TWI595243B - 處理液供給裝置及基板處理系統 - Google Patents

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TWI595243B
TWI595243B TW105105625A TW105105625A TWI595243B TW I595243 B TWI595243 B TW I595243B TW 105105625 A TW105105625 A TW 105105625A TW 105105625 A TW105105625 A TW 105105625A TW I595243 B TWI595243 B TW I595243B
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中島章宏
澤島隼
小林健司
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思可林集團股份有限公司
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Description

處理液供給裝置及基板處理系統
本發明係關於用以檢測加熱器之異常的加熱器異常檢測裝置、用以供給處理液之處理液供給裝置、及使用處理液來對基板進行處理之基板處理系統。作為處理對象之基板的例子，包含半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED；Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置或液晶顯示裝置等之製造步驟中，使用利用處理液來對半導體晶圓或液晶顯示裝置用玻璃基板等之基板進行處理的基板處理系統。在如此之基板處理系統中，有別於對基板施以處理之處理部，另具備有用以對處理部供給藥液之藥液供給單元。藥液供給裝置係將經調節至既定溫度之藥液供給至處理部。
例如，於日本專利特開2010-232520號公報所記載之基板處理裝置(基板處理系統)中所具備的藥液櫃(藥液供給裝置)，其具備有：藥液槽，其貯存被供給至處理部之藥液；藥液循環路徑，其供藥液槽內之藥液流通；及加熱器，其係配置於藥液循環路徑。
如此之藥液加熱用之加熱器，包含有電熱線及包覆電熱線之樹脂製的被覆膜。加熱器直接與流動在流通路徑之處理液(藥液)接觸，而對該處理液進行加熱。
然而，由於加熱器之異常過熱及靜電的產生、以及被覆膜會隨時間經過而劣化等，因此存在有包覆發熱體(電熱線)之周圍的被覆膜發生破損之情形。於該情形時，會從發熱體中，因被覆膜之破損而導致電熱線外露之部分溶出金屬，使處理液供給單元(藥液供給單元)內之處理液受到金屬污染。而且，受到金屬污染之處理液自處理液供給單元被供給至處理部的結果，存在有使處理對象之基板發生金屬污染之可能性。
由於未設置檢測加熱器之被覆膜破損的裝置，因此，難以偵測出如上述之被覆膜的破損。尤其，在被覆膜之破損較小(形成孔)之情形時，因為不會對基板處理系統之作動狀態造成影響，因此更難以偵測出如上述之被覆膜的破損。
有鑑於此，本發明之一目的係提供一種加熱器異常檢測裝置，其可精準度良好地偵測出包覆發熱體之周圍之被覆膜的破損。
又，本發明另一目的係提供一種處理液供給裝置，其可供給無金屬污染之處理液。
又，本發明又一目的係提供一種基板處理系統，其可一邊避免金屬污染之發生，一邊對基板施行使用處理液之處理。
本發明之第1態樣係提供一種加熱器異常檢測裝置，係用以檢測加熱器之異常的裝置，該加熱器具有金屬製之發熱體、 及包覆上述發熱體之周圍的樹脂製之被覆膜，且承接處理液而對該處理液進行加熱，上述加熱器異常檢測裝置包含有：接地單元，其將接觸於上述加熱器之處理液接地；電力供給單元，其為了使上述發熱體發熱，而對該發熱體供給電力；電流測量單元，其對流動於上述發熱體之電流進行測量；以及破損發生偵測單元，其根據藉由上述電流測量單元所檢測出電流的大小，而對上述被覆膜之破損的發生進行偵測。
根據該構成，由於使接觸於加熱器之處理液接地，因此在被覆膜中發生破損之情形時，電流會從因被覆膜之破損而導致電熱線外露之發熱體漏出至藥液中，而於藥液中流動有漏電流。因此，相較於被覆膜未發生破損之情形，流動於發熱體之電流的大小會產生變化。所以，藉由電流測量單元對流動於發熱體之電流進行測量，而監視測量到之電流之變化，藉此可偵測出被覆膜之破損。藉此，可精準度良好地偵測包覆發熱體之周圍之被覆膜的破損。
在本發明一實施形態中，如第1態樣所記載之加熱器異常檢測裝置，上述電源供給單元包含有被連接於交流電源之第1電源線、及被連接於交流電源且不同於上述第1電源線之第2電源線，上述發熱體包含有端之電熱線，而上述電熱線之一端被連接於上述第1電源線，且上述電熱線之另一端被連接於上述第2電源線，上述電流測量單元包含有電流差測量單元，其測量流動於上述電熱線之上述一端側之第1部分之電流與流動於上述電熱線之上述另一端側之第2部分之電流的差。
根據該構成，經由第1及第2部分之一者流入電熱線之電流，係自第1及第2部分之另一者流出。因此，流動於第1部 分之電流與流動於第2部分之電流會相互抵銷。於被覆膜未發生破損之情形時，流動於第1部分之電流與流動於第2部分之電流的差為零。另一方面，於被覆膜發生破損之情形時，由於在處理液中有漏電流流動，因此，流動於第1部分之電流與流動於第2部分之電流的差不會為零。亦即，可根據該電流之差不為零，而偵測出被覆膜之破損。藉此，可精準度更良好地偵測被覆膜之破損。
又，上述電流差測量單元亦可包含鉗形電流計。
根據該構成，藉由以鉗形電流計來測量因電流所產生之磁場，可間接地測量流動於電熱線之電流。由於不直接接觸電熱線就可測量電流，因此可安全地進行電流之測量。
又，上述鉗形電流計亦可一併測量流動於上述第1部分及上述第2部分之電流。
根據該構成，因為藉由鉗形電流計一併測量流動於第1部分及第2部分之電流，所以相較於個別地測量流動於第1部分及第2部分之電流之情形，可減少電流之測量誤差的影響。藉此，可精準度更良好地偵測被覆膜之破損。
又，本發明之第2態樣係提供一種處理液供給裝置，用以對用來對處理對象施行藉由處理液所進行之處理的處理部供給處理液，其包含：供處理液流通之流通路徑；加熱器，係與存在於流通路徑之內部的處理液接觸，用以對該處理液進行加熱者，且包含有金屬製之發熱體、及包覆上述發熱體之周圍之樹脂製的被覆膜；以及加熱器異常檢測裝置，係用以檢測上述加熱器之異常的裝置，且包含有：接地單元，其將接觸於上述加熱器之處理液接地；電力供給單元，其為了使上述發熱體發熱，而對該發熱體供給電 力；電流測量單元，其對流動於上述發熱體之電流進行測量；以及破損發生偵測單元，其根據藉由上述電流測量單元所檢測出電流的大小，而對上述被覆膜之破損的發生進行偵測。
根據該構成，因為可精準度良好地偵測包覆發熱體之周圍之被覆膜的破損，所以可防止在處理液供給裝置之內部的金屬污染於未然。藉此，自處理液供給裝置，可對處理部供給無金屬污染之處理液。
上述流通路徑亦可包含有：處理液槽，其貯存有應供給至上述處理部之處理液；及處理液配管，其自上述處理液槽朝上述處理部導引處理液；上述加熱器包含有第1加熱器，該第1加熱器係浸漬在被貯存於上述處理液槽之處理液中，而對該處理液進行加熱，上述接地單元包含有將被貯存於上述處理液槽之處理液接地之第1接地單元。
根據該構成，加熱器係浸漬在被貯存於處理液槽之處理液，且該處理液係藉由第1接地單元接地。藉由電流測量單元對流動於發熱體之電流進行測量，並監視測量到之電流之變化，藉此可精準度良好地偵測被覆膜之破損。
上述第1接地單元亦可包含有：導電性構件，其係以接觸於被貯存在上述處理液槽之處理液之方式所設置；及第1接地線，其用以將上述導電性構件接地。
根據該構成，被貯存於處理液槽之處理液，係藉由導電性構件及第1接地線接地。因此，可良好地實現被貯存於處理液槽之處理液的接地。
又，上述流通路徑亦可包含有：處理液槽，其貯存有 應供給至上述處理部之處理液；及處理液配管，其自上述處理液槽朝上述處理部導引處理液；上述加熱器包含有第2加熱器，該第2加熱器係介設於上述處理液配管，而對流通於該處理液配管之處理液進行加熱，上述接地單元包含有將流通於上述處理液配管之處理液接地之第2接地單元。
根據該構成，加熱器與流通於處理液配管之處理液接觸，且該處理液係藉由第2接地單元接地。藉由電流測量單元對流動於電熱線之電流進行測量，並監視測量到之電流之變化，藉此可精準度良好地偵測被覆膜之破損。
又，上述處理液配管亦可構成為至少被連接於上述第2加熱器之部分，係藉由使用具有導電性之材料而形成之導電性配管所設置，上述第2接地單元包含有用以將上述導電性配管接地之第2接地線。
根據該構成，流通於處理液配管之處理液，係藉由導電性配管及第2接地線接地。因此，可良好地實現流通於處理液配管之處理液的接地。
又，本發明第3態樣係提供一種基板處理系統，其包含有：用以對處理對象施行藉由處理液處理的處理部、及用以對上述處理部供給處理液的處理液供給裝置，且在上述處理部內將自上述處理液供給裝置所供給之處理液供給至基板而對該基板進行處理，該處理液供給裝置包含有：流通處理液之流通路徑；加熱器，係與存在於流通路徑之內部的處理液接觸，用以對該處理液進行加熱者，且包含有金屬製之發熱體、及包覆上述發熱體之周圍之樹脂製的被覆膜；以及加熱器異常檢測裝置，係用以檢測上述加熱器之 異常的裝置，且包含有：接地單元，其將接觸於上述加熱器之處理液接地；電力供給單元，其為了使上述發熱體發熱，而對該發熱體供給電力；電流測量單元，其對流動於上述發熱體之電流進行測量；以及破損發生偵測單元，其根據藉由上述電流測量單元所檢測出電流的大小，而對上述被覆膜之破損的發生進行偵測。
根據該構成，因為無金屬污染之處理液自處理液供給裝置被供給至處理部，所以可一邊避免金屬污染之發生，一邊對基板施行使用處理液之處理。
又，亦可於上述破損發生偵測單元偵測到上述被覆膜之破損的發生之情形時，停止自上述處理液供給裝置對上述基板之處理液的供給。
根據該構成，在偵測到被覆膜之破損的發生之情形時，自處理液供給裝置對基板之處理液的供給便會被停止。因為有金屬污染之可能性的處理液之供給被停止，因此可將不良品之發生抑制到最小限度。
本發明前述或其他之目的、特徵及效果，係參照隨附之圖式並藉由如下所述之實施形態的說明而明確化。
1‧‧‧基板處理系統
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧藥液供給單元
4‧‧‧控制裝置
5‧‧‧腔室
6‧‧‧旋轉夾頭
7‧‧‧藥液噴嘴
8‧‧‧清洗液噴嘴
9‧‧‧藥液供給閥
10‧‧‧藥液供給配管
11‧‧‧清洗液閥
12‧‧‧清洗液配管
13‧‧‧旋轉基座
14‧‧‧旋轉驅動單元
15‧‧‧藥液槽
16‧‧‧藥液配管
17‧‧‧送液裝置
18‧‧‧過濾器
19‧‧‧藥液閥
20‧‧‧第1加熱器
21‧‧‧溫度計
22‧‧‧液量感測器
23‧‧‧補充配管
24‧‧‧返回配管
25‧‧‧返回閥
26‧‧‧循環路徑
27‧‧‧圓環部
28‧‧‧直線部
29‧‧‧電熱線
29a‧‧‧一端
29b‧‧‧另一端
30‧‧‧被覆膜
31‧‧‧電力供給單元
32‧‧‧交流電源
33‧‧‧第1電源線
34‧‧‧第2電源線
35‧‧‧第1接地單元
36‧‧‧電流計
37‧‧‧導電性構件
37a‧‧‧上端
37b‧‧‧下端
38‧‧‧第1接地線
39‧‧‧感測器
40‧‧‧運算電路
41‧‧‧磁芯
42‧‧‧線圈
43‧‧‧第1部分
44‧‧‧第2部分
45‧‧‧第1端子
46‧‧‧第2端子
201‧‧‧基板處理系統
202‧‧‧藥液配管
203‧‧‧第2加熱器
204‧‧‧藥液供給單元
205‧‧‧藥液槽
207‧‧‧循環路徑
208‧‧‧加熱單元
209‧‧‧套管
210‧‧‧流入口
211‧‧‧第1配管
212‧‧‧流出口
213‧‧‧第2配管
214‧‧‧圓環部
215‧‧‧直線部
216‧‧‧電熱線
216a‧‧‧一端
216b‧‧‧另一端
217‧‧‧被覆膜
218‧‧‧第3端子
220‧‧‧第4端子
222‧‧‧第2接地單元
223‧‧‧第3部分
224‧‧‧第4部分
225‧‧‧導電帶
226‧‧‧第2接地線
W‧‧‧基板
圖1係自水平方向觀察本發明第1實施形態之基板處理系統的圖。
圖2係顯示包含於圖1所示之基板處理系統之藥液槽之周圍之構成的圖。
圖3係顯示圖2所示之處理液供給裝置所搭載之加熱器之構成 的圖。
圖4係顯示上述加熱器之異常檢測之流程的流程圖。
圖5係自水平方向觀察本發明第2實施形態之基板處理系統的圖。
圖6係顯示包含於圖5所示之基板處理系統之加熱單元之周圍之構成的圖。
圖1係自水平方向觀察本發明第1實施形態之基板處理系統1的圖。基板處理系統1包含有：處理單元(處理部)2，其對作為基板W之一例的半導體晶圓進行處理；藥液供給裝置(處理液供給裝置)之藥液供給單元3，其將藥液供給至該處理單元2；及控制裝置4，其控制基板處理系統1所具備之裝置或閥之開閉。控制裝置4係使用例如微電腦而構成。控制裝置4具有中央處理器(CPU)等之演算單元、固定記憶體裝置、硬式磁碟機等之儲存單元及輸出入單元。於儲存單元儲存有供演算單元執行之程式。處理單元2及藥液供給單元3既可為共通之裝置的一部分，亦可為互相獨立之單元(可互相獨立地移動之單元)。亦即，基板處理系統1既可具備包含有處理單元2及藥液供給單元3之基板處理系統，亦可具備包含有處理單元2之基板處理裝置，及被配置於與基板處理裝置分開之位置之藥液供給單元3。又，處理單元2既可為一次一片地處理基板W之單片式的單元，亦可為將複數片基板W一次處理之批次式的單元。圖1係顯示處理單元2為單片式的單元之例子。又，圖1雖然僅圖示1個藥液供給單元3，但於設置複數個藥種之情形時，亦可設置對應於該藥種之個數的藥液供給單元3。
處理單元2包含有：箱形之腔室5，其具有內部空間；旋轉夾頭6，其在腔室5內以水平姿勢保持一片基板W，並使基板W繞通過基板W中心之鉛直之旋轉軸線旋轉；藥液噴嘴77其用以將藥液供給至被保持於旋轉夾頭6之基板W；及清洗液噴嘴8，其用以將清洗液供給至被保持於旋轉夾頭6之基板W。
如圖1所示，藥液噴嘴7係連接於藥液供給單元3。藥液噴嘴7係連接於介設有藥液供給閥9之藥液供給配管10。對藥液供給配管10，自藥液供給單元3供給例如40℃~70℃之範圍內之固定溫度的藥液。
被供給至藥液噴嘴7之藥液，係藉由設定為高溫(室溫以上之溫度)而可提高處理能力之藥液。作為如此之藥液，可例示如硫酸、SC1(氨過氧化氫水混合液；ammonia-hydrogen peroxide mixture)、SC2(鹽酸過氧化氫水；hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture)等。
清洗液噴嘴8係連接於介設有清洗液閥11之清洗液配管12。對清洗液噴嘴8，供給作為清洗液之一例的純水(去離子水；Deionized Water)。被供給至清洗液噴嘴8之清洗液，並不限定於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水中之任一者。
旋轉夾頭6包含有圓板狀之旋轉基座13，其大致水平地保持基板W而可繞鉛直軸線旋轉；及馬達等之旋轉驅動單元14，其使該旋轉基座13繞著鉛直軸線旋轉。藥液噴嘴7及清洗液噴嘴8，既可分別為在基板W上之藥液及清洗液之著液位置被固定之固定噴嘴，亦可分別為藥液及清洗液之著液位置在從基板W之 旋轉中心至基板W之周緣為止之範圍內移動的掃描噴嘴。
於對基板W進行處理時，控制裝置4係藉由旋轉夾頭6一邊將基板W水平地保持，一邊使該基板W繞著鉛直軸線旋轉。在該狀態下，控制裝置4係開啟藥液供給閥9，使藥液從藥液噴嘴7朝向基板W之上表面吐出。被供給至基板W之藥液，係藉由基板W之旋轉所產生之離心力，在基板W上朝外側擴散，並自基板W之上表面周緣部被排出至基板W之周圍。控制裝置4係於使來自藥液噴嘴7之藥液的噴吐停止後，藉由開關清洗液閥11，使純水從清洗液噴嘴8朝向旋轉狀態之基板W之上表面吐出。藉此，以純水沖洗掉基板W上之藥液。然後，控制裝置4係藉由旋轉夾頭6使基板W高速旋轉，藉此使基板W乾燥。如此一來，便對基板W進行一系列之處理。
藥液供給單元3包含有：藥液槽(處理液槽)15，其貯存藥液；藥液配管(處理液配管)16，其將藥液槽15內之藥液導引至處理單元2(藥液噴嘴7)；送液裝置17，其使藥液槽15內之藥液移動至藥液配管16；過濾器18，其過濾流動於藥液配管16之內部的藥液；藥液閥19，其開關藥液配管16；第1加熱器20，其係浸漬在被貯存於藥液槽15之藥液中，對該藥液進行加熱而進行溫度調節；溫度計21，其測量被貯存於藥液槽15之藥液的溫度；液量感測器22，其監視藥液槽15內之液量；及補充配管23，其將藥液之新液補充至藥液槽15。
送液裝置17既可為將槽內之液體抽吸至配管內之泵，亦可為利用氣體之供給使槽內之氣壓上升，而藉此將槽內之液體送至配管內之加壓配管。圖1係顯示送液裝置17為被介設於藥 液配管16之泵的例子。
藥液配管16，其一端係連接於藥液供給配管10，而另一端係連接於藥液槽15。送液裝置17、過濾器18及藥液閥19係沿著藥液流通方向依序被介設於藥液配管16。
藥液供給單元3進一步包含有：返回配管24，其在較藥液閥19更靠藥液流通方向之下游側，連接藥液配管16與藥液槽15；及返回閥25，其用以開關返回配管24。藉由藥液槽15、藥液配管16及返回配管24，形成有使藥液槽15內之藥液循環之循環路徑(流通路徑)26。
如圖1所示，在送液裝置17被驅動之狀態下，若藥液閥19及返回閥25被開啟，且藥液供給閥9被關閉，自藥液槽15被汲起之藥液便會通過過濾器18、藥液閥19、返回閥25及返回配管24，而返回至藥液槽15。藉此，藥液槽15內之藥液於循環路徑26循環。
在該狀態下，若返回閥25關閉且藥液供給閥9被開啟，在循環路徑26循環之藥液，便會通過藥液供給閥9而被供給至藥液噴嘴7，使藥液自藥液噴嘴7被吐出。藉此，使藥液被供給至基板W，而使用藥液對基板W進行處理。
圖2係顯示藥液槽15之周圍之構成的圖。圖3係顯示第1加熱器20之構成的圖。
第1加熱器20係護套加熱器，其整體形狀係呈例如包含有端之圓環部27及自圓環部27之一端部及另一端部朝上方延伸之一對之直線部28的形狀。圖2為了說明的緣故，而將直線部28描繪成彎曲狀。第1加熱器20之圓環部27之整體，係浸漬在被 貯存於藥液槽15之藥液中。
如圖3所示，護套加熱器(第1加熱器20)包含有電熱線29及包覆電熱線29之被覆膜30。作為電熱線29之材質係採用金屬。作為如此之金屬，可例示鐵(Fe)、鎳(Ni)、鋁(Al)等。又，作為被覆膜30之材質，係使用合成樹脂。作為如此之樹脂，除了使用聚四氟乙烯(PTFE；poly tetra-fluoro ethylene)、四氟乙烯-全氟烷氧基乙烯基醚共聚物(PFA；perfluoro-alkylvinyl-ether-tetrafluoro-ethlene-copolymer)等具有耐藥性之樹脂以外，亦可使用如聚氯乙烯(poly-vinyl-chloride)之不具有耐藥性之樹脂。
藥液供給單元3進一步包含有電力供給單元31，其為了使第1加熱器20之電熱線29發熱，而對該電熱線29供給電力。
電力供給單元31包含有：第1電源線33，其用以連接機外之交流電源32；及第2電源線34，其用以連接基板處理系統1外之交流電源32。電熱線29之一端29a係經由第1端子45被連接於第1電源線33，而電熱線29之另一端29b係經由第2端子46被連接於第2電源線34。藉由藥液供給單元3(或是基板處理系統1)之插入插頭(未圖示)被插入插座，使交流電源32被連接至第1電源線33及第2電源線34。藉此，對電熱線29施加來自交流電源32之交流電壓。
藥液供給單元3進一步包含有加熱器異常檢測單元，其檢測被設於藥液槽15內之第1加熱器20的異常。加熱器異常檢測單元包含有：第1接地單元(參照圖2)35，其將被貯存於藥液槽15之藥液接地；電流計(電流差測量單元、電流測量單元)36， 其對流動於第1加熱器20之電熱線29之電流進行測量；及破損發生偵測單元(藉由控制裝置4來實現)，其根據電流計36所檢測到電流的大小，來對被覆膜30之破損的發生進行偵測。
作為電流計36，例如可採用將測量對象夾置於內部之變流器形式的鉗形電流計(鉗形表)。電流計36包含有感測器39及運算電路40，該運算電路40係根據感測器39之檢測輸出，並透過演算來求得測量對象之電流值。感測器39具有圓環狀之磁芯41，其包圍測量對象；及線圈42，其係捲繞於磁芯41。電熱線29之一端29a側之第1部分43及電熱線29之另一端29b側之第2部分44，係一併作為電流計36之測量對象。亦即，電熱線29之第1部分43及第2部分44之雙方，係由電流計36之磁芯41所包圍。由運算電路40所求得之電流值，被提供至控制裝置4。利用由鉗形電流計所構成之電流計36，測量因該電流所產生之磁場，藉此間接地測量流動於電熱線29之第1部分43及第2部分44之電流。電流計36不直接接觸於電熱線29而測量電流。因此，可安全地進行電流之測量。
第1接地單元35包含有：例如棒狀之導電性構件37，其係以下端37b接觸被貯存於藥液槽15之藥液之方式被設置；及第1接地線38，其係連接於導電性構件37之上端37a，並將該上端37a接地。因為藉由導電性構件37及第1接地線38使被貯存於藥液槽15之藥液接地，所以在被覆膜30發生破損之情形時，電流係從因被覆膜30之破損而導致電熱線外露之電熱線29漏出至藥液中，而使漏電流流動於藥液中。因此，相較於被覆膜30未發生破損之情形，流動於電熱線29之電流的大小係產生變化。此時，藉 由以電流計36測量電熱線29之電流，可偵測包覆電熱線29之被覆膜30之破損。亦即，可檢測出第1加熱器20之異常。
圖4係顯示第1加熱器20之異常檢測之流程的流程圖。
控制裝置4係監視自電流計36所施加之電流值(測量電流值)(步驟S1)。在電力供給單元31中，因為經由第1及第2部分43、44中之一者流入電熱線29之電流，係自第1及第2部分43、44中之另一者流出，所以流動於第1部分43之電流與流動於第2部分44之電流會相互抵銷。於被覆膜30未發生破損之情形時，電流計36之測量值(即流動於第1部分43之電流與流動於第2部分44之電流的差)大致為零。另一方面，於被覆膜30有發生破損之情形時，由於漏電流流動於處理液中，因此，電流計36之測量值不會大致為零。在該實施形態中，會預先設定測量電流值之臨界值(例如1.0mA)。
若測量電流值超過既定之臨界值(例如1.0mA)(步驟S2為YES)，控制裝置4便會視為發生被覆膜30之破損，而進行錯誤處理(步驟S3)。作為錯誤處理，例如使藥液供給閥9停止。藉此，使自藥液供給單元3朝向處理單元2之藥液的供給停止。
如上所述，根據該實施形態，第1加熱器20係浸漬在被貯存於藥液槽15之藥液中，且該藥液係經由導電性構件37及第1接地線38接地。所以，在第1加熱器20之被覆膜30有發生破損之情形時，漏電流流動於藥液中，相較於被覆膜30未發生破損之情形，流動於電熱線29之電流的大小會變化。因此，利用電流計36測量流動於電熱線29之電流並監視測量之電流的變化，藉 此可偵測被覆膜30之破損(可檢測第1加熱器20之異常)。因為可根據微小的電流變化來偵測被覆膜30之破損，所以藉由將成為被覆膜30破損之判斷基準的電流臨界值設定為較低(例如數mA)，可精準度良好地檢測被覆膜30之破損，因此，可盡早(在被覆膜30之破損為較小的階段)發現被覆膜30之破損。藉此，可防止藥液供給單元3內部的金屬污染於未然，而可自藥液供給單元3對處理單元2供給無金屬污染之藥液。因此，可提供可一邊避免金屬污染之發生，一邊對基板W施行藥液處理之基板處理系統1。
又，藉由電流計36，測量流動於第1部分43之電流與流動於第2部分44之電流的差，而於測量值(電流的差)超過既定之臨界值之情形時，判斷有被覆膜30之破損發生。因此，可簡便地進行精準度高的被覆膜30之破損的檢測。尤其，因為以由鉗形電流計所構成之電流計36一併地測量流動於第1及第2部分43、44之電流，所以相較於個別地測量流動於第1及第2部分43、44之電流之情形，由於可減少誤差的影響，因此可精準度更良好地偵測被覆膜30之破損。
又，在偵測出被覆膜30之破損發生之情形時，使自藥液供給單元3朝向處理單元2之藥液的供給停止。因為有金屬污染之可能性的藥液朝向處理單元2之供給被停止，因此可將不良品之發生抑制至最小限度。
圖5係自水平方向觀察本發明第2實施形態之基板處理系統201的圖。在第2實施形態中，於與第1實施形態所顯示之各部對應之部分，標示與圖1至圖4之情形相同之元件符號，並省略說明。
第2實施形態之基板處理系統201與第1實施形態之基板處理系統1之不同點，在於不在藥液槽之內部設置加熱器，而在藥液配管(處理液配管)202之中途部，介設包含第2加熱器203之加熱單元208。
基板處理系統201包含有：處理單元2；作為藥液供給裝置(處理液供給裝置)之藥液供給單元204，其將藥液供給至該處理單元2；及控制裝置4。
藥液供給單元204包含有：藥液槽(處理液槽)205，其貯存藥液；藥液配管(處理液配管)202，其將藥液槽205內之藥液導引至處理單元2(藥液噴嘴7)；送液裝置17；加熱單元208，其與流通於藥液配管202內部的藥液接觸，對該藥液進行加熱而進行溫度調節；過濾器18；藥液閥19；溫度計21；液量感測器22；補充配管23；返回配管24；返回閥25；及加熱器異常檢測單元，其檢測加熱單元208所包含之第2加熱器203之異常。加熱器未被浸漬在被貯存於藥液槽205內之藥液中。藥液配管202，其一端係連接於藥液供給配管10，而另一端係連接於藥液槽205。於藥液配管202，沿著藥液流通方向依序介設有送液裝置17、加熱單元208、過濾器18及藥液閥19。藥液閥19係開關藥液配管202。溫度計21係測量被貯存於藥液槽205之藥液的溫度。液量感測器22係監視藥液槽205內之液量。補充配管23係將藥液之新液補充至藥液槽205。返回配管24係於較藥液閥19更靠藥液流通方向之下游側，連接藥液配管202與藥液槽205。藉由藥液槽205、藥液配管202及返回配管24，形成使藥液槽205內之藥液循環之循環路徑(流通路徑)207。
如圖6所示，加熱單元208包含有圓筒狀之套管209 及第2加熱器203。套管209之內部與藥液配管202之內部相連通。於套管209之長度方向的上游側端部，設置有流入口210。於流入口210，連接有作為藥液配管202之上游側部分的第1配管(導電性配管)211。於套管209之長度方向的下游側端部，設置有流出口212。於流出口212，連接有作為藥液配管202之下游側部分的第2配管(導電性配管)213。
如圖6所示，第2加熱器203係護套加熱器，其整體形狀例如包含呈有端之圓環部214、以及自圓環部214之一端部及另一端部直線狀地延伸之一對之直線部215之形狀。圖6為了說明的緣故，將直線部215描繪成彎曲狀。第2加熱器203之圓環部214之整體，係收容於套管209之內部空間。直線部215之兩端係拉出至套管209外。如圖3所示，護套加熱器(第2加熱器203)包含有電熱線216及被覆膜217。電熱線216係與第1實施形態之電熱線29為相當之構成。被覆膜217係與第1實施形態之被覆膜30為相當之構成。電熱線216之一端216a係經由第3端子218被連接於第1電源線33，電熱線216之另一端216b係經由第4端子220被連接於第2電源線34。
如圖6所示，加熱器異常檢測單元包含有：第2接地單元222，其將流動於加熱單元208之套管209內之藥液接地；電流計36；及破損發生偵測單元(藉由控制裝置4而實現)，其根據由電流計36所檢測到電流的大小，來對被覆膜217之破損之發生進行偵測。
如圖6所示，電熱線216之一端216a側之第3部分223及電熱線216之另一端216b側之第4部分224，係一併作為電 流計36之測量對象。亦即，電熱線216之第3部分223及第4部分224之雙方，係由電流計36之磁芯41所包圍。藉由運算電路40所求得之電流值係提供至控制裝置4。利用由鉗形電流計所構成之電流計36，測量因該電流所產生之磁場，藉此間接地測量流動於電熱線216之第3部分223及第4部分224之電流。
如圖6所示，第2接地單元222包含有：筒狀之導電帶225，其係與外周以密貼狀態分別被外嵌於第1及第2配管211、213；以及第2接地線226，其係連接於導電帶225並將該導電帶225接地。
因為藉由各導電帶225及第2接地線226，使流通於加熱單元208之套筒209內部的藥液接地，所以在被覆膜217有發生破損之情形時，電流係從因被覆膜217之破損而外露之電熱線216漏出至藥液中，而使漏電流流動於藥液中。因此，相較於被覆膜217未發生破損之情形，流動於電熱線216之電流的大小會產生變化。利用電流計36來測量電熱線216之電流，藉此可偵測被覆電熱線216之被覆膜217之破損。亦即，可檢測第2加熱器203之異常。
控制裝置4係監視自電流計36被施加之電流值(測量電流值)。若測量電流值超過既定之臨界值(例如1.0mA)，控制裝置4便視為發生被覆膜217之破損，而進行錯誤處理。作為錯誤處理，例如，使藥液供給閥9停止。藉此，使自藥液供給單元204朝向處理單元2之藥液的供給停止。
根據第2實施形態，流通於加熱單元208之套管209內部的藥液接觸於第2加熱器203，該藥液係經由導電性之第1及 第2配管211、213、導電帶225以及第2接地線226接地。所以，在第2加熱器203之被覆膜217有發生破損之情形時，漏電流會流動於藥液中，相較於被覆膜217未發生破損之情形，流動於電熱線216之電流的大小會產生變化。因此，利用電流計36測量流動於電熱線216之電流並監視所測量到電流的變化，可藉此偵測被覆膜217之破損(可檢測第2加熱器203之異常)。因為可根據微小的電流變化來偵測被覆膜217之破損，所以藉由將成為被覆膜217破損之判斷基準的電流臨界值設定為較低(例如數mA)，可精準度良好地檢測被覆膜217之破損，因此，可盡早(在被覆膜217之破損還小的階段)發現被覆膜217之破損。藉此，可防止藥液供給單元204內部的金屬污染於未然，而可自藥液供給單元204對處理單元2，供給無金屬污染之藥液。因此，可提供能一邊避免金屬污染之發生，一邊對基板W施行藥液處理之基板處理系統201。
又，藉由電流計36，測量流動於第3部分223之電流與流動於第4部分224之電流的差，而於測量值(電流的差)超過既定之臨界值之情形時，判斷有發生被覆膜217之破損。因此，可簡便地進行精準度高之被覆膜217之破損的檢測。尤其，因為以由鉗形電流計所構成之電流計36一併地測量流動於第3及第4部分223、224之電流，所以相較於個別地測量流動於第3及第4部分223、224之電流之情形，由於可減少誤差的影響，因此可精準度更良好地偵測被覆膜217之破損。
又，在偵測到有被覆膜217之破損發生之情形時，使自藥液供給單元204朝向處理單元2之藥液的供給停止。因為有金屬污染之可能性的藥液朝向處理單元2之供給停止，因此可將不良 品之發生抑制至最小限度。
以上，雖已對本發明之2個實施形態進行說明，但本發明亦可進一步以其他形態實施。
例如，在上述各實施形態中，雖已以使用鉗形電流計之電流計36一併地測量流動於第1部分43(第3部分223)及第2部分44(第4部分224)之電流的差為例進行說明，但亦可個別地測量流動於第1部分43(第3部分223)之電流與流動於第2部分44(第4部分224)之電流，根據該測量結果，並透過演算來求得流動於第1部分43(第3部分223)及第2部分44(第4部分224)之電流的差。
作為鉗形電流計之電流計36，除了變流器形式以外，亦可採用霍爾元件形式或磁通閘形式。
又，作為電流計36，亦可採用鉗形電流計以外之電流計。
又，在上述各實施形態中，雖已對使用系統外之交流電源32作為交流電源進行說明，但亦可於基板處理系統1、201設置用以對加熱器20、203供給電力之專用的交流電源。
又，在上述各實施形態中，雖已在偵測到被覆膜30、217之破損發生之情形時，使藥液供給閥9停止，而使自藥液供給單元3、204朝向處理單元2之藥液的供給停止進行說明。然而，控制裝置4亦可在偵測到被覆膜30、217之破損發生之情形時，使對加熱器20、203之供電停止，或者，既可關閉藥液供給單元3之電源，亦可關閉基板處理系統1、201整體的電源。
又，在各實施形態中，雖已對加熱器20、203為具備有圓環部27、214之形狀進行說明，但加熱器20、203亦可具有其 他形態。
又，雖已對將加熱器20、203為以被覆膜30、217包覆電熱線29、216者進行說明，但例如，亦可以樹脂製之被覆膜(與被覆膜30、217相同)包覆板狀或棒狀之發熱體的周圍。
又，在上述各實施形態中，雖然較佳係第1配管211及第2配管213之雙方皆為導電性配管，但只要至少一配管為導電性配管即可。又，藥液配管202之第1配管211及第2配管213以外之部分，既可為導電性配管，亦可為其他配管。
又，本發明之異常檢測裝置，不只適用於藉由加熱器20、203加熱藥液之情形，亦可適用於藉由加熱器20、203加熱水之情形。該情形之水，包含純水(去離子水；Deionized Water)、碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)之鹽酸水中之至少一者。
又，在上述各實施形態中，雖已對基板處理系統1、201為對圓板狀之基板W進行處理之系統的情形進行說明，但基板處理系統1、201亦可為對液晶顯示裝置用玻璃基板等之多角形之基板進行處理的系統。
又，在上述實施形態中，雖已以基板W作為處理對象之基板，但並不限定於基板W，亦可使例如液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、場發射顯示器(FED)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等之其他種類的基板作為處理對象。
雖已對本發明之實施形態進行詳細地說明，但該等不過是用來闡明本發明之技術內容所使用之具體例而已，本發明不應 被解釋為僅限定於該等具體例，本發明之範圍僅由申請專利範圍所限定。
本發明係對應於2015年2月26日向日本特許廳提出之日本專利特願2015-37240，該申請之所有揭示內容係藉由引用而被併入於此。
4‧‧‧控制裝置
15‧‧‧藥液槽
20‧‧‧第1加熱器
27‧‧‧圓環部
28‧‧‧直線部
29‧‧‧電熱線
29a‧‧‧一端
29b‧‧‧另一端
31‧‧‧電力供給單元
32‧‧‧交流電源
33‧‧‧第1電源線
34‧‧‧第2電源線
36‧‧‧電流計
37‧‧‧導電性構件
37a‧‧‧上端
37b‧‧‧下端
38‧‧‧第1接地線
39‧‧‧感測器
40‧‧‧運算電路
41‧‧‧磁芯
42‧‧‧線圈
43‧‧‧第1部分
44‧‧‧第2部分
45‧‧‧第1端子
46‧‧‧第2端子

Claims (6)

  1. 一種處理液供給裝置，用以對用來對處理對象施行藉由處理液所進行之處理的處理部供給處理液；其包含：供處理液流通之流通路徑；加熱器，係與存在於流通路徑之內部的處理液接觸，用以對該處理液進行加熱者，且包含有金屬製之發熱體、及包覆上述發熱體之周圍之樹脂製的被覆膜；以及加熱器異常檢測裝置，係用以檢測上述加熱器之異常的裝置，且包含有：接地單元，其將接觸於上述加熱器之處理液接地；電力供給單元，其為了使上述發熱體發熱，而對該發熱體供給電力；電流測量單元，其對流動於上述發熱體之電流進行測量；以及破損發生偵測單元，其根據藉由上述電流測量單元所檢測出電流的大小，而對上述被覆膜之破損的發生進行偵測；上述流通路徑包含有：處理液槽，其貯存有應供給至上述處理部之處理液；及處理液配管，其自上述處理液槽朝上述處理部導引處理液；上述加熱器包含有第1加熱器，該第1加熱器係浸漬在被貯存於上述處理液槽之處理液中，而對該處理液進行加熱，上述接地單元包含有將被貯存於上述處理液槽之處理液接地之第1接地單元。
  2. 如請求項1之處理液供給裝置，其中，上述第1接地單元包含有：導電性構件，其係以接觸於被貯存在上述處理液槽之處理液之方式所設置；及 第1接地線，其用以將上述導電性構件接地。
  3. 一種基板處理系統，其包含有：用以對處理對象施行藉由處理液所進行之處理的處理部、及用以對上述處理部供給處理液的處理液供給裝置，且在上述處理部內將自上述處理液供給裝置所供給之處理液供給至基板而對該基板進行處理；上述處理液供給裝置係包含請求項1或2之處理液供給裝置。
  4. 一種處理液供給裝置，用以對用來對處理對象施行藉由處理液所進行之處理的處理部供給處理液；其包含：供處理液流通之流通路徑；加熱器，係與存在於流通路徑之內部的處理液接觸，用以對該處理液進行加熱者，且包含有金屬製之發熱體、及包覆上述發熱體之周圍之樹脂製的被覆膜；以及加熱器異常檢測裝置，係用以檢測上述加熱器之異常的裝置，且包含有：接地單元，其將接觸於上述加熱器之處理液接地；電力供給單元，其為了使上述發熱體發熱，而對該發熱體供給電力；電流測量單元，其對流動於上述發熱體之電流進行測量；以及破損發生偵測單元，其根據藉由上述電流測量單元所檢測出電流的大小，而對上述被覆膜之破損的發生進行偵測；上述流通路徑包含有：處理液槽，其貯存有應供給至上述處理部之處理液；及處理液配管，其自上述處理液槽朝上述處理部導引處理液；上述加熱器包含有第2加熱器，該第2加熱器係介設於上述處理液配管，而對流通於該處理液配管之處理液進行加熱，上述接地單元包含有將流通於上述處理液配管之處理液接地之第2 接地單元。
  5. 如請求項4之處理液供給裝置，其中，上述處理液配管至少被連接於上述第2加熱器之部分，係藉由使用具有導電性之材料而形成之導電性配管所設置，上述第2接地單元包含有用以將上述導電性配管接地之第2接地線。
  6. 一種基板處理系統，其包含有：用以對處理對象施行藉由處理液所進行之處理的處理部、及用以對上述處理部供給處理液的處理液供給裝置，且在上述處理部內將自上述處理液供給裝置所供給之處理液供給至基板而對該基板進行處理；上述處理液供給裝置係包含請求項4或5之處理液供給裝置。
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