CN104992911B - 基板处理方法以及基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。该基板处理方法包括：处理液供给工序，向基板的主面供给处理液；基板旋转工序，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；加热器加热工序，与所述基板旋转工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器，对所述处理液的所述液膜进行加热；热量调整工序，与所述加热器加热工序并行地进行，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜的规定部分的热量。

Description

基板处理方法以及基板处理装置
技术领域
本发明涉及基板处理方法以及基板处理装置。作为处理对象的基板，例如包括半导体晶片、液晶显示装置用基板，等离子显示器用基板、FED(Field Emission Display，场致发射显示器)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板、太阳能电池用基板等。
背景技术
在半导体装置的制造工序中，例如包括向半导体基板(下面，仅称为“晶片”)的局部表面注入磷、砷、硼等杂质(离子)的工序。在该工序中，为了防止对不需要的部分注入离子，通过感光树脂形成的抗蚀剂在晶片的表面形成图案，通过抗蚀剂掩盖不需要注入离子的部分。在晶片表面上形成为图案的抗蚀剂在注入离子后不再需要，因此，在注入离子后进行除去该不需要的抗蚀剂的抗蚀剂除去处理。
在具有代表性的抗蚀剂除去处理中，向晶片的表面照射氧等离子，使晶片的表面上的抗蚀剂灰化(ashing)。然后，向晶片的表面供给硫酸和过氧化氢的混合液即硫酸过氧化氢混合液(sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture：SPM液)等药液，除去被灰化的抗蚀剂，由此从晶片的表面除去抗蚀剂。
但是，在照射氧等离子使抗蚀剂灰化的过程中，对晶片的表面的没有被抗蚀剂覆盖的部分(例如，从抗蚀剂露出的氧化膜)造成损伤。
因此，最近，不断关注不进行抗蚀剂的灰化，而向晶片的表面供给SPM液，通过该SPM液所包含的过氧硫酸(H2SO5)的强氧化能力，从晶片的表面剥离并除去抗蚀剂的方法(例如，参照日本特开2005-32819号公报)。
但是，在注入高剂量的离子后的晶片中，抗蚀剂有时发生变质(固化)。
作为使SPM液发挥高的抗蚀剂剥离能力的一个方法，使晶片的表面上的SPM液，尤其是与晶片的表面之间的边界附近的SPM液升高为高温(例如200℃以上)。通过这样的方法，即使是表面具有固化层的抗蚀剂，也能够在不需要进行灰化的情况下，从晶片的表面除去抗蚀剂。为使与晶片的表面之间的边界附近的SPM液保持为高温，考虑持续向晶片供给高温的SPM液，但是，在这样的方案中，SPM液的使用量可能增加。
本申请发明人研究了如下情况，即，一边用处理液的液膜覆盖晶片表面的整个区域，一边使加热器与晶片的表面相向配置，通过该加热器加热处理液的液膜。更具体地说，采用比晶片的表面的直径小的加热器，且在加热过程中使加热器例如以恒定速度沿着晶片的表面移动。另外，在加热过程中来自加热器的热量是恒定的。通过采用这样的方案，能够一边减少处理液的消耗量，一边从晶片除去固化的抗蚀剂，而且，能够显著地提高抗蚀剂的剥离效率，结果，还能够缩短抗蚀剂除去处理的处理时间。
但是，在通过加热器加热基板(晶片)的主面(表面)上液膜的情况下，若液膜的厚度薄，则可能对基板的主面带来损伤。另一方面，若液膜的厚度厚，则该液膜吸收来自加热器的热，热无法到达与基板的主面之间的边界附近的处理液，结果无法使与基板的主面之间的边界附近的处理液的温度充分地上升。即，寻找不对基板的主面带来损伤且利用加热器对该主面进行良好的处理的方法。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供如下基板处理方法以及基板处理装置，即，不对基板的主面带来损伤，且能够利用加热器对该主面进行良好的处理。
本发明提供如下基板处理方法，包括：处理液供给工序，向基板的主面供给处理液；基板旋转工序，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；加热器加热工序，与所述基板旋转工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置的加热器，对所述处理液的所述液膜进行加热；热量调整工序，与所述加热器加热工序并行地进行，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜的规定部分的热量。
根据该方法，向保持在基板的主面上的液膜的规定部分供给来自加热器的热量，根据基板的转速，调整单位时间内的热量。基板的主面上的液膜的厚度根据基板的转速来发生变化。因此，能够使在单位时间内从加热器供给至液膜的规定部分的的热量为，与该液膜的厚度对应的热量。由此，即使随着基板的转速变化而使基板的主面上的液膜的厚度发生变化，也不会过度地对基板的主面进行加热，或者相反地，不会不使处理液的温度充分地上升。结果，能够不对基板的主面带来损伤，且能够利用加热器对基板的主面进行良好的处理。
在本发明的一个实施方式中，所述热量调整工序包括加热器功率调整工序，在该加热器功率调整工序中，根据所述基板的转速调整所述加热器的功率。
根据该方法，根据基板的转速来调整加热器的功率。因此，能够使加热器的功率为与基板的主面上的液膜的厚度对应的功率。由此，即使随着基板的转速变化而使处理液的液膜的厚度发生变化，也不会过度地对基板的主面进行加热，或者相反地，不会不使处理液的温度充分地上升。结果，能够不对基板的主面带来损伤，且能够利用加热器对基板的主面进行良好的处理。
所述基板处理方法，还可以包括加热器移动工序，在该加热器移动工序中，使所述加热器沿着所述基板的主面移动；所述热量调整工序还可以包括加热器移动速度调整工序，在该加热器移动速度调整工序中，根据所述基板的转速来调整所述加热器的移动速度。
根据该方法，通过加热器移动工序，使加热器沿着基板的主面移动。并且，根据基板的转速来调整加热器的移动速度。因此，能够够使加热器的移动速度为与基板的主面上的液膜的厚度对应的移动速度。通过使加热器的移动速度变大，能够使供给至液膜的规定部分的热量变得比较小，另一方面，通过使加热器的移动速度变小，能够使供给至该部分的热量变得比较大。因此，即使在因基板的转速变化而使处理液的液膜的厚度发生变化的情况下，也不会过度地对基板的主面的某一部分进行加热，或者相反地，不会不使处理液的温度充分地上升。结果，能够不对基板的主面带来损伤，且能够利用加热器对基板的主面进行良好的处理。
所述热量调整工序还可以包括：基于用于表示所述基板的转速和在所述单位时间内所述加热器所供给的热量之间的对应关系的对应表，决定所述单位时间内的热量的工序。
根据该方法，根据用于表示基板的转速和在单位时间内加热器所供给的热量之间的对应关系的对应表，决定单位时间内的热量。预先在对应表中规定有基板的转速和单位时间内的热量之间的对应关系，因此能够向基板的主面上的液膜供给与基板的转速对应的恰当的热量。
所述热量调整工序还可以包括：参照存储在工艺条件存储单元中的工艺条件，基于该工艺条件所设定的所述基板旋转工序的所述基板的转速，决定所述单位时间内的热量的工序。
根据该方法，在热量调整工序中，基于用于执行基板处理工序的工艺条件所包括的基板的转速信息，决定单位时间内的热量。因此能够向基板的主面上的液膜供给与基板的转速对应的恰当的热量。
所述处理液也可以包括含有硫酸的抗蚀剂剥离液。
根据该方法，在基板的主面上形成抗蚀剂的情况下，使用包括含有硫酸的抗蚀剂剥离液的液体作为处理液。此时，能够通过加热器，使基板的主面上的含有硫酸的抗蚀剂剥离液的温度上升至高温，由此，即使是在表面上具有固化层的抗蚀剂，也能够不进行灰化来从基板的主面除去。
能够使在单位时间内供给至抗蚀剂剥离液的液膜的规定部分的热量为，与该液膜的厚度对应的热量，因此即使因基板的转速变化而使抗蚀剂剥离液的液膜的厚度发生变化，也不会过度地对基板的主面进行加热，或者相反地，不会不使处理液的温度充分地上升。结果，能够不对基板的主面带来损伤，能够从基板的主面高效地剥离抗蚀剂。
所述处理液也可以包括含有氨水的药液。
也可以在所述加热器功率调整工序中，随着所述基板的转速的上升，使所述加热器的功率下降。
也可以在所述加热器移动速度调整工序中，随着所述基板的转速的上升，使所述加热器的移动速度变大。
本发明提供如下基板处理装置，即，包括：基板保持单元，用于保持基板；基板旋转单元，用于使被所述基板保持单元保持的所述基板旋转；处理液供给单元，向被所述基板保持单元保持的所述基板的主面供给处理液；加热器，与所述基板的主面相向配置；控制单元，控制所述所述基板旋转单元、所述加热器，来执行基板旋转工序、加热器加热工序以及热量调整工序，其中，在所述基板旋转工序中，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；在所述加热器加热工序中，与所述基板旋转工序并行地，通过所述加热器对所述处理液的所述液膜进行加热；在所述热量调整工序中，与所述加热器加热工序并行地，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内所述加热器供给至所述液膜的规定部分的热量。
根据该结构，向保持在基板的主面上的液膜的规定部分供给来自加热器的热量。根据基板的转速来调整单位时间内的热量。基板的主面上的液膜的厚度随着基板的转速来发生变化。因此，能够使供给至液膜的规定部分的单位时间内的热量为，与该液膜的厚度对应的热量。由此，即使因基板的转速变化而使基板的主面上的液膜的厚度发生变化，也不会过度地对基板的主面进行加热，或者相反地，不会不使处理液的温度充分地上升。结果，能够不对基板的主面带来损伤，且能够利用加热器对基板的主面进行良好的处理。
本发明的上述的或其他的目的、特征以及效果，通过参照附图说明如下的实施方式而更明确。
附图说明
图1A是示出本发明的第一实施方式的基板处理装置1的概略结构的示意性的俯视图。
图1B是示意性地示出所述基板处理装置的处理单元的结构的图。
图2是图1B所示的加热器的图解剖视图。
图3是图2所示的红外线灯的立体图。
图4是图1B所示的加热器臂以及加热器的立体图。
图5是示出加热器的配置位置的俯视图。
图6是示出所述基板处理装置的电气结构的框图。
图7是示出本发明的第一实施方式的抗蚀剂除去处理的第一处理例的流程图。
图8是用于说明图7所示的处理例的主要工序的时序图。
图9A至9C是用于说明第一处理例的一工序的图解性的图。
图10是示出向加热器供电的控制的流程图。
图11是用于说明所述第一处理例包括的SC1供给和加热器加热工序的时序图。
图12是示出本发明的第一实施方式的抗蚀剂除去处理的第二处理例的时序图。
图13是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置的电气结构的框图。
图14是示出本发明的第二实施方式的抗蚀剂除去处理的第三处理例的流程图。
图15是用于说明所述第三处理例所包括的SPM液膜形成工序以及SPM液膜加热工序的时序图。
图16是示出加热器的移动速度的控制的流程图。
图17是用于说明所述第三处理例所包括的SC1供给和加热器加热工序的时序图。
图18是示出本发明的第二实施方式的抗蚀剂除去处理的第四处理例的时序图。
具体实施方式
图1A是示出本发明的第一实施方式的基板处理装置1的概略结构的示意性的俯视图。如图1A所示，基板处理装置1是用于如下处理的单张式的装置，即，例如对作为基板的一例的晶片W的表面(主面)进行用于注入杂质的注入离子处理或干式蚀刻处理之后，从该晶片W的表面除去不再需要的抗蚀剂。
基板处理装置1包括：作为容器保持单元的加载端口LP，保持作为容器的多个搬运器C；多个(在本实施方式中为12台)的处理单元100，用处理液对晶片W进行处理。处理单元100以沿着上下方向层叠的方式配置。
基板处理装置1还包括：作为搬运机械手的分度器机械手IR，在加载端口LP和中央机械手CR之间搬运晶片W；作为搬运机械手的中央机械手CR，在分度器机械手IR和各处理单元100之间搬运晶片W；计算机55(控制单元)，控制基板处理装置1所具有的装置的动作或阀的开闭。
如图1A所示，加载端口LP以及各处理单元100在水平方向上隔开间隔配置。在俯视时，用于容置多个晶片W的多个搬运器C沿着水平的排列方向D排列。分度器机械手IR从搬运器C向中央机械手CR一张张地搬运多个晶片W，从中央机械手CR向搬运器C一张张地搬运多个晶片W。同样地，中央机械手CR从分度器机械手IR向各处理单元100一张张地搬入多个晶片W。另外，中央机械手CR根据需要在多个处理单元100之间搬运基板。
分度器机械手IR具有俯视呈U字形的两个手部H。两个手部H配置在不同的高度上。各手部H将晶片W支撑为水平的姿势。分度器机械手IR使手部H沿着水平方向以及铅垂方向移动。而且，通过使分度器机械手IR围绕铅垂线轴旋转(自转)，变更手部H的朝向。分度器机械手IR沿着通过交接位置(图1A所示的位置)的路径沿着排列方向D移动。交接位置为如下位置，即，在俯视时，分度器机械手IR以及中央机械手CR在与排列方向D垂直的方向上相向。分度器机械手IR使手部H与任意的搬运器C以及中央机械手CR相向。通过使分度器机械手IR的手部H移动，进行向搬运器C搬入晶片W的搬入动作和从搬运器C搬出晶片W的搬出动作。另外，分度器机械手IR与中央机械手CR协同动作，在交接位置上进行使晶片W从分度器机械手IR以及中央机械手CR中的一个机械手向另一个机械手移动的交接动作。
另外，中央机械手CR与分度器机械手IR同样地，具有俯视呈U字形的两个手部H。两个手部H配置在不同的高度上。各手部H将晶片W支撑为水平的姿势。中央机械手CR使手部H沿着水平方向以及铅垂方向移动。而且，通过使中央机械手CR围绕铅垂线轴旋转(自转)，变更手部H的朝向。在俯视时，中央机械手CR被各处理单元包围。中央机械手CR使手部H与任意的处理单元100以及分度器机械手IR相向。并且，通过使中央机械手CR的手部H移动，进行向各处理单元100搬入晶片W的搬入动作和从各处理单元100搬出晶片W的搬出动作。另外，中央机械手CR与分度器机械手IR协同动作，进行使晶片W从分度器机械手IR以及中央机械手CR中的一个机械手向另一个机械手移动的交接动作。
图1B示意性地示出适用本发明的第一实施方式的基板处理方法的处理单元100的结构的图。
在处理单元100的被隔断壁划分形成的处理室2(参照图1A)内，具有：晶片保持机构3(基板保持单元)，保持晶片W；剥离液嘴4，用于向被晶片保持机构3保持的晶片W的表面(上表面)供给作为抗蚀剂剥离液的一例的SPM液；加热器54，与被晶片保持机构3保持的晶片W的表面相向配置，用于对晶片W或该晶片W上的处理液(SPM液或后述SC1)液膜进行加热。
作为晶片保持机构3，例如采用夹持式的保持机构。具体地说，晶片保持机构3具有：旋转驱动机构6(基板旋转单元)；旋转轴7，与该旋转驱动机构6的驱动轴形成为一体；圆板状的旋转基座8，大致水平地安装在旋转轴7的上端上；多个夹持构件9，以大致相等角度间隔设置在旋转基座8的周缘部的多个部位上。旋转驱动机构6例如为电动马达。并且，多个夹持构件9将晶片W夹持为大致水平的姿势。在该状态下驱动旋转驱动机构6时，通过该驱动力使旋转基座8围绕沿着铅垂线的规定的旋转轴线A1旋转，从而使晶片W与旋转基座8一起以保持大致水平的姿势的状态围绕旋转轴线A1旋转。
此外，作为晶片保持机构3，并不限定于夹持式的保持机构，例如也可以采用如下真空吸附式的保持机构，即，通过真空吸附晶片W的背面，将晶片W保持为水平的姿势，而且在该状态下围绕旋转轴线A1旋转，从而使该保持的晶片W旋转。
剥离液嘴4例如为以连续流动的状态喷出SPM液的直线型嘴。剥离液嘴4以将其喷出口朝向下方的状态安装在大致水平地延伸的第一液臂11的前端上。第一液臂11以能够围绕沿着铅垂方向延伸的规定的摆动轴线(未图示)摆动的方式设置。在第一液臂11上结合有用于使第一液臂11在规定角度范围内摆动的第一液臂摆动机构12。通过使第一液臂11摆动，使剥离液嘴4在晶片W的旋转轴线A1上的位置(与晶片W的旋转中心相向的位置)和设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置之间移动。
用于向剥离液嘴4供给SPM液的剥离液供给机构13(处理液供给单元)具有：混合部14，用于使硫酸(H2SO4)和过氧化氢(H2O2)混合；剥离液供给管15，连接在混合部14和剥离液嘴4之间。在混合部14上连接有硫酸供给管16以及过氧化氢供给管17。从后述硫酸供给部(未图示)向硫酸供给管16供给温度被调节为规定温度(例如大约80℃)的硫酸。另一方面，从过氧化氢供给源(未图示)向过氧化氢供给管17供给温度未被调节的室温(大约25℃)程度的过氧化氢。
在硫酸供给管16上安装有硫酸阀18以及流量调节阀19。另外，在过氧化氢供给管17上安装有过氧化氢阀20以及流量调节阀21。在剥离液供给管15上从混合部14侧依次安装有搅拌流通管22以及剥离液阀23。搅拌流通管22例如具有如下结构：在管构件内，配置有多个搅拌叶，多个搅拌叶围绕沿着液体流通方向形成的管中心轴配置成相互错开90°旋转角度，各所述搅拌叶分别是使长方形板状体以液体流通方向为轴大致扭转180度而成的。
若在打开剥离液阀23的状态下打开硫酸阀18以及过氧化氢阀20，则来自硫酸供给管16的硫酸以及来自过氧化氢供给管17的过氧化氢流入混合部14，然后从混合部14向剥离液供给管15流出。硫酸以及过氧化氢在剥离液供给管15内流通的过程中，通过搅拌流通管22来被搅拌流通管22充分地搅拌。通过搅拌流通管22搅拌，使硫酸和过氧化氢充分地反应，从而生成含有大量的过氧硫酸(H2SO5)的SPM液。并且，SPM液借助硫酸和过氧化氢的反应热，温度上升到供给至混合部14的硫酸的液温以上的高温。该高温的SPM液通过剥离液供给管15供给至剥离液嘴4。
在本实施方式中，在硫酸供给部(未图示)的硫酸槽(未图示)中储存有硫酸，通过温度调节器(未图示)将该硫酸槽内的硫酸的温度调节为规定温度(例如大约80℃)。储存在该硫酸槽内的硫酸供给至硫酸供给管16。在混合部14中，例如使大约80℃的硫酸和室温的过氧化氢混合，从而例如生成大约140℃的SPM液。剥离液嘴4喷出大约140℃的SPM液。
另外，处理单元100具有：DIW嘴24，用于向被晶片保持机构3保持的晶片W的表面供给作为冲洗液的DIW(去离子的水)；SC1嘴25，用于向被晶片保持机构3保持的晶片W的表面供给作为清洗用的药液的SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨过氧化氢混合液)。
DIW嘴24例如为以连续流动的状态喷出DIW的直线型嘴，使其喷出口朝向晶片W的旋转中心附近来固定配置在晶片保持机构3的上方。在DIW嘴24上连接有用于供给来自DIW供给源的DIW的DIW供给管26。在DIW供给管26的非端部安装有DIW阀27，该DIW阀27用于切换来自DIW嘴24的DIW的供给/停止供给。
SC1嘴25例如为以连续流动的状态喷出SC1的直线型嘴。SC1嘴25以其喷出口朝向下方的状态安装在大致水平地延伸的第二液臂28的前端上。第二液臂28以能够围绕沿着铅垂方向延伸的规定的摆动轴线(未图示)转动的方式设置。在第二液臂28上结合有用于使第二液臂28在规定角度范围内摆动的第二液臂摆动机构29。通过使第二液臂28摆动，使SC1嘴25在晶片W的旋转轴线A1上的中央位置(与晶片W的旋转中心相向的位置)和设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置之间移动。
在SC1嘴25上连接有用于供给来自SC1供给源的SC1的SC1供给管30。在SC1供给管30的非端部安装有SC1阀31，该SC1阀31用于切换来自SC1嘴25的SC1的供给/停止供给。
在晶片保持机构3的侧方配置有沿着铅垂方向延伸的支撑轴33。在支撑轴33的上端结合有沿着水平方向延伸的加热器臂34，在加热器臂34的前端上安装有加热器54。另外，在支撑轴33上结合有：摆动驱动机构36，用于使支撑轴33围绕其中心轴线转动；升降驱动机构37，用于使支撑轴33沿着其中心轴线上下移动。
从摆动驱动机构36向支撑轴33输入驱动力，使支撑轴33在规定的角度范围内转动，从而使加热器臂34在被晶片保持机构3保持的晶片W的上方以支撑轴33为支点摆动。通过使加热器臂34摆动，使加热器54在包括晶片W的旋转轴线A1上的位置(与晶片W的旋转中心相向的位置)和设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置之间移动。另外，从升降驱动机构37向支撑轴33输入驱动力，使支撑轴33上下移动，从而使加热器54在接近位置(包括后述中间接近位置、边缘接近位置、中央接近位置。在图1B中用双点划线表示的位置)和退避位置(在图1B中用实线表示的位置)之间升降，其中，所述接近位置指，接近被晶片保持机构3保持的晶片W的表面的位置，所述退避位置指，向该晶片W的上方退避的位置。在本实施方式中，接近位置被设定为如下位置，即，被晶片保持机构3保持的晶片W的表面和加热器54的下端面之间的间隔例如为3mm。
图2是加热器54的图解剖视图。图3是红外线灯38的立体图。图4是加热器臂34以及加热器54的立体图。
如图2所示，加热器54具有：加热器头35；红外线灯38；有底容器状的灯壳40，在上部形成有开口部39，用于容置红外线灯38；支撑构件42，在灯壳40的内部以吊挂的方式支撑红外线灯38；盖41，用于堵塞灯壳40的开口部39。在本实施方式中，盖41固定在加热器臂34的前端上。
如图2以及图3所示，红外线灯38为一个红外线灯加热器，具有：圆环状的(圆弧状的)圆环部43，一对直线部44、45，从圆环部43的两端以沿着圆环部43的中心轴线的方式向铅垂上方延伸；该红外线灯38的圆环部43主要发挥用于放射红外线的发光部的功能。在本实施方式中，圆环部43的直径(外径)例如被设定为大约60mm。在红外线灯38支撑在支撑构件42上的状态下，圆环部43的中心轴线沿着铅垂方向延伸。换句话讲，圆环部43的中心轴线为与被晶片保持机构3保持的晶片W的表面垂直的轴线。另外，红外线灯38配置在大致水平面内。
红外线灯38的圆环部43将灯丝容置于石英配管内而成。作为红外线灯38，能够采用卤素灯或石墨加热器所代表的短波长、中波长、长波长的红外线加热器。在红外线灯38上连接有计算机55，从而供电。
如图2以及图4所示，盖41呈圆板状，以沿着加热器臂34的长度方向的姿势固定。盖41能够利用PTFE(聚四氟乙烯)等氟类树脂材料形成。在本实施方式中，盖41与加热器臂34形成为一体。但是，也可以分别形成盖41和加热器臂34。另外，作为盖41的材料，除了PTFE等树脂材料之外，还能够采用陶瓷或石英等材料。
如图2所示，在盖41的下表面49上形成有(大致圆筒状的)槽部51。槽部51具有由水平平坦面形成的上底面50，在上底面50上接触固定有支撑构件42的上表面42A。如图2以及图4所示，在盖41上形成有在铅垂方向上贯通上底面50以及下表面42B的插入孔58、59。各插入孔58、59用于使红外线灯38的直线部44、45的各上端部穿过。此外，在图4中表示从加热器头35卸下红外线灯38的状态。
如图2所示，加热器头35的灯壳40呈有底圆筒容器状。灯壳40利用石英来形成。
在加热器头35中，灯壳40以使其开口部39朝向上方的状态固定在盖41的下表面49(在本实施方式中为除了槽部51之外的下表面)上。圆环状的凸缘40A从灯壳40的开口侧的周端缘向径向外侧(水平方向)突出。利用螺栓等固定构件(未图示)将凸缘40A固定在盖41的下表面49上，从而将灯壳40支撑在盖41上。
灯壳40的底板部52呈水平姿势的圆板状。底板部52的上表面52A以及下表面52B分别呈水平平坦面。在灯壳40内，红外线灯38的圆环部43的下部与底板部52的上表面52A接近且相向配置。另外，圆环部43和底板部52彼此平行。另外，当改变观察方向时，圆环部43的下方被灯壳40的底板部52覆盖。此外，在本实施方式中，灯壳40的外径例如被设定为大约85mm。另外，红外线灯38(圆环部43的下部)的下端边和上表面52A之间的上下方向的间隔例如被设定为大约2mm。
支撑构件42呈壁厚的大致圆板状，通过螺栓56等从盖41的下方以水平姿势安装固定在盖41上。支撑构件42利用具有耐热性的材料(例如陶瓷或石英)形成。在支撑构件42上形成有两个贯通孔46、47，该贯通孔46、47在铅垂方向上贯通该支撑构件42的上表面42A以及下表面42B。各贯通孔46、47用于使红外线灯38的直线部44、45穿过。
在各直线部44、45的非端部分别外套固定有O型环48。在使直线部44、45穿过贯通孔46、47的状态下，各O型环48的外周与贯通孔46、47的内壁压力接触，由此，防止直线部44、45从各贯通孔46、47脱落，使红外线灯38以吊挂的方式支撑在支撑构件42上。
在通过加热器54放射红外线时，通过计算机55(具体地说，后述CPU55A)进行控制。更具体地说，在通过计算机55控制加热器54来向红外线灯38供电时，红外线灯38开始放射红外线。红外线灯38所放射的红外线通过灯壳40朝向加热器头35的下方射出。在进行后述抗蚀剂除去处理时，在构成加热器头35的下端面的灯壳40的底板部52与被晶片保持机构3保持的晶片W的表面相向配置的状态下，通过灯壳40的底板部52射出的红外线对晶片W以及晶片W上的处理液(SPM液或SC1)的液膜进行加热。另外，红外线灯38的圆环部43呈水平姿势，因此能够向同样地呈水平姿势的晶片W的表面均匀地照射红外线，由此，能够向晶片W以及晶片W上的处理液高效地照射红外线。
在加热器头35中，红外线灯38的周围被灯壳40覆盖。另外，灯壳40的凸缘40A和盖41的下表面49在灯壳40的在整周上紧贴在一起。而且，灯壳40的开口部39被盖41堵塞。这样，在进行后述抗蚀剂除去处理时，能够防止包括晶片W的表面附近的处理液的液滴的环境气体等进入灯壳40内来对红外线灯38带来不良影响。另外，能够防止处理液的液滴等附着于红外线灯38的石英管的管壁上，因此能够长期稳定地保持红外线灯38所放射的红外线的光量。
另外，在盖41内形成有：供气路径60，用于向灯壳40的内部供给空气；排气路径61，用于排出灯壳40的内部的环境气体。供气路径60以及排气路径61具有在盖41的下表面上打开的供气口62以及排气口63。在供气路径60上连接有供气配管64的一端。供气配管64的另一端与空气的供气源连接。在排气路径61上连接有排气配管65的一端。排气配管65的另一端与排气源连接。
一边通过供气配管64以及供气路径60从供气口62向灯壳40内供给空气，一边将灯壳40内的环境气体通过排气口63以及排气路径61向排气配管65排出，从而能够对灯壳40内的高温环境气体进行换气。由此，能够冷却灯壳40的内部，结果，能够良好地冷却红外线灯38、灯壳40，尤其是支撑构件42。
此外，如图4所示，供气配管64以及排气配管65(在图4中未图示，参照图2)分别支撑于在加热器臂34上设置的供气配管支架66以及在加热器臂34上设置的排气配管支架67上。
图5是示出加热器54的配置位置的俯视图。
通过控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，能够使加热器54在晶片W的表面上以描画与晶片W的旋转方向交叉的圆弧状轨迹的方式移动。
在通过加热器54对晶片W以及晶片W上的SPM液以及SC1进行加热的情况下，加热器54配置于接近位置，在该接近位置下，构成加热器头35的下端面的底板部52与晶片W的表面隔开微小间隔(例如3mm)来相向。并且，在该加热中，底板部52(下表面52B)和晶片W的表面之间保持该微小间隔。
作为加热器54的接近位置，能够举例示出中间接近位置(图5中实线所示的位置)、边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)、中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)。
中间接近位置为加热器54的如下位置，即，俯视呈圆形的加热器54的中心与晶片W的表面的半径方向的中央位置(旋转中心(旋转轴线A1上)和周缘部之间的中央位置)相向，并且加热器头35的底板部52和晶片W的表面之间隔开微小间隔(例如3mm)。
边缘接近位置为加热器54的如下位置，即，俯视呈圆形的加热器54的中心与晶片W的表面的周缘部相向，并且加热器头35的底板部52和晶片W的表面之间隔开微小间隔(例如3mm)。
中央接近位置为加热器54的如下位置，即，俯视呈圆形的加热器54的中心与晶片W的表面的旋转中心(旋转轴线A1上)相向，并且加热器头35的底板部52和晶片W的表面之间隔开微小间隔(例如3mm)。
图6是示出基板处理装置1的电气结构的框图。
基板处理装置1具有计算机55。计算机55包括CPU55A和存储装置55D(工艺条件存储单元)。在存储装置55D中保存有工艺条件55B、SPM液用的转速-加热器功率对应表55C、SC1用的转速-加热器功率对应表55F。
存储在存储装置55D中的数据包括：规定有对晶片W处理的内容(步骤以及条件等)的工艺条件(工艺条件55B)的数据；用于表示晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系的表(SPM液用的转速-加热器功率对应表55C以及SC1用的转速-加热器功率对应表55F)。
在SPM液用的转速-加热器功率对应表55C中，规定有在供给SPM液时随着晶片W的转速的上升而使加热器54的功率降低这样的、晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系。更具体地说，在SPM液用的转速-加热器功率对应表55C中，规定有不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液这样的、晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系。供给至晶片W的表面的SPM液的液膜厚度依赖于晶片W的转速，另外，当晶片W的转速大时，SPM液的液膜变薄，当晶片W的转速小时，SPM液的液膜变厚，但是只要晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系为在SPM液用的转速-加热器功率对应表55C中规定的对应关系即可，能够不对晶片W的表面带来损伤，且能够使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液。
另外，在SC1用的转速-加热器功率对应表55F中，也规定有在供给SC1时随着晶片W的转速的上升而使加热器54的功率降低这样的、晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系。更具体地说，在SC1用的转速-加热器功率对应表55F中，规定有不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SC1这样的、晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系。供给至晶片W的表面的SC1的液膜厚度依赖于晶片W的转速，另外，当晶片W的转速大时，SC1的液膜变薄，当晶片W的转速小时，SC1的液膜变厚，但是只要晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系为在SC1用的转速-加热器功率对应表55F中规定的对应关系即可，能够不对晶片W的表面带来损伤，且能够使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SC1。
在计算机55上连接有旋转驱动机构6、加热器54、摆动驱动机构36、升降驱动机构37、第一液臂摆动机构12、第二液臂摆动机构29、硫酸阀18、过氧化氢阀20、剥离液阀23、DIW阀27、SC1阀31、流量调节阀19、21等来作为控制对象。
工艺条件输入操作部57由用户操作的键盘、触控面板以及其它输入接口形成。用户操作工艺条件输入操作部57，从而能够调用存储在存储装置55D中的数据。另外，用户能够利用工艺条件输入操作部57制作工艺条件，将该工艺条件作为工艺条件55B注册在存储装置55D中。
图7是示出本发明的第一实施方式的抗蚀剂除去处理的第一处理例的流程图。图8是主要用于说明在后述SPM液膜形成工序以及SPM液膜加热工序中通过CPU55A控制的内容的时序图。图9A至9C是用于说明SPM液膜形成工序以及SPM液膜加热工序的图解性的图。图10是示出向加热器54供电的控制的流程图。图11是用于说明所述第一处理例包括的SC1供给和加热器加热工序的时序图。
下面，一边参照图1A、图1B以及图6至图11，一边对于抗蚀剂除去处理的第一处理例进行说明。
在进行抗蚀剂除去处理之前，首先，由用户对工艺条件输入操作部57进行操作，决定与晶片W的处理条件有关的工艺条件55B。然后，CPU55A基于该工艺条件55B依次进行晶片W的处理。
CPU55A控制分度器机械手IR(参照图1A)以及中央机械手CR(参照图1A)，向处理室2内搬入进行了注入离子处理的晶片W(步骤S1：搬入晶片W)。设晶片W未受到用于使抗蚀剂灰化的处理。晶片W以使其表面朝向上方的状态被交至晶片保持机构3。此时，为了不妨碍搬入晶片W，使加热器54、剥离液嘴4以及SC1嘴25分别配置在起始位置上。
当晶片W保持在晶片保持机构3上时，CPU55A控制旋转驱动机构6，从而使晶片W开始旋转(步骤S2)。晶片W的速度上升至预先决定的第一转速，维持该第一转速。第一转速为能够用SPM液覆盖晶片W的整个表面区域的速度，例如为150rpm。另外，CPU55A控制第一液臂摆动机构12，使剥离液嘴4移动至晶片W的上方位置，使剥离液嘴4配置在晶片W的旋转中心(旋转轴线A1)上。另外，CPU55A打开硫酸阀18、过氧化氢阀20以及剥离液阀23，从而从剥离液嘴4喷出SPM液。如图8以及图9A所示，剥离液嘴4所喷出的SPM液供给至晶片W的表面(步骤S31：SPM液膜形成工序)。
供给至晶片W的表面的SPM液，借助晶片W旋转的离心力从晶片W的表面中央部向晶片W的表面周缘部扩散。由此，SPM液遍及晶片W的表面的整个区域，从而形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SPM液的液膜70。作为SPM液的液膜70的厚度，例如能够举例示出0.4mm。
另外，CPU55A控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54从设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置移动至边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)的上方，然后，使加热器54下降至边缘接近位置之后以恒定的速度朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
将步骤S31的SPM液膜形成工序以及下面说明的步骤S32的SPM液膜加热工序合起来称为步骤S3的SPM供给和加热器加热工序，通过该步骤S3的SPM供给和加热器加热工序，通过加热器54照射红外线，但是加热器54的功率被决定为与晶片W的转速对应的大小。
如图10所示，在步骤S31的SPM液膜形成工序中，CPU55A一边参照用于管理抗蚀剂除去处理的进行状况的计时器(未图示)，一边判断当前加热器54是否处于接通期间(步骤S21)。
在加热器54处于接通期间的情况(在步骤S21中为“是”)下，CPU55A基于存储在工艺条件55B中的晶片W的转速和SPM液用的转速-加热器功率对应表55C，决定应该向加热器54供给的电力的大小(步骤S22)。并且，将所决定的大小的电力供给至加热器54。通过利用这样的加热器54照射红外线，能够使晶片W的表面上的SPM液的液膜的温度上升至高温，由此，即使是在表面上具有固化层的抗蚀剂，也能够在不进行灰化的情况下从晶片W的表面除去。
另一方面，在判断为加热器54不处于接通期间的情况(在步骤S21中为“否”)下，不向加热器54供电。这样，加热器54的功率被控制为与存储在工艺条件55B中的晶片W的转速对应的功率。此时，在步骤S31的SPM液膜形成工序中，由于晶片W的转速为比较大的第一转速，因此在晶片W的表面上形成比较薄的SPM液的液膜。因此，CPU55A根据SPM液用的转速-加热器功率对应表55C(参照图6)所规定的晶片W的转速和加热器54的功率之间的对应关系，将加热器54的功率控制为比较小的第一功率(例如，最大功率的40％左右的功率)。
第一功率为不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜70的功率。因此，不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SPM液的液膜70的温度充分地上升。结果，在步骤S31的SPM液膜形成工序中，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下从晶片W的表面高效地剥离抗蚀剂。
当从开始供给SPM液起经过预先决定的SPM液供给时间时，CPU55A控制旋转驱动机构6，使晶片W的旋转从第一转速减至第二转速。第二转速例如为能够在晶片W的表面上保持比SPM液的液膜70厚的SPM液的液膜80的速度(在1rpm～30rpm的范围，例如15rpm)。作为SPM液的液膜80的厚度，例如能够举例示出1.0mm。
当从开始供给SPM液起经过预先决定的SPM液供给时间时，如图8以及图9B所示，CPU55A关闭硫酸阀18、过氧化氢阀20以及剥离液阀23，停止从剥离液嘴4供给SPM液。另外，CPU55A控制第一液臂摆动机构12，使停止了供给SPM液的剥离液嘴4返回起始位置。SPM液供给时间，应该比形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SPM液的液膜70、80所需的时间更长，而且随着来自剥离液嘴4的SPM液的喷出流量和晶片W的转速(第一转速)不同而不同，但是在3秒～30秒的范围内，例如为15秒。
另外，CPU55A继续使加热器54照射红外线(步骤S32：SPM液膜加热工序)。
在该步骤S32的SPM液膜加热工序中，也基于晶片W的转速决定加热器54功率的大小。具体地说，与步骤S31的SPM液膜形成工序的情况同样地，在加热器54处于接通期间(在图10的步骤S21中为“是”)时，CPU55A基于存储在工艺条件55B中的晶片W的转速和SPM液用的转速-加热器功率对应表55C，决定应该向加热器54供给的电力(图10的步骤S22)，将所决定的电力供给至加热器54。如上所述，在SPM液用的转速-加热器功率对应表55C(参照图6)中，规定了随着晶片W的转速上升而使加热器54的功率降低这样的对应关系，因此加热器54的功率被控制为大于第一功率的第二功率(例如，最大功率的95％左右的功率)。
第二功率为不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜80的功率。因此，不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SPM液的液膜80的温度充分地上升。结果，在步骤S32的SPM液膜加热工序中，也能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下，从晶片W的表面高效地剥离抗蚀剂。
在刚刚开始进行步骤S32的SPM液膜加热工序之后，在本实施方式中，加热器54大概配置在中间接近位置(图5中实线所示的位置)。并且，CPU55A继续控制摆动驱动机构36，使加热器54以规定的移动速度从中间接近位置朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
在加热器54到达中央接近位置之后，在该中央接近位置上继续对晶片W加热规定的时间。在步骤S32的SPM液膜加热工序中，通过由加热器54照射红外线，对晶片W的与加热器头35的底板部52相向的部分进行加热，并且对位于该部分的SPM液的液膜80进行加热。执行步骤S32的SPM液膜加热工序预先决定的加热时间(在2秒～90秒的范围，例如大约40秒)那么多。
当从加热器54开始照射红外线起经过预先决定的时间时，CPU55A控制加热器54，从而停止照射红外线。另外，CPU55A控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54返回起始位置。
然后，CPU55A控制旋转驱动机构6，使晶片W加速至规定的第三转速(在300rpm～1500rpm的范围，例如1000rpm)，并且打开DIW阀27，从DIW嘴24的喷出口朝向晶片W的旋转中心附近供给DIW(步骤S4：中间冲洗处理工序)。
供给至晶片W的表面的DIW，借助晶片W旋转的离心力，在晶片W的表面上朝向晶片W的周缘流动。由此，附着于晶片W的表面的SPM液被DIW冲掉。当继续供给DIW并供给预先决定的时间时，关闭DIW阀27，从而停止向晶片W的表面供给DIW。
接着，如图11所示，CPU55A一边将晶片W的转速维持为第三转速，一边打开SC1阀31，从而从SC1嘴25向晶片W的表面供给SC1(步骤S5：SC1供给和加热器加热工序)。另外，CPU55A控制第二液臂摆动机构29，使第二液臂28在规定角度范围内摆动，从而使SC1嘴25在晶片W的旋转中心上和周缘部上之间往复移动。这样，晶片W的表面上的来自SC1嘴25的SC1被引导的供给位置，在从晶片W的旋转中心到晶片W的周缘部的范围内，一边描画与晶片W的旋转方向交叉的圆弧状轨迹一边进行往复移动。由此，SC1遍及晶片W的表面的整个区域，从而形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SC1的薄液膜。
另外，与向晶片W供给SC1的动作并行地，通过加热器54对晶片W的表面以及SC1的液膜进行加热。具体地说，CPU55A控制加热器54来开始照射红外线，并且控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54从设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置移动至边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)的上方，然后，使加热器54下降至边缘接近位置之后以恒定的速度朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中，也基于晶片W的转速决定加热器54的功率的大小。具体地说，与步骤S3的SPM供给和加热器加热工序的情况同样地，在加热器54处于接通期间时，CPU55A基于存储在工艺条件55B中的晶片W的转速和SC1用的转速-加热器功率对应表55F，决定应该供给至加热器54的电力(参照图10的步骤S22)，将所决定的电力供给至加热器54。在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中，晶片W的转速为比较大的第三转速，因此加热器54的功率被控制为与第三转速对应的比较小的第三功率。第三功率为在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SC1的液膜的功率。
另外，在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中，以不使SC1嘴25和加热器54彼此发生干涉的方式，设定SC1嘴25以及加热器54的扫描方式。
在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中，向晶片W的表面的整个区域均匀地供给SC1，从而能够高效地清洗除去附着于晶片W的表面的颗粒。另外，由于通过加热器54加热SC1，因此SC1具有高活性。结果，能够使清洗效率显著地提高。
而且，在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中，加热器54的功率被控制为第三功率，因此不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SC1的液膜的温度充分地上升。结果，在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下清洗晶片W的表面。
此外，在本实施方式中，在步骤S5的SC1供给和加热器加热工序中不变更晶片W的转速，因此，在SC1供给和加热器加热工序中不会变更加热器54的功率。但是，在SC1供给和加热器加热工序中变更晶片W的转速的情况下，也根据该变更的转速来变更加热器54的功率。
在继续通过加热器54进行加热并进行预先决定的时间时，CPU55A控制加热器54来停止照射红外线，并且控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54返回起始位置。
在持续供给了SC1预先决定的时间时，CPU55A关闭SC1阀31，并且控制第二液臂摆动机构29，使SC1嘴25返回起始位置。另外，在将晶片W的转速维持为第三转速的状态下，CPU55A打开DIW阀27，从DIW嘴24的喷出口朝向晶片W的旋转中心附近供给DIW(步骤S6：最终冲洗工序)。
供给至晶片W的表面的DIW，借助晶片W旋转的离心力，在晶片W的表面上朝向晶片W的周缘流动。由此，附着于晶片W的表面的SC1被DIW冲掉。
当从开始进行最终冲洗工序起经过预先决定的时间时，CPU55A关闭DIW阀27，停止向晶片W的表面供给DIW。然后，CPU55A驱动旋转驱动机构6，使晶片W的转速上升至规定的高转速(例如1500rpm～2500rpm)，进行甩出附着于晶片W的DIW来使该晶片W干燥的旋转干燥处理(步骤S7)。
通过步骤S7的旋转干燥处理，除去附着于晶片W的DIW。此外，在步骤S4的中间冲洗工序以及步骤S6的最终冲洗工序中，作为冲洗液，并不限定于DIW，还能够采用苏打水、电解离子水、臭氧水、还原水(含氢水)、磁水等。
当进行旋转干燥处理并进行预先决定的时间时，CPU55A驱动旋转驱动机构6，使晶片保持机构3停止旋转。由此，一个晶片W的抗蚀剂除去处理结束，通过中央机械手CR从处理室2搬出已处理的晶片W(步骤S8)。
如上所述，根据本实施方式，在步骤S31的SPM液膜形成工序、步骤S32的SPM液膜加热工序以及步骤S5的SC1供给和加热器加热工序这样的各工序中，根据晶片W的转速来调整加热器54的功率。因此，能够使加热器54的功率为与晶片W的表面上的处理液(SPM液或SC1)的液膜厚度对应的功率。由此，即使随着晶片W的转速变化而使处理液(SPM液或SC1)的液膜厚度发生变化，也不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使处理液(SPM液或SC1)的温度充分地上升。结果，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下对晶片W的表面进行良好的处理。
图12是示出本发明的第一实施方式的抗蚀剂除去处理的第二处理例的时序图。第二处理例与第一处理例的不同点在于，执行图12所示的步骤S33的SPM供给和加热器加热工序，来代替图8所示的步骤S3的SPM供给和加热器加热工序。其它工序与上述第一处理例相同，因此仅对第二处理例的步骤S33的SPM供给和加热器加热工序进行说明。
在步骤S33的SPM供给和加热器加热工序中，与第一处理例的步骤S3的SPM供给和加热器加热工序同样地，为了用SPM液的液膜覆盖晶片W的表面，从剥离液嘴4向晶片W的表面供给SPM液，且通过加热器54照射红外线，但是在照射红外线的整个期间内，持续从剥离液嘴4供给SPM液。这一点为步骤S33的SPM供给和加热器加热工序与图8所示的步骤S3的SPM供给和加热器加热工序不同的一点。
步骤S33的SPM供给和加热器加热工序与步骤S3的SPM供给和加热器加热工序同样地，使晶片W以比较大的速度(第四转速)旋转规定的时间(例如相当于第一处理例的SPM液供给时间)，然后，使晶片W以小于该速度的第五转速旋转规定的时间(例如相当于第一处理例的加热时间)。此外，第四转速为能够用SPM液覆盖晶片W的整个表面区域的速度，例如能够举例示出与上述第一转速同样的150rpm。
在第二处理例中，在晶片W的转速为比较大的第四转速时，加热器54的功率被控制为比较小的第四功率。当晶片W的转速为比较大的第四转速时，在晶片W的表面上形成比较薄的SPM液的液膜，但是第四功率为加热器54的如下功率，即，不对晶片W的表面带来损伤，且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜。
当晶片W的转速为比较小的第五转速(例如，15rpm以上)时，加热器54的功率被控制为大于第四功率的第五功率。当晶片W的转速变更为比较小的第五转速时，SPM液的液膜变得比原来厚。第五功率为加热器54的如下功率，即，不对晶片W的表面带来损伤，且使热充分地到达保持在晶片W的表面上的SPM液的液膜中的边界附近的部分。
第五转速小于第四转速且大于上述第一处理例的第二转速。由此，在晶片W的表面上形成比第四转速时的SPM液的液膜厚的SPM液的液膜。例如需要第五转速是能够在晶片W的表面上保持SPM液的液膜的速度。
这样，即使在采用步骤S33的SPM供给和加热器加热工序的第二处理例中，也能够取得与在上述第一处理例中叙述的效果同样的效果。
图13是示出本发明的第二实施方式的基板处理装置101的电气结构的框图。第二实施方式的计算机155与上述第一实施方式的计算机55的不同点在于，具有SPM液用的转速-加热器移动速度对应表55E来代替SPM液用的转速-加热器功率对应表55C，以及具有SC1用的转速-加热器移动速度对应表55G来代替SC1用的转速-加热器功率对应表55F。其它结构与上述第一实施方式的处理单元100相同。在图13中，对于与上述第一实施方式的图6所示的各部对应的部分标注相同附图标记，并省略说明。
在SPM液用的转速-加热器移动速度对应表55E中，规定有随着晶片W的转速减小而使加热器54的移动速度减小这样的、晶片W的转速和加热器54的移动速度(更具体地说，加热器臂34的摆动速度)之间的对应关系。在SPM液用的转速-加热器移动速度对应表55E中，规定有不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液这样的、晶片W的转速和加热器54的移动速度之间的对应关系。
供给至晶片W的表面的SPM液的液膜厚度依赖于晶片W的转速。因此，当晶片W的转速大时，SPM液的液膜变薄，当晶片W的转速小时，SPM液的液膜变厚，但是在加热器54的功率恒定的情况下，随着晶片W的转速不同，供给至SPM液的液膜的规定部分的热量不同。
即，若使加热器54的移动速度变大，则供给至液膜的规定部分的热量变得比较小，另一方面，若使加热器54的移动速度变小，则供给至该部分的热量变得比较大。只要晶片W的转速和加热器54的移动速度之间的对应关系为在SPM液用的转速-加热器移动速度对应表55E中规定的对应关系即可，能够不对晶片W的表面带来损伤，且能够使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液。
在SC1用的转速-加热器移动速度对应表55G中，也规定有随着晶片W的转速减小而使加热器54的移动速度减小这样的、晶片W的转速和加热器54的移动速度(更具体地说，加热器臂34的摆动速度)之间的对应关系。在SC1用的转速-加热器移动速度对应表55G中，规定有不对晶片W的表面带来损伤且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SC1这样的、晶片W的转速和加热器54的移动速度之间的对应关系。因此，能够不对晶片W的表面带来损伤，且能够使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SC1。
图14是示出本发明的第二实施方式的抗蚀剂除去处理的第三处理例的流程图。图15是主要用于说明所述第三处理例所包括的SPM液膜形成工序以及SPM液膜加热工序的时序图。图16是示出加热器54的移动速度的控制的流程图。图17是用于说明所述第三处理例所包括的SC1供给和加热器加热工序的时序图。
下面，一边参照图1A、图1B以及图13至图17，一边对于所述第三处理例进行说明。
在进行抗蚀剂除去处理之前，首先，由用户对工艺条件输入操作部57进行操作，决定与晶片W的处理条件有关的工艺条件55B。然后，计算机155的CPU55A基于该工艺条件55B，依次进行晶片W的处理。
CPU55A控制分度器机械手IR(参照图1A)以及中央机械手CR(参照图1A)，向处理室2内搬入进行了注入离子处理的晶片W(步骤S11：搬入晶片W)。设晶片W未受到用于使抗蚀剂灰化的处理。晶片W以使其表面朝向上方的状态被交至晶片保持机构3。此时，为了不妨碍搬入晶片W，使加热器54、剥离液嘴4以及SC1嘴25分别配置在起始位置上。
当晶片W保持在晶片保持机构3上时，CPU55A控制旋转驱动机构6，从而使晶片W开始旋转(步骤S12)。如图15所示，晶片W的速度上升至预先决定的第六转速，维持该第六转速。第六转速为能够用SPM液覆盖晶片W的整个表面区域的速度，例如为与上述第一实施方式的第一处理例的第一转速(参照图8)同样的150rpm。
另外，与上述第一实施方式的第一处理例同样地，CPU55A控制第一液臂摆动机构12，使剥离液嘴4移动至晶片W的上方位置，使剥离液嘴4配置在晶片W的旋转中心(旋转轴线A1)上。另外，CPU55A打开硫酸阀18、过氧化氢阀20以及剥离液阀23，从而从剥离液嘴4向晶片W的表面供给SPM液(步骤S41：SPM液膜形成工序)。
供给至晶片W的表面的SPM液，借助晶片W旋转的离心力从晶片W的表面中央部向晶片W的表面周缘部扩散。由此，SPM液遍及晶片W的表面的整个区域，从而形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SPM液的液膜。作为SPM液的液膜的厚度，例如能够举例示出0.4mm。
另外，如图15所示，CPU55A控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54从设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置移动至边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)的上方，然后，使加热器54下降至边缘接近位置之后以预先决定的第一移动速度朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)向一个方向移动。
将步骤S41的SPM液膜形成工序以及下面说明的步骤S42的SPM液膜加热工序合起来称为步骤S13的SPM供给和加热器加热工序，通过该步骤S13的SPM供给和加热器加热工序，通过加热器54照射红外线。在本实施方式中，加热器54的功率固定为恒定的值。加热器54的功率为第六功率。第六功率例如为大于上述第一实施方式的第一功率(参照图8)的功率。
更具体地说，在步骤S41的SPM液膜形成工序中，如图16所示，与上述第一实施方式的第一处理例同样地，CPU55A一边参照用于管理抗蚀剂除去处理的进行状况的计时器(未图示)，一边判断当前加热器54是否正在移动(步骤S23)。
当加热器54正在移动的情况(在步骤S23中为“是”)下，CPU55A基于存储在工艺条件55B中的晶片W的转速和SPM用的转速-加热器移动速度对应表55E，决定加热器臂34的摆动速度，CPU55A以使加热器臂34的摆动速度成为该摆动速度的方式控制摆动驱动机构36。即，加热器54的移动速度(加热器臂34的摆动速度)通常为匀速，但是通过这样的控制，在加热器54正在移动时，变更加热器54的移动速度。通过加热器54照射红外线，从而能够使晶片W的表面上的SPM液的液膜的温度上升至高温，由此，即使是在表面上具有固化层的抗蚀剂，也能够在不进行灰化的情况下从晶片W的表面除去。
另一方面，在判断为加热器54不处于移动期间的情况(在步骤S23中为“否”)下，不通过CPU55A控制摆动驱动机构36。
这样，步骤S13的SPM供给和加热器加热工序的加热器54的移动速度，被控制为与存储在工艺条件55B中的晶片W的转速对应的移动速度。在步骤S41的SPM液膜形成工序中，晶片W的转速为比较大的第六转速，因此在晶片W的表面上形成比较薄的SPM液的液膜。因此，CPU55A根据在SPM用的转速-加热器移动速度对应表55E(参照图13)中规定的晶片W的转速和加热器54的移动速度之间的对应关系，将加热器54的移动速度控制为比较大的第一移动速度(例如5mm/min)。
第一移动速度为加热器54的如下移动速度，即，能够不对晶片W的表面带来损伤，且能够使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜的整个区域。因此，不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SPM液的液膜的温度充分地上升。结果，在步骤S41的SPM液膜形成工序中，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下，从晶片W的表面高效地剥离抗蚀剂。
当开始供给SPM液起经过预先决定的SPM液供给时间时，如图1B以及图15所示，CPU55A关闭硫酸阀18、过氧化氢阀20以及剥离液阀23，停止从剥离液嘴4供给SPM液。另外，CPU55A控制第一液臂摆动机构12，使停止供给SPM液的剥离液嘴4返回起始位置。SPM液供给时间应该比形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SPM液的液膜所需的时间更长，而且随着来自剥离液嘴4的SPM液的喷出流量和晶片W的转速(第六转速)不同而不同，但是在3秒～30秒的范围内，例如为15秒。
另外，CPU55A控制旋转驱动机构6，使晶片W的旋转从第六转速减至第七转速。第七转速例如为，即使不向晶片W的表面供给新的SPM液，也能够在晶片W的表面上保持比SPM液的液膜厚的SPM液的液膜的速度(在1rpm～30rpm的范围，例如15rpm)。作为此时的SPM液的液膜厚度，例如能够举例示出1.0mm。
另外，在通过加热器54继续照射红外线的状态下，CPU55A根据变更的晶片W的转速，使加热器54的移动速度从第一移动速度减至第二移动速度(例如2.5mm/min)(步骤S42：SPM液膜加热工序)。
在步骤S42的SPM液膜加热工序中，也基于晶片W的转速和SPM用的转速-加热器移动速度对应表55E，决定加热器54的移动速度，CPU55A以使加热器54的移动速度成为该移动速度的方式控制摆动驱动机构36。更具体地说，在步骤S42的SPM液膜加热工序中，晶片W的转速为小于第六转速的第七转速，因此在晶片W的表面上形成比第六转速时厚的SPM液的液膜。如上所述，在SPM用的转速-加热器移动速度对应表55E中，规定有随着晶片W的转速减小而使加热器54的移动速度减小这样的、晶片W的转速和加热器54的移动速度之间的对应关系，因此CPU55A将加热器54的移动速度控制为第二移动速度。
第二移动速度为加热器54的如下移动速度，即，能够不对晶片W的表面带来损伤，且能够使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜的整个区域。因此，不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SPM液的液膜的温度充分地上升。结果，在步骤S42的SPM液膜加热工序中，也能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下，从晶片W的表面高效地剥离抗蚀剂。
在刚刚开始进行步骤S42的SPM液膜加热工序之后，在本实施方式中，加热器54大概配置在中间接近位置(图5中实线所示的位置)。并且，CPU55A继续控制摆动驱动机构36，使加热器54以第二移动速度从中间接近位置朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
在加热器54到达中央接近位置之后，在该中央接近位置上继续对晶片W加热预先决定的时间。在步骤S42的SPM液膜加热工序中，通过由加热器54照射红外线，对晶片W的与加热器头35的底板部52相向的部分进行加热，并且对位于该部分的SPM液的液膜进行加热。执行步骤S42的SPM液膜加热工序预先决定的加热时间(在2秒～90秒的范围，例如大约40秒)那么多。
然后，当加热器54开始照射红外线起经过预先决定的时间时，CPU55A关闭硫酸阀18以及过氧化氢阀20，并且控制加热器54来停止照射红外线。另外，CPU55A控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54返回起始位置。
然后，如图15所示，CPU55A控制旋转驱动机构6，使晶片W的转速上升至规定的第八转速，并且打开DIW阀27，从DIW嘴24的喷出口朝向晶片W的旋转中心附近供给DIW(步骤S14：中间冲洗处理工序)。第八转速在300rpm～1500rpm的范围内，例如为1000rpm。
供给至晶片W的表面的DIW，借助晶片W旋转的离心力，在晶片W的表面上朝向晶片W的周缘流动。由此，附着于晶片W的表面的SPM液被DIW冲掉。当继续供给DIW并供给预先决定的时间时，关闭DIW阀27，从而停止向晶片W的表面供给DIW。
接着，如图17所示，CPU55A一边将晶片W的转速维持为第八转速，一边打开SC1阀31，从而从SC1嘴25向晶片W的表面供给SC1(步骤S15：SC1供给和加热器加热工序)。另外，CPU55A控制第二液臂摆动机构29，使第二液臂28在规定角度范围内摆动，从而使SC1嘴25在晶片W的旋转中心上和周缘部上之间往复移动。这样，晶片W的表面上的来自SC1嘴25的SC1被引导的供给位置，在从晶片W的旋转中心到晶片W的周缘部的范围内，一边描画与晶片W的旋转方向交叉的圆弧状轨迹一边进行往复移动。由此，SC1遍及晶片W的表面的整个区域，从而形成用于覆盖晶片W的表面的整个区域的SC1的薄液膜。
另外，与向晶片W供给SC1的动作并行地，通过加热器54对晶片W的表面以及SC1的液膜进行加热。与步骤S13的SPM供给和加热器加热工序同样地，CPU55A控制加热器54来开始照射红外线，并且控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54从设定在晶片保持机构3的侧方的起始位置移动至边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)的上方，然后，使加热器54下降至边缘接近位置之后以恒定的速度朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，加热器54的功率的大小也固定在第六功率。
此外，在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，以不使SC1嘴25和加热器54彼此发生干涉的方式，决定SC1嘴25以及加热器54的扫描方式。
在使加热器54移动至边缘接近位置的上方之后，CPU55A使加热器54下降至边缘接近位置，以预先决定的第三移动速度朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)移动。
在该步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，也基于晶片W的转速和SC1用的转速-加热器移动速度对应表55G，决定加热器54的移动速度，CPU55A以使加热器54的移动速度成为该移动速度的方式，控制摆动驱动机构36。在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，晶片W的转速为第八转速且恒定。加热器54的移动速度控制为与晶片W的转速对应的恒定的第三移动速度。
第三移动速度是加热器54的如下移动速度，即，在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，不对晶片W的表面带来损伤，且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SC1的液膜。
在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，向晶片W的表面的整个区域均匀地供给SC1，从而能够高效地清洗除去附着于晶片W的表面的颗粒。另外，由于通过加热器54加热SC1，因此SC1具有高活性。结果，能够使清洗效率显著地提高。
而且，在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，加热器54的移动速度被控制为第三移动速度，因此不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使SC1的液膜的温度充分地上升。结果，在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下清洗晶片W的表面。
此外，在本实施方式中，在步骤S15的SC1供给和加热器加热工序中，不变更晶片W的转速，因此，在SC1供给和加热器加热工序中不会变更加热器54的功率。但是，在SC1供给和加热器加热工序中变更晶片W的转速的情况下，也根据该变更的转速来变更加热器54的功率。
在继续通过加热器54进行加热并进行预先决定的时间时，CPU55A控制加热器54来停止照射红外线，并且控制摆动驱动机构36以及升降驱动机构37，使加热器54返回起始位置。
当继续供给SC1并供给预先决定的时间时，CPU55A执行与上述第一实施方式的步骤S6的最终冲洗工序、步骤S7的干燥工序以及步骤S8的搬出晶片W工序相同的，步骤S16的最终冲洗工序、步骤S17的干燥工序以及步骤S18的搬出晶片W工序。
如上所述，根据本实施方式，在步骤S41的SPM液膜形成工序、步骤S42的SPM液膜加热工序以及步骤S15的SC1供给和加热器加热工序这样的各工序中，通过摆动驱动机构36使加热器54沿着晶片W的表面移动。并且，根据晶片W的转速来调整加热器54的移动速度。因此，能够使加热器54的移动速度为与晶片W的表面上的液膜厚度对应的移动速度。即，通过使加热器54的移动速度变大，能够使供给至处理液(SPM液或SC1)液膜的规定部分的热量变得比较小，另一方面，通过使加热器54的移动速度变小，能够使供给至该部分的热量变得比较大。因此，即使随着晶片W的转速变化而使处理液(SPM液或SC1)的液膜的厚度发生变化，也不会过度地对晶片W的表面进行加热，或者相反地，不会不使处理液(SPM液或SC1)的温度充分地上升。结果，能够在不对晶片W的表面带来损伤的情况下，利用加热器54对晶片W的表面进行良好的处理。
图18是示出本发明的第二实施方式的抗蚀剂除去处理的第四处理例的时序图。在第二实施方式中，第四处理例与第三处理例的不同点在于，执行图18所示的步骤S43的SPM供给和加热器加热工序，来代替图15所示的步骤S13的SPM供给和加热器加热工序。其它工序与上述第二实施方式的第三处理例相同，因此仅对第四处理例的步骤S43的SPM供给和加热器加热工序进行说明。
在步骤S43的SPM供给和加热器加热工序中，与第三处理例的步骤S13的SPM供给和加热器加热工序同样地，为了用SPM液的液膜覆盖晶片W的表面，从剥离液嘴4向晶片W的表面供给SPM液，且通过加热器54照射红外线，但是在照射红外线的整个期间内，持续从剥离液嘴4供给SPM液。这一点为，步骤S43的SPM供给和加热器加热工序与图15所示的步骤S13的SPM供给和加热器加热工序的不同点。
在步骤S43的SPM供给和加热器加热工序中，与步骤S13的SPM供给和加热器加热工序同样地，使晶片W以比较大的速度(第九转速)旋转规定的时间(例如相当于第三处理例的SPM液供给时间)，然后，使晶片W以小于第九转速的第十转速旋转规定的时间(例如相当于第三处理例的液膜加热处理时间)。此外，第九转速为能够用SPM液覆盖晶片W的整个表面区域的速度，例如，能够举例示出与上述第三处理例的第六转速同样的150rpm。
在第四处理例中，在晶片W的转速为比较大的第九转速时，加热器54的移动速度被控制为比较大的第三移动速度。在晶片W的转速为比较大的第九转速时，在晶片W的表面上形成比较薄的SPM液的液膜，但是第三移动速度为加热器54的如下移动速度，即，不对晶片W的表面带来损伤，且使热充分地到达与晶片W的表面之间的边界附近的SPM液的液膜。
在晶片W的转速为比较小的第十转速(例如，15rpm以上)时，加热器54的移动速度被控制为小于第三移动速度的第四移动速度。当晶片W的转速变更为比较小的第十转速时，SPM液的液膜变得比原来厚。第四移动速度为加热器54的如下移动速度，即，不对晶片W的表面带来损伤，且使热充分地到达保持在晶片W的表面上的SPM液的液膜中的边界附近的部分。
此外，第十转速小于第九转速且大于上述第三处理例的第七转速。由此，在晶片W的表面上形成比第九转速时的SPM液的液膜厚的SPM液的液膜。例如需要第十转速是能够在晶片W的表面上保持SPM液的液膜的速度。
这样，即使在采用步骤S43的SPM供给和加热器加热工序的第四处理例中，也能够取得与在上述第三处理例中叙述的效果同样的效果。
上面，对于本发明的两个实施方式进行了说明，但是本发明还能够以其它方式实施。
例如，也可以在存储装置55D中保存规定有晶片W的转速、加热器54的功率以及加热器54的移动速度这3个对应关系的转速-加热器功率-加热器移动速度对应表，使CPU55A一边参照该表，一边基于晶片W的转速来分别决定加热器54的功率和加热器54的移动速度。
另外，对于如下例子进行了说明，即，在步骤S3、S13、S33、S43的SPM供给和加热器加热工序以及步骤S5、S15的SC1供给和加热器加热工序中，使加热器54以恒定的移动速度从边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)朝向中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)向一个方向移动，但是也可以使加热器54以恒定的移动速度在边缘接近位置(图5中双点划线所示的位置)和中央接近位置(图5中单点划线所示的位置)之间进行往复移动。另外，此时，也可以使加热器54在去程和回程以不同的移动速度移动。而且，此时，也可以在存储装置55D中保存有以在去程和回程的移动速度不同的方式规定的转速-加热器移动速度对应表。
另外，对于红外线灯38，举出具有一个圆环状灯的例子，但是并不限定于此，也能够具有同心圆状的多个圆环状灯。另外，作为红外线灯38，也能够具有以沿着水平面彼此平行的方式配置的多个直线状灯。
此外，在上述各实施方式中，举出对晶片W进行抗蚀剂除去处理的情况的例子进行了说明，但是本发明也能够适用于磷酸蚀刻处理等所代表的蚀刻处理中。此时，能够采用磷酸水溶液、氢氟酸水溶液这样的蚀刻液或者SC1、SC2(hydrochloric acid/hydrogenperoxide mixture：塩酸过氧化氢混合液))等清洗用的药液来作为处理液。
虽然详细说明了本发明的实施方式，但是这些仅是用于使本发明的技术的内容明确的具体例子，本发明不被这些具体例限定，本发明的范围仅由附上的权利要求书限定。
本申请与2013年9月10日向日本专利厅提出的特愿2013-187626号对应，这些申请的全部公开内容通过引用记载在本说明书中。

Claims (8)

1.一种基板处理方法，其特征在于，
包括：
处理液供给工序，向基板的主面供给处理液；
基板旋转工序，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；
加热器加热工序，与所述基板旋转工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置且从与所述基板的主面垂直的方向观察比所述基板小的加热器，对所述处理液的所述液膜进行加热；
热量调整工序，与所述加热器加热工序并行地进行，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜中的与所述加热器相向的部分的热量，
所述热量调整工序包括加热器功率调整工序，在该加热器功率调整工序中，根据所述基板的转速调整所述加热器的功率，
所述基板旋转工序包括第一旋转工序和第二旋转工序，所述第一旋转工序使所述基板以第一转速旋转，所述第二旋转工序使所述基板以比所述第一转速小的第二转速旋转，
所述加热器功率调整工序包括第一功率工序和第二功率工序，所述第一功率工序与所述第一旋转工序并行，并使所述加热器的功率为第一功率；所述第二功率工序与所述第二旋转工序并行，并使所述加热器的功率为比所述第一功率高的第二功率。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述热量调整工序还包括：基于用于表示所述基板的转速和在所述单位时间内所述加热器所供给的热量之间的对应关系的对应表，决定所述单位时间内的热量的工序。
3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述热量调整工序包括：参照存储在工艺条件存储单元中的工艺条件，基于该工艺条件所设定的所述基板旋转工序的所述基板的转速，决定所述单位时间内的热量的工序。
4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液包括含有硫酸的抗蚀剂剥离液。
5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，
所述处理液包括含有氨水的药液。
6.一种基板处理方法，其特征在于，
包括：
处理液供给工序，向基板的主面供给处理液；
基板旋转工序，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；
加热器加热工序，与所述基板旋转工序并行地进行，通过与所述基板的主面相向配置且从与所述基板的主面垂直的方向观察比所述基板小的加热器，对所述处理液的所述液膜进行加热；
热量调整工序，与所述加热器加热工序并行地进行，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内从所述加热器供给至所述液膜中的与所述加热器相向的部分的热量；
加热器移动工序，在该加热器移动工序中，使所述加热器沿着所述基板的主面移动，
所述热量调整工序包括加热器移动速度调整工序，在该加热器移动速度调整工序中，根据所述基板的转速来调整所述加热器的移动速度。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，
在所述加热器移动速度调整工序中，随着所述基板的转速的上升，使所述加热器的移动速度变大。
8.一种基板处理装置，其特征在于，
包括：
基板保持单元，用于保持基板；
基板旋转单元，用于使被所述基板保持单元保持的所述基板旋转；
处理液供给单元，向被所述基板保持单元保持的所述基板的主面供给处理液；
加热器，与所述基板的主面相向配置，且从与所述基板的主面垂直的方向观察比所述基板小；
控制单元，控制所述基板旋转单元、所述加热器，来执行基板旋转工序、加热器加热工序以及热量调整工序，其中，在所述基板旋转工序中，一边在所述基板的主面上保持所述处理液的液膜，一边使所述基板旋转；在所述加热器加热工序中，与所述基板旋转工序并行地，通过所述加热器对所述处理液的所述液膜进行加热；在所述热量调整工序中，与所述加热器加热工序并行地，根据所述基板的转速，来调整在单位时间内所述加热器供给至所述液膜中的与所述加热器相向的部分的热量，
所述控制单元在所述加热器热量调整工序中，根据所述基板的转速调整所述加热器的功率，
所述控制单元在所述基板旋转工序中执行第一旋转工序和第二旋转工序，所述第一旋转工序使所述基板以第一转速旋转，所述第二旋转工序使所述基板以比所述第一转速小的第二转速旋转，
所述控制单元在所述加热器功率调整工序中执行第一功率工序和第二功率工序，所述第一功率工序与所述第一旋转工序并行，并使所述加热器的功率为第一功率；所述第二功率工序与所述第二旋转工序并行，并使所述加热器的功率为比所述第一功率高的第二功率。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10707099B2 (en) 2013-08-12 2020-07-07 Veeco Instruments Inc. Collection chamber apparatus to separate multiple fluids during the semiconductor wafer processing cycle
JP6222818B2 (ja) * 2013-09-10 2017-11-01 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6493839B2 (ja) * 2015-03-24 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10283384B2 (en) * 2015-04-27 2019-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for etching etch layer and wafer etching apparatus
JP6748524B2 (ja) * 2015-09-30 2020-09-02 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN105246261B (zh) * 2015-10-16 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种芯片去除装置
JP6845696B2 (ja) * 2016-02-25 2021-03-24 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置、基板処理方法及び基板の製造方法
JP6689719B2 (ja) * 2016-09-23 2020-04-28 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
TWI797121B (zh) 2017-04-25 2023-04-01 美商維克儀器公司 半導體晶圓製程腔體
KR102276005B1 (ko) * 2018-08-29 2021-07-14 세메스 주식회사 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
CN110665695B (zh) * 2019-11-08 2021-07-09 徐州恒永电子科技有限公司 一种五金件喷涂装置
JP2024064787A (ja) * 2022-10-28 2024-05-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
CN117912991B (zh) * 2023-12-13 2024-08-20 江苏亚电科技股份有限公司 一种单片晶圆清洗装置温度控制方法和系统

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4439956B2 (ja) * 2004-03-16 2010-03-24 ソニー株式会社 レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP2005268380A (ja) * 2004-03-17 2005-09-29 Renesas Technology Corp ウェットエッチング装置、およびウェットエッチング方法。
JP2005347716A (ja) * 2004-06-07 2005-12-15 Seiko Epson Corp 基板処理装置及び基板処理方法
JP4625495B2 (ja) * 2005-03-30 2011-02-02 三益半導体工業株式会社 スピンエッチング方法及び装置
US20070227556A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Bergman Eric J Methods for removing photoresist
JP2008060368A (ja) * 2006-08-31 2008-03-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
TWI445065B (zh) * 2009-12-18 2014-07-11 J E T Co Ltd Substrate processing device
KR101690402B1 (ko) * 2010-01-22 2017-01-09 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US8709165B2 (en) * 2010-12-03 2014-04-29 Lam Research Ag Method and apparatus for surface treatment using inorganic acid and ozone
US9875916B2 (en) * 2012-07-09 2018-01-23 Tokyo Electron Limited Method of stripping photoresist on a single substrate system

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