KR102220186B1 - 온도 검출 장치 - Google Patents

온도 검출 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102220186B1
KR102220186B1 KR1020190033086A KR20190033086A KR102220186B1 KR 102220186 B1 KR102220186 B1 KR 102220186B1 KR 1020190033086 A KR1020190033086 A KR 1020190033086A KR 20190033086 A KR20190033086 A KR 20190033086A KR 102220186 B1 KR102220186 B1 KR 102220186B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tube
temperature
jig
processing liquid
portions
Prior art date
Application number
KR1020190033086A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20200112497A (ko
Inventor
이재원
이주영
정경철
이준호
박용국
Original Assignee
주식회사 케이씨텍
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 케이씨텍 filed Critical 주식회사 케이씨텍
Priority to KR1020190033086A priority Critical patent/KR102220186B1/ko
Priority to CN202020354598.5U priority patent/CN211904476U/zh
Priority to US16/823,705 priority patent/US11592342B2/en
Priority to TW109109322A priority patent/TWI729739B/zh
Publication of KR20200112497A publication Critical patent/KR20200112497A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102220186B1 publication Critical patent/KR102220186B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K1/00Details of thermometers not specially adapted for particular types of thermometer
    • G01K1/14Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations
    • G01K1/143Supports; Fastening devices; Arrangements for mounting thermometers in particular locations for measuring surface temperatures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098Apparatus for thermal treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K13/00Thermometers specially adapted for specific purposes
    • G01K13/02Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow
    • G01K13/026Thermometers specially adapted for specific purposes for measuring temperature of moving fluids or granular materials capable of flow of moving liquids

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

온도 검출 장치를 개시한다. 일 실시 예에 따른 기판 처리를 위한 처리액의 온도 검출 장치는 상기 처리액이 유동하는 튜브 외면에 인접하게 설치되고, 상기 튜브 내부 처리액의 온도를 센싱하는 온도 측정 센서를 포함할 수 있다.

Description

온도 검출 장치{TEMPERATURE DETECTION DEVICE}
아래의 실시 예는 온도 검출 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체는 리소그래피, 증착 및 에칭 등과 같은 일련의 공정들이 반복적으로 수행되어 제조된다. 이러한 반도체를 구성하는 기판의 표면에는 반복적인 공정에 의해 각종 파티클, 금속 불순물 또는 유기물 등과 같은 오염물질들이 잔존하게 된다. 기판 상에 잔존하는 오염물질은 제조되는 반도체의 신뢰성을 저하시키므로, 이를 개선하기 위해 반도체 제조공정 중 기판 처리 장치가 채용된다. 기판 처리 장치는 기판 상으로 처리액을 분사하여 기판의 표면을 처리한다. 이때, 상기 기판 처리 장치는 필요에 따라 처리액을 가열하여 고온의 처리액을 이용하게 된다. 종래의 처리 장치는, 처리액을 미리 가열하여 기판까지 이송하는 구조로 형성되었다. 처리액의 온도는 반도체 처리 효과에 직접적인 영향을 끼칠 수 있다. 종래에는 처리액의 온도를 측정하기 위해 온도 센서가 처리액에 직접 접촉되는 방식이 사용되었다. 그러나, 이러한 방식은 처리액이 오염되어 반도체 성능에 악영향을 끼치는 문제를 야기하였다. 따라서, 이러한 문제를 해결하면서도 정확한 처리액의 온도를 검출하는 방식이 요구되는 실정이다.
전술한 배경기술은 발명자가 본 발명의 도출과정에서 보유하거나 습득한 것으로서, 반드시 본 발명의 출원 전에 일반 공중에 공개된 공지기술이라고 할 수는 없다.
일 실시 예에 따른 목적은 온도 측정과정에서 처리액의 오염을 방지하는 온도 검출 장치를 제공하는 것이다.
일 실시 예에 따른 목적은 간접적 측정 방식을 사용하면서도 정확한 온도 검출이 가능한 온도 검출 장치를 제공하는 것이다.
실시 예에 따른 기판 처리를 위한 처리액의 온도 검출 장치에 있어서, 상기 처리액이 유동하는 튜브 외면에 인접하게 설치되고, 상기 튜브 내부 처리액의 온도를 센싱하는 온도 측정 센서를 포함할 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 온도 측정 센서는, 상기 튜브의 서로 다른 부위 사이에 배치되도록 상기 튜브 외면에 설치될 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 온도 검출 장치는 양측이 상기 튜브의 서로 다른 부위에 각각 연결되는 연결부를 더 포함하고, 상기 온도 측정 센서는 상기 연결부 내부에 배치될 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 연결부는 에폭시 재질을 포함할 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 연결부는 양측에 접합되는 상기 튜브의 서로 다른 부위가 나란한 길이 방향으로 서로 이격되도록 연결할 수 있다.
일 실시 예에 따른 온도 검출 장치는, 기판 처리를 위한 처리액에 유동하는 튜브; 외주면에 상기 튜브가 감기고, 상기 감긴 튜브 부위의 형상을 일정한 상태로 유지시키는 지그; 및 상기 지그에 감긴 튜브 외면에 인접하게 설치되고, 상기 튜브를 유동하는 처리액의 온도를 센싱하는 온도 측정 센서를 포함할 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 튜브는 서로 다른 복수 부위가 나란한 길이 방향을 가지도록, 상기 지그의 외면에 적어도 1회 이상 감길 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 온도 검출 장치는 상기 지그에 감긴 튜브의 서로 다른 부위의 외면에 양측에 연결되는 연결부를 더 포함하고, 상기 온도 측정 센서는 상기 연결부 내부에 배치될 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 지그는 만곡면을 포함하고, 서로 이격되는 한 쌍의 지지부; 및 상기 한 쌍의 지지부를 연결하는 브릿지를 포함하고, 상기 튜브는 상기 한 쌍의 지지부의 만곡면에 순차적으로 권회될 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 브릿지는 상기 한 쌍의 지지부보다 얇은 폭을 가지고, 상기 튜브는 상기 지그에 감긴 상태에서 상기 브릿지에 이격될 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 온도 측정 센서는, 상기 한 쌍의 지지부 사이에 위치한 튜브 부위 외면에 설치될 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 지지부는 만곡면을 따라 함몰 형성되고, 상기 튜브가 끼워지는 안착홈을 포함할 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 각각의 지지부에는 복수의 안착홈이 형성되고, 상기 안착홈은 서로 이격될 수 있다.
일 측에 있어서, 상기 온도 검출 장치는 단열 재질을 포함하는 보온 하우징을 더 포함하고, 상기 보온 하우징은 상기 지그 및 지그에 감긴 튜브 부위를 감쌀 수 있다.
일 실시 예에 따른 온도 검출 장치는 온도 측정과정에서 처리액의 오염을 방지할 수 있다.
일 실시 예에 따른 온도 검출 장치는 간접적 측정 방식을 사용하면서도 정확한 온도 검출이 가능할 수 있다.
일 실시 예에 따른 온도 검출 장치의 효과는 이상에서 언급된 것들에 한정되지 않으며, 언급되지 아니한 다른 효과들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 명세서에 첨부되는 다음의 도면들은 본 발명의 바람직한 일 실시예를 예시하는 것이며, 발명의 상세한 설명과 함께 본 발명의 기술적 사상을 더욱 이해시키는 역할을 하는 것이므로, 본 발명은 그러한 도면에 기재된 사항에만 한정되어 해석되어서는 아니 된다.
도 1은 실시 예에 따른 처리액 공급 장치의 모식도이다.
도 2는 실시 예에 따른 처리액 공급 장치의 개략도이다.
도 3은 실시 예에 따른 온도 검출 장치의 모식도이다.
도 4는 도 3의 IV-IV 라인에 따른 단면도이다.
도 5는 실시 예에 따른 온도 검출 장치의 모식도이다.
도 6은 실시 예에 따른 온도 검출 장치의 평면도이다.
도 7은 실시 예에 따른 지그의 사시도이다.
도 8은 실시 예에 따른 지그의 사시도이다.
이하, 실시 예들을 예시적인 도면을 통해 상세하게 설명한다. 각 도면의 구성요소들에 참조부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 실시 예를 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 실시 예에 대한 이해를 방해한다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.
또한, 실시 예의 구성 요소를 설명하는 데 있어서, 제 1, 제 2, A, B, (a), (b) 등의 용어를 사용할 수 있다. 이러한 용어는 그 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하기 위한 것일 뿐, 그 용어에 의해 해당 구성 요소의 본질이나 차례 또는 순서 등이 한정되지 않는다. 어떤 구성 요소가 다른 구성요소에 "연결", "결합" 또는 "접속"된다고 기재된 경우, 그 구성 요소는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되거나 접속될 수 있지만, 각 구성 요소 사이에 또 다른 구성 요소가 "연결", "결합" 또는 "접속"될 수도 있다고 이해되어야 할 것이다.
어느 하나의 실시 예에 포함된 구성요소와, 공통적인 기능을 포함하는 구성요소는, 다른 실시 예에서 동일한 명칭을 사용하여 설명하기로 한다. 반대되는 기재가 없는 이상, 어느 하나의 실시 예에 기재한 설명은 다른 실시 예에도 적용될 수 있으며, 중복되는 범위에서 구체적인 설명은 생략하기로 한다.
도 1은 실시 예에 따른 처리액 공급 장치의 모식도이다.
도 1을 참조하면, 처리액 공급 장치(1)는 기판(W)을 처리하기 위한 처리액을 공급할 수 있다. 처리액 공급 장치(1)는 반도체(Semiconductor), FPD(flat panel display), 태양광 패널(solar cell panel)과 같은 기판(W)을 처리하는데 사용될 수 있다. 처리액 공급 장치(1)는 캐리어(C)에 안착되어 회전하는 기판(W) 위로 처리액을 분사할 수 있다. 처리액 공급 장치(1)는 길이 방향으로 형성된 노즐(N)을 통해 기판(W)의 전 면적에 동시에 처리액을 분사할 수 있다. 처리액 공급 장치(1)를 통해 공급되는 처리액은 높은 산화력을 가지는 물질, 예를 들어 황상(surfuric acid), 인산(phosphoric acid)와 같은 산성용액을 포함할 수 있다.
처리액은 온도에 따라 산화력과 같은 처리 성능이 변화할 수 있다. 온도에 따른 처리 성능은 처리 대상 기판(W)의 종류나, 설정 연마 프로파일에 따라 조절되기 때문에, 처리액은 처리 조건에 따라 설정된 온도로 기판(W)에 공급될 필요가 있다. 기판(W)에 공급되는 순간의 처리액의 온도는 기판(W)의 처리 정도에 직접적인 영향을 끼치기 때문에, 처리액의 온도는 실시간으로 측정될 필요가 있다.
정확한 처리액의 온도 측정을 위해 처리액의 온도를 직접 검출하는 경우, 온도 검침 장치의 금속 성분이 처리액에 용융되고, 용융된 금속이 처리 과정에서 기판(W)을 역으로 오염시키는 문제가 발생할 수 있다. 반면, 처리액의 온도를 간접적으로 측정하는 경우, 처리액의 온도가 부정확하게 측정되어 처리 성능에 영향을 끼치는 문제가 발생할 수 있다.
실시 예에 따른 처리액 공급 장치(1)는 기판(W)에 공급되는 처리액의 온도를 간접적으로 측정함으로써 기판(W)의 오염 문제를 방지하면서도, 실제 처리액의 온도에 가까운 온도 측정 성능을 확보할 수 있다.
도 2는 실시 예에 따른 처리액 공급 장치(1)의 개략도이다.
도 2를 참조하면, 처리액 공급 장치(1)는, 처리액 공급부(미도시), 튜브(101), 히터(H), 노즐(N) 및 온도 검출 장치(10)를 포함할 수 있다.
처리액 공급부는 튜브(101)로 처리액을 공급할 수 있다. 처리액 공급부는 처리액이 보관되는 처리액 탱크 및, 처리액을 유동시키기 위한 유압 펌프를 포함할 수 있다. 처리액 탱크는 처리액의 종류 별로 복수개가 구비될 수 있다.
튜브(101)는 처리액 공급부에 연결될 수 있다. 튜브(101)는 처리액 공급부로부터 연장되어, 처리액의 유동 경로를 제공할 수 있다. 튜브(101)는 구부러질 수 있는 유연한 재질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 튜브(101)는 석영(quartz), 테프론(PFA)등의 재질을 포함할 수 있다.
히터(H)는 처리액을 가열할 수 있다. 히터(H)는 튜브(101) 또는 처리액 공급부와 연결될 수 있다. 히터(H)는 예를 들어, 마이크로파를 이용하여 처리액을 가열할 수 있다. 히터(H)에서 발생한 마이크로파는 튜브(101) 내부를 투과하여 튜브(101) 내부를 유동하는 처리액을 가열할 수 있다. 다만, 이는 하나의 예시에 불과하며, 히터(H)는 처리액을 가열하기 위한 다양한 수단을 포함할 수 있다.
노즐(N)은 튜브(101)의 단부에 연결될 수 있다. 노즐(N)은 튜브(101)로부터 기판(W)을 향해 처리액을 분사할 수 있다. 노즐(N)의 작동에 따라, 처리액의 분사 여부, 분사량, 분사세기 등이 조절될 수 있다.
온도 검출 장치(10)는 튜브(101) 내부의 처리액 온도를 검출할 수 있다. 온도 검출 장치(10)는 튜브(101)의 외면에 접촉함으로써 처리액의 온도를 간접적으로 측정하면서도, 실제 처리액 온도에 근접한 온도 측정 정확도를 확보할 수 있다.
도 3은 실시 예에 따른 온도 검출 장치(10)의 모식도이고, 도 4는 도 3의 IV-IV 라인에 따른 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 실시 예에 따른 온도 검출 장치(10)는 기판 처리를 위한 처리액의 온도를 실시간으로 검출할 수 있다. 온도 검출 장치(10)는 연결부(102) 및 온도 측정 센서(103)를 포함할 수 있다.
연결부는 튜브(101)에 연결될 수 있다. 연결부(102)는 튜브(101)의 서로 다른 부위의 외면에 접촉할 수 있다. 예를 들어, 튜브(101)는 2개의 부위가 나란히 배치되도록 구부러지고, 연결부(102)는 나란히 배치된 2개 부위의 외면에 양측이 접합될 수 있다. 연결부(102)는 열 전도율이 높은 재질, 예를 들어, 에폭시(epoxy) 재질을 포함할 수 있다. 이하에서는, 설명의 편의를 위해 연결부(102)가 접촉되는 튜브(101)의 2개 부위를 각각 제1부위(101a) 및 제2부위(101b)라 지칭하도록 한다.
연결부(102)를 통해 연결되는 튜브(101)의 제1부위(101a) 및 제2부위(101b)는 일정한 간격만큼 이격한 상태로 나란히 위치할 수 있다. 이 경우, 튜브(101)의 2개 부위 사이의 간격은 2.3mm 내지 2.7mm 범위를 가질 수 있다. 이와 같은 범위에 의하면, 후술하는 온도 측정 센서(103)가 손상되는 것을 방지하면서도, 실제 처리액의 온도에 근접한 측정 정확도를 확보할 수 있다. 다만, 이와 달리 튜브(101)의 2개 부위는 서로 접촉할 수도 있다.
온도 측정 센서(103)는 튜브 외면에 인접하게 설치될 수 있다. 온도 측정 센서(103)는 인접한 튜브 부위를 유동하는 처리액의 온도를 실시간으로 센싱할 수 있다. 온도 측정 센서(103)는 연결부(102) 내부에 배치될 수 있다. 온도 측정 센서(103)는 연결부(102)에 접합되는 튜브(101)의 2개 부위, 다시 말해, 튜브(101)의 제1부위(101a) 및 제2부위(101b) 사이에 위치할 수 있다. 온도 측정 센서(103)는 튜브(101)의 2개 부위로부터 전달되는 열을 통해 튜브(101) 내부의 처리액 온도를 측정할 수 있다.
이와 같은 구조에 의하면, 온도 검출 장치(10)는 처리액의 온도를 측정하기 위한 별도의 장치 없이도, 튜브(101)의 외면에 직접 부착되는 간이한 적용방식을 가질 수 있다. 동시에, 처리액의 온도를 간접적으로 측정하면서도 실제 처리액의 온도에 근접한 온도 측정 정확도를 확보할 수 있다.
도 5는 실시 예에 따른 온도 검출 장치의 모식도이고, 도 6은 실시 예에 따른 온도 검출 장치의 평면도이며, 도 7 및 도 8은 실시 예에 따른 지그의 사시도이다.
도 5 내지 도 7을 참조하면, 실시 예에 따른 온도 검출 장치(10)는 튜브(101), 지그(104), 연결부(102), 온도 측정 센서(103) 및, 보온 하우징(107)을 포함할 수 있다.
튜브(101)는 처리액이 유동할 수 있다. 튜브(101)는 내부에 유로가 형성되고, 공급 장치로부터 기판을 향해 이동하는 처리액이 유동하는 유동 경로를 제공할 수 있다. 튜브(101)는 구부러 질 수 있는 재질, 예를 들어, 플랙서블(flexible) 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 튜브(101)는 후술하는 지그(104)에 의해 일정한 형상을 가지도록 구부러질 수 있다. 예를 들어, 튜브(101)는 제1부위(101a) 및 제2부위(102b)를 포함한 복수 부위가 나란한 길이 방향을 가지도록 구부러질 수 있다.
지그(104)는 튜브(101)의 형상을 유지시킬 수 있다. 지그(104)의 외주면에는 튜브(101)가 감길 수 있다. 예를 들어, 튜브(101)는 서로 다른 복수 부위, 구체적으로 제1부위(101a) 및 제2부위(102b)가 나란한 길이 방향을 가지도록 지그의 외면에 적어도 1회 이상 감길 수 있다. 이 경우, 지그(104)는 외면에 감긴 튜브(101)의 형상을 일정한 상태로 유지시킴으로써, 튜브(101)의 구부러짐 형태를 고정하는 기능을 수행할 수 있다.
지그(104)는 지지부(1042) 및 브릿지(1041)를 포함할 수 있다.
지지부(1042)는 한 쌍으로 이격되고, 한 쌍의 지지부(1042a, 1042b)는 서로 이격될 수 있다. 지지부(1042)의 외면에는 튜브(101)가 접촉될 수 있다. 지지부(1042)는 만곡면을 포함할 수 있다. 예를 들어, 지지부(1042)는 튜브(101)의 길이 방향에 수직한 방향을 기준으로 원형의 단면 형상을 가질 수 있다. 이 경우, 튜브(101)는 지지부(1042)의 만곡면을 따라 지그(104)에 감길 수 있다. 다시 말해, 튜브(101)는 한 쌍의 지지부(1042a, 1042b)의 양 외주면에 순차적으로 권회됨으로써, 제1부위(101a) 및 제2부위(101b)가 나란한 길이 방향을 가지도록 감길 수 있다.
지지부(1042)의 외면에는 안착홈(1043)이 형성될 수 있다. 안착홈(1043)은 지지부(1042)의 만곡면을 따라 외면에 함몰 형성될 수 있다. 안착홈(1043)에는 지지부(1042)에 감긴 튜브(101)가 끼워질 수 있다. 이 경우, 안착홈(1043)은 튜브(101)의 외면 형상에 대응하는 형상으로 형성될 수 있다.
브릿지(1041)는 한 쌍의 지지부(1042a, 1042b)를 연결할 수 있다. 브릿지(1041)는 지그(104)에 감긴 튜브(101)와 나란한 길이 방향을 가질 수 있다. 브릿지(1041)의 길이에 따라 한 쌍의 지지부(1042a, 1042b) 사이의 간격이 조절될 수 있다. 브릿지(1041)는 상기 한 쌍의 지지부(1042a, 1042b)보다 얇은 폭을 가질 수 있다. 이 경우, 지그(104)에 튜브(101)가 감긴 상태를 기준으로, 브릿지(1041) 및 튜브(101)는 서로 이격될 수 있다. 이와 같은 구조에 의하면, 온도 측정이 수행되는 튜브(101)의 제1부위(101a) 및 제2부위(101b)와, 브릿지(1041) 사이의 접촉이 없기 때문에, 튜브(101)로부터 브릿지(1041)로 열이 전달되는 열전도(conduction)가 최소화될 수 있다.
정리하면, 지그(104)는 온도 측정을 위해 튜브(101)가 구부러지는 형태를 유지시키면서도, 튜브(101)와의 접촉을 최소화함으로써 온도 측정을 위한 열이 빠져나가는 것을 방지하는 구조를 가질 수 있다. 지그(104)는 열전도율이 낮은 재질을 포함할 수 있다.
연결부(102)는 튜브(101)의 2개 부위에 양측에 접합될 수 있다. 예를 들어, 연결부(102)는 튜브(101)가 지그(104)에 감겨 구부러진 상태에서, 나란한 길이 방향을 가지는 튜브(101)의 제1부위(101a) 및 제2부위(101b)에 양측이 연결될 수 있다. 연결부(102)는 한 쌍의 지지부(1042a, 1042b) 사이에 위치할 수 있다. 연결부(102)는 열 전도율이 높은 재질, 예를 들어, 에폭시(epoxy) 재질을 포함할 수 있다. 따라서, 연결부(102)는 열전도를 통해, 접합된 튜브(101)의 제1부위(101a) 및 제2부위(101b)로부터 열을 직접 전달받을 수 있다.
온도 측정 센서(103)는 연결부(102) 내부에 배치될 수 있다. 온도 측정 센서(103)는 연결부(102)에 접합되는 튜브(101)의 2개 부위, 다시 말해, 튜브(101)의 제1부위(101a) 및 제2부위(101b) 사이에 위치할 수 있다. 온도 측정 센서(103)는 튜브(101)의 2개 부위로부터 전달되는 열을 통해 튜브(101) 내부의 처리액 온도를 측정할 수 있다.
보온 하우징(107)은 튜브(101)가 지그(104)에 감긴 상태를 기준으로, 지그(104), 지그(104)에 감긴 튜브(101) 부위, 연결부(102)를 감쌀 수 있다. 보온 하우징(107)은 온도 측정이 수행되는 튜브(101) 부위로부터 열이 외부로 빠져나가는 것을 방지할 수 있다. 보온 하우징(107)은, 예를 들어, 폴리에틸렌, 테플론, 고무등과 같은 단열 재질을 포함하고, 열 대류(convection)을 통해 열이 하우징 외부로 빠져나가는 것을 차단할 수 있다. 따라서, 튜브(101)의 제1부위(101a) 및 제2부위(101b)에서 발생하는 열의 대부분은 열전도를 통해 연결부(102) 내부의 온도 측정 센서(103)로 전달될 수 있다.
도 8을 참조하면, 지그(204')는 튜브가 복수 번 감길 수 있도록, 지지부(2042a, 2042b)의 외면을 따라 복수의 안착홈(2043, 2044)이 형성되는 구조를 가질 수 있다.
지지부(2042)에 형성되는 복수의 안착홈(2043, 2044)은 일정한 간격만큼 이격될 수 있다. 예를 들어, 인접한 안착홈(2043, 2044)은 2.7mm 내지 2.7mm 범위의 간격만큼 이격될 수 있다. 따라서, 하나의 튜브는 복수의 안착홈(2043, 2044)에 끼워짐으로써, 제1부위 및 제2부위가 안착홈(2043, 2044)의 간격만큼 이격될 수 있다.
정리하면, 일 실시 예에 따른 온도 검출 장치는 기판 처리를 위한 처리액의 온도를 간접적으로 측정함으로써, 금속 용융에 따른 기판 손상을 방지할 수 있다. 동시에, 온도 검출 장치는 튜브의 복수 지점에 접촉되어, 처리액으로부터 전달되는 열을 효과적으로 온도 측정 센서에 전달함으로써, 직접 측정방식과 유사한 정도의 정확도로 처리액의 온도를 검출할 수 있다.
이상과 같이 비록 한정된 도면에 의해 실시 예들이 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 구조, 장치 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
1: 처리액 공급 장치
10: 온도 검출 장치
101: 튜브
102: 연결부
103: 온도 측정 센서
104: 지그

Claims (14)

  1. 기판 처리를 위한 처리액의 온도 검출 장치에 있어서,
    플랙서블 재질로 형성되고, 내부에 상기 처리액이 유동하는 튜브;
    상기 튜브의 2개 부위가 이격한 상태로 나란히 위치하도록 구부러진 상태에서, 양측이 상기 튜브의 2개 부위에 각각 연결되는 연결부; 및
    상기 연결부 내부에 배치되고, 상기 튜브 내부를 유동하는 처리액의 온도를 센싱하는 온도 측정 센서를 포함하는, 온도 검출 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 연결부는 에폭시 재질을 포함하는, 온도 검출 장치.
  5. 삭제
  6. 기판 처리를 위한 처리액이 유동하고, 플렉서블 재질로 형성되는 튜브;
    길이 방향을 가지는 브릿지와, 상기 브릿지의 양측에 각각 연결되고 외측에 상기 튜브가 접촉되는 만곡면이 형성된 한 쌍의 지지부를 포함하며, 상기 튜브가 감기는 지그; 및
    상기 튜브 외면에 설치되고, 상기 튜브 내부를 유동하는 처리액의 온도를 센싱하는 온도 측정 센서를 포함하고,
    상기 튜브는 서로 이격된 두 부위가 나란한 길이 방향을 가지도록 상기 지그의 외면에 감기고, 상기 온도 측정 센서는 상기 나란한 길이 방향을 가지는 상기 튜브의 두 부위 사이에 배치되는, 온도 검출 장치.
  7. 삭제
  8. 제6항에 있어서,
    상기 지그에 감긴 튜브의 서로 다른 부위를 연결하는 연결부를 더 포함하고,
    상기 온도 측정 센서는 상기 연결부 내부에 배치되는, 온도 검출 장치.
  9. 삭제
  10. 제6항에 있어서,
    상기 브릿지는 상기 한 쌍의 지지부에 감긴 튜브 사이에 배치되고,
    상기 튜브와 이격되도록 상기 한 쌍의 지지부보다 얇은 폭을 가지는, 온도 검출 장치.
  11. 삭제
  12. 제6항에 있어서,
    상기 지지부는 만곡면을 따라 함몰 형성되고, 상기 튜브가 끼워지는 안착홈을 포함하는, 온도 검출 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 각각의 지지부에는 복수의 안착홈이 형성되고, 상기 안착홈은 서로 이격되는 온도 검출 장치.
  14. 제6항에 있어서,
    단열 재질을 포함하는 보온 하우징을 더 포함하고,
    상기 보온 하우징은 상기 지그 및 지그에 감긴 튜브 부위를 감싸는, 온도 검출 장치.
KR1020190033086A 2019-03-22 2019-03-22 온도 검출 장치 KR102220186B1 (ko)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190033086A KR102220186B1 (ko) 2019-03-22 2019-03-22 온도 검출 장치
CN202020354598.5U CN211904476U (zh) 2019-03-22 2020-03-19 温度检测装置
US16/823,705 US11592342B2 (en) 2019-03-22 2020-03-19 Temperature detection device
TW109109322A TWI729739B (zh) 2019-03-22 2020-03-20 溫度檢測裝置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190033086A KR102220186B1 (ko) 2019-03-22 2019-03-22 온도 검출 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20200112497A KR20200112497A (ko) 2020-10-05
KR102220186B1 true KR102220186B1 (ko) 2021-02-25

Family

ID=72514244

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020190033086A KR102220186B1 (ko) 2019-03-22 2019-03-22 온도 검출 장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US11592342B2 (ko)
KR (1) KR102220186B1 (ko)
CN (1) CN211904476U (ko)
TW (1) TWI729739B (ko)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006200832A (ja) 2005-01-21 2006-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配管温度センサー取り付け部品
KR100955861B1 (ko) 2009-08-05 2010-05-04 송범식 파이프 가열 장치

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2195228A (en) * 1937-03-13 1940-03-26 Schwarz August Refrigerating apparatus and process
US5335508A (en) * 1991-08-19 1994-08-09 Tippmann Edward J Refrigeration system
JP3565443B2 (ja) * 1994-06-03 2004-09-15 大日本印刷株式会社 噴射装置
KR100454292B1 (ko) * 2002-01-07 2004-10-26 주성엔지니어링(주) 액체운송장치의 가열을 위한 일체형 블록 히터
KR20100042870A (ko) * 2008-10-17 2010-04-27 세메스 주식회사 처리액 공급 장치
KR20100055121A (ko) * 2008-11-17 2010-05-26 위니아만도 주식회사 식품저장고용 본체
JP5284294B2 (ja) 2010-01-25 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 現像処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び現像処理システム
JP6704778B2 (ja) 2016-04-15 2020-06-03 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102220163B1 (ko) * 2019-03-22 2021-02-25 주식회사 케이씨텍 온도 검출 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006200832A (ja) 2005-01-21 2006-08-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配管温度センサー取り付け部品
KR100955861B1 (ko) 2009-08-05 2010-05-04 송범식 파이프 가열 장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW202036760A (zh) 2020-10-01
US20200300716A1 (en) 2020-09-24
US11592342B2 (en) 2023-02-28
KR20200112497A (ko) 2020-10-05
CN211904476U (zh) 2020-11-10
TWI729739B (zh) 2021-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101123994B1 (ko) 유체 가열 장치
TWI618168B (zh) 多區加熱器中的溫度測量
US11410861B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
WO2006027974A1 (ja) 流量センサ
US11062922B2 (en) Substrate liquid processing apparatus
KR20120014105A (ko) 기화 장치, 기판 처리 장치, 도포 현상 장치 및 기판 처리 방법
TWI564550B (zh) 溫度感測器及熱處理裝置
KR102220186B1 (ko) 온도 검출 장치
KR102220163B1 (ko) 온도 검출 장치
JP2012154712A (ja) 流量センサ及びこれを用いたレジスト塗布装置
TWI595243B (zh) 處理液供給裝置及基板處理系統
JP2012204813A (ja) 気泡検出方法及びレジスト塗布方法並びにレジスト塗布装置
US7216534B2 (en) Substrate processing apparatus and thermal type flowmeter suitable to the same
KR20200131764A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6278115B2 (ja) リード付きサーミスタの抵抗測定装置
KR101538504B1 (ko) 거리 검출형 누설 감지 센서
ITMI990996A1 (it) Dispositivo per la misurazione della conducibilita' termica di un fluido
KR101884858B1 (ko) 기판 처리 장치 검사 방법
JP2007212324A (ja) 導電率検出器
KR20210078248A (ko) 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치
KR102531525B1 (ko) 플로우셀장치
KR20180122344A (ko) 열식 질량 유량 센서, 당해 열식 질량 유량 센서의 제조 방법, 및 당해 열식 질량 유량 센서를 사용하는 열식 질량 유량계
KR20170138617A (ko) 온도측정 웨이퍼 센서의 신뢰성 검사장치
JPH0498135A (ja) 温度検出装置
KR19990041116A (ko) 반도체 웨이퍼의 면저항 측정 수단을 갖는 어닐링 장비

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right