JP6313253B2 - 熱処理装置、熱処理方法及びコンピュータ記憶媒体 - Google Patents
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Description
Ta=Tc−Tc1−Tc2 ・・・(1)
30 現像処理装置
31 下部反射防止膜形成装置
32 レジスト塗布装置
33 上部反射防止膜形成装置
40 熱処理装置
41 アドヒージョン装置
42 周辺露光装置
150 筐体
152 熱板
155 支持ピン
300 制御部
W ウェハ
Claims (5)
- 処理容器内で基板の熱処理を行う熱処理装置であって、
前記処理容器内に配置された熱板と、
前記基板を支持した状態で、当該基板を前記熱板に対して昇降させる支持ピンと、
前記処理容器内を排気する排気機構と、
前記排気機構による排気流量を計測する流量計測機構と、
前記処理容器内の雰囲気温度を計測する温度計測機構と、
前記基板の温度が目標温度となるように、予め求められた前記基板の前記熱板からの距離と当該基板の温度との相関関係に基づいて、前記支持ピンを昇降させる制御部と、を有し、
さらに前記制御部は、前記流量計測機構の計測値及び前記温度計測機構の計測値に基づいて、前記支持ピンの高さ方向の位置を補正するように構成され、
前記支持ピンの高さ方向の位置の補正は、予め求められた前記排気流量の変化と前記基板の温度変化との相関関係及び予め求められた前記雰囲気温度の変化と前記基板の温度変化との相関関係の双方に基づいて、前記目標温度を補正することにより行われることを特徴とする、熱処理装置。 - 前記処理容器内のガス濃度を計測するガス濃度計測機構をさらに有し、
前記制御部は、前記ガス濃度計測機構の計測値が所定の値を下回ったときに、前記基板を前記熱板に対して近づけるように、前記支持ピンを移動させることを特徴とする、請求項1に記載の熱処理装置。 - 処理容器内に配置された熱板と、基板を支持した状態で、当該基板を前記熱板に対して昇降させる支持ピンと、前記処理容器内を排気する排気機構を備えた熱処理装置を用いた熱処理方法であって、
前記基板の温度が所定の目標温度になるように、予め求められた前記基板の前記熱板からの距離と当該基板の温度との相関関係に基づいて、前記支持ピンを昇降させると共に、排気機構による排気流量及び処理容器内の雰囲気温度に基づいて、前記支持ピンの高さ方向の位置を補正し、
前記支持ピンの高さ方向の位置の補正は、予め求められた前記排気流量の変化と前記基板の温度変化との相関関係及び予め求められた前記雰囲気温度の変化と前記基板の温度変化との相関関係の双方に基づいて、前記目標温度を補正することにより行われることを特徴とする、熱処理方法。 - 前記処理容器内のガス濃度を計測し、当該ガス濃度が所定の値を下回ったときに、前記基板を前記熱板に対して近づけるように、前記支持ピンの高さ方向の位置を調整することを特徴とする、請求項3に記載の熱処理方法。
- 請求項3または4のいずれか一項に記載の熱処理方法を熱処理装置によって実行させるように、当該熱処理装置を制御する制御部のコンピュータ上で動作するプログラムを格納した、読み取り可能なコンピュータ記憶媒体。
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