TW201306640A - 電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置及方法 - Google Patents

Abstract

本發明係於電阻加熱加熱器(13)之劣化檢測裝置中，控制部(93)至少基於通電中之電阻加熱加熱器之溫度為第1溫度時所檢測之電阻加熱加熱器的電流值及電壓值、與通電中之電阻加熱加熱器之溫度為與第1溫度不同之第2溫度時所檢測的電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，決定表示電阻加熱加熱器之溫度與電阻加熱加熱器之電阻值之間之關係的直線式。控制部係藉由將決定該直線式後之判定時所檢測之通電中之電阻加熱加熱器的溫度代入該直線式而算出第1電阻值，並根據上述判定時所檢測之通電中之電阻加熱加熱器之電流值及電壓值算出第2電阻值。而且，控制部係於第1電阻值與第2電阻值之偏差、或第2電阻值相對於第1電阻值之比超過臨限值時，判定為電阻加熱加熱器已劣化。

Description

電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置及方法

本發明係關於一種電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置及方法，尤其關於一種用於結晶成長裝置等半導體製造裝置中之電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置及方法。

電阻加熱加熱器係適於均勻之加熱，故常用於MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition，金屬有機氣相沈積)裝置等結晶成長裝置之基板加熱。作為結晶成長裝置用電阻加熱加熱器之材料，例如強度或耐氧化性優異之二矽化鉬為代表性者。

電阻加熱加熱器係隨著使用而日益劣化。於MOCVD裝置之情形時，電阻加熱加熱器劣化之原因在於，自承座向下方流入之氣體中之原料氣體與高溫之加熱器反應，從而腐蝕加熱器。

若加熱器劣化，則最差之情形將導致加熱器之斷線。若加熱器突然斷線，則不僅需要加熱器更換作業，而且需要對新安裝之加熱器進行脫氣處理、或再測定供給至加熱器之電力與基板溫度之關係之作業。若突然產生此種作業，則產生無法完成生產計劃之虞。

為了不對生產計劃造成影響，較理想的是，可檢測電阻加熱加熱器之劣化程度，預測加熱器之更換時期。作為電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置之一例，例如已知有日本專利特開2004-319953號公報(專利文獻1)中記載之裝置。

該文獻中記載之劣化檢測裝置係包含電流檢測機構、電壓檢測機構、溫度檢測機構、表格記憶體、及CPU(Central Processing Unit，中央處理單元)。電流檢測機構係檢測流入經商用電源加熱之加熱器中之電流之位準。電壓檢測機構係檢測施加於加熱器之電壓之位準。溫度檢測機構係檢測加熱器溫度。表格記憶體係記憶有用以算出加熱器之製造時之電阻之電阻溫度係數。CPU係基於電壓檢測機構及電流檢測機構之各檢測結果，算出加熱器之檢查時之電阻，並且基於溫度檢測機構之檢測結果及記憶於表格記憶體中之電阻溫度係數，算出加熱器之基準時之電阻，且基於加熱器之檢查時之電阻及加熱器之基準時之電阻，確定加熱器之劣化之程度。此處，如該文獻之圖3所記載，表格記憶體係於一組內記憶有加熱器固有之識別編號、加熱器之電阻溫度係數、加熱器之長度、加熱器之剖面面積、及加熱器之基準時之電阻例如製造時之基準電阻之記憶體。電阻溫度係數係於該圖之情形時，記憶有相對於20℃、850℃、1000℃之值。

先行技術文獻 專利文獻

專利文獻1：日本專利特開2004-319953號公報

電阻加熱加熱器中使用之二矽化鉬等之電阻值係存在著常溫下極小而變為高溫則增大之類的溫度依存性。因此， 於如上述專利文獻所述，藉由基準時之加熱器之電阻值與檢查時之加熱器的電阻值之比較而進行劣化判定之情形時，必需使基準時之加熱器之溫度與檢查時之電阻之溫度相同。於上述專利文獻之情形時，電阻溫度係數係與複數個溫度對應地預先記憶於表格記憶體中，且使用該係數，以基準時之溫度變得與檢查時之溫度相等之方式，換算基準時之電阻值。

且說，用於結晶成長裝置中之電阻加熱加熱器之劣化判定係於效率方面，較佳為於結晶成長中進行。然而，結晶成長中之加熱器溫度係因原料氣體之成分或於基板上製膜之材料之膜厚等而變化，並不固定。因此，若需要於結晶成長中進行加熱器之劣化判定，則必需相對於結晶成長中獲取之所有溫度，預先檢測基準電阻值(於上述專利文獻之情形時為電阻溫度係數)，故較為繁瑣。

因此，本發明之目的在於提供一種可相較先前簡便地進行電阻加熱加熱器之劣化判定之劣化判定裝置及方法。

本發明係於一形態中為一種電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置，其包括：電流檢測部，其係檢測流入電阻加熱加熱器中之電流；電壓檢測部，其係檢測施加至電阻加熱加熱器之電壓；溫度檢測部，其係檢測電阻加熱加熱器之溫度；及控制部。控制部係至少基於通電中之電阻加熱加熱器之溫度為第1溫度時所檢測之電阻加熱加熱器的電流值及電壓值、與通電中之電阻加熱加熱器之溫度為與第1溫 度不同之第2溫度時所檢測的電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，決定表示電阻加熱加熱器之溫度與電阻加熱加熱器之電阻值之間之關係的直線式。控制部係藉由將決定該直線式後之判定時所檢測之通電中之電阻加熱加熱器的溫度代入該直線式而算出第1電阻值，並根據上述判定時所檢測之通電中之電阻加熱加熱器之電流值及電壓值算出第2電阻值。而且，控制部係於第1電阻值與第2電阻值之偏差、或第2電阻值相對於第1電阻值之比超過臨限值時，判定為電阻加熱加熱器已劣化。

較佳為，電阻加熱加熱器係用於結晶成長用基板加熱。上述判定時係包含於結晶成長中之時間帶。

較佳為，結晶成長中之電阻加熱加熱器之溫度係包含於上述第1溫度與第2溫度之間。

較佳為，上述臨限值係不隨判定時之電阻加熱加熱器之溫度變化而係恆定值。

於其他形態中，本發明係一種電阻加熱加熱器之劣化檢測方法，其包括如下步驟：於通電中之電阻加熱加熱器之溫度為第1溫度時，檢測電阻加熱加熱器之電流值及電壓值；於通電中之電阻加熱加熱器之溫度為與第1溫度不同之第2溫度時，檢測電阻加熱加熱器之電流值及電壓值；至少基於第1及第2溫度時所檢測之電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，決定表示電阻加熱加熱器之溫度與電阻加熱加熱器之電阻值之間之關係的直線式；於決定該直線式後之判定時，檢測通電中之電阻加熱加熱器之電流值、電壓 值及溫度；藉由將該判定時所檢測之電阻加熱加熱器之溫度代入上述直線式而算出第1電阻值；根據上述判定時所檢測之電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，算出第2電阻值；及於第1電阻值與第2電阻值之偏差、或第2電阻值相對於第1電阻值之比超過臨限值時，判定為電阻加熱加熱器已劣化。

根據本發明，決定表示電阻加熱加熱器之溫度與電阻加熱加熱器之電阻值之間之關係的直線式，且藉由將判定時所檢測之電阻加熱加熱器之溫度代入該直線式而算出作為基準之電阻值，因此，相較先前，可簡便地進行電阻加熱加熱器之劣化判定。

以下，參照圖式，詳細地說明本發明之實施形態。再者，對相同或相符之部分標註同一參照符號，且不重複其說明。

[結晶成長裝置之構成]

圖1係表示應用本發明一實施形態之加熱器的劣化判定裝置之結晶成長裝置1之構成之圖。於圖1中，表示利用MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法之結晶成長裝置1(亦記作MOCVD裝置1)之整體構成。

參照圖1，MOCVD裝置1係用以使InGaAs(銦鎵砷)、lnGaP(磷化鎵銦)、lnGaN(氮化鎵銦)等III-V族半導體結晶之薄膜於基板上成長之裝置。MOCVD裝置1係包含反應容 器10、承座11、加熱器13、加熱器電源51、簇射頭20、原料氣體供給源(未圖示)、冷卻泵(未圖示)、氣體排氣部40、電流檢測部81、電壓檢測部82、溫度感測器TS1、溫度檢測部83、控制部93、及顯示部94。

承座11係用以均熱保持複數個基板SUB之載置台，且設置於反應容器內之中央附近。基板SUB之表面溫度係由放射溫度計(未圖示)進行檢測。

於承座11之下方，設置有介隔著承座11，對載置於承座11上之基板SUB進行加熱之加熱器13。作為加熱器13，利用使用有二矽化鉬等之電阻加熱加熱器。於反應容器10之外部，設置有用以對加熱器13供給電力之加熱器電源51。

簇射頭20係與承座11對向地設置於基板SUB之上部，且將自原料氣體供給源供給之III族氣體(有機金屬氣體)及V族氣體均一地照射至基板。簇射頭20係藉由自冷卻泵供給之冷媒(例如，水)進行冷卻，以避免簇射頭20之前面部21之溫度因來自承座11之輻射熱而上升。未用於結晶成長中之多餘之原料氣體等係自氣體排氣部40排出。

溫度感測器TS1係例如熱電偶，且為測定加熱器13之溫度而設置。溫度檢測部83係基於溫度感測器TS1之輸出而檢測加熱器13之溫度。溫度檢測部83之檢測結果係輸出至控制部93。

電流檢測部81及電壓檢測部82係分別檢測通電中之加熱器13之電流及電壓。電流檢測部81及電壓檢測部82之檢測結果係輸出至控制部93。

控制部93係包含作為主控制機器之PLC(Programmable Logic Controller，可程式邏輯控制器)。PLC係按照預先經程式化之順序(稱為處理程式)，對MOCVD裝置1進行序列控制。控制部93係進而基於電流檢測部81、電壓檢測部82、及溫度檢測部83之檢測結果，進行加熱器13之劣化判定。即，控制部93亦作為電阻加熱加熱器13之劣化判定裝置發揮功能。劣化判定用程式係編入於PLC用控制程式。

顯示部94係包含觸控面板，且亦兼作輸入部。顯示部94係作為用以輸入系統．參數或處理程式等之使用者介面發揮功能。

[劣化判定順序之概要]

由控制部93執行之劣化判定順序係基於本發明之發明者等人之如下研究。即，根據發明者等人之研究，如圖2所示，可知直至加熱器斷開為止之加熱器之電阻值係隨著製膜次數增加，加熱器之電阻值逐漸增加，且於加熱器斷開前呈上升曲線。

又，對圖2之製膜次數之第1次(加熱器初期)、第332次(加熱器電阻值之上升曲線開始時)、第408次(加熱器即將斷開前)之電阻加熱加熱器的溫度與電阻加熱加熱器之電阻值之間之關係進行分析後，如圖3所示，可知無論製膜次數如何均可分別在直線中近似。

進而，亦可知無論何種溫度，加熱器初期之電阻值與加熱器即將斷開前之電阻值之比或偏差不會產生變化。例如，加熱器之溫度為1100℃、1150℃、1200℃、及1250℃ 下之第332次之電阻值÷第1次的電阻值之值均為1.08，且第408次之電阻值÷第1次之電阻值之值均為1.15。

根據上述研究結果，該實施形態之劣化判定順序係首先於電阻加熱加熱器之使用初期之狀態下，決定作為表示加熱器之溫度與加熱器之電阻值之間之關係之基準之直線式。於此後之劣化判定時，將通電中之加熱器之溫度代入該直線式而算出第1電阻值，並根據該劣化判定時所檢測之通電中之加熱器之電流值及電壓值，算出第2電阻值。而且，於第1電阻值與第2電阻值之偏差、或第2電阻值相對於第1電阻值之比超過臨限值時，判定為電阻加熱加熱器已劣化。用於劣化判定之臨限值可不取決於加熱器之溫度而設定為恆定值。

[作為基準之電阻-溫度特性之決定]

為了對電阻加熱加熱器13決定作為基準之電阻-溫度特性，而獲取基準溫度及基準電阻值之組(將該等一併稱為基準資料)。該基準資料之獲取係於加熱器13剛更換後等加熱器13為新品狀態時進行。為了獲取基準資料，而必需對電阻加熱加熱器通電，但可藉由與結晶成長分開地對電阻加熱加熱器進行通電而獲取基準資料，亦可於為了結晶成長而使基板溫度升溫時，獲取基準資料。

圖4係表示決定作為基準之電阻-溫度特性之順序之流程圖。圖4係藉由與結晶成長分開地對電阻加熱加熱器通電而獲取基準資料。

首先，於步驟S101中，按照控制部93之控制，開始自加 熱器電源51對加熱器之通電。

若於加熱器13之溫度達到特定之設定溫度後，自使用者接收到表示測定開始之輸入(步驟S102中為YES(是))，則控制部93藉由溫度檢測部83、電流檢測部81、及電壓檢測部82，而檢測加熱器13之溫度、電流值及電壓值(步驟S103)。

加熱器13之溫度、電流及電壓之測定亦可基於控制部93之指令進行，而不取決於使用者之輸入。例如，亦可自加熱器13之溫度達到特定之設定溫度起經過特定之時間後，測定加熱器13之溫度、電流及電壓。或者，於加熱器13之溫度到達特定之設定溫度後，亦可自藉由放射溫度計所測定之基板溫度之面內分佈成為±1℃以內後，測定加熱器13之溫度、電流及電壓。

控制部93係使用檢測之加熱器13之電流值及電壓值，算出加熱器之電阻值(步驟S104)。

上述步驟S102~S104係進行重複，直至獲取所需數量(至少2個)之基準資料(加熱器之溫度與電阻值)為止(即，直至步驟S105中成為YES為止)。於獲得新基準資料時，變更加熱器13之設定溫度(即，對加熱器13之輸入功率)(步驟S106)。

若基準資料之獲取結束，則控制部93決定表示加熱器13之溫度與加熱器13之電阻值之關聯的直線式，即決定Y=aX+b(其中，X：溫度、Y：電阻值)………(1) 之參數(係數)a、b。於獲得分別與2個溫度X1、X2對應之電阻值Y1、Y2作為基準資料時，可藉由a=(Y1-Y2)/(X1-X2)………(2)

b=Y1-X1．(Y1-Y2)/(X1-X2)………(3)

而求出a、b。於獲得3組以上之溫度與電阻值之關係時，可藉由最小平方法而求出a、b。

較理想的是，上述基準溫度X1、X2以成為結晶成長溫度之附近之方式(例如，以結晶成長溫度包含於X1與X2之間之方式)設定。電阻加熱加熱器之電阻值係通常表示金屬性之溫度依存性(電阻與溫度大致成比例之關係)，但若將X1、X2設定於製膜溫度之附近，則即便完全為直線性關係，誤差亦較小。

控制部93係將算出之參數a、b記憶於內置之記憶體中(步驟S108)。此後，對加熱器13之通電停止，處理結束(S109)。

圖5係表示基準資料獲取時之顯示部94之畫面一例之圖。

參照圖1、圖5，於畫面之左上方，顯示有藉由溫度檢測部83所檢測之當前之加熱器13之溫度(℃)、及加熱器13之設定溫度(℃)。

於畫面之右上方，顯示有藉由電壓檢測部82所檢測之加熱器13之電壓值(V)、藉由電流檢測部81所檢測之在加熱 器13中流動之電流值(A)、根據檢測之電流及電壓而算出之加熱器13之電阻值(Ω)、及自加熱器電源51供給至加熱器13之電力(W)。

於畫面之中央附近，配置有用於使用者將基準資料之測定時間輸入至PLC之按鈕「測定1」「測定2」(參照符號101、102)。

於畫面之左下方，顯示有於使用者按壓「測定1」按鈕之時間所檢測之測定溫度1、在相同之時間所檢測之加熱器電壓、及根據加熱器電流算出之測定電阻值1。於畫面之右下方，顯示有於使用者按壓「測定2」按鈕之時間所檢測之測定溫度2、在相同之時間所檢測到之加熱器電壓、及根據加熱器電流算出之測定電阻值2。進而，亦顯示有根據該等測定資料求出之電阻值變化率(Ω/℃)即上述式(2)之參數「a」之值。如圖5所示，基準資料係例如於加熱器13之溫度變為1000℃附近與1200℃附近時所檢測。

[加熱器之劣化判定順序]

加熱器之劣化判定係於決定上述電阻-溫度特性後之結晶成長時進行。

於劣化判定時，首先，圖1之加熱器13之溫度、電流值及電壓值分別藉由溫度檢測部83、電流檢測部81及電壓檢測部82進行檢測。控制部93係藉由將該判定時所檢測之加熱器13之溫度代入上式(1)之直線式而算出第1電阻值。進而，控制部93係根據該判定時所檢測之加熱器13之電流值及電壓值算出第2電阻值。控制部93係於算出之第1電阻值 與第2電阻值之偏差、或第2電阻值相對於第1電阻值之比超過臨限值時，判定電阻加熱加熱器已劣化。該臨限值係藉由將第1電阻值乘以特定之容許變化率而獲得。容許變化率係無不取決於加熱器13之溫度而設定為恆定值。

圖6係表示結晶成長時之圖1之結晶成長裝置1之動作概略之流程圖。

於圖6之最初之步驟S201中，自內置於控制部93之記憶體讀出系統．參數等，藉此，進行裝置之初期設定。繼而，自內置於控制部93之記憶體讀出預先建立之控制程式(亦將控制順序稱為處理程式)，從而控制部93(PLC)根據讀出之處理程式，開始進行控制。

首先，控制部93係經由簇射頭20將V族氣體導入至反應容器10內(步驟S202)。繼而，開始對加熱器13之通電(步驟S203)。若基板溫度到達製膜時之溫度，則控制部93經由簇射頭20將III族氣體導入至反應容器10內(步驟S204)。藉此，開始製膜。控制部93係於該製膜之中途進行加熱器之劣化判定(步驟S205)。經過特定之製膜時間後，使III族氣體之導入停止，藉此，製膜結束(步驟S206)。於製膜結束後，使對加熱器13之供給電力逐漸減少，隨之，使對加熱器13之通電停止(步驟S207)。進而，使V族氣體對反應容器10內之導入停止。

圖7係表示顯示部94中所顯示之系統.參數之設定畫面之一例的圖。加熱器電阻值之容許變化率係設定為系統．參數之一。將輸入之容許變化率乘以由上述式(1)表示之基 準電阻值所得之值，用作臨限值(容許偏差)。即，於判定時所檢測之加熱器13之電阻值、與由式(1)表示之基準電阻值之偏差超過該容許偏差進行變化時，判定為異常。

圖8係表示加熱器電阻值與製膜次數之關係之圖。於圖8中，為簡單起見，製膜時之加熱器溫度設為固定。

如圖8所示，隨著製膜次數增加，加熱器之電阻值自初期值Rini逐漸增加。若將圖7所示之容許變化率設為α，則容許偏差(臨限值)由α×Rini表示。因此，控制部93係若加熱器之電阻值R超過(1+α)×Rini(設為=Rth)，則判定為異常。於圖8中，製膜次數為N以上且電阻值為Rth以上。

圖9係表示顯示於顯示部94之處理程式建立畫面之一例之圖。處理程式係按照顯示於A行之步驟編號(Steps)之順序執行。其中，於顯示於B行之循環(Loop)欄中記載有LSn(n為數字)時，使處理重複n次，直至記載有LE之步驟編號為止。藉由LSn與LE之對構成1組之循環。於圖9之情形時，步驟6至步驟10為第1循環(重複次數：3次)，步驟7至步驟9為第2循環(重複次數：2次)。即，成為第1循環中有第2循環之多重循環。D行係註釋(comment)之記載欄，且於E行，以MM：SS：0(分：秒)之格式表示有各步驟之執行時間(Time)。

使用者預先對Action欄輸入「resistancej，若於製膜時執行步驟成為輸入有「resistance」之步驟編號，則控制部93進行加熱器13之劣化判定。於劣化判定之結果，加熱器之電阻值超過臨限值而增加時，控制部93於圖1之顯示部 94中顯示加熱器之異常。該劣化判定可於製膜中即時進行。

圖10係表示圖6之步驟S205所示之加熱器之劣化判定順序的流程圖。

參照圖10，於劣化判定時，首先，控制部93於處理程式中所設定之特定時間(例如，1分鐘)之期間，藉由溫度檢測部83、電流檢測部81、及電壓檢測部82，而重複檢測加熱器13之溫度、電流值及電壓值(步驟S301)。

經過特定時間後(步驟S302中為YES)，控制部93分別將測定之加熱器13之溫度、電流值及電壓值平均化(步驟S303)。繼而，控制部93根據電流之平均值與電壓之平均值，算出當前之電阻值(步驟S304)。

繼之，控制部93藉由將求出之溫度之平均值代入上述式(1)之關聯式Y=aX+b之溫度X，而算出與判定時之加熱器溫度對應之基準電阻值(步驟S305)。

控制部93係算出上述步驟S304中所得之當前之電阻值與步驟S305中所得之基準電阻值之偏差、或當前之電阻值相對於基準電阻值之比(步驟S306)，且於算出之偏差或比超過特定之容許值(臨限值)後(步驟S307)，於顯示部94中顯示異常(加熱器之劣化)(步驟S308)。

圖11係表示加熱器溫度與加熱器之電阻值之關係之圖。參照圖11，預先分別檢測於加熱器溫度T1、T2成為基準之電阻值R1、R2。

製膜中之加熱器溫度係因氣體組成、氣體流量、及膜厚 等而產生變化，故並不固定。例如，假設每次製膜時，成為如圖11之Ta~Tg般不同之加熱器溫度，則先前之方法必需至少預先獲取與加熱器溫度Ta~Tg對應之基準電阻，且將其以表格記憶於記憶體中。

根據該實施形態之劣化判定方法，由於利用表示加熱器溫度與加熱器電阻值之關係之直線式，因此，若作為基準之測定資料(基準溫度與電阻值之組)至少為2組，則可準確地推測與製膜時之加熱器溫度Ta~Tg對應之基準電阻值Ra~Rg。如上所述，該實施形態之方法係與先前相比簡便且亦無需記憶體容量。因此，可容易地將該劣化判定方法編入通常用於結晶成長裝置之PLC用控制程式。

以上之實施形態係將MOCVD裝置列舉為例進行說明，但該實施形態之方法亦可應用於以不使用有機金屬氣體之其他CVD(chemical vapor deposition，化學氣相沈積)裝置為主之濺鍍法或真空蒸鍍法等其他方式之製膜裝置。進而，亦可將該實施形態之方法應用於除製膜裝置外之半導體裝置例如退火裝置等。

應認為本次揭示之實施形態於所有方面均為例示且不受任何限制。本發明之範圍係藉由申請專利範圍表示而並非由上述說明表示，且包含與申請專利範圍等同之意義及範圍內之所有變更。

1‧‧‧結晶成長裝置(MOCVD裝置)

10‧‧‧反應容器

11‧‧‧承座

13‧‧‧電阻加熱加熱器

20‧‧‧簇射頭

40‧‧‧氣體排氣部

51‧‧‧加熱器電源

81‧‧‧電流檢測部

82‧‧‧電壓檢測部

83‧‧‧溫度檢測部

93‧‧‧控制部

94‧‧‧顯示部

SUB‧‧‧基板

TS1‧‧‧溫度感測器

圖1係表示應用本發明一實施形態之加熱器的劣化判定裝置之結晶成長裝置1之構成之圖。

圖2係表示製膜次數與加熱器電阻值之關係之圖。

圖3係表示製膜次數不同之加熱器溫度與加熱器電阻值之關係之圖。

圖4係表示決定作為基準之電阻-溫度特性之順序之流程圖。

圖5係表示基準資料之獲取時之顯示部94之畫面之一例的圖。

圖6係表示結晶成長時圖1之結晶成長裝置1之動作概略之流程圖。

圖7係表示顯示於顯示部94之系統．參數之輸入畫面之一例的圖。

圖8係表示加熱器電阻值與製膜次數之關係之圖。

圖9係表示顯示於顯示部94之處理程式建立畫面之一例之圖。

圖10係表示圖6之步驟S205中所示之加熱器之劣化判定順序的流程圖。

圖11係表示加熱器溫度與加熱器之電阻值之關係之圖。

1‧‧‧結晶成長裝置(MOCVD裝置)

10‧‧‧反應容器

11‧‧‧承座

13‧‧‧電阻加熱加熱器

20‧‧‧簇射頭

21‧‧‧前面部

40‧‧‧氣體排氣部

51‧‧‧加熱器電源

81‧‧‧電流檢測部

82‧‧‧電壓檢測部

83‧‧‧溫度檢測部

93‧‧‧控制部

94‧‧‧顯示部

SUB‧‧‧基板

TS1‧‧‧溫度感測器

Claims (5)

1. 一種電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置，其包括：電流檢測部，其係檢測流入電阻加熱加熱器中之電流；電壓檢測部，其係檢測施加至上述電阻加熱加熱器之電壓；溫度檢測部，其係檢測上述電阻加熱加熱器之溫度；及控制部；上述控制部係至少基於通電中之上述電阻加熱加熱器之溫度為第1溫度時所檢測之上述電阻加熱加熱器的電流值及電壓值、與通電中之上述電阻加熱加熱器之溫度為與上述第1溫度不同之第2溫度時所檢測的上述電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，決定表示上述電阻加熱加熱器之溫度與上述電阻加熱加熱器之電阻值之間之關係的直線式，上述控制部係藉由將決定上述直線式後之判定時所檢測之通電中之上述電阻加熱加熱器的溫度代入上述直線式而算出第1電阻值，並根據上述判定時所檢測之通電中之上述電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，算出第2電阻值，且上述控制部係於上述第1電阻值與上述第2電阻值之偏差、或上述第2電阻值相對於上述第1電阻值之比超過臨限值時，判定為上述電阻加熱加熱器已劣化。
2. 如請求項1之電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置，其中上述電阻加熱加熱器係用於結晶成長用基板加熱，且上述判定時係包含於結晶成長中之時間帶。
3. 如請求項2之電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置，其中結晶成長中之上述電阻加熱加熱器之溫度係包含於上述第1溫度與上述第2溫度之間。
4. 如請求項1之電阻加熱加熱器之劣化檢測裝置，其中上述臨限值係不隨上述判定時之上述電阻加熱加熱器之溫度變化而係恆定值。
5. 一種電阻加熱加熱器之劣化檢測方法，其係包括如下步驟：於通電中之電阻加熱加熱器之溫度為第1溫度時，檢測上述電阻加熱加熱器之電流值及電壓值；於通電中之上述電阻加熱加熱器之溫度為與上述第1溫度不同之第2溫度時，檢測上述電阻加熱加熱器之電流值及電壓值；至少基於上述第1及第2溫度時所檢測之上述電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，決定表示上述電阻加熱加熱器之溫度與上述電阻加熱加熱器之電阻值之間之關係的直線式；於決定上述直線式後之判定時，檢測通電中之上述電阻加熱加熱器之電流值、電壓值及溫度；藉由將上述判定時所檢測之上述電阻加熱加熱器之溫度代入上述直線式而算出第1電阻值； 根據上述判定時所檢測之上述電阻加熱加熱器之電流值及電壓值，算出第2電阻值；及於上述第1電阻值與上述第2電阻值之偏差、或上述第2電阻值相對於上述第1電阻值之比超過臨限值時，判定為上述電阻加熱加熱器已劣化。