JPS61104621A - ポジレジスト現像装置 - Google Patents

ポジレジスト現像装置

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JPS61104621A
JPS61104621A JP22736484A JP22736484A JPS61104621A JP S61104621 A JPS61104621 A JP S61104621A JP 22736484 A JP22736484 A JP 22736484A JP 22736484 A JP22736484 A JP 22736484A JP S61104621 A JPS61104621 A JP S61104621A
Authority
JP
Japan
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temperature
developing liquid
plate
wafer
semiconductor wafer
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Pending
Application number
JP22736484A
Other languages
English (en)
Inventor
Akiro Kobayashi
小林　章朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS61104621A publication Critical patent/JPS61104621A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26

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  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕　　　　“ 本発明は半導体ウェハーに・ぐターンを形成するだめの
マスク材として使用するポジ型ホトレジストの現像装置
の改良に関する。
〔従来の技術〕
従来のポジレジスト現像装置は第２図に示す通シスピン
ドルチャック３上に半導体ウェハース４を保持し、これ
に回転を与え、その上方の配管２からウェハース４上に
温度調節された現像液ｆを滴下する事によシ現像を行な
うものであった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このようにポジ型ホトレジスト現像装置は現像液の液温
を調節する機構を有しているが、それは装置内の現像液
保管部より現像液を半導体ウェハースへ滴下するノズル
迄で、現像液が半導体ウェハース上にある状態での液温
についてはその対象外であシ、半導体ウェハース周辺の
雰囲気、スピンドルチャックよりの伝導熱等により液温
か変動しひいては現像の進行に変動をもたらし、その結
果・ぐターンの形状が変化して安定した精度のパターン
を得る事が困難であった。本発明は現像液温を安定化し
安定した精度の・ぐターンを得るものである。
〔問題点を解決するだめの手段〕
本発明は半導体ウェハースの保持手段に向き合せて半導
体ウェハース上に現像液を供給する開口を形成した熱容
量が大きい材質からなるプレートを設置し、該プレート
を一定温度に加温するヒータをプレートに備え、前記開
口を現像液配管に接続したことを特徴とするポジレジス
ト現像装置である。
〔実施例〕
以下に本発明の実施例を図によって説明する。
第１：図（ａ）において、本発明はスピンドルチャック
３の上方に、温度調節可能なヒータ５を内蔵した平滑な
底面を有する肉厚のプレート］を設置し、該プレート１
に形成された」−下方向に貫通する複数の開口６を現像
液配管２に接続したものである。
々お、プレート］には比熱が小さく、熱容量の大きい材
質を用いる。
実施例において、ヒータ５にてプレー１−１を一定温度
に加温する。一方、第１、図（ｂ）において、スピンド
ルチャック３」二へ半導体ウェハース４をセットした後
スピンドルチャック３を上昇せしめ半導体ウェハース４
とプレート１との空隙を約１．．５ｍｍに保持し、配管
２より送入された現像液ｆを定温に加温し、開口６」：
りこの空隙へ供給しパターンの現像を行々う。
プレー１−１は肉厚のため、ヒータ５の熱はプント１内
に蓄熱されて急激な熱の変動は生ぜず、したがって、半
導体ウェハース４は安定した現像液温で現像される。な
おこの場合スピンドルチャック３を駆動し、半導イ本ウ
ェハース４に現像液が外周に飛散しない程度の回転を与
えて現像液を攪拌することも有効である。
本発明はこの状態で必要々時間保持した後、スピンドル
チャック３を下降させ、直ちに水洗並びに引続いて遠心
脱水を行々う事によシ安定した現像状態を得る。
〔発明の効果〕
以上のように本発明によるときには現像液の液温を一定
に保ち、安定した現像状態のもとで、精度の高い・ぐタ
ーンを得ることができる効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す断面図、（ｂ）
は現像時の状態を示す断面図、第２図は従来装置の正面
図である。 １・・プレート、２・・現像液配管、３・・・スピンド
ルチャック、４・・半導体ウエノ・−ス、５・・ヒータ
、６　・開口。 特許出願人　　日本電気株式会社 第１図 （ｂ）

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）半導体ウエハースの保持手段に向き合せて半導体
    ウエハース上に現像液を供給する開口を形成した熱容量
    が大きい材質からなるプレートを設置し、該プレートを
    一定温度に加温するヒータをプレートに備え、前記開口
    を現像液配管に接続したことを特徴とするポジレジスト
    現像装置。
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