JPH05247658A - 金属酸化物薄膜の形成方法 - Google Patents
金属酸化物薄膜の形成方法Info
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- JPH05247658A JPH05247658A JP4045351A JP4535192A JPH05247658A JP H05247658 A JPH05247658 A JP H05247658A JP 4045351 A JP4045351 A JP 4045351A JP 4535192 A JP4535192 A JP 4535192A JP H05247658 A JPH05247658 A JP H05247658A
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
- C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
- C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
- C04B41/5025—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials with ceramic materials
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板上に塗布されたゾルゲル溶液の所望の領
域のみを結晶化させ、基板表面に損傷を与えることなく
所望の領域のみに金属酸化物薄膜を形成する。 【構成】 酢酸鉛とチタンイソプロポキシドのイソプロ
パノール溶液２をスピンコーティング法により基板１上
に塗布し、５０ｋｅＶの電子ビーム３を所望の領域に照
射し、電子ビーム照射による熱エネルギーによって照射
領域の溶液のみを結晶化させチタン酸鉛薄膜４とする。
さらにフッ酸の３０倍希釈水溶液に１分間浸せきし、照
射領域以外の溶液を除去し、所望の領域のみに形成され
たチタン酸鉛薄膜４を得る。この構成により、基板表面
に損傷を与えることなく所望の領域のみに金属酸化物薄
膜を形成させることができ、基板上の全面に金属酸化物
薄膜を形成した後に物理的エッチングにより不要部分を
除去する従来方法での問題点であった基板表面損傷によ
るデパイス特性劣化が解消される。
域のみを結晶化させ、基板表面に損傷を与えることなく
所望の領域のみに金属酸化物薄膜を形成する。 【構成】 酢酸鉛とチタンイソプロポキシドのイソプロ
パノール溶液２をスピンコーティング法により基板１上
に塗布し、５０ｋｅＶの電子ビーム３を所望の領域に照
射し、電子ビーム照射による熱エネルギーによって照射
領域の溶液のみを結晶化させチタン酸鉛薄膜４とする。
さらにフッ酸の３０倍希釈水溶液に１分間浸せきし、照
射領域以外の溶液を除去し、所望の領域のみに形成され
たチタン酸鉛薄膜４を得る。この構成により、基板表面
に損傷を与えることなく所望の領域のみに金属酸化物薄
膜を形成させることができ、基板上の全面に金属酸化物
薄膜を形成した後に物理的エッチングにより不要部分を
除去する従来方法での問題点であった基板表面損傷によ
るデパイス特性劣化が解消される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体メモリーや半導
体集積回路等に応用される基板上への金属酸化物薄膜の
形成方法に関する。
体集積回路等に応用される基板上への金属酸化物薄膜の
形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体メモリーや半導体集積回路
の特性向上を目的として、誘電性や磁性あるいはその他
の機能を有する金属酸化物の薄膜を基板上に形成する技
術が広く研究開発されている。中でも、金属アルコキシ
ド，金属塩、または有機金属化合物の水または有機溶媒
溶液を基板上に塗布し、加熱により溶媒を蒸発除去しな
がら溶液を結晶化させ金属酸化物薄膜を形成させるいわ
ゆるゾルゲル法は、簡便で量産性に富むばかりでなく、
得られる金属酸化物の純度が高く、粒径分布の均一性や
異種元素の添加量・分布の均一性にも優れており、半導
体デバイスに適用しうる信頼性の高い金属酸化物薄膜の
形成法として注目されている。
の特性向上を目的として、誘電性や磁性あるいはその他
の機能を有する金属酸化物の薄膜を基板上に形成する技
術が広く研究開発されている。中でも、金属アルコキシ
ド，金属塩、または有機金属化合物の水または有機溶媒
溶液を基板上に塗布し、加熱により溶媒を蒸発除去しな
がら溶液を結晶化させ金属酸化物薄膜を形成させるいわ
ゆるゾルゲル法は、簡便で量産性に富むばかりでなく、
得られる金属酸化物の純度が高く、粒径分布の均一性や
異種元素の添加量・分布の均一性にも優れており、半導
体デバイスに適用しうる信頼性の高い金属酸化物薄膜の
形成法として注目されている。
【０００３】以下、図面を参照しながらゾルゲル法を用
いた従来の基板上への金属酸化物薄膜の形成方法につい
て説明する。
いた従来の基板上への金属酸化物薄膜の形成方法につい
て説明する。
【０００４】図３はゾルゲル法を用いて基板上の任意の
領域に金属酸化物薄膜を形成する従来の工程を示す図で
ある。１は基板、１３は金属アルコキシド，金属塩、ま
たは有機金属化合物の水または有機溶媒溶液（以下これ
をゾルゲル溶液と呼ぶ）、１４は金属酸化物薄膜、１５
はフォトレジスト、１６はＡｒイオンビームである。
領域に金属酸化物薄膜を形成する従来の工程を示す図で
ある。１は基板、１３は金属アルコキシド，金属塩、ま
たは有機金属化合物の水または有機溶媒溶液（以下これ
をゾルゲル溶液と呼ぶ）、１４は金属酸化物薄膜、１５
はフォトレジスト、１６はＡｒイオンビームである。
【０００５】まず、図３（ａ）のように必要な金属元素
が所望の組成比になるように調整されたゾルゲル溶液１
３をスピンコーティング等の手法で基板１上へ均一に塗
布する。次にこれを昇温して熱エネルギーにより溶媒の
蒸発と溶液の結晶化を進行させ、図３（ｂ）のように金
属酸化物薄膜１４を得る。
が所望の組成比になるように調整されたゾルゲル溶液１
３をスピンコーティング等の手法で基板１上へ均一に塗
布する。次にこれを昇温して熱エネルギーにより溶媒の
蒸発と溶液の結晶化を進行させ、図３（ｂ）のように金
属酸化物薄膜１４を得る。
【０００６】半導体デバイスに応用する場合には、基板
１上の全面ではなく所望の領域のみに金属酸化物薄膜１
４を形成する必要が生じる。この場合には通常、図３
（ｃ）に示すようにリソグラフィー技術を用いて所望の
領域のみにマスクとなるフォトレジスト１５を形成し、
それ以外の領域の薄膜を湿式エッチングやガスエッチン
グ等の化学的エッチングにより除去する。しかしなが
ら、ゾルゲル法により形成された結晶化した金属酸化物
薄膜１４は非常に安定で、化学的エッチングでは容易に
除去されない場合が多い。そこで、図３（ｄ）に示すよ
うに高エネルギーのＡｒイオンビーム１６を照射し物理
的にエッチングを行う。最後にフォトレジストを除去す
れば図３（ｅ）に示すように基板１上の所望の領域のみ
に形成された金属酸化物薄膜１４が得られる。
１上の全面ではなく所望の領域のみに金属酸化物薄膜１
４を形成する必要が生じる。この場合には通常、図３
（ｃ）に示すようにリソグラフィー技術を用いて所望の
領域のみにマスクとなるフォトレジスト１５を形成し、
それ以外の領域の薄膜を湿式エッチングやガスエッチン
グ等の化学的エッチングにより除去する。しかしなが
ら、ゾルゲル法により形成された結晶化した金属酸化物
薄膜１４は非常に安定で、化学的エッチングでは容易に
除去されない場合が多い。そこで、図３（ｄ）に示すよ
うに高エネルギーのＡｒイオンビーム１６を照射し物理
的にエッチングを行う。最後にフォトレジストを除去す
れば図３（ｅ）に示すように基板１上の所望の領域のみ
に形成された金属酸化物薄膜１４が得られる。
【０００７】また、図４は上記従来方法をＧａＡｓモノ
リシック集積回路作製におけるキャパシタ用誘電体薄膜
形成工程に適用した場合の作製工程図である。
リシック集積回路作製におけるキャパシタ用誘電体薄膜
形成工程に適用した場合の作製工程図である。
【０００８】図４において、２は酢酸鉛とチタンイソプ
ロポキシドのイソプロパノール溶液、４はチタン酸鉛薄
膜、５は半絶縁性ＧａＡｓ基板、６はイオン注入領域、
７は絶縁膜、８はキャパシタ下側電極、９はキャパシタ
上側電極、１０はオーミック電極、１１はショットキー
電極、１２は配線金属、１５はフォトレジスト、１６は
Ａｒイオンビームである。
ロポキシドのイソプロパノール溶液、４はチタン酸鉛薄
膜、５は半絶縁性ＧａＡｓ基板、６はイオン注入領域、
７は絶縁膜、８はキャパシタ下側電極、９はキャパシタ
上側電極、１０はオーミック電極、１１はショットキー
電極、１２は配線金属、１５はフォトレジスト、１６は
Ａｒイオンビームである。
【０００９】まず、図４（ａ）に示すようにイオン注入
とアニールにより動作層（ＦＥＴ部と抵抗部）を形成し
た基板５上に絶縁膜７とキャパシタ下側電極８を蒸着す
る。次に図３（ｂ）に示すようにスピンコーティング法
により酢酸鉛とチタンイソプロポキシドのイソプロパノ
ール溶液２を塗布し、アニールして図４（ｃ）に示すよ
うにチタン酸鉛薄膜４を形成した後、図４（ｄ）に示す
ようにキャパシタ上側電極９を蒸着する。次に図４
（ｅ）に示すようにキャパシタ形成領域のみにフォトレ
ジスト１５を形成し、これをマスクとしてこの領域以外
のキャパシタ上側電極９とチタン酸鉛薄膜４をＡｒイオ
ンビーム１６照射による物理的エッチング（イオンミリ
ング）によって図４（ｆ）に示すように除去する。レジ
スト除去後、図４（ｇ）に示すように再び同様にしてキ
ャパシタ下側電極８をエッチングする。さらに図４
（ｈ）に示すように動作層上の絶縁膜７をエッチングし
てオーミック電極１０およびショットキー電極１１を形
成した後、図４（ｉ）に示すように再び絶縁膜７を蒸着
して各電極上にコンタクト窓を形成し、最後に配線金属
１２を形成する。
とアニールにより動作層（ＦＥＴ部と抵抗部）を形成し
た基板５上に絶縁膜７とキャパシタ下側電極８を蒸着す
る。次に図３（ｂ）に示すようにスピンコーティング法
により酢酸鉛とチタンイソプロポキシドのイソプロパノ
ール溶液２を塗布し、アニールして図４（ｃ）に示すよ
うにチタン酸鉛薄膜４を形成した後、図４（ｄ）に示す
ようにキャパシタ上側電極９を蒸着する。次に図４
（ｅ）に示すようにキャパシタ形成領域のみにフォトレ
ジスト１５を形成し、これをマスクとしてこの領域以外
のキャパシタ上側電極９とチタン酸鉛薄膜４をＡｒイオ
ンビーム１６照射による物理的エッチング（イオンミリ
ング）によって図４（ｆ）に示すように除去する。レジ
スト除去後、図４（ｇ）に示すように再び同様にしてキ
ャパシタ下側電極８をエッチングする。さらに図４
（ｈ）に示すように動作層上の絶縁膜７をエッチングし
てオーミック電極１０およびショットキー電極１１を形
成した後、図４（ｉ）に示すように再び絶縁膜７を蒸着
して各電極上にコンタクト窓を形成し、最後に配線金属
１２を形成する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】上記従来の方法では、
基板上に塗布されたゾルゲル溶液を結晶化する工程で基
板全体を昇温するため、金属酸化物薄膜が基板上の全面
に形成される。従って、実際の半導体デバイスへの応用
において所望の領域のみに金属酸化物薄膜を形成する場
合には、基板上の全面に形成された金属酸化物薄膜の不
要な部分を高エネルギーＡｒイオンビーム照射等の物理
的エッチングを用いて除去しなければならない。
基板上に塗布されたゾルゲル溶液を結晶化する工程で基
板全体を昇温するため、金属酸化物薄膜が基板上の全面
に形成される。従って、実際の半導体デバイスへの応用
において所望の領域のみに金属酸化物薄膜を形成する場
合には、基板上の全面に形成された金属酸化物薄膜の不
要な部分を高エネルギーＡｒイオンビーム照射等の物理
的エッチングを用いて除去しなければならない。
【００１１】しかしながら、この高エネルギービーム照
射によるエッチングは照射領域の基板表面に多大の損傷
を与えるため、基板表面近傍に結晶欠陥が発生し、デバ
イス全体の特性の劣化を招くという問題点があった。通
常のデバイス製造工程では、照射領域の基板表面近傍に
は前記のようにトランジスタ，ダイオード，抵抗等の他
の素子が既に作り込まれていることが多く、基板損傷に
よる影響は極めて重大である。
射によるエッチングは照射領域の基板表面に多大の損傷
を与えるため、基板表面近傍に結晶欠陥が発生し、デバ
イス全体の特性の劣化を招くという問題点があった。通
常のデバイス製造工程では、照射領域の基板表面近傍に
は前記のようにトランジスタ，ダイオード，抵抗等の他
の素子が既に作り込まれていることが多く、基板損傷に
よる影響は極めて重大である。
【００１２】本発明は上記課題を解決するもので、基板
上に塗布されたゾルゲル溶液の所望の領域のみを結晶化
させ、基板表面に損傷を与えることなく所望の領域のみ
に金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物薄膜の形成方法
を提供することを目的とする。
上に塗布されたゾルゲル溶液の所望の領域のみを結晶化
させ、基板表面に損傷を与えることなく所望の領域のみ
に金属酸化物薄膜を形成する金属酸化物薄膜の形成方法
を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の金属酸化物薄膜の形成方法は、基板上に塗
布されたゾルゲル溶液を電子ビーム，イオンビームまた
はレーザ光の照射により結晶化させる工程を有し、ま
た、照射領域以外の溶液を適当な溶剤を用いて除去する
工程を有する構成による。
に、本発明の金属酸化物薄膜の形成方法は、基板上に塗
布されたゾルゲル溶液を電子ビーム，イオンビームまた
はレーザ光の照射により結晶化させる工程を有し、ま
た、照射領域以外の溶液を適当な溶剤を用いて除去する
工程を有する構成による。
【００１４】
【作用】上記構成により、電子ビーム，イオンビームま
たはレーザ光の照射により発生する熱エネルギーによっ
て、基板上に塗布されたゾルゲル溶液の全面ではなくそ
れらを照射した領域のみを選択的に結晶化させ、金属酸
化物薄膜とすることが可能である。また、結晶化した金
属酸化物薄膜は湿式エッチングに対して非常に安定であ
るが、ゾルゲル溶液は湿式エッチングにより容易に除去
できるので、電子ビーム，イオンビームまたはレーザ光
の照射後に適切なエッチング溶剤を用いて湿式エッチン
グを施すことにより照射領域以外のゾルゲル溶液のみを
除去することが可能である。
たはレーザ光の照射により発生する熱エネルギーによっ
て、基板上に塗布されたゾルゲル溶液の全面ではなくそ
れらを照射した領域のみを選択的に結晶化させ、金属酸
化物薄膜とすることが可能である。また、結晶化した金
属酸化物薄膜は湿式エッチングに対して非常に安定であ
るが、ゾルゲル溶液は湿式エッチングにより容易に除去
できるので、電子ビーム，イオンビームまたはレーザ光
の照射後に適切なエッチング溶剤を用いて湿式エッチン
グを施すことにより照射領域以外のゾルゲル溶液のみを
除去することが可能である。
【００１５】すなわち、基板上に塗布されたゾルゲル溶
液のうちの金属酸化物薄膜を形成させたい領域のみに電
子ビーム，イオンビームまたはレーザ光を照射し、さら
に湿式エッチングを施すことにより、基板上の所望の領
域のみに金属酸化物薄膜を形成することが可能となる。
この際、不要な領域の除去に湿式エッチングを用いるの
で、基板表面に何らの損傷も与えることなく所望の領域
のみに金属酸化物薄膜を形成させることができ、物理的
エッチングを用いた場合の基板損傷によるデバイス特性
劣化を解消することができる。
液のうちの金属酸化物薄膜を形成させたい領域のみに電
子ビーム，イオンビームまたはレーザ光を照射し、さら
に湿式エッチングを施すことにより、基板上の所望の領
域のみに金属酸化物薄膜を形成することが可能となる。
この際、不要な領域の除去に湿式エッチングを用いるの
で、基板表面に何らの損傷も与えることなく所望の領域
のみに金属酸化物薄膜を形成させることができ、物理的
エッチングを用いた場合の基板損傷によるデバイス特性
劣化を解消することができる。
【００１６】
【実施例】以下本発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【００１７】図１は本発明の一実施例における基板上へ
の金属酸化物薄膜の形成方法を示す工程図である。図１
において、１は基板、２は酢酸鉛とチタンイソプロポキ
シドのイソプロパノール溶液、３は電子ビーム、４はチ
タン酸鉛薄膜である。
の金属酸化物薄膜の形成方法を示す工程図である。図１
において、１は基板、２は酢酸鉛とチタンイソプロポキ
シドのイソプロパノール溶液、３は電子ビーム、４はチ
タン酸鉛薄膜である。
【００１８】まず、酢酸鉛とチタンイソプロポキシドの
イソプロパノール溶液２をスピンコーティング法により
図１（ａ）のようにＧａＡｓ基板１上に塗布し、２００
℃のホットプレート上で５分間ベーキングを行った。次
に、この基板に電子ビーム露光装置を用いて、図１
（ｂ）のように５０ｋｅＶの電子ビーム３を幅５μｍの
ストライプ状に照射し、さらにフッ酸の３０倍希釈水溶
液に１分間浸せきした後、水洗いした。
イソプロパノール溶液２をスピンコーティング法により
図１（ａ）のようにＧａＡｓ基板１上に塗布し、２００
℃のホットプレート上で５分間ベーキングを行った。次
に、この基板に電子ビーム露光装置を用いて、図１
（ｂ）のように５０ｋｅＶの電子ビーム３を幅５μｍの
ストライプ状に照射し、さらにフッ酸の３０倍希釈水溶
液に１分間浸せきした後、水洗いした。
【００１９】以上のように処理した基板の表面および断
面の電子顕微鏡観察の結果、図１（ｃ）に示すように幅
５μｍのストライプ状に厚さ１５０ｎｍのチタン酸鉛薄
膜４が形成されていることがわかり、電子ビーム照射に
より基板上に塗布された溶液の結晶化が進行して金属酸
化物薄膜となり、希フッ酸への浸せきにより照射領域以
外の溶液のみが溶解除去されていることが確認された。
面の電子顕微鏡観察の結果、図１（ｃ）に示すように幅
５μｍのストライプ状に厚さ１５０ｎｍのチタン酸鉛薄
膜４が形成されていることがわかり、電子ビーム照射に
より基板上に塗布された溶液の結晶化が進行して金属酸
化物薄膜となり、希フッ酸への浸せきにより照射領域以
外の溶液のみが溶解除去されていることが確認された。
【００２０】次に、本発明の金属酸化物薄膜の形成方法
をＧａＡｓモノリシック集積回路作製におけるキャパシ
タ用誘電体薄膜形成工程に適用した場合の実施例につい
て説明する。
をＧａＡｓモノリシック集積回路作製におけるキャパシ
タ用誘電体薄膜形成工程に適用した場合の実施例につい
て説明する。
【００２１】図２は本発明の金属酸化物薄膜の形成方法
を用いたＧａＡｓ集積回路の作製工程図である。まず、
図２（ａ）において５は半絶縁性ＧａＡｓ基板で、６は
イオン注入領域である。その半絶縁性ＧａＡｓ基板５上
に絶縁膜７を蒸着した後、リフトオフ法によりキャパシ
タ下側電極８を形成する。次に図２（ｂ）に示すように
スピンコーティング法により酢酸鉛とチタンイソプロポ
キシドのイソプロパノール溶液２を塗布し、図２（ｃ）
に示すようにキャパシタ形成領域のみに５０ｋｅＶの電
子ビーム３を照射した後、フッ酸の３０倍希釈水溶液に
浸せきして図２（ｄ）に示すようにキャパシタ用誘電体
となるチタン酸鉛薄膜４を形成し、図２（ｅ）に示すよ
うにリフトオフ法によりキャパシタ上側電極９を形成す
る。その後の工程図２（ｆ）から図２（ｇ）は従来工程
である図４（ｈ），（ｉ）と同様である。ここで１０は
オーミック電極、１１はショットキー電極、１２は配線
金属である。
を用いたＧａＡｓ集積回路の作製工程図である。まず、
図２（ａ）において５は半絶縁性ＧａＡｓ基板で、６は
イオン注入領域である。その半絶縁性ＧａＡｓ基板５上
に絶縁膜７を蒸着した後、リフトオフ法によりキャパシ
タ下側電極８を形成する。次に図２（ｂ）に示すように
スピンコーティング法により酢酸鉛とチタンイソプロポ
キシドのイソプロパノール溶液２を塗布し、図２（ｃ）
に示すようにキャパシタ形成領域のみに５０ｋｅＶの電
子ビーム３を照射した後、フッ酸の３０倍希釈水溶液に
浸せきして図２（ｄ）に示すようにキャパシタ用誘電体
となるチタン酸鉛薄膜４を形成し、図２（ｅ）に示すよ
うにリフトオフ法によりキャパシタ上側電極９を形成す
る。その後の工程図２（ｆ）から図２（ｇ）は従来工程
である図４（ｈ），（ｉ）と同様である。ここで１０は
オーミック電極、１１はショットキー電極、１２は配線
金属である。
【００２２】ゾルゲル法を用いた従来の金属酸化物薄膜
の形成方法を用いて、図４で示したように作製した集積
回路内のＦＥＴ単体の動作特性には、ゾルゲル法を用い
ず通常の蒸着法で誘電体薄膜を形成した場合と比較し
て、ソース・ドレイン間電流の減少，ショットキー耐圧
の低下，リーク電流お増大等の基板表面損傷による特性
劣化が認められた。
の形成方法を用いて、図４で示したように作製した集積
回路内のＦＥＴ単体の動作特性には、ゾルゲル法を用い
ず通常の蒸着法で誘電体薄膜を形成した場合と比較し
て、ソース・ドレイン間電流の減少，ショットキー耐圧
の低下，リーク電流お増大等の基板表面損傷による特性
劣化が認められた。
【００２３】これに対して、本発明の方法を用いて図２
のように作製した場合には、通常法とほぼ同じＦＥＴ動
作特性が得られ、Ａｒイオンビームによる物理的エッチ
ングを回避し基板表面損傷を解消することの有効性が確
認された。
のように作製した場合には、通常法とほぼ同じＦＥＴ動
作特性が得られ、Ａｒイオンビームによる物理的エッチ
ングを回避し基板表面損傷を解消することの有効性が確
認された。
【００２４】なお上記実施例において、得られる金属酸
化物薄膜の特性を向上させるために、フッ酸浸せき後に
ＧａＡｓ基板５をアニールする工程を加えてもかまわな
い。また、電子ビーム以外にイオンビームやレーザ光照
射を用いても同様に金属酸化物薄膜を形成させることが
できる。
化物薄膜の特性を向上させるために、フッ酸浸せき後に
ＧａＡｓ基板５をアニールする工程を加えてもかまわな
い。また、電子ビーム以外にイオンビームやレーザ光照
射を用いても同様に金属酸化物薄膜を形成させることが
できる。
【００２５】さらに、本実施例ではＧａＡｓ基板５を用
いたが、これ以外の半導体や金属，絶縁物など基板は何
であってもかまわない。また、チタン酸鉛等の誘電体以
外に磁性体，圧電体等いかなる金属酸化物に体しても適
用可能であることは言うまでもない。
いたが、これ以外の半導体や金属，絶縁物など基板は何
であってもかまわない。また、チタン酸鉛等の誘電体以
外に磁性体，圧電体等いかなる金属酸化物に体しても適
用可能であることは言うまでもない。
【００２６】またゾルゲル溶液としては金属アルコキシ
ド，金属塩および有機金属化合物のうち少なくとも一つ
を含有する有機溶媒溶液であればよく、またその有機溶
媒溶液に水を加えてもよい。
ド，金属塩および有機金属化合物のうち少なくとも一つ
を含有する有機溶媒溶液であればよく、またその有機溶
媒溶液に水を加えてもよい。
【００２７】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
の金属酸化物薄膜の形成方法は、基板上に塗布されたゾ
ルゲル溶液の結晶化に電子ビーム，イオンビームまたは
レーザ光照射により発生する熱エネルギーを利用するこ
とにより所望の領域のみを結晶化する構成と不要な未照
射領域の除去に物理的エッチングではなく湿式化学エッ
チングを利用できるようにした構成によるので、基板表
面に全く損傷を与えることなく所望の領域のみに金属酸
化物薄膜を形成することが可能な金属酸化物薄膜の形成
方法を提供できる。
の金属酸化物薄膜の形成方法は、基板上に塗布されたゾ
ルゲル溶液の結晶化に電子ビーム，イオンビームまたは
レーザ光照射により発生する熱エネルギーを利用するこ
とにより所望の領域のみを結晶化する構成と不要な未照
射領域の除去に物理的エッチングではなく湿式化学エッ
チングを利用できるようにした構成によるので、基板表
面に全く損傷を与えることなく所望の領域のみに金属酸
化物薄膜を形成することが可能な金属酸化物薄膜の形成
方法を提供できる。
【図１】本発明の一実施例における金属酸化物薄膜の形
成方法を示す工程断面図
成方法を示す工程断面図
【図２】図１の金属酸化物薄膜の形成方法を利用した集
積回路作製の工程断面図
積回路作製の工程断面図
【図３】従来の金属酸化物薄膜の形成方法を示す工程断
面図
面図
【図４】図３の金属酸化物薄膜の形成方法を利用した集
積回路作製の工程断面図
積回路作製の工程断面図
１ 基板 ２ 酢酸鉛とチタンイソプロポキシドのイソプロパノ
ール溶液（金属アルコキシド，金属塩および有機金属化
合物のうち少なくとも一つを含有する有機溶媒溶液） ３ 電子ビーム ４ チタン酸鉛薄膜（金属酸化物薄膜）
ール溶液（金属アルコキシド，金属塩および有機金属化
合物のうち少なくとも一つを含有する有機溶媒溶液） ３ 電子ビーム ４ チタン酸鉛薄膜（金属酸化物薄膜）
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に金属アルコキシド，金属塩およ
び有機金属化合物のうち少なくとも一つを含有する有機
溶媒溶液を塗布する工程と、その塗布された有機溶媒溶
液の膜の所定領域に電子ビーム，イオンビームまたはレ
ーザ光を照射して、照射領域を結晶化させる工程とを少
なくとも有することを特徴とする金属酸化物薄膜の形成
方法。 - 【請求項２】 有機溶媒溶液に水を加えることを特徴と
する請求項１記載の金属酸化物薄膜の形成方法。 - 【請求項３】 照射領域を結晶化させる工程の後に、未
照射領域を溶剤により除去する工程を付加することを特
徴とする請求項１または２記載の金属酸化物薄膜の形成
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045351A JPH05247658A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4045351A JPH05247658A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05247658A true JPH05247658A (ja) | 1993-09-24 |
Family
ID=12716859
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4045351A Pending JPH05247658A (ja) | 1992-03-03 | 1992-03-03 | 金属酸化物薄膜の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05247658A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576302B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-06-10 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
| JP2008528288A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-31 | ザ プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 固体凝縮ガス層のエネルギー誘導局所除去によるパターニングおよびそのような層で生じる固体化学反応 |
| US8221595B2 (en) | 2004-12-09 | 2012-07-17 | President And Fellows Of Harvard College | Lift-off patterning processes employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers |
| JP2013194250A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Ulvac Japan Ltd | 金属酸化物膜の硬質化方法及び硬質化装置 |
| US8557352B2 (en) | 2006-06-20 | 2013-10-15 | Tdk Corporation | Method of making a metal oxide film, laminates and electronic devices |
-
1992
- 1992-03-03 JP JP4045351A patent/JPH05247658A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6576302B1 (en) | 1999-02-25 | 2003-06-10 | Agency Of Industrial Science And Technology | Method for producing a metal oxide and method for forming a minute pattern |
| JP2008528288A (ja) * | 2004-12-09 | 2008-07-31 | ザ プレジデント アンド フェロウズ オブ ハーバード カレッジ | 固体凝縮ガス層のエネルギー誘導局所除去によるパターニングおよびそのような層で生じる固体化学反応 |
| US8221595B2 (en) | 2004-12-09 | 2012-07-17 | President And Fellows Of Harvard College | Lift-off patterning processes employing energetically-stimulated local removal of solid-condensed-gas layers |
| US8273257B2 (en) | 2004-12-09 | 2012-09-25 | President And Fellows Of Harvard College | Nanotube processing employing solid-condensed-gas-layers |
| US8557352B2 (en) | 2006-06-20 | 2013-10-15 | Tdk Corporation | Method of making a metal oxide film, laminates and electronic devices |
| JP2013194250A (ja) * | 2012-03-15 | 2013-09-30 | Ulvac Japan Ltd | 金属酸化物膜の硬質化方法及び硬質化装置 |
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