water vapor to the fourth blowing section 34.
  • the water vapor supply section 300 supplies superheated water vapor to the second blowing section 32 (upper blowing section 32a and lower blowing section 32b).
  • the water vapor supply unit 300 has a water vapor generation unit 300A, a first water vapor pipe 311, a first superheated steam valve 312, a first flow control valve 313, and a superheated steam generation heater 303.
  • the water vapor supply unit 300 further has a second water vapor pipe 321 and a second superheated steam valve 322.
  • the water vapor supply unit 300 further has a third water vapor pipe 331, a third superheated steam valve 332, a fourth water vapor pipe 341, a water vapor valve 342, and a second flow control valve 343.
  • the water vapor generating section 300A is housed in the fluid cabinet 10A described with reference to FIG. 1.
  • the first superheated steam valve 312, the first flow control valve 313, the superheated steam generating heater 303, the second superheated steam valve 322, the third superheated steam valve 332, the water vapor valve 342, and the second flow control valve 343 are housed in the fluid box 10B described with reference to FIG. 1.
  • the first water vapor pipe 311, the second water vapor pipe 321, the third water vapor pipe 331, and a portion of the fourth water vapor pipe 341 are housed in the chamber 201.
  • the water vapor generating unit 300A generates water vapor. As shown in FIG. 4, the water vapor generated from the water vapor generating unit 300A flows into the first water vapor pipe 311 and the fourth water vapor pipe 341. Specifically, the water vapor generating unit 300A has a storage unit 301 and a water vapor generation heater 302. The storage unit 301 stores pure water. The water vapor generation heater 302 heats the pure water stored in the storage unit 301 to generate water vapor. One end of the first water vapor pipe 311 and one end of the fourth water vapor pipe 341 are connected to the storage unit 301. The operation of the water vapor generation heater 302 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the other end of the first steam pipe 311 is connected to the first blowing section 31.
  • the first steam pipe 311 is provided with a first superheated steam valve 312, a first flow control valve 313, and a superheated steam generating heater 303.
  • the first steam pipe 311 is a tubular member through which steam and superheated steam flow.
  • the superheated steam generation heater 303 heats the steam that flows from the storage section 301 into the first steam pipe 311 to generate superheated steam.
  • the superheated steam flows through the first steam pipe 311 and flows into the first blowing section 31.
  • the first superheated steam valve 312 is an opening/closing valve that can be switched between an open state and a closed state.
  • the control device 101 controls the opening/closing operation of the first superheated steam valve 312.
  • the actuator of the first superheated steam valve 312 is, for example, a pneumatic actuator or an electric actuator.
  • the first flow control valve 313 controls the flow rate of superheated steam flowing through the first steam pipe 311. Specifically, the opening degree of the first flow control valve 313 can be controlled, and the flow rate of superheated steam flowing through the first steam pipe 311 corresponds to the opening degree of the first flow control valve 313.
  • the actuator of the first flow control valve 313 is, for example, an electric actuator.
  • the first flow control valve 313 may be, for example, a motor needle valve.
  • the opening degree of the first flow control valve 313 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • one end of the second water vapor pipe 321 is connected to the first water vapor pipe 311 downstream of the superheated steam generation heater 303.
  • the other end of the second water vapor pipe 321 is connected to the second blowing section 32.
  • the second water vapor pipe 321 is a tubular member, and superheated water vapor flows from the first water vapor pipe 311 into the second water vapor pipe 321.
  • the superheated water vapor flows through the second water vapor pipe 321 and flows into the second blowing section 32.
  • the second superheated steam valve 322 is interposed in the second steam pipe 321.
  • the second superheated steam valve 322 is an opening/closing valve that can be switched between an open state and a closed state.
  • the control device 101 controls the opening and closing operation of the second superheated steam valve 322.
  • the actuator of the second superheated steam valve 322 is, for example, an air actuator or an electric actuator.
  • the second steam pipe 321 includes a first pipe 321a and a second pipe 321b.
  • the second superheated steam valve 322 includes a first valve 322a and a second valve 322b.
  • One end of the first pipe 321a of the second water vapor pipe 321 is connected to the first water vapor pipe 311 downstream of the superheated steam generation heater 303.
  • the other end of the first pipe 321a of the second water vapor pipe 321 is connected to the upper blowing section 32a.
  • the superheated water vapor that flows from the first water vapor pipe 311 into the first pipe 321a of the second water vapor pipe 321 flows through the first pipe 321a of the second water vapor pipe 321 and flows into the upper blowing section 32a.
  • the first valve 322a is interposed in the first pipe 321a of the second steam pipe 321.
  • first valve 322a When the first valve 322a is opened, superheated steam flows through the first pipe 321a of the second steam pipe 321 to the upper blowing section 32a, and the superheated steam is supplied to the upper blowing section 32a.
  • the first valve 322a When the first valve 322a is closed, the supply of superheated steam to the upper blowing section 32a is stopped.
  • One end of the second pipe 321b of the second water vapor pipe 321 is connected to the first pipe 321a of the second water vapor pipe 321 upstream of the first valve 322a.
  • the other end of the second pipe 321b of the second water vapor pipe 321 is connected to the lower blowing section 32b.
  • the superheated water vapor that flows from the first pipe 321a of the second water vapor pipe 321 to the second pipe 321b of the second water vapor pipe 321 flows through the second pipe 321b of the second water vapor pipe 321 and flows into the lower blowing section 32b.
  • the second valve 322b is interposed in the second pipe 321b of the second steam pipe 321.
  • the second valve 322b is opened, superheated steam flows through the second pipe 321b of the second steam pipe 321 to the lower blowing section 32b, and the superheated steam is supplied to the lower blowing section 32b.
  • the second valve 322b is closed, the supply of superheated steam to the lower blowing section 32b is stopped.
  • one end of the third water vapor pipe 331 is connected to the first water vapor pipe 311 downstream of the superheated steam generation heater 303.
  • the other end of the third water vapor pipe 331 is connected to the third blowing section 33.
  • the third water vapor pipe 331 is a tubular member, and superheated water vapor flows from the first water vapor pipe 311 into the third water vapor pipe 331.
  • the superheated water vapor flows through the third water vapor pipe 331 and flows into the third blowing section 33.
  • the third superheated steam valve 332 is interposed in the third steam pipe 331.
  • the third superheated steam valve 332 is an opening/closing valve that can be switched between an open state and a closed state.
  • the control device 101 controls the opening/closing operation of the third superheated steam valve 332.
  • the actuator of the third superheated steam valve 332 is, for example, an air actuator or an electric actuator.
  • the other end of the fourth steam pipe 341 is connected to the fourth blowing section 34.
  • a steam valve 342 and a second flow control valve 343 are interposed in the fourth steam pipe 341.
  • the fourth water vapor pipe 341 is a tubular member through which water vapor flows. Water vapor that flows from the storage section 301 into the fourth water vapor pipe 341 flows through the fourth water vapor pipe 341 and flows into the fourth blowing section 34.
  • the water vapor valve 342 is an opening/closing valve that can be switched between an open state and a closed state.
  • the control device 101 controls the opening and closing operation of the water vapor valve 342.
  • the actuator of the water vapor valve 342 is, for example, a pneumatic actuator or an electric actuator.
  • the second flow control valve 343 controls the flow rate of water vapor flowing through the fourth water vapor pipe 341. Specifically, the opening degree of the second flow control valve 343 can be controlled, and the flow rate of water vapor flowing through the fourth water vapor pipe 341 is a value that corresponds to the opening degree of the second flow control valve 343.
  • the actuator of the second flow control valve 343 is, for example, an electric actuator.
  • the second flow control valve 343 may be, for example, a motor needle valve.
  • the opening degree of the second flow control valve 343 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • FIG. 6 is a diagram showing the configuration of the first chemical liquid supply unit 62 included in the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • the first chemical liquid supply unit 62 may further include a heater 643 in addition to the first chemical liquid supply pipe 621, the first component opening and closing valve 631, and the second component opening and closing valve 632 described with reference to FIG. 2.
  • the heater 643 is interposed in the first pipe 621a of the first chemical liquid supply pipe 621.
  • the heater 643 is interposed in the first pipe 621a of the first chemical liquid supply pipe 621 upstream of the first component opening and closing valve 631.
  • the heater 643 heats the sulfuric acid flowing through the first pipe 621a of the first chemical liquid supply pipe 621.
  • FIG. 7 is a flowchart showing the substrate processing method of this embodiment.
  • Figure 7 shows the flow of processing by the control device 101 (control unit 102).
  • the substrate processing method of this embodiment includes steps S1 to S6.
  • the control device 101 controls the blower mechanism 3 to blow air into the chamber 201. Therefore, a downflow is generated in the lower space 2a of the chamber 201.
  • control device 101 controls the center robot CR to load the substrate W into the lower space 2a of the chamber 201 (step S1).
  • the control device 101 controls the spin chuck 4 to hold the substrate W loaded by the center robot CR (step S2).
  • the spin chuck 4 holds the substrate W in the chamber 201.
  • the control device 101 controls the substrate processing unit 2 to perform substrate processing (step S3). Specifically, the control device 101 (controller 102) controls the substrate processing unit 2 to supply SPM, hydrogen peroxide, rinsing liquid, and SC1 to the substrate W in the following order: SPM, hydrogen peroxide, rinsing liquid, SC1, rinsing liquid.
  • control device 101 causes the substrate processing unit 2 to execute steam processing in parallel with the substrate processing (step S4).
  • control device 101 causes the first blowing unit 31 to blow superheated steam into the lower space 2a of the chamber 201 while air is being blown into the chamber 201 by the blowing mechanism 3.
  • control device 101 causes the first blowing unit 31 to blow superheated steam during SPM processing.
  • control device 101 controls the spin chuck 4 to release its hold on the substrate W (step S5).
  • control device 101 controls the center robot CR to remove the substrate W from the chamber 201 (step S6). As a result, the process shown in FIG. 7 is completed.
  • FIG. 8 is a flow chart showing the substrate processing (step S3) and water vapor processing (step S4) included in the substrate processing method of this embodiment.
  • FIG. 9 is a diagram showing the substrate processing section 2 during pre-heating.
  • FIG. 10 is a diagram showing the substrate processing section 2 during SPM processing.
  • FIG. 11 is a diagram showing the substrate processing section 2 during puddle processing.
  • FIG. 12 is a diagram showing the substrate processing section 2 when processing a substrate W with hydrogen peroxide solution.
  • FIG. 13 is a diagram showing the substrate processing section 2 during rinsing processing.
  • FIG. 14 is a diagram showing the substrate processing section 2 when processing a substrate W with SC1.
  • FIG. 15 is a diagram showing the substrate processing section 2 during drying processing.
  • control device 101 controls the substrate heating unit 20 to heat the substrate W (step S31).
  • the temperature of the substrate W is raised before the SPM processing is performed.
  • the efficiency of resist film stripping by SPM is improved.
  • control device 101 controls the power supply unit 23 to energize the heater embedded in the heating member 21. As a result, the heating member 21 is heated.
  • the control device 101 also controls the heater lift unit 24 to lift the heating member 21 from the second lower position to the second upper position.
  • the second lower position is a position where the heating member 21 is close to the upper surface of the spin base 41.
  • the second lower position may be a position where the heating member 21 is in contact with the upper surface of the spin base 41.
  • the second upper position is a position where the heating member 21 is close to the lower surface of the substrate W.
  • the control device 101 (control unit 102) preheats the substrate W for a predetermined time, and then controls the spin motor unit 5 to start rotation of the substrate W held by the spin chuck 4 (see FIG. 10).
  • the control device 101 also controls the first nozzle moving mechanism 61 to move the first nozzle 6 to the processing position. More specifically, the first nozzle 6 moves to a position opposite the center of the substrate W (see FIG. 10).
  • the control device 101 controls the first chemical liquid supply unit 62 to eject SPM from the first nozzle 6 toward the rotating substrate W (step S32).
  • SPM is supplied to the upper surface of the rotating substrate W, and a liquid film of SPM is formed on the upper surface of the substrate W.
  • the control device 101 controls the rotation speed of the substrate W when ejecting SPM to form a liquid film of SPM on the upper surface of the substrate W.
  • control device 101 performs a first superheated steam treatment when discharging the SPM (step S41). Specifically, as shown in FIG. 10, the control device 101 (control unit 102) controls the steam supply unit 300 described with reference to FIG. 4 and FIG. 5 to blow out superheated steam from the first blowing unit 31. As a result, as already described, it is possible to improve the efficiency of resist stripping by the SPM. In addition, the superheated steam can suppress the diffusion of the chemical atmosphere.
  • the timing at which the first blowing section 31 starts blowing out superheated steam may be before the start of the ejection of SPM, or may be the same timing as the start of the ejection of SPM. Alternatively, the timing at which the first blowing section 31 starts blowing out superheated steam may be after the start of the ejection of SPM.
  • the control device 101 (control section 102) may cause the first blowing section 31 to blow out superheated steam continuously or intermittently.
  • the control device 101 may cause the first blowing unit 31 to blow superheated steam only before the ejection of SPM starts, or may cause the first blowing unit 31 to blow superheated steam only when the ejection of SPM starts.
  • the control device 101 may cause the first blowing unit 31 to blow superheated steam for a period between the start and end of ejection of SPM, which is shorter than the period between the start and end of ejection of SPM.
  • control device 101 may control the heater lifting unit 24 to lower the heating member 21 from the second upper position to the second lower position before starting to eject the SPM.
  • the control device 101 controls the first chemical liquid supply unit 62 to stop ejection of SPM. Then, the control device 101 (control unit 102) controls the rotation speed of the substrate W by the spin motor unit 5 to form a paddle state in which a liquid film of SPM is supported on the upper surface of the substrate W (step S33). For example, the control device 101 (control unit 102) may stop the rotation of the substrate W to form the paddle state (see FIG. 11). Alternatively, the control device 101 (control unit 102) may rotate the substrate W at a low speed to form the paddle state. By forming the paddle state, the efficiency of resist stripping by SPM can be improved.
  • the control device 101 performs the second superheated steam treatment when the puddle state is formed (during the puddle treatment) (step S42). Specifically, as shown in FIG. 11, the control device 101 (control unit 102) controls the steam supply unit 300 described with reference to FIG. 4 and FIG. 5 to blow superheated steam from the first blowing unit 31 and to blow superheated steam from the second blowing unit 32 (upper blowing unit 32a and lower blowing unit 32b). In other words, while continuing to supply superheated steam from the first blowing unit 31, the second blowing unit 32 blows superheated steam toward the substrate W held by the spin chuck 4. This improves the efficiency of resist stripping by SPM, as already described. Furthermore, the superheated steam can suppress the diffusion of the chemical atmosphere.
  • control device 101 may control the heater lifting unit 24 to raise the heating member 21 from the second lower position to the second upper position, thereby heating the substrate W with the heating member 21.
  • control device 101 controls the spin motor unit 5 to start rotating the substrate W held by the spin chuck 4 (see FIG. 12).
  • the control device 101 controls the spin motor unit 5 to increase the rotation speed of the substrate W.
  • the control device 101 controls the first chemical liquid supply unit 62 to eject hydrogen peroxide solution from the first nozzle 6 toward the rotating substrate W (step S34).
  • hydrogen peroxide solution is supplied to the upper surface of the rotating substrate W, and a liquid film of hydrogen peroxide solution is formed on the upper surface of the substrate W.
  • the control device 101 controls the rotation speed of the substrate W when ejecting the hydrogen peroxide solution, to form a liquid film of hydrogen peroxide solution on the upper surface of the substrate W.
  • the hydrogen peroxide solution expels SPM from the upper surface of the substrate W, and the liquid film of SPM is replaced with a liquid film of hydrogen peroxide solution.
  • the control device 101 performs the third superheated steam treatment when discharging the hydrogen peroxide solution (step S43). Specifically, as shown in FIG. 12, the control device 101 (control unit 102) controls the steam supply unit 300 described with reference to FIG. 4 and FIG. 5 to stop the supply of superheated steam from the second blowing unit 32 (upper blowing unit 32a and lower blowing unit 32b) and reduce the flow rate of superheated steam blown out from the first blowing unit 31.
  • control device 101 blows superheated water steam from the first blowing unit 31 at a first flow rate during SPM processing and paddle processing, and blows superheated water steam from the first blowing unit 31 at a second flow rate that is smaller than the first flow rate when hydrogen peroxide is discharged.
  • the control device 101 adjusts the flow rate of the superheated water steam by controlling the first flow control valve 313 shown in FIG. 4.
  • control device 101 may heat the substrate W using the heating member 21 when discharging the hydrogen peroxide solution.
  • Hydrogen peroxide has the potential to oxidize the substrate W.
  • the higher the temperature of the hydrogen peroxide the more easily the substrate W is oxidized.
  • the higher the temperature of the substrate W the more easily the substrate W is oxidized.
  • the amount of superheated water steam supplied to the lower space 2a of the chamber 201 when the hydrogen peroxide is ejected can be reduced.
  • the increase in temperature of the hydrogen peroxide due to the superheated water steam is suppressed, and the temperature of the substrate W is more likely to decrease, so that oxidation of the substrate W due to the hydrogen peroxide can be suppressed.
  • the diffusion of fumes can be suppressed by supplying superheated water vapor when hydrogen peroxide is ejected.
  • control device 101 controls the first chemical liquid supply unit 62 to stop the discharge of hydrogen peroxide solution.
  • the control device 101 also controls the first nozzle movement mechanism 61 to retract the first nozzle 6 to the first retraction area.
  • the control device 101 After retracting the first nozzle 6 to the first retraction area, the control device 101 (control unit 102) rotates the substrate W held by the spin chuck 4 and controls the rinse liquid supply unit 82 to eject rinse liquid from the third nozzle 8 toward the rotating substrate W (step S35). As a result, as shown in FIG. 13, rinse liquid is supplied to the upper surface of the rotating substrate W, and a liquid film of rinse liquid is formed on the upper surface of the substrate W. In other words, the control device 101 (control unit 102) controls the rotation speed of the substrate W when ejecting the rinse liquid, to form a liquid film of rinse liquid on the upper surface of the substrate W. In more detail, the hydrogen peroxide solution is discharged from the upper surface of the substrate W by the rinse liquid, and the liquid film of hydrogen peroxide solution is replaced with a liquid film of rinse liquid.
  • the control device 101 supplies water vapor to the lower space 2a of the chamber 201 while the air blowing mechanism 3 is blowing air into the lower space 2a of the chamber 201 when the rinsing liquid is being discharged (step S44). Specifically, as shown in FIG. 13, the control device 101 (control unit 102) controls the water vapor supply unit 300 described with reference to FIGS. 4 and 5 to blow water vapor from the fourth blowing unit 34. When supplying superheated water vapor from the first blowing unit 31 when discharging hydrogen peroxide solution (step S34), the control device 101 (control unit 102) controls the water vapor supply unit 300 described with reference to FIGS. 4 and 5 to stop the supply of superheated water vapor from the first blowing unit 31 when discharging the rinsing liquid.
  • control device 101 may control the heater lifting unit 24 to lower the heating member 21 from the second upper position to the second lower position before starting to eject the rinsing liquid. This makes it difficult for the rinsing liquid to evaporate from the upper surface of the substrate W.
  • control device 101 controls the rinsing liquid supply unit 82 to stop the discharge of the rinsing liquid.
  • the control device 101 controls the second nozzle moving mechanism 71 to move the second nozzle 7 from the second evacuation area to a position facing the center of the substrate W.
  • control device 101 controls the second chemical liquid supply unit 72 and the second nozzle movement mechanism 71 to perform a half scan process while rotating the substrate W held by the spin chuck 4. Specifically, while moving the second nozzle 7 from a position facing the center of the substrate W to a position facing the peripheral edge of the substrate W, SC1 is ejected from the second nozzle 7 toward the rotating substrate W (step S36). As a result, the rinsing liquid is discharged from the top surface of the substrate W by the SC1, and the substrate W is processed by the SC1.
  • the control device 101 performs the fourth superheated steam process when SC1 is discharged (step S45). Specifically, as shown in FIG. 14, the control device 101 (control unit 102) controls the steam supply unit 300 described with reference to FIG. 4 and FIG. 5 to blow out superheated steam from the first blowing unit 31.
  • the central region of the substrate W becomes easily dried while the second nozzle 7 moves from a position facing the center of the substrate W to a position facing the peripheral portion of the substrate W.
  • the peripheral portion of the substrate W becomes easily dried while the second nozzle 7 moves from a position facing the peripheral portion of the substrate W to a position facing the center of the substrate W.
  • the humidity in the lower space 2a can be kept high. Therefore, the substrate W becomes less likely to dry when SC1 is ejected.
  • the heating member 21 is positioned at the second lower position when SC1 is ejected. Therefore, drying of the substrate W can be further suppressed.
  • control device 101 may control the blower mechanism 3 to weaken the wind speed of the downflow. By weakening the wind speed of the downflow, the substrate W becomes less likely to dry.
  • control device 101 controls the second chemical liquid supply unit 72 to stop the discharge of SC1.
  • the control device 101 also controls the second nozzle movement mechanism 71 to retract the second nozzle 7 to the second retraction area.
  • control device 101 retracts the second nozzle 7 to the second retraction area, and then, similar to step S35, causes the third nozzle 8 to eject the rinsing liquid toward the rotating substrate W (step S37).
  • the SC1 is discharged from the top surface of the substrate W by the rinsing liquid, and a liquid film of the rinsing liquid is formed on the top surface of the substrate W.
  • control device 101 supplies water vapor to the lower space 2a of the chamber 201 when the rinsing liquid is being ejected, similar to step S44 (step S46).
  • control device 101 controls the water vapor supply unit 300 described with reference to Figures 4 and 5 to stop the supply of superheated water vapor from the first blowing unit 31 when the rinsing liquid is being ejected.
  • the chemical atmosphere can be reduced by supplying water vapor when the rinsing liquid is discharged. Furthermore, the temperature of the rinsing liquid can be increased by the water vapor.
  • control device 101 controls the blower mechanism 3 to restore the downflow wind speed when the rinsing liquid is discharged.
  • control device 101 controls the rinsing liquid supply unit 82 to stop the discharge of the rinsing liquid.
  • the control device 101 controls the rotation speed of the substrate W by the spin motor unit 5 to perform a drying process to remove the rinsing liquid from the upper surface of the substrate W and dry the upper surface of the substrate W (step S38). As a result, the process shown in FIG. 8 is completed.
  • control device 101 controls the spin motor unit 5 to rotate the substrate W at high speed. By rotating the substrate W at high speed, the rinsing liquid adhering to the substrate W is shaken off and the substrate W is dried. Also, as shown in FIG. 15, during the drying process, the control device 101 (control unit 102) controls the water vapor supply unit 300 described with reference to FIG. 4 and FIG. 5 to stop blowing water vapor from the fourth blowing unit 34.
  • water vapor and superheated steam are not supplied to the lower space 2a of the chamber 201 during the drying process, so the humidity in the chamber 201 can be reduced compared to when water vapor or superheated steam is supplied. Therefore, the substrate W can be dried efficiently.
  • step S37 when the rinsing liquid is discharged (step S37), water vapor is supplied to raise the temperature of the rinsing liquid. As a result, the rinsing liquid is more easily evaporated during the drying process, and the substrate W can be dried efficiently.
  • Figure 16 is a schematic diagram showing the substrate processing unit 2 when cleaning the inside of the chamber 201.
  • the chamber cleaning method of this embodiment includes a process of cleaning the inside of the chamber 201.
  • the control device 101 controls the water vapor supply unit 300 described with reference to FIG. 4 and FIG. 5 to blow water vapor from the fourth blowing unit 34 into the lower space 2a of the chamber 201, and to blow superheated water vapor from the third blowing unit 33 toward the inner wall surface of the side wall 203.
  • the flow rate of water vapor supplied from the fourth blowing section 34 when cleaning the inside of the chamber 201 may be greater than the flow rate of water vapor supplied from the fourth blowing section 34 during the rinsing process (steps S35 and S37 in FIG. 8).
  • the control device 101 adjusts the flow rate of water vapor by controlling the second flow control valve 343 shown in FIG. 4.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view that shows a schematic configuration of the substrate processing section 2 included in the modified example of the substrate processing apparatus 100 of this embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 may include a blocking unit 400.
  • the blocking unit 400 may include a disk-shaped blocking plate 401, a support shaft 402, a support arm 403, and a lifting unit 404.
  • the blocking plate 401 is disposed between the straightening plate 204 and the spin chuck 4. Therefore, the blocking plate 401 is disposed above the substrate W held by the spin chuck 4 and faces the substrate W held by the spin chuck 4.
  • the diameter of the blocking plate 401 is larger than the diameter of the substrate W.
  • the blocking plate 401 is supported in a horizontal position by a support shaft 402.
  • the support shaft 402 may extend, for example, in a substantially vertical direction.
  • the support shaft 402 is supported by a support arm 403.
  • the support arm 403 extends horizontally above the blocking plate 401.
  • the lifting unit 404 of the blocking unit 400 moves the support arm 403 vertically. That is, the lifting unit 404 of the blocking unit 400 raises and lowers the support arm 403.
  • the lifting and lowering of the support arm 403 raises and lowers the blocking plate 401.
  • the lifting and lowering unit 404 of the blocking unit 400 is controlled by the control device 101 (control unit 102).
  • the lifting and lowering unit 404 may include, for example, a ball screw mechanism and an electric motor that provides driving force to the ball screw mechanism. Specifically, the lifting and lowering unit 404 of the blocking unit 400 raises and lowers the blocking plate 401 between the third upper position and the third lower position.
  • control device 101 may place the blocking plate 401 in the third lower position, for example, during drying processing of the substrate W (step S38 in FIG. 8).
  • control device 101 may place the blocking plate 401 in the third upper position, for example, from the SPM process (step S32 in FIG. 8) to the rinsing process (step S37 in FIG. 8) before the drying process (step S38 in FIG. 8).
  • the substrate processing apparatus 100 is equipped with a blocking section 400, it is preferable that the diameters of the first blowing section 31 and the fourth blowing section 34 are larger than the diameter of the blocking plate 401.
  • FIG. 1 to 17 The above describes embodiments of the present invention with reference to the drawings (FIGS. 1 to 17).
  • the present invention is not limited to the above embodiments, and can be implemented in various aspects without departing from the gist of the present invention.
  • the multiple components disclosed in the above embodiments can be modified as appropriate. For example, a certain component among all the components shown in one embodiment may be added to a component of another embodiment, or some of all the components shown in one embodiment may be deleted from the embodiment.
  • the spin chuck 4 is a clamping type chuck in which multiple chuck members 42 contact the peripheral edge surface of the substrate W, but the method of holding the substrate W is not particularly limited as long as it can hold the substrate W horizontally.
  • the spin chuck 4 may be a vacuum type chuck or a Bernoulli type chuck.
  • control device 101 reduces the flow rate of superheated steam blown out from the first blowing unit 31 when discharging hydrogen peroxide, but the control device 101 (control unit 102) may stop the blowing of superheated steam from the first blowing unit 31 when discharging hydrogen peroxide.
  • the substrate heating unit 20 heats the substrate W with a heater, but the material used by the substrate heating unit 20 to heat the substrate W is not particularly limited as long as it is a material capable of heating the substrate W.
  • the substrate heating unit 20 may heat the substrate W by laser irradiation or light irradiation.
  • the substrate processing apparatus 100 is provided with a substrate heating unit 20, but the substrate heating unit 20 may be omitted.
  • pre-heating may be performed by blowing out superheated steam from the second blowing unit 32.
  • water vapor is supplied when the rinsing liquid is ejected, but the supply of water vapor when the rinsing liquid is ejected may be omitted.
  • the first blowing section 31 is annular, but the shape of the first blowing section 31 is not particularly limited.
  • the first blowing section 31 may be rectangular, annular, or serpentine.
  • the shape of the arrangement of the multiple nozzles is not particularly limited.
  • the fourth blowing section 34 was annular, but the shape of the fourth blowing section 34 is not particularly limited. Similarly, when the fourth blowing section 34 is formed by multiple nozzles, the shape of the arrangement of the multiple nozzles is not particularly limited.
  • paddle processing is performed, but paddle processing may be omitted.
  • the second blowing section 32 includes an upper blowing section 32a and a lower blowing section 32b, but the second blowing section 32 may include only one of the upper blowing section 32a and the lower blowing section 32b.
  • the substrate processing apparatus 100 includes the fourth blowing section 34, but the fourth blowing section 34 may be omitted.
  • the superheated steam generating heater 303 may be controlled to supply superheated steam and water vapor exclusively from the first blowing section 31.
  • the first blowing section 31 is disposed below the straightening plate 204, but the first blowing section 31 may be disposed above the straightening plate 204. That is, the first blowing section 31 may be disposed in the upper space 2b. In this case, the first blowing section 31 is disposed in a position where it can blow superheated steam into the lower space 2a through the through hole 204a of the straightening plate 204.
  • the third blowing section 33 and the fourth blowing section 34 may also be disposed above the straightening plate 204.
  • water vapor is supplied when cleaning the inside of the chamber 201, but superheated water vapor may be supplied when cleaning the inside of the chamber 201.
  • superheated water vapor By raising the temperature of the components placed inside the chamber 201 with the superheated water vapor, it becomes easier to clean the components placed inside the chamber 201.
  • the present invention is useful for substrate processing devices and has industrial applicability.
  • Substrate processing unit 3 Blowing mechanism 4: Spin chuck 5: Spin motor unit 6: First nozzle 7: Second nozzle 8: Third nozzle 9: Liquid receiving unit 31: First blowing unit 32: Second blowing unit 32a: Upper blowing unit 32b: Lower blowing unit 33: Third blowing unit 34: Fourth blowing unit 62: First chemical liquid supply unit 72: Second chemical liquid supply unit 82: Rinse liquid supply unit 100: Substrate processing apparatus 101: Control device 102: Control unit 103: Memory unit 201: Chamber 203: Side wall 300: Water vapor supply unit W: Substrate

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Abstract

基板処理装置（１００）は、チャンバー（２０１）と、送風機構（３）と、基板保持部（４）と、基板回転部（５）と、第１混合液吐出部（６）と、第１過熱水蒸気吹出部（３１）とを備える。チャンバー（２０１）において、基板処理が行われる。送風機構（３）は、チャンバー（２０１）内に空気を送風する。基板保持部（４）は、チャンバー（２０１）内において基板（Ｗ）を保持する。基板回転部（５）は、基板保持部（４）に保持された基板（Ｗ）を回転させる。第１混合液吐出部（６）は、基板回転部（５）によって回転される基板（Ｗ）に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液（ＳＰＭ）を吐出する。第１過熱水蒸気吹出部（３１）は、送風機構（３）と基板保持部（４）に保持された基板（Ｗ）との間に位置する。第１過熱水蒸気吹出部（３１）は、チャンバー（２０１）内に過熱水蒸気を吹き出す。

Description

基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法
　本発明は、基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法に関する。
　ノズルから基板に向けて薬液を吐出して基板を処理する枚葉式の基板処理装置が知られている。ノズルから薬液が吐出されると、薬液成分を含む薬液雰囲気が基板の近くで発生する。チャックピンやカップに薬液が衝突したときにも、薬液雰囲気が基板の近くで発生する。特に、１００℃以上のＳＰＭ（硫酸過酸化水素混合液）がノズルから吐出される場合には、ＳＰＭに含まれる水の蒸発により、ＳＰＭの液滴やミストがノズルから噴出する。ＳＰＭとレジストとの反応により基板からヒューム（煙のような気体）が発生する場合もある。
　殆どの薬液雰囲気は、チャンバー内に形成されたクリーンエアーのダウンフローや排気設備の吸引力によって、カップ内に送り込まれる。しかしながら、一部の薬液雰囲気が、カップの外の空間に拡散し、乾燥後の基板に付着する場合がある。また、一部の薬液雰囲気が、基板の上方に配置された部材やチャンバーの内壁面に付着する場合もある。この結果、基板が汚染されるおそれがある。
　特許文献１には、チャンバー内に水を噴霧してチャンバー内にミストを発生させ、ミストに含まれる水の粒子と、薬液雰囲気に含まれる薬液の粒子とを結合させる基板処理装置が開示されている。水の粒子と薬液の粒子とが結合することで、薬液の粒子が浮遊し難くなり、その結果、薬液雰囲気の拡散が抑制される。
特開２０１６－１２６２９号公報
　しかしながら、チャンバー内にミストを発生させた場合、ミストに含まれる水分によって基板の温度が低下して、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率が低下する可能性がある。したがって、薬液雰囲気に起因する基板の汚染を低減させる技術には、更なる改良の余地がある。
　本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、薬液雰囲気に起因する基板の汚染を低減させることができる基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法を提供することにある。
　本発明の一局面によれば、基板処理装置は、チャンバーと、送風機構と、基板保持部と、基板回転部と、第１混合液吐出部と、第１過熱水蒸気吹出部とを備える。前記チャンバーにおいて、基板処理が行われる。前記送風機構は、前記チャンバー内に空気を送風する。前記基板保持部は、前記チャンバー内において基板を保持する。前記基板回転部は、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる。前記第１混合液吐出部は、前記チャンバー内に位置する。前記第１混合液吐出部は、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する。前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する。前記第１過熱水蒸気吹出部は、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出す。
　ある実施形態において、上記の基板処理装置は、制御部を更に備える。前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記第１混合液の吐出と、前記第１過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを制御する。前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理装置は、液受け部と、第２過熱水蒸気吹出部とを更に備える。前記液受け部は、前記基板回転部によって回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める。前記第２過熱水蒸気吹出部は、前記液受け部に支持される。前記第２過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。
　ある実施形態において、前記制御部は、前記第２過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しと、前記基板回転部による前記基板の回転とを更に制御する。前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させる。前記制御部は、前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成する。前記制御部は、前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部及び前記第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
　ある実施形態において、前記第２過熱水蒸気吹出部は、上側過熱水蒸気吹出部と、下側過熱水蒸気吹出部とを含む。前記上側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。前記下側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。
　ある実施形態において、前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出する。前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御する。前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。
　ある実施形態において、前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出する。前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御する。前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させる。前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理装置は、第２混合液吐出部を更に備える。前記第２混合液吐出部は、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する。前記制御部は、前記第２混合液吐出部からの前記第２混合液の吐出を更に制御する。前記制御部は、前記第２混合液の吐出時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理装置は、リンス液吐出部と、水蒸気吹出部とを更に備える。前記リンス液吐出部は、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けてリンス液を吐出する。前記水蒸気吹出部は、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する。前記水蒸気吹出部は、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す。前記制御部は、前記リンス液吐出部からの前記リンス液の吐出と、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しとを更に制御する。前記制御部は、前記リンス液の吐出時に、前記水蒸気を吹き出させる。
　ある実施形態において、前記制御部は、前記基板回転部による前記基板の回転を更に制御する。前記制御部は、前記リンス液の吐出を停止させた後、乾燥処理を実行する。前記乾燥処理は、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる処理を示す。前記制御部は、前記乾燥処理の実行時に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理装置は、第３過熱水蒸気吹出部と、水蒸気吹出部とを更に備える。前記第３過熱水蒸気吹出部は、前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。前記水蒸気吹出部は、前記送風機構と前記基板保持部との間に位置する。前記水蒸気吹出部は、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す。前記制御部は、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しと、前記第３過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを更に制御する。前記制御部は、前記チャンバーの内部の洗浄時に、前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させ、かつ、前記第３過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
　本発明の他の局面によれば、基板処理方法は、基板保持部により、チャンバー内で基板を保持する保持工程と、送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する第１過熱水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出させる工程とを含む。
　ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させ、回転中の前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する第１混合液吐出工程を更に含む。前記第１混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記第１混合液の液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成するパドル工程を更に含む。前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させるとともに、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。前記第２過熱水蒸気吹出部は、回転する前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部に支持される。
　ある実施形態において、前記第２過熱水蒸気吹出部は、上側過熱水蒸気吹出部と、下側過熱水蒸気吹出部とを含む。前記上側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。前記下側過熱水蒸気吹出部は、前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す。
　ある実施形態において、上記の基板処理方法は、回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含む。前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理方法は、回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含む。前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させる。前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する第２混合液吐出工程を更に含む。前記第２混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる工程と、前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けてリンス液を吐出する工程とを更に含む。前記リンス液の吐出時に前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させる。
　ある実施形態において、上記の基板処理方法は、前記リンス液の吐出を停止させた後、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる乾燥工程を更に含む。前記乾燥工程の際に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる。
　本発明の更に他の局面によれば、チャンバー洗浄方法は、基板処理が行われるチャンバーの内部を洗浄する工程を含む。前記チャンバーの内部を洗浄する際に、前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出させ、かつ、前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部との間に位置する水蒸気吹出部から前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる。
　本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法によれば、薬液雰囲気に起因する基板の汚染を低減させることができる。
本発明の実施形態に係る基板処理装置の模式的な平面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す他の断面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す他の断面図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置に含まれる第１薬液供給部の構成を示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態に係る基板処理方法に含まれる基板処理及び水蒸気処理を示すフローチャートである。 事前加熱時の基板処理部を模式的に示す図である。 ＳＰＭ処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 パドル処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 過酸化水素水により基板を処理する際の基板処理部を模式的に示す図である。 リンス処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 ＳＣ１により基板を処理する際の基板処理部を模式的に示す図である。 乾燥処理時の基板処理部を模式的に示す図である。 チャンバーの内部を洗浄する際の基板処理部を模式的に示す図である。 本発明の実施形態に係る基板処理装置の変形例に含まれる基板処理部の構成を模式的に示す断面図である。
　以下、図面（図１～図１７）を参照して本発明の基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法に係る実施形態を説明する。但し、本発明は以下の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施することが可能である。なお、説明が重複する箇所については、適宜説明を省略する場合がある。また、図中、同一又は相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。
　本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法において、基板処理の対象となる「基板」には、半導体ウエハ、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ　Ｅｍｉｓｓｉｏｎ　Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、及び光磁気ディスク用基板などの各種の基板を適用可能である。以下では主として、円盤状の半導体ウエハを基板処理の対象とする場合を例に本発明の実施形態を説明するが、本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法は、上記した半導体ウエハ以外の各種の基板に対しても同様に適用可能である。また、基板の形状についても、円盤状に限定されず、本発明に係る基板処理装置、基板処理方法、及び、チャンバー洗浄方法は、各種の形状の基板に対して適用可能である。
　まず、図１を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式図である。詳しくは、図１は、本実施形態の基板処理装置１００の模式的な平面図である。基板処理装置１００は、処理液により基板Ｗを処理する。より具体的には、基板処理装置１００は、枚葉式の装置であり、１枚ずつ基板Ｗを処理する。
　図１に示すように、基板処理装置１００は、複数の基板処理部２と、流体キャビネット１０Ａと、複数の流体ボックス１０Ｂと、複数のロードポートＬＰと、インデクサーロボットＩＲと、センターロボットＣＲと、制御装置１０１とを備える。
　ロードポートＬＰの各々は、複数枚の基板Ｗを積層して収容する。本実施形態では、未処理の基板Ｗ（処理前の基板Ｗ）の各々に、不要になったレジストのマスク（レジスト膜）が付着している。
　インデクサーロボットＩＲは、ロードポートＬＰとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを搬送する。センターロボットＣＲは、インデクサーロボットＩＲと基板処理部２との間で基板Ｗを搬送する。なお、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間に、基板Ｗを一時的に載置する載置台（パス）を設けて、インデクサーロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で載置台を介して間接的に基板Ｗを受け渡しする装置構成としてもよい。
　複数の基板処理部２は、複数のタワーＴＷ（図１では４つのタワーＴＷ）を形成している。複数のタワーＴＷは、平面視においてセンターロボットＣＲを取り囲むように配置される。各タワーＴＷは、上下に積層された複数の基板処理部２（図１では３つの基板処理部２）を含む。
　流体キャビネット１０Ａは、流体を収容する。流体は処理液を含む。流体ボックス１０Ｂはそれぞれ、複数のタワーＴＷのうちの１つに対応している。流体キャビネット１０Ａ内の処理液は、いずれかの流体ボックス１０Ｂを介して、流体ボックス１０Ｂに対応するタワーＴＷに含まれる全ての基板処理部２に供給される。
　処理液は、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、アンモニア水（ＮＨ4ＯＨ）、及びリンス液を含む。本実施形態において、リンス液は、純水である。純水は、例えば、脱イオン水（ＤＩＷ：Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ　Ｗａｔｅｒ）である。なお、リンス液は、例えば、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、アンモニア水、又は希釈された塩酸水（例えば、濃度が１０ｐｐｍ～１００ｐｐｍ程度の塩酸水）であってもよい。リンス液が純水でない場合、流体キャビネット１０Ａ内の流体は、純水を更に含む。
　基板処理部２の各々は、処理液を基板Ｗの上面に供給する。具体的には、基板処理部２は、硫酸過酸化水素混合液（ＳＰＭ：Ｓｕｌｆｕｒｉｃ　Ａｃｉｄ　Ｈｙｄｒｏｇｅｎ　Ｐｅｒｏｘｉｄｅ　Ｍｉｘｔｕｒｅ）、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、ＳＣ１、リンス液の順に基板Ｗに供給する。硫酸過酸化水素混合液は、硫酸と過酸化水素水とが混合された混合液である。ＳＣ１は、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された混合液である。
　基板Ｗの上面にＳＰＭが供給されると、基板Ｗの上面からレジスト膜（有機物）が剥離されて、基板Ｗの上面からレジスト膜が除去される。基板Ｗの上面にＳＣ１が供給されると、基板Ｗの上面に付着しているパーティクルが除去される。より具体的には、ＳＣ１に含まれる過酸化水素水により基板Ｗの本体表面のシリコンが酸化し、シリコン酸化物がアンモニアによりエッチングされて、リフトオフにより各種パーティクルが除去される。したがって、ＳＣ１により、レジスト膜の残渣物、及び非溶解性のパーティクルが剥離除去される。
　制御装置１０１は、基板処理装置１００の各部の動作を制御する。例えば、制御装置１０１は、ロードポートＬＰ、インデクサーロボットＩＲ、センターロボットＣＲ、及び基板処理部２を制御する。制御装置１０１は、制御部１０２と、記憶部１０３とを含む。
　制御部１０２は、記憶部１０３に記憶されている各種情報に基づいて基板処理装置１００の各部の動作を制御する。制御部１０２は、例えば、プロセッサを有する。制御部１０２は、プロセッサとして、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）、又は、ＭＰＵ（Ｍｉｃｒｏ　Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ　Ｕｎｉｔ）を有してもよい。あるいは、制御部１０２は、汎用演算機又は専用演算器を有してもよい。
　記憶部１０３は、基板処理装置１００の動作を制御するための各種情報を記憶する。例えば、記憶部１０３は、データ及びコンピュータプログラムを記憶する。データは、種々のレシピデータを含む。レシピデータは、例えば、プロセスレシピを含む。プロセスレシピは、基板処理の手順を規定するデータである。具体的には、プロセスレシピは、基板処理に含まる一連の処理の実行順序、各処理の内容、及び各処理の条件（パラメータの設定値）を規定する。
　記憶部１０３は、主記憶装置を有する。主記憶装置は、例えば、半導体メモリである。記憶部１０３は、補助記憶装置を更に有してもよい。補助記憶装置は、例えば、半導体メモリ及びハードディスクドライブの少なくも一方を含む。記憶部１０３はリムーバブルメディアを含んでもよい。
　続いて、図１～図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図２は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。図３は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す他の断面図である。詳しくは、図３は、上側から視た基板処理部２の内部を示す。
　図２に示すように、基板処理部２は、送風機構３と、チャンバー２０１と、整流板２０４と、スピンチャック４と、スピンモータ部５と、第１ノズル６と、第１ノズル移動機構６１と、第２ノズル７と、第２ノズル移動機構７１と、第３ノズル８と、液受け部９と、基板加熱部２０と、排気ダクト２０６とを備える。また、基板処理装置１００は、第１薬液供給部６２と、第２薬液供給部７２と、リンス液供給部８２とを備える。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３、スピンチャック４、スピンモータ部５、第１ノズル移動機構６１、第２ノズル移動機構７１、液受け部９、基板加熱部２０、第１薬液供給部６２、第２薬液供給部７２、及びリンス液供給部８２を制御する。
　チャンバー２０１は、略箱形状を有する。より具体的には、チャンバー２０１は、上壁２０２と、側壁２０３と、下壁２０５とを有する。チャンバー２０１は、基板Ｗ、整流板２０４、スピンチャック４、スピンモータ部５、第１ノズル６、第１ノズル移動機構６１、第２ノズル７、第２ノズル移動機構７１、第３ノズル８、液受け部９、基板加熱部２０の一部、排気ダクト２０６の一部、第１薬液供給部６２の一部、第２薬液供給部７２の一部、及びリンス液供給部８２の一部を収容する。基板Ｗは、チャンバー２０１内に搬入されて、チャンバー２０１内で処理される。つまり、チャンバー２０１内で基板処理が行われる。
　送風機構３は、チャンバー２０１の外部に配置される。より具体的には、送風機構３は、チャンバー２０１（上壁２０２）の上方に配置されて、上壁２０２の外壁面に対向する。送風機構３は、上壁２０２の外壁面に設置されてもよい。詳しくは、チャンバー２０１は、上壁２０２を鉛直方向に貫通する送風口２０２ａを有し、送風機構３は、送風口２０２ａの上方に配置される。送風口２０２ａは、例えば、平面視で基板Ｗに重なる位置に形成される。
　送風機構３はチャンバー２０１内に空気を送風する。より具体的には、送風機構３は、基板処理装置１００が設置されるクリーンルーム内の空気を吸い込み、送風口２０２ａを介してチャンバー２０１内に送風する。詳しくは、送風機構３は、羽根と、電動モータと、フィルタとを有する。羽根は、回転することにより、クリーンルーム内の空気を吸い込み、送風口２０２ａに向けて送風する。電動モータは、羽根を回転させる。フィルタは、回転する羽根によって送られた空気をろ過する。この結果、フィルタによって清浄化された空気がチャンバー２０１内に送風される。送風機構３は、例えば、ファン・フィルタ・ユニット（ＦＦＵ）である。
　整流板２０４は、チャンバー２０１内に配置される。より具体的には、整流板２０４は、水平な姿勢で保持される。したがって、整流板２０４は、水平面に沿って拡がる。例えば、整流板２０４は、側壁２０３に支持される。整流板２０４は、チャンバー２０１の内部空間を下方空間２ａと上方空間２ｂとに区画する。上方空間２ｂは、下方空間２ａよりも上方の空間である。
　詳しくは、整流板２０４は、チャンバー２０１内の上部に配置されて、上壁２０２の内壁面に対向する。具体的には、整流板２０４は、チャンバー２０１内において基板処理に用いられる部材よりも上方に配置される。したがって、基板処理は、下方空間２ａにおいて行われる。つまり、下方空間２ａは、処理空間である。基板処理に用いられる部材には、スピンチャック４と、スピンモータ部５と、第１ノズル６と、第１ノズル移動機構６１と、第２ノズル７と、第２ノズル移動機構７１と、第３ノズル８と、液受け部９と、基板加熱部２０とが含まれる。
　整流板２０４は、送風機構３からチャンバー２０１内に送風された空気を整流する。より具体的には、整流板２０４は、送風機構３から上方空間２ｂに送られた空気を整流して、下方空間２ａ（処理空間）にダウンフローを発生させる。
　詳しくは、整流板２０４は、多数の貫通孔２０４ａを有する。貫通孔２０４ａはそれぞれ、整流板２０４の厚み方向に整流板２０４を貫通する。例えば、貫通孔２０４ａはそれぞれ、鉛直方向に延びる。多数の貫通孔２０４ａは、整流板２０４の全域に形成される。上壁２０２の送風口２０２ａは、チャンバー２０１の外部と上方空間２ｂとを連通する。送風機構３から送風された空気は、上方空間２ｂ内で拡散し、上方空間２ｂに充満する。上方空間２ｂに充満した空気は、多数の貫通孔２０４ａを通過して、整流板２０４の全域から下方空間２ａに流入する。この結果、整流板２０４の全域から下方向に流れる下降気流（ダウンフロー）が下方空間２ａに発生する。
　送風機構３の電動モータは、制御装置１０１（制御部１０２）により制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、送風機構３の電動モータを制御して、下方空間２ａ（処理空間）内にダウンフローを常に発生させてもよい。
　スピンチャック４は、チャンバー２０１の下方空間２ａにおいて基板Ｗを保持する。スピンチャック４は、基板保持部の一例である。より具体的には、スピンチャック４は、基板Ｗを水平な姿勢で保持する。図２に示すように、スピンチャック４は、スピンベース４１と、複数のチャック部材４２とを有してもよい。
　スピンベース４１は、略円盤状であり、水平な姿勢で複数のチャック部材４２を支持する。複数のチャック部材４２は、スピンベース４１の周縁部に配置される。複数のチャック部材４２は、基板Ｗの周縁部を挟持する。複数のチャック部材４２により、基板Ｗが水平な姿勢で保持される。複数のチャック部材４２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　スピンモータ部５は、スピンチャック４に保持された基板Ｗを回転させる。スピンモータ部５は、基板回転部の一例である。より具体的には、スピンモータ部５は、鉛直方向に延びる第１回転軸線ＡＸ１を中心として、基板Ｗとスピンチャック４とを一体に回転させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部５による基板Ｗの回転を制御する。
　詳しくは、第１回転軸線ＡＸ１は、スピンベース４１の中心を通る。複数のチャック部材４２は、基板Ｗの中心がスピンベース４１の中心と一致するように配置されている。したがって、基板Ｗは、基板Ｗの中心を回転中心として回転する。
　図２に示すように、スピンモータ部５は、シャフト５１と、モータ本体５２とを有してもよい。シャフト５１はスピンベース４１に結合される。モータ本体５２は、シャフト５１を回転させる。その結果、スピンベース４１が回転する。モータ本体５２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　第１ノズル６は、チャンバー２０１の下方空間２ａに位置し、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗに向けて、ＳＰＭと過酸化水素水とを排他的に吐出する。第１ノズル６は、第１混合液吐出部の一例である。回転中の基板Ｗの上面にＳＰＭが吐出されることにより、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が形成される。同様に、回転中の基板Ｗの上面に過酸化水素水が吐出されることにより、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜が形成される。
　第１ノズル６からのＳＰＭの吐出と、第１ノズル６からの過酸化水素水の吐出とは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１薬液供給部６２を制御することにより、第１ノズル６からのＳＰＭの吐出と、第１ノズル６からの過酸化水素水の吐出とを制御する。
　第１薬液供給部６２は、第１ノズル６にＳＰＭと過酸化水素水とを排他的に供給する。図２に示すように、第１薬液供給部６２は、第１薬液供給配管６２１と、第１成分開閉バルブ６３１と、第２成分開閉バルブ６３２とを有してもよい。第１薬液供給配管６２１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
　第１薬液供給配管６２１は、第１ノズル６にＳＰＭと過酸化水素水とを排他的に供給する。具体的には、第１薬液供給配管６２１は、管状の部材であり、ＳＰＭ及び過酸化水素水を第１ノズル６まで流通させる。
　詳しくは、第１薬液供給配管６２１は、第１配管６２１ａと、第２配管６２１ｂとを含む。第１配管６２１ａの一端は、第１ノズル６に接続する。第２配管６２１ｂは、第１配管６２１ａに接続する。第１配管６２１ａには、硫酸が流入する。第２配管６２１ｂには過酸化水素水が流入する。
　第１成分開閉バルブ６３１は、第１配管６２１ａに介装される。具体的には、第１成分開閉バルブ６３１は、第１配管６２１ａと第２配管６２１ｂとの接続箇所ＣＰよりも上流側に配置される。第２成分開閉バルブ６３２は、第２配管６２１ｂに介装される。
　第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２の開閉動作を制御する。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＰＭを供給する際に、第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を開状態にする。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を開状態にすると、硫酸が第１ノズル６に向かって第１配管６２１ａを流通し、過酸化水素水が接続箇所ＣＰに向かって第２配管６２１ｂを流通する。この結果、接続箇所ＣＰにおいて硫酸と過酸化水素水とが混合して、ＳＰＭが生成される。ＳＰＭは、第１ノズル６に向かって第１配管６２１ａを流通し、第１ノズル６から基板Ｗに向けてＳＰＭが吐出される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗに過酸化水素水を供給する際に、第１成分開閉バルブ６３１を閉状態にし、第２成分開閉バルブ６３２を開状態にする。第１成分開閉バルブ６３１を閉状態にし、第２成分開閉バルブ６３２を開状態にすると、第１配管６２１ａを介した硫酸の流通が停止し、過酸化水素水が接続箇所ＣＰに向かって第２配管６２１ｂを流通する。この結果、第１配管６２１ａに流入した過酸化水素水が、第１ノズル６に向かって第１配管６２１ａを流通し、第１ノズル６から基板Ｗに向けて過酸化水素水が吐出される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル６からのＳＰＭ及び過酸化水素水の吐出を停止させる際に、第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を閉状態にする。第１成分開閉バルブ６３１及び第２成分開閉バルブ６３２を閉状態にすると、第１配管６２１ａを介した硫酸の流通が停止し、第２配管６２１ｂを介した過酸化水素水の流通が停止する。
　第２ノズル７は、チャンバー２０１の下方空間２ａに位置し、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗに向けて、ＳＣ１を吐出する。第２ノズル７は、第２混合液吐出部の一例である。第２ノズル７からのＳＣ１の吐出は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２薬液供給部７２を制御することにより、第２ノズル７からのＳＣ１の吐出を制御する。
　第２薬液供給部７２は、第２ノズル７にＳＣ１を供給する。図２に示すように、第２薬液供給部７２は、第２薬液供給配管７２１と、薬液開閉バルブ７３１とを有してもよい。第２薬液供給配管７２１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。薬液開閉バルブ７３１は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
　第２薬液供給配管７２１は、第２ノズル７にＳＣ１を供給する。具体的には、第２薬液供給配管７２１は、管状の部材であり、ＳＣ１を第２ノズル７まで流通させる。
　薬液開閉バルブ７３１は、第２薬液供給配管７２１に介装される。薬液開閉バルブ７３１は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、薬液開閉バルブ７３１の開閉動作を制御する。薬液開閉バルブ７３１のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板ＷにＳＣ１を供給する際に、薬液開閉バルブ７３１を開状態にする。薬液開閉バルブ７３１を開状態にすると、ＳＣ１が第２ノズル７に向かって第２薬液供給配管７２１を流通する。この結果、第２ノズル７から基板Ｗに向けてＳＣ１が吐出される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル７からのＳＣ１の吐出を停止させる際に、薬液開閉バルブ７３１を閉状態にする。薬液開閉バルブ７３１を閉状態にすると、第２薬液供給配管７２１を介したＳＣ１の流通が停止する。
　第３ノズル８は、チャンバー２０１の下方空間２ａに位置し、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗに向けて、リンス液を吐出する。第３ノズル８は、リンス液吐出部の一例である。第３ノズル８からのリンス液の吐出は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液供給部８２を制御することにより、第３ノズル８からのリンス液の吐出を制御する。
　リンス液供給部８２は、第３ノズル８にリンス液を供給する。図２に示すように、リンス液供給部８２は、リンス液供給配管８２１と、リンス液開閉バルブ８３１とを有してもよい。リンス液供給配管８２１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。リンス液開閉バルブ８３１は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。
　リンス液供給配管８２１は、第３ノズル８にリンス液を供給する。具体的には、リンス液供給配管８２１は、管状の部材であり、リンス液を第３ノズル８まで流通させる。
　リンス液開閉バルブ８３１は、リンス液供給配管８２１に介装される。リンス液開閉バルブ８３１は、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液開閉バルブ８３１の開閉動作を制御する。リンス液開閉バルブ８３１のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗにリンス液を供給する際に、リンス液開閉バルブ８３１を開状態にする。リンス液開閉バルブ８３１を開状態にすると、リンス液が第３ノズル８に向かってリンス液供給配管８２１を流通する。この結果、第３ノズル８から基板Ｗに向けてリンス液が吐出される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、第３ノズル８からのリンス液の吐出を停止させる際に、リンス液開閉バルブ８３１を閉状態にする。リンス液開閉バルブ８３１を閉状態にすると、リンス液供給配管８２１を介したリンス液の流通が停止する。
　第１ノズル移動機構６１は、第１ノズル６を水平面に沿って移動させる。第１ノズル移動機構６１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より詳しくは、第１ノズル移動機構６１は、第１退避領域と処理位置との間で第１ノズル６を移動させる。第１退避領域は、スピンチャック４の外側の領域である。例えば、第１退避領域は、液受け部９の外側の領域であってもよい。図３には、第１退避領域に移動した第１ノズル６を示している。
　本実施形態において、第１ノズル６の処理位置は基板Ｗの中心に対向する位置である。第１ノズル６は、処理位置から基板Ｗに向けてＳＰＭ及び過酸化水素水を排他的に吐出する。図３に示すように、第１ノズル移動機構６１は、基板Ｗの中心を通る円弧状の軌跡に沿って第１ノズル６を水平に移動させる。
　具体的には、図２に示すように、第１ノズル移動機構６１は、第１ノズルアーム６１１と、第１ノズル基台６１２と、第１ノズル移動部６１３とを有してもよい。第１ノズル基台６１２は鉛直方向に延びる。第１ノズルアーム６１１の基端部は第１ノズル基台６１２に結合している。第１ノズルアーム６１１は、第１ノズル基台６１２から水平方向に延びる。
　第１ノズルアーム６１１は、第１ノズル６を支持する。第１ノズル６は、第１ノズルアーム６１１から鉛直下方に向けて突出する。第１ノズル６は、第１ノズルアーム６１１の先端部に配置されてもよい。
　第１ノズル移動部６１３は、鉛直方向に延びる第２回転軸線ＡＸ２を中心として第１ノズル基台６１２を回転させる。この結果、第１ノズル６が第２回転軸線ＡＸ２を中心とする周方向に沿って第１ノズル基台６１２の周りを移動する。第１ノズル移動部６１３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。第１ノズル移動部６１３は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
　第２ノズル移動機構７１は、第２ノズル７を水平面に沿って移動させる。第２ノズル移動機構７１の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。より詳しくは、第２ノズル移動機構７１は、基板Ｗの中心に対向する位置と第２退避領域との間で第２ノズル７を移動させる。第２退避領域は、スピンチャック４の外側の領域である。例えば、第２退避領域は、液受け部９の外側の領域であってもよい。図３には、第２退避領域に移動した第２ノズル７を示している。
　本実施形態において、第２ノズル７は、基板Ｗの中心に対向する位置と基板Ｗの周縁部に対向する位置との間で移動しながら、基板Ｗに向けてＳＣ１を吐出する。第２ノズル７は、所謂スキャンノズルである。図３に示すように、第２ノズル移動機構７１は、基板Ｗの中心を通る円弧状の軌跡に沿って第２ノズル７を水平に移動させる。
　図２に示すように、第２ノズル移動機構７１は、第２ノズルアーム７１１と、第２ノズル基台７１２と、第２ノズル移動部７１３とを有してもよい。第２ノズル移動部７１３は、鉛直方向に延びる第３回転軸線ＡＸ３を中心として第２ノズル基台７１２を回転させる。この結果、第２ノズル７が第３回転軸線ＡＸ３を中心とする周方向に沿って第２ノズル基台７１２の周りを移動する。第２ノズル移動機構７１の構成は、第１ノズル移動機構６１と略同様であるため、その説明は割愛する。
　液受け部９は、スピンモータ部５によって回転される基板Ｗから排出される処理液（ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１）を受け止める。図２に示すように、液受け部９は、ガード９１と、ガード昇降部９４とを有してもよい。
　ガード９１は、略円筒状であり、スピンチャック４に保持されている基板Ｗの周囲を取り囲む。ガード９１は、基板Ｗから排出された処理液を受け止める。より具体的には、ガード９１は、回転する基板Ｗから飛散する処理液を受け止める。
　図２に示すように、ガード９１は、筒状の案内部９２と、筒状の傾斜部９３とを含んでもよい。傾斜部９３は、第１回転軸線ＡＸ１に向かって斜め上に延びる。案内部９２は、傾斜部９３の下端部から下方に延びる。傾斜部９３は、円環状の上端９ａを含む。上端９ａは、基板Ｗ及びスピンベース４１よりも大きい内径を有する。傾斜部９３の上端９ａは、ガード９１の上端に相当する。以下、傾斜部９３の上端９ａを、ガード９１の上端９ａと記載する場合がある。図３に示すように、上端９ａは、平面視で基板Ｗ及びスピンベース４１を取り囲んでいる。
　ガード昇降部９４は、図２において二点鎖線で示す第１下位置と、図２において実線で示す第１上位置との間でガード９１を昇降させる。ここで、第１下位置は、ガード９１の上端９ａが基板Ｗよりも下方に配置される位置を示す。第１上位置は、ガード９１の上端９ａが基板Ｗよりも上方に配置される位置を示す。ガード昇降部９４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。ガード昇降部９４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
　例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗがスピンチャック４によって保持された後に、ガード９１を第１下位置から第１上位置へ移動させる。ガード９１が第１上位置に配置されることで、基板Ｗから飛散する処理液をガード９１によって受け止めることができる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗがチャンバー２０１から搬出される際に、ガード９１を第１上位置から第１下位置へ移動させる。ガード９１が第１下位置に配置されることで、図１を参照して説明したセンターロボットＣＲとスピンチャック４との間での基板Ｗの受け渡しが可能となる。
　排気ダクト２０６は、チャンバー２０１内の気体をチャンバー２０１の外に排出する。具体的には、排気ダクト２０６内の気体は、基板処理装置１００が設置される工場に設けられた排気設備（図示せず）によって常時吸引される。排気ダクト２０６の上流端は、スピンベース４１よりも下方に配置されている。ガード９１の内側の気体は、排気ダクト２０６を通じて伝達される排気設備の吸引力によって、排気ダクト２０６の上流端に吸い寄せられる。ガード９１よりも上方の空間を漂う気体は、排気ダクト２０６からガード９１の内側に伝達される吸引力によって、ガード９１の上端９ａの内側に吸い寄せられる。その結果、チャンバー２０１内の気体は、ガード９１の内側を通じてチャンバー２０１の外に排出される。その際に、チャンバー２０１内の気体は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの周縁部付近を通過する。
　基板加熱部２０は、スピンチャック４に保持された基板Ｗを加熱する。例えば、図２に示すように、基板加熱部２０は、加熱部材２１と、昇降軸２２と、給電部２３と、ヒータ昇降部２４とを有してもよい。
　加熱部材２１は、略円盤状であり、チャック部材４２に保持された基板Ｗとスピンベース４１との間に位置する。加熱部材２１には、ヒータが埋め込まれている。ヒータは、例えば、抵抗体を含む。給電部２３は、加熱部材２１に埋め込まれたヒータに通電して、加熱部材２１を加熱させる。給電部２３は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　昇降軸２２は略棒状の部材であり、略鉛直方向に延びる。昇降軸２２は、加熱部材２１に結合する。ヒータ昇降部２４は、昇降軸２２を昇降させることにより、加熱部材２１を昇降させる。具体的には、ヒータ昇降部２４は、チャック部材４２に保持された基板Ｗの下面とスピンベース４１の上面との間で加熱部材２１を昇降させる。ヒータ昇降部２４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。ヒータ昇降部２４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。
　続いて、図３を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図３に示すように、チャンバー２０１は、シャッター２０７を更に有する。また、チャンバー２０１の側壁２０３には、搬入搬出口２０３ａが形成されている。シャッター２０７は、搬入搬出口２０３ａを開く位置と、搬入搬出口２０３ａを閉じる位置との間で移動可能である。シャッター２０７の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　搬入搬出口２０３ａは、チャンバー２０１の内部と外部とを連通する開口である。図１を参照して説明したセンターロボットＣＲは、シャッター２０７が搬入搬出口２０３ａを開いている際に、搬入搬出口２０３ａを介してチャンバー２０１の下方空間２ａに基板Ｗを搬入する。また、図１を参照して説明したセンターロボットＣＲは、シャッター２０７が搬入搬出口２０３ａを開いている際に、搬入搬出口２０３ａを介してチャンバー２０１の内部から外部へ基板Ｗを搬出する。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲからスピンチャック４に基板Ｗが受け渡され、センターロボットＣＲのハンドがチャンバー２０１の外部へ退避した後に、シャッター２０７を閉じる。
　続いて、図２を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図２に示すように、基板処理部２は、第１吹出部３１と、第２吹出部３２と、第３吹出部３３と、第４吹出部３４とを更に有する。
　第１吹出部３１は、送風機構３とスピンチャック４に保持された基板Ｗとの間に位置し、チャンバー２０１の下方空間２ａに過熱水蒸気を吹き出す。第１吹出部３１は、第１過熱水蒸気吹出部の一例である。第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。なお、過熱水蒸気は、水蒸気を加熱することにより生成される。したがって、過熱水蒸気は、水蒸気の温度より高温である。具体的には、水蒸気の発生時の温度は１００℃であり、過熱水蒸気の生成時の温度は１００℃より高温である。
　第１吹出部３１から吹き出された過熱水蒸気は、ダウンフローと、排気ダクト２０６からの吸引力とによって、チャンバー２０１内の空気と共に流れる。したがって、過熱水蒸気は、ガード９１の上端９ａの内側に吸い寄せられる。その際に、過熱水蒸気は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの周縁部付近を通過する。その結果、過熱水蒸気により、基板Ｗの周縁分の温度の低下が抑制される。
　本実施形態では、第１吹出部３１は、第１ノズル６よりも上方に配置されている。例えば、図２に示すように、第１吹出部３１は、整流板２０４に支持されてもよい。例えば、第１吹出部３１は、ブラケットを介して整流板２０４に固定される。また、平面視において、第１吹出部３１は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの外側に位置する。したがって、第１吹出部３１から水滴のぼた落ちが発生しても、その水滴は基板Ｗに落下し難い。例えば、第１吹出部３１は、平面視において液受け部９と重なる位置に配置されてもよい。
　第１吹出部３１は、例えば、基板ＷがＳＰＭによって処理されている際に過熱水蒸気を吹き出す。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル６からＳＰＭが吐出されている際に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。以下、ＳＰＭによる基板処理を、「ＳＰＭ処理」と記載する場合がある。
　既に説明したように、ＳＰＭは第１ノズル６から基板Ｗの中心に向けて吐出される。したがって、基板Ｗの中心から遠い基板Ｗの周縁部は、基板Ｗの中心と比べて温度が低下し易い。そのため、基板Ｗの周縁部に付着しているレジスト膜の剥離は容易ではなく、ＳＰＭ処理の時間を比較的長い時間に設定する必要がある。これに対し、本実施形態によれば、過熱水蒸気によって基板Ｗの周縁部の温度の低下を抑制することができるため、基板Ｗの周縁部に付着しているレジスト膜の剥離が容易となる。よって、ＳＰＭ処理の時間を比較的短い時間に設定することができ、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。その結果、基板処理に用いるＳＰＭの量を減らすことができる。
　また、ＳＰＭ処理の際には、第１ノズル６や基板Ｗ等から薬液雰囲気が発生する。これに対し、本実施形態によれば、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。したがって、薬液雰囲気に起因する基板Ｗの汚染を低減させることができる。具体的には、ダウンフローによって、過熱水蒸気に含まれる液滴がチャンバー２０１の下方空間２ａを漂う薬液成分に衝突して、薬液成分に下方向へ向かう加速度が与えられる。その結果、薬液成分は、排気ダクト２０６からガード９１の内側に伝達される吸引力によって、ガード９１の上端９ａの内側に吸い寄せられて、チャンバー２０１内の気体と共に、ガード９１の内側を通じてチャンバー２０１の外に排出される。
　特に、本実施形態では、第１吹出部３１が第１ノズル６の上方に配置される。よって、第１吹出部３１が第１ノズル６の下方に配置される構成と比べて、第１ノズル６から発生する薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
　更に、本実施形態によれば、過熱水蒸気により、液受け部９、スピンチャック４、及びスピンモータ部５等の基板Ｗの周辺の部材に熱を与えて、基板Ｗの周辺の部材の温度を高くすることができる。その結果、基板Ｗの温度がより低下し難くなる。よって、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を更に向上させることができる。
　また、本実施形態によれば、第１ノズル６から比較的遠い位置に第１吹出部３１が配置される。したがって、第１ノズル６から吐出されるＳＰＭに過熱水蒸気が引き寄せられ難い。よって、過熱水蒸気が下方空間２ａ内で偏在し難くなるため、過熱水蒸気によって、チャンバー２０１の下方空間２ａに配置されている部材を効率よく昇温させることができる。
　また、過熱水蒸気には若干の水分が含まれる。したがって、過熱水蒸気に含まれる水分がＳＰＭに接触して、ＳＰＭと水分とが反応する際に発生する熱により、基板Ｗの温度低下を抑制することができる。
　また、過熱水蒸気を供給することにより、チャンバー２０１の下方空間２ａの湿度が高くなる。その結果、基板Ｗの上面においてＳＰＭが拡がり易くなり、基板Ｗを効率よく処理することが可能となる。
　第２吹出部３２は、液受け部９に支持されて、スピンチャック４に保持された基板Ｗに向けて過熱水蒸気を吹き出す。第２吹出部３２は、第２過熱水蒸気吹出部の一例である。具体的には、第２吹出部３２は、ガード９１に支持される。例えば、第２吹出部３２は、ブラケットを介してガード９１に固定される。第２吹出部３２からの過熱水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　本実施形態によれば、基板Ｗに対して比較的近い位置から基板Ｗに向けて過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度がより低下し難くなるため、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を更に向上させることができる。また、基板Ｗから発生する薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
　本実施形態では、図２に示すように、第２吹出部３２は、上側吹出部３２ａと、下側吹出部３２ｂとを含む。上側吹出部３２ａは、スピンチャック４に保持された基板Ｗの上面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。下側吹出部３２ｂは、スピンチャック４に保持された基板Ｗの下面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。上側吹出部３２ａは、上側過熱水蒸気吹出部の一例である。下側吹出部３２ｂは、下側過熱水蒸気吹出部の一例である。
　具体的には、上側吹出部３２ａは、傾斜部９３の外周面の頂部に固定される。つまり、上側吹出部３２ａは、ガード９１の上端９ａ付近で支持される。また、下側吹出部３２ｂは、ガード９１の内周面に固定される。例えば、下側吹出部３２ｂは、案内部９２の内周面に固定されてもよい。
　本実施形態によれば、基板Ｗの上面及び下面の両面に向けて過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度がより低下し難くなるため、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を更に向上させることができる。また、基板Ｗに対して比較的近い位置から基板Ｗの上面に向けて過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗから発生する薬液雰囲気の拡散を効率よく抑制することができる。
　更に、本実施形態によれば、傾斜部９３の外周面の頂部に上側吹出部３２ａが配置されるため、上側吹出部３２ａによって阻害されることなく、ガード９１よりも上方の空間からガード９１の上端９ａの内側へ気体（過熱水蒸気を含む）が吸い寄せられる。
　第３吹出部３３は、チャンバー２０１の内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。第３吹出部３３は、第３過熱水蒸気吹出部の一例である。本実施形態において、第３吹出部３３は、側壁２０３の内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す。第３吹出部３３からの過熱水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。制御装置１０１（制御部１０２）は、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第３吹出部３３から過熱水蒸気を吹き出させる。
　チャンバー２０１の内部の洗浄後、チャンバー２０１の内部を乾燥させる処理が行われる。例えば、チャンバー２０１の内部に、窒素ガスのような不活性ガスを供給して、チャンバー２０１の内部を乾燥させる。洗浄後のチャンバー２０１は、チャンバー２０１の内部が乾燥した後に基板処理に使用される。
　しかしながら、チャンバー２０１の内部を洗浄する際には、大量の純水が使用される。そのため、洗浄後のチャンバー２０１の内部は乾燥し難い状態となる。これに対し、本実施形態によれば、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第３吹出部３３からチャンバー２０１の内壁面に向けて過熱水蒸気が供給されるため、チャンバー２０１の内壁面が乾きやすくなる。したがって、チャンバー２０１の内部を効率よく乾燥させることができる。
　なお、チャンバー２０１の内部の洗浄は、例えば、基板処理部２が予め定められた枚数（例えば、２４枚）の基板Ｗを処理する度に実行されてもよい。あるいは、チャンバー２０１の内部の洗浄は、予め定められた時間が経過する度に実行されてもよい。
　第４吹出部３４は、送風機構３とスピンチャック４に保持された基板Ｗとの間に位置し、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を吹き出す。第４吹出部３４は、水蒸気吹出部の一例である。第４吹出部３４からの水蒸気の吹き出しは、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。なお、既に説明したように、水蒸気は過熱水蒸気よりも低温である。また、水蒸気は、過熱水蒸気と比べて水分量が多く、液滴も大きい。第４吹出部３４から供給される水蒸気は、ミストであってもよい。
　本実施形態では、第４吹出部３４は、第１ノズル６よりも上方に配置されている。例えば、図２に示すように、第４吹出部３４は、整流板２０４に支持されてもよい。例えば、第４吹出部３４は、ブラケットを介して整流板２０４に固定される。また、平面視において、第４吹出部３４は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの外側に位置する。したがって、第４吹出部３４から水滴のぼた落ちが発生しても、その水滴は基板Ｗに落下し難い。例えば、第４吹出部３４は、平面視において液受け部９と重なる位置に配置されてもよい。
　第４吹出部３４は、例えば、基板Ｗがリンス液によって処理されている際に水蒸気を吹き出す。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、第３ノズル８からリンス液が吐出されている際に、第４吹出部３４から水蒸気を吹き出させる。以下、リンス液による基板処理を、「リンス処理」と記載する場合がある。
　本実施形態によれば、水蒸気により、薬液雰囲気の拡散をより抑制することができる。具体的には、既に説明したように、水蒸気の液滴は、過熱水蒸気の液滴よりも大きい。よって、水蒸気の液滴は、過熱水蒸気と比べて薬液成分に衝突し易い。したがって、排気ダクト２０６からガード９１の内側に伝達される吸引力により、薬液成分を効率よくチャンバー２０１の外に排出させることができる。また、水蒸気の液滴に衝突された薬液成分の一部は、基板Ｗの上面に形成されているリンス液の液膜に付着して、リンス液と共に基板Ｗから排出される。その結果、薬液成分は、リンス液と共にチャンバー２０１の外部に排出される。特に、リンス処理の際は、薬液雰囲気が比較的発生し難い状態となる。つまり、リンス処理の際は、薬液雰囲気が増加し難い。よって、リンス処理の際にチャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給することにより、薬液雰囲気の拡散をより効率よく抑制することができる。
　続いて、図３を参照して、上側吹出部３２ａを説明する。図３に示すように、上側吹出部３２ａは円環状であり、ガード９１の上端９ａに沿って延びる。上側吹出部３２ａは、管状の部材であり、過熱水蒸気は上側吹出部３２ａの内部を流通する。上側吹出部３２ａの内周側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、上側吹出部３２ａを流通する過熱水蒸気は、上側吹出部３２ａの吹出口から基板Ｗの上面に向けて吹き出す。
　なお、下側吹出部３２ｂの構成も上側吹出部３２ａと同様である。具体的には、下側吹出部３２ｂは円環状であり、ガード９１の内周面に沿って延びる。下側吹出部３２ｂは、管状の部材であり、過熱水蒸気は下側吹出部３２ｂの内部を流通する。下側吹出部３２ｂの内周側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、下側吹出部３２ｂを流通する過熱水蒸気は、下側吹出部３２ｂの吹出口から基板Ｗの下面に向けて吹き出す。
　本実施形態によれば、上側吹出部３２ａが円環状であるため、上側吹出部３２ａに複数の吹出口を形成することにより、基板Ｗの上面に対して複数の方向から過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度低下を効率的に抑制することができる。但し、上側吹出部３２ａの吹出口の数は１つであってもよい。
　同様に、下側吹出部３２ｂが円環状であるため、下側吹出部３２ｂに複数の吹出口を形成することにより、基板Ｗの下面に対して複数の方向から過熱水蒸気を供給することができる。したがって、基板Ｗの温度低下を効率的に抑制することができる。但し、下側吹出部３２ｂの吹出口の数は１つであってもよい。
　また、本実施形態によれば、例えば、円周に沿って配列された複数のノズルにより上側吹出部３２ａを構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。同様に、円周に沿って配列された複数のノズルにより下側吹出部３２ｂを構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。但し、上側吹出部３２ａは、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。同様に、下側吹出部３２ｂは、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。
　続いて、図４を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を説明する。図４は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す他の断面図である。詳しくは、図４は、下側から視た基板処理部２の内部を示す。
　図４に示すように、第１吹出部３１は円環状である。第１吹出部３１は、管状の部材であり、過熱水蒸気は第１吹出部３１の内部を流通する。第１吹出部３１の下面側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、第１吹出部３１を流通する過熱水蒸気は、第１吹出部３１の吹出口から下方向に吹き出す。
　第４吹出部３４の構成も第１吹出部３１と同様である。具体的には、第４吹出部３４は円環状である。第４吹出部３４は、管状の部材であり、水蒸気は第４吹出部３４の内部を流通する。第４吹出部３４の下面側には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口であり、第４吹出部３４を流通する水蒸気は、第４吹出部３４の吹出口から下方向に向けて吹き出す。
　本実施形態によれば、第１吹出部３１が円環状であるため、第１吹出部３１に複数の吹出口を形成することにより、チャンバー２０１の下方空間２ａに偏りなく過熱水蒸気を供給することができる。但し、第１吹出部３１の吹出口の数は１つであってもよい。
　同様に、第４吹出部３４が円環状であるため、第４吹出部３４に複数の吹出口を形成することにより、チャンバー２０１の下方空間２ａに偏りなく水蒸気を供給することができる。但し、第４吹出部３４の吹出口の数は１つであってもよい。
　また、本実施形態によれば、例えば、複数のノズルにより第１吹出部３１を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。同様に、複数のノズルにより第４吹出部３４を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。但し、第１吹出部３１は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。同様に、第４吹出部３４は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。
　なお、本実施形態では、第１吹出部３１の内側に第４吹出部３４が配置されているが、第４吹出部３４は第１吹出部３１の外側に配置されてもよい。また、第１吹出部３１及び第４吹出部３４をそれぞれ複数のノズルによって構成する場合、例えば、第１吹出部３１のノズルと第４吹出部３４のノズルとは円周に沿って交互に並んで配置されてもよい。
　図４に示すように、第３吹出部３３は、チャンバー２０１の側壁２０３に沿って延びる。第３吹出部３３は、管状の部材であり、過熱水蒸気は第３吹出部３３の内部を流通する。第３吹出部３３には、少なくとも１つの吹出口（図示せず）が形成されている。吹出口は開口である。具体的には、第３吹出部３３の吹出口は、側壁２０３の内面に向かって開口している。第３吹出部３３を流通する過熱水蒸気は、第３吹出部３３の吹出口からチャンバー２０１の側壁２０３に向かって吹き出す。
　本実施形態によれば、第３吹出部３３がチャンバー２０１の側壁２０３に沿って延びるため、第３吹出部３３に複数の吹出口を形成することにより、側壁２０３の内周面に偏りなく過熱水蒸気を供給することができる。但し、第３吹出部３３の吹出口の数は１つであってもよい。
　また、本実施形態によれば、例えば、チャンバー２０１の側壁２０３に沿って配列された複数のノズルにより第３吹出部３３を構成する場合と比べて、基板処理装置１００の構成が簡易な構成となり、基板処理装置１００の製造が容易になる。但し、第３吹出部３３は、少なくとも１つのノズルによって構成されてもよい。
　続いて、図４及び図５を参照して、本実施形態の基板処理装置１００を更に説明する。図５は、本実施形態の基板処理装置１００の構成を示す図である。図４に示すように、基板処理装置１００は、水蒸気供給部３００を更に備える。水蒸気供給部３００は、第１吹出部３１と、第３吹出部３３とに過熱水蒸気を供給する。また、水蒸気供給部３００は、第４吹出部３４に水蒸気を供給する。更に、図５に示すように、水蒸気供給部３００は、第２吹出部３２（上側吹出部３２ａ及び下側吹出部３２ｂ）に過熱水蒸気を供給する。
　図４に示すように、水蒸気供給部３００は、水蒸気発生部３００Ａと、第１水蒸気配管３１１と、第１過熱水蒸気バルブ３１２と、第１流量制御バルブ３１３と、過熱水蒸気生成ヒータ３０３とを有する。図５に示すように、水蒸気供給部３００は、第２水蒸気配管３２１と、第２過熱水蒸気バルブ３２２とを更に有する。図４に示すように、水蒸気供給部３００は、第３水蒸気配管３３１と、第３過熱水蒸気バルブ３３２と、第４水蒸気配管３４１と、水蒸気バルブ３４２と、第２流量制御バルブ３４３とを更に有する。
　水蒸気発生部３００Ａは、図１を参照して説明した流体キャビネット１０Ａに収容される。第１過熱水蒸気バルブ３１２、第１流量制御バルブ３１３、過熱水蒸気生成ヒータ３０３、第２過熱水蒸気バルブ３２２、第３過熱水蒸気バルブ３３２、水蒸気バルブ３４２、及び第２流量制御バルブ３４３は、図１を参照して説明した流体ボックス１０Ｂに収容される。第１水蒸気配管３１１、第２水蒸気配管３２１、第３水蒸気配管３３１、及び第４水蒸気配管３４１の一部は、チャンバー２０１内に収容される。
　水蒸気発生部３００Ａは、水蒸気を発生させる。図４に示すように、水蒸気発生部３００Ａから発生した水蒸気は、第１水蒸気配管３１１と、第４水蒸気配管３４１とに流入する。具体的には、水蒸気発生部３００Ａは、貯留部３０１と、水蒸気生成ヒータ３０２とを有する。貯留部３０１は、純水を貯留する。水蒸気生成ヒータ３０２は、貯留部３０１に貯留されている純水を加熱して、水蒸気を発生させる。貯留部３０１には第１水蒸気配管３１１の一端と第４水蒸気配管３４１の一端とが接続されている。水蒸気生成ヒータ３０２の動作は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　第１水蒸気配管３１１の他端は、第１吹出部３１に接続している。第１水蒸気配管３１１には、第１過熱水蒸気バルブ３１２と、第１流量制御バルブ３１３と、過熱水蒸気生成ヒータ３０３とが介装されている。
　第１水蒸気配管３１１は、水蒸気及び過熱水蒸気が流通する管状の部材である。過熱水蒸気生成ヒータ３０３は、貯留部３０１から第１水蒸気配管３１１に流入した水蒸気を加熱して、過熱水蒸気を生成する。過熱水蒸気は、第１水蒸気配管３１１を流通して、第１吹出部３１に流入する。
　第１過熱水蒸気バルブ３１２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１過熱水蒸気バルブ３１２の開閉動作を制御する。第１過熱水蒸気バルブ３１２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第１過熱水蒸気バルブ３１２が開くことにより、過熱水蒸気が第１水蒸気配管３１１を介して第１吹出部３１まで流通して、第１吹出部３１に過熱水蒸気が供給される。第１過熱水蒸気バルブ３１２が閉じることにより、第１吹出部３１への過熱水蒸気の供給が停止する。
　第１流量制御バルブ３１３は、第１水蒸気配管３１１を流通する過熱水蒸気の流量を制御する。具体的には、第１流量制御バルブ３１３は、開度の制御が可能であり、第１水蒸気配管３１１を流通する過熱水蒸気の流量は、第１流量制御バルブ３１３の開度に応じた大きさになる。第１流量制御バルブ３１３のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。第１流量制御バルブ３１３は、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。第１流量制御バルブ３１３の開度は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　図５に示すように、第２水蒸気配管３２１の一端は、過熱水蒸気生成ヒータ３０３よりも下流側において第１水蒸気配管３１１に接続する。第２水蒸気配管３２１の他端は、第２吹出部３２に接続する。第２水蒸気配管３２１は、管状の部材であり、第１水蒸気配管３１１から第２水蒸気配管３２１に過熱水蒸気が流入する。過熱水蒸気は、第２水蒸気配管３２１を流通して、第２吹出部３２に流入する。
　第２過熱水蒸気バルブ３２２は、第２水蒸気配管３２１に介装されている。第２過熱水蒸気バルブ３２２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第２過熱水蒸気バルブ３２２の開閉動作を制御する。第２過熱水蒸気バルブ３２２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第２過熱水蒸気バルブ３２２が開くことにより、過熱水蒸気が第２水蒸気配管３２１を介して第２吹出部３２まで流通して、第２吹出部３２に過熱水蒸気が供給される。第２過熱水蒸気バルブ３２２が閉じることにより、第２吹出部３２への過熱水蒸気の供給が停止する。
　本実施形態において、第２水蒸気配管３２１は、第１配管３２１ａと、第２配管３２１ｂとを含む。第２過熱水蒸気バルブ３２２は、第１バルブ３２２ａと、第２バルブ３２２ｂとを含む。
　第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａの一端は、過熱水蒸気生成ヒータ３０３よりも下流側において第１水蒸気配管３１１に接続する。第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａの他端は、上側吹出部３２ａに接続する。第１水蒸気配管３１１から第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａに流入した過熱水蒸気は、第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａを流通して、上側吹出部３２ａに流入する。
　第１バルブ３２２ａは、第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａに介装されている。第１バルブ３２２ａが開くことにより、過熱水蒸気が第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａを介して上側吹出部３２ａまで流通して、上側吹出部３２ａに過熱水蒸気が供給される。第１バルブ３２２ａが閉じることにより、上側吹出部３２ａへの過熱水蒸気の供給が停止する。
　第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂの一端は、第１バルブ３２２ａよりも上流側において、第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａに接続する。第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂの他端は、下側吹出部３２ｂに接続する。第２水蒸気配管３２１の第１配管３２１ａから第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂに流入した過熱水蒸気は、第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂを流通して、下側吹出部３２ｂに流入する。
　第２バルブ３２２ｂは、第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂに介装されている。第２バルブ３２２ｂが開くことにより、過熱水蒸気が第２水蒸気配管３２１の第２配管３２１ｂを介して下側吹出部３２ｂまで流通して、下側吹出部３２ｂに過熱水蒸気が供給される。第２バルブ３２２ｂが閉じることにより、下側吹出部３２ｂへの過熱水蒸気の供給が停止する。
　図４に示すように、第３水蒸気配管３３１の一端は、過熱水蒸気生成ヒータ３０３よりも下流側において第１水蒸気配管３１１に接続する。第３水蒸気配管３３１の他端は、第３吹出部３３に接続する。第３水蒸気配管３３１は、管状の部材であり、第１水蒸気配管３１１から第３水蒸気配管３３１に過熱水蒸気が流入する。過熱水蒸気は、第３水蒸気配管３３１を流通して、第３吹出部３３に流入する。
　第３過熱水蒸気バルブ３３２は、第３水蒸気配管３３１に介装されている。第３過熱水蒸気バルブ３３２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、第３過熱水蒸気バルブ３３２の開閉動作を制御する。第３過熱水蒸気バルブ３３２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。第３過熱水蒸気バルブ３３２が開くことにより、過熱水蒸気が第３水蒸気配管３３１を介して第３吹出部３３まで流通して、第３吹出部３３に過熱水蒸気が供給される。第３過熱水蒸気バルブ３３２が閉じることにより、第３吹出部３３への過熱水蒸気の供給が停止する。
　第４水蒸気配管３４１の他端は、第４吹出部３４に接続している。第４水蒸気配管３４１には、水蒸気バルブ３４２と、第２流量制御バルブ３４３とが介装されている。
　第４水蒸気配管３４１は、水蒸気が流通する管状の部材である。貯留部３０１から第４水蒸気配管３４１に流入した水蒸気は、第４水蒸気配管３４１を流通して、第４吹出部３４に流入する。
　水蒸気バルブ３４２は開閉バルブであり、開状態と閉状態との間で切り替え可能である。制御装置１０１（制御部１０２）は、水蒸気バルブ３４２の開閉動作を制御する。水蒸気バルブ３４２のアクチュエータは、例えば、空圧アクチュエータ、又は電動アクチュエータである。水蒸気バルブ３４２が開くことにより、水蒸気が第４水蒸気配管３４１を介して第４吹出部３４まで流通して、第４吹出部３４に水蒸気が供給される。水蒸気バルブ３４２が閉じることにより、第４吹出部３４への水蒸気の供給が停止する。
　第２流量制御バルブ３４３は、第４水蒸気配管３４１を流通する水蒸気の流量を制御する。具体的には、第２流量制御バルブ３４３は、開度の制御が可能であり、第４水蒸気配管３４１を流通する水蒸気の流量は、第２流量制御バルブ３４３の開度に応じた大きさになる。第２流量制御バルブ３４３のアクチュエータは、例えば、電動アクチュエータである。第２流量制御バルブ３４３は、例えば、モーターニードルバルブであってもよい。第２流量制御バルブ３４３の開度は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。
　続いて、図６を参照して、第１薬液供給部６２を説明する。図６は、本実施形態の基板処理装置１００に含まれる第１薬液供給部６２の構成を示す図である。図６に示すように、第１薬液供給部６２は、図２を参照して説明した第１薬液供給配管６２１、第１成分開閉バルブ６３１、及び第２成分開閉バルブ６３２に加えて、ヒータ６４３を更に有してもよい。ヒータ６４３は、第１薬液供給配管６２１の第１配管６２１ａに介装される。例えば、ヒータ６４３は、第１成分開閉バルブ６３１よりも上流側において、第１薬液供給配管６２１の第１配管６２１ａに介装される。ヒータ６４３は、第１薬液供給配管６２１の第１配管６２１ａを流通する硫酸を加熱する。
　続いて、図１～図７を参照して、本実施形態の基板処理方法を説明する。本実施形態の基板処理方法は、例えば、図１～図６を参照して説明した基板処理装置１００により実行される。図７は、本実施形態の基板処理方法を示すフローチャートである。詳しくは、図７は、制御装置１０１（制御部１０２）による処理の流れを示す。
　図７に示すように、本実施形態の基板処理方法は、ステップＳ１～ステップＳ６を含む。なお、図２を参照して説明したように、図７に示す処理が実行されている間、制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３を制御して、チャンバー２０１内に空気を送風させている。したがって、チャンバー２０１の下方空間２ａにはダウンフローが発生している。
　図７に示す処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、センターロボットＣＲを制御して、チャンバー２０１の下方空間２ａに基板Ｗを搬入させる（ステップＳ１）。制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンチャック４を制御して、センターロボットＣＲが搬入した基板Ｗを保持させる（ステップＳ２）。この結果、スピンチャック４により、チャンバー２０１内で基板Ｗが保持される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンチャック４が基板Ｗを保持すると、基板処理部２を制御して、基板処理を実行させる（ステップＳ３）。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理部２を制御して、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、及びＳＣ１を、ＳＰＭ、過酸化水素水、リンス液、ＳＣ１、リンス液の順に基板Ｗに供給させる。
　更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理と並行して、基板処理部２に水蒸気処理を実行させる（ステップＳ４）。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３によってチャンバー２０１内に空気が送風されている状態で、第１吹出部３１からチャンバー２０１の下方空間２ａに過熱水蒸気を吹き出させる。具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理の際に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板処理が終了すると、スピンチャック４を制御して、基板Ｗの保持を解除させる（ステップＳ５）。スピンチャック４による基板Ｗの保持が解除されると、制御装置１０１（制御部１０２）は、センターロボットＣＲを制御して、基板Ｗをチャンバー２０１から搬出させる（ステップＳ６）。この結果、図７に示す処理が終了する。
　続いて、図１～図１５を参照して、図７に示す基板処理（ステップＳ３）及び水蒸気処理（ステップＳ４）を説明する。図８は、本実施形態の基板処理方法に含まれる基板処理（ステップＳ３）及び水蒸気処理（ステップＳ４）を示すフローチャートである。図９は、事前加熱時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１０は、ＳＰＭ処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１１は、パドル処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１２は、過酸化水素水により基板Ｗを処理する際の基板処理部２を模式的に示す図である。図１３は、リンス処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。図１４は、ＳＣ１により基板Ｗを処理する際の基板処理部２を模式的に示す図である。図１５は、乾燥処理時の基板処理部２を模式的に示す図である。
　図８に示すように、基板処理を開始すると、制御装置１０１（制御部１０２）は、まず、基板加熱部２０を制御して、基板Ｗを加熱させる（ステップＳ３１）。つまり、ＳＰＭ処理の実行前に基板Ｗを昇温させる。事前に基板Ｗを昇温させることにより、ＳＰＭによるレジスト膜の剥離の効率が向上する。
　詳しくは、図９に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、給電部２３を制御して、加熱部材２１に埋め込まれたヒータに通電させる。この結果、加熱部材２１が加熱される。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２下位置から第２上位置まで上昇させる。
　ここで、第２下位置は、スピンベース４１の上面に加熱部材２１が近接する位置である。第２下位置は、スピンベース４１の上面に加熱部材２１が接触する位置であってもよい。第２上位置は、基板Ｗの下面に加熱部材２１が近接する位置である。加熱部材２１を第２上位置に配置すると、加熱部材２１からの輻射熱によって基板Ｗが加熱される。なお、事前加熱時に過熱水蒸気及び水蒸気はチャンバー２０１の下方空間２ａに供給されない。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、予め定められた時間、基板Ｗを事前加熱した後、スピンモータ部５を制御して、スピンチャック４に保持させた基板Ｗの回転を開始させる（図１０参照）。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル移動機構６１を制御して、第１ノズル６を処理位置まで移動させる。詳しくは、第１ノズル６は、基板Ｗの中心に対向する位置まで移動する（図１０参照）。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた回転速度に達すると、第１薬液供給部６２を制御して、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル６からＳＰＭを吐出させる（ステップＳ３２）。この結果、図１０に示すように、回転中の基板Ｗの上面にＳＰＭが供給されて、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面にＳＰＭの液膜を形成させる。
　更に、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出時に、第１過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４１）。具体的には、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。これにより、既に説明したように、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。また、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
　第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しを開始するタイミングは、ＳＰＭの吐出開始前であってもよいし、ＳＰＭの吐出開始タイミングと同じタイミングであってもよい。あるいは、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しを開始するタイミングは、ＳＰＭの吐出開始後であってもよい。制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吹出部３１から過熱水蒸気を連続して吹き出させてもよいし、間欠的に吹き出させてもよい。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始前にのみ第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させてもよいし、ＳＰＭの吐出開始時にのみ第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させてもよい。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始から吐出終了までの間に、ＳＰＭの吐出開始から吐出終了までの期間よりも短い期間、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させてもよい。
　なお、図１０に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出開始前に、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２上位置から第２下位置まで下降させてもよい。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭの吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、第１薬液供給部６２を制御して、ＳＰＭの吐出を停止させる。そして、制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部５により基板Ｗの回転速度を制御して、ＳＰＭの液膜が基板Ｗの上面に支持されたパドル状態を形成する（ステップＳ３３）。例えば、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転を停止させて、パドル状態を形成してもよい（図１１参照）。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗを低速回転させて、パドル状態を形成してもよい。パドル状態を形成することにより、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成時（パドル処理時）に、第２過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４２）。具体的には、図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させるとともに、第２吹出部３２（上側吹出部３２ａ及び下側吹出部３２ｂ）から過熱水蒸気を吹き出させる。つまり、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の供給を継続させながら、スピンチャック４に保持された基板Ｗに向けて第２吹出部３２から過熱水蒸気を吹き出させる。これにより、既に説明したように、ＳＰＭによるレジスト剥離の効率を向上させることができる。更に、過熱水蒸気により、薬液雰囲気の拡散を抑制することができる。
　また、基板Ｗの上面にはＳＰＭの液膜が形成されているため、基板Ｗの上面側からは、基板Ｗを直接昇温させることができない。これに対し、本実施形態では、パドル処理時に、下側吹出部３２ｂから基板Ｗの下面に向けて過熱水蒸気が供給される。したがって、過熱水蒸気により基板Ｗを直接昇温させることができる。よって、レジスト膜をより効率的に剥離することができる。
　なお、図１１に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成時に、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２下位置から第２上位置まで上昇させて、加熱部材２１により基板Ｗを加熱させてもよい。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成を開始してから予め定められた時間が経過すると、スピンモータ部５を制御して、スピンチャック４に保持させた基板Ｗの回転を開始させる（図１２参照）。あるいは、制御装置１０１（制御部１０２）は、パドル状態の形成を開始してから予め定められた時間が経過すると、スピンモータ部５を制御して、基板Ｗの回転速度を増加させる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、基板Ｗの回転速度が予め定められた回転速度に達すると、第１薬液供給部６２を制御して、回転中の基板Ｗに向けて第１ノズル６から過酸化水素水を吐出させる（ステップＳ３４）。この結果、図１２に示すように、回転中の基板Ｗの上面に過酸化水素水が供給されて、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面に過酸化水素水の液膜を形成させる。詳しくは、過酸化水素水によって、ＳＰＭが基板Ｗの上面から排出されて、ＳＰＭの液膜が過酸化水素水の液膜に置換される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出時に、第３過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４３）。具体的には、図１２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第２吹出部３２（上側吹出部３２ａ及び下側吹出部３２ｂ）からの過熱水蒸気の供給を停止させるとともに、第１吹出部３１から吹き出させる過熱水蒸気の流量を減少させる。
　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＰＭ処理時及びパドル処理時に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、過酸化水素水の吐出時に、第１吹出部３１から過熱水蒸気を、第１流量より小さい第２流量で吹き出させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、図４に示す第１流量制御バルブ３１３を制御することにより過熱水蒸気の流量を調整する。
　なお、図１２に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出時に、加熱部材２１により基板Ｗを加熱させてもよい。
　過酸化水素水は、基板Ｗを酸化させる可能性がある。特に、過酸化水素水の温度が高いほど、基板Ｗは酸化され易い。また、基板Ｗの温度が高いほど、基板Ｗは酸化され易い。これに対し、本実施形態によれば、過酸化水素水の吐出時にチャンバー２０１の下方空間２ａに供給される過熱水蒸気の量を減少させることができる。この結果、過熱水蒸気による過酸化水素水の温度の上昇が抑制されるとともに、基板Ｗの温度が低下し易くなるため、過酸化水素水による基板Ｗの酸化を抑制することができる。
　また、過酸化水素水の吐出時には、基板Ｗから大量のヒュームが発生する。更に、過酸化水素水の吐出時には、第１ノズル６の吐出口からヒュームが発生し易い。本実施形態によれば、過酸化水素水の吐出時に過熱水蒸気を供給することにより、ヒュームの拡散を抑制することができる。
　また、過酸化水素水の吐出時には、高温のＳＰＭの液膜が形成されている基板Ｗに向けて、常温の過酸化水素水が吐出される。この結果、基板Ｗの面内に温度勾配が発生して、基板Ｗが振動する。これに対し、本実施形態によれば、過酸化水素水の吐出時に過熱水蒸気を供給することにより、温度勾配の発生を抑制することができる。したがって、基板Ｗの振動を抑制することができる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、過酸化水素水の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、第１薬液供給部６２を制御して、過酸化水素水の吐出を停止させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル移動機構６１を制御して、第１ノズル６を第１退避領域へ退避させる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、第１ノズル６を第１退避領域へ退避させた後、スピンチャック４に保持された基板Ｗを回転させた状態で、リンス液供給部８２を制御して、回転中の基板Ｗに向けて第３ノズル８からリンス液を吐出させる（ステップＳ３５）。この結果、図１３に示すように、回転中の基板Ｗの上面にリンス液が供給されて、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。つまり、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面にリンス液の液膜を形成させる。詳しくは、リンス液によって、過酸化水素水が基板Ｗの上面から排出されて、過酸化水素水の液膜がリンス液の液膜に置換される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、送風機構３によってチャンバー２０１の下方空間２ａに空気が送風されている状態で、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給させる（ステップＳ４４）。具体的には、図１３に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第４吹出部３４から水蒸気を吹き出させる。なお、過酸化水素水の吐出時（ステップＳ３４）に第１吹出部３１から過熱水蒸気を供給させる場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の供給を停止させる。
　本実施形態によれば、既に説明したように、リンス処理の際にチャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給することにより、薬液雰囲気の拡散をより効率よく抑制することができる。なお、図１３に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出開始前に、ヒータ昇降部２４を制御して、加熱部材２１を第２上位置から第２下位置まで下降させてもよい。これにより、基板Ｗの上面からリンス液が蒸発し難くなる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、リンス液供給部８２を制御して、リンス液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を停止させた後、第２ノズル移動機構７１を制御して、第２ノズル７を第２退避領域から基板Ｗの中心に対向する位置へ移動させる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル７が基板Ｗの中心に対向する位置へ移動すると、スピンチャック４に保持された基板Ｗを回転させた状態で、第２薬液供給部７２及び第２ノズル移動機構７１を制御して、ハーフスキャン処理を実行する。具体的には、第２ノズル７を基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁部に対向する位置まで移動させながら、回転中の基板Ｗに向けて第２ノズル７からＳＣ１を吐出させる（ステップＳ３６）。この結果、ＳＣ１によりリンス液が基板Ｗの上面から排出されて、ＳＣ１によって基板Ｗが処理される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＣ１の吐出時に、第４過熱水蒸気処理を行う（ステップＳ４５）。具体的には、図１４に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気を吹き出させる。
　ＳＣ１は、ハーフスキャン処理によって基板Ｗに供給されるため、第２ノズル７が基板Ｗの中心に対向する位置から基板Ｗの周縁部に対向する位置へ向かって移動している間に、基板Ｗの中央領域が乾燥し易い状態となる。同様に、第２ノズル７が基板Ｗの周縁部に対向する位置から基板Ｗの中心に対向する位置へ向かって移動している間に、基板Ｗの周縁部が乾燥し易い状態となる。これに対し、本実施形態によれば、ＳＣ１の吐出時に過熱水蒸気が供給されるため、下方空間２ａの湿度を高く保つことができる。したがって、ＳＣ１の吐出時に基板Ｗが乾燥し難くなる。なお、図１４に示すように、ＳＣ１の吐出時に、加熱部材２１は第２下位置に配置される。したがって、基板Ｗの乾燥を更に抑制することができる。
　また、本実施形態によれば、ＳＣ１の吐出時に過熱水蒸気が供給されるため、基板Ｗの上面に供給されたＳＣ１を昇温させることができる。この結果、基板Ｗの本体表面がＳＣ１によって酸化され易い状態となる。
　なお、ＳＣ１の吐出時は基板Ｗが乾燥し易い状態となるため、制御装置１０１（制御部１０２）は、送風機構３を制御して、ダウンフローの風速を弱めてもよい。ダウンフローの風速を弱めることで、基板Ｗが乾燥し難くなる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、ＳＣ１の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、第２薬液供給部７２を制御して、ＳＣ１の吐出を停止させる。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル移動機構７１を制御して、第２ノズル７を第２退避領域へ退避させる。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、第２ノズル７を第２退避領域へ退避させた後、ステップＳ３５と同様に、回転中の基板Ｗに向けて第３ノズル８からリンス液を吐出させる（ステップＳ３７）。この結果、リンス液によってＳＣ１が基板Ｗの上面から排出されて、基板Ｗの上面にリンス液の液膜が形成される。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、ステップＳ４４と同様に、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を供給させる（ステップＳ４６）。また、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の供給を停止させる。
　本実施形態によれば、既に説明したように、リンス液の吐出時に水蒸気を供給することにより、薬液雰囲気を減少させることができる。更に、水蒸気により、リンス液を昇温させることができる。
　なお、ＳＣ１の吐出時にダウンフローの風速を弱めた場合、制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出時に、送風機構３を制御して、ダウンフローの風速を元に戻す。
　制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を開始してから予め定められた時間が経過した後、リンス液供給部８２を制御して、リンス液の吐出を停止させる。制御装置１０１（制御部１０２）は、リンス液の吐出を停止させた後、スピンモータ部５により基板Ｗの回転速度を制御して、基板Ｗの上面からリンス液を除去して基板Ｗの上面を乾燥させる乾燥処理を実行する（ステップＳ３８）。この結果、図８に示す処理が終了する。
　具体的には、制御装置１０１（制御部１０２）は、スピンモータ部５を制御して、基板Ｗを高速回転させる。基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗに付着しているリンス液が振り切られて基板Ｗが乾燥される。また、図１５に示すように、乾燥処理の際に、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第４吹出部３４からの水蒸気の吹き出しを停止させる。
　本実施形態によれば、乾燥処理の際に水蒸気及び過熱水蒸気がチャンバー２０１の下方空間２ａに供給されないため、水蒸気又は過熱水蒸気が供給される場合と比べて、チャンバー２０１の湿度を低下させることができる。よって、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
　更に、本実施形態によれば、リンス液の吐出時（ステップＳ３７）に、水蒸気を供給して、リンス液を昇温させる。その結果、乾燥処理の際に、リンス液が蒸発し易くなり、基板Ｗを効率よく乾燥させることができる。
　続いて、図１６を参照して、本実施形態のチャンバー洗浄方法を説明する。図１６は、チャンバー２０１の内部を洗浄する際の基板処理部２を模式的に示す図である。
　本実施形態のチャンバー洗浄方法は、チャンバー２０１の内部を洗浄する工程を含む。図１６に示すように、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４及び図５を参照して説明した水蒸気供給部３００を制御して、第４吹出部３４からチャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気を吹き出させるとともに、第３吹出部３３から側壁２０３の内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出させる。
　本実施形態によれば、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に、チャンバー２０１の下方空間２ａに水蒸気が供給されるため、チャンバー２０１の下方空間２ａに浮遊する薬液成分を効率よくチャンバー２０１の外部に排出させることができる。また、既に説明したように、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第３吹出部３３からチャンバー２０１の内壁面に向けて過熱水蒸気が供給されるため、チャンバー２０１の内壁面が乾きやすくなる。したがって、チャンバー２０１の内部を効率よく乾燥させることができる。
　チャンバー２０１の内部を洗浄する際に第４吹出部３４から供給する水蒸気の流量は、リンス処理（図８のステップＳ３５及びステップＳ３７）の際に第４吹出部３４から供給する水蒸気の流量より大きくてもよい。水蒸気の流量を大きくすることにより、薬液成分をより効率よくチャンバー２０１の外部に排出させることができる。なお、制御装置１０１（制御部１０２）は、図４に示す第２流量制御バルブ３４３を制御することにより水蒸気の流量を調整する。
　続いて、図１７を参照して、本実施形態の基板処理装置１００の変形例を説明する。図１７は、本実施形態の基板処理装置１００の変形例に含まれる基板処理部２の構成を模式的に示す断面図である。
　図１７に示すように、基板処理装置１００は、遮断部４００を備えてもよい。遮断部４００は、円盤状の遮断板４０１と、支持軸４０２と、支持アーム４０３と、昇降部４０４とを有してもよい。
　遮断板４０１は、整流板２０４とスピンチャック４との間に配置される。したがって、遮断板４０１は、スピンチャック４に保持された基板Ｗの上方に配置されて、スピンチャック４に保持された基板Ｗに対向する。遮断板４０１の直径は、基板Ｗの直径よりも大きい。
　遮断板４０１は、支持軸４０２により、水平な姿勢で支持される。支持軸４０２は、例えば、略鉛直方向に沿って延びてもよい。支持軸４０２は、支持アーム４０３に支持される。
　支持アーム４０３は、遮断板４０１の上方で水平に延びる。遮断部４００の昇降部４０４は、支持アーム４０３を鉛直方向に移動させる。つまり、遮断部４００の昇降部４０４は、支持アーム４０３を昇降させる。支持アーム４０３が昇降することにより、遮断板４０１が昇降する。遮断部４００の昇降部４０４は、制御装置１０１（制御部１０２）によって制御される。昇降部４０４は、例えば、ボールねじ機構と、ボールねじ機構に駆動力を与える電動モータとを備えてもよい。具体的には、遮断部４００の昇降部４０４は、遮断板４０１を第３上位置と第３下位置との間で昇降させる。
　遮断板４０１が第３下位置に配置されると、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間の隙間が、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間に第１ノズル６及び第２ノズル７が進入できない大きさになる。制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、基板Ｗの乾燥処理時（図８のステップＳ３８）に、遮断板４０１を第３下位置に配置させてもよい。
　遮断板４０１が第３上位置に配置されると、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間の隙間が、スピンチャック４に保持されている基板Ｗと遮断板４０１との間に第１ノズル６及び第２ノズル７が進入できる大きさになる。制御装置１０１（制御部１０２）は、例えば、ＳＰＭ処理（図８のステップＳ３２）から、乾燥処理（図８のステップＳ３８）の前のリンス処理（図８のステップＳ３７）にわたって、遮断板４０１を第３上位置に配置させてもよい。
　なお、基板処理装置１００が遮断部４００を備える場合、第１吹出部３１及び第４吹出部３４の直径は、遮断板４０１の直径より大きいことが好ましい。
　以上、図面（図１～図１７）を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、又は、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。
　図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。
　例えば、図１～図１７を参照して説明した実施形態において、スピンチャック４は、複数のチャック部材４２を基板Ｗの周端面に接触させる挟持式のチャックであったが、基板Ｗを保持する方式は、基板Ｗを水平に保持できる限り、特に限定されない。例えば、スピンチャック４は、バキューム式のチャックであってもよいし、ベルヌーイ式のチャックであってもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、過酸化水素水の吐出時に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吹出部３１から吹き出させる過熱水蒸気の流量を減少させたが、過酸化水素水の吐出時に、制御装置１０１（制御部１０２）は、第１吹出部３１からの過熱水蒸気の吹き出しを停止させてもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、基板加熱部２０はヒータにより基板Ｗを加熱したが、基板加熱部２０が基板Ｗの加熱に用いる部材は、基板Ｗを加熱できる部材である限り、特に限定されない。例えば、基板加熱部２０は、レーザ照射又は光照射により基板Ｗを加熱してもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、基板処理装置１００に基板加熱部２０が設けられたが、基板加熱部２０は省略されてもよい。この場合、第２吹出部３２から過熱水蒸気を吹き出させて事前加熱を行ってもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、リンス液の吐出時に水蒸気が供給されたが、リンス液の吐出時における水蒸気の供給は省略されてもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、第１吹出部３１が円環状であったが、第１吹出部３１の形状は特に限定されない。例えば、第１吹出部３１は矩形の環状であってもよいし、蛇行する形状であってもよい。複数のノズルによって第１吹出部３１が構成される場合も同様に、複数のノズルの配列の形状は特に限定されない。
　同様に、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、第４吹出部３４が円環状であったが、第４吹出部３４の形状は特に限定されない。複数のノズルによって第４吹出部３４が構成される場合も同様に、複数のノズルの配列の形状は特に限定されない。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、パドル処理が行われたが、パドル処理は省略されてもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、第２吹出部３２は上側吹出部３２ａと下側吹出部３２ｂとを含むが、第２吹出部３２は、上側吹出部３２ａと下側吹出部３２ｂとのうちの一方のみを含んでもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、基板処理装置１００が第４吹出部３４を備えたが、第４吹出部３４は省略されてもよい。この場合、過熱水蒸気生成ヒータ３０３を制御して、第１吹出部３１から過熱水蒸気と水蒸気とを排他的に供給してもよい。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、第１吹出部３１が整流板２０４の下方に配置されたが、第１吹出部３１は、整流板２０４の上方に配置されてもよい。すなわち、第１吹出部３１は、上方空間２ｂに配置されてもよい。この場合、第１吹出部３１は、整流板２０４の貫通孔２０４ａを介して下方空間２ａに過熱水蒸気を吹き出すことが可能な位置に配置される。第３吹出部３３及び第４吹出部３４も同様に、整流板２０４の上方に配置され得る。
　また、図１～図１７を参照して説明した実施形態では、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に水蒸気が供給されたが、チャンバー２０１の内部を洗浄する際に過熱水蒸気が供給されてもよい。過熱水蒸気によってチャンバー２０１の内部に配置されている部材を昇温させることで、チャンバー２０１の内部に配置されている部材を洗浄し易くなる。
　本発明は、基板を処理する装置に有用であり、産業上の利用可能性を有する。
２　　　　：基板処理部
３　　　　：送風機構
４　　　　：スピンチャック
５　　　　：スピンモータ部
６　　　　：第１ノズル
７　　　　：第２ノズル
８　　　　：第３ノズル
９　　　　：液受け部
３１　　　：第１吹出部
３２　　　：第２吹出部
３２ａ　　：上側吹出部
３２ｂ　　：下側吹出部
３３　　　：第３吹出部
３４　　　：第４吹出部
６２　　　：第１薬液供給部
７２　　　：第２薬液供給部
８２　　　：リンス液供給部
１００　　：基板処理装置
１０１　　：制御装置
１０２　　：制御部
１０３　　：記憶部
２０１　　：チャンバー
２０３　　：側壁
３００　　：水蒸気供給部
Ｗ　　　　：基板

Claims (21)

  1. 　基板処理が行われるチャンバーと、
    　前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と、
    　前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部と、
    　前記基板保持部に保持された前記基板を回転させる基板回転部と、
    　前記チャンバー内に位置し、前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する第１混合液吐出部と、
    　前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置し、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出す第１過熱水蒸気吹出部と
    　を備える、基板処理装置。
  2. 　前記第１混合液吐出部からの前記第１混合液の吐出と、前記第１過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを制御する制御部を更に備え、
    　前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記基板回転部によって回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部と、
    　前記液受け部に支持されて、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す第２過熱水蒸気吹出部と
    　を更に備える、請求項１に記載の基板処理装置。
  4. 　前記基板回転部によって回転される前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部と、
    　前記液受け部に支持されて、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す第２過熱水蒸気吹出部と
    　を更に備え、
    　前記制御部は、前記第２過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しと、前記基板回転部による前記基板の回転とを更に制御し、
    　前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面に前記第１混合液の液膜を形成させ、
    　前記制御部は、前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成し、
    　前記制御部は、前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部及び前記第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  5. 　前記第２過熱水蒸気吹出部は、
    　前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す上側過熱水蒸気吹出部と、
    　前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す下側過熱水蒸気吹出部と
    　を含む、請求項３又は請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 　前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出し、
    　前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御し、
    　前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  7. 　前記第１混合液吐出部は、前記第１混合液と過酸化水素水とを排他的に吐出し、
    　前記制御部は、前記第１混合液吐出部からの前記過酸化水素水の吐出を更に制御し、
    　前記制御部は、前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
    　前記制御部は、前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  8. 　前記基板回転部によって回転される前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する第２混合液吐出部を更に備え、
    　前記制御部は、前記第２混合液吐出部からの前記第２混合液の吐出を更に制御し、
    　前記制御部は、前記第２混合液の吐出時に、前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  9. 　前記基板回転部によって回転される前記基板に向けてリンス液を吐出するリンス液吐出部と、
    　前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置し、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す水蒸気吹出部と
    　を更に備え、
    　前記制御部は、前記リンス液吐出部からの前記リンス液の吐出と、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しとを更に制御し、
    　前記制御部は、前記リンス液の吐出時に、前記水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  10. 　前記制御部は、前記基板回転部による前記基板の回転を更に制御し、
    　前記制御部は、前記リンス液の吐出を停止させた後、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる乾燥処理を実行し、
    　前記制御部は、前記乾燥処理の実行時に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 　前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出す第３過熱水蒸気吹出部と、
    　前記送風機構と前記基板保持部との間に位置し、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出す水蒸気吹出部と
    　を更に備え、
    　前記制御部は、前記水蒸気吹出部からの前記水蒸気の吹き出しと、前記第３過熱水蒸気吹出部からの前記過熱水蒸気の吹き出しとを更に制御し、
    　前記制御部は、前記チャンバーの内部の洗浄時に、前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させ、かつ、前記第３過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項２に記載の基板処理装置。
  12. 　基板保持部により、チャンバー内で基板を保持する保持工程と、
    　送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する第１過熱水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に過熱水蒸気を吹き出させる工程と
    　を含む、基板処理方法。
  13. 　前記基板保持部に保持された前記基板を回転させ、回転中の前記基板に向けて、硫酸と過酸化水素水とが混合された第１混合液を吐出する第１混合液吐出工程を更に含み、
    　前記第１混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
  14. 　前記第１混合液の吐出を停止させ、かつ、前記基板の回転速度を制御して、前記第１混合液の液膜が前記基板の上面に支持されたパドル状態を形成するパドル工程を更に含み、
    　前記パドル状態の形成時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させるとともに、前記基板保持部に保持された前記基板に向けて第２過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させ、
    　前記第２過熱水蒸気吹出部は、回転する前記基板から排出される前記第１混合液を受け止める液受け部に支持される、請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 　前記第２過熱水蒸気吹出部は、
    　前記基板保持部に保持された前記基板の上面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す上側過熱水蒸気吹出部と、
    　前記基板保持部に保持された前記基板の下面に向けて前記過熱水蒸気を吹き出す下側過熱水蒸気吹出部と
    　を含む、請求項１４に記載の基板処理方法。
  16. 　回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含み、
    　前記過酸化水素水の吐出時に、前記過熱水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理方法。
  17. 　回転中の前記基板に向けて過酸化水素水を吐出して、前記基板の上面から前記第１混合液の液膜を排出させる押出工程を更に含み、
    　前記第１混合液の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を第１流量で吹き出させ、
    　前記過酸化水素水の吐出時に、前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を、前記第１流量より小さい第２流量で吹き出させる、請求項１４又は請求項１５に記載の基板処理方法。
  18. 　前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けて、アンモニア水と、過酸化水素水と、純水とが混合された第２混合液を吐出する第２混合液吐出工程を更に含み、
    　前記第２混合液の吐出時に前記第１過熱水蒸気吹出部から前記過熱水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
  19. 　前記送風機構によって前記チャンバー内に空気が送風されている状態で、前記送風機構と前記基板保持部に保持された前記基板との間に位置する水蒸気吹出部から、前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる工程と、
    　前記基板保持部に保持された前記基板を回転させた状態で、回転中の前記基板に向けてリンス液を吐出する工程と
    　を更に含み、
    　前記リンス液の吐出時に前記水蒸気吹出部から前記水蒸気を吹き出させる、請求項１２に記載の基板処理方法。
  20. 　前記リンス液の吐出を停止させた後、前記基板の回転速度を制御して、前記基板の上面から前記リンス液を除去して前記基板の上面を乾燥させる乾燥工程を更に含み、
    　前記乾燥工程の際に、前記水蒸気の吹き出しを停止させる、請求項１９に記載の基板処理方法。
  21. 　基板処理が行われるチャンバーの内部を洗浄する工程を含み、
    　前記チャンバーの内部を洗浄する際に、前記チャンバーの内壁面に向けて過熱水蒸気を吹き出させ、かつ、前記チャンバー内に空気を送風する送風機構と前記チャンバー内において基板を保持する基板保持部との間に位置する水蒸気吹出部から前記チャンバー内に水蒸気を吹き出させる、チャンバー洗浄方法。
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