KR101792935B1 - 히터 이상 검출 장치, 처리액 공급 장치 및 기판 처리 시스템 - Google Patents

히터 이상 검출 장치, 처리액 공급 장치 및 기판 처리 시스템 Download PDF

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아키히로 나카시마
준 사와시마
겐지 고바야시
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

히터 이상 검출 장치는, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 갖고, 처리액에 접액하여 당해 처리액을 가열하는 히터의 이상을 검출하기 위한 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛과, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 당해 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛과, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛과, 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함한다.

Description

히터 이상 검출 장치, 처리액 공급 장치 및 기판 처리 시스템{HEATER ABNORMALITY DETECTING APPARATUS, PROCESSING LIQUID SUPPLYING APPARATUS, AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}
본 발명은, 히터의 이상을 검출하기 위한 히터 이상 검출 장치, 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치, 및 처리액을 사용하여 기판을 처리하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판의 예로는, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판을, 처리액을 사용하여 처리하는 기판 처리 시스템이 사용된다. 이와 같은 기판 처리 시스템에서는, 기판에 대해 처리를 실시하는 처리부와는 별도로, 처리부에 약액을 공급하기 위한 약액 공급 유닛이 구비된다. 약액 공급 장치는, 소정의 온도로 조절된 약액을 처리부에 공급한다.
예를 들어, 일본 공개특허공보 2010-232520호에 기재된 기판 처리 장치 (기판 처리 시스템) 에 구비되는 약액 캐비닛 (약액 공급 장치) 은, 처리부에 공급되는 약액을 저류하는 약액 탱크와, 약액 탱크 내의 약액이 유통되는 약액 순환로와, 약액 순환로에 배치된 히터를 구비하고 있다.
이와 같은 약액 가열용의 히터는, 전열선과, 전열선을 피복하는 수지제의 피막을 포함한다. 히터는, 유통 경로를 흐르는 처리액 (약액) 에 직접 접촉하고, 당해 처리액을 가열한다.
그러나, 히터에 있어서의 이상 과열 및 정전기의 발생, 그리고 피막의 시간 경과적 열화 등에 의해, 발열체 (전열선) 의 주위를 덮는 피막에 파열이 발생하는 경우가 있다. 이 경우, 발열체에 있어서의, 피막의 파열에 의해 노출된 부분으로부터 금속이 용출되고, 처리액 공급 유닛 (약액 공급 유닛) 내의 처리액이 금속 오염된다. 그리고, 금속 오염된 처리액이, 처리액 공급 유닛으로부터 처리부에 공급되는 결과, 처리 대상의 기판에 금속 오염이 발생할 우려가 있다.
이와 같은, 히터의 피막의 파열을 검출하는 장치는 형성되어 있지 않다. 그 때문에, 그러한 피막의 파열을 검지하는 것이 어렵다. 특히, 피막의 파열이 작은 (홀이 형성되어 있는) 경우에는, 기판 처리 시스템의 작동 상태에 영향을 주지 않기 때문에, 그러한 피막의 파열을 검지하는 것이 한층 더 곤란하다.
그래서, 이 발명의 하나의 목적은, 발열체의 주위를 피복하고 있는 피막의 파열을 양호한 정밀도로 검지할 수 있는, 히터 이상 검출 장치를 제공하는 것이다.
또, 이 발명의 다른 목적은, 금속 오염이 없는 처리액을 공급할 수 있는 처리액 공급 장치를 제공하는 것이다.
또, 이 발명의 또 다른 목적은, 금속 오염의 발생을 회피하면서, 처리액을 사용한 처리를 기판에 실시할 수 있는, 기판 처리 시스템을 제공하는 것이다.
이 발명에 관련된 제 1 국면은, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 갖고, 처리액에 접액하여 당해 처리액을 가열하는 히터의 이상을 검출하기 위한 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛과, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 당해 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛과, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛과, 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함하는, 히터 이상 검출 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 히터에 접하고 있는 처리액이 접지되어 있으므로, 피막에 있어서 파열이 발생한 경우에는, 피막의 파열에 의해 노출된 발열체로부터 약액 중에 전류가 누설되고, 약액 중에 누설 전류가 흐른다. 그 때문에, 피막에 파열이 발생하지 않은 경우와 비교하여, 발열체를 흐르는 전류의 크기가 변화한다. 따라서, 전류 계측 유닛에 의해 발열체를 흐르는 전류를 계측하고, 계측한 전류의 변화를 감시함으로써, 피막의 파열을 검지할 수 있다. 이로써, 발열체의 주위를 피복하고 있는 피막의 파열을 양호한 정밀도로 검지할 수 있다.
이 발명의 일 실시형태에서는, 상기 전력 공급 유닛은, 교류 전원에 접속되는 제 1 전원선과, 교류 전원에 접속되고, 상기 제 1 전원선과는 다른 제 2 전원선을 포함하고, 상기 발열체는, 유단 (有端) 의 전열선을 포함하고, 상기 전열선의 일단이 상기 제 1 전원선에 접속되고, 또한 상기 전열선의 타단이 상기 제 2 전원선에 접속되어 있고, 상기 전류 계측 유닛은, 상기 전열선의 상기 일단 측의 제 1 부분을 흐르는 전류와 상기 전열선의 상기 타단 측의 제 2 부분을 흐르는 전류의 차를 계측하는 전류차 계측 유닛을 포함하는, 청구항 1 에 기재된 히터 이상 검출 장치이다.
이 구성에 의하면, 제 1 및 제 2 부분의 일방을 통하여 전열선으로 유입되는 전류가, 제 1 및 제 2 부분의 타방으로부터 유출된다. 그 때문에, 제 1 부분을 흐르는 전류와 제 2 부분을 흐르는 전류가 상쇄된다. 피막에 파열이 발생하지 않은 경우에는, 제 1 부분을 흐르는 전류와 제 2 부분을 흐르는 전류의 차는 영이다. 한편, 피막에 파열이 발생한 경우에는, 처리액 중에 누설 전류가 흐르기 때문에, 제 1 부분을 흐르는 전류와 제 2 부분을 흐르는 전류의 차가 영이 되지 않는다. 즉, 당해 전류의 차가 영이 아닌 것에 기초하여 피막의 파열을 검지할 수 있다. 이로써, 피막의 파열을 한층 더 양호한 정밀도로 검지할 수 있다.
또, 상기 전류차 계측 유닛은 가선 전류계를 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 전열선을 흐르는 전류를, 가선 전류계에 의해 당해 전류에 의한 자계를 계측함으로써 간접적으로 계측한다. 전열선에 직접 접하지 않고 전류를 계측할 수 있기 때문에, 전류의 계측을 안전하게 실시할 수 있다.
또, 상기 가선 전류계는, 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분을 흐르는 전류를 일괄적으로 계측해도 된다.
이 구성에 의하면, 제 1 부분 및 제 2 부분을 흐르는 전류를, 가선 전류계에 의해 일괄적으로 계측하므로, 제 1 부분 및 제 2 부분을 흐르는 전류를 개별적으로 계측하는 경우와 비교하여 전류의 계측 오차의 영향을 줄일 수 있다. 이로써, 피막의 파열을 한층 더 양호한 정밀도로 검지할 수 있다.
또, 이 발명에 관련된 제 2 국면은, 처리 대상에 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 처리부에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치로서, 처리액이 유통되는 유통 경로와, 유통 경로의 내부에 존재하는 처리액과 접촉하고, 당해 처리액을 가열하기 위한 히터로서, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 포함하는 히터와, 상기 히터의 이상을 검출하기 위한 히터 이상 검출 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 당해 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛, 및 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함하는 히터 이상 검출 장치를 포함하는, 처리액 공급 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 발열체의 주위를 피복하고 있는 피막의 파열을 양호한 정밀도로 검지할 수 있으므로, 처리액 공급 장치의 내부에서의 금속 오염을 미연에 방지할 수 있다. 이로써, 처리액 공급 장치로부터 처리부에 대해, 금속 오염이 없는 처리액을 공급할 수 있다.
상기 유통 경로는, 상기 처리부에 공급해야 할 처리액이 저류되는 처리액 탱크와, 상기 처리액 탱크로부터 상기 처리부로 처리액을 유도하는 처리액 배관을 포함하고, 상기 히터는, 상기 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액 중에 침지되고, 당해 처리액을 가열하는 제 1 히터를 포함하고, 상기 접지 유닛은, 상기 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액을 접지하는 제 1 접지 유닛을 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액에 히터가 침지되어 있고, 이 처리액이 제 1 접지 유닛에 의해 접지되어 있다. 전류 계측 유닛에 의해 발열체를 흐르는 전류를 계측하고, 계측한 전류의 변화를 감시함으로써, 피막의 파열을 양호한 정밀도로 검지할 수 있다.
상기 제 1 접지 유닛은, 상기 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액에 접촉하도록 형성된 도전성 부재와, 상기 도전성 부재를 접지하기 위한 제 1 어스선을 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액이, 도전성 부재 및 제 1 어스선에 의해 접지되어 있다. 그 때문에, 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액의 접지를 양호하게 실현할 수 있다.
또, 상기 유통 경로는, 상기 처리부에 공급해야 할 처리액이 저류되는 처리액 탱크와, 상기 처리액 탱크로부터 상기 처리부로 처리액을 유도하는 처리액 배관을 포함하고, 상기 히터는, 상기 처리액 배관에 개재하여 장착되고, 당해 처리액 배관을 유통하는 처리액을 가열하는 제 2 히터를 포함하고, 상기 접지 유닛은, 상기 처리액 배관을 유통하는 처리액을 접지하는 제 2 접지 유닛을 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액 배관을 유통하는 처리액에 히터가 접촉하고 있고, 이 처리액이 제 2 접지 유닛에 의해 접지되어 있다. 전류 계측 유닛에 의해 전열선을 흐르는 전류를 계측하고, 계측한 전류의 변화를 감시함으로써, 피막의 파열을 양호한 정밀도로 검지할 수 있다.
또, 상기 처리액 배관은, 적어도 상기 제 2 히터에 접속되는 부분이, 도전성을 갖는 재료를 사용하여 형성된 도전성 배관에 의해 형성되어 있고, 상기 제 2 접지 유닛은, 상기 도전성 배관을 접지하기 위한 제 2 어스선을 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액 배관을 유통하고 있는 처리액이, 도전성 배관 및 제 2 어스선에 의해 접지되어 있다. 그 때문에, 처리액 배관을 유통하고 있는 처리액의 접지를 양호하게 실현할 수 있다.
또, 이 발명에 관련된 제 3 국면은, 처리 대상에 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 처리부와, 상기 처리부에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치로서, 처리액이 유통되는 유통 경로와, 유통 경로의 내부에 존재하는 처리액과 접촉하고, 당해 처리액을 가열하기 위한 히터로서, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 포함하는 히터와, 상기 히터의 이상을 검출하기 위한 히터 이상 검출 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 당해 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛, 및 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함하는 히터 이상 검출 장치를 포함하는 처리액 공급 장치를 포함하고, 상기 처리부 내에서 상기 처리액 공급 장치로부터 공급되는 처리액을 기판에 공급하여 당해 기판을 처리하는, 기판 처리 시스템을 제공한다.
이 구성에 의하면, 처리액 공급 장치로부터 처리부에 금속 오염이 없는 처리액이 공급되므로, 금속 오염의 발생을 회피하면서, 처리액을 사용한 처리를 기판에 실시할 수 있다.
또, 상기 파열 발생 검지 유닛이 상기 피막의 파열의 발생을 검지한 경우에, 상기 처리액 공급 장치로부터 상기 기판으로의 처리액의 공급을 정지시켜도 된다.
이 구성에 의하면, 피막의 파열의 발생이 검지된 경우에는, 처리액 공급 장치로부터 기판으로의 처리액의 공급이 정지된다. 금속 오염의 우려가 있는 처리액의 공급이 정지되므로, 불량품의 발생을 최소한으로 억제할 수 있다.
본 발명에 있어서의 상기 서술한, 또는 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 명확해진다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템을 수평 방향으로 본 도면이다.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 기판 처리 시스템에 포함되는 약액 탱크의 주위의 구성을 나타내는 도면이다.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 처리액 공급 장치에 탑재되는 히터의 구성을 나타내는 도면이다.
도 4 는, 상기 히터의 이상 검출의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
도 5 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템을 수평 방향으로 본 도면이다.
도 6 은, 도 5 에 나타내는 기판 처리 시스템에 포함되는 가열 유닛의 주위의 구성을 나타내는 도면이다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템 (1) 을 수평 방향으로 본 도면이다. 기판 처리 시스템 (1) 은, 기판 (W) 의 일례로서의 반도체 웨이퍼를 처리하는 처리 유닛 (처리부) (2) 과, 이 처리 유닛 (2) 에 약액을 공급하는 약액 공급 장치 (처리액 공급 장치) 로서의 약액 공급 유닛 (3) 과, 기판 처리 시스템 (1) 에 구비된 장치나 밸브의 개폐를 제어하는 제어 장치 (4) 를 포함한다. 제어 장치 (4) 는, 예를 들어 마이크로 컴퓨터를 사용하여 구성되어 있다. 제어 장치 (4) 는 CPU 등의 연산 유닛, 고정 메모리 디바이스, 하드 디스크 드라이브 등의 기억 유닛, 및 입출력 유닛을 갖고 있다. 기억 유닛에는, 연산 유닛이 실행하는 프로그램이 기억되어 있다. 처리 유닛 (2) 및 약액 공급 유닛 (3) 은, 공통의 장치의 일부여도 되고, 서로 독립된 유닛 (서로 독립적으로 이동시킬 수 있는 유닛) 이어도 된다. 즉, 기판 처리 시스템 (1) 은, 처리 유닛 (2) 및 약액 공급 유닛 (3) 을 포함하는 기판 처리 시스템을 구비하고 있어도 되고, 처리 유닛 (2) 을 포함하는 기판 처리 장치와, 기판 처리 장치로부터 떨어진 위치에 배치된 약액 공급 유닛 (3) 을 구비하고 있어도 된다. 또, 처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식 유닛이어도 되고, 복수 장의 기판 (W) 을 일괄하여 처리하는 배치식의 유닛이어도 된다. 도 1 은, 처리 유닛 (2) 이 매엽식의 유닛인 예를 나타내고 있다. 또, 도 1 에서는 약액 공급 유닛 (3) 이 1 개만 도시되어 있지만, 약종 (藥種) 을 복수 형성하는 경우에는, 그 약종에 따른 개수의 약액 공급 유닛 (3) 을 형성해도 된다.
처리 유닛 (2) 은, 내부 공간을 갖는 박스형의 챔버 (5) 와, 챔버 (5) 내에서 1 장의 기판 (W) 을 수평인 자세로 유지하고, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직의 회전축선 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 스핀 척 (6) 과, 스핀 척 (6) 에 유지되어 있는 기판 (W) 에 약액을 공급하기 위한 약액 노즐 (7) 과, 스핀 척 (6) 에 유지되어 있는 기판 (W) 에 린스액을 공급하기 위한 린스액 노즐 (8) 을 포함한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 약액 노즐 (7) 은, 약액 공급 유닛 (3) 에 접속되어 있다. 약액 노즐 (7) 은, 약액 공급 밸브 (9) 가 개재되어 장착된 약액 공급 배관 (10) 에 접속되어 있다. 약액 공급 배관 (10) 에는, 약액 공급 유닛 (3) 으로부터, 예를 들어 40 ℃ ∼ 70 ℃ 의 범위 내의 일정 온도의 약액이 공급된다.
약액 노즐 (7) 에 공급되는 약액은, 고온 (실온 이상의 온도) 으로 함으로써, 처리 능력이 향상되는 약액이다. 이와 같은 약액으로서, 황산, SC1 (암모니아과산화수소수 혼합액 : ammonia-hydrogen peroxide mixture), SC2 (hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture : 염산과산화수소수) 등을 예시할 수 있다.
린스액 노즐 (8) 은, 린스액 밸브 (11) 가 개재되어 장착된 린스액 배관 (12) 에 접속되어 있다. 린스액 노즐 (8) 에는, 린스액의 일례인 순수 (탈이온수 : Deionzied Water) 가 공급된다. 린스액 노즐 (8) 에 공급되는 린스액은, 순수에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이어도 된다.
스핀 척 (6) 은, 기판 (W) 을 거의 수평으로 유지하여 연직 축선 둘레로 회전 가능한 원판상의 스핀 베이스 (13) 와, 이 스핀 베이스 (13) 를 연직 축선 둘레로 회전시키는, 모터 등의 회전 구동 유닛 (14) 을 포함한다. 약액 노즐 (7) 및 린스액 노즐 (8) 은, 각각, 기판 (W) 상에서의 약액 및 린스액의 착액 위치가 고정된 고정 노즐이어도 되고, 약액 및 린스액의 착액 위치가 기판 (W) 의 회전 중심으로부터 기판 (W) 의 둘레 가장자리에 이르는 범위에서 이동되는 스캔 노즐이어도 된다.
기판 (W) 에 처리가 실시될 때에는, 제어 장치 (4) 는, 스핀 척 (6) 에 의해 기판 (W) 을 수평으로 유지시키면서 이 기판 (W) 을 연직의 축선 둘레로 회전시킨다. 이 상태에서, 제어 장치 (4) 는, 약액 공급 밸브 (9) 를 열어, 약액 노즐 (7) 로부터 기판 (W) 의 상면을 향하여 약액을 토출시킨다. 기판 (W) 에 공급된 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력에 의해 기판 (W) 상을 외방으로 퍼지고, 기판 (W) 의 상면 둘레 가장자리부로부터 기판 (W) 의 주위로 배출된다. 제어 장치 (4) 는, 약액 노즐 (7) 로부터의 약액의 토출을 정지시킨 후, 린스액 밸브 (11) 를 개폐함으로써, 린스액 노즐 (8) 로부터 회전 상태의 기판 (W) 의 상면을 향하여 순수를 토출시킨다. 이로써, 기판 (W) 상의 약액이 순수에 의해 씻겨진다. 그 후, 제어 장치 (4) 는, 스핀 척 (6) 에 의해 기판 (W) 을 고속 회전시킴으로써, 기판 (W) 을 건조시킨다. 이와 같이 하여, 기판 (W) 에 대한 일련의 처리가 실시된다.
약액 공급 유닛 (3) 은, 약액을 저류하는 약액 탱크 (처리액 탱크) (15) 와, 약액 탱크 (15) 내의 약액을 처리 유닛 (2) (약액 노즐 (7)) 으로 안내하는 약액 배관 (처리액 배관) (16) 과, 약액 탱크 (15) 내의 약액을 약액 배관 (16) 으로 이동시키는 송액 장치 (17) 와, 약액 배관 (16) 의 내부를 흐르는 약액을 여과하는 필터 (18) 와, 약액 배관 (16) 을 개폐하는 약액 밸브 (19) 와, 약액 탱크 (15) 에 저류되어 있는 약액 중에 침지되고, 당해 약액을 가열하여 온도 조절하는 제 1 히터 (20) 와, 약액 탱크 (15) 에 저류되어 있는 약액의 온도를 계측하는 온도계 (21) 와, 약액 탱크 (15) 내의 액량을 감시하는 액량 센서 (22) 와, 약액의 신액 (新液) 을 약액 탱크 (15) 에 보충하는 보충 배관 (23) 을 포함한다.
송액 장치 (17) 는, 탱크 내의 액체를 배관 내로 흡인하는 펌프여도 되고, 기체의 공급에 의해 탱크 내의 기압을 상승시킴으로써, 탱크 내의 액체를 배관 내로 이송하는 가압 배관이어도 된다. 도 1 은, 송액 장치 (17) 가 약액 배관 (16) 에 개재되어 장착된 펌프인 예를 나타내고 있다.
약액 배관 (16) 은, 그 일단이 약액 공급 배관 (10) 에 접속되어 있고, 그 타단이 약액 탱크 (15) 에 접속되어 있다. 송액 장치 (17), 필터 (18) 및 약액 밸브 (19) 는, 약액 유통 방향을 따라 약액 배관 (16) 에 이 순서로 개재되어 장착되어 있다.
약액 공급 유닛 (3) 은, 약액 밸브 (19) 보다 약액 유통 방향의 하류측에서, 약액 배관 (16) 과 약액 탱크 (15) 를 접속하는 리턴 배관 (24) 과, 리턴 배관 (24) 을 개폐하기 위한 리턴 밸브 (25) 를 추가로 포함한다. 약액 탱크 (15), 약액 배관 (16), 및 리턴 배관 (24) 에 의해, 약액 탱크 (15) 내의 약액을 순환시키는 순환 경로 (유통 경로) (26) 가 형성되어 있다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 송액 장치 (17) 가 구동되고 있는 상태에 있어서, 약액 밸브 (19) 및 리턴 밸브 (25) 가 열리고, 또한 약액 공급 밸브 (9) 가 닫히면, 약액 탱크 (15) 로부터 퍼내어진 약액이, 필터 (18), 약액 밸브 (19), 리턴 밸브 (25) 및 리턴 배관 (24) 을 통과하여 약액 탱크 (15) 로 귀환한다. 이로써, 약액 탱크 (15) 내의 약액이 순환 경로 (26) 를 순환한다.
이 상태로부터, 리턴 밸브 (25) 가 닫히고 또한 약액 공급 밸브 (9) 가 열리면, 순환 경로 (26) 를 순환하고 있는 약액이, 약액 공급 밸브 (9) 를 통과하여 약액 노즐 (7) 에 공급되고, 약액 노즐 (7) 로부터 약액이 토출된다. 이로써, 기판 (W) 에 약액이 공급되어 약액을 사용하여 기판 (W) 이 처리된다.
도 2 는, 약액 탱크 (15) 의 주위의 구성을 나타내는 도면이다. 도 3 은, 제 1 히터 (20) 의 구성을 나타내는 도면이다.
제 1 히터 (20) 는 시스 히터로서, 그 전체 형상이, 예를 들어 유단의 원환부 (27) 와, 원환부 (27) 의 일단부 및 타단부로부터 상방으로 연장되는 1 쌍의 직선부 (28) 를 포함하는 형상을 이룬다. 도 2 에서는, 설명의 관계상, 직선부 (28) 를 굴곡상으로 그렸다. 제 1 히터 (20) 의 원환부 (27) 의 전체가, 약액 탱크 (15) 에 저류되어 있는 약액에 침지되어 있다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 시스 히터 (제 1 히터 (20)) 는, 전열선 (29) 과, 전열선 (29) 을 피복하는 피막 (30) 을 포함한다. 전열선 (29) 의 재질로서 금속이 채용되어 있다. 이와 같은 금속으로서 Fe, Ni, Al 등을 예시할 수 있다. 또, 피막 (30) 의 재질로서 합성 수지가 사용되고 있다. 이와 같은 수지로서, PTFE (poly tetra-fluoro ethylene), PFA (perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethylene-copolymer) 등의 내약성을 갖는 수지 외에, 염비 (poly-vinyl-chloride) 와 같은 내약성을 갖지 않는 수지를 사용할 수도 있다.
약액 공급 유닛 (3) 은, 추가로, 제 1 히터 (20) 의 전열선 (29) 을 발열시키기 위하여 당해 전열선 (29) 에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛 (31) 을 포함한다.
전력 공급 유닛 (31) 은, 기외 (機外) 의 교류 전원 (32) 에 접속하기 위한 제 1 전원선 (33) 과, 기판 처리 시스템 (1) 외의 교류 전원 (32) 에 접속하기 위한 제 2 전원선 (34) 을 포함한다. 제 1 전원선 (33) 에 전열선 (29) 의 일단 (29a) 이 제 1 단자 (45) 를 통하여 접속되어 있고, 제 2 전원선 (34) 에 전열선 (29) 의 타단 (29b) 이 제 2 단자 (46) 를 통하여 접속되어 있다. 약액 공급 유닛 (3) (또는 기판 처리 시스템 (1)) 의 삽입 플러그 (도시되지 않은) 가 콘센트에 꽂아짐으로써, 제 1 전원선 (33) 및 제 2 전원선 (34) 에 교류 전원 (32) 이 접속된다. 이로써, 전열선 (29) 에 교류 전원 (32) 으로부터의 교류 전압이 부여된다.
약액 공급 유닛 (3) 은, 약액 탱크 (15) 내에 형성되어 있는 제 1 히터 (20) 의 이상을 검출하는 히터 이상 검출 유닛을 추가로 포함한다. 히터 이상 검출 유닛은, 약액 탱크 (15) 에 저류되어 있는 약액을 접지하는 제 1 접지 유닛 (도 2 참조) (35) 과, 제 1 히터 (20) 의 전열선 (29) 을 흐르는 전류를 계측하는 전류계 (전류차 계측 유닛, 전류 계측 유닛) (36) 와, 전류계 (36) 에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 피막 (30) 의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛 (제어 장치 (4) 에 의해 실현) 을 포함한다.
전류계 (36) 로서, 예를 들어, 계측 대상을 내부에 끼우는, 변류기 방식의 가선 전류계 (클램프 미터) 가 채용된다. 전류계 (36) 는, 센서 (39) 와, 센서 (39) 의 검출 출력에 기초하여, 계측 대상의 전류치를 연산에 의해 구하는 연산 회로 (40) 를 포함한다. 센서 (39) 는, 계측 대상을 둘러싸는 원환상의 자기 코어 (41) 와, 자기 코어 (41) 에 권회된 코일 (42) 을 갖는다. 전열선 (29) 의 일단 (29a) 측의 제 1 부분 (43) 과, 전열선 (29) 의 타단 (29b) 측의 제 2 부분 (44) 이 일괄적으로 전류계 (36) 에 의한 계측 대상이 된다. 요컨대, 전열선 (29) 의 제 1 부분 (43) 및 제 2 부분 (44) 의 쌍방이, 전류계 (36) 의 자기 코어 (41) 에 의해 둘러싸인다. 연산 회로 (40) 에 의해 구해진 전류치가 제어 장치 (4) 에 부여되게 되어 있다. 가선 전류계로 이루어지는 전류계 (36) 에 의해, 전열선 (29) 의 제 1 부분 (43) 및 제 2 부분 (44) 을 흐르는 전류를, 당해 전류에 의한 자계를 계측함으로써 간접적으로 계측한다. 전류계 (36) 는, 전열선 (29) 에 직접 닿지 않고 전류를 계측한다. 그 때문에, 전류의 계측이 안전하게 실시된다.
제 1 접지 유닛 (35) 은, 약액 탱크 (15) 에 저류되어 있는 약액에 하단 (37b) 이 접촉하도록 형성된, 예를 들어 막대상의 도전성 부재 (37) 와, 도전성 부재 (37) 의 상단 (37a) 에 접속되고, 당해 상단 (37a) 을 접지하는 제 1 어스선 (38) 을 포함한다. 도전성 부재 (37) 및 제 1 어스선 (38) 에 의해, 약액 탱크 (15) 에 저류되어 있는 약액이 접지되어 있으므로, 피막 (30) 에 있어서 파열이 발생한 경우에는, 피막 (30) 의 파열에 의해 노출된 전열선 (29) 으로부터 약액 중에 전류가 누설되고, 약액 중에 누설 전류가 흐른다. 그 때문에, 피막 (30) 에 파열이 발생하지 않은 경우와 비교하여, 전열선 (29) 을 흐르는 전류의 크기가 변화된다. 이 때, 전류계 (36) 에 의해 전열선 (29) 의 전류를 계측함으로써, 전열선 (29) 을 피복하고 있는 피막 (30) 의 파열을 검지할 수 있다. 즉, 제 1 히터 (20) 의 이상을 검출할 수 있다.
도 4 는, 제 1 히터 (20) 의 이상 검출의 흐름을 나타내는 플로 차트이다.
제어 장치 (4) 는, 전류계 (36) 로부터 부여되는 전류치 (계측 전류치) 를 감시하고 있다 (스텝 S1). 전력 공급 유닛 (31) 에서는, 제 1 및 제 2 부분 (43, 44) 의 일방을 통하여 전열선 (29) 으로 유입되는 전류가, 제 1 및 제 2 부분 (43, 44) 의 타방으로부터 유출되므로, 제 1 부분 (43) 을 흐르는 전류와 제 2 부분 (44) 을 흐르는 전류가 상쇄된다. 피막 (30) 에 파열이 발생하지 않은 경우에는, 전류계 (36) 의 계측치 (즉, 제 1 부분 (43) 을 흐르는 전류와 제 2 부분 (44) 을 흐르는 전류의 차) 는 대략 영이다. 한편, 피막 (30) 에 파열이 발생한 경우에는, 처리액 중에 누설 전류가 흐르기 때문에, 전류계 (36) 의 계측치는 대략 영은 되지 않는다. 이 실시형태에서는, 계측 전류치의 임계치 (예를 들어 1.0 ㎃) 가 미리 정해져 있다.
제어 장치 (4) 는, 계측 전류치가 소정의 임계치 (예를 들어 1.0 ㎃) 를 초과하면 (스텝 S2 에서 예), 피막 (30) 의 파열이 발생한 것으로 하여, 에러 처리를 실시한다 (스텝 S3). 에러 처리로서 예를 들어, 약액 공급 밸브 (9) 가 정지된다. 이로써, 약액 공급 유닛 (3) 으로부터 처리 유닛 (2) 으로의 약액의 공급이 정지된다.
이상에 의해, 이 실시형태에 의하면, 약액 탱크 (15) 에 저류되어 있는 약액에 제 1 히터 (20) 가 침지되어 있고, 이 약액이 도전성 부재 (37) 및 제 1 어스선 (38) 을 통하여 접지되어 있다. 그 때문에, 제 1 히터 (20) 의 피막 (30) 에 파열이 발생한 경우에는 약액 중에 누설 전류가 흐르고, 피막 (30) 에 파열이 발생하지 않은 경우와 비교하여, 전열선 (29) 을 흐르는 전류의 크기가 변화한다. 따라서, 전류계 (36) 에 의해 전열선 (29) 을 흐르는 전류를 계측하고, 계측한 전류의 변화를 감시함으로써, 피막 (30) 의 파열을 검지할 수 있다 (제 1 히터 (20) 의 이상을 검출할 수 있다). 미소한 전류의 변화에 기초하여 피막 (30) 의 파열을 검지 가능하기 때문에, 피막 (30) 의 파열의 판단 기준이 되는 전류 임계치를 낮게 (예를 들어, 수 ㎃) 설정해 둠으로써, 피막 (30) 의 파열을 양호한 정밀도로 검출할 수 있고, 따라서, 피막 (30) 의 파열을 조기에 (피막 (30) 의 파열이 작은 단계에서) 발견하는 것이 가능하다. 이로써, 약액 공급 유닛 (3) 의 내부에서의 금속 오염을 미연에 방지할 수 있고, 약액 공급 유닛 (3) 으로부터 처리 유닛 (2) 에 대해, 금속 오염이 없는 약액을 공급할 수 있다. 그러므로, 금속 오염의 발생을 회피하면서, 약액 처리를 기판 (W) 에 실시할 수 있는 기판 처리 시스템 (1) 을 제공할 수 있다.
또, 전류계 (36) 에 의해, 제 1 부분 (43) 을 흐르는 전류와 제 2 부분 (44) 을 흐르는 전류의 차를 계측하고, 계측치 (전류의 차) 가 소정의 임계치를 초과하는 경우에 피막 (30) 의 파열의 발생이 있는 것으로 판단한다. 그 때문에, 정밀도가 높은 피막 (30) 의 파열의 검출을 간편하게 실시할 수 있다. 특히, 제 1 및 제 2 부분 (43, 44) 을 흐르는 전류를, 가선 전류계로 이루어지는 전류계 (36) 로 일괄적으로 계측하므로, 제 1 및 제 2 부분 (43, 44) 을 흐르는 전류를 개별적으로 계측하는 경우와 비교하여 오차의 영향을 줄일 수 있기 때문에, 피막 (30) 의 파열을, 한층 더 양호한 정밀도로 검지할 수 있다.
또, 피막 (30) 의 파열의 발생이 검지된 경우에는, 약액 공급 유닛 (3) 으로부터 처리 유닛 (2) 으로의 약액의 공급이 정지된다. 금속 오염의 우려가 있는 약액의 처리 유닛 (2) 으로의 공급이 정지되므로, 불량품의 발생을 최소한으로 억제할 수 있다.
도 5 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템 (201) 을 수평 방향으로 본 도면이다. 제 2 실시형태에 있어서, 제 1 실시형태에 나타낸 각 부에 대응하는 부분에는, 도 1 ∼ 도 4 의 경우와 동일한 참조 부호를 부여하여 나타내고, 설명을 생략한다.
제 2 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템 (201) 이, 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 시스템 (1) 과 상이한 점은, 약액 탱크의 내부에 히터를 형성하는 것이 아니라, 약액 배관 (처리액 배관) (202) 의 도중부에, 제 2 히터 (203) 를 포함하는 가열 유닛 (208) 을 개재하여 장착한 점에 있다.
기판 처리 시스템 (201) 은, 처리 유닛 (2) 과, 이 처리 유닛 (2) 에 약액을 공급하는 약액 공급 장치 (처리액 공급 장치) 로서의 약액 공급 유닛 (204) 과, 제어 장치 (4) 를 포함한다.
약액 공급 유닛 (204) 은, 약액을 저류하는 약액 탱크 (처리액 탱크) (205) 와, 약액 탱크 (205) 내의 약액을 처리 유닛 (2) (약액 노즐 (7)) 으로 안내하는 약액 배관 (처리액 배관) (202) 과, 송액 장치 (17) 와, 약액 배관 (202) 의 내부를 유통하는 약액과 접촉하고, 당해 약액을 가열하여 온도 조절하는 가열 유닛 (208) 과, 필터 (18) 와, 약액 밸브 (19) 와, 온도계 (21) 와, 액량 센서 (22) 와, 보충 배관 (23) 과, 리턴 배관 (24) 과, 리턴 밸브 (25) 와, 가열 유닛 (208) 에 포함되는 제 2 히터 (203) 의 이상을 검출하는 히터 이상 검출 유닛을 포함한다. 약액 탱크 (205) 에 저류되어 있는 약액에는, 히터는 침지되어 있지 않다. 약액 배관 (202) 은, 그 일단이 약액 공급 배관 (10) 에 접속되어 있고, 그 타단이 약액 탱크 (205) 에 접속되어 있다. 약액 배관 (202) 에는, 송액 장치 (17), 가열 유닛 (208), 필터 (18) 및 약액 밸브 (19) 가, 약액 유통 방향을 따라 이 순서로 개재되어 장착되어 있다. 약액 밸브 (19) 는 약액 배관 (202) 을 개폐한다. 온도계 (21) 는, 약액 탱크 (205) 에 저류되어 있는 약액의 온도를 계측한다. 액량 센서 (22) 는, 약액 탱크 (205) 내의 액량을 감시한다. 보충 배관 (23) 은, 약액의 신액을 약액 탱크 (205) 에 보충한다. 리턴 배관 (24) 은, 약액 밸브 (19) 보다 약액 유통 방향의 하류측에서, 약액 배관 (202) 과 약액 탱크 (205) 를 접속한다. 약액 탱크 (205), 약액 배관 (202), 및 리턴 배관 (24) 에 의해 약액 탱크 (205) 내의 약액을 순환시키는 순환 경로 (유통 경로) (207) 가 형성되어 있다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 가열 유닛 (208) 은, 원통상의 케이싱 (209) 과 제 2 히터 (203) 를 포함한다. 케이싱 (209) 의 내부가, 약액 배관 (202) 의 내부와 연통되어 있다. 케이싱 (209) 의 길이 방향의 상류측 단부에는 유입구 (210) 가 형성되어 있다. 유입구 (210) 에는, 약액 배관 (202) 의 상류측 부분으로서의 제 1 배관 (도전성 배관) (211) 이 접속되어 있다. 케이싱 (209) 의 길이 방향의 하류측 단부에는 유출구 (212) 가 형성되어 있다. 유출구 (212) 에는, 약액 배관 (202) 의 하류측 부분으로서의 제 2 배관 (도전성 배관) (213) 이 접속되어 있다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 히터 (203) 는 시스 히터로서, 그 전체 형상이, 예를 들어 유단의 원환부 (214) 와, 원환부 (214) 의 일단부 및 타단부로부터 직선상으로 연장되는 1 쌍의 직선부 (215) 를 포함하는 형상을 이룬다. 도 6 에서는, 설명의 관계상, 직선부 (215) 를 굴곡상으로 그렸다. 제 2 히터 (203) 의 원환부 (214) 의 전체가, 케이싱 (209) 의 내부 공간에 수용되어 있다. 직선부 (215) 의 양단은, 케이싱 (209) 밖으로 꺼내어져 있다. 도 3 에 나타내는 바와 같이, 시스 히터 (제 2 히터 (203)) 는, 전열선 (216) 과 피막 (217) 을 포함한다. 전열선 (216) 은, 제 1 실시형태에 관련된 전열선 (29) 과 동등한 구성이다. 피막 (217) 은, 제 1 실시형태에 관련된 피막 (30) 과 동등한 구성이다. 전열선 (216) 의 일단 (216a) 이 제 3 단자 (218) 를 통하여 제 1 전원선 (33) 에 접속되어 있고, 전열선 (216) 의 타단 (216b) 이 제 4 단자 (220) 를 통하여 제 2 전원선 (34) 에 접속되어 있다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 히터 이상 검출 유닛은, 가열 유닛 (208) 의 케이싱 (209) 내를 흐르고 있는 약액을 접지하는 제 2 접지 유닛 (222) 과, 전류계 (36) 와, 전류계 (36) 에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 피막 (217) 의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛 (제어 장치 (4) 에 의해 실현) 을 포함한다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 전열선 (216) 의 일단 (216a) 측의 제 3 부분 (223) 과, 전열선 (216) 의 타단 (216b) 측의 제 4 부분 (224) 이 일괄적으로, 전류계 (36) 에 의한 계측 대상이 된다. 요컨대, 전열선 (216) 의 제 3 부분 (223) 및 제 4 부분 (224) 의 쌍방이, 전류계 (36) 의 자기 코어 (41) 에 의해 둘러싸인다. 연산 회로 (40) 에 의해 구해진 전류치가 제어 장치 (4) 에 부여되게 되어 있다. 가선 전류계로 이루어지는 전류계 (36) 에 의해, 전열선 (216) 의 제 3 부분 (223) 및 제 4 부분 (224) 을 흐르는 전류를, 당해 전류에 의한 자계를 계측함으로써 간접적으로 계측한다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 제 2 접지 유닛 (222) 은, 제 1 및 제 2 배관 (211, 213) 의 각각에, 외주에 밀착 상태로 외측으로부터 끼워진 통상 (筒狀) 의 도전 밴드 (225) 와, 도전 밴드 (225) 에 접속되어, 당해 도전 밴드 (225) 를 접지하는 제 2 어스선 (226) 을 포함한다.
각 도전 밴드 (225) 및 제 2 어스선 (226) 에 의해, 가열 유닛 (208) 의 케이싱 (209) 의 내부를 유통하고 있는 약액이 접지되어 있으므로, 피막 (217) 에 있어서 파열이 발생한 경우에는, 피막 (217) 의 파열에 의해 노출된 전열선 (216) 으로부터 약액 중에 전류가 누설되고, 약액 중에 누설 전류가 흐른다. 그 때문에, 피막 (217) 에 파열이 발생하지 않은 경우와 비교하여, 전열선 (216) 을 흐르는 전류의 크기가 변화한다. 전류계 (36) 에 의해 전열선 (216) 의 전류를 계측함으로써, 전열선 (216) 을 피복하고 있는 피막 (217) 의 파열을 검지할 수 있다. 즉, 제 2 히터 (203) 의 이상을 검출할 수 있다.
제어 장치 (4) 는, 전류계 (36) 로부터 부여되는 전류치 (계측 전류치) 를 감시하고 있다. 제어 장치 (4) 는, 계측 전류치가 소정의 임계치 (예를 들어 1.0 ㎃) 를 초과하면, 피막 (217) 의 파열이 발생한 것으로 하여 에러 처리를 실시한다. 에러 처리로서 예를 들어, 약액 공급 밸브 (9) 가 정지된다. 이로써, 약액 공급 유닛 (204) 으로부터 처리 유닛 (2) 으로의 약액의 공급이 정지된다.
제 2 실시형태에 의하면, 가열 유닛 (208) 의 케이싱 (209) 의 내부를 유통하고 있는 약액이 제 2 히터 (203) 에 접촉되어 있고, 이 약액이, 도전성의 제 1 및 제 2 배관 (211, 213), 도전 밴드 (225) 그리고 제 2 어스선 (226) 을 통하여 접지되어 있다. 그 때문에, 제 2 히터 (203) 의 피막 (217) 에 파열이 발생한 경우에는 약액 중에 누설 전류가 흐르고, 피막 (217) 에 파열이 발생하지 않은 경우와 비교하여, 전열선 (216) 을 흐르는 전류의 크기가 변화한다. 따라서, 전류계 (36) 에 의해 전열선 (216) 을 흐르는 전류를 계측하고, 계측한 전류의 변화를 감시함으로써, 피막 (217) 의 파열을 검지할 수 있다 (제 2 히터 (203) 의 이상을 검출할 수 있다). 미소한 전류의 변화에 기초하여 피막 (217) 의 파열을 검지 가능하기 때문에, 피막 (217) 의 파열의 판단 기준이 되는 전류 임계치를 낮게 (예를 들어 수 ㎃) 설정해 둠으로써, 피막 (217) 의 파열을 양호한 정밀도로 검출할 수 있고, 따라서, 피막 (217) 의 파열을 조기에 (피막 (217) 의 파열이 작은 단계에서) 발견하는 것이 가능하다. 이로써, 약액 공급 유닛 (204) 의 내부에서의 금속 오염을 미연에 방지할 수 있고, 약액 공급 유닛 (204) 으로부터 처리 유닛 (2) 에 대해, 금속 오염이 없는 약액을 공급할 수 있다. 그러므로, 금속 오염의 발생을 회피하면서, 약액 처리를 기판 (W) 에 실시할 수 있는 기판 처리 시스템 (201) 을 제공할 수 있다.
또, 전류계 (36) 에 의해, 제 3 부분 (223) 을 흐르는 전류와 제 4 부분 (224) 을 흐르는 전류의 차를 계측하고, 계측치 (전류의 차) 가 소정의 임계치를 초과하는 경우에 피막 (217) 의 파열의 발생이 있는 것으로 판단한다. 그 때문에, 정밀도가 높은 피막 (217) 의 파열의 검출을 간편하게 실시할 수 있다. 특히, 제 3 및 제 4 부분 (223, 224) 을 흐르는 전류를, 가선 전류계로 이루어지는 전류계 (36) 로 일괄적으로 계측하므로, 제 3 및 제 4 부분 (223, 224) 을 흐르는 전류를 개별적으로 계측하는 경우와 비교하여 오차의 영향을 줄일 수 있기 때문에, 피막 (217) 의 파열을, 한층 더 양호한 정밀도로 검지할 수 있다.
또, 피막 (217) 의 파열의 발생이 검지된 경우에는, 약액 공급 유닛 (204) 으로부터 처리 유닛 (2) 으로의 약액의 공급이 정지된다. 금속 오염의 우려가 있는 약액의 처리 유닛 (2) 으로의 공급이 정지되므로, 불량품의 발생을 최소한으로 억제할 수 있다.
이상, 이 발명의 2 개의 실시형태에 대해 설명했지만, 이 발명은, 또 다른 형태로 실시할 수도 있다.
예를 들어, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 가선 전류계의 전류계 (36) 를 사용하여, 제 1 부분 (43) (제 3 부분 (223)) 및 제 2 부분 (44) (제 4 부분 (224)) 을 흐르는 전류의 차를 일괄적으로 계측하는 것을 예로 들어 설명했지만, 제 1 부분 (43) (제 3 부분 (223)) 을 흐르는 전류와 제 2 부분 (44) (제 4 부분 (224)) 을 흐르는 전류를 개별적으로 계측하고, 그 계측 결과에 기초하여, 제 1 부분 (43) (제 3 부분 (223)) 및 제 2 부분 (44) (제 4 부분 (224)) 을 흐르는 전류의 차를 연산에 의해 구하도록 해도 된다.
가선 전류계의 전류계 (36) 로서 변류기 방식 외에, 홀 소자 방식이나 플럭스 게이트 방식을 채용해도 된다.
또, 전류계 (36) 로서, 가선 전류계 이외의 전류계가 채용되어도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 교류 전원으로서, 시스템 외의 교류 전원 (32) 을 사용하는 것으로 하여 설명했지만, 기판 처리 시스템 (1, 201) 에, 히터 (20, 203) 로의 전력 공급을 위한 전용의 교류 전원이 형성되어 있어도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 피막 (30, 217) 의 파열의 발생이 검지된 경우에, 약액 공급 밸브 (9) 가 정지되고, 약액 공급 유닛 (3, 204) 으로부터 처리 유닛 (2) 으로의 약액의 공급이 정지되는 것으로 하여 설명하였다. 그러나, 피막 (30, 217) 의 파열의 발생이 검지된 경우에, 제어 장치 (4) 는, 히터 (20, 203) 로의 급전을 정지시키도록 해도 되고, 또, 약액 공급 유닛 (3) 의 전원을 오프로 해도 되고, 기판 처리 시스템 (1, 201) 전체의 전원을 오프로 해도 된다.
또, 각 실시형태에서는, 히터 (20, 203) 가 원환부 (27, 214) 를 구비한 형상인 것으로 하여 설명했지만, 히터 (20, 203) 가 다른 형태를 갖고 있어도 된다.
또, 히터 (20, 203) 를, 전열선 (29, 216) 을 피막 (30, 217) 으로 피복한 것으로 하여 설명했지만, 예를 들어 판상이나 막대상의 발열체의 주위를, 수지제 피막 (피막 (30, 217) 과 동등) 으로 피복하도록 해도 된다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에 있어서, 제 1 배관 (211) 및 제 2 배관 (213) 의 쌍방이 도전성 배관인 것이 바람직하지만, 적어도 일방의 배관이 도전성 배관이면 충분하다. 또, 약액 배관 (202) 의 제 1 배관 (211) 및 제 2 배관 (213) 이외의 부분은, 도전성 배관이어도 되고, 그 밖의 배관이어도 된다.
또, 본 발명의 이상 검출 장치는, 히터 (20, 203) 에 의해 약액을 가열하는 경우뿐만 아니라, 히터 (20, 203) 에 의해 물을 가열하는 경우에도 적용할 수 있다. 이 경우의 물은, 순수 (탈이온수 : Deionzied Water), 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 적어도 하나를 포함한다.
또, 상기 서술한 각 실시형태에서는, 기판 처리 시스템 (1, 201) 이 원판상의 기판 (W) 을 처리하는 시스템인 경우에 대해 설명했지만, 기판 처리 시스템 (1, 201) 이, 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 다각형의 기판을 처리하는 시스템이어도 된다.
또, 상기 서술한 실시형태에서는, 처리 대상이 되는 기판으로서 기판 (W) 을 채택했지만, 기판 (W) 에 한정하지 않고, 예를 들어, 액정 표시 장치용 유리 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등의 다른 종류의 기판이 처리 대상이 되어도 된다.
본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명해왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위하여 사용된 구체예에 지나지 않고, 본 발명은 이들 구체예에 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니며, 본 발명의 범위는 첨부된 청구의 범위에 의해서만 한정된다.
이 출원은, 2015년 2월 26일에 일본 특허청에 제출된 일본 특허출원 2015-37240호에 대응하고 있고, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 삽입되는 것으로 한다.

Claims (11)

  1. 처리 대상에 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 처리부에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치로서,
    처리액이 유통되는 유통 경로와,
    유통 경로의 내부에 존재하는 처리액과 접촉하고, 상기 처리액을 가열하기 위한 히터로서, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 포함하는 히터와,
    상기 히터의 이상을 검출하기 위한 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 상기 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛, 및 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함하는 히터 이상 검출 장치를 포함하는, 처리액 공급 장치.
  2. 처리 대상에 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 처리부에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치로서,
    처리액이 유통되는 유통 경로와,
    유통 경로의 내부에 존재하는 처리액과 접촉하고, 상기 처리액을 가열하기 위한 히터로서, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 포함하는 히터와,
    상기 히터의 이상을 검출하기 위한 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 상기 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛, 및 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함하는 히터 이상 검출 장치를 포함하고,
    상기 유통 경로는, 상기 처리부에 공급해야 할 처리액이 저류되는 처리액 탱크와, 상기 처리액 탱크로부터 상기 처리부로 처리액을 유도하는 처리액 배관을 포함하고,
    상기 히터는, 상기 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액 중에 침지되고, 상기 처리액을 가열하는 제 1 히터를 포함하고,
    상기 접지 유닛은, 상기 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액을 접지하는 제 1 접지 유닛을 포함하고,
    상기 제 1 접지 유닛은,
    상기 처리액 탱크에 저류되어 있는 처리액에 접촉하도록 형성된 도전성 부재와,
    상기 도전성 부재를 접지하기 위한 제 1 어스선을 포함하는, 처리액 공급 장치.
  3. 처리 대상에 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 처리부에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치로서,
    처리액이 유통되는 유통 경로와,
    유통 경로의 내부에 존재하는 처리액과 접촉하고, 상기 처리액을 가열하기 위한 히터로서, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 포함하는 히터와,
    상기 히터의 이상을 검출하기 위한 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 상기 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛, 및 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함하는 히터 이상 검출 장치를 포함하고,
    상기 유통 경로는, 상기 처리부에 공급해야 할 처리액이 저류되는 처리액 탱크와, 상기 처리액 탱크로부터 상기 처리부로 처리액을 유도하는 처리액 배관을 포함하고,
    상기 히터는, 상기 처리액 배관에 개재하여 장착되고, 상기 처리액 배관을 유통하는 처리액을 가열하는 제 2 히터를 포함하고,
    상기 접지 유닛은, 상기 처리액 배관을 유통하는 처리액을 접지하는 제 2 접지 유닛을 포함하고,
    상기 처리액 배관은, 적어도 상기 제 2 히터에 접속되는 부분이, 도전성을 갖는 재료를 사용하여 형성된 도전성 배관에 의해 형성되어 있고,
    상기 제 2 접지 유닛은, 상기 도전성 배관을 접지하기 위한 제 2 어스선을 포함하는, 처리액 공급 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제 2 접지 유닛은, 상기 도전성 배관에 외주에 밀착 상태로 외측으로부터 끼워진 통상의 도전 밴드를 추가로 포함하고,
    상기 제 2 어스선은, 상기 도전 밴드에 접속되고, 상기 도전 밴드를 개재하여 상기 제 2 어스선을 접지하는, 처리액 공급 장치.
  5. 처리 대상에 처리액에 의한 처리를 실시하기 위한 처리부와,
    상기 처리부에 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치로서,
    처리액이 유통되는 유통 경로와,
    유통 경로의 내부에 존재하는 처리액과 접촉하고, 상기 처리액을 가열하기 위한 히터로서, 금속제의 발열체와, 상기 발열체의 주위를 피복하는 수지제의 피막을 포함하는 히터와,
    상기 히터의 이상을 검출하기 위한 장치로서, 상기 히터에 접하고 있는 처리액을 접지하는 접지 유닛, 상기 발열체를 발열시키기 위하여 상기 발열체에 전력을 공급하는 전력 공급 유닛, 상기 발열체를 흐르는 전류를 계측하는 전류 계측 유닛, 및 상기 전류 계측 유닛에 의해 검출된 전류의 크기에 기초하여, 상기 피막의 파열의 발생을 검지하는 파열 발생 검지 유닛을 포함하는 히터 이상 검출 장치를 포함하는,
    상기 처리액 공급 장치를 포함하고,
    상기 처리부 내에서 상기 처리액 공급 장치로부터 공급되는 처리액을 기판에 공급하여 상기 기판을 처리하는, 기판 처리 시스템.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017067761A (ja) * 2015-10-01 2017-04-06 株式会社デンソー 異常兆候診断装置
CN107765066B (zh) * 2017-09-12 2021-07-06 国网浙江义乌市供电公司 一种长杆式钳型电流表及其电路分析方法
JP7327357B2 (ja) * 2020-11-11 2023-08-16 ウシオ電機株式会社 ホイルトラップカバー装置およびデブリ低減装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62169415A (ja) * 1986-01-22 1987-07-25 Rohm Co Ltd 洗浄装置
JPH1070101A (ja) * 1996-08-27 1998-03-10 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法ならびに製造装置、洗浄方法ならびに洗浄装置、加工装置、流体混合用配管、および、洗浄用液体供給部材
JP3812701B2 (ja) * 1997-04-17 2006-08-23 三菱電機株式会社 零相変流器
US20040226506A1 (en) * 2003-05-14 2004-11-18 Lynn David Mark Coated wafer processing equipment
JP2006165200A (ja) * 2004-12-06 2006-06-22 Kokusai Electric Semiconductor Service Inc 半導体製造装置における抵抗加熱ヒータの抵抗値検出装置、半導体製造装置における抵抗加熱ヒータの劣化診断装置及びネットワークシステム
JP2007049022A (ja) * 2005-08-11 2007-02-22 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法及びその装置
JP2009268206A (ja) * 2008-04-23 2009-11-12 Sanken Electric Co Ltd 交流電源装置
WO2012165174A1 (ja) * 2011-06-01 2012-12-06 シャープ株式会社 抵抗加熱ヒータの劣化検出装置および方法
JP5954096B2 (ja) * 2012-10-11 2016-07-20 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
CN104833090A (zh) * 2013-08-27 2015-08-12 施吉承 一种水槽

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