JP6857682B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。
液晶表示装置や半導体装置などの製造工程において、液晶パネル用ガラスやフォトマスク用ガラスなどの基板を搬送し、移動する基板に対して処理液(例えば薬液)を吐出して基板を処理する基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置では、基板を搬送する過程の基板の有無を検出する基板検出装置を有している。基板検出装置は、接触型と非接触型のものがある。接触型の基板検出装置には、例えば振り子型のセンサ(特許文献1)がある。これは、搬送される基板が振り子に接触することで振り子が揺動し、この揺動をセンサが感知するタイプである。非接触型の基板検出装置は、例えば、投受光によって基板の有無をセンサが検出するタイプである。
ところで、接触型の基板検出装置は、検出装置の一部が基板に接触するため、基板の先端部分に割れが生じるなど、基板に損傷を与えてしまうことがあった。また非接触型の基板検出装置は、基板処理装置内で使用される処理液が付着することによって光が乱反射し、誤検出してしまうことがあった。
特開2014−225711号公報
本発明は、基板に損傷を与えることなく、基板を検知することができる基板処理装置を提供することである。
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
基板を搬送路に沿って搬送する搬送部と、
前記搬送部により搬送される前記基板を処理液により処理する処理部と、
前記搬送部により搬送される前記基板を検出する基板検出部と、
を有し、
前記基板検出部は、前記搬送部により搬送される前記基板の下面側から流体を吐出する吐出部と、前記搬送路を挟んで前記吐出部と対向する位置において、前記吐出部からの前記流体の到達を検出する検出部と、
を有し、
前記検出部は、前記吐出部から吐出された流体によって揺動する揺動部と、前記揺動部の前記揺動を検出するセンサ部と、
を有することを特徴とする。
本発明の実施形態によれば、基板に損傷を与えることなく、基板を検知することができる。
本発明の基板処理装置の第1の実施形態を示す図である。 図1に示す基板処理装置に設けられている基板検出部の構造例と動作例を示す図である。 図2(a)に示すCR方向から見た基板検出部の側面図である。
<第1の実施形態>
本発明の第1の実施形態について図1から図3を参照して説明する。
(基本構成)
図1に示すように、第1の実施形態に係る基板処理装置10は、処理室20と、搬送部30と、処理部40と、基板検出部50と、制御部60とを備えている。
処理室20は、基板Wを処理するための処理槽であり、内部に基板Wが移動する搬送路A1が形成される筐体である。この処理室20には、搬入口21及び搬出口22が形成されている。搬送路A1は、搬入口21から搬出口22まで水平に延びており、処理室20の上下方向の略中央に位置している。なお、処理対象の基板Wとしては、例えば矩形状のガラス基板が用いられる。
搬送部30は、複数のローラ31及び複数本(図1では11本)の回転軸32を有しており、それらのローラ31及び回転軸32により基板Wを搬送路A1上を搬送方向A2に沿って搬送する。各ローラ31は、個々の回転軸32に所定間隔で固定されており、回転軸32が回転することによって共に回転する。各回転軸32は、それぞれ基板Wにおける搬送方向A2とは直交する方向での長さ(幅方向長さ)よりも長く形成されており、並列に基板Wの搬送方向A2に沿って並べられ、回転可能に設けられている。これらの回転軸32は、共通の駆動機構(図示せず)により、互いに同期して回転するように構成されており、各ローラ31と共に基板Wの搬送路A1を形成する。この搬送部30は、各ローラ31により基板Wを支持し、支持した基板Wを各ローラ31の回転によって所定の搬送方向A2に搬送する。
処理部40は、複数のシャワー41を有しており、それらのシャワー41により、搬送路A1を移動する基板Wに処理液(例えば現像液)を供給して基板Wを処理(例えば現像処理)する。各シャワー41は、搬送路A1を挟むように搬送路A1の上方及び下方に複数個(図1では7個)ずつ設けられている。これらのシャワー41のうち、搬送路A1の上方に位置する各シャワー41aは、搬送路A1に対して上方から処理液を吐出する。また、搬送路A1の下方に位置する各シャワー41bは、搬送路A1に対して下方から処理液を吐出する。各シャワー41a、41bは、基板Wの搬送方向A2に水平面内で直交する方向に並ぶ複数のノズル(図示せず)を有しており、搬送路A1を移動する基板Wに向けて各ノズルから処理液を高圧で吐出して基板Wに処理液を供給する。
各シャワー41aは、液供給管42aを介してタンク43に接続されており、各シャワー41bは、液供給管42bを介してタンク43に接続されている。これらのシャワー41a、41bは、タンク43からポンプ(図示せず)による圧送により、液供給管42a、42bを介して供給された処理液を吐出する。各シャワー41a、41bから吐出された処理液は、処理室20の底部に接続された回収管44を介してタンク43に回収され、貯留される。タンク43に回収された処理液は、圧送により再び各液供給管42a、42bを介して各シャワー41a、41bに供給される。
基板検出部50は、搬送路A1を移動する基板Wを検出する。本実施形態では、処理室20内に2つの基板検出部50a、50bを有している。基板検出部50aは、処理室20の搬入口21の近傍に設けられる。基板検出部50bは、処理室20の搬出口22の近傍に位置付けられる。そして、搬送路A1に沿って搬送される基板Wにおける、搬送方向とは直交する幅方向の端部を検出する。
ここで図2、図3を用いて、基板検出部50(50a、50b)について説明する。なお、基板検出部50aと50bは、同じ構成とされる。
図2(a)は、基板検出部50が基板Wを検出していない状態、図2(b)は基板検出部50が基板Wを検出している状態を示しており、図3は、図2(a)のCR方向から見た側面図である。
基板検出部50は、揺動部51と、センサ部52と、流体吐出部53を有する。
揺動部51は、処理室20のフレーム20aなどに回転自在に支持された回転軸1(図3参照)と、回転軸1に固定支持された揺動板2を有する。この揺動板2は例えば金属板で、回転軸1に支持される本体2aと、本体2aの一方端に、本体2aに対して鈍角を有して支持される受板2bを有する。受板2bは例えば樹脂製の板であり、先に述べた処理液に対する耐液性を有する部材である。受板2bには、錘2cが取り付けられている。この錘2cによって、揺動板2自体には、図2において、回転軸1を中心とする時計回りの回転モーメントが付与されるようになっている。なお、2d、2eはストッパである。揺動板2は、先に述べた時計回りの回転モーメントを受けるが、図2(b)に示すように、揺動板2がストッパ2dに当接したところで、その回動(揺動)は制限される。一方、図2(a)に示すように、後述する流体吐出部53から吐出される液体が受板2bに当接することで、揺動板2には、回転軸1を中心とする反時計回りの回転モーメントを受けるが、ストッパ2eが揺動板2に当接したところで、その回動(揺動)は制限される。
センサ部52は、揺動板2の揺動の有無を検出する。図3に示すように、揺動板2の他方端には、磁石2fを内蔵する検出板2gが固定支持される。この検出板2gの揺動の有無は、フレーム20aに固定された磁気センサ52aによって検知される。つまり、磁気センサ52aは、図2(a)の状態のときにOFF信号を、図2(b)の状態のときにON信号を制御部60に出力する。
流体吐出部53は、ノズル53aを有する。このノズル53aと、揺動板2の受板2bとは、搬送路A1を挟んで対向配置される。本実施形態において、ノズル53aは、基板Wの搬送路A1の下方で、かつ搬送路A1に沿って搬送される基板Wの幅方向の一方の端部の下面に対向して配置される。これに対し、先に述べた受板2bは、搬送路A1の上方に、ノズル53aと対向して設けられる。図2(a)、(b)に示すように、ノズル53aからは、搬送路A1の下方から搬送路A1に向けて、つまり図2においては上方に向けて、流体mが吐出される。例えば、ノズル53aからの流体mの吐出は、基板処理装置10による基板Wの処理中だけでなく、処理待機中も継続される。本実施形態では、ノズル53aは液供給管42bに接続され、ノズル53aから吐出される流体mは、基板の処理に用いられる処理液(例えば現像液)と同じである。ノズル53aの吐出口径は、例えば1−5mmである。ノズル53aから吐出される流体mが揺動板2の受板2bに当接したとき、図2(a)に示すように、揺動板2には、回転軸1を中心とする反時計回りの回転モーメントが発生する。そしてこの反時計回りの回転モーメントが、錘2cを有する揺動板2自体に生じる時計方向の回転モーメント以上となるように、ノズル53aから吐出される体mの液圧が設定される。この液圧の設定は、実験等により求めた液圧に基づいて行うことができる。なお、反時計回りの回転モーメントを受ける揺動板2は、ストッパ2eが揺動板2に当接したところで、その回動が制限されることはすでに述べたとおりである。
前述したとおり、図2(a)は、基板検出部50が基板Wを検出していない状態を示し、図2(b)は、基板検出部50が基板Wを検出している状態を示している。なお図2において基板の搬送方向は、紙面の直交方向である。
図2(a)では、ノズル53aから吐出された流体mは、基板Wに遮られることなく受板2bに到達する。これにより、揺動板2は、回転軸1を中心に反時計方向に回動し、その回動は揺動板2がストッパ2eに当接したところで停止し、この状態が維持される。このとき、磁気センサ52aは、磁石2fを検出しないので、OFF信号を制御部60に出力する。一方図2(b)では、ノズル53aから吐出された流体mは、基板Wに遮られるので受板2bに届かなくなる。これにより、揺動板2は、回転軸1を中心に時計方向に回動し、その回動は揺動板2がストッパ2dに当接したところで停止し、この状態が維持される。このとき、磁気センサ52aは、磁石2fを検出して、ON信号を制御部60に出力する。
なお、基板検出部50a、50bは、搬送部30を構成する回転軸32を避けて配置される。
図1に戻り、制御部60は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部(いずれも図示せず)を備えている。この制御部60は、各種情報や各種プログラムに基づいて、搬送部30、処理部40、基板検出部50を制御する。
(基板処理)
次に、前述の基板処理装置10が行う基板処理(基板処理工程)について説明する。
基板処理では、搬送部30の各ローラ31が回転し、それらのローラ31上の基板Wは所定の搬送方向A2に搬送され、搬送路A1に沿って移動する。この搬送路A1における液供給範囲には、基板Wの搬送前から予め、搬送路A1の上方に位置する各シャワー41aから処理液が吐出されており、さらに、搬送路A1の下方に位置する各シャワー41bから処理液が吐出されている。また、ノズル53aからも各シャワー41a、41bから供給される処理液と同一の処理液が吐出されている。処理液が搬送路A1における液供給範囲に吐出されている状態で、基板Wがその液供給範囲を通過すると、基板Wの上下面(表裏面)に処理液が供給され、基板Wの上下面が処理液により処理される。
この基板処理中に、搬送路A1を移動する基板Wは、搬入口21側の基板検出部50aによって検出され、その検出信号が制御部60に入力される。つまり、搬入口21から基板Wが搬入された基板Wが基板検出部50aを構成するノズル53aの上方に到達すると、ノズル53aから吐出された流体mは、受板2bに到達しなくなり、図2(a)に示す状態から図2(b)に示す状態に変化する。これによって磁気センサ52aからON信号が制御部60に入力される。その後、基板Wは移動し、前述のように各シャワー41a、41bにより供給される処理液によって処理される。そして、基板Wが搬出口22側の基板検出部50bに到達すると、同様にして基板Wが検出され、その検出信号が制御部60に入力される。その後、次の処理対象の基板Wが搬送路A1を移動してくると、前述と同様に、搬入口21側の基板検出部50aにより検出され、その後、搬出口22側の基板検出部50bにより検出される。これらの検出信号も制御部60に入力される。以降の処理対象の基板Wも同様である。
制御部60は、各基板検出部50a、50bからの検出信号を受信し、これに基づいて搬送路A1上の基板Wの有無を検知する。
さらに制御部60は、基板Wの有無に応じて、基板Wが安定して搬送されているか否かを判断する。例えば、制御部60は、搬入口21側の基板検出部50aの検出信号に基づき基板Wが有ることを把握してから、基板検出部50aの検出信号に基づき基板Wが無いことを把握するまでの時間が所定の許容範囲内であるか否かを判断することで、基板Wの搬送速度を確認する。さらに、制御部60は、基板検出部50aの検出信号に基づき基板Wが無いことを把握してから、基板検出部50aの検出信号に基づき次の基板Wが有ることを把握するまでの時間が所定の許容範囲内であるか否かを判断することで、基板Wの搬送間隔を確認する。このような確認は、搬出口22側の基板検出部50bの検出信号に基づいても同様に実行される。制御部60は、これらの時間が所定の許容範囲内でないと判断した場合には、搬送中の基板Wの搬送速度や搬送間隔が正常でなく、搬送異常が発生したと判定し、例えば音や表示などにより搬送異常を報知し、基板Wの搬送を停止する。一方、前述の各時間が所定の許容範囲内であると判断した場合には、搬送は正常であると判定し、搬送を継続する。なお、前述の各所定の許容範囲はそれぞれ制御部60の記憶部に予め設定されている。
以上説明したように、第1の実施形態によれば、基板検出部50は、ノズル53aからの吐出される流体mが受板2に到達したか否かを検出しているため、基板検出部50を構成する揺動板2などが基板Wに直接接触することなく基板Wの到来を検知することができる。したがって、基板Wに損傷を与えることなく基板Wの到来を検知することができる。
また、基板検出部50は、ノズル53aから吐出された流体mが、受板2bに到達したか否かによって、基板Wの到達を検知するものであるから、例えば、搬送路を挟んで投光器と受光器を配置した場合に比較すると、受光器などに処理液が付着することに起因する誤検出が抑えられ、基板の検出精度を向上させることができる。
また、基板検出部50のノズル53aから吐出される流体mは、処理部40が使用する処理液と同じものとした。これにより、シャワー41a、41bから吐出される処理液と、ノズル53aから吐出された流体mとを同一のタンク43に回収しても、処理液の濃度が変化したり、異なる処理液が混在したりすることがない。これにより、タンク43に回収した処理液を、再度処理部40での処理に使用することができる。
また、ノズル53aからは、揺動板2を揺動させるに足りる量、そして流速の流体mを吐出すればよく、しかもノズル53aから吐出した流体mは、受板2bの全体に当たる必要はなく、受板2bの一部にさえ当たれば良い。このため、流体mの使用量は少なくすることができる。
また、図2(b)に示す、ノズル53aからの流体mが受板2bに届かない状態で、受板2bは、本体2aとの接続部に対して搬送路A1側に傾斜する状態とされる。このため、基板Wが基板検出部50を通り過ぎて、ノズル53aから吐出した流体mが受板2bに到達するようになった少なくとも当初、流体mは、主に本体2aと受板2bとの接続部側に流動する。このため、受板2bに到達した流体mは、揺動2に対する反時計方向のモーメントの生成に有効に活用させることができる。
ところで、一般的には、基板処理装置において、基板の上面側中央部分が最終的な製品として使用される面となることが多い。つまり、基板の下面(裏面)、特に基板の幅方向の端部における下面は、基板上面の中央部分と比べて精密な処理が要求されないことが多い。本実施の形態において、ノズル53aから吐出される流体mは、基板Wの上面ではなく、基板Wの下面に当接するから、ノズル53aから供給される流体mが、基板Wの上面側に供給される処理液の供給量を変動させることが防止される。このことから、基板Wの上面側の処理を均一に行うことができる。
また、基板検出部50を構成する、揺動部51と流体吐出部53とは、可能な限り、搬送路A1に近づけることが好ましい。例えば、ノズル53aを搬送路A1の直下(例えばローラ31と同じ高さ位置)に設け、図2(b)に示す状態の受板2bが搬送路A1の直上(例えば搬送ローラ31により搬送される基板Wの厚み分よりもわずかに高い位置)に設ける。これにより、ノズル53aから吐出する流体mの量を抑えることができる。
ノズル53aから吐出する流体mの量を抑えることは、次の点でも有利である。上述の実施形態において例示した基板処理装置10においては、通常、シャワー41のような、処理液を吐出するツールを処理室20の搬入口21や搬出口22の近傍には設けないことが多い。これは、処理室20に隣接する他の処理室にシャワー41から吐出した処理液が侵入することを防ぐためである。ノズル53aから吐出する流体mの量を抑えることができれば、ノズル53aから吐出した流体mが他の処理室に侵入することも防止できる。
<他の実施形態>
前述の実施形態に対して、次のように変更を加えても構わない。
ノズル53aは、液供給管42bに接続されるように構成したが、これに限るものではなく、ノズル53a専用の液供給管を備えていても良い。
また、基板検出部50のためのノズル53aを特別に設けるのでなく、ノズル53aの代わりに、基板Wの下面(裏面)の処理に用いるシャワー41bが有するノズルを利用するものであっても良い。
また、必ずしも、ノズル53aから吐出される流体mが処理液と同じものである必要はなく、処理液とは別の種類の液体でもよい。
また、流体吐出部53を構成するノズル53aから、流体m(例えば現像液)を吐出させるようにしたが、これに限るものではなく、気体を吐出させても良い。
また、揺動板2に錘2cを取り付けることで回転モーメントを得るようにしたが、これに限られるものではなく、回転軸1とフレーム20aとの間に捩じりばねを介在させても良い。
また、複数個のローラ31を回転軸32に設け、1本の搬送ローラを構成することを例示したが、これに限るものではなく、例えば、1つの回転軸32に対し、1本の円筒状の搬送ローラを用いることも可能である。
また、シャワー41を搬送路A1の上方及び下方に設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、基板Wの上面だけを処理する場合、搬送路A1の上方だけに設けることも可能である。
また、各基板検出部50として、揺動部51を設け、この揺動部51の揺動をセンサ部52が検知するように構成したが、これに限られるものではなく、例えば、揺動部51の代わりに、流体吐出部53から供給される流体で回転する回転体を設け、この回転体の回転の有無、あるいは回転体の回転速度の差を検出することで、基板Wを検知するようにしても良い。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
1 回転軸
2 揺動板
2a 本体
2b 受板
2c
2d、2e ストッパ
2e 磁石
2f 検出板
10 基板処理装置
20 処理
30 搬送部
40 処理部
41(41a、41b) シャワー
43 タンク
44 回収管
50(50a、50b) 基板検出部
51 揺動部
52 センサ部
52a 磁気センサ
53 流体吐出部
53a ノズル
60 制御部
W 基板
m 流体

Claims (10)

  1. 基板を搬送路に沿って搬送する搬送部と、
    前記搬送部により搬送される前記基板を処理液により処理する処理部と、
    前記搬送部により搬送される前記基板を検出する基板検出部と、
    を有し、
    前記基板検出部は、前記搬送部により搬送される前記基板の下面側から流体を吐出する吐出部と、前記搬送路を挟んで前記吐出部と対向する位置において、前記吐出部からの前記流体の到達を検出する検出部と、
    を有し、
    前記検出部は、前記吐出部から吐出された流体によって揺動する揺動部と、前記揺動部の前記揺動を検出するセンサ部と、
    を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記揺動部は、前記基板の搬送方向と平行な軸を中心に揺動する揺動板を有することを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
  3. 前記揺動板は、本体と、前記本体の一端に鈍角を有して支持される受板と、を有することを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
  4. 前記受板には錘が取り付けられ、この錘により、前記揺動板には、前記軸を中心に前記基板側の回転モーメントが付加されることを特徴とする請求項記載の基板処理装置。
  5. 前記受板は、前記吐出部から吐出される前記流体が前記基板に遮られて前記受板に届かない状態で、前記本体との接続部に対して前記搬送路側に傾斜する状態とされることを特徴とする請求項3または4記載の基板処理装置。
  6. 基板を搬送路に沿って搬送する搬送部と、
    前記搬送部により搬送される前記基板を処理液により処理する処理部と、
    前記搬送部により搬送される前記基板を検出する基板検出部と、
    を有し、
    前記基板検出部は、前記搬送部により搬送される前記基板の下面側から流体を吐出する吐出部と、前記搬送路を挟んで前記吐出部と対向する位置において、前記吐出部からの前記流体の到達を検出する検出部と、
    を有し
    前記検出部は、前記吐出部から供給される流体で回転する回転体を有し、
    前記基板検出部は、前記回転体の回転状態から前記流体の到達を検出することを特徴とする基板処理装置。
  7. 前記流体は、前記処理液と同一の処理液であることを特徴とする請求項1乃至6のいずれかに記載の基板処理装置。
  8. 前記処理部で使用された処理液を回収するための回収管と、
    前記回収管によって回収された前記処理液を貯留するタンクと、
    を備え、
    前記処理部は、前記タンクに回収されて貯留された前記処理液を再度、前記処理部による処理に使用することを特徴とする請求項1乃至7のいずれかに記載の基板処理装置。
  9. 前記吐出部からは、前記基板が前記吐出部の上方に到来する前から前記流体が吐出されることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の基板処理装置。
  10. 前記処理部は、
    前記基板の搬送方向に沿って設けられた複数のシャワーと、
    前記シャワーに供給される前記処理液が流れる液供給管と、を有し、
    前記吐出部は、ノズルを有し、前記ノズルは、前記液供給管に接続されることを特徴とする請求項1乃至のいずれかに記載の基板処理装置。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000173963A (ja) * 1998-12-03 2000-06-23 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP4763527B2 (ja) * 2006-06-22 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4861970B2 (ja) * 2007-12-04 2012-01-25 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2013051337A (ja) * 2011-08-31 2013-03-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置及び処理液の流路切り替え方法
KR101380494B1 (ko) * 2011-12-27 2014-04-01 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판의 처리 장치 및 처리 방법
JP6000019B2 (ja) * 2012-08-22 2016-09-28 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
CN105185726B (zh) * 2014-05-13 2018-09-21 芝浦机械电子株式会社 基板处理装置、基板处理方法、基板制造装置及基板制造方法
JP6008917B2 (ja) * 2014-09-10 2016-10-19 芝浦メカトロニクス株式会社 基板検出装置および基板処理装置
JP2016167475A (ja) * 2015-03-09 2016-09-15 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置
JP6577385B2 (ja) * 2016-02-12 2019-09-18 株式会社荏原製作所 基板保持モジュール、基板処理装置、および基板処理方法
CN107305854B (zh) * 2016-04-22 2021-05-14 盛美半导体设备(上海)股份有限公司 一种集成电路基板清洗设备
JP6789026B2 (ja) * 2016-07-28 2020-11-25 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
KR102245342B1 (ko) * 2017-02-28 2021-04-27 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP7040871B2 (ja) * 2017-07-28 2022-03-23 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、及び基板処理装置の部品検査方法

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