KR101380494B1 - 기판의 처리 장치 및 처리 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은, 반도체 웨이퍼의 면에 에칭액에 의한 에칭 가공을 확실하게 행할 수 있는 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 처리 장치는, 반도체 웨이퍼(W)의 판면에 에칭액(E)을 공급하는 제1 노즐체(25)와, 에칭액에 의해 에칭되는 반도체 웨이퍼의 두께를 검출하는 두께 검출 센서(29)와, 두께 검출 센서에 의해 검출되는 반도체 웨이퍼의 두께에 이상이 있을 때에 에칭액에 의한 에칭을 중단시키는 제어 장치와, 에칭액에 의한 에칭이 중단되었을 때에 반도체 웨이퍼의 판면을 조면으로 가공하는 연마체(27)를 구비한다.

Description

기판의 처리 장치 및 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND PROCESSING METHOD}
본 발명은 반도체 웨이퍼 등의 기판의 판면을 에칭액을 이용하여 에칭하는 기판의 처리 장치 및 처리 방법에 관한 것이다.
예컨대, 반도체 장치의 제조 공정에 있어서는, 반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 산화막, 질화막 혹은 알루미늄막 등을 에칭액을 이용하여 제거하는 에칭 공정이 알려져 있다.
반도체 웨이퍼의 표면에 형성된 막을 에칭액에 의해 제거하는 경우, 그 막 두께가 설정된 두께가 되도록, 종래에는 에칭 가공을 미리 설정된 시간만큼 행하도록 하거나, 상기 반도체 웨이퍼의 두께를 막 두께 센서로 검출하면서 행함으로써, 상기 반도체 웨이퍼를 원하는 두께로 에칭 가공하도록 하고 있었다.
또한, 후 공정에 있어서의 처리에 따라서는, 외주부에 리브 형상을 형성하는 등, 바닥이 있는 통 형상의 반도체 웨이퍼를 제조할 필요가 발생하고 있다. 외주부에 리브 형상을 형성하기 위해서는 반도체 웨이퍼의 중심측을 그라인더 등으로 연삭 가공하여 외주부 이외를 제거하고 있다. 또한, 연삭 가공 후에는 응력 제거를 위해 웨트 에칭을 행하고 있다.
[특허문헌 1] 일본 특허 공개 제2002-319562호 공보
그러나, 상기 반도체 웨이퍼에 형성된 막의 표면에, 통상 사용되는 에칭액으로는 에칭되지 않는 유기물이 부착되어 있는 경우가 있고, 그러한 경우에는 유기물의 막이 마스크가 되어 에칭이 진행되지 않는다고 하는 경우가 있다.
또한, 상기 반도체 웨이퍼는 에칭 공정으로 반송(搬送)되기 전 공정에서, 예컨대 CMP(Chemical Mechanical Polishing)에 의해 경면 가공되는 경우가 있다. 경면 가공된 반도체 웨이퍼의 면, 즉 경면은 에칭액이 작용하기 어려운 상태로 되어 있다. 그 때문에, 그러한 경우에도 에칭액에 의한 에칭이 진행되지 않는다고 하는 경우가 있다.
그리고, 전술한 이유 등에 의해 반도체 웨이퍼의 에칭이 진행되지 않으면, 상기 반도체 웨이퍼를 원하는 두께로 에칭 가공할 수 없게 된다.
또한, 연삭 가공에 의해 중심측을 연삭하는 경우, 반도체 웨이퍼의 이면에 점착 테이프를 접착시켜야 하기 때문에, 연삭 가공 전후에 점착 테이프를 붙이고, 떼는 공정이 필요하게 된다. 또한, 전술한 응력 제거 공정이나 세정 공정이 추가 공정으로서 필요해지고, 공정이 복잡해짐으로써, 생산성 저하 등의 문제가 있다. 또한, 연삭 가공은 가공 효율은 좋지만, 반도체 웨이퍼에 크랙이 생기는 경우가 있기 때문에, 가공 속도를 일정 이상으로 할 수 없다고 하는 문제도 있다.
본 발명은, 기판의 판면에 유기물의 막이 형성되어 있거나, 상기 판면이 경면 등으로 되어 있어도, 상기 기판을 에칭액에 의해 원하는 두께로 확실하게 에칭할 수 있도록 한 기판의 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 데에 있다.
또한, 본 발명은, 외주 리브 형상을 갖는 반도체 웨이퍼를 제조할 때, 연삭 공정을 이용하지 않는 것에 의해, 처리 공정을 줄여 공정을 단순화함으로써, 생산성 향상을 도모할 수 있는 기판의 처리 장치 및 처리 방법을 제공하는 데에 있다.
본 발명은, 기판의 판면을 에칭액에 의해 에칭하는 기판의 처리 장치로서,
상기 기판의 판면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급 수단과,
상기 에칭액에 의해 에칭되는 상기 기판의 두께를 검출하는 두께 검출 수단과,
이 두께 검출 수단에 의해 검출되는 상기 기판의 두께에 이상이 있을 때에 상기 에칭액에 의한 에칭을 중단시키는 제어 수단과,
상기 에칭액에 의한 에칭이 중단되었을 때에 상기 기판의 판면을 조면(粗面)으로 가공하는 가공 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치에 있다.
본 발명은, 기판의 판면을 에칭액에 의해 에칭하는 기판의 처리 방법으로서,
상기 기판의 판면에 에칭액을 공급하는 공정과,
상기 에칭에 의한 상기 기판의 두께의 변화에 이상이 있을 때에 상기 에칭액에 의한 에칭을 중단하는 공정과,
상기 에칭이 중단되었을 때에 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하고 나서 에칭을 재개하는 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법에 있다.
본 발명에 따르면, 에칭시의 기판의 두께가 변화하고 있는지 여부를 판단함으로써, 기판이 에칭되어 있는지 여부를 판정하고, 에칭이 행해지지 않은 경우에는 에칭을 중단하며, 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하고 나서 에칭을 재개하도록 하였다.
그 때문에, 상기 기판의 판면이 조면으로 가공됨으로써, 기판의 에칭의 진행을 저해하는 원인인, 예컨대 기판의 판면에 형성된 유기물의 막을 제거하거나, 에칭액이 작용하기 어려운 경면의 상태로부터 작용하기 쉬운 조면으로 할 수 있기 때문에, 상기 기판을 확실하게 원하는 두께로 에칭하는 것이 가능해진다.
도 1은 본 발명의 제1 실시형태를 나타낸 스핀 처리 장치의 개략도.
도 2는 도 1에 도시된 스핀 처리 장치의 평면도.
도 3은 에칭액, 세정액 및 가압 계통의 배관 계통도.
도 4는 도 3에 도시된 배관 계통도에 마련된 제1 내지 제3 개폐 밸브를 제어하는 제어 장치의 구성도.
도 5는 에칭시의 반도체 웨이퍼의 두께의 변화와 시간의 관계를 나타낸 그래프.
도 6a는 에칭되는 면이 경면이 된 반도체 웨이퍼의 일부를 나타낸 확대도.
도 6b는 에칭되는 면이 경면에서 조면으로 가공된 반도체 웨이퍼의 일부를 나타낸 확대도.
도 7a는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 스핀 처리 장치를 이용하여 처리중인 반도체 웨이퍼를 모식적으로 나타낸 종단면도.
도 7b는 도 7a의 반도체 웨이퍼를 모식적으로 나타낸 종단면도.
도 7c는 도 7a의 반도체 웨이퍼를 모식적으로 나타낸 종단면도.
도 8은 도 7a의 스핀 처리 장치의 변형례를 모식적으로 나타낸 종단면도.
이하, 본 발명의 제1 실시형태를 도면을 참조하면서 설명한다.
도 1과 도 2는 처리 장치로서의 스핀 처리 장치를 나타내고, 이 스핀 처리 장치는 컵체(1)를 구비하고 있다. 이 컵체(1)의 내부에는 회전 테이블(2)이 마련되어 있다. 이 회전 테이블(2)은 테이블용 구동원(3)에 의해 회전 구동되도록 되어 있고, 그 상면에는 기판으로서의 반도체 웨이퍼(W)가 복수의 유지핀(2a)에 의해 수평인 상태로 착탈 가능하게 유지되도록 되어 있다. 즉, 상기 반도체 웨이퍼(W)는 상기 회전 테이블(2)에, 이 회전 테이블(2)과 일체적으로 회전하도록 유지되어 있다.
도 1에 도시된 바와 같이, 상기 컵체(1)의 내부에는, 이 내부를 내측 공간부(5)와 외측 공간부(6)로 간격을 두고 나누는 통 형상의 칸막이체(4)가 마련되며, 이 칸막이체(4)는 복수의 상하 구동원(7)에 의해 상하 방향으로 구동되도록 되어 있다.
상기 칸막이체(4)가 상승 위치에 있을 때, 후술하는 바와 같이 상기 회전 테이블(2)과 함께 회전하는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 공급되어 원심력에 의해 주위로 비산되는 에칭액(E)은 상기 칸막이체(4)의 내주면에 충돌하여 상기 내측 공간부(5)에 적하하도록 되어 있다.
상기 칸막이체(4)가 도 1에 도시된 바와 같이 하강 위치에 있을 때, 이 칸막이체(4)의 상단부에 형성된 경사벽(4a)의 상단이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면보다도 약간 낮은 위치에 위치 결정된다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이 회전하는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 공급되어 원심력에 의해 주위로 비산되는 세정액(L)은 상기 외측 공간부(6)에 적하하도록 되어 있다.
상기 컵체(1)의 바닥부의 상기 내측 공간부(5)에 대응하는 부위에는 제1 폐액관(8)이 접속되고, 상기 외측 공간부(6)에 대응하는 부위에는 제2 폐액관(9)이 접속되어 있다. 상기 제1 폐액관(8)에 흐른 상기 에칭액(E)은 처리 재생 유닛(11)으로 유도되어 정화되고, 후술하는 바와 같이 재사용되도록 되어 있다. 상기 제2 폐액관(9)으로 유도된 세정액(L)은 정화 처리되어 폐기되도록 되어 있다.
도 1과 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 컵체(1)의 외부에는 제1 회전 구동원(13), 제2 회전 구동원(14) 및 제3 회전 구동원(15)이 배치되어 있다. 각 구동원(13, 14, 15)에는, 각 구동원(13, 14, 15)에 의해 각각 회전 구동되는 제1 축체(16), 제2 축체(17) 및 제3 축체(18)가 수직으로 설치되어 있다.
상기 제1 축체(16)의 상단에는 제1 아암(21)의 기단이 연결되어 수평으로 유지되고, 제2 축체(17)의 상단에는 제2 아암(22)의 기단이 연결되어 수평으로 유지되어 있다. 제3 축체(18)의 상단에는 제3 아암(23)의 기단이 연결되어 수평으로 유지되어 있다.
상기 제1 아암(21)의 선단부에는 에칭액용 제1 노즐체(25)와, 세정액으로서의 순수용 제2 노즐체(26)가 마련되어 있다. 그리고, 상기 제1 아암(21)이 상기 제1 회전 구동원(13)에 의해 소정의 각도의 범위에서 회전 구동되면, 상기 제1 노즐체(25)와 제2 노즐체(26)가 상기 회전 테이블(2)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)의 위쪽에서 직경 방향을 따라 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 요동하도록 되어 있다.
상기 제2 아암(22)의 선단부에는, 상기 회전 테이블(2)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)의 상면을 조면으로 가공하는 가공 수단으로서의 반상(盤狀)의 연마체(27)가 실린더(28)에 의해 상하 방향으로 구동 가능하게 설치되어 있다.
상기 연마체(27)는, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 판면에 접촉하는 면에, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 판면을 경면 가공할 때에 이용되는 직물보다도 결이 거칠고, 뻣뻣한 직물이 마련되어 있다. 그리고, 상기 제2 아암(22)이 상기 제2 회전 구동원(14)에 의해 소정의 각도의 범위에서 회전 구동되면, 상기 연마체(27)가 상기 회전 테이블(2)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)의 위쪽에서 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 요동하도록 되어 있다.
따라서, 상기 연마체(27)를 요동시키면서, 상기 실린더(28)에 의해 하강 방향으로 압박하면, 상기 연마체(27)에 의해 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 경면 가공되지 않고, 경면보다도 거친 조면으로 가공되도록 되어 있다.
또한, 상기 연마체(27)로서는 결이 거칠고, 뻣뻣한 직물을 이용한 것에 한정되지 않고, 직물에 비교적 입경이 큰 지립을 부착시킨 것 등이어도 좋으며, 요컨대 반도체 웨이퍼(W)의 판면을 조면으로 거칠게 할 수 있는 것이면 좋다.
상기 제3 아암(23)의 선단부에는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께를 검출하는, 두께 검출 수단인 두께 검출 센서(29)가 설치되어 있다. 이 두께 검출 수단은, 예컨대 레이저 변위 센서이다. 이 두께 검출 센서(29)는, 상기 제3 아암(23)을 상기 제3 회전 구동원(15)에 의해 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 요동시켜 스캔함으로써, 상기 회전 테이블(2)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)의 두께를 검출한다. 즉, 후술하는 바와 같이 에칭액(E)에 의해 에칭된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께나 상기 연마체(27)에 의해 조면으로 가공되는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께를 검출할 수 있도록 하고 있다.
도 4에 도시된 바와 같이, 상기 두께 검출 센서(29)의 검출 신호는 제어 장치(31)에 출력된다. 제어 장치(31)에는 설정부(32)가 접속되고, 이 설정부(32)에 의해 상기 제어 장치(31)에 내장된 기억부(33)에는 도 5에 도시된 바와 같이, 정상 상태에 있어서의 에칭액에 의한 상기 반도체 웨이퍼(W)의 에칭 시간과 두께의 관계를 나타내는 직선형의 패턴(P)이 설정된다. 이 패턴(P)은, 에칭 시간에 대한 에칭량을 나타내는 설정값이 된다.
또한, 패턴(P)의 경사 각도는, 에칭액(E)의 농도나 종류 등의 성능에 따라 상이하다.
에칭액(E)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 에칭이 시작되면, 상기 두께 검출 센서(29)에 의해 검출되는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께(b)의 변화가 비교부(34)에 출력된다. 이 비교부(34)에서는 에칭이 소정 시간 경과할 때마다, 그 시간에 있어서의 상기 두께 검출 센서(2)에 의해 검출되는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께(b)가 상기 기억부(33)에 설정된 상기 패턴(P)과 비교된다.
그리고, 상기 두께 검출 센서(29)에 의해 검출되는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께(b)의 변화가 상기 패턴(P)에 대하여 소정 범위 이상 어긋난 경우, 도 5에 도시된 바와 같이 예컨대 시간(tn)에 있어서는, 패턴(P)에서는 반도체 웨이퍼(W)의 두께가 bn인 데 반하여, 측정값에서는 그 두께가 bn+α라고 하면, 그것이 판정부(35)에 의해 판정되고, 그 판정 신호가 출력부(36)에 출력된다.
도 3과 도 4에 도시된 바와 같이, 상기 출력부(36)는 상기 테이블용 구동원(3), 제1 내지 제3 회전 구동원(13∼15)을 구동하는 구동 신호를 출력하도록 되어 있다. 또한, 상기 출력부(36)는 상기 제1 노즐체(25)에 에칭액(E)을 공급하는 제1 급액관(38)에 설치된 제1 개폐 밸브(39), 상기 제2 노즐체(26)에 세정액(L)을 공급하는 제2 급액관(41)에 설치된 제2 개폐 밸브(42), 상기 실린더(28)에 가압 기체(A)를 공급하는 급기관(43)에 설치된 제3 개폐 밸브(44)를 개폐하는 구동 신호를 출력하도록 되어 있다.
상기 제1 급액관(38)에는 상기 처리 재생 유닛(11)으로부터 에칭액(E)이 공급된다. 상기 제2 급액관(41)에는 도시하지 않은 세정액(L)의 공급원으로부터 세정액(L)이 공급된다. 상기 급기관(43)에는 도시하지 않은 급기원으로부터 가압 기체(A)가 공급되도록 되어 있다.
상기 반도체 웨이퍼(W)를 에칭 가공할 때에는, 상기 테이블용 구동원(3)에 의해 회전 테이블(2)과 함께 반도체 웨이퍼(W)가 회전 구동된 상태에서, 상기 제1 회전 구동원(13)에 의해 제1 아암(21)이 요동 구동된다. 이때, 상기 제1 개폐 밸브(39)가 개방되며, 상기 제1 아암(21)의 선단부에 설치된 제1 노즐체(25)로부터 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 에칭액(E)이 분사 공급된다. 이에 의해, 상기 반도체 웨이퍼(W)가 에칭되게 된다.
상기 반도체 웨이퍼(W)의 에칭의 진행 상태는 제3 아암(23)의 선단부에 설치되어 상기 반도체 웨이퍼(W)의 위쪽에 위치 결정된 두께 검출 센서(29)에 의해 검출된다. 두께 검출 센서(29)에 의해 검출된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께의 변화는, 상기 기억부(33)에 설정된, 소정의 조건으로 에칭 처리를 행한 때에 있어서의 에칭 시간과 반도체 웨이퍼의 두께의 변화의 관계를 나타내는 패턴(P)과 비교부(34)에 있어서 비교되고, 그 비교 결과는 판정부(35)에서 소정 시간마다, 예컨대 수초마다 비교 판정된다.
상기 반도체 웨이퍼(W)에 있어서 에칭액(E)이 공급되는 상면에 유기물의 막이 형성되어 있거나, 도 6a에 도시된 바와 같이 전(前) 공정에서 경면(m)으로 가공되어 있는 경우, 전술한 바와 같이 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면의 에칭액(E)에 의한 에칭이 상기 패턴(P)에 비하여 진행이 지연되거나, 진행되지 않는 경우가 있다. 이것은, 에칭액(E)이 반도체 웨이퍼(W)의 표면 상에 체류하지 않고 즉시 배출되어 버려, 에칭액(E)에 의한 에칭 처리가 진행되지 않은 상태이다.
그 경우, 상기 판정부(35)에서의 비교 결과는 상기 패턴(P)에 대하여 반도체 웨이퍼(W)의 두께가 두껍다고 판정된다. 그리고, 상기 패턴(P)과 측정된 반도체 웨이퍼(W)의 두께의 편차량이 소정량 이상이 되면, 그것이 출력부(36)에 출력된다.
이에 의해, 반도체 웨이퍼(W)의 두께에 변화가 없다고 판단되면, 상기 출력부(36)는 제1 개폐 밸브(39)를 폐쇄하여 에칭액(E)의 공급을 정지하여 에칭 처리를 일단 정지시킨다. 이어서, 제2 개폐 밸브(42)를 개방하여 제2 노즐체(26)로부터 반도체 웨이퍼(W)에 세정액(L)을 분사 공급함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에 잔류하는 에칭액(E)을 세정 제거한다.
상기 제2 노즐체(26)로부터 세정액(L)이 소정 시간 분사되어 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 세정되면, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면에, 공급 수단(30)에 의해 슬러리나 연마분 등 연마제가 공급된 후, 제2 회전 구동원(14)에 의해 제2 아암(22)이 요동 구동된다.
이와 동시에, 상기 출력부(36)로부터의 신호에 의해 상기 급기관(43)에 설치된 제3 개폐 밸브(44)가 개방되어 상기 제2 아암(22)의 선단부에 설치된 실린더(28)가 구동되고, 이 실린더(28)에 의해 연마체(27)가 회전 테이블(2)에 유지되어 회전 구동되는 반도체 웨이퍼(W)의 상면을 요동하면서 소정 시간 압박 가공한다.
이에 의해, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면은 상기 연마제를 통해 상기 연마체(27)에 마련된 결이 거칠고 뻣뻣한 직물에 의해 도 6b에 도시된 바와 같이 조면(r)으로 가공된다. 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 연마제를 공급하기에 앞서, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면을 세정액(L)에 의해 세정하여 에칭액(E)을 세정 제거하도록 하였다. 그 때문에, 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 에칭액(E)이 잔류하고 있는 경우와 같이, 연마제가 에칭액(E)과 화학 반응을 일으켜 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 영향을 받는 것이 방지된다.
상기 연마체(27)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 가공하고 있을 때, 이 반도체 웨이퍼(W)의 두께의 변화는 상기 두께 검출 센서(29)에 의해 검출된다. 그리고, 상기 연마체(27)에 의한 반도체 웨이퍼(W)의 두께의 변화가 상기 기억부(33)에 설정된 패턴(P)의 시간(tn)에 있어서의 두께(bn)와 비교된다.
그리고, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께가 bn+α로부터 에칭액(E)에 의한 에칭을 중단한 시간(tn)에 있어서의 상기 패턴(P)에 의해 설정되는 두께(bn)가 되었을 때에, 상기 연마체(27)에 의한 연마 가공이 종료된다. 이에 의해, 상기 연마체(27)에 의해 반도체 웨이퍼(W)를 지나치게 연마하는 것이 방지된다.
상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 상기 연마체(27)에 의해 도 6b에 도시된 바와 같이 조면(r)으로 가공되면, 상기 연마체(27)가 반도체 웨이퍼(W)의 상면으로부터 후퇴한 후, 상기 제1 아암(21)이 제2 회전 구동원(14)에 의해 요동 구동된다. 이와 동시에, 제2 노즐체(26)로부터 세정액(L)이 소정 시간 분사되어, 반도체 웨이퍼(W)의 상면으로부터 연마제를 세정 제거한다.
이어서, 상기 제1 아암(21)의 선단부에 설치된 제1 노즐체(25)로부터 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 에칭액(E)이 분사 공급된다. 이때, 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 연마제가 잔류하지 않기 때문에, 연마제와 에칭액(E)이 화학 반응을 일으켜 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 변질되는 것이 방지된다.
이와 같이 하여, 에칭액(E)이 분사 공급되는 반도체 웨이퍼(W)의 상면은, 상기 연마체(27)에 의해 조면(r)으로 가공되어 있다. 즉, 반도체 웨이퍼(W)의 상면에, 예컨대 유기물에 의해 형성된 막이 제거되거나, 상면의 경면(m)의 상태가 조면(r)으로 가공됨으로써, 에칭액(E)이 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 체류하게 되기 때문에, 에칭액(E)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 상면의 에칭이 진행되지 않는 상태가 해소되게 된다.
이에 의해, 상기 제1 노즐체(25)로부터 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 에칭액(E)을 분사 공급함으로써, 에칭이 진행되게 된다. 그리고, 이 에칭의 진행 상태가 상기 두께 검출 센서(29)에 의해 검출되며, 상기 패턴(P)과 비교되면서 에칭이 행해지게 된다.
또한, 에칭 도중에, 전술한 바와 같이 연마체(27)에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 상면을 가공한 경우, 그 가공에 필요한 시간이 측정된다. 그리고, 연마 가공을 재개했을 때에, 가공에 필요한 시간이 수정되어 측정되는 반도체 웨이퍼(W)의 두께가 상기 패턴(P)에 나타내는 값과 비교된다.
이상 설명한 바와 같이, 에칭 도중에 에칭이 진행되지 않은 것이 검출되면, 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 연마체(27)에 의해 조면(r)으로 가공된 후, 에칭이 개재되게 된다.
따라서, 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 에칭액(E)에 의해 에칭이 진행되지 않을 때에는, 그것이 검출되어 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면이 에칭되기 쉬운 조면(r)으로 가공된 후, 에칭이 재개되기 때문에, 반도체 웨이퍼(W)의 에칭을 확실하게 행할 수 있게 된다.
상기 일 실시형태에서는 컵체 내에 칸막이체를 마련하고, 에칭액을 회수하여 재사용하는 예를 들어 설명하였지만, 에칭액을 사용할 때마다 폐기하는 경우에는, 상기 컵체 내에 칸막이체를 마련하여 사용된 에칭액을 회수할 필요는 없다.
또한, 제1 노즐체를 제1 아암에 설치하고, 연마체를 제2 아암에 설치하도록 하였지만, 연마체도 제1 및 제2 노즐과 함께 제1 아암에 설치하도록 하여도 좋다.
이하, 본 발명의 제2 실시형태를 도 1 내지 도 4 및 도 7A, 7B, 7C, 도 8을 참조하면서 설명한다. 또한, 전술한 제1 실시형태에 있어서의 스핀 처리 장치와 동일 기능 부분에 대해서는 설명을 생략한다.
또한, 본 실시형태의 스핀 처리 장치는, 반도체 웨이퍼(W)를 외주부에 리브부(WL)를 갖는 형상으로 가공하는 것을 목적으로 하고 있다. 또한, 본 실시형태에서 이용하는 에칭액(E)으로서, 약액(HF/HNO3)이 이용된다.
본 실시형태에서 이용하는 연마체(27)는, 상기 반도체 웨이퍼(W)의 판면에 접촉하는 면에 샌드페이퍼가 설치되어 있다. 그리고, 상기 제2 아암(22)이 상기 제2 회전 구동원(14)에 의해 소정의 각도의 범위에서 회전 구동되면, 상기 연마체(27)가 상기 회전 테이블(2)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)의 위쪽에서 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 요동하도록 되어 있다.
따라서, 상기 연마체(27)를 요동시키면서, 상기 실린더(28)에 의해 하강 방향으로 압박하면, 상기 연마체(27)에 의해 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면을 조면으로 가공할 수 있도록 되어 있다. 여기서, 조면의 거칠기는, 후술하는 약액이 충분히 체류하는 정도이다.
본 실시형태에서 이용하는 두께 검출 센서(29)는, 전술한 레이저 변위 센서 이외에 엔드 포인트 센서 등을 이용하고 있다.
이 두께 검출 센서(29)는, 상기 제3 아암(23)을 상기 제3 회전 구동원(15)에 의해 도 2에 화살표로 나타낸 바와 같이 요동시켜 스캔함으로써, 상기 회전 테이블(2)에 유지된 반도체 웨이퍼(W)의 두께를 검출한다. 즉, 후술하는 바와 같이 에칭액(E)에 의해 에칭된 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께나 상기 연마체(27)에 의해 조면으로 가공되는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 두께를 검출할 수 있도록 하고 있다.
이러한 스핀 처리 장치에서는, 다음과 같이 하여 도 7A에 도시된 원판형의 반도체 웨이퍼(W)로부터, 도 7C에 도시된 외주부에 리브부(WL)를 갖는 반도체 웨이퍼(W)를 형성한다. 즉, 상기 연마체(27)를 작동시켜, 도 7B에 도시된 바와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 리브부를 형성하지 않는 중심측(WQ)을 조면화한다.
다음에, 상기 제1 회전 구동원(13)에 의해 회전 테이블(2)과 함께 반도체 웨이퍼(W)가 회전 구동된 상태에서, 상기 제1 회전 구동원(13)에 의해 제1 아암(21)이 요동 구동되고, 상기 제1 개폐 밸브(39)가 개방되며, 상기 제1 아암(21)의 선단부에 설치된 제1 노즐체(25)로부터 상기 반도체 웨이퍼(W)의 상면에 대하여 에칭액(E)이 분사 공급된다. 에칭액(E)은, 조면화된 표면의 오목부에 체류하기 때문에, 회전 테이블(2)의 회전에 의해서도 에칭액이 상기 반도체 웨이퍼(W)로부터 비산되지 않는다. 이 때문에, 에칭이 촉진되게 된다.
그리고, 상기 두께 검출 센서(29)에 의해 검출되는 상기 반도체 웨이퍼(W)의 중심측(WQ)의 두께가 소정의 두께가 된 시점에서, 상기 출력부(36)는 제1 개폐 밸브(39)를 폐쇄하여 에칭액(E)의 공급을 정지하고 에칭 처리를 정지시킨다. 다음에, 그리고 제2 개폐 밸브(42)를 개방하여 제2 노즐체(26)로부터 반도체 웨이퍼(W)에 세정액(L)을 분사 공급함으로써, 반도체 웨이퍼(W)에 잔류하는 에칭액(E)을 세정 제거한다.
또한, 에칭을 행하고 있는 공정에서, 반도체 웨이퍼(W)의 중심측(WQ)의 범위에서, 두께에 분포가 생긴 경우는, 새롭게 연마체(27)를 작동시켜, 잔여 두께가 큰 부분을 조면화하고, 에칭의 진행을 촉진하여 최종적으로 두께 분포가 생기지 않도록 하여도 좋다.
이와 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 외주부에 리브부(WL)를 마련하는 경우여도, 연삭 가공을 필요로 하지 않고, 약액에 의한 에칭에 의해 화학적으로 제거 가공을 행할 수 있다. 이 때문에, 반도체 웨이퍼(W)에 부담이 가해지지 않고, 응력 제거 공정이 필요없게 되어 공정이 단순해지고, 생산성이 향상되며, 제조 비용이 저하된다. 또한, 반도체 웨이퍼(W)에 크랙이 생기는 일도 없다.
또한, 도 8은 본 실시형태의 변형례를 모식적으로 나타낸 종단면도이다. 도 8에 있어서 도 1과 동일 기능 부분에는 동일 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다. 도 8은 상기 연마체(27) 대신에, 레이저빔 가공을 행하는 레이저 조사부(27A)를 설치한 것이다. 이와 같이 레이저빔 가공에 의해 반도체 웨이퍼(W)의 중심측(WQ)을 조면화하여도 좋다.
또한, 연마체(27)로는, 샌드페이퍼나 레이저빔에 한정되지 않고, 커터, 숏 블라스트, 빙편(氷片) 블라스트, 드라이아이스 블라스트 등과 같이, 반도체 웨이퍼(W)의 판면을 조면으로 적절히 거칠게 할 수 있는 것이면 된다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되지 않는다. 예컨대, 에칭 가공되는 기판으로서 반도체 웨이퍼를 예를 들어 설명하였지만, 기판으로는 반도체 웨이퍼 대신에, 액정 표시 장치 등에 이용되는 유리 기판에 대하여 에칭 가공을 행하는 경우에도 적용할 수 있다. 또한, 연마체나 두께 검출 센서를 요동하여 주사시키고 있지만, 수평면에 있어서의 XY 방향으로 주사시키도록 하여도 좋다. 이 밖에, 본 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서 다양하게 변형 실시 가능한 것은 물론이다.
2 : 회전 테이블 3 : 테이블용 구동원
13 : 제1 회전 구동원 14 : 제2 회전 구동원
15 : 제3 회전 구동원 21 : 제1 아암
22 : 제2 아암 23 : 제3 아암
25 : 제1 노즐체 26 : 제2 노즐체
27 : 연마체(가공 수단) 27A : 레이저 조사부(가공 수단)
28 : 실린더(가공 수단) 29 : 두께 검출 센서(두께 검출 수단)
30 : 공급 수단 31 : 제어 수단
33 : 기억부 34 : 비교부
35 : 판정부 36 : 출력부

Claims (13)

  1. 기판의 판면을 에칭액에 의해 에칭하는 기판의 처리 장치로서,
    상기 기판의 판면에 에칭액을 공급하는 에칭액 공급 수단과,
    상기 에칭액에 의해 에칭되는 상기 기판의 두께를 검출하는 두께 검출 수단과,
    이 두께 검출 수단에 의해 검출되는 상기 기판의 두께가, 예정된 두께에 대해 소정의 범위 이상 어긋난 경우에, 상기 에칭액에 의한 에칭을 중단시키는 제어 수단과,
    상기 에칭액에 의한 에칭이 중단되었을 때에 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하는 가공 수단
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제어 수단은, 상기 가공 수단을 구동하여 상기 기판의 판면을 조면으로 가공한 후, 상기 에칭액에 의한 에칭을 재개시키는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 기판의 판면을 세정하는 세정 수단을 가지며,
    상기 제어 수단은, 상기 두께 검출 수단의 검출에 기초하여 상기 에칭액 공급 수단에 의한 상기 기판의 판면의 에칭을 중단하여 상기 가공 수단에 의해 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하기 전과, 상기 가공 수단에 의해 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하는 것을 마쳤을 때에, 상기 세정 수단에 의해 상기 기판의 판면을 세정시키는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상면에 상기 기판을 유지하고 회전 구동되는 회전 테이블을 가지며,
    상기 에칭액 공급 수단은, 회전 구동원에 의해 회전 구동되는 요동 아암과, 이 요동 아암의 선단에 설치되어 상기 요동 아암이 회전 구동됨으로써 상기 기판의 위쪽에서 수평 방향으로 요동하여 상기 에칭액을 상기 기판에 분사하는 노즐체를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 가공 수단에 의해 상기 기판의 판면을 조면으로 가공할 때, 상기 두께 검출 수단에 의해 상기 기판의 두께가 측정되는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제어 수단에는 상기 에칭액에 의한 상기 기판의 에칭 시간과 막 두께의 변화의 관계가 설정되는 기억부가 마련되고,
    상기 제어 수단은, 상기 두께 검출 수단이 검출하는 기판의 두께가, 상기 기억부에 설정된 상기 관계에 기초하여 구해지는 기판의 두께에 대해, 소정의 범위 이상 어긋나 있는지 여부를 판정하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 장치.
  7. 기판의 판면을 에칭액에 의해 에칭하는 기판의 처리 방법으로서,
    상기 기판의 판면에 에칭액을 공급하는 공정과,
    상기 에칭에 의한 상기 기판의 두께가, 예정된 두께에 대해 소정의 범위 이상 어긋난 경우에, 상기 에칭액에 의한 에칭을 중단하는 공정과,
    상기 에칭이 중단되었을 때에 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하고 나서 에칭을 재개하는 공정
    을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 에칭을 중단하는 공정의 이후에 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하기 전과, 상기 기판의 판면을 조면으로 가공하는 것을 마쳤을 때에, 상기 기판의 판면을 세정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판의 처리 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210280429A1 (en) * 2018-07-26 2021-09-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102144847B1 (ko) * 2013-12-11 2020-08-14 주식회사 케이씨텍 화학 기계적 연마 장치
CN103691715B (zh) * 2013-12-30 2015-12-09 合肥京东方光电科技有限公司 一种基板清洗设备
JP6289961B2 (ja) * 2014-03-27 2018-03-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR20160101760A (ko) * 2015-02-17 2016-08-26 주식회사 엠엠테크 글라스 박형화 장치
CN109382352A (zh) * 2018-08-29 2019-02-26 芜湖源码自动化设备有限公司 一种自动刷片机
JP6857682B2 (ja) * 2019-03-29 2021-04-14 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
CN113050564B (zh) * 2021-03-12 2022-04-26 中国科学院近代物理研究所 核孔膜蚀刻线自反馈联动生产控制装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223680A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング機能付き研磨装置
KR20060127115A (ko) * 2004-01-30 2006-12-11 램 리써치 코포레이션 동적 액체 메니스커스와 공동 동작하는 무응력 에칭프로세스

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003203897A (ja) * 2002-01-08 2003-07-18 Toshiba Corp ノズル、基板処理装置、基板処理方法、及び基板処理プログラム
KR100452918B1 (ko) * 2002-04-12 2004-10-14 한국디엔에스 주식회사 두께측정시스템이 구비된 회전식각장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09223680A (ja) * 1996-02-16 1997-08-26 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング機能付き研磨装置
KR20060127115A (ko) * 2004-01-30 2006-12-11 램 리써치 코포레이션 동적 액체 메니스커스와 공동 동작하는 무응력 에칭프로세스

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210280429A1 (en) * 2018-07-26 2021-09-09 Tokyo Electron Limited Substrate processing system and substrate processing method

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