JP2015159331A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】回転する基板保持部10に保持された板状基板100の表面に処理液Sを供給する処理液供給機構50を備え、処理液Sにより板状基板100の表面を処理する基板処理装置であって、基板保持部10に保持された板状基板100の表面に対して所定の間隔をもって対向配置され、板状基板100の表面との間に処理液を保持する処理液保持プレート15と、処理液保持プレート15の基板保持部10の回転軸に対応する位置を含む所定領域に接して当該所定領域を加熱する加熱部20とを有し、処理液供給機構は、基板保持部10とともに回転する板状基板100の表面と加熱部20により加熱される処理液保持プレート15との間の隙間に処理液Sを供給する構成となる。
【選択図】 図1
Description
15 処理液保持プレート
20 ヒータ(加熱部)
20a 孔
30 回転機構
40 昇降機構
50 処理液供給機構
51a、51b、51c、51d 処理液槽
52a、52b、52c、52d バルブ
53a、53b、53c、53d 流量計
54a、54b、54c、54d 個別送通管
55 処理液供給管
100 半導体ウェーハ(板状基板)
151 プレート本体
152 壁部
153 流路
153a 開口
155 溝
155a 円筒状通路
155b 半円筒状凹部
156 周側面
157 凹部
201、202 ヒータ片
昇降機構によって昇降動作可能で、下降した位置にて、前記基板保持部に保持された前記板状基板の表面に対して所定の間隔をもって対向配置され、前記板状基板の表面との間に処理液を保持する処理液保持プレートと、
前記処理液保持プレートにおける、前記基板保持部の前記回転軸に対応する位置を含む所定領域に接して当該所定領域を加熱する加熱部とを有し、
前記処理液供給機構は、前記基板保持部とともに回転する状態の前記板状基板の表面と、前記加熱部により加熱される前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する構成となる。
前記板状基板の表面と、前記加熱部によって加熱される前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を保持する処理液保持ステップとを有する構成となる。
Claims (18)
- 所定の回転軸を中心に回転する基板保持部に保持された板状基板の表面に処理液を供給する処理液供給機構を備え、前記処理液により前記板状基板の表面を処理する基板処理装置であって、
前記基板保持部に保持された前記板状基板の表面に対して所定の間隔をもって対向配置され、前記板状基板の表面との間に処理液を保持する処理液保持プレートと、
前記処理液保持プレートの前記基板保持部の前記回転軸に対応する位置を含む所定領域に接して当該所定領域を加熱する加熱部とを有し、
前記処理液供給機構は、前記基板保持部とともに回転する前記板状基板の表面と前記加熱部により加熱される処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する基板処理装置。 - 前記処理液供給機構は、前記処理液保持プレートの前記加熱部の接していない部分を貫通して前記処理液を前記板状基板の表面と前記処理液保持プレートとの間の隙間に供給する請求項1記載の基板処理装置。
- 前記加熱部は、前記処理液保持プレートの前記板状基板に対向する面と逆側の面に当接するように設けられたシート状ヒータを有し、
該シート状ヒータには前記基板保持部の前記回転軸からずれた位置に孔が形成され、
前記処理液供給機構は、前記シート状ヒータの前記孔を通して前記板状基板の表面と前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する請求項1または2記載の基板処理装置。 - 前記処理液供給機構は、前記処理液保持プレートの前記基板保持部の前記回転軸からずれた位置を貫通して前記板状基板の表面と前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を供給する請求項1乃至3のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理液保持プレートは、前記板状基板の表面を覆うことが可能なプレート本体と、
該プレート本体の周縁に前記基板保持部側に突出するように形成された壁部とを有し、
前記壁部の先端が前記処理液保持プレートを横切る方向に傾斜している請求項1乃至4のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記処理液保持プレート内に、当該処理液保持プレートの前記板状基板の表面に対向する面に沿って延びて該面の所定位置にて開口する流路が形成され、
前記処理液供給機構からの前記処理液が前記流路を通って当該処理液保持プレートと前記板状基板の表面との間の隙間に供給される請求項1乃至5のいずれかに記載の基板処理装置。 - 前記流路は、前記処理液保持プレート内で渦巻状に形成された請求項6記載の基板処理装置。
- 前記流路は、前記加熱部の加熱によって生ずる前記処理液保持プレートの面内での温度分布に従って決められた加熱され易い領域に沿って形成された請求項6記載の基板処理装置。
- 前記加熱部は、発熱量を個々的に制御可能な複数の個別加熱部により形成された請求項1乃至8記載の基板処理装置。
- 前記シート状ヒータは、前記処理液保持プレートの前記板状基板に対向する面と逆側の面に同心状に配置される発熱量を個々的に制御可能な複数のヒータ部を有する請求項3記載の基板処理装置。
- 前記処理液保持プレートの前記板状基板に対向する面には、該面にて開口して当該処理液保持プレートの側面に抜ける複数の溝が形成された請求項1乃至10のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記複数の溝の少なくとも1つの底部に、溝幅より広い幅の通路が形成された請求項11記載の基板処理装置。
- 前記複数の溝の少なくとも1つの前記処理液保持プレートの前記板状基板に対向する面での開口部が、溝幅より広い幅の凹部として形成された請求項11または12記載の基板処理装置。
- 前記処理液保持プレートの前記板状基板に対向する面には、複数の凹部が形成された請求項1乃至13のいずれかに記載の基板処理装置。
- 前記処理液供給機構は、前記処理液の全部または一部が流れ、前記処理液保持プレートを加熱する加熱部からの熱にて加熱される流路を有する請求項1乃至14のいずれかに記載の基板処理装置。
- 請求項1乃至15のいずれかに記載の基板処理装置を用い、
前記処理液供給機構から前記基板保持プレートとともに回転する前記板状基板の表面と前記処理液保持プレートとの間の隙間に処理液を供給する処理液供給ステップと、
前記板状基板の表面と前記加熱部によって加熱される前記処理液保持プレートとの間の隙間に前記処理液を保持する処理液保持ステップとを有する基板処理方法。 - 前記処理液保持ステップは、前記処理液供給機構からの前記処理液の供給を継続させつつ実行される請求項16記載の基板処理方法。
- 前記処理液保持ステップは、前記処理液供給機構からの前記処理液の供給を継続させることなく実行される請求項16記載の基板処理方法。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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JP6271304B2 (ja) * | 2013-03-29 | 2018-01-31 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6222817B2 (ja) * | 2013-09-10 | 2017-11-01 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理装置 |
WO2015073517A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-05-21 | Tel Fsi, Inc. | Improved chamber cleaning when using acid chemistries to fabricate microelectronic devices and precursors thereof |
CN106164771B (zh) * | 2014-03-11 | 2020-08-04 | 芝浦机械电子株式会社 | 反射型掩膜的清洗装置、及反射型掩膜的清洗方法 |
WO2015200860A1 (en) * | 2014-06-27 | 2015-12-30 | Viasat, Inc. | System and apparatus for driving antenna |
JP6748524B2 (ja) * | 2015-09-30 | 2020-09-02 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置及び基板処理方法 |
JP6903441B2 (ja) * | 2016-03-31 | 2021-07-14 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板処理装置 |
CN110491805A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-11-22 | 长江存储科技有限责任公司 | 半导体处理设备及半导体处理方法 |
CN113448186B (zh) * | 2020-03-27 | 2024-05-14 | 长鑫存储技术有限公司 | 晶圆处理装置及晶圆处理方法 |
JP6899041B1 (ja) * | 2020-12-21 | 2021-07-07 | 株式会社荏原製作所 | めっき装置及びめっき液の撹拌方法 |
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Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104621A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Nec Corp | ポジレジスト現像装置 |
JPH10135127A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Canon Sales Co Inc | 基板現像装置 |
JPH11260718A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法および現像処理装置 |
JP2002110525A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 現像処理方法 |
JP2010010348A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6190063B1 (en) | 1998-01-09 | 2001-02-20 | Tokyo Electron Ltd. | Developing method and apparatus |
JP2008066400A (ja) | 2006-09-05 | 2008-03-21 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置および基板処理方法 |
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2011
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-
2015
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61104621A (ja) * | 1984-10-29 | 1986-05-22 | Nec Corp | ポジレジスト現像装置 |
JPH10135127A (ja) * | 1996-10-31 | 1998-05-22 | Canon Sales Co Inc | 基板現像装置 |
JPH11260718A (ja) * | 1998-01-09 | 1999-09-24 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理方法および現像処理装置 |
JP2002110525A (ja) * | 2000-10-02 | 2002-04-12 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 現像処理方法 |
JP2010010348A (ja) * | 2008-06-26 | 2010-01-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021111654A (ja) * | 2020-01-07 | 2021-08-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
JP7403320B2 (ja) | 2020-01-07 | 2023-12-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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