KR20100042870A - 처리액 공급 장치 - Google Patents

처리액 공급 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20100042870A
KR20100042870A KR1020080102064A KR20080102064A KR20100042870A KR 20100042870 A KR20100042870 A KR 20100042870A KR 1020080102064 A KR1020080102064 A KR 1020080102064A KR 20080102064 A KR20080102064 A KR 20080102064A KR 20100042870 A KR20100042870 A KR 20100042870A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
temperature
processing liquid
supply line
nozzle
treatment liquid
Prior art date
Application number
KR1020080102064A
Other languages
English (en)
Inventor
이주동
서재희
Original Assignee
세메스 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 세메스 주식회사 filed Critical 세메스 주식회사
Priority to KR1020080102064A priority Critical patent/KR20100042870A/ko
Publication of KR20100042870A publication Critical patent/KR20100042870A/ko

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248Temperature monitoring

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

본 발명은 고온의 처리액의 공급시 발생되는 온도 손실을 보상하는 처리액 공급 장치에 관한 것이다. 처리액 공급 장치는 히터에 의해 가열된 고온의 처리액을 온도 보상하여 기판 처리 장치로 공급한다. 여기서 기판 처리 장치는 고온의 처리액을 이용하여 공정을 처리한다. 예를 들어, 기판 처리 장치는 핫 순수를 이용하여 기판을 세정한다. 처리액 공급 장치는 공급 라인의 외주면에 히팅 코일과, 공급되는 처리액의 온도를 측정하는 온도 센서 및, 측정된 온도 정보에 대응하여 고온의 처리액을 일정하게 유지시켜서 공급하도록 제어하는 컨트롤러를 포함한다. 본 발명에 의하면, 히터에 의해 가열된 고온의 처리액이 공급되지 않는 시점의 공급 라인에서 온도 하강된 고온의 처리액을 공정 조건에 적합하도록 온도 보상함으로써, 고온의 처리액의 낭비를 방지하고, 생산성을 향상시킬 수 있다.
처리액 공급 장치, 순수, 온도 보상, 공급 정체, 히팅 코일

Description

처리액 공급 장치{APPARATUS FOR SUPPLYING TREATMENT LIQUID}
본 발명은 처리액 공급 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 고온의 처리액을 온도 보상하여 공급하기 위한 처리액 공급 장치에 관한 것이다.
일반적으로 기판 세정 효율을 향상시키기 위해, 고온의 처리액을 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치로 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치는 처리액 공급원과, 기판으로 고온의 처리액을 공급하는 노즐 및, 처리액 공급원과 노즐 사이를 연결하는 공급 라인을 포함한다. 또 기판 처리 장치는 공급 라인에 히터를 설치하고, 히터에 의해 처리액을 공정 조건에 적합하도록 가열하고, 가열된 고온의 처리액을 노즐로 공급한다.
그러나 이러한 처리액 공급 장치는 히터로부터 가열된 고온의 처리액이 노즐로 공급되는 경로에서 주변 환경에 의해 온도가 하강하게 되는 문제점이 있다. 특히, 히터에 의해 가열된 고온의 처리액이 공급되지 않는 시점의 공급 라인 즉, 히터와 노즐 사이의 정체 구간에서 고온의 처리액은 온도 하강이 빈번히 이루어진다. 그러므로 기판 처리 장치는 처리액 공급 장치로부터 온도 하강된 처리액을 공급받아서 공정을 처리하게 되어, 공정 불량을 일으키는 원인이 된다.
온도 보상을 위해 처리액 공급 장치는 공급 라인에 T 분기하여 바이패스 라인을 설치하고, 이를 통해 일정량의 처리액이 흐르도록 하여 온도를 일정하게 유지한다.
도 1을 참조하면, 처리액 공급 장치(10)는 공급된 처리액 예를 들어, 순수(DIW)를 가열하는 히터(12)와, 기판으로 고온의 처리액(HOT DIW)을 공급(DISPENSE)하는 노즐(22) 사이의 공급 라인(16)에 바이패스 라인(18)이 설치된다. 또 공급 라인(16)과 바이패스 라인(18)에는 각각 밸브(14, 20, 24)들이 설치되어, 처리액의 공급 유량 및 바이패스 유량을 조절한다. 예를 들어, 공급 라인(16)에는 히터(12)와 노즐(22) 사이의 정체 구간에 공급 유량을 조절하기 위한 복수 개의 밸브(14, 20)들이 설치된다. 그리고 바이패스 라인(18)에는 바이패스 유량을 조절하기 위한 밸브(24)가 설치되어, 처리액의 정체를 방지하기 위해 일정량의 처리액이 바이패스(BYPASS)된다.
이러한 처리액 공급 장치(10)는 노즐(22)로 처리액 공급 시, 노즐(22)로 처리액을 공급하는 동시에 공급 라인(16) 상에서 발생되는 처리액의 온도 손실을 보상하기 위하여, 바이패스 라인(18)으로 처리액이 일정하게 흐르도록 한다.
그러나, 처리액 공급 장치(10)는 정체 구간에 대한 불필요한 히터(12) 가동과 함께, 고온의 처리액이 바이패스하게 되어 처리액이 낭비된다. 또 노즐(22)에서 고온의 처리액의 공급(DISPENSE) 시, 공정 조건에 적합할 때까지 일정 시간 동안 처리액을 배출해야 하므로 공정 시간 및 처리액 낭비로 인한 생산성이 저하된다.
본 발명의 목적은 고온의 처리액을 공급하기 위한 처리액 공급 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 고온의 처리액을 공급하기 위해 온도를 보상하는 처리액 공급 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 생산성을 향상시키기 위한 고온의 처리액을 공급하는 처리액 공급 장치를 제공하는 것이다.
상기 목적들을 달성하기 위한, 본 발명의 처리액 공급 장치는 처리액의 공급 라인에 처리액의 온도를 보상하는 히팅 코일이 설치되는데 그 한 특징이 있다. 이와 같이 처리액 공급 장치는 공급되는 처리액의 온도를 보상하여 공정 조건에 적합한 고온의 처리액을 일정하게 공급 가능하게 한다.
본 발명의 처리액 공급 장치는, 히터에 의해 공정 조건에 적합한 고온의 처리액을 노즐로 공급하는 공급 라인과; 상기 공급 라인과 상기 노즐 사이에 설치되어 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도 센서와; 상기 공급 라인의 외주면에 설치되어, 상기 처리액의 온도를 조절하는 히팅 코일 및; 상기 온도 센서로부터 측정된 상기 처리액의 온도에 대응하여 상기 노즐로 공급되는 처리액의 온도가 상기 공정 조건에 적합하도록 상기 히팅 코일을 제어하는 컨트롤러를 포함한다.
한 실시예에 있어서, 상기 히팅 코일은 상기 히터와 상기 온도 센서 사이의 상기 공급 라인에 설치된다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 처리액 공급 장치는 공급 라인에 히팅 코일을 설치함으로써, 공급되는 고온의 처리액의 온도를 보상할 수 있다.
따라서 본 발명의 처리액 공급 장치는 고온의 처리액을 공급하지 않는 시점에서 처리액의 낭비를 방지할 수 있다.
또한 본 발명의 처리액 공급 장치는 공정 조건에 적합한 고온의 처리액을 노즐로 공급함으로써, 노즐에서의 처리액 낭비를 방지하고, 공정 시간이 단축되어 생산성을 향상시킬 수 있다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
이하 첨부된 도 2를 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 구성을 도시한 도면이다.
도 2를 참조하면, 처리액 공급 장치(100)는 고온의 처리액을 공급하는 공급 라인(106)과, 공급 라인(106)의 외주면에 설치되는 히팅 코일(110)을 포함한다. 처리액 공급 장치(100)는 공급 라인(106)에 설치되는 온도 센서(112)와, 온도 센서(112)로부터 측정된 온도 정보(MEASURE)를 받아서 히팅 코일(110)을 제어(CONTROL)하는 컨트롤러(102)를 더 포함한다. 또 처리액 공급 장치(100)는 공급 라인(106)에 설치되는 복수 개의 제 1 및 제 2 밸브(108, 114)들을 더 포함한다.
이러한 처리액 공급 장치(100)는 고온의 처리액 예를 들어, 핫 순수(HOT DIW)를 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치(미도시됨)로 공정 조건에 적합하도록 처리액의 온도를 보상하여 공급한다.
구체적으로, 공급 라인(106)은 처리액 공급원(미도시됨)으로부터 공급된 처리액을 공정 조건에 적합하도록 가열하는 히터(104)와, 기판으로 처리액을 공급하는 노즐(116) 사이를 연결한다.
히팅 코일(110)은 히터(104)와 노즐(116) 사이의 공급 라인(106)의 외주면에 균일한 간격으로 설치된다. 히팅 코일(110)은 예를 들어, 제 1 밸브(108)와 온도 센서(112) 사이에 구비되어, 컨트롤러(102)의 제어(CONTROL)를 받아서 고온의 처리액이 일정하게 유지하도록 온도를 보상한다. 따라서 히팅 코일(110)은 공급 라인(106)의 외주면에 설치되어 공급 라인(106)의 온도를 일정하게 유지시킴으로써, 처리액의 온도를 조절할 수 있다.
온도 센서(112)는 제 2 밸브(114) 전단의 공급 라인(106)에 설치되어, 노즐(116)로 공급되는 고온의 처리액의 온도를 측정하고, 측정된 온도 정보(MEASURE)를 컨트롤러(102)로 제공한다. 온도 센서(112)는 예를 들어, 열전대(Themo Couple : THC)을 이용하여 처리액의 온도를 측정하고, 측정된 온도 정보(MEASUER)를 컨트롤러(102)로 전송한다.
제 1 및 제 2 밸브(108, 114)는 공급 라인(106)의 처리액 유량을 조절한다. 예를 들어, 제 1 밸브(108)는 수동 밸브로 구비되고, 제 2 밸브(114)는 공압 밸브(air operating valve)로 구비되어 컨트롤러(102)에 의해 개폐량이 조절된다. 또 제 1 밸브(108)는 히터(104)에 근접하게 설치되고, 제 2 밸브(20)는 노즐(22)에 근접하게 설치된다.
그리고 컨트롤러(102)는 온도 센서(112)로부터 측정된 온도 정보(MEASURE)를 받아서, 공급 라인(106)의 정체 구간 즉, 히터(104)에 의해 가열된 고온의 처리액이 공급되지 않는 시점의 공급 라인(106)에서 온도 하강된 고온의 처리액을 공정 조건에 적합하도록 온도 보상하도록 히팅 코일(110)을 제어(CONTROL)한다. 그 결과, 노즐(116)은 일정하게 온도 유지된 고온의 처리액을 기판으로 공급할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명의 처리액 공급 장치(100)는 공급 라인(106)에서 발생되는 온도 손실을 보상하여 노즐(116)로 공급함으로써, 종래 기술의 바이패스로 인한 처리액의 낭비를 방지할 수 있으며, 고온의 처리액이 공정 조건에 적합하도록 온도 보상되어 노즐(116)로 공급되므로, 노즐(116)에서 공정 조건에 만족할 때까지 고온의 처리액이 낭비되는 것을 방지할 수 있다.
그러므로 노즐(116)로부터 처리액을 공급하기 위한 공정 시간이 단축되어, 생산성을 향상시킬 수 있다.
이상에서, 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 구성 및 작용을 상세한 설명 과 도면에 따라 도시하였지만, 이는 실시예를 들어 설명한 것에 불과하며, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화 및 변경이 가능하다.
도 1은 일반적인 처리액 공급 장치의 구성을 도시한 도면; 그리고
도 2는 본 발명에 따른 처리액 공급 장치의 구성을 도시한 도면이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호 설명 *
100 : 처리액 공급 장치 102 : 컨트롤러
104 : 히터 106 : 공급 라인
108 : 수동 밸브 110 : 히팅 코일
112 : 온도 센서 114 : 자동 밸브
116 : 노즐

Claims (2)

  1. 처리액 공급 장치에 있어서:
    히터에 의해 공정 조건에 적합한 고온의 처리액을 노즐로 공급하는 공급 라인과;
    상기 공급 라인과 상기 노즐 사이에 설치되어 상기 처리액의 온도를 측정하는 온도 센서와;
    상기 공급 라인의 외주면에 설치되어, 상기 처리액의 온도를 조절하는 히팅 코일 및;
    상기 온도 센서로부터 측정된 상기 처리액의 온도에 대응하여 상기 노즐로 공급되는 처리액의 온도가 상기 공정 조건에 적합하도록 상기 히팅 코일을 제어하는 컨트롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 히팅 코일은 상기 히터와 상기 온도 센서 사이의 상기 공급 라인에 설치되는 것을 특징으로 하는 처리액 공급 장치.
KR1020080102064A 2008-10-17 2008-10-17 처리액 공급 장치 KR20100042870A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080102064A KR20100042870A (ko) 2008-10-17 2008-10-17 처리액 공급 장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020080102064A KR20100042870A (ko) 2008-10-17 2008-10-17 처리액 공급 장치

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20100042870A true KR20100042870A (ko) 2010-04-27

Family

ID=42218115

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020080102064A KR20100042870A (ko) 2008-10-17 2008-10-17 처리액 공급 장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20100042870A (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11592342B2 (en) * 2019-03-22 2023-02-28 Kctech Co., Ltd. Temperature detection device

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11592342B2 (en) * 2019-03-22 2023-02-28 Kctech Co., Ltd. Temperature detection device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104536365A (zh) 一种化学液在线加热控制系统及控制方法
CN105080750A (zh) 用于给物体涂装的涂装系统
JP2007533155A5 (ko)
CN204256467U (zh) 一种化学液在线加热控制系统
US7631476B2 (en) Steam-replacement deaeration apparatus for use in bag packaging
KR20100042870A (ko) 처리액 공급 장치
KR20160041002A (ko) 과열 수증기 생성 장치
JP2016007652A (ja) 研磨パッドの温度調節システムおよびこれを備えた基板処理装置
JP2016186998A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JP2008194579A (ja) 接着剤ディスペンサの温度調節装置
KR101057146B1 (ko) 난방장치 및 그 방법
DE20319404U1 (de) Wassertemperatur-Steuer-Gerät für die Wasserleitung der Wasch- oder Spülmaschine
JP2007066849A (ja) 電磁誘導流体加熱装置及び同電磁誘導流体加熱装置の制御方法
JP5005739B2 (ja) ミストサウナ装置
KR20090000913U (ko) 두 대이상의 효과를발휘하는 볍씨및종자발아기
KR0179938B1 (ko) 반도체 웨이퍼 노광장치
JP2016186764A (ja) 湯水混合装置
JP4607021B2 (ja) ミストサウナ装置
JP4931259B2 (ja) 人体洗浄装置
JP2017188497A (ja) 処理液供給装置
KR20100044483A (ko) 처리액 공급 장치
CN211359863U (zh) 一种用于超声波清洗机的加热供水装置
JP2011052923A (ja) ミストサウナ機能付き浴室暖房装置
CN110181391A (zh) 研磨液供给装置、研磨设备和研磨液的温度控制方法
KR0133943Y1 (ko) 세정력 향상을 위한 질소공급장치

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination