KR101609097B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은, 처리 불량의 억지 및 처리액 소비량의 삭감을 실현할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)의 표면에 처리액을 공급하는 액 공급부(6)와, 그 액 공급부(6)에 의해 처리액이 공급되고 있는 기판(W)의 표면 온도를 검출하는 온도 검출부(7)와, 그 온도 검출부(7)에 의해 검출된 표면 온도가 정해진 온도에 도달했는지 여부를 판단하는 온도 감시부(9)와, 그 온도 감시부(9)에 의해 표면 온도가 소정 온도에 도달했다고 판단된 경우, 액 공급부(6)에 처리액의 공급을 정지시키는 제어부(11)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATMENT DEVICE AND SUBSTRATE TREATMENT METHOD}
본 발명의 실시형태는, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 반도체나 액정 패널 등의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판의 표면에 처리액(예컨대, 에칭액이나 린스액 등)을 공급하여 기판 표면을 처리하는 장치이다. 이 기판 처리 장치 내에는, 기판을 수평 상태로 회전시키고, 노즐로부터 기판 표면의 거의 중앙에 처리액을 공급하고, 그 처리액을 회전의 원심력에 의해 기판 표면으로 확산시키는 스핀 처리를 행하는 장치가 개발되고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2003-17461호 공보
그러나, 전술한 기판 처리 장치에 있어서, 기판 표면으로부터의 처리액의 배출이 불완전하여, 처리액이 기판 표면에 잔류하면, 기판 표면의 처리 균일성(예컨대, 에칭 처리나 린스 처리 등의 처리 균일성)이 악화되거나, 혹은, 더러움이나 얼룩 등의 스테인이 발생하기 때문에, 처리 불량이 생기게 된다. 또한, 처리액이 지나치게 공급되는 경우가 있어, 처리액의 소비량이 증가해 버린다. 이러한 것으로부터, 처리 불량의 억지 및 처리액 소비량의 삭감이 요구되고 있다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 처리 불량의 억지 및 처리액 소비량의 삭감을 실현할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
실시형태에 따른 기판 처리 장치는, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 액 공급부와, 액 공급부에 의해 처리액이 공급되고 있는 기판의 표면 온도를 검출하는 온도 검출부와, 온도 검출부에 의해 검출된 표면 온도가 정해진 온도에 도달했는지 여부를 판단하는 온도 감시부와, 온도 감시부에 의해 표면 온도가 정해진 온도에 도달했다고 판단된 경우, 액 공급부에 처리액의 공급을 정지시키는 제어부를 구비한다.
실시형태에 따른 기판 처리 방법은, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 공정과, 처리액이 공급되고 있는 기판의 표면 온도를 검출하는 공정과, 검출한 표면 온도가 정해진 온도에 도달했는지 여부를 판단하는 공정과, 표면 온도가 정해진 온도에 도달했다고 판단한 경우, 처리액의 공급을 정지하는 공정을 포함한다.
본 발명에 따르면, 처리 불량의 억지 및 처리액 소비량의 삭감을 실현할 수 있다.
도 1은 실시의 일 형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시한 도면이다.
도 2는 실시의 일 형태에 따른 린스액 공급시의 기판의 표면 온도 분포를 설명하기 위한 설명도이다.
도 3은 실시의 일 형태에 따른 기판 처리의 흐름을 도시한 흐름도이다.
실시의 일 형태에 대해서 도면을 참조하여 설명한다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실시의 일 형태에 따른 기판 처리 장치(1)는, 처리실이 되는 처리 박스(2)와, 그 처리 박스(2) 내에 설치된 컵(3)과, 그 컵(3) 내에서 기판(W)을 수평 상태로 지지하는 지지부(4)와, 그 지지부(4)를 수평면 내에서 회전시키는 회전 기구(5)와, 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면에 처리액을 공급하는 액 공급부(6)와, 처리액 공급시의 기판(W)의 표면 온도를 검출하는 온도 검출부(7)와, 그 온도 검출부(7)를 지지하는 지지 기구(8)와, 처리액 공급시의 기판(W)의 온도를 감시하는 온도 감시부(9)와, 처리 불량을 통지하는 통지부(10)와, 각부를 제어하는 제어부(11)를 구비하고 있다.
컵(3)은, 원통 형상으로 형성되어 있고, 지지부(4)를 주위로부터 둘러싸 내부에 수용한다. 컵(3)의 둘레벽의 상부는 직경 방향의 내측을 향해 경사져 있고, 지지부(4) 상의 기판(W)이 노출되도록 개구되어 있다. 이 컵(3)은, 회전하는 기판(W) 상에서 흘러내린 처리액이나 비산된 처리액을 수취한다. 또한, 컵(3)의 바닥부에는, 수취한 처리액을 배출하는 배출관(도시하지 않음)이 접속되어 있다.
지지부(4)는, 컵(3) 내의 거의 중앙에 위치되고, 수평면 내에서 회전 가능하게 설치되어 있다. 이 지지부(4)는, 핀 등의 지지 부재(4a)를 복수 갖고 있고, 이들 지지 부재(4a)에 의해 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판(W)을 착탈 가능하게 유지한다.
회전 기구(5)는, 지지부(4)에 연결된 회전축이나 그 회전축을 회전시키는 모터(모두 도시하지 않음) 등을 갖고 있다. 이 회전 기구(5)는, 모터의 구동에 의해 회전축을 통해 지지부(4)를 회전시킨다. 회전 기구(5)는 제어부(11)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(11)에 의해 제어된다.
액 공급부(6)는, 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면에 처리액을 각각 공급하는 복수의 노즐(6a, 6b)과, 이들의 노즐(6a, 6b)을 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면을 따라 이동시키는 이동 기구(6c)와, 각 노즐(6a, 6b)에 처리액을 제공하는 액 제공부(6d)를 구비하고 있다.
각 노즐(6a, 6b)은, 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면 상방이며 그 표면의 중심 부근에 위치하도록 설치되어 있다. 제1 노즐(6a)은, 액 제공부(6d)로부터 제공된 에칭액을 회전중인 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면 상방으로부터 그 표면을 향해 토출한다. 또한, 제2 노즐(6b)은, 액 제공부(6d)로부터 제공된 린스액을 회전중인 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면 상방으로부터 그 표면을 향해 토출한다.
또한, 도 1에서는, 노즐 개수는 2개로 되어 있지만, 이 개수는 예시이며, 특별히 한정되는 것은 아니다. 또한, 노즐은 처리액의 종류마다 1개 설치되어 있지만, 이것에 한정되지 않고, 1종류에 2개 등 복수개 설치되어도 좋으며, 이 개수는 특별히 한정되지 않는다.
이동 기구(6c)는, 각 노즐(6a, 6b)을 유지하는 아암(21)과, 그 아암(21)을 수평면 내에서 회전 가능하게 그 일단부를 지지하는 지주(22)에 의해 구성되어 있다. 아암(21)은 지주(22)를 중심으로 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면을 따라 회전하기 때문에, 그 아암(21)이 지지하는 노즐(6a, 6b)도 기판(W)의 표면을 따라 이동하게 된다. 예컨대, 이동 기구(6c)는, 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면 거의 중앙에 대향하는 처리 위치와, 그 처리 위치로부터 후퇴하여 지지부(4) 상의 기판(W)의 반입이나 반출을 가능하게 하는 대기 위치에 각 노즐(6a, 6b)을 이동시킨다. 이 이동 기구(6c)는 제어부(11)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(11)에 의해 제어된다.
액 제공부(6d)는, 액량을 조정하는 조정 밸브가 되는 밸브(31, 32), 또한, 처리액을 저류하는 탱크나 구동원이 되는 펌프(모두 도시하지 않음) 등을 구비하고 있다. 이 액 제공부(6d)는, 각 밸브(31, 32)를 개방 상태로 하고, 펌프의 구동에 의해 각 노즐(6a, 6b)에 처리액(에칭액이나 린스액)을 부여한다. 액 제공부(6d)는 제어부(11)에 전기적으로 접속되어 있고, 그 구동이 제어부(11)에 의해 제어된다. 이 때문에, 각 밸브(31, 32)의 개개의 개구량이 제어부(11)에 의해 제어되게 된다.
또한, 에칭 처리액으로는, 예컨대, 불산이나 질산 등을 포함하는 각종 약액을 이용하는 것이 가능하고, 린스액으로는, 예컨대, 순수나 초순수 등의 각종 액체를 이용하는 것이 가능하다.
온도 검출부(7)는, 기판(W)의 표면 온도를 검출하는 검출부(예컨대, 열 감지기기)로서, 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면 상방에 그 표면 온도를 검출하는 것이 가능해지는 위치에 설치되어 있다. 이 온도 검출부(7)는 온도 감시부(9)에 전기적으로 접속되어 있고, 검출한 기판(W)의 표면 온도를 온도 감시부(9)에 전달한다. 온도 검출부(7)로는, 기판(W)의 표면 온도 분포를 검출하는 서모그래피를 이용하는 것이 가능하고, 또한, 서모그래피 대신에 복수의 비접촉식 온도계(예컨대, 비접촉 방사 온도계)나 접촉식 온도계 등을 이용하는 것도 가능하다. 또한, 기판(W)의 표면 온도 분포를 검출할 필요가 없는 경우도 있고, 온도 검출부(7)로서 비접촉식 온도계 또는 접촉식 온도계를 하나만 이용하는 것도 가능하다(상세하게는 후술함).
이 온도 검출부(7)는, 예컨대, 도 2에 도시된 바와 같은 기판(W)의 표면 온도 분포를 검출한다. 이 온도 분포는, 상온(예컨대, 20℃)의 린스액이 기판(W)의 표면 상에 공급된 직후의 온도 분포이다. 그 후, 린스액의 공급이 계속되면, 기판(W)의 표면 온도 분포는 서서히 린스액의 온도(상온)에서 균일하게 되어 간다. 이 때, 린스액이 노즐(6b)로부터 공급되는 기판(W)의 표면 상의 공급 위치(공급점)(A1)는, 기판(W)의 거의 중앙(중앙 부근)이다. 기판(W)의 공급 위치(A1)의 주변의 표면 온도는 20℃ 정도가 되며, 기판(W)의 최외주부(최외연부)의 일부의 온도는 105℃로 되어 있다. 이 105℃의 온도를 갖는 지점은, 이전 공정의 에칭 처리에 의해 잔류한 에칭액의 반응열에 의해 온도가 높아지고 있는 지점, 즉 린스액에 의한 린스 처리, 예컨대 린스액의 공급이 불충분하여, 에칭 처리가 진행되고 있는 지점이다.
도 1로 되돌아가, 지지 기구(8)는, 온도 검출부(7)를 유지하는 아암(8a)과, 그 아암(8a)을 지지하는 지주(8b)에 의해 구성되어 있다. 아암(8a) 및 지주(8b)는, 각 노즐(6a, 6b)로부터의 처리액의 공급을 방해하지 않는 위치에 설치되고, 온도 검출부(7)를 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면 온도를 검출하는 것이 가능해지도록 유지하고 있다. 또한, 기판(W)의 반입이나 반출에 아암(8a)이 방해가 되는 경우에는, 아암(8a)을 선회시키는 선회 기구를 설치하고, 기판(W)의 반입이나 반출시에 선회 기구에 의해 아암(8a)을 방해가 되지 않는 위치로 이동시키도록 하여도 좋다.
온도 감시부(9)는, 에칭 처리나 린스 처리 등의 기판 처리시에 온도 검출부(7)에 의해 검출된 기판(W)의 표면 온도를 감시하고, 필요에 따라 제어부(11)에 감시 결과를 전달한다. 예컨대, 에칭 처리 또는 린스 처리시에는, 기판(W)의 표면 온도가 정해진 에칭 설정 온도 또는 린스 설정 온도에 도달했는지 여부를 판단하고, 그 판단 결과를 제어부(11)에 전달한다. 에칭 처리시의 판단에는, 기판(W)의 표면 온도로서, 표면 온도 분포 중 가장 낮은 온도를 이용하고, 그 가장 낮은 온도가 정해진 에칭 설정 온도(예컨대, 100℃)에 도달했는지 여부를 판단한다. 한편, 린스 처리시의 판단에는, 기판(W)의 표면 온도로서, 표면 온도 분포 중 가장 높은 온도를 이용하고, 그 가장 높은 온도가 정해진 린스 설정 온도(예컨대, 20℃)에 도달했는지 여부를 판단한다.
또한, 전술한 판단에 이용하는 온도로는, 기판(W)의 표면 온도 분포 중 가장 낮은 온도나 가장 높은 온도를 이용하는 것 이외에도, 기판(W)의 표면 온도 분포의 평균치를 취하여, 그 평균치를 이용하여도 좋다. 또한, 기판(W)의 표면에 있어서, 에칭 처리나 린스 처리 등의 기판 처리가 불충분해지는 지점(예컨대, 기판(W)의 최외주부의 일부)이 실험이나 경험 등에 의해 판명되고 있는 경우에는, 그 지점의 표면 온도를 검출하도록 온도 검출부(7)로서 비접촉식 온도계 또는 접촉식 온도계를 설치하고, 검출한 표면 온도를 전술한 판단에 이용하도록 하여도 좋다. 또한, 기판 처리가 불충분해지는 지점이 복수 존재하는 경우에는, 이들 지점의 표면 온도를 검출하도록 비접촉식 온도계 또는 접촉식 온도계를 복수 설치하고, 검출한 복수의 표면 온도 중 가장 높은 온도나 가장 낮은 온도를 이용하거나, 혹은, 이들 표면 온도의 평균치를 이용하거나 하여도 좋다.
통지부(10)는, 에칭 처리나 린스 처리가 불량인 경우, 그 처리 불량의 발생을 사용자에게 통지한다. 이 통지부(10)로는, 예컨대, 램프나 버저 등의 경보기, 문자를 표시하는 표시부 및 음성을 출력하는 음성 출력부 등을 이용하는 것이 가능하다.
제어부(11)는, 각부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부(모두 도시하지 않음)를 구비하고 있다. 이 제어부(11)는, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여 회전 기구(5)나 액 공급부(6) 등을 제어하고, 회전중인 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면에 대하여, 액 제공부(6d)로부터 제공되는 처리액(에칭액 또는 린스액)을 각 노즐(6a, 6b) 중 어느 한쪽으로부터 공급하는 제어를 행한다.
다음에, 전술한 기판 처리 장치(1)가 행하는 기판 처리의 흐름에 대해서 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3에 도시된 바와 같이, 에칭 처리에 있어서, 노즐(6a)로부터 회전중인 지지부(4) 상의 기판(W)의 표면으로의 에칭액의 공급이 개시(開始)되고(단계 S1), 기판(W)의 표면의 온도 감시가 온도 감시부(9)에 의해 개시된다(단계 S2). 또한, 기판(W)의 표면 온도는 온도 검출부(7)에 의해 항상 검출되고 있지만, 단계 S2의 온도 감시의 개시로부터 검출 온도가 감시되게 된다.
단계 S1에 있어서, 에칭액의 공급이 개시되면, 노즐(6a)로부터 기판 중심 부근으로 공급된 에칭액은 원심력에 의해 기판 주연부로 흘러간다. 이에 따라, 에칭 처리 중, 기판(W)의 표면은 에칭액에 의해 덮이게 된다. 이 때의 기판(W)의 표면 온도가 온도 검출부(7)에 의해 검출되고, 온도 감시부(9)에 입력된다.
단계 S2 이후, 에칭액 공급 개시로부터의 경과 시간이 정해진 에칭 설정 시간(예컨대, 수분) 내인지 여부가 제어부(11)에 의해 판단되고(단계 S3), 경과 시간이 정해진 에칭 설정 시간 내라고 판단되면(단계 S3의 YES), 검출 온도가 정해진 에칭 설정 온도(예컨대, 100℃) 이상인지 여부가 온도 감시부(9)에 의해 판단된다(단계 S4). 또한, 에칭 설정 시간이 에칭 처리시의 처리 설정 시간이며, 미리 사용자에 의해 설정되어 있다.
단계 S4에 있어서, 검출 온도가 정해진 에칭 설정 온도 이상이 아니라고 판단되면(단계 S4의 NO), 에칭 처리가 계속되고, 처리 플로우가 단계 S3으로 되돌아간다. 이 단계 S3에 있어서, 경과 시간이 정해진 에칭 설정 시간 내가 아닌, 즉, 에칭 처리가 종료되었다고 판단된 경우에는(단계 S3의 NO), 스핀 건조 등의 기판 건조 후에 기판(W)의 회전이 제어부(11)에 의해 정지되고, 정해진 에칭 설정 시간 내에 검출 온도가 정해진 에칭 설정 온도 이상이 되지 않았기 때문에(즉, 에칭액이 기판(W)의 표면 전체에 충분히 확산되지 않았기 때문에), 에칭 처리 불량이 발생했다는 취지의 경고가 통지부(10)에 의해 통지된다(단계 S5).
여기서, 단계 S4에서는, 온도 감시부(9)에 의해 감시되고 있는 검출 온도로서, 표면 온도 분포 중 가장 낮은 온도가 이용되고, 그 가장 낮은 온도가 정해진 에칭 설정 온도 이상인지 여부가 판단된다. 이 판단에 의해, 에칭 처리의 완료 타이밍을 파악하는 것이 가능해진다. 즉, 가장 낮은 온도가 정해진 에칭 설정 온도 이상이 된다는 것은, 기판(W)의 표면 전체에 에칭액이 충분히 확산되고, 그 기판(W)의 표면 전체에서 충분한 반응(반응열)이 생겨 표면 전체가 균일하게 처리되고, 기판(W)의 표면 전체에서 에칭 처리가 완료된 것을 나타낸다.
단계 S4에 있어서, 검출 온도가 정해진 에칭 설정 온도 이상이라고 판단된 경우에는(단계 S4의 YES), 에칭 처리로부터 린스 처리로의 전환이 행해지고, 즉, 에칭액의 공급이 제어부(11)에 의해 정지되고 린스액의 공급이 개시된다(단계 S6).
단계 S6에 있어서, 린스액의 공급이 개시되면, 노즐(6b)로부터 기판 중심 부근으로 공급된 린스액은 원심력에 의해 기판 주연부로 흘러간다. 이에 따라, 린스 처리 중, 기판(W)의 표면은 린스액에 의해 덮이게 된다. 이 때의 기판(W)의 표면 온도가 온도 검출부(7)에 의해 검출되고, 온도 감시부(9)에 입력된다.
단계 S6 이후, 린스액 공급 개시로부터의 경과 시간이 정해진 린스 설정 시간(예컨대, 30초) 내인지 여부가 제어부(11)에 의해 판단되고(단계 S7), 경과 시간이 정해진 린스 설정 시간 내라고 판단되면(단계 S7의 YES), 검출 온도가 정해진 린스 설정 온도(예컨대, 20℃) 이하인지 여부가 온도 감시부(9)에 의해 판단된다(단계 S8). 또한, 린스 설정 시간이 린스 처리시의 처리 설정 시간이며, 미리 사용자에 의해 설정되어 있다.
단계 S8에 있어서, 검출 온도가 정해진 린스 설정 온도 이하가 아니라고 판단되면(단계 S8의 NO), 린스 처리가 계속되고, 처리 플로우가 단계 S7로 되돌아간다. 이 단계 S7에 있어서, 경과 시간이 정해진 린스 설정 시간 내가 아닌, 즉, 린스 처리가 종료되었다고 판단된 경우에는(단계 S7의 NO), 스핀 건조 등의 기판 건조 후에 기판(W)의 회전이 제어부(11)에 의해 정지되고, 정해진 린스 설정 시간 내에 검출 온도가 정해진 린스 설정 온도 이하가 되지 않았기 때문(즉, 린스액이 기판(W)의 표면 전체에 충분히 확산되지 않았기 때문에), 린스 처리 불량이 발생했다는 취지의 경고가 통지부(10)에 의해 통지된다(단계 S5).
여기서, 단계 S8에서는, 온도 감시부(9)에 의해 감시되고 있는 검출 온도로서, 표면 온도 분포 중 가장 높은 온도가 이용되고, 그 가장 높은 온도가 정해진 린스 설정 온도 이하인지 여부가 판단된다. 이 판단에 의해, 린스 처리의 완료 타이밍을 파악하는 것이 가능해진다. 즉, 가장 높은 온도가 정해진 린스 설정 온도 이하가 된다는 것은, 기판(W)의 표면 전체에 린스액이 충분히 확산되어 표면 전체가 균일하게 처리되고, 그 기판(W)의 표면 전체에서 린스 처리가 완료된 것을 나타낸다.
단계 S8에 있어서, 검출 온도가 정해진 린스 설정 온도 이하라고 판단된 경우에는(단계 S8의 YES), 린스 처리의 종료, 즉, 린스액의 공급이 제어부(11)에 의해 정지되고(단계 S9), 또한, 온도 감시부(9)에 의한 온도 감시가 정지되며(단계 S10), 스핀 건조 등의 기판 건조 후에 기판(W)의 회전이 제어부(11)에 의해 정지된다(단계 S11).
이러한 기판 처리에 따르면, 에칭 처리시, 기판(W)의 표면에 대한 에칭액의 공급이 기판(W)의 표면 온도에 따라 정지된다. 또한, 린스 처리시에도, 기판(W)의 표면에 대한 린스액의 공급이 기판(W)의 표면 온도에 따라 정지된다. 이 때문에, 에칭 처리 및 린스 처리의 처리 종료 타이밍이 최적이 되고, 처리에 필요로 되는 적량의 처리액이 기판(W)의 표면 상에 공급되게 된다.
상세히 설명하면, 에칭 처리에서는, 적량의 에칭액이 기판(W)의 표면 전체에 확산되고, 기판(W)의 표면 전체에서 충분한 반응(반응열)이 생겨, 그 기판(W)의 표면 전체가 균일하게 처리되게 된다. 이 때문에, 에칭액의 부족이나 잔류 등에 의한 기판(W)의 에칭 처리 균일성의 악화, 또한, 더러움이나 얼룩 등의 스테인의 발생을 억지할 수 있다. 덧붙여, 적량의 에칭액이 공급되기 때문에, 에칭액의 소비량을 삭감할 수 있다.
또한, 린스 처리에서는, 적량의 린스액이 기판(W)의 표면 전체에 확산되어, 기판(W)의 표면 전체가 균일하게 처리되게 된다. 이 때문에, 린스액의 부족이나 전 공정의 에칭액의 잔류에 의한 기판(W)의 린스 처리 균일성의 악화, 또한, 더러움이나 얼룩 등의 스테인의 발생을 억지할 수 있다. 덧붙여, 적량의 린스액이 공급되기 때문에, 린스액의 소비량을 삭감할 수 있다.
또한, 전술한 바와 같은 에칭 처리나 린스 처리에 있어서, 처리 불량이 발생하면, 그 처리 불량의 발생이 사용자에게 통지되기 때문에, 사용자는 처리 불량의 발생을 파악하는 것이 가능해진다. 이에 따라, 사용자는 처리 불량을 판정하기 위해서 제품을 검사할 필요가 없어지기 때문에, 사용자의 편리성을 향상시킬 수 있고, 또한, 검사 시간의 삭감이나 검사 정밀도의 향상을 달성할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 실시의 일 형태에 따르면, 노즐(6a 또는 6b)에 의해 처리액(예컨대, 에칭액 또는 린스액)이 공급되고 있는 기판(W)의 표면 온도를 검출하고, 그 검출한 표면 온도가 정해진 온도에 도달한 경우, 노즐(6a 또는 6b)의 처리액 공급을 정지함으로써, 처리 완료 타이밍이 적절해지고, 처리에 필요로 되는 적량의 처리액이 기판(W)의 표면 상에 공급되게 된다. 이 때문에, 처리액의 부족이나 잔류 등에 의해 기판(W)의 표면의 처리 균일성이 악화되는 것, 혹은, 더러움이나 얼룩 등의 스테인이 발생하는 것을 억지하는 것이 가능해진다. 또한, 지나친 처리액의 공급이 행해지지 않기 때문에, 처리액의 소비량의 증가를 억지하는 것이 가능해진다. 이와 같이 하여, 처리 불량의 억지 및 처리액 소비량의 삭감을 실현할 수 있다.
(다른 실시형태)
전술한 실시형태에 있어서는, 기판(W)을 매엽 처리에 의해 처리하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 배치(batch) 처리에 의해 처리하도록 하여도 좋다. 이 배치 처리를 행하는 경우, 각종 온도 검출부(7)를 이용하는 것이 가능하지만, 기판(W)이 겹치도록 가까운 거리로 늘어서는 경우에는, 온도 검출부(7)로서 접촉식 온도계를 이용하고, 그 접촉식 온도계를 기판(W)마다 그 표면에 직접 설치하도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 배치 처리시에는, 기판(W)이 잠기는 처리액을 저류하는 저류조(저류부)가, 기판(W)의 표면에 처리액을 공급하는 액 공급부로서 기능한다. 또한, 기판(W)의 표면으로의 처리액 공급을 정지하는 경우에는, 기판 취출(取出) 기구를 제어하여 저류조로부터 기판(W)을 꺼내거나, 혹은, 배출 밸브를 제어하여 저류조 내의 처리액을 배출하거나 한다.
또한, 전술한 실시형태에 있어서는, 처리 중에 각 노즐(6a, 6b)을 이동 기구(6c)에 의해 이동시키고 있지 않지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 처리 중에 기판(W)의 표면 온도에 따라 각 노즐(6a, 6b)을 이동 기구(6c)에 의해 이동시키도록 하여도 좋다. 일례로서, 에칭 처리시에는, 기판(W)의 표면 온도가 다른 지점에 비하여 가장 낮은 지점에 대향하도록 노즐(6a)을 이동시키거나, 또한, 린스 처리시에는, 기판(W)의 표면 온도가 다른 지점에 비하여 가장 높은 지점에 대향하도록 노즐(6b)을 이동시키거나 한다. 이러한 경우에는, 에칭 처리나 린스 처리의 처리 시간을 단축시키는 것이 가능해지기 때문에, 처리 불량의 억지를 실현하면서, 처리액의 소비량을 더욱 삭감할 수 있다.
또한, 전술한 실시형태에 있어서는, 검출 온도가 정해진 설정 시간 내에 정해진 설정 온도에 도달하지 않는 경우에, 에칭 처리 또는 린스 처리를 정지하고 경고의 통지를 행하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예컨대, 경고의 통지를 행하지 않고, 검출 온도가 설정 온도에 도달할 때까지 처리를 계속하도록 하여도 좋다.
이상, 본 발명의 몇 가지 실시형태를 설명하였으나, 이들 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하지 않는다. 이들 신규의 실시형태는, 그 밖의 여러 가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러 가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되며, 특허청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.
1 : 기판 처리 장치
6 : 액 공급부
6a : 노즐
6b : 노즐
6d : 액 제공부
6c : 이동 기구
7 : 온도 검출부
9 : 온도 감시부
10 : 통지부
11 : 제어부
W : 기판

Claims (8)

  1. 기판의 표면에 처리액을 공급하는 액 공급부와,
    상기 액 공급부에 의해 상기 처리액이 공급되고 있는 상기 기판의 표면 온도를 검출하는 온도 검출부와,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 상기 표면 온도가 정해진 온도에 도달했는지 여부를 판단하는 온도 감시부와,
    상기 온도 감시부에 의해 상기 표면 온도가 상기 정해진 온도에 도달했다고 판단된 경우, 상기 액 공급부에 상기 처리액의 공급을 정지시키는 제어부
    를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 액 공급부는, 상기 처리액으로서 에칭액 및 린스액을 각각 공급하고,
    상기 온도 검출부는, 상기 액 공급부에 의해 상기 에칭액이 공급되고 있는 상기 기판의 표면 온도를 검출하고,
    상기 제어부는, 상기 온도 감시부에 의해 상기 표면 온도가 상기 정해진 온도에 도달했다고 판단된 경우, 상기 액 공급부에 상기 에칭액의 공급을 정지시키고, 다음에 상기 린스액의 공급을 개시시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 액 공급부는, 상기 기판의 표면에 상기 처리액을 공급하는 노즐을 갖고,
    상기 온도 검출부는, 상기 기판의 표면 온도 분포를 검출하며,
    상기 온도 검출부에 의해 검출된 상기 표면 온도 분포에 따라, 상기 기판에 대한 상기 처리액의 공급 위치를 바꾸도록 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구
    를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 온도 감시부에 의해 상기 표면 온도가 상기 정해진 온도에 도달하지 않는다고 판단된 경우로서, 상기 처리액의 공급 개시로부터 정해진 처리 설정 시간이 경과한 경우, 처리 불량의 발생을 통지하는 통지부를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 기판의 표면에 처리액을 공급하는 공정과,
    상기 처리액이 공급되고 있는 상기 기판의 표면 온도를 검출하는 공정과,
    검출한 상기 표면 온도가 정해진 온도에 도달했는지 여부를 판단하는 공정과,
    상기 표면 온도가 상기 정해진 온도에 도달했다고 판단한 경우, 상기 처리액의 공급을 정지하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 처리액을 공급하는 공정에서는, 상기 처리액으로서 에칭액을 공급하고,
    상기 에칭액의 공급을 정지한 경우, 상기 기판의 표면에 린스액을 공급하는 공정과,
    상기 린스액이 공급되고 있는 상기 기판의 표면 온도를 검출하는 공정과,
    검출한 상기 린스액이 공급되고 있는 상기 기판의 표면 온도가 정해진 온도에 도달했는지 여부를 판단하는 공정과,
    상기 표면 온도가 상기 정해진 온도에 도달했다고 판단한 경우, 상기 린스액의 공급을 정지하는 공정
    을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 기판의 표면 온도를 검출하는 공정에서는, 상기 기판의 표면 온도 분포를 검출하고,
    검출한 상기 기판의 표면 온도 분포에 따라, 상기 기판에 대한 상기 처리액의 공급 위치를 바꾸는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  8. 제5항에 있어서,
    상기 표면 온도가 상기 정해진 온도에 도달하지 않는다고 판단한 경우로서, 상기 처리액의 공급 개시로부터 정해진 처리 설정 시간이 경과한 경우, 처리 불량의 발생을 통지하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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