JPWO2018230377A1 - 基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
まず、金属部(23)が形成された側壁(27)を有する凹型パターン(25)を有する基板Wを準備する。次に、基板Wのうち凹型パターン(25)の側壁(27)に形成された金属部(23)の一部を表面側から酸化させることにより、酸化膜(29)を形成する。次に、基板Wにエッチング液を供給することにより、酸化膜(29)を選択的に除去する。酸化膜(29)を形成する工程において、金属部(23)が大気に露出した状態で金属部(23)の一部が酸化される。
Description
本開示は、基板処理方法に関する。
従来から、半導体デバイスを製造する際の処理のーつとして、半導体ウエハ(以下ウエハという)等の基板の表面に形成された金属膜をエッチング液によりエッチングするウェットエッチング処理技術が知られている(特許文献1参照)
しかしながら、表面に金属膜が形成された凹型パターンを有するウエハにおいて、凹型パターンの側壁をエッチング液で所望量だけエッチングしようとした場合、凹型パターンの上部と下部とでエッチングのスピードが異なり、上部と下部とで均一にエッチングすることができないという問題が生じている。
これは、凹型パターン内に存在するエッチング液の置換性が凹型パターン内で不均一となるためであると考えられる。すなわち、凹型パターン内の上部においては、エッチング液に含まれるエッチングに寄与する反応種が常時新しい反応種と入れ替わるため、反応種の濃度が相対的に高くなる。これに対して、凹型パターン内の下部においては、エッチング液が滞留しやすいため、反応種が入れ替わりにくく、反応種の濃度が相対的に低くなる。このように凹型パターンの上部と下部とでエッチング液の濃度が異なることにより、凹型パターンの上部と下部とで反応種の濃度勾配が生じ、エッチング量に差が生じていると考えられる。
本開示は、このような点を考慮してなされたものであり、基板の凹型パターン内の上部と下部とでエッチング量を均一化することが可能な、基板処理方法を提供する。
本開示の一態様は、金属部が形成された側壁を有する凹型パターンを有する基板を準備する工程と、前記基板のうち前記凹型パターンの前記側壁に形成された金属部の一部を表面側から酸化させることにより、酸化膜を形成する第1工程と、前記基板にエッチング液を供給することにより、前記酸化膜を選択的に除去する第2工程とを含み、前記第1工程において、前記金属部が大気に露出した状態で前記金属部の一部が酸化される、基板処理方法に関する。
本開示によれば、基板の凹型パターン内の上部と下部でエッチング量を均一化することができる。
以下、図面を参照して一実施形態について説明する。なお、本件明細書に添付する図面に示されている構成には、図示と理解のしやすさの便宜上、サイズ及び縮尺等が実物のそれらから変更されている部分が含まれうる。
図1は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するX軸、Y軸およびZ軸を規定し、Z軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図1に示すように、基板処理システム1は、搬入出ステーション2と、処理ステーション3とを備える。搬入出ステーション2と処理ステーション3とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション2は、キャリア載置部11と、搬送部12とを備える。キャリア載置部11には、複数枚のウエハWを水平状態で収容する複数のキャリアCが載置される。
搬送部12は、キャリア載置部11に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置13と、受渡部14とを備える。基板搬送装置13は、ウエハWを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置13は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いてキャリアCと受渡部14との間でウエハWの搬送を行う。
処理ステーション3は、搬送部12に隣接して設けられる。処理ステーション3は、搬送部15と、複数の処理ユニット16とを備える。複数の処理ユニット16は、搬送部15の両側に並べて設けられる。
搬送部15は、内部に基板搬送装置17を備える。基板搬送装置17は、ウエハWを保持する基板保持機構を備える。また、基板搬送装置17は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、基板保持機構を用いて受渡部14と処理ユニット16との間でウエハWの搬送を行う。
処理ユニット16は、基板搬送装置17によって搬送されるウエハWに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム1は、制御装置4を備える。制御装置4は、たとえばコンピュータであり、制御部18と記憶部19とを備える。記憶部19には、基板処理システム1において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部18は、記憶部19に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム1の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置4の記憶部19にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク(HD)、フレキシブルディスク(FD)、コンパクトディスク(CD)、マグネットオプティカルディスク(MO)、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム1では、まず、搬入出ステーション2の基板搬送装置13が、キャリア載置部11に載置されたキャリアCからウエハWを取り出し、取り出したウエハWを受渡部14に載置する。受渡部14に載置されたウエハWは、処理ステーション3の基板搬送装置17によって受渡部14から取り出されて、処理ユニット16へ搬入される。
処理ユニット16へ搬入されたウエハWは、処理ユニット16によって処理された後、基板搬送装置17によって処理ユニット16から搬出されて、受渡部14に載置される。
そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
そして、受渡部14に載置された処理済のウエハWは、基板搬送装置13によってキャリア載置部11のキャリアCへ戻される。
ところで本実施形態において、処理ステーション3内に、複数の処理ユニット16に隣接してウエハWを加熱処理する加熱ユニット16Aが設けられている。なお、図1において、便宜上、加熱ユニット16Aを2つ示しているが、加熱ユニット16Aの数は任意の数とすることができる。
[処理ユニット]
次に、処理ユニット16の概略構成について図2を参照して説明する。図2は、処理ユニット16の概略構成を示す図である。
次に、処理ユニット16の概略構成について図2を参照して説明する。図2は、処理ユニット16の概略構成を示す図である。
図2に示すように、処理ユニット16は、チャンバ20と、基板保持機構30と、処理流体供給部40と、回収カップ50とを備える。
チャンバ20は、基板保持機構30と処理流体供給部40と回収カップ50とを収容する。チャンバ20の天井部には、FFU(Fan Filter Unit)21が設けられる。FFU21は、チャンバ20内にダウンフローを形成する。
基板保持機構30は、保持部31と、支柱部32と、駆動部33とを備える。保持部31は、ウエハWを水平に保持する。支柱部32は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部33によって回転可能に支持され、先端部において保持部31を水平に支持する。駆動部33は、支柱部32を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構30は、駆動部33を用いて支柱部32を回転させることによって支柱部32に支持された保持部31を回転させ、これにより、保持部31に保持されたウエハWを回転させる。
処理流体供給部40は、ウエハWに対して処理流体を供給する。処理流体供給部40は、処理流体供給源70に接続される。
回収カップ50は、保持部31を取り囲むように配置され、保持部31の回転によってウエハWから飛散する処理液を捕集する。回収カップ50の底部には、排液口51が形成されており、回収カップ50によって捕集された処理液は、かかる排液口51から処理ユニット16の外部へ排出される。また、回収カップ50の底部には、FFU21から供給される気体を処理ユニット16の外部へ排出する排気口52が形成される。
本実施形態において、処理流体供給部40は、アーム45と、アーム45にそれぞれ設けられた、薬液ノズル41およびリンスノズル42を含んでいる(図3参照)。
このうち薬液ノズル41は、例えばDHF(希フッ酸)等のエッチング用の薬液(エッチング液)を吐出するノズルである。また、リンスノズル42は、例えばDIW(純水)等のリンス液を吐出するノズルである。
[加熱ユニット]
次に、加熱ユニット16Aの概略構成について、図4を参照して説明する。図4は、加熱ユニット16Aの概略構成を示す図である。
次に、加熱ユニット16Aの概略構成について、図4を参照して説明する。図4は、加熱ユニット16Aの概略構成を示す図である。
図4に示すように、加熱ユニット16Aは、処理容器53と、処理容器53内に配置され、処理対象のウエハWが載置されるテーブル54と、テーブル54に設けられ、テーブル54に載置されたウエハWを加熱する電熱線等の加熱部(ヒーター)55とを備えている。
処理容器53には、酸素濃度調整部56と湿度調整部57とが接続されている。このうち酸素濃度調整部56は、処理容器53内に例えば酸素及び窒素を供給するものである。
この酸素濃度調整部56から処理容器53内に供給される酸素の量及び窒素の量を適宜調節することにより、処理容器53内の酸素濃度を調整することができる。
この酸素濃度調整部56から処理容器53内に供給される酸素の量及び窒素の量を適宜調節することにより、処理容器53内の酸素濃度を調整することができる。
また、湿度調整部57は、処理容器53内に例えば蒸気及びドライエアを供給するものである。この湿度調整部57から処理容器53内に供給される蒸気の量及びドライエアの量を適宜調節することにより、処理容器53内の湿度を調整することができる。
なお、加熱ユニット16Aは、電熱線等の加熱部(ヒーター)55に代えて、LEDランプ等の加熱部によりウエハWを加熱するものであっても良い。
[基板処理方法]
次に、本実施形態による基板処理方法について、図5および図6を参照して説明する。
次に、本実施形態による基板処理方法について、図5および図6を参照して説明する。
[基板準備]
はじめに、凹型パターン25を有するウエハWを準備する(図6のステップS1)。このウエハWは、図5(a)に示すように凹凸状に形成された凹型パターン25を有している。この凹型パターン25は、底面26と、底面26から垂直に延びる側壁27と、側壁27上に形成された上面28とを有している。また、ウエハWは、SiO、SiN等の材料からなる本体部24と、本体部24上に形成された金属膜(金属部)23とを有している。
はじめに、凹型パターン25を有するウエハWを準備する(図6のステップS1)。このウエハWは、図5(a)に示すように凹凸状に形成された凹型パターン25を有している。この凹型パターン25は、底面26と、底面26から垂直に延びる側壁27と、側壁27上に形成された上面28とを有している。また、ウエハWは、SiO、SiN等の材料からなる本体部24と、本体部24上に形成された金属膜(金属部)23とを有している。
金属膜23は、凹型パターン25の底面26と側壁27と上面28とにそれぞれ略均一な厚みで形成されている。この場合、金属膜23の厚みt1は、例えば1nm〜10nmである。また、金属膜23としては、Ti、Cu及びCoのうち少なくとも1つを含む材料が用いられる。なお、本実施形態においては、金属膜23の材料がTiNである場合を例にとって説明する。
[金属膜の酸化]
次に、ウエハWが基板搬送装置17により加熱ユニット16A(図4参照)内に搬入され、処理容器53内に設けられたテーブル54に載置される。続いて、ウエハWは、加熱部55によって、その下面側から加熱される(第1工程、図6のステップS2)。このときウエハWは、処理容器53内の大気雰囲気中にあり、金属膜23が大気に露出した状態で加熱される。
次に、ウエハWが基板搬送装置17により加熱ユニット16A(図4参照)内に搬入され、処理容器53内に設けられたテーブル54に載置される。続いて、ウエハWは、加熱部55によって、その下面側から加熱される(第1工程、図6のステップS2)。このときウエハWは、処理容器53内の大気雰囲気中にあり、金属膜23が大気に露出した状態で加熱される。
ウエハWを加熱している間、金属膜23が大気に露出していることにより、金属膜23は大気中の酸素と反応して酸化する。これにより金属膜23は、その厚み方向の一部が表面側(大気に露出している側)から酸化され、酸化膜29を形成する(図5(b))。例えば、金属膜23がTiNである場合、金属膜23の一部にTiO2からなる酸化膜29が形成される(図5(b)参照)。
このようにウエハWを加熱する場合、金属膜23は、凹型パターン25の底面26側と上面28側とで略均一に加熱される。このため、加熱中の金属膜23の温度は、底面26と側壁27と上面28とで互いに略均一となり、この結果、金属膜23の酸化も、底面26と側壁27と上面28とで互いに略均一に進行していくと考えられる。したがって、酸化膜29の厚みt2は、底面26と側壁27と上面28とで互いに略均一となり、また、酸化膜29の厚みt2は、側壁27の上部(上面28側)と下部(底面26側)との間でも略均一となる。具体的には、酸化膜29の厚みt2は、例えば0.5nm〜5nmである。
このようにしてウエハWを加熱している間、処理容器53内の大気は、酸素濃度調整部56によって制御され、処理容器53内の酸素濃度が所定値となるように調整されている。具体的には、酸素濃度調整部56は、処理容器53内に酸素及び窒素を供給することにより、処理容器53内の酸素濃度をそれぞれ上昇及び下降させる。処理容器53内の酸素濃度は、例えば10%〜30%であり、好ましくは18%〜25%である。
また、処理容器53内の大気は、湿度調整部57によって制御され、処理容器53内の湿度が所定値となるように調整されている。具体的には、湿度調整部57は、処理容器53内に蒸気及びドライエアを供給することにより、処理容器53内の湿度をそれぞれ上昇及び下降させる。
加熱部55によってウエハWを加熱する温度は、例えば250℃〜350℃であり、好ましくは280℃〜320℃である。さらに、ウエハWを加熱する時間は、例えば1分〜10分であり、好ましくは2分〜4分である。
このように、酸化膜29の形成条件を制御することにより、金属膜23の酸化の進む程度を調整することができ、これにより、酸化膜29の厚みt2(後述するエッチング量)を制御することができる。このような酸化膜29の形成条件としては、ウエハWを加熱する際の大気中の酸素濃度、大気中の湿度、ウエハWの加熱時間(処理時間)及びウエハWの加熱時間(処理時間)のうち、1つ又は複数を挙げることができる。
この酸化膜29の厚みt2と酸化膜29の形成条件とは、予め関連付けられており、例えば制御装置4の記憶部19(図1参照)に記憶されていても良い。この場合、必要となる酸化膜29の厚みt2(エッチング量)を制御装置4に入力することにより、制御装置4は、この厚みt2に対応する酸化膜29の形成条件を自動的に求める。そして制御装置4は、求められた酸化膜29の形成条件に基づいて、酸化膜29を形成するように加熱ユニット16Aを制御しても良い。
その後、酸化膜29が形成されたウエハWが基板搬送装置17により加熱ユニット16Aから搬出される。
[基板搬入]
次に、加熱ユニット16Aから搬出されたウエハWは、基板搬送装置17により処理ユニット16(図2参照)内に搬入され、基板保持機構30により保持される(図6のステップS3)。次に、駆動部33を動作させることによりウエハWが回転を開始する。ウエハWは、後述の乾燥処理が終了するまで、ずっと回転し続ける。
次に、加熱ユニット16Aから搬出されたウエハWは、基板搬送装置17により処理ユニット16(図2参照)内に搬入され、基板保持機構30により保持される(図6のステップS3)。次に、駆動部33を動作させることによりウエハWが回転を開始する。ウエハWは、後述の乾燥処理が終了するまで、ずっと回転し続ける。
[エッチング処理]
次に、アーム45が駆動することによりウエハWの中心部の真上に薬液ノズル41が位置し、薬液ノズル41からウエハWの表面の中心部にDHF等のエッチング用の薬液が所定時間にわたって供給される(第2工程、図6のステップS4)。供給された薬液は遠心力により広がり、ウエハWの外方に向けて流れる。このとき、ウエハWの表面の全域は薬液の液膜により覆われる。具体的には、ウエハWに形成された酸化膜29が薬液Lによって覆われる(図5(c)参照)。
次に、アーム45が駆動することによりウエハWの中心部の真上に薬液ノズル41が位置し、薬液ノズル41からウエハWの表面の中心部にDHF等のエッチング用の薬液が所定時間にわたって供給される(第2工程、図6のステップS4)。供給された薬液は遠心力により広がり、ウエハWの外方に向けて流れる。このとき、ウエハWの表面の全域は薬液の液膜により覆われる。具体的には、ウエハWに形成された酸化膜29が薬液Lによって覆われる(図5(c)参照)。
このようにウエハWの表面に薬液を供給することにより、ウエハWに形成された酸化膜29が選択的に除去される。すなわち、DHF等のエッチング用の薬液により、TiO2からなる酸化膜29が全体にわたって除去される一方、薬液と反応しにくいTiNからなる金属膜23は、除去されることなく残存する(図5(d)参照)。
上述したように、酸化膜29の厚みt2は、底面26と側壁27と上面28とで互いに略均一であり、側壁27の上部と下部との間でも略均一となっている。したがって、当初の金属膜23をエッチングにより除去した分の厚みであるエッチング量(すなわち酸化膜29の厚みt2)を、側壁27の上部と下部との間で略均一とすることができる。
[リンス処理]
続いて、薬液の供給を停止するとともに、ウエハWの中心部の真上にリンスノズル42が位置し、リンスノズル42からウエハWの表面の中心部にDIW等のリンス液が所定時間にわたって供給される(図6のステップS5)。供給されたリンス液は遠心力により広がり、ウエハWの外方に向けて流れる。このとき、ウエハWの表面の全域はリンス液の液膜により覆われる。これによりウエハWの表面上に残存する薬液(DHF)および薬液処理時の反応生成物が、リンス液により洗い流されてウエハW表面から除去される。その後、リンス液の供給を停止する。
続いて、薬液の供給を停止するとともに、ウエハWの中心部の真上にリンスノズル42が位置し、リンスノズル42からウエハWの表面の中心部にDIW等のリンス液が所定時間にわたって供給される(図6のステップS5)。供給されたリンス液は遠心力により広がり、ウエハWの外方に向けて流れる。このとき、ウエハWの表面の全域はリンス液の液膜により覆われる。これによりウエハWの表面上に残存する薬液(DHF)および薬液処理時の反応生成物が、リンス液により洗い流されてウエハW表面から除去される。その後、リンス液の供給を停止する。
[乾燥処理]
リンス処理が終了したら、乾燥処理を実行する(図6のステップS6)。すなわち、リンスノズル42からのリンス液の吐出を停止するとともに、ウエハWの回転数を増加させ、ウエハWの振り切り乾燥処理を行う。
リンス処理が終了したら、乾燥処理を実行する(図6のステップS6)。すなわち、リンスノズル42からのリンス液の吐出を停止するとともに、ウエハWの回転数を増加させ、ウエハWの振り切り乾燥処理を行う。
この乾燥処理が終了したら、ウエハWの回転を停止する。これによりウエハWに対する一連の処理が終了したことになる。その後、ウエハWが基板搬送装置17により処理ユニット16から搬出される。
以上に説明したように、本実施形態によれば、金属膜23が大気に露出した状態で、ウエハWの凹型パターン25の側壁27に形成された金属膜23の一部を表面側から酸化させ、酸化膜29を形成する(第1工程)。その後、ウエハWにエッチング用の薬液を供給することにより、酸化膜29を選択的に除去する(第2工程)。このように、エッチング用の薬液を供給する工程(第2工程)の前に、凹型パターン25に形成された金属膜23を酸化させる工程(第1工程)が設けられている。これにより、側壁27の上部と下部との間で金属膜23に対して略均一の厚みに酸化膜29を形成することができる。したがって、エッチング用の薬液によって酸化膜29を選択的に除去することにより、金属膜23の上部と下部とで均一にエッチングを施すことができる。すなわち、ウエハWの凹型パターン25内の上部と下部でエッチング量を均一化することができる。
また、本実施形態によれば、酸化膜29を形成する際、ウエハWを加熱することにより金属膜23の一部を酸化させている。ウエハWを加熱する場合、ウエハWの凹型パターン25内の上部と下部で略均一に金属膜23を加熱することができるので、金属膜23の側壁27の上部と下部との間で略均一の厚みに酸化膜29を形成することができる。
また、本実施形態によれば、酸化膜29の厚みと酸化膜29の形成条件(例えば、大気中の酸素濃度、大気中の湿度、ウエハWの処理温度及びウエハWの処理時間のうち少なくとも1つ)とは、予め関連付けられている。この場合、金属膜23を酸化させる工程(第1工程)において、酸化膜29の形成条件に基づいて酸化膜29を形成する。これにより、酸化膜29の形成条件を適宜調整することにより、所望のエッチング量だけ金属膜23をエッチングすることができる。
なお、酸化膜29を形成することなく(第1工程を経ることなく)、例えばSC2(塩酸/過酸化水素/水の混合液)等の薬液によって金属膜23を直接エッチングする場合、エッチング液に含まれる反応種が、凹型パターン25内の下部に滞留しやすい。このため、凹型パターン25の上部と下部とで反応種が入れ替わりにくく、凹型パターン25の下部では反応種の濃度が低くなる傾向がある。この場合、凹型パターン25の上部と下部とで反応種の濃度勾配が生じ、エッチング量に差が生じるおそれがある。これに対して、金属膜23を一度にエッチングするのではなく、所望のエッチング量となるまで、金属膜23に対するエッチング処理とリンス処理とを複数回繰り返すことも考えられる。この場合、凹型パターン25の上部と下部とでエッチング液の置換性を向上させ、凹型パターン25の上部と下部とでエッチング量を均一化することができる。
[変形例]
次に、本実施形態の変形例について説明する。
次に、本実施形態の変形例について説明する。
上記実施形態において、ウエハWの金属膜23の一部を酸化させることにより、酸化膜29を形成する第1工程と、ウエハWにエッチング用の薬液を供給することにより、酸化膜29を選択的に除去する第2工程とを1回ずつ行う場合を例にとって説明した。しかしながら、これに限らず、第1工程と第2工程とを複数回繰り返すようにしても良い。具体的には、金属膜23の一部に酸化膜29を形成する工程(第1工程、図6のステップS2)と、ウエハWに形成された酸化膜29を選択的に除去する工程(第2工程、図6のステップS4)と、ウエハWをリンス処理する工程(図6のステップS5)と、ウエハWを乾燥処理する工程(図6のステップS6)とが、この順番で複数回繰り返されても良い。これにより、例えばエッチング量が大きい場合、すなわち金属膜23を深くエッチングする場合であっても、ウエハWの凹型パターン25内の上部と下部とでエッチング量を均一化することができる。
また上記実施形態において、加熱ユニット16A内でウエハWを加熱することにより、金属膜23に酸化膜29を形成する場合を例にとって説明した(第1工程)。しかしながら、これに限らず、ウエハWに対して紫外線等の電子線を照射することにより、金属膜23の一部を酸化させても良い。例えば、LEDランプによりウエハWに紫外線を照射することにより、大気中の酸素からオゾンを生成し、このオゾンによって金属膜23の一部を酸化して酸化膜29を形成しても良い。この場合、紫外線は、金属膜23の側壁27の上部と下部との間で均等に照射されるので、側壁27の上部と下部との間で略均一な厚みに酸化膜29を形成することができる。これにより、金属膜23の上部と下部とで均一にエッチングを施すことができ、エッチング量を均一化することができる。この場合においても、酸化膜29の各種形成条件を制御することにより、金属膜23の酸化の進み具合を調整することができ、金属膜23をエッチングするエッチング量を制御することができる。
このような酸化膜29の形成条件としては、大気中の酸素濃度、大気中の湿度、ウエハWに対する電子線照射量及びウエハWに対する電子線照射時間(処理時間)のうち、1つ又は複数の条件を挙げることができる。
このような酸化膜29の形成条件としては、大気中の酸素濃度、大気中の湿度、ウエハWに対する電子線照射量及びウエハWに対する電子線照射時間(処理時間)のうち、1つ又は複数の条件を挙げることができる。
また上記実施形態において、金属膜23がウエハWの側壁27の上端から下端までの全体に形成されている場合を例にとって説明した(図5(a)参照)。しかしながら、これに限らず、エッチングを施す金属部は、側壁27の一部のみに形成されていても良い。例えば、図7(a)に示すように、ウエハWの凹型パターン25の高さ方向に沿って、絶縁層34と金属層(金属部)35とが交互に形成されていても良い。この場合においても、凹型パターン25の側壁27に形成された金属層35の一部を酸化させて酸化膜29を形成し、その後、酸化膜29を選択的に除去することができる。これにより、図7(b)に示すように、側壁27の上部と下部との間で略均一にエッチングを施すことができる。具体的には、上部と下部に配置された複数の金属層35間でエッチング量を均一化することができる。
本開示は、上述の実施形態及び変形例に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形が加えられた各種態様も含みうるものであり、本開示によって奏される効果も上述の事項に限定されない。したがって、本開示の技術的思想及び趣旨を逸脱しない範囲で、特許請求の範囲及び明細書に記載される各要素に対して種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
Claims (7)
- 金属部が形成された側壁を有する凹型パターンを有する基板を準備する工程と、
前記基板のうち前記凹型パターンの前記側壁に形成された金属部の一部を表面側から酸化させることにより、酸化膜を形成する第1工程と、
前記基板にエッチング液を供給することにより、前記酸化膜を選択的に除去する第2工程とを含み、
前記第1工程において、前記金属部が大気に露出した状態で前記金属部の一部が酸化される、基板処理方法。 - 前記第1工程は、前記基板を加熱することにより前記金属部の一部を酸化させる工程である、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記第1工程は、前記基板に電子線を照射することにより前記金属部の一部を酸化させる工程である、請求項1に記載の基板処理方法。
- 前記酸化膜の厚みと前記第1工程における前記酸化膜の形成条件とは、予め関連付けられており、前記第1工程において、前記酸化膜の形成条件に基づいて前記酸化膜を形成する、請求項1乃至3のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記酸化膜の形成条件は、前記大気中の酸素濃度、前記大気中の湿度、前記基板の処理温度及び前記基板の処理時間のうち少なくとも1つを含む、請求項4に記載の基板処理方法。
- 前記金属部は、Ti、Cu及びCoのうち少なくとも1つを含む、請求項1乃至5のいずれか一項に記載の基板処理方法。
- 前記第1工程及び前記第2工程を複数回繰り返す、請求項1乃至6のいずれか一項に記載の基板処理方法。
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