KR20210078248A - 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치 - Google Patents

반도체 공정의 약액 온도 제어 장치 Download PDF

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김건형
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무진전자 주식회사
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Abstract

본 발명은 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 관한 것이다.
본 발명은 약액을 공급하는 약액 공급부, 약액의 온도를 조절하는 온도 조절부, 온도 조절부에 의해 온도가 조절되어 디스펜서로 공급되는 약액의 현재온도를 감지하는 온도 센서부, 온도 센서부로부터 전달받은 약액의 현재온도와 목표온도의 편차를 계산하고, 편차가 허용 오차 범위를 초과하는 지 여부를 판단하고, 편차가 용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우 편차가 허용 오차 범위에 속하도록 온도 조절부의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명에 따르면, 특정 반도체 공정 수행을 위하여 배관을 통해 공급되는 약액의 온도를 정밀하게 측정하고, 측정된 온도와 목표 온도 간에 편차가 존재하는 경우 이 온도 편차를 실시간 보정하여 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있다.

Description

반도체 공정의 약액 온도 제어 장치{LIQUID CHEMICAL TEMPERATURE CONTROL APPARATUS OF SRMICONDUCTOR PROCESS}
본 발명은 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 특정 반도체 공정 수행을 위하여 배관을 통해 공급되는 약액의 온도를 정밀하게 측정하고, 측정된 온도와 목표 온도 간에 편차가 존재하는 경우 이 온도 편차를 실시간 보정하여 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 공정에 있어서, 기판 표면에 잔류하는 파티클(particle), 유기 오염물, 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다.
이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다.
일반적으로 기판의 세정은 케미컬(chemical)과 같은 처리액을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 탈이온수(deionized water)를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 린스(rinse) 공정, 그리고 건조 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다.
한편, 이러한 반도체 세정 공정 중에 기판으로 공급되는 약액은 반도체 공정의 수율에 큰 영향을 미치는 요인이기 때문에, 약액의 온도는 정밀하게 제어되어야 하며, 디스펜서 측의 노즐 최종단에서의 온도관리 및 제어특성 향상을 위해 온도 변화에 민감하게 동작하고, 오염의 소지가 없는 온도 센서가 요구된다.
온도 센서와 관련한 종래 기술로서, 메탈방식과 불소수지 코팅 방식의 접촉식 온도 센서와 비접촉식 온도 센서가 알려져 있다.
메탈방식의 접촉식 온도 센서의 경우 온도 변화에 대한 반응성은 좋으나, 약액에 의해 메탈이 부식되어 온도 센서를 구성하는 메탈 성분이 오염원으로 작용할 수 있다는 문제점이 있다.
또한 불소수지 코팅 방식의 접촉식 온도 센서의 경우, 약액 사용에 제한이 없으나 불소수지 때문에 온도변화에 대한 반응성이 좋지 않다는 문제점이 있다.
또한, 비접촉식 온도 센서의 경우, 온도 센서가 약액이 흐르는 배관 외부에 설치되기 때문에, 약액의 실제 온도와 측정되는 온도 간에 차이가 발생하며 온도 반응성도 좋지 않다는 문제점이 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-2018-0079547호(공개일자: 2018년 07월 11일, 명칭: 기판 처리 장치 및 온도 센서) 대한민국 등록특허공보 제10-2006750호(등록일자: 2019년 07월 29일, 명칭: 온도 및 압력 감지용 센서조립체) 대한민국 공개특허공보 제10-2013-0020621호(공개일자: 2013년 02월 27일, 명칭: 콤팩트 센서 조립체에서의 조합 압력／온도)
본 발명의 기술적 과제는 특정 반도체 공정 수행을 위하여 배관을 통해 공급되는 약액의 온도를 정밀하게 측정하고, 측정된 온도와 목표 온도 간에 편차가 존재하는 경우 이 온도 편차를 실시간 보정하여 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치를 제공하는 것이다.
이러한 기술적 과제를 해결하기 위한 본 발명에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치는 약액을 공급하는 약액 공급부, 상기 약액 공급부에 의해 공급되는 약액의 온도를 조절하는 온도 조절부, 상기 약액 공급부와 상기 온도 조절부 사이의 제1 배관에 설치된 제1 밸브, 상기 온도 조절부에 의해 온도가 조절되어 디스펜서로 공급되는 약액의 현재온도를 감지하는 온도 센서부, 상기 온도 센서부와 상기 디스펜서 사이의 제2 배관 및 상기 제2 배관에서 상기 약액 공급부로 분기되는 회수 배관의 교차점에 설치된 제2 밸브 및 상기 온도 센서부로부터 전달받은 상기 약액의 현재온도와 미리 설정되어 있는 목표온도의 편차를 계산하고, 상기 편차가 미리 설정된 허용 오차 범위를 초과하는 지 여부를 판단하고, 상기 편차가 상기 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우 상기 편차가 상기 허용 오차 범위에 속하도록 상기 온도 조절부의 동작을 제어하는 제어부를 포함한다.
본 발명에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 있어서, 상기 온도 센서부는, 상기 약액에 직접 접촉되는 쿼츠관, 상기 쿼츠관의 일 종단에 접촉하도록 상기 쿼츠관에 내장된 센서 본체, 상기 센서 본체에 전기적으로 연결되어 상기 쿼츠관의 타 종단을 통해 외부로 연장되어 있는 배선부 및 상기 쿼츠관의 내부 영역 중에서 상기 센서 본체, 상기 배선부를 제외한 영역에 충진되어 있는 실링재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 있어서, 상기 실링재는 에폭시 수지 계열인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 편차가 상기 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우, 상기 약액이 상기 제2 배관을 통해 상기 디스펜서로 공급되지 않고 상기 회수 배관을 통하여 상기 약액 공급부로 회수되도록 상기 제2 밸브의 동작을 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 있어서, 상기 제어부는, 상기 편차가 상기 허용 오차 범위에 속하는 것으로 판단된 경우, 상기 약액이 상기 회수 배관을 통하여 상기 약액 공급부로 회수되지 않고 상기 제2 배관을 통해 상기 디스펜서로 공급되도록 상기 제2 밸브의 동작을 제어하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치에 있어서, 상기 약액은 반도체 세정 공정에서 공급되는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 특정 반도체 공정 수행을 위하여 배관을 통해 공급되는 약액의 온도를 정밀하게 측정하고, 측정된 온도와 목표 온도 간에 편차가 존재하는 경우 이 온도 편차를 실시간 보정하여 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치가 제공되는 효과가 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치를 나타낸 도면이고,
도 2는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 온도 센서부의 예시적인 구성을 나타낸 도면이고,
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이고,
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 적용된 온도 센서부의 온도 응답 특성을 종래 센서와 비교하여 나타낸 그래프이다.
본 명세서에 개시된 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태들로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들을 특정한 개시 형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 벗어나지 않은 채, 제1 구성 요소는 제2 구성 요소로 명명될 수 있고 유사하게 제2 구성 요소는 제1 구성 요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성 요소에 직접 연결되어 있거나 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성 요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성 요소가 다른 구성 요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는 중간에 다른 구성 요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성 요소간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에" 와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로서, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 본 명세서에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성 요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어는 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 나타낸다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의된 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하에서는, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치를 나타낸 도면이고, 도 2는 본 발명의 일 실시 예에 있어서, 온도 센서부(40)의 예시적인 구성을 나타낸 도면이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치는 약액 공급부(10), 온도 조절부(20), 제1 밸브(30), 온도 센서부(40), 제2 밸브(50) 및 제어부(60)를 포함하여 구성된다.
먼저 본 발명의 일 실시 예에 사용되는 배관들을 정의한다.
제1 배관(70)은 약액 공급부(10)와 온도 조절부(20) 사이에 설치된 배관이고, 제2 배관(80)은 온도 센서부(40)와 디스펜서(100) 사이에 설치된 배관이고, 회수 배관(90)은 제2 배관(80)에서 분기되는 배관으로서 제2 배관(80)과 약액 공급부(10) 사이에 설치된 배관이다.
약액 공급부(10)는 약액을 공급하는 구성요소이다.
예를 들어, 약액은 반도체 세정 공정에서 공급되는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)일 수 있으나, 약액이 이에 한정되지는 않으며 반도체 공정에서 사용되는 유체 상태의 임의의 화학물질일 수 있다.
온도 조절부(20)는 약액 공급부(10)에 의해 공급되는 약액의 온도를 조절하는 구성요소이다.
예를 들어, 온도 조절부(20)는 약액이 흐르는 배관의 외곽 둘레에 설치되어 약액의 흐름을 방해하지 않으면서 온도를 조절하는 인라인 히터(inline heater)일 수 있으나, 온도 조절부(20)가 이에 한정되지는 않는다.
제1 밸브(30)는 약액 공급부(10)와 온도 조절부(20) 사이의 제1 배관(70)에 설치되어 있으며, 제어부(60)의 제어에 따라 온오프가 결정된다.
온도 센서부(40)는 온도 조절부(20)에 의해 온도가 조절되어 디스펜서(100)로 공급되는 약액의 현재온도를 감지하는 구성요소이다.
도 2에 예시된 바와 같이, 예를 들어, 온도 센서부(40)는, 쿼츠관(42), 센서 본체(44), 배선부(46) 및 실링재(48)를 포함하여 구성될 수 있다.
쿼츠관(quartz tube, 42)은 배관을 통하여 흐르는 약액에 직접 접촉되는 구성요소이다.
센서 본체(44)는 쿼츠관(42)의 일 종단에 접촉하도록 쿼츠관(42)에 내장된다. 예를 들어, 쿼츠관(42)의 일 종단은 베관에 삽입되어 약액에 직접적으로 접촉되는 부분일 수 있다.
배선부(46)는 센서 본체(44)에 전기적으로 연결되어 쿼츠관(42)의 타 종단을 통해 외부로 연장되어 있다. 이러한 배선부(46)는 제어부(60) 등에 전기적으로 연결되어 온도 데이터를 전달하는 매체일 수 있다.
실링재(48)는 쿼츠관(42)의 내부 영역 중에서 센서 본체(44), 배선부(46)를 제외한 영역에 충진되어 있으며, 열 손실을 최소화하기 위한 구성요소이다.
예를 들어, 실링재(48)는 에폭시 수지 계열의 물질로 구성될 수 있으나, 실링재(48)의 재질이 이에 한정되지는 않는다.
이와 같이 본 발명의 일 실시 예에 따르면, 온도 센서부(40)의 타 구성요소들은 약액에 직접적으로 노출되는 쿼츠관(42)에 내장되기 때문에, 약액에 의한 오염이 발생하지 않으면서도 온도 변화에 대한 반응성이 우수하다는 장점이 있다.
제2 밸브(50)는 온도 센서부(40)와 디스펜서(100) 사이의 제2 배관(80) 및 제2 배관(80)에서 약액 공급부(10)로 분기되는 회수 배관(90)의 교차점에 설치되어 있으며, 제어부(60)의 제어에 따라 온오프가 결정된다.
제어부(60)는 온도 센서부(40)로부터 전달받은 약액의 현재온도와 미리 설정되어 있는 목표온도의 편차를 계산하고, 계산된 편차가 미리 설정된 허용 오차 범위를 초과하는 지 여부를 판단하고, 편차가 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우 편차가 허용 오차 범위에 속하도록 온도 조절부(20)의 동작을 제어하는 구성요소이다.
하나의 예로, 제어부(60)는, 편차가 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우, 약액이 제2 배관(80)을 통해 디스펜서(100)로 공급되지 않고 회수 배관(90)을 통하여 약액 공급부(10)로 회수되도록 제2 밸브(50)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다.
다른 예로, 제어부(60)는, 편차가 허용 오차 범위에 속하는 것으로 판단된 경우, 약액이 회수 배관(90)을 통하여 약액 공급부(10)로 회수되지 않고 제2 배관(80)을 통해 디스펜서(100)로 공급되도록 제2 밸브(50)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다.
도 3은 본 발명의 일 실시 예에 따른 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치의 동작을 예시적으로 설명하기 위한 도면이다,
도 3을 추가로 참조하면, 단계 S10에서는, 반도체 공정 수행을 위한 약액의 공급이 개시된다.
단계 S20에서는, 온도 센서부(40)가 배관 내부를 흐르는 약액의 온도를 감지하여 제어부(60)로 전달하는 과정이 수행된다.
단계 S30에서는, 제어부(60)가 온도 센서부(40)로부터 전달받은 약액의 현재온도와 미리 설정되어 있는 목표온도의 편차를 계산하는 과정이 수행된다.
단계 S40에서는, 제어부(60)가 단계 S30에서 계산된 편차가 미리 설정되어 있는 허용 오차 범위를 초과하는지 여부를 판단하는 과정이 수행된다. 공정 수행 조건에 따라 상이할 수 있으나, 예를 들어, 현재 반도체 공정이 세정 공정이고, 약액이 IPA인 경우, 약액의 목표온도는 75℃이고, 허용 오차 범위는 ±3℃일 수 있다. 이러한 목표온도 및 허용 오차 범위는 관리자에 의해 설정되고 변경될 수 있다.
단계 S40에서의 판단 결과, 계산된 편차가 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우 단계 S50으로 전환되고, 그렇지 않은 경우 단계 S70으로 전환되어 약액 공급이 유지된다.
단계 S50은 계산된 편차가 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우 수행되는 과정으로서, 단계 S50에서는, 약액을 디스펜서(100)로 공급하지 않고 회수하는 과정이 수행된다. 이를 위하여, 단계 S50에서, 제어부(60)는 약액이 제2 배관(80)을 통해 디스펜서(100)로 공급되지 않고 회수 배관(90)을 통하여 약액 공급부(10)로 회수되도록 제2 밸브(50)의 동작을 제어하도록 구성될 수 있다.
단계 S60에서는, 온도 조절부(20)가 약액 공급부(10)가 공급하는 약액의 온도를 조절하는 과정이 수행된다. 예를 들어, 단계 S60에서, 온도 조절부(20)는 제어부(60)의 제어에 따라 약액의 현재온도와 목표온도의 편차가 허용 오차 범위에 속하도록 약액의 온도를 조절하도록 구성될 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 적용된 온도 센서부(40)의 온도 응답성을 종래 센서와 비교하여 나타낸 그래프이다.
도 4를 추가로 참조하면, A는 챔버(200) 내부에서 디스펜서(100)를 통해 기판으로 분사되는 분사액, 즉, 약액의 실제 온도를 나타내고, B는 종래 기술인 불소수지 코팅 방식으로 제작된 온도 센서를 사용하여 측정한 약액의 온도를 나타내고, C는 본 발명의 일 실시 예에 따라 쿼츠관(42)을 이용하여 구현한 온도 센서부(40)를 사용하여 측정한 약액의 온도를 나타내고, D는 종래 기술인 배관 표면 온도를 측정하는 방식인 비접촉식 온도 센서를 사용하여 간접적으로 측정한 약액의 온도를 나타낸다.
도 4를 통하여 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 일 실시 예에 따라 쿼츠관(42)을 이용하여 구현한 온도 센서부(40)를 적용하는 경우, 약액의 실제 온도에 근접한 측정 결과를 획득할 수 있으며, 쿼츠관(42)은 약액에 대하여 내식성이 우수하기 때문에 약액에 의해 온도 센서가 부식되어 발생할 수 있는 오염을 방지할 수 있다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명에 따르면, 특정 반도체 공정 수행을 위하여 배관을 통해 공급되는 약액의 온도를 정밀하게 측정하고, 측정된 온도와 목표 온도 간에 편차가 존재하는 경우 이 온도 편차를 실시간 보정하여 반도체 공정의 수율을 향상시킬 수 있는 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치가 제공되는 효과가 있다.
10: 약액 공급부
20: 온도 조절부
30: 제1 밸브
40: 온도 센서부
42: 쿼츠관
44: 센서 본체
46: 배선부
48: 실링재
50: 제2 밸브
60: 제어부
70: 제1 배관
80: 제2 배관
90: 회수 배관
100: 디스펜서
200: 챔버

Claims (6)

  1. 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치로서,
    약액을 공급하는 약액 공급부;
    상기 약액 공급부에 의해 공급되는 약액의 온도를 조절하는 온도 조절부;
    상기 약액 공급부와 상기 온도 조절부 사이의 제1 배관에 설치된 제1 밸브;
    상기 온도 조절부에 의해 온도가 조절되어 디스펜서로 공급되는 약액의 현재온도를 감지하는 온도 센서부;
    상기 온도 센서부와 상기 디스펜서 사이의 제2 배관 및 상기 제2 배관에서 상기 약액 공급부로 분기되는 회수 배관의 교차점에 설치된 제2 밸브; 및
    상기 온도 센서부로부터 전달받은 상기 약액의 현재온도와 미리 설정되어 있는 목표온도의 편차를 계산하고, 상기 편차가 미리 설정된 허용 오차 범위를 초과하는 지 여부를 판단하고, 상기 편차가 상기 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우 상기 편차가 상기 허용 오차 범위에 속하도록 상기 온도 조절부의 동작을 제어하는 제어부를 포함하는, 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도 센서부는,
    상기 약액에 직접 접촉되는 쿼츠관;
    상기 쿼츠관의 일 종단에 접촉하도록 상기 쿼츠관에 내장된 센서 본체;
    상기 센서 본체에 전기적으로 연결되어 상기 쿼츠관의 타 종단을 통해 외부로 연장되어 있는 배선부; 및
    상기 쿼츠관의 내부 영역 중에서 상기 센서 본체, 상기 배선부를 제외한 영역에 충진되어 있는 실링재를 포함하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 실링재는 에폭시 수지 계열인 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 편차가 상기 허용 오차 범위를 초과하는 것으로 판단된 경우,
    상기 약액이 상기 제2 배관을 통해 상기 디스펜서로 공급되지 않고 상기 회수 배관을 통하여 상기 약액 공급부로 회수되도록 상기 제2 밸브의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 편차가 상기 허용 오차 범위에 속하는 것으로 판단된 경우,
    상기 약액이 상기 회수 배관을 통하여 상기 약액 공급부로 회수되지 않고 상기 제2 배관을 통해 상기 디스펜서로 공급되도록 상기 제2 밸브의 동작을 제어하는 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치.
  6. 제2항에 있어서,
    상기 약액은 반도체 세정 공정에서 공급되는 이소프로필 알코올(isopropyl alcohol, IPA)인 것을 특징으로 하는, 반도체 공정의 약액 온도 제어 장치.
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KR20130020621A (ko) 2011-08-18 2013-02-27 센사타 테크놀로지스, 인크 콤팩트 센서 조립체에서의 조합 압력／온도
KR20180079547A (ko) 2016-12-30 2018-07-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 온도 센서
KR102006750B1 (ko) 2018-11-16 2019-08-06 주식회사 신한전기 온도 및 압력 감지용 센서조립체

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