TWI527109B - A substrate processing apparatus and a substrate processing method - Google Patents

A substrate processing apparatus and a substrate processing method Download PDF

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Nobuo Kobayashi
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Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明之實施形態，係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
基板處理裝置，係在半導體和液晶面板等之製程中，對於晶圓和液晶基板等之基板的表面供應處理液(例如，抗蝕層剝離液和洗淨液等)而對於基板表面進行處理之裝置。
在此基板處理裝置方面，係具有：使基板在水平狀態下旋轉，從與該基板表面的中心附近對向之噴嘴對於基板表面供應處理液，使該處理液藉因旋轉而產生之離心力而在基板表面攤開而進行處理者。在如此之旋轉處理的基板處理裝置之中，已提出：藉加熱器而預先加熱處理液，再者，對於將基板作保持之夾頭藉加熱器作加熱而將基板加溫，之後，將加熱之處理液供應至基板表面的基板處理裝置。
然而，在如前述之方式藉利用加熱器對於夾頭進行加熱而將基板加溫之基板處理裝置方面，係雖可使基板溫度 為固定而維持處理液之溫度，但即使改變加熱器溫度(加熱溫度)處理液之溫度不會立刻改變，故難以在處理中途調節(控制)處理液之溫度，進行基板處理。
例如，在基板處理具有從高溫處理切換至低溫處理的二個步驟之情況下，係在高溫處理後進行低溫處理時，處理會中斷直到基板溫度從高溫降至既定溫度，故處理非以一連串的程序(相同配方)而執行，處理時間會該程度變長。為此，要求在基板處理中途迅速調節處理液之溫度。
本發明所欲解決之問題，係提供可在基板處理中途迅速調節處理液之溫度的基板處理裝置及基板處理方法。
實施形態相關之基板處理裝置，係具備：對於基板作支撐之支撐部；以與藉支撐部而支撐之基板交叉的軸作為旋轉軸而使支撐部旋轉之旋轉機構；對於藉旋轉機構而旋轉的支撐部上之基板的表面供應處理液之噴嘴；對於藉支撐部而支撐之基板從該基板分離而加熱之加熱器；以及相對於藉支撐部而支撐之基板使加熱器移動於接近遠離方向之移動機構。
實施形態相關之基板處理方法，係具有：使與加熱器對向而分離之基板在平面內旋轉之程序；對於旋轉之基板的表面從噴嘴供應處理液之程序；藉加熱器而對於基板及該基板的表面上之處理液進行加熱之程序；使加熱器從基板遠離之程序；以及藉遠離之加熱器而對於基板及該基板 的表面上之處理液之中至少處理液進行加熱的程序。
依照上述之基板處理裝置或基板處理方法，即可在基板處理中途迅速調節處理液之溫度。
1A‧‧‧基板處理裝置
1B‧‧‧基板處理裝置
10‧‧‧控制部
2‧‧‧處理盒
3‧‧‧杯子
4‧‧‧支撐部
4a‧‧‧支撐構材
5‧‧‧旋轉機構
6‧‧‧噴嘴
6a‧‧‧噴嘴
6b‧‧‧噴嘴
6c‧‧‧噴嘴
7A‧‧‧供液部
7B‧‧‧供液部
8‧‧‧加熱器
9‧‧‧移動機構
L1‧‧‧既定距離
L2‧‧‧既定距離
W‧‧‧基板
[圖1]對於第1實施形態相關之基板處理裝置的示意構成進行繪示之圖。
[圖2]供以說明第1實施形態相關之基板處理的流程之第1程序圖。
[圖3]供以說明第1實施形態相關之基板處理的流程之第2程序圖。
[圖4]供以說明第1實施形態相關之基板處理的流程之第3程序圖。
[圖5]供以說明第1實施形態相關之基板處理的流程之第4程序圖。
[圖6]對於第2實施形態相關之基板處理裝置的示意構成進行繪示之圖。
(第1實施形態)
參見圖1至圖5而說明有關於第1實施形態。
如圖1所示，第1實施形態相關之基板處理裝置1A，係具備：成為處理室之處理盒2、設於該處理盒2內之杯子3、在該杯子3內對於基板W以水平狀態作支撐之 支撐部4、使該支撐部4在水平面內旋轉之旋轉機構5。再者，基板處理裝置1，係具備：對於支撐部4上之基板W的表面供應處理液之噴嘴6、對於該噴嘴6供應處理液之供液部7A、對於支撐部4上之基板W進行加熱之加熱器8、使該加熱器8移動於上下方向之移動機構9、對於各部進行控制之控制部10。
杯子3，係形成為圓筒形狀，將支撐部4從周圍包圍而收容於內部。杯子3之周壁的上部係朝向徑向的內側而傾斜，以支撐部4上之基板W曝露的方式開口。此杯子3，係接收從旋轉之基板W上流落或飛散之處理液。另外，在杯子3的底部，係設有供以將所接收的處理液排出之排出管(未圖示)。
支撐部4，係予以位於杯子3內的中央附近，以可水平面內旋轉的方式而設置。此支撐部4，係具有複數的銷等之支撐構材4a，藉此等支撐構材4a，將晶圓和液晶基板等之基板W保持成可裝卸。
旋轉機構5，係具有連結於支撐部4的旋轉軸和成為使該旋轉軸旋轉的驅動源之馬達(皆未圖示)等，藉馬達的驅動而透過旋轉軸以使支撐部4旋轉。此旋轉機構5係電性連接於控制部10，其驅動藉控制部10而控制。
噴嘴6，係設於支撐部4之上方亦即與該支撐部4上之基板W的表面的中心附近對向之位置，成為可對於支撐部4上之基板W的表面從上方供應處理液。再者，噴嘴6，係支撐於加熱器8之中央部，成為可與加熱器8之 上下動而一起上下動。此噴嘴6，係將從供液部7A所供應之處理液從支撐部4上之基板W的上方朝向旋轉中之基板W的表面作吐出而供應至該基板表面。
供液部7A，係具備貯留處理液之槽和成為驅動源之泵浦、成為調整供給量之調整閥的閥(皆未圖示)等，藉泵浦之驅動而對於噴嘴6供應處理液。此供液部7A係電性連接於控制部10，其驅動藉控制部10而控制。
於此，在處理液方面，係例如，可使用臭氧水和氫氟酸(HF)、超純水(DIW)等，其他亦可依處理內容而使用各種的處理液。
加熱器8，係形成為大於基板W之平面尺寸的平板狀，設於支撐部4之上方，從支撐部4上之基板W分離(與基板W空著間隔)而對於該基板W進行加熱。此加熱器8係構成為可藉移動機構9而移動於上下方向(升降方向)，移動至與支撐部4上之基板W的表面之分開距離不同的複數之位置，例如，移動至高溫處理位置、溫度維持處理位置(低溫處理位置)及待機位置。加熱器8係電性連接於控制部10，其驅動藉控制部10而控制。
於此，高溫處理位置係與基板W的表面分開既定距離(例如，1~10mm程度)之位置，為加熱器8對於基板W以高溫進行加熱時之位置。此外，溫度維持處理位置(低溫處理位置)係與基板W的表面分開比高溫處理位置還遠之既定距離的位置，為加熱器8將基板W之溫度維持於既定溫度時之位置。待機位置係與基板W的表面 分開比溫度維持處理位置還遠之既定距離的位置，為加熱器8在基板設置和搬出時待機時的位置(參見圖1中之點劃線)。
移動機構9，係具有將加熱器8保持之保持部和使保持部與加熱器8一起移動於上下方向之上下機構、成為驅動源之馬達(皆未圖示)等，藉馬達之驅動而使加熱器8與保持部一起相對於支撐部4上之基板W而移動於接近遠離方向(接近方向與遠離方向)。此移動機構9係電性連接於控制部10，其驅動藉控制部10而控制。
控制部10，係具備：集中對於各部進行控制的微電腦；記憶與基板處理相關的基板處理資訊和各種程式等的記憶部。此控制部10，係基於基板處理資訊和各種程式而對於旋轉機構5和供液部7A、移動機構9等進行控制，對於支撐部4上之基板W的表面與加熱器8之分開距離進行調整，進行將從供液部7A所供應之處理液從噴嘴6供應至旋轉中的支撐部4上之基板W的表面之基板處理的控制。
接著，參見圖2至圖5而說明有關於前述之基板處理裝置1A所進行之基板處理(基板處理方法)的第1處理例及第2處理例。另外，基板W係設置於支撐部4上，前準備已結束。此外，加熱器8係在待機位置(參見圖1中之點劃線)待機。
在第1處理例，如圖2所示，加熱器8係藉移動機構9而從待機位置移動至高溫處理位置。藉此，加熱器8之 背面與支撐部4上之基板W的表面之間係成為既定距離L1。另外，加熱器8從待機位置移動至高溫處理位置時，加熱器8係未受驅動。接著，支撐部4上之基板W與支撐部4一起藉旋轉機構5而以既定之轉數(供液轉數)旋轉。另外，待機位置和高溫處理位置、轉數等之條件係預先作設定，但可由操作者變更。
基板W穩定旋轉後，處理液被從供液部7A供應而從噴嘴6吐出至支撐部4上之基板W，供應至旋轉之基板W的表面。從噴嘴6供應至基板中心附近的處理液係因離心力而不斷流往基板周緣部。藉此，基板W的表面係在基板處理之期間，成為由處理液(液膜)所覆蓋。
之後，如圖3所示，加熱器8之背面與支撐部4上之基板W的表面之空間由處理液填滿，再者，在加熱器8之背面接觸於填滿空間之處理液的狀態下時，停止處理液之供應。此時，支撐部4上之基板W的轉數係以填滿前述之空間的處理液不會從該空間流下的方式而採取小於最初的轉數(供給轉數)。另外此時，亦可使支撐部4的旋轉停止。
處理液之供給停止後，加熱器8藉控制部10而被驅動，藉加熱器8而加熱支撐部4上之基板W，同時加熱器8之背面與支撐部4上之基板W的表面之間的處理液亦藉加熱器8而被直接加熱。藉此，基板W的表面上之處理液係迅速加溫。此加熱係執行既定的處理時間。
另外，既定之處理時間，係根據利用加熱器8之加熱 經過時間、處理液或基板W之溫度上升的關係而預先作設定，但可由操作者變更。此外，如上所述，在高溫處理位置供應之處理液，係可為以常溫供應者，或即使未到達高溫處理所需的溫度但在事前加熱至某溫度而供應者亦可。若供應預先加熱之處理液，則可更迅速加溫至高溫處理所需之溫度。
高溫處理後，如圖4所示，加熱器8藉移動機構9而從高溫處理位置移動至溫度維持處理位置。藉此，加熱器8之背面與支撐部4上之基板W的表面之間係成為既定距離L2(>L1)。另外，加熱器8被置於溫度維持處理位置時，加熱器8之背面係成為從形成於基板W的表面之液膜分離(未接觸)。此時，加熱器8之驅動係持續，藉該加熱器8之輻射熱而對於支撐部4上之基板W及該基板W的表面上之處理液進行保溫。藉此，以不會高於既定的基板溫度的方式加熱基板W，基板W的表面上之處理液之溫度被維持在期望的溫度，亦即以不會成為高於或低於期望的溫度的方式而維持。此時，除了處理液以外亦加熱基板W，但只要可僅藉加熱處理液而將處理液之溫度維持在期望溫度，則不加熱基板W亦可。
於此，既定之基板溫度，係以供應至基板W的表面之處理液在該基板表面成為期望的溫度的方式而設定，但可由操作者變更。此外，期望的溫度，係處理液之基板處理效率(例如，處理液之處理性能)會提升之溫度，但為因處理液之種類而異者。另外，在處理液方面，亦存在只 要為期望溫度以上則基板處理效率會提升之處理液，故在此情況下，既定之基板溫度，係以供應至基板W的表面之處理液在該基板表面成為期望的溫度以上的方式而設定。
依照如此之第1處理例，在基板處理從高溫處理切換至溫度維持處理時，加熱器8與基板W之分開距離從L1變成L2(>L1)。藉此，加熱器8從基板W及其表面上之處理液遠離，對於該基板W及其表面上之處理液之來自加熱器8的熱量減少，故變得可將基板W的表面上之處理液的溫度維持在期望的溫度。如此，並非在處理中途改變加熱器溫度，而是藉加熱器8之移動而改變加熱器8與基板W之分開距離，使得可迅速調整處理液之溫度，故可在處理中途調節(控制)處理液之溫度而進行基板處理。
另外，在第1處理例方面，係對於需要高溫處理之基板W進行洗淨處理之例，但亦可對於處理溫度不同的複數種類之基板進行處理，例如，對於需要在高溫處理下之洗淨的基板W、需要在低於高溫處理所需之溫度的既定之溫度下的洗淨處理之基板W進行處理。此情況下，在對於後者之基板W進行洗淨處理時，亦可採取：在將加熱器8置於高於高溫處理位置且低於待機位置的既定之高度的狀態下，對於基板W的表面供應處理液，以加熱器8之輻射熱，將對於基板W的表面所供應之處理液，加熱至低於高溫處理所需之溫度的既定之溫度。或者，亦可採 取：在高溫處理位置，以短於進行高溫處理時的處理液之加熱時間的處理時間而進行處理液之加熱後，使加熱器8移動至高於在第1處理例中的溫度維持處理位置之高度，而進行處理液之溫度維持。
此外，加熱器8，係採取在移動至高溫處理位置後被驅動，但在加熱器8之溫度上升需要時間的情況下，係可採取從移動至高溫處理位置之前的待機位置的階段對於加熱器8進行驅動(極端而言時常亦可)，亦可採取在從待機位置往高溫處理位置的移動中進行驅動。
在第2處理例方面，係至供給處理程序及高溫處理程序(參見圖2及圖3)為止的處理程序與前述相同，該高溫處理後，如圖4所示，加熱器8藉移動機構9而從高溫處理位置移動至低溫處理位置。藉此，加熱器8之背面與支撐部4上之基板W的表面之間係成為既定距離L2(>L1)。此時，不同於第1處理例，加熱器8係未受驅動，溫度維持係不進行。
加熱器8之移動後，如圖5所示，處理液被從供液部7A供應而從噴嘴6吐出至支撐部4上之基板W，供應至旋轉之基板W的表面。再者，支撐部4上之基板W的轉數係提升之既定的轉數(供液轉數)。從噴嘴6供應至基板中心附近的處理液係因離心力而不斷流往基板周緣部。此時，變成：基板W的表面上之處理液係從高溫的處理液置換成低溫的處理液(液膜)，基板W係被冷卻至處理液溫度。
另外，取決於處理之內容，有在加熱器8移動至低溫處理位置後供應至基板W的處理液與在高溫處理程序中供應至基板W之處理液相同的情況，亦有不同之情況。在例示方面，有高溫處理程序與低溫處理程序皆為純水之情況，此外，有在使用臭氧水而進行高溫處理後使用純水而進行低溫處理之情況等。
此外，前述之處理液的供給量，亦可為採取多於在高溫處理位置的處理液之供給量者。此外，處液之溫度亦可為採取低於在高溫處理位置所供應的處理液之溫度的溫度者。在採取此方式之情況下，係變得可縮短到處理液被置換成低溫的處理液為止所需之時間。此外，在增加處理液之供給量的情況下，亦可配合供給量之增加而使基板W的轉數高於在高溫處理位置之轉數(供液轉數)。
基板W的冷卻後，加熱器8藉控制部10而被驅動，以同第1處理例的方式，藉該加熱器8之輻射熱而對於支撐部4上之基板W及該基板W的表面上之處理液(該等之中至少處理液)進行保溫(參見圖4)。藉此，基板W的表面上之處理液之溫度被維持在期望的溫度。
依照如此之第2處理例，在基板處理從高溫處理切換至低溫處理時，加熱器8與基板W之分開距離從L1變成L2(>L1)，再者，處理液被供應至基板W的表面。藉此，加熱器8從基板W的表面上之處理液遠離，並且基板W的溫度因處理液之供應而變低，故變成基板W的表面上之處理液的溫度係迅速降低。如此，並非依賴加熱器 8本身的調溫，而是藉加熱器8之移動而改變加熱器8與基板W之分開距離，再者，藉對於基板W的表面之處理液的供應，使得可迅速調整處理液之溫度，故可在處理中途調節處理液之溫度而進行基板處理。
尤其，即使基板處理具有從高溫處理切換至低溫處理的步驟，仍變得可在高溫處理後進行低溫處理時，僅藉從基板W使加熱器8遠離而供應處理液以使基板W的溫度亦即該基板W上之處理液的溫度迅速下降至既定溫度。為此，無需中斷處理直到基板溫度從高溫降至既定溫度，或即使中斷仍變得可使該時間比歷來縮短，故可縮短處理時間。此外，以如前述的方式停止處理液之供應而加熱基板W的表面上之處理液的攪煉處理等之方式，處理液之溫度(液溫)持續上升直到穩定為止的情況下，係該穩定後之處理液溫度(高溫)與加熱當初之處理液溫度(低溫)的溫度差變相當大，但不需要從該高溫成為低溫為止的待機時間或變短，故可獲得高的處理時間縮短效果。
另外，如上所述，併用往低溫處理位置的加熱器8之移動與處理液之供應的情況下，使加熱器8從高溫處理位置移動至低溫處理位置時，雖未驅動加熱器8，但亦可採取維持驅動的狀態。
於此，在基板周緣部，係容易受到該周邊環境的溫度之影響，存在基板溫度容易降低之傾向。為此，在基板中心部與基板周緣部係產生溫度差，在基板表面會發生基板處理效率(基板處理效率)之不均勻。在此傾向強烈成為 問題之情況下，係例如，將加熱器8之電熱線依基板中心部與基板周緣部作分割而控制各自的發熱量，使基板周緣部之溫度高於基板中心部，使得可抑止基板周緣部之溫度低於基板中心部。以此方式對於基板W的溫度依地方而個別調整，變得可使基板W的表面溫度均勻，故可抑止在基板表面之因溫度差的基板處理效率之不均勻。
另外，要使基板W的溫度差消失，則不僅如前述之電熱線的發熱量控制，亦可採取依地方改變加熱器8之電熱線的設置密度。例如，採取：在與基板W的溫度容易降低之基板周緣部對向之地方係提高電熱線之設置密度，反之，在與基板W的溫度不易降低之基板中央部對向之地方係降低電熱線之設置密度。此外，亦可採取從基板W的中心朝向周緣而緩慢提高電熱線之設置密度。
如以上所說明，依照第1實施形態，並非依賴加熱器8本身的調溫，而是相對於支撐部4上之基板W而使加熱器8移動於接近遠離方向，亦即改變支撐部4上之基板W與加熱器8之分開距離，使得可迅速調整基板W的溫度亦即該基板W上的處理液之溫度，故可在處理中途調節處理液之溫度而進行基板處理。
此外，即使在基板處理具有從高溫處理切換至低溫處理的步驟之情況下，仍變得可在高溫處理後進行低溫處理時，僅藉從基板W使加熱器8遠離而供應處理液以使基板W上之處理液的溫度迅速降至既定溫度。為此，無需中斷處理直到基板溫度從高溫降至既定溫度，或即使中 斷，仍變得可使該時間比歷來縮短，故可縮短處理時間。
(第2實施形態)
參見圖6而說明有關於第2實施形態。
第2實施形態係基本上與第1實施形態相同。為此，在第2實施形態，係說明有關於與第1實施形態之差異，與在第1實施形態所說明之部分相同的部分係以相同符號表示，其說明亦省略。
如圖6所示，在第2實施形態相關之基板處理裝置1B中，係設有複數個噴嘴6a,6b及6c。各噴嘴6a,6b及6c，係沿著支撐部4上之基板W的表面而從該基板W的中心朝向周緣(外周)而排列，以位於支撐部4上之基板W的表面上方之方式而設。再者，各噴嘴6a,6b及6c，係支撐於加熱器8，成為可與加熱器8之上下動而一起上下動。此等噴嘴6a,6b及6c，係將從供液部7B所供應之處理液從支撐部4上之基板W的上方朝向旋轉中的基板W之表面而分別吐出，供應至該基板表面。
於此，在各噴嘴6a,6b及6c的材料方面，係使用不會因熱而變化之材料，例如，可使用不會因加熱器8之加熱而變化的石英等之材料。另外，在圖1中，係噴嘴個數為三個，但此個數為例示，非特別限定者。
是第1噴嘴的噴嘴6a係設於與支撐部4上之基板W的表面之中心附近(中心區域)對向的位置，是第2噴嘴的噴嘴6b係設於與支撐部4上之基板W的表面之半徑 中央附近(半徑中央附近)對向的位置。此外，是第3噴嘴的噴嘴6c係設於與支撐部4上之基板W的表面之周緣附近(周緣區域)對向的位置。
另外，各噴嘴6a,6b及6c，係沿著支撐部4上之基板W的表面而配置在延伸於半徑方向的一直線上。但是，此等噴嘴6a,6b及6c的配置係非限定於一直線上者，例如，亦能以跨該一直線的方式交互配置，只要在基板W的表面分別配置於直徑不同的三個圓之圓周上即可。
供液部7B，係具備貯留處理液之槽和成為驅動源之泵浦、成為調整供給量之調整閥的閥(皆未圖示)等，藉泵浦之驅動而對於各噴嘴6a,6b及6c供應處理液。此供液部7B係電性連接於控制部10，其驅動藉控制部10而控制。另外，從3個噴嘴6a,6b及6c，供應相同處理液。
於此，在使加熱器8接近於基板W而對於該基板W進行處理之情況下，係若基板W的轉數高則在基板表面內的處理液之膜厚的分布不同，變得難以均勻對於基板W的表面進行處理。尤其，在僅從與基板W的中央附近對向之噴嘴62供應處理液之情況下，係液膜從基板W的中心附近朝向周緣而漸薄，在周緣，係處理液之供給量亦減少，此外，液膜薄使得利用加熱器8之加熱效果亦減少，故與中心附近相較下基板處理效率(基板處理效率)會降低。
相對於此，從基板W的中心朝向周緣(外周)設置複數個對於基板W的表面之供液位置，以使基板W的表 面上之液膜的厚度均勻的方式，分別對於來自各處的處理液之流量進行控制，使得可均勻對於基板W的表面進行處理(例如，洗淨處理和蝕刻處理等)。亦即，即使為基板W的周緣仍變得可維持與中心附近同等的液膜，在基板W的表面之任何地方皆成為液量及加熱器加熱效果為相同之狀態，故可均勻對於基板W的表面進行處理。
於此，僅從與基板W的中央附近對向之噴嘴6a供應處理液之情況下，要均勻對於基板W的表面進行處理，則雖亦可持續供應處理液直到基板周緣部的處理結束，但在此情況下，係處理時間會該程度變長，再者，處理液之消耗量亦會變大。另一方面，如前述的方式使供液位置為複數個，使得可均勻對於基板W的表面進行處理，故可實現處理時間的縮短及處理液消耗量的削減。
此外，複數個噴嘴6a,6b及6c位於支撐部4上之基板W的正上方，故即使供應處理液時之流速慢，仍可容易對於基板W的表面供應處理液。此外，即使減少供應的處理液之流量仍變得可藉處理液而被覆基板W的表面，故可削減處理液之使用量。
此外，取決於處理內容，可重複幾次高溫處理程序與低溫處理程序，或者，亦可在低溫處理程序之後進行高溫處理程序，可適當設定高溫處理程序和低溫處理程序的重複次數和該等高溫處理程序及低溫處理程序的實施順序等。
如以上所說明，依照第2實施形態，即可獲得與第1 實施形態同樣之效果。再者，設置沿著支撐部4上之基板W的表面而從該基板W的中心朝向周緣排列之複數個噴嘴6a,6b及6c，使得對於基板W的表面之供液位置從基板W的中心朝向周緣而成為複數個。藉此，變得可均勻對於基板W的表面供應處理液，均勻對於基板W的表面進行處理，故可確實抑止基板處理效率之不均勻。
另外，在前述之第2實施形態中，係將噴嘴6a,6b及6c之每者的處理液之流量以基板W的表面上之處理液成為均勻的液膜的方式而設定。在此情況下，係例如，可採取使噴嘴6a,6b及6c之每者的處理液之流量依從基板W的中心朝向周緣的順序而增加。藉此，變得可均勻對於基板W的表面進行處理。
於此，在處理液之流量調整的手段方面，係對於連於噴嘴6a之配管中途的調整閥、連於噴嘴6b之配管中途的調整閥及連於噴嘴6c之配管中途的調整閥(皆未圖示)之各者的開度進行控制，調節從各噴嘴6a,6b及6c吐出的處理液之流量。
以上，雖說明了本發明之若干個實施形態，但此等之實施形態，係作為例子而提示者，並未意圖限定發明之範圍。此等新穎的實施形態可依其他的各種形態予以實施，在不脫離發明之要旨之範圍下，可進行多種的省略、置換、變更。此等實施形態和其變化係包含於發明之範圍和要旨，同時包含於申請專利範圍所記載之發明與其均等之範圍。
1A‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理盒
3‧‧‧杯子
4‧‧‧支撐部
4a‧‧‧支撐構材
5‧‧‧旋轉機構
6‧‧‧噴嘴
7A‧‧‧供液部
8‧‧‧加熱器
9‧‧‧移動機構
10‧‧‧控制部
W‧‧‧基板

Claims (9)

  1. 一種基板處理裝置，特徵在於：具備：對於基板作支撐之支撐部；以與藉前述支撐部而支撐之前述基板交叉的軸作為旋轉軸而使前述支撐部旋轉之旋轉機構；對於藉前述旋轉機構而旋轉的前述支撐部上之基板的表面供應處理液之噴嘴；對於藉前述支撐部而支撐之前述基板從該基板分離而加熱之加熱器；以及依前述基板之表面上的處理液在前述基板的處理中所需的溫度，而相對於藉前述支撐部而支撐之前述基板而使前述加熱器移動於接近遠離方向之移動機構。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，前述噴嘴，係以從前述基板的中心往周緣排列的方式設有複數個。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，前述噴嘴之每者的前述處理液之流量，係以前述基板的表面上之處理液成為均勻的液膜之方式而設定。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，前述噴嘴之每者的前述處理液之流量，係以從前述基板之中心朝向周緣的順序而增加。
  5. 一種基板處理方法，特徵在於：具有： 使與加熱器對向而分離之基板在平面內旋轉之程序；對於旋轉之前述基板的表面從噴嘴供應處理液之程序；藉前述加熱器而對於前述基板及該基板的表面上之處理液進行加熱之程序；在將依前述加熱之程序的前述處理液之溫度作維持或降低的情況下，使前述加熱器從前述基板遠離之程序；以及藉遠離之前述加熱器而對於前述基板及該基板的表面上之處理液之中至少處理液進行加熱的程序。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，在使前述加熱器從前述基板遠離之程序、及藉遠離之前述加熱器而對於前述基板及該基板的表面上之處理液之中至少處理液進行加熱的程序之間，具有對於旋轉之前述基板的表面從噴嘴供應處理液之程序。
  7. 如申請專利範圍第5項之基板處理方法，其中，對於旋轉之前述基板的表面，從自前述基板之中心朝向周緣而排列之複數個噴嘴分別供應處理液。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理方法，其中，將前述噴嘴之每者的前述處理液之流量，以前述基板的表面上之處理液成為均勻的液膜之方式而設定。
  9. 如申請專利範圍第8項之基板處理方法，其中，將前述噴嘴之每者的前述處理液之流量，以從前述基板之中心朝向周緣的順序而增加。
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