CN103187341B - 基板的处理装置及处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够对半导体晶片的面可靠地进行基于蚀刻液的蚀刻加工的基板的处理装置及处理方法。基板的处理装置具备：第一喷嘴体（25），对半导体晶片（W）的板面供给蚀刻液（E）；厚度检测传感器（29），检测由蚀刻液蚀刻的半导体晶片的厚度；控制装置，在由厚度检测传感器检测出的半导体晶片的厚度为异常时，使基于蚀刻液的蚀刻中断；以及研磨体（27），在基于蚀刻液的蚀刻中断时，将半导体晶片的板面加工成粗糙面。

Description

基板的处理装置及处理方法
技术领域
本发明涉及使用蚀刻液对半导体晶片等基板的板面进行蚀刻的基板的处理装置及处理方法。
背景技术
例如，在半导体装置的制造工序中，已知有使用蚀刻液除去半导体晶片的表面上所形成的氧化膜、氮化膜或铝膜等的蚀刻工序。
在通过蚀刻液除去半导体晶片的表面上所形成的膜的情况下，为了使其膜厚成为所设定的厚度，以往通过以预先设定的时间来进行蚀刻加工、或者一边用膜厚传感器检测上述半导体晶片的厚度一边进行蚀刻加工，来将上述半导体晶片蚀刻加工到所希望的厚度。
而且，根据后工序中的处理，有时需要在外周部形成肋形状等、制造有底筒状的半导体晶片。为了在外周部形成肋形状，通过研磨机等对半导体晶片的中心侧进行磨削加工，从而除去除了外周部之外的部分。另外，在磨削加工后，为了除去应力而进行湿蚀刻。
专利文献1：日本特开2002-319562号公报
但是，存在在上述半导体晶片上所形成的膜的表面附着有无法通过通常使用的蚀刻液来蚀刻的有机物的情况，在这样的情况下，有时有机物的膜成为掩模而使蚀刻无法进展。
另外，上述半导体晶片在被输送到蚀刻工序的前工序中，有时例如通过CMP（ChemicalMechanicalPolishing：化学机械抛光）进行镜面加工。进行了镜面加工的半导体晶片的面、即镜面成为蚀刻液难以作用的状态。因此，在这样的情况下也是，有时基于蚀刻液的蚀刻也无法进展。
而且，当由于上述理由等而使半导体晶片的蚀刻无法进展时，不能够将上述半导体晶片蚀刻加工成所希望的厚度。
而且，在通过磨削加工将中心侧磨削的情况下，需要在半导体晶片的背面粘附粘着带，所以在磨削加工前后需要粘贴、剥离粘着带的工序。另外，作为追加工序而需要上述的应力除去工序或清洗工序而使工序复杂化，因此存在生产率降低等问题。另外，虽然磨削加工的加工效率高，但有时使半导体晶片产生裂纹，所以也存在不能够使加工速度为一定以上的问题。
发明内容
本发明提供一种即使在基板的板面上形成有有机物的膜或上述板面为镜面等的情况下也能够通过蚀刻液将上述基板可靠地蚀刻到所希望的厚度的基板的处理装置及处理方法。
而且，本发明提供一种在制造具有外周肋形状的半导体晶片时能够通过不使用磨削工序来减少处理工序、通过将工序简单化来实现生产率提高的基板的处理装置及处理方法。
本发明为基板的处理装置，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：蚀刻液供给机构，对上述基板的板面供给蚀刻液；厚度检测机构，检测由上述蚀刻液蚀刻的上述基板的厚度；控制机构，在由该厚度检测机构检测出的上述基板的厚度为异常时，使基于上述蚀刻液的蚀刻中断；以及加工机构，在基于上述蚀刻液的蚀刻中断时，将上述基板的板面加工成粗糙面。
本发明为基板的处理方法，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：对上述基板的板面供给蚀刻液的工序；在基于上述蚀刻的上述基板的厚度变化为异常时，使基于上述蚀刻液的蚀刻中断的工序；以及在中断了上述蚀刻时，将上述基板的板面加工成粗糙面后再次开始蚀刻的工序。
发明效果
根据本发明，通过判断蚀刻时的基板厚度是否变化，判断基板是否被蚀刻，在没有进行蚀刻的情况下，中断蚀刻，在将上述基板的板面加工成粗糙面后再次开始蚀刻。
因此，通过将上述基板的板面加工成粗糙面，能够除去作为阻碍基板的蚀刻进展的原因的、例如在基板的板面上形成的有机物的膜，能够使蚀刻液难以作用的镜面的状态成为容易作用的粗糙面，所以能够将上述基板可靠地蚀刻到所希望的厚度。
附图说明
图1是表示本发明的第一实施方式的自旋处理装置的概略图。
图2是图1所示的自旋处理装置的俯视图。
图3是蚀刻液、清洗液及加压系统的配管系统图。
图4是对图3所示的配管系统图中所设置的第一至第三开闭阀进行控制的控制装置的结构图。
图5是表示蚀刻时的半导体晶片的厚度变化与时间的关系的曲线图。
图6A是表示被蚀刻的面为镜面的半导体晶片的一部分的放大图。
图6B是表示被蚀刻的面从镜面被加工成粗糙面的半导体晶片的一部分的放大图。
图7A是示意性地示出使用本发明的第二实施方式涉及的自旋处理装置进行处理的处理中的半导体晶片的纵剖视图。
图7B是示意性地示出该半导体晶片的纵剖视图。
图7C是示意性地示出该半导体晶片的纵剖视图。
图8是示意性地示出该自旋处理装置的变形例的纵剖视图。
标记说明
2…旋转工作台、3…工作台用驱动源、13…第一旋转驱动源、14…第二旋转驱动源、15…第三旋转驱动源、21…第一臂、22…第二臂、23…第三臂、25…第一喷嘴体、26…第二喷嘴体、27…研磨体（加工机构）、27A…激光照射部（加工机构）、28…缸（加工机构）、29…厚度检测传感器（厚度检测机构）、30…供给机构、31…控制机构、33…存储部、34…比较部、35…判断部、36…输出部。
具体实施方式
下面，参照附图说明本发明的第一实施方式。
图1和图2示出作为处理装置的自旋处理装置，该自旋处理装置具备杯体1。在该杯体1的内部设置有旋转工作台2。该旋转工作台2通过工作台用驱动源3而被旋转驱动，在旋转工作台2的上表面上，作为基板的半导体晶片W被多个保持销2a保持成水平状态且能够拆装。即，上述半导体晶片W以与该旋转工作台2一体旋转地方式被保持在上述旋转工作台2上。
如图1所示，在上述杯体1的内部设置有将其内部隔成内侧空间部5和外侧空间部6的筒状的分隔体4，该分隔体4通过多个上下驱动源7被沿上下方向驱动。
当上述分隔体4处于上升位置时，如后述那样，向与上述旋转工作台2一起旋转的上述半导体晶片W的上表面供给并由于离心力而向周围飞散的蚀刻液E，碰撞到上述分隔体4的内周面而向上述内侧空间部5滴下。
如图1所示，当上述分隔体4处于下降位置时，该分隔体4的上端部所形成的倾斜壁4a的上端被定位于比上述半导体晶片W的上表面稍微低的位置。由此，如后述那样，向旋转的上述半导体晶片W的上表面供给并由于离心力而向周围飞散的清洗液L向上述外侧空间部6滴下。
在上述杯体1底部的与上述内侧空间部5对应的部位连接有第一废液管8，在与上述外侧空间部6对应的部位连接有第二废液管9。在上述第一废液管8中流动的上述蚀刻液E被导入处理再生单元11而被净化，如后述那样被再使用。被导入到上述第二废液管9中的清洗液L被净化处理后被废弃。
如图1和图2所示，在上述杯体1的外部配置有第一旋转驱动源13、第二旋转驱动源14及第三旋转驱动源15。在各驱动源13、14、15上垂直地设置有通过各驱动源13、14、15而分别被旋转驱动的第一轴体16、第二轴体17以及第三轴体18。
在上述第一轴体16的上端连结并水平保持有第一臂21的基端，在上述第二轴体17的上端连结并水平保持有第二臂22的基端。在第三轴体18的上端连结并水平保持有第三臂23的基端。
在上述第一臂21的前端部设置有蚀刻液用的第一喷嘴体25和作为清洗液的纯水用的第二喷嘴体26。而且，当上述第一臂21通过上述第一旋转驱动源13在规定的角度范围内被旋转驱动时，上述第一喷嘴体25和上述第二喷嘴体26在上述旋转工作台2所保持的半导体晶片W的上方沿径向如图2中箭头所示那样摆动。
在上述第二臂22的前端部，以通过缸28能够沿上下方向驱动的方式设置有盘状的研磨体27，该研磨体27为将上述旋转工作台2所保持的半导体晶片W的上表面加工成粗糙面的加工机构。
上述研磨体27在与上述半导体晶片W的板面接触的面上设置有与将上述半导体晶片W的板面进行镜面加工时使用的布基材相比网眼较大且较硬的布基材。而且，当上述第二臂22通过上述第二旋转驱动源14在规定的角度范围内被旋转驱动时，上述研磨体27在上述旋转工作台2所保持的半导体晶片W的上方如图2中箭头所示那样摆动。
因此，如果使上述研磨体27摆动的同时通过上述缸28对该研磨体27向下降方向施力，则通过上述研磨体27，上述半导体晶片W的上表面不被镜面加工而是被加工成比镜面粗糙的粗糙面。
另外，作为上述研磨体27，不限定于使用网眼大且硬的布基材，也可以是使粒径较大的磨粒附着在布基材上的材料等，总之，只要是能够将半导体晶片W的板面粗糙加工成粗糙面的材料即可。
在上述第三臂23的前端部设置有检测上述半导体晶片W的厚度的作为厚度检测机构的厚度检测传感器29。该厚度检测机构例如是激光位移传感器。该厚度检测传感器29通过由上述第三旋转驱动源15使上述第三臂23如图2中箭头所示那样摆动而进行扫描，由此检测上述旋转工作台2所保持的半导体晶片W的厚度。即如后述那样，能够检测由蚀刻液E蚀刻了的上述半导体晶片W的厚度、由上述研磨体27加工成粗糙面的上述半导体晶片W的厚度。
如图4所示，上述厚度检测传感器29的检测信号被输出到控制装置31。在控制装置31上连接有设定部32，通过该设定部32在上述控制装置31中内置的存储部33中如图5所示那样设定表示正常状态下的基于蚀刻液的上述半导体晶片W的蚀刻时间与厚度的关系的直线状的图形P。该图形P为表示蚀刻量相对于蚀刻时间的设定值。
另外，图形P的倾斜角度因蚀刻液E的浓度或种类等的性能而不同。
当通过蚀刻液E来开始半导体晶片W的蚀刻时，由上述厚度检测传感器29检测到的上述半导体晶片W的厚度b的变化被输出到比较部34。每当蚀刻经过规定时间，在该比较部34中将在该时间的由上述厚度检测传感器29检测到的上述半导体晶片W的厚度b与上述存储部33中所设定的上述图形P进行比较。
而且，在由上述厚度检测传感器29检测到的上述半导体晶片W的厚度b的变化相对于上述图形P偏移规定范围以上的情况下，如图5所示，例如若在时间tn，在图形P上半导体晶片W的厚度为bn，相对于此，在测定值中该厚度为bn+α，则通过判断部35对该情况进行判断，并将其判断信号输出到输出部36。
如图3和图4所示，上述输出部36输出用于驱动上述工作台用驱动源3、第一至第三旋转驱动源13～15的驱动信号。另外，上述输出部36输出用于开闭第一开闭阀39、第二开闭阀42及第三开闭阀44的驱动信号，该第一开闭阀39设置在对上述第一喷嘴体25供给蚀刻液E的第一供液管38上，该第二开闭阀42设置在对上述第二喷嘴体26供给清洗液L的第二供液管41上，该第三开闭阀44设置在对上述缸28供给加压气体A的供气管43上。
从上述处理再生单元11对上述第一供液管38供给蚀刻液E，从未图示的清洗液L的供给源对上述第二供液管41供给清洗液L，通过未图示的供气源对上述供气管43供给加压气体A。
在对上述半导体晶片W进行蚀刻加工时，在通过上述第一旋转驱动源13使半导体晶片W与旋转工作台2一起旋转驱动的状态下，通过上述第一旋转驱动源13摆动驱动第一臂21，并且上述第一开闭阀39被打开，从上述第一臂21的前端部所设置的第一喷嘴体25对上述半导体晶片W的上表面喷射供给蚀刻液E。由此，上述半导体晶片W被蚀刻。
通过设置在第三臂23的前端部且定位于上述半导体晶片W上方的厚度检测传感器29，检测上述半导体晶片W的蚀刻的进展状态。由厚度检测传感器29检测出的上述半导体晶片W的厚度变化是比较部34与上述存储部33中所设定的表示规定的蚀刻时的时间和厚度变化之间的关系的图形P来进行比较的，该比较结果是判断部35按每规定时间例如每几秒来进行比较判断的。
在上述半导体晶片W的被供给蚀刻液E的上表面上形成有有机物的膜或如图6A所示那样在前工序中该上表面被加工成镜面m的情况下，如上述那样，存在上述半导体晶片W的上表面的基于蚀刻液E的蚀刻与上述图形P相比进展迟缓或不进展的情况。这是因为，蚀刻液E不停留在半导体晶片W的表面上而是立刻被排出，从而处于基于蚀刻液E的蚀刻处理不进展的状态。
在该情况下，上述判断部35的比较结果为判断为半导体晶片W的厚度相对于上述图形P而言更厚。而且，当上述图形P与所测定的半导体晶片W的厚度的偏移量为规定量以上时，将该情况输出到输出部36。
由此，当判断为半导体晶片W的厚度没有变化时，上述输出部36关闭第一开闭阀39而停止蚀刻液E的供给，暂时停止蚀刻处理，之后打开第二开闭阀42而从第二喷嘴体26向半导体晶片W喷射供给清洗液L，从而清洗除去半导体晶片W上所残留的蚀刻液E。
若从上述第二喷嘴体26喷射规定时间的清洗液L清洗了上述半导体晶片W的上表面，则通过供给机构30对上述半导体晶片W的上表面供给淤浆或研磨粉等研磨剂后，通过第二旋转驱动源14摆动驱动第二臂22。
与此同时，通过来自上述输出部36的信号将上述供气管43上所设置的第三开闭阀44打开而驱动在上述第二臂22的前端部设置的缸28。通过该缸28使研磨体27在被保持于旋转工作台2并被旋转驱动的半导体晶片W的上表面上摆动的同时以规定时间对该上表面进行推压加工。
由此，上述半导体晶片W的上表面经由上述研磨剂并通过上述研磨体27上所设置的网眼大且硬的布基材而被加工成如图6B所示那样的粗糙面r。在对上述半导体晶片W的上表面供给研磨剂之前，通过清洗液L清洗上述半导体晶片W的上表面来清洗除去蚀刻液E。因此，可防止在半导体晶片W的上表面残留有蚀刻液E时那样的、研磨剂与蚀刻液E发生化学反应而使半导体晶片W的上表面受到影响的情况。
上述研磨体27加工半导体晶片W时的该半导体晶片W的厚度变化是通过上述厚度检测传感器29来检测的。而且，将基于上述研磨体27的半导体晶片W的厚度变化与上述存储部33中所设定的图形P的在时间tn的厚度bn进行比较。
而且，上述半导体晶片W的厚度从bn+α变成为中断了基于蚀刻液E的蚀刻的时间tn时的由上述图形P设定的厚度bn时，基于上述研磨体27的研磨加工结束。由此，可防止通过上述研磨体27过度研磨半导体晶片W。
当上述半导体晶片W的上表面被上述研磨体27加工成如图6B所示那样的粗糙面r时，在上述研磨体27从半导体晶片W的上表面退避之后，上述第一臂21被第二旋转驱动源14摆动驱动。与此同时，从第二喷嘴体26以规定时间喷射清洗液L，从半导体晶片W的上表面清洗除去研磨剂。
接着，从上述第一臂21的前端部所设置的第一喷嘴体25向半导体晶片W的上表面喷射供给蚀刻液E。此时，在半导体晶片W的上表面没有残留研磨剂，所以可防止研磨剂与蚀刻液E发生化学反应而使半导体晶片W的上表面变质。
这样，被喷射供给蚀刻液E的半导体晶片W的上表面通过上述研磨体27被加工成粗糙面r。即，在半导体晶片W的上表面上，通过除去例如由有机物形成的膜或将上表面的镜面m的状态加工成粗糙面r，由此蚀刻液E滞留在半导体晶片W的上表面，因此消除了由蚀刻液E对半导体晶片W的上表面的蚀刻不进展的状态。
由此，通过从上述第一喷嘴体25向半导体晶片W的上表面喷射供给蚀刻液E而使蚀刻进展。而且，通过上述厚度检测传感器29检测该蚀刻的进展状态，一边与上述图形P比较一边进行蚀刻。
另外，在蚀刻途中，如上所述那样在通过研磨体27加工了半导体晶片W的上表面的情况下，测定该加工所需要的时间。而且，在再次开始研磨加工时，比较在修正加工所需要的时间后测定的半导体晶片W的厚度与上述图形P所示出的值。
如以上所述那样，若在蚀刻途中检测到蚀刻不进展，则在半导体晶片W的上表面被研磨体27加工成粗糙面r之后再次开始蚀刻。
因此，当半导体晶片W的上表面由蚀刻液E的蚀刻不进展时，检测到该情况而将上述半导体晶片W的上表面加工成容易蚀刻的粗糙面r之后，再次开始蚀刻，所以能够可靠地进行半导体晶片W的蚀刻。
在上述一个实施方式中，举出在杯体内设置分隔体来回收并再使用蚀刻液的例子进行了说明，但在每次使用蚀刻液后废弃的情况下，不需要在上述杯体内设置分隔体来将使用过的蚀刻液回收。
而且，将第一喷嘴设置在第一臂、将研磨体设置在第二臂上，但将研磨体与第一、第二喷嘴一起设置在第一臂上也是没有问题的。
以下，参照图1～图4以及图7A、7B、7C、图8说明本发明的第二实施方式。另外，对于与上述的第一实施方式中的自旋处理装置相同的功能部分省略说明。
另外，本实施方式的自旋处理装置的目的在于将半导体晶片W加工成在外周部具有肋部WL的形状。而且，作为本实施方式中使用的蚀刻液E而使用药液（HF/HNO3）。
在本实施方式中使用的研磨体27在与上述半导体晶片W的板面接触的面上设置有砂纸。而且，上述第二臂22通过上述第二旋转驱动源14在规定角度范围内被旋转驱动时，上述研磨体27在上述旋转工作台2所保持的半导体晶片W的上方如图2中箭头所示那样摆动。
因此，如果使上述研磨体27摆动的同时通过上述缸28对该研磨体27向下降方向施力，则通过上述研磨体27将上述半导体晶片W的上表面加工成粗糙面。在此，粗糙面的粗糙度是后述的药液可充分停留的程度。
本实施方式中使用的厚度检测传感器29除了使用上述的激光位移传感器以外，还使用端点传感器（endpointsensor）等。
该厚度检测传感器29通过由上述第三旋转驱动源15使上述第三臂23如图2中箭头所示那样摆动而进行扫描，由此检测上述旋转工作台2所保持的半导体晶片W的厚度。即如后述那样，能够检测由蚀刻液E蚀刻了的上述半导体晶片W的厚度、由上述研磨体27加工成粗糙面的上述半导体晶片W的厚度。
通过这样的自旋处理装置，如下所述，从图7A所示的圆板状的半导体晶片W形成图7C所示的在外周部具有肋部WL的半导体晶片W。即，使上述研磨体27动作，如图7B所示，使不形成半导体晶片W的肋部的中心侧WQ粗糙化。
接着，在通过上述第一旋转驱动源13将半导体晶片W与旋转工作台2一起旋转驱动的状态下，第一臂21通过上述第一旋转驱动源13而被摆动驱动，并且，上述第一开闭阀39打开，从上述第一臂21的前端部所设置的第一喷嘴体25对上述半导体晶片W的上表面喷射供给蚀刻液E。蚀刻液E停留在被粗糙化的表面的凹坑中，所以即使旋转工作台2旋转，蚀刻液E也不会从上述半导体晶片W飞散。因此，促进了蚀刻。
而且，当由上述厚度检测传感器29检测出的上述半导体晶片W的中心侧WQ的厚度成为规定厚度的时刻，上述输出部36关闭第一开闭阀39而停止蚀刻液E的供给，从而停止蚀刻处理。接着，打开第二开闭阀42而从第二喷嘴体26向半导体晶片W喷射供给清洗液L，由此清洗除去半导体晶片W上所残留的蚀刻液E。
另外，在进行蚀刻的工序中，在半导体晶片W的中心侧WQ的范围内，在厚度产生了差别的情况下，也可以再次使研磨体27动作，将残余厚度较大的部分粗糙化来促进蚀刻的进展，最终不会产生厚度差别。
这样，即使在半导体晶片W的外周部设置肋部WL那样的情况下，也不需要磨削加工，能够通过基于药液的蚀刻以化学方式进行除去加工。因此，不会对半导体晶片W施加负担，不需要应力除去工序，可将工序简单化，提高生产率，降低制造成本。而且，也不会在半导体晶片W中产生裂纹。
另外，图8是示意性地示出本实施方式的变形例的纵剖视图。在图8中，对与图1相同的功能部分赋予相同标记并省略其详细说明。图8中，代替上述研磨体27而设置有用于进行激光束加工的激光照射部27A。这样，也可以通过激光束加工使半导体晶片W的中心侧WQ粗糙化。
另外，作为研磨体27，并不限于砂纸或激光束，也可以是如切割机、喷丸机、冰片喷射机、干冰喷射机等能够将半导体晶片W的板面适当地粗糙加工成粗糙面的装置。
另外，本发明并不限定于上述实施方式。例如，作为蚀刻加工的基板，举出半导体晶片为例而进行了说明，但也能够应用于如下情况：作为基板，取代半导体晶片而对液晶显示装置等中使用的玻璃基板进行蚀刻加工。而且，使研磨体、厚度检测传感器进行了摆动式扫描，但也可以使其进行沿水平面内的XY方向的扫描。此外，当然在不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变形实施。

Claims (8)

1.一种基板的处理装置，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：
蚀刻液供给机构，对上述基板的板面供给蚀刻液；
厚度检测机构，检测由上述蚀刻液蚀刻的上述基板的厚度；
控制机构，在由该厚度检测机构检测出的上述基板的厚度相对于预定的厚度偏移了规定范围以上时，使基于上述蚀刻液的蚀刻中断；以及
加工机构，在基于上述蚀刻液的蚀刻中断时，将上述基板的板面加工成粗糙面。
2.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，
在驱动上述加工机构而将上述基板的板面加工成粗糙面后，上述控制机构使基于上述蚀刻液的蚀刻再次开始。
3.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，
具有对上述基板的板面进行清洗的清洗机构；
在基于上述厚度检测机构的检测而中断上述蚀刻液供给机构对上述基板的板面的蚀刻并由上述加工机构将上述基板的板面加工成粗糙面之前、以及由上述加工机构将上述基板的板面加工成粗糙面结束时，上述控制机构使上述清洗机构清洗上述基板的板面。
4.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，
具有旋转工作台，该旋转工作台在上表面上保持上述基板并对上述基板进行旋转驱动；
上述蚀刻液供给机构具备：
摆动臂，被驱动源驱动；以及
喷嘴，设置在该摆动臂的前端，上述摆动臂在上述基板的上方沿水平方向摆动，该喷嘴对上述基板喷射上述蚀刻液。
5.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，
在由上述加工机构将上述基板的板面加工成粗糙面时，由上述厚度检测机构测定上述基板的厚度。
6.如权利要求1所述的基板的处理装置，其特征在于，
在上述控制机构中设置有存储部，该存储部设定有上述蚀刻液对上述基板的蚀刻时间与膜厚的变化之间的关系；
上述控制机构判定由上述厚度检测机构检测出的基板的厚度相对于基于上述存储部所设定的上述关系而求出的上述基板的厚度是否偏移了规定范围以上。
7.一种基板的处理方法，通过蚀刻液对基板的板面进行蚀刻，其特征在于，具备：
对上述基板的板面供给蚀刻液的工序；
在基于上述蚀刻的上述基板的厚度相对于预定的厚度偏移了规定范围以上时，使基于上述蚀刻液的蚀刻中断的工序；以及
在中断了上述蚀刻时，将上述基板的板面加工成粗糙面后再次开始蚀刻的工序。
8.如权利要求7所述的基板的处理方法，其特征在于，
具有检测由上述蚀刻液蚀刻的上述基板的厚度的工序。
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