JP4250469B2

JP4250469B2 - 熱処理装置及び熱処理方法

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Publication number: JP4250469B2
Application number: JP2003196413A
Authority: JP
Inventors: 義樹岩田
Original assignee: Canon Marketing Japan Inc
Current assignee: Canon Marketing Japan Inc
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Filing date: 2003-07-14
Publication date: 2009-04-08
Anticipated expiration: 2023-07-14
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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、熱処理装置及び熱処理方法に関する。より詳細には、本発明は、処理中に基板温度を変化させることができる熱処理装置及び熱処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話を始めとするモバイル機器の普及と共に、それらの機器において使用される高周波電子部品の高性能化、低損失化への要請が高まっている。そのような高周波電子部品には、圧電基板の圧電特性を利用したSAW(Surface Acoustic Wave)デバイスと呼ばれるものがあり、このSAWデバイスの特性によってモバイル機器の性能が大きく左右される。
【０００３】
そのSAWデバイスを作製する際には、金属膜等をパターニングするときのマスクとなるレジストパターンを形成するために、金属膜の上にフォトレジストが塗布される。塗布後、フォトレジスト中の溶媒成分を蒸発させるためのベークが施されるが、そのベーク時の基板温度があまりに急激に変化すると、圧電基板に静電気が誘発され、その静電気が圧電基板の表面に蓄積されしまう。こうなると、静電気によって金属膜が破壊されたり、パーティクルが圧電基板に付着し易くなるといった不都合が生じる。
【０００４】
このような不都合を回避するため、従来は、次のような手順でフォトレジストのベークを行っている。
【０００５】
まず、図１に示すように、圧電基板１０１上のフォトレジスト（不図示）をベークするための三つの第１〜第３ベークユニット１０２、１０３、１０４を用意する。各ベークユニット１０２〜１０４内には、基板１０１の裏面と密着することにより基板１０１を加熱するためのベーク板（不図示）が設けられる。
【０００６】
そのベーク板は、各ユニット内で異なる温度、例えばＡ℃、Ｂ℃、Ａ℃に予め保持されており、特に、圧電基板１０１が最初に通る第１ベークユニット１０２のベーク板は、次の第２ベークユニット１０３における温度Ｂ℃よりも低いＡ℃に設定される。
【０００７】
圧電基板１０１は、上記の第１〜第３ベークユニット１０２〜１０４にこの順に通され、各ユニット１０２〜１０４内でＸ秒間加熱されることにより、基板１０１上のフォトレジストがベークされることになる。
【０００８】
このようなベークによれば、図１に示すように、ベークの温度履歴がステップ状となるので、圧電基板１０１の温度が急激に変化しなくなり、急激な温度変化に伴う静電気の発生が防止される。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記の方法では、各ベークユニット１０２〜１０４間で圧電基板１０１を搬送する必要があるので、せっかく加熱した圧電基板１０１が搬送中に冷却されたり、搬送に必要な時間だけベーク工程のスループットが低下したりする。
【００１０】
しかも、ベークの温度履歴を更に滑らかにする場合は、３つよりも更に多くのベークユニットを用意し、各ユニット間の温度差を小さくする必要があるが、これではベークユニットの数が多くなり、クリーンルーム内においてベークユニットが占有する面積が大きくなるという不都合を招いてしまう。
【００１１】
本発明は係る従来例の問題点に鑑みて創作されたものであり、処理中に基板温度を所望の昇温レート又は降温レートで変化させる処理を一つの装置内で行うことができる熱処理装置及び熱処理方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一観点によれば、フォトレジストが塗布された基板を、熱処理によってベークする熱処理装置であって、処理室と、前記処理室内に設けられた加熱体と、前記処理室内に入れられた基板を支持する基板支持体と、前記基板支持体を動かすことにより、前記基板と前記加熱体との距離を変える可変機構と、前記可変機構を制御する制御部とを有し、前記制御部の制御下において、前記基板と前記加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理し、前記制御部は、前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の昇温レートにより構成される距離−昇温レートカーブが格納される記憶部を有し、前記距離−昇温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の昇温レートで前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理装置が提供される。
本発明の一観点によれば、基板と予め加熱された加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理する熱処理方法であって、
前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の昇温レートにより構成される距離−昇温レートカーブが格納される記憶部における前記距離−昇温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の昇温レートで前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理方法が提供される。
【００１３】
本発明によれば、基板と加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、加熱体からの輻射熱によって基板を熱処理するので、基板が加熱体から受ける熱輻射の量も段階的若しくは連続的に変化し、基板温度が段階的又は連続的に変化する熱処理を一つの熱処理装置だけで行うことができる。
【００１４】
しかも、基板温度が上記のように段階的又は連続的に変化し、急激が温度変化が伴わない熱処理によれば、基板温度の急激な変化に伴って圧電基板に静電気が発生するのが防止されるので、上記の熱処理装置は、圧電基板を用いるSAWデバイスに対して特に有用である。
【００１５】
そして、基板と加熱体との距離、及び基板を該距離に十分長い時間置いた場合の該基板の収束温度により構成される距離−温度カーブを記憶部に格納し、上記制御部にこの距離−温度カーブを参照させながら上記可変機構を制御させることにより、所望の収束温度で基板が熱処理される。
【００１６】
また、基板と加熱体との距離、及び基板を該距離に置いた時点で得られる該基板の昇温レートにより構成される距離−昇温レートカーブを記憶部に格納し、上記制御部にこの距離−昇温レートカーブを参照させながら上記可変機構を制御させることにより、所望の昇温レートで基板が熱処理される。
【００１７】
更に、基板と加熱体との距離、及び基板を該距離に置いた時点で得られる該基板の降温レートにより構成される距離−降温レートカーブを記憶部に格納し、上記制御部にこの距離−降温レートカーブを参照させながら上記可変機構を制御させることにより、所望の降温レートで基板が熱処理される。
【００１８】
上記のような熱処理装置は、基板温度が１５０℃を超えないようなフォトレジストのベークに対して特に有用である。
【００１９】
また、本発明の別の観点によれば、基板と予め加熱された加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理方法が提供される。
【００２０】
この場合、上記熱処理の開始時に基板を加熱体に近づけ、次いで基板を加熱体から離すことにより、熱処理の開始時における昇温レートを調節することが可能となる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面を参照して説明する。
【００２２】
（第１実施形態）
図２は、本実施形態に係るヒータユニット（熱処理装置）の構成図である。
【００２３】
図２に示すように、このヒータユニットは、フォトレジストが塗布された圧電基板Wを収容するだけの大きさのステンレス製（又はアルミニウム製）のチャンバ（処理室）１を有し、そのチャンバ１の上部には、不図示のシリンダやモータ等によって開閉自在となっているカバー１を有する。
【００２４】
このチャンバ１の中には、主面２ｂが鉛直上方を向いた状態のベーク板（加熱体）２が設けられるが、このベーク板２には不図示のニクロム線ヒータ等の抵抗加熱体が埋め込まれており、これによりベーク板２が所望の温度に加熱される。ベーク板２は、特に限定されないが、例えばアルミニウムよりなる
また、ベーク板２の熱によってチャンバ１が加熱されるのを防ぐため、ベーク板２は、チャンバ１の内壁に直に取り付けられるのではなく、断熱性の部品を介してチャンバ１に取り付けるのが好ましい。
【００２５】
そのベーク板２には鉛直方向に貫通する複数の第１貫通孔２ａが設けられ、この第１貫通孔２ａに重なる第２貫通孔１ａがチャンバ１の底面に形成される。そして、各貫通孔１ａ、２ａには、例えば先端がセラゾール等の非金属よりなるピン（基板支持体）３が共通に通され、その先端に圧電基板Wが載せられる。
【００２６】
各ピン３の基端部はベース板４に共通に固定されており、このベース板４は、モータスライダ（可変機構）５のシャフト５ａに連結され、モータスライダ５の動きによって上限に可動となっている。なお、モータスライダ５に代えてシリンダを使用してもよい。
【００２７】
圧電基板Wの裏面は、ベーク板２の主面２ｂからの輻射熱によって加熱されるが、その加熱温度や昇温レート等は、圧電基板Wの裏面とベーク板２の主面２ｂとの距離ｄを０mm〜１００mmの範囲で変えることにより制御される。その制御の仕方は特に限定されないが、例えば、図３のシステム構成図に示されるように、制御部としてパソコン６を使用するのが簡便で好適である。
【００２８】
図３の例では、ベーク板２に埋め込まれたニクロム線ヒータへの電流量を制御するためのヒータ制御線８がベーク板２に接続されると共に、モータスライダ５のスライド量を制御するためのモータスライダ制御線９がモータスライダ５に接続される。
【００２９】
そして、パソコン６からの出力信号は、ケーブル７を通った後、インターフェイス１０によって信号形式が所定のフォーマットに変更され、上記の各制御線８、９に出力される。
【００３０】
パソコン６のハードディスク（記憶部）には、例えば、図４に示されるような距離−温度カーブや、図５に示されるような距離−昇温レートカーブ、更には図６に示されるような距離−降温レートカーブ等が予め格納されている。
【００３１】
これらのカーブのうち、図４の距離−温度カーブは、基板Wの裏面とヒータ板２の主面との距離ｄを横軸に有し、基板Wをその距離に十分長い時間置いた場合の基板Wの収束温度を縦軸に有する。
【００３２】
一方、図５の距離−昇温レートカーブは、横軸に上記の距離ｄを有し、基板Wをその距離ｄに置いた時点で得られる基板Wの昇温レートを縦軸に有する。
【００３３】
また、図６の距離−降温レートカーブは、横軸に上記の距離ｄを有し、基板Wをその距離ｄに置いた時点で得られる基板Wの降温レートを縦軸に有する。
【００３４】
ヒータユニット稼動時には、これらのカーブがパソコン６内のメモリ（不図示）上に展開され、CPUが各カーブを参照しながらモータスライダ５を制御して距離ｄを変化させる。これにより、圧電基板Wは、その収束温度が距離−温度カーブに基づいて制御されると共に、昇温レートが距離−昇温レートカーブに基づいて制御されながら加熱されることになる。また、基板温度を下げる場合には、CPUが距離−降温レートカーブを参照しながら距離ｄを変化させ、所望の降温レートが得られるようにする。
【００３５】
次に、上記のベークユニットを使用したフォトレジストのベーク方法について説明する。
【００３６】
このベークユニットは、SAWデバイスの製造工程において特に有用なので、以下では、SAWデバイスの一種であるSAWフィルタの製造工程を追いながら説明する。
【００３７】
まず、図７（ａ）の断面図に示すように、LiTaO₃やLiNbO₃等よりなる圧電基板W上に、導電膜１１としてアルミニウム膜をスパッタ法や真空蒸着法により所定の厚さに形成する。この導電膜１１は、後でパターニングされて、櫛型電極や反射器等になる。
【００３８】
次に、図７（ｂ）に示すように、圧電基板Wを不図示のコータ内に入れて回転数2000〜5000rpmで回転させ、ポジ型のフォトレジストを導電膜１１上に約1〜5cc滴下することにより、ポジ型のフォトレジスト１２を導電膜１１上に塗布する。なお、コータにおける塗布条件はこれに限定されず、種々に最適化してよい。
【００３９】
その後に、このフォトレジスト１２中の溶媒成分を蒸発させ、フォトレジスト１２を安定化させるために、圧電基板Wを図２のベークユニットに搬送し、ピン３の先端に圧電基板Wを載せる。なお、圧電基板Wの搬送には不図示の搬送ロボットが使用される。そして、搬送ロボットとピン３との間で圧電基板Wの受け渡しを行う際にはカバー７が開き、受け渡しが終了するとカバー７が閉まってチャンバ１内が気密にされる。
【００４０】
また、チャンバ１内でベークを行っているか否かにか関わらず、ベーク板２の温度を約150℃に常に安定させるために、ベーク板２が内蔵するニクロム線ヒータには常に電流が供給されており、その電流量がパソコン６（図２参照）によって制御される。
【００４１】
次に、図８に示されるように、圧電基板Wの裏面とベーク板２の主面との距離（以下、単に圧電基板Wとベーク板２との距離と言う）をａに保ち、ベーク板２からの輻射熱によって圧電基板Wを裏面側から加熱し、フォトレジスト１２のプリベークを開始する。なお、距離ａは特に限定されないが、本実施形態では約30mmとする。
【００４２】
また、このプリベークの最中、チャンバ１内は大気圧、又は大気圧から数mmAq引かれた圧力に保持され、フォトレジスト１２から脱ガスした溶媒成分がチャンバ１内の雰囲気に含まれることになる。
【００４３】
図８の温度履歴に示すように、プリベークの開始直後では、上昇角度αで基板温度が上昇するが、ある程度の時間が経つと基板温度は一定値に収束する。その上昇角度αは、距離ａを変えることにより所望の値にすることができる。
【００４４】
上記のような状態を例えば60秒間保持し、第１ベーク温度である８０℃程度に基板温度が収束したところで、フォトレジスト１２中の溶媒成分を完全に飛ばすのに必要な温度に基板温度を高めるため、圧電基板Wとベーク板２との距離を上記のａからｂに詰める。その距離ｂは、特に限定されないが、例えば約0.2mmである。
【００４５】
これにより、基板温度が再び昇温して約１５０℃程度の第２ベーク温度となり、フォトレジスト１２の溶媒成分が蒸発するのが加速される。
【００４６】
そして、この状態を60秒程度保持して溶媒成分が十分に蒸発したところで、上記の距離ａ、ｂよりも長い距離ｃに圧電基板Wを引き上げる。その後、60秒程度の時間が経過して基板温度が７０℃程度の第３ベーク温度に下がったところで、搬送ロボットにより圧電基板Wをチャンバ１から取り出し、一連のプリベークを終了する。
【００４７】
上記のようにフォトレジストのベークを行う場合、１５０℃を超える温度に基板温度を設定する必要は無い。
【００４８】
次に、ステッパ等の露光装置内に圧電基板Wを搬送し、その露光装置内でフォトレジスト１２を露光する。なお、フォトレジスト１２として化学増幅型レジストを使用する場合は、露光後にPEB(Post Exposure Baking)を行う。そのPEBも本実施形態に係るベークユニットで行うことが可能である。
【００４９】
次いで、不図示の現像装置内でフォトレジスト１２を現像することにより、図７（ｃ）に示すように、フォトレジストの感光部を除去すると共に、非感光部をレジストパターン１２ａとして残す。
【００５０】
その後、レジストパターン１２ａを完全に架橋させるために、不図示のホットプレート上に圧電基板Wを搬送し、そこで紫外線を照射しながらレジストパターン１２ａを加熱してキュアする。
【００５１】
続いて、図７（ｄ）に示すように、レジストパターン１２ａをエッチングマスクとして使用して導電膜１１をエッチングし、これにより残った導電膜１１を櫛型電極１１ａ、第１反射器１１ｂ、及び第２反射器１２ｃ等のデバイスパターンとする。
【００５２】
その後に、例えば酸素雰囲気中のアッシングによりレジストパターン１２ａを灰化して除去する。
【００５３】
以上により、図９の平面図に示されるようなSAWフィルタの基本構造が完成する。なお、先の図７（ｄ）は、図９のI-I線に沿う断面図に相当する。
【００５４】
このSAWフィルタにおいては、互いに組み合わされた一対の櫛型電極１１ａ間に信号電圧を印加すると、信号電圧の周波数によって定まる波長の表面波が圧電基板Wの表面に誘起される。そして、特定の波長の表面波のみが反射器１１ｂ、１１ｃによってブラッグ反射され櫛型電極１１ａの下に戻される。これにより、一対の櫛型電極１１ａ間のインピーダンスを、特定の周波数の信号電圧に対してのみ小さくすることが可能となる。
【００５５】
上記した実施形態によれば、図８の温度履歴に示したように、圧電基板Wとベーク板２との距離をステップ状に（段階的に）に変えるようにしたので、圧電基板Wがベーク板２から受ける熱輻射の量もステップ状に変化し、基板温度がステップ状に変化するベークを一つのベークユニットだけで行うことができる。
【００５６】
これにより、従来のようにベークの各ステップ用にベークユニットを用意する必要が無くなるので、ベークユニットによって占有される面積が小さくなり、装置の省スペース化を図ることが可能となる。更に、複数のベークユニットに圧電基板Wを搬送する必要も無くなるので、ベーク中に基板温度が低下しないと共に、従来搬送に要していた時間だけベーク時間を短縮することができ、ベーク工程のスループットを向上させることができる。
【００５７】
しかも、ベークの温度履歴はパソコン６によって任意に設定することができるので、今までに無い温度履歴のベークを新規のプロセスにおいてを行う場合でも、ベークユニットの設計を変更すること無しに、パソコン６の制御下でそのベークをソフト的に簡単に実行することができる。
【００５８】
また、基板温度が上記のようにステップ的に変化し、急激な温度変化が伴わないベークによれば、基板温度の急激な変化に伴って圧電基板Wに静電気が発生するのが防止されるので、上記のベークユニットは、圧電基板を用いるSAWデバイスに対して特に有用である。
【００５９】
（第２実施形態）
第１実施形態では、ベークの三つのステップにおいて、圧電基板Wとベーク板２との距離をそれぞれａ、ｂ、ｃに固定していた。しかしながら、本発明はこれに限定されず、ベークの各ステップにおいて圧電基板Wとベーク板２との距離を変化させてもよい。以下では、ベークの開始時において、上記の距離を変える場合について説明する。
【００６０】
まず、図１０に示されるように、ベークを開始する時点では、圧電基板Wとベーク板２との距離を第１実施形態のａよりも短いｂに設定する。そして、ベークの開始と共にピン３を上昇させ、上記の距離を徐々に長くし、最終的にはその距離をｃにする。
【００６１】
このようにすると、図９の温度履歴に示されるように、基板温度の上昇角度が第１実施形態のαよりも大きいβになると共に、基板温度の最終的な収束温度を第１実施形態と同じ８０℃にすることができる。
【００６２】
なお、次の二番目と三番目のステップは、第１実施形態と同じ条件で行われるので、その詳細については省略する。
【００６３】
上記した本実施形態によれば、ベークの開始時に圧電基板Wをベーク板２に近づけ、次いで圧電基板Wをベーク板２から離すようにしたので、ベークの開始時における圧電基板W昇温レートを調節することができる。
【００６４】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されない。例えば、第１実施形態では、ピン３をステップ的に動かすことにより圧電基板Wとベーク板２との距離を段階的に変えるようにしたが、これに代えて、ピン３を連続的に動かし、上記の距離を連続的に変え、基板温度を連続的に変化させてもよい。
【００６５】
更に、上記実施形態では、フォトレジストのベークを中心にして説明したが、ベークの他に、段階的若しくは連続的に基板温度を上昇させる必要がある熱処理にも本発明を適用できる。
【００６６】
また、既述のように、本発明は、静電気の発生を防止できるという利点から圧電基板に対して特に有用であるが、この利点を得る必要が無い場合は、半導体基板や絶縁基板に対しても本発明を適用できる。
【００６７】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、基板と加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、加熱体からの輻射熱によって基板を熱処理するようにしたので、基板温度が段階的又は連続的に変化する熱処理を一つの熱処理装置だけで行うことができる。
【００６８】
しかも、この熱処理によれば、基板温度が急激に変化しないので、基板温度の急激な変化に伴って圧電基板に静電気が発生するのを防止することができる。従って、上記の熱処理装置は、圧電基板を使用するSAWデバイスに対して特に有用である。
【００６９】
特に請求項１記載の発明によれば、基板と加熱体との距離、及び基板を距離に置いた時点で得られる該基板の昇温レートにより構成される距離−昇温レートカーブが格納される記憶部を有し、この距離−昇温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して基板と加熱体との距離を変化させて熱処理を行うので、所望の昇温レートで前記基板を熱処理することができる。また、請求項２記載の発明によれば、基板と加熱体との距離、及び基板を距離に置いた時点で得られる該基板の降温レートにより構成される距離−降温レートカーブが格納される記憶部を有し、この距離−降温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して基板と加熱体との距離を変化させて熱処理を行うので、所望の降温レートで前記基板を処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、従来例に係るフォトレジストのベーク方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の各実施形態で使用されるヒータユニットの構成図である。
【図３】図３は、本発明の各実施形態にいおいて、制御部としてパソコンを使用した場合のシステム構成図である。
【図４】図４は、本発明の各実施形態において、パソコンのハードディスクに格納される距離−温度カーブである。
【図５】図５は、本発明の各実施形態において、パソコンのハードディスクに格納される距離−昇温レートカーブである。
【図６】図６は、本発明の各実施形態において、パソコンのハードディスクに格納される距離−降温レートカーブである。
【図７】図７（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施の形態に係る熱処理方法について示す断面図である。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態に係る熱処理方法における熱履歴を示すグラフである。
【図９】図９は、本発明の各実施形態で作製されるSAWフィルタの平面図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施の形態に係る熱処理方法における熱履歴を示すグラフである。
【符号の説明】
１…チャンバ、１ａ…第２貫通孔、２…ベーク板、２ａ…第１貫通孔、２ｂ…主面、３…ピン、４…ベース板、５…モータスライダ、５ａ…シャフト、６…パソコン、７…ケーブル、８…ヒータ制御線、９…モータスライダ制御線、１０…インターフェイス、１１…導電膜、１２…フォトレジスト、１２ａ…レジストパターン、１１ａ…櫛型電極、１１ｂ…第１反射器、１１ｃ…第２反射器、W…圧電基板。

Claims

フォトレジストが塗布された基板を、熱処理によってベークする熱処理装置であって、
処理室と、
前記処理室内に設けられた加熱体と、
前記処理室内に入れられた基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体を動かすことにより、前記基板と前記加熱体との距離を変える可変機構と、
前記可変機構を制御する制御部とを有し、
前記制御部の制御下において、前記基板と前記加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理し、
前記制御部は、前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の昇温レートにより構成される距離−昇温レートカーブが格納される記憶部を有し、前記距離−昇温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の昇温レートで前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理装置。
フォトレジストが塗布された基板を、熱処理によってベークする熱処理装置であって、
処理室と、
前記処理室内に設けられた加熱体と、
前記処理室内に入れられた基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体を動かすことにより、前記基板と前記加熱体との距離を変える可変機構と、
前記可変機構を制御する制御部とを有し、
前記制御部の制御下において、前記基板と前記加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理し、
前記制御部は、前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の降温レートにより構成される距離−降温レートカーブが格納される記憶部を有し、前記距離−降温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の降温レートで前記基板を降温処理することを特徴とする熱処理装置。
前記加熱体は、主面が鉛直上方を向いた状態で前記処理室内に設けられた板であり、
前記板は、鉛直方向に貫通する複数の第１貫通孔を有し、
前記処理室は、前記第１貫通孔に重なる複数の第２貫通孔を底面に有し、
前記基板支持体は、前記第１貫通孔と前記第２貫通孔とに共通に通された複数
のピンであり、
前記基板は、前記複数のピンの先端に載せられて支持されることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の熱処理装置。
前記基板と前記加熱体との距離は、０mm以上１００mm以下の範囲で変えられることを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れか一に記載の熱処理装置。
基板と予め加熱された加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理する熱処理方法であって、
前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の昇温レートにより構成される距離−昇温レートカーブが格納される記憶部における前記距離−昇温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の昇温レートで前記基板を熱処理することを特徴とする熱処理方法。
基板と予め加熱された加熱体との距離を段階的又は連続的に変えながら、前記加熱体からの輻射熱によって前記基板を熱処理する熱処理方法であって、
前記基板と前記加熱体との距離、及び前記基板を前記距離に置いた時点で得られる該基板の降温レートにより構成される距離−降温レートカーブが格納される記憶部における前記距離−降温レートカーブを参照しながら前記可変機構を制御して、所望の降温レートで前記基板を降温処理することを特徴とする熱処理方法。
前記熱処理は、フォトレジストが塗布された基板を、ベークする熱処理であって、
前記熱処理を行う前に、前記基板の上に膜を形成する工程と、前記膜の上にフォトレジストを塗布する工程とを有し、前記熱処理によって前記フォトレジストがベークされることを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の熱処理方法。