JP6849368B2 - 基板処理装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、基板処理装置に関する。
基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の被処理面を薬液により処理し、薬液処理後の基板の被処理面をリンス液により洗い流し、リンス液処理後の基板を乾燥する装置である。
乾燥処理工程では、近年の半導体の高集積化や高容量化に伴う微細化によって、例えばメモリセルやゲート周りのパターンが倒壊する問題が発生している。これは、パターン同士の間隔や構造、リンス液の表面張力などに起因している。
そこで、前述のパターン倒壊を抑制するため、表面張力がリンス液（例えばＤＩＷ：超純水）よりも小さい揮発性溶媒（例えばＩＰＡ：２−プロパノール、イソプロピルアルコール）を用いる基板乾燥方法が提案されている。この基板乾燥方法では、基板の被処理面上のリンス液を揮発性溶媒に置換して基板乾燥を行う。このとき、乾燥促進のため、基板の被処理面の上方に位置するランプによって基板を加熱し、基板乾燥を行うことがある。
また、薬液処理工程では、薬液として硫酸やリン酸などを用いる１５０℃以上の高温プロセスを行うことがある。この場合には、薬液を１５０℃以上に加熱して処理に用いるため、基板の被処理面の上方に位置するランプにより、基板の被処理面上の薬液を１５０℃以上の高温に加熱する。
ところが、前述の乾燥処理工程及び薬液処理工程では、基板の被処理面の上方にランプが位置するため、基板処理中に処理液のミストやパーティクルがランプ表面に付着する。この処理液のミストやパーティクルなどの付着物がランプ表面から落下して基板の被処理面上に付着し、基板が汚染されることがある。
一方、通常の基板処理装置では、ＵＬＰＡ（Ｕｌｔｒａ Ｌｏｗ Ｐｅｎｅｔｒａｔｉｏｎ Ａｉｒ）フィルタやＨＥＰＡ（Ｈｉｇｈ Ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ Ｐａｒｔｉｃｕｌａｔｅ Ａｉｒ）フィルタが設けられている。このフィルタを通過した清浄な空気は、ダウンフロー（垂直層流）として基板処理装置内を流れており、基板処理装置内は清浄に保たれている。これにより、基板処理装置内、特に、基板の被処理面上にパーティクルが付着することが抑えられる。
ところが、前述の基板処理装置では、基板の被処理面の上方にランプが位置するため、フィルタから基板の被処理面に向かう清浄な空気はランプによって妨げられ、基板の被処理面に十分に供給されなくなる。このため、基板の被処理面やその周囲からパーティクルを除去することが困難となり、基板が汚染されてしまう。
特開平２−２３７０２９号公報
本発明が解決しようとする課題は、基板の汚染を抑えることができる基板処理装置を提供することである。
本発明の実施形態に係る基板処理装置は、
空気が上方から下方に流れる処理室と、
前記処理室内に設けられ、被処理面を有する基板を支持する支持部と、
前記支持部の上方を避けて設けられ、加熱用の光を出射する加熱部と、
前記加熱部に対し、前記支持部を挟んで反対側に、かつ前記支持部の上方を避けて設けられ、前記加熱部により出射されて前記支持部の上方を通過した前記光を、前記支持部により支持された前記基板の被処理面に導く光学部材と、
を備え、
前記処理室は複数設けられ、隣接する二つの処理室には、前記加熱部から出射された前記光を通過させる透過部がそれぞれ設けられ、一方の前記処理室に設けられる前記透過部と、他方の前記処理室に設けられる前記透過部との間に、前記二つの処理室で共用される前記加熱部が配置されていることを特徴とする。
本発明の実施形態によれば、基板の汚染を抑えることができる。
第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る基板処理部の概略構成を示す図である。 第１の実施形態に係る基板処理部の基板処理の流れを示すフローチャートである。 第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。 第２の実施形態に係る隣接する二つの基板処理部の概略構成を示す図である。 第３の実施形態に係る基板処理部の一部を示す図である。 第４の実施形態に係る基板処理部の一部を示す図である。 第５の実施形態に係る基板処理部の一部を示す図である。 第６の実施形態に係る基板処理部の一部を示す図である。 第６の実施形態に係る光量抑制部材の変形例を示す図である。
＜第１の実施形態＞
第１の実施形態について図１から図３を参照して説明する。
（基本構成）
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１０は、複数の開閉ユニット１１と、第１の搬送ロボット１２と、バッファユニット１３と、第２の搬送ロボット１４と、複数の基板処理部１５と、装置付帯ユニット１６とを備えている。
各開閉ユニット１１は、一列に並べられて設けられている。これらの開閉ユニット１１は搬送容器として機能する専用ケース（例えばＦＯＵＰ）のドアを開閉する。なお、専用ケースがＦＯＵＰである場合、開閉ユニット１１はＦＯＵＰオープナーと呼ばれる。この専用ケースには、基板Ｗが所定間隔で積層されて収納されている。
第１の搬送ロボット１２は、各開閉ユニット１１が並ぶ第１の搬送方向に延びるレール１２ａに沿って移動するように各開閉ユニット１１の列の隣に設けられている。この第１の搬送ロボット１２は、開閉ユニット１１によりドアが開けられた専用ケースから未処理の基板Ｗを取り出し、必要に応じて第１の搬送方向に移動して、バッファユニット１３に搬入する。また、第１の搬送ロボット１２は、バッファユニット１３から処理済の基板Ｗを取り出し、必要に応じて第１の搬送方向に移動して、所望の専用ケースに搬入する。第１の搬送ロボット１２としては、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有するロボットを用いることが可能である。
バッファユニット１３は、第１の搬送ロボット１２が移動する第１のロボット移動路の中央付近に位置付けられ、その第１のロボット移動路の片側、すなわち各開閉ユニット１１と反対の片側に設けられている。このバッファユニット１３は、第１の搬送ロボット１２と第２の搬送ロボット１４との間で基板Ｗの持ち替えを行うためのバッファ台（基板受渡台）として機能する。このバッファユニット１３には、基板Ｗが所定間隔で積層されて収納される。
第２の搬送ロボット１４は、バッファユニット１３付近から前述の第１の搬送方向に直交する第２の搬送方向（第１の搬送方向に交差する方向の一例）に延びるレール１４ａに沿って移動するように設けられている。この第２の搬送ロボット１４は、バッファユニット１３から未処理の基板Ｗを取り出し、必要に応じて第２の搬送方向に沿って移動して、所望の基板処理部１５に搬入する。また、第２の搬送ロボット１４は、基板処理部１５から処理済の基板Ｗを取り出し、必要に応じて第２の搬送方向に移動して、バッファユニット１３に搬入する。第２の搬送ロボット１４としては、第１の搬送ロボット１２と同様、例えば、ロボットアームやロボットハンド、移動機構などを有するロボットを用いることが可能である。
基板処理部１５は、第２の搬送ロボット１４が移動する第２のロボット移動路の両側に例えば４つずつ設けられている。この基板処理部１５は、ウェーハや液晶基板などの基板Ｗの被処理面Ｗａに薬液を供給して処理を行い、その後、基板Ｗの被処理面Ｗａにリンス液を供給してリンスを行い、リンス後に基板Ｗを乾燥する装置である（詳しくは、後述する）。
装置付帯ユニット１６は、第２のロボット移動路の一端、すなわちバッファユニット１３と反対側の端に設けられている。この装置付帯ユニット１６は、液供給ユニット１６ａと、制御ユニット（制御部）１６ｂとを収納する。液供給ユニット１６ａは、各基板処理部１５に各種の処理液（例えば、薬液やＤＩＷなど）及び揮発性溶媒（例えば、ＩＰＡ）を供給する。制御ユニット１６ｂは、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部（いずれも図示せず）を具備する。この制御ユニット１６ｂは、基板処理情報や各種プログラムに基づき、各開閉ユニット１１や第１の搬送ロボット１２、第２の搬送ロボット１４、各基板処理部１５などの各部を制御する。
（基板処理部）
図２に示すように、基板処理部１５は、処理室２０と、カップ３０と、支持部４０と、回転機構５０と、処理液供給部６０と、溶媒供給部７０と、加熱部８０と、光学部材９０とを備えている。
処理室２０は、被処理面Ｗａを有する基板Ｗを処理するための処理ボックスである。この処理室２０は、例えば直方体や立方体などの箱形状に形成されており、カップ３０や支持部４０、回転機構５０などを収容する。処理室２０には、フィルタ２１及びシャッタ２２が設けられている。
フィルタ２１は、処理室２０の上面に設けられており、外部の空気を清浄化して取り込む。このフィルタ２１としては、例えば、ＵＬＰＡフィルタやＨＥＰＡフィルタなどを用いることが可能である。
シャッタ２２は、処理室２０の側面（図１に示す基板処理部１５における第２のロボット移動路側の側面）に開閉可能に形成されている。このシャッタ２２が開状態にされ、処理室２０に対する基板Ｗの搬入及び搬出が行われる。
ここで、処理室２０内には外部の空気がフィルタ２１により清浄化されて流入し、処理室２０内に流入した空気は上から下に流れている。このため、処理室２０内には、清浄空気によるダウンフロー（垂直層流）が存在しており、処理室２０内は清浄に保たれている。また、処理室２０内にはＮ２などの不活性ガスが供給されており、処理室２０内の酸素濃度が抑えられている。
カップ３０は、円筒形状に形成されており、処理室２０内の略中央に位置付けられ、その内部に支持部４０及び回転機構５０を収容するように設けられている。カップ３０の周壁の上部は、内側に向かって傾斜しており、また、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａが露出するように開口している。このカップ３０は、回転する基板Ｗから飛散した処理液や流れ落ちた処理液を受け取る。なお、カップ３０の底面には、受け取った処理液を排出するための排出口（図示せず）が形成されており、その排出口には排出管（図示せず）が接続されている。
支持部４０は、カップ３０内のほぼ中央に位置付けられ、水平面内で回転可能に回転機構５０上に設けられている。この支持部４０は、例えばスピンテーブルと呼ばれる。支持部４０は、複数の支持部材４１を有しており、それらの支持部材４１により基板Ｗを水平状態に支持する。なお、基板Ｗは、その被処理面Ｗａの中心が支持部４０の回転軸上に位置付けられて支持部４０により支持され、平面内で回転することになる。
回転機構５０は、支持部４０を保持するように設けられ、その支持部４０を水平面内で回転させるように構成されている。例えば、回転機構５０は、支持部４０の中央に連結された回転軸やその回転軸を回転させるモータ（いずれも図示せず）などを有しており、モータの駆動により回転軸を介して支持部４０を回転させる。この回転機構５０は制御ユニット１６ｂに電気的に接続されており、その駆動は制御ユニット１６ｂにより制御される。
処理液供給部６０は、第１のノズル６１と、第１のノズル移動機構６２とを具備している。
第１のノズル６１は、支持部４０の上方に位置付けられ、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って第１のノズル移動機構６２により揺動可能に形成されている。この第１のノズル６１は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（あるいは中心付近）に対向する位置から、その支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに向けて処理液（例えば薬液、ＤＩＷ）を供給する。なお、第１のノズル６１には、処理液が液供給ユニット１６ａ（図１参照）から配管（図示せず）を介して供給される。
第１のノズル移動機構６２は、可動アーム６２ａと、アーム揺動機構６２ｂとを有している。可動アーム６２ａは、一端に第１のノズル６１を保持し、アーム揺動機構６２ｂにより水平に支持されている。アーム揺動機構６２ｂは、可動アーム６２ａにおける第１のノズル６１と反対側の一端を保持し、その可動アーム６２ａを支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って揺動させる。このアーム揺動機構６２ｂは制御ユニット１６ｂに電気的に接続されており、その駆動は制御ユニット１６ｂにより制御される。
例えば、第１のノズル６１は、第１のノズル移動機構６２により、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する供給位置と、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする待機位置との間を往復移動することが可能である。なお、図２では、第１のノズル６１は支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置（カップ３０の外の位置）にある。
溶媒供給部７０は、第２のノズル７１と、第２のノズル移動機構７２とを具備している。
第２のノズル７１は、支持部４０の上方に位置付けられ、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って第２のノズル移動機構７２により揺動可能に形成されている。この第２のノズル７１は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心（あるいは中心付近）に対向する位置から、その支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに向けて揮発性溶媒（例えばＩＰＡ）を供給する。この揮発性溶媒は、表面張力が処理液（例えばＤＩＷ）よりも小さい液体である。なお、第２のノズル７１には、揮発性溶媒が液供給ユニット１６ａ（図１参照）から配管（図示せず）を介して供給される。
第２のノズル移動機構７２は、第１のノズル移動機構６２と同様、可動アーム７２ａと、アーム揺動機構７２ｂとを有している。可動アーム７２ａは、一端に第２のノズル７１を保持し、アーム揺動機構７２ｂにより水平に支持されている。アーム揺動機構７２ｂは、可動アーム７２ａにおける第２のノズル７１と反対側の一端を保持し、その可動アーム７２ａを支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに沿って揺動させる。このアーム揺動機構７２ｂは制御ユニット１６ｂに電気的に接続されており、その駆動は制御ユニット１６ｂにより制御される。
例えば、第２のノズル７１は、第２のノズル移動機構７２により、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する供給位置と、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方から退避して基板Ｗの搬入や搬出を可能とする待機位置との間を往復移動することが可能である。なお、図２では、第２のノズル７１は支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する位置にある。
ここで、揮発性溶媒としては、ＩＰＡ以外にも、例えば、エタノールなどの１価のアルコール類、また、ジエチルエーテルやエチルメチルエーテルなどのエーテル類、さらに、炭酸エチレンなどを用いることが可能である。
加熱部８０は、処理室２０内の支持部４０の上方を避けて処理室２０の外面、すなわち処理室２０におけるシャッタ２２と反対側の外面に設けられている。この加熱部８０は、例えば、直方体形状に形成され、その内部に複数のランプ８１を具備しており、支持部４０上の基板Ｗを加熱する加熱用の光を各ランプ８１から出射する。加熱用の光は、紫外線や可視光線、赤外線などの所定範囲の波長を有する。なお、加熱部８０内には、リフレクタが設けられても良い。このリフレクタは、処理室２０側に向かわない光を反射して処理室２０側に導く。また、リフレクタは、各ランプ８１から出る光が処理室２０内の光学部材９０に当たるように、その光が拡散することを抑える役目も有する。
各ランプ８１は、例えば、直管形のランプであり、水平状態で互いに平行になるように設けられている。各ランプ８１としては、例えば、ハロゲンランプや赤外線ランプを用いることが可能である。加熱部８０は制御ユニット１６ｂに電気的に接続されており、その駆動が制御ユニット１６ｂにより制御される。
ここで、処理室２０の側面、すなわち処理室２０におけるシャッタ２２と反対側の側面には、透過部２０ａが加熱部８０に対向するように設けられている。この透過部２０ａは、加熱部８０から出射された光が通過する材料、例えば、ガラスや樹脂などによって形成されている。
光学部材９０は、処理室２０内の支持部４０の上方を避けて処理室２０の内部、すなわち処理室２０における加熱部８０と反対側の内面に支持部材９１によって取り付けられている。支持部材９１は、処理室２０における加熱部８０と反対側の内面に固定されており、その一端部に光学部材９０を保持する。光学部材９０は、形状が湾曲している部分（湾曲部）を有し、加熱部８０により出射された光を反射するとともに、光を拡散させて支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に導いて当てる。これにより、加熱部８０により出射された光は、光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに導かれて当たり、その支持部４０上の基板Ｗが加熱されることになる。光学部材９０としては、例えば、反射板や各種プリズムなどを用いることが可能である。光学部材９０のサイズは基板Ｗよりも大きく、光学部材９０の形状は円形や長方形、正方形などの形状である。
制御ユニット１６ｂは、基板処理情報や各種プログラムに基づいて、回転機構５０による支持部４０の回転動作や処理液供給部６０による処理液の供給動作、溶媒供給部７０による揮発性溶媒の供給動作、加熱部８０による加熱動作（照射動作）などの制御を行う。
（基板処理工程）
次に、前述の基板処理装置１０が行う基板処理の流れについて説明する。なお、各処理室２０では、同じ基板処理（薬液処理、リンス処理及び乾燥処理）が行われる。
まず、未処理の基板Ｗが開閉ユニット１１内の専用ケースから第１の搬送ロボット１２により取り出される。第１の搬送ロボット１２は、必要に応じて第１のロボット移動路に沿って移動し、バッファユニット１３に対向する位置で停止する。そして、第１の搬送ロボット１２は、その停止場所で旋回して未処理の基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。これにより、バッファユニット１３には、未処理の基板Ｗが収納される。
その後、バッファユニット１３内の未処理の基板Ｗは、第２の搬送ロボット１４により取り出される。第２の搬送ロボット１４は、必要に応じて第２のロボット移動路に沿って移動し、バッファユニット１３に対向する位置で停止する。そして、第２の搬送ロボット１４は、その停止場所で旋回して未処理の基板Ｗを所望の基板処理部１５に搬入する。これにより、基板処理部１５内に未処理の基板Ｗがセットされる。その後、基板処理部１５において基板Ｗに処理（薬液処理、リンス処理及び乾燥処理）が行われる。この基板処理部１５での処理について詳しくは後述する。
基板処理部１５での処理が終了すると、基板処理部１５内から処理済の基板Ｗが第２の搬送ロボット１４により取り出される。第２の搬送ロボット１４は、必要に応じて第２のロボット移動路に沿って移動し、停止する。そして、第２の搬送ロボット１４は、停止場所で旋回して処理済の基板Ｗをバッファユニット１３に搬入する。これにより、バッファユニット１３には、処理済の基板Ｗが収納される。
その後、バッファユニット１３内の処理済の基板Ｗは、第１の搬送ロボット１２により取り出される。第１の搬送ロボット１２は、必要に応じて第１のロボット移動路に沿って移動し、停止する。そして、第１の搬送ロボット１２は、停止場所で旋回して処理済の基板Ｗを所望の専用ケースに搬入する。これにより、専用ケースには、処理済の基板Ｗが収納される。
次いで、前述の基板処理部１５における処理（薬液処理、リンス処理及び乾燥処理）の流れについて図３を参照して説明する。前準備として、支持部４０上には基板Ｗがセットされており、処理液供給部６０の第１のノズル６１は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する位置にある。なお、基板Ｗの回転数や液体の供給時間などの処理条件は制御ユニット１６ｂにあらかじめ設定されているが、操作者によって任意に変更可能である。
図３に示すように、ステップＳ１において、回転機構５０は、支持部４０の回転により支持部４０上の基板Ｗを所定の回転数で回転させる。この基板Ｗの回転数は、後述する薬液やＤＩＷ、ＩＰＡなどの液体が所定の供給量で基板Ｗの被処理面Ｗａ上に供給された際に、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の液膜の厚さが所望値となるように制御ユニット１６ｂにあらかじめ設定されている。
ステップＳ２において、処理液供給部６０は、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に第１のノズル６１から薬液を所定時間供給し、所定時間経過後に薬液の供給を停止する。薬液は、第１のノズル６１から、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていく。これにより、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａには薬液の液膜が形成され、基板Ｗの被処理面Ｗａは薬液の液膜により覆われて薬液処理される。
ステップＳ３において、処理液供給部６０は、前述の薬液の供給停止後、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に第１のノズル６１からＤＩＷを所定時間供給し、所定時間経過後にＤＩＷの供給を停止する。ＤＩＷは、第１のノズル６１から、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていく。基板Ｗの被処理面Ｗａ上にある薬液は、供給されたＤＩＷによって押し流され、最終的に、基板Ｗの被処理面ＷａはＤＩＷの液膜により覆われる。これにより、基板Ｗの被処理面ＷａにはＤＩＷの液膜が形成され、基板Ｗの被処理面ＷａはＤＩＷの液膜により覆われてリンス処理される。
ステップＳ４において、第１のノズル移動機構６２は、前述のＤＩＷの供給停止後、第１のノズル６１を支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する供給位置から支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置に移動させる。また、第２のノズル移動機構７２は、前述のＤＩＷの供給停止後、第２のノズル７１を支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置から支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する供給位置に移動させる。
ステップＳ５において、溶媒供給部７０は、前述の第１のノズル６１及び第２のノズル７１の移動完了後、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に第２のノズル７１からＩＰＡ（揮発性溶媒の一例）を所定時間供給し、所定時間経過後にＩＰＡの供給を停止する。このＩＰＡの供給は、ＤＩＷが乾燥する前に行われる。ＩＰＡは、第２のノズル７１から、回転する支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に供給され、基板Ｗの回転による遠心力によって基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に広がっていく。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａ上のＤＩＷはＩＰＡに置換され、その被処理面Ｗａ上にはＩＰＡの液膜が形成される。
なお、ＩＰＡの供給が停止されると、基板Ｗの被処理面Ｗａ上のＩＰＡは基板Ｗの回転による遠心力によって被処理面Ｗａ上から流れ落ち、液膜の厚さは徐々に薄くなっていく。ところが、液膜は、加熱部８０が支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに光を照射して基板Ｗを加熱し始める加熱開始タイミングまで、その厚さが所定値以下にならないように基板Ｗの被処理面Ｗａ上に維持されている。つまり、各液処理の間でも加熱処理工程まで、基板Ｗの被処理面Ｗａは液膜により覆われている。加熱処理工程前に基板Ｗの被処理面Ｗａが自然に乾燥すると、被処理面Ｗａにおける乾燥が不均一となり、ウォーターマークなどの乾燥不良が発生する。このため、各液処理の間でも加熱処理工程まで基板Ｗの被処理面Ｗａは濡らされ、乾燥不良の発生が抑えられている。
ステップＳ６において、第２のノズル移動機構７２は、前述のＩＰＡの供給停止後、第２のノズル７１を支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの中心に対向する供給位置から支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに対向しない待機位置に移動させる。これにより、後述するステップＳ７において、第２のノズル移動機構７２の可動アーム７２ａや第２のノズル７１が、光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に導かれた光を遮ることが防止され、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａを均一に加熱することができる。ただし、光は物体を回り込むため、可動アーム７２ａの太さや第２のノズル７１の太さ、あるいは、照射する光量などによっては、ステップＳ６の工程を省略することが可能である。また、可動アーム７２ａの材質を、光を吸収しない材質にすることで、ステップＳ６の工程を省略することも可能である。
ステップＳ７において、加熱部８０は、前述の第２のノズル７１の移動完了後、各ランプ８１を点灯して、回転する支持部４０上の基板Ｗを所定時間加熱し、所定時間経過後に各ランプ８１を消灯する。加熱部８０により出射された光は、光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に導かれて当たり、その支持部４０上の基板Ｗが加熱される。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａは瞬時に乾燥する。なお、加熱部８０の照射による加熱は、第２のノズル７１の移動完了後に開始されているが、これに限るものではなく、例えば、ＩＰＡの供給停止、あるいは、ＩＰＡの供給中から加熱を開始するようにしても良い。
ここで、前述の加熱部８０により出射された光は、多少拡散するものの、光学部材９０に当たる。光学部材９０により反射された光は、加熱部８０から出射された光よりも拡散する。これは、光学部材９０が湾曲しているためである。光学部材９０から拡散する光の範囲は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体を加熱できる範囲に調整されている。なお、基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に光を導くことが可能であれば、光学部材９０は湾曲している必要はない。
ステップＳ８において、回転機構５０は、前述の各ランプ８１の消灯後、基板Ｗの回転を停止する。その後、処理済の基板Ｗが支持部４０上から取り出されて搬送される。このとき、処理室２０のシャッタ２２が開き、第２の搬送ロボット１４の一部（ハンドやアームなど）が処理室２０の開口から内部に侵入し、支持部４０上から処理済の基板Ｗを取り出す。
このような基板処理工程によれば、前述のステップ７において、加熱部８０から出射された光が光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に導かれて当たり、支持部４０上の基板Ｗが加熱される。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａ上のパターンの周囲から液体が気化するため、基板Ｗの被処理面Ｗａは瞬時に乾燥することになる。このとき、加熱部８０は、液体が供給された基板Ｗの被処理面Ｗａに気層を生じさせて液体を液玉化させる（液体の液玉を生成する）ように、基板Ｗだけを瞬時に加熱する。基板Ｗが加熱部８０により瞬時に加熱されると、基板Ｗの被処理面Ｗａ上のパターンに接触している液体が他の部分の液体よりも早く気化を始める。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａ上のパターンの周囲には、液体の気化によりガスの層、すなわち気層が薄膜のように生成される。このため、隣り合うパターン間の液体は気層によってパターン間から押し出され、乾燥が進行することになる。
したがって、前述のように基板Ｗを瞬時に加熱することで、基板Ｗの被処理面Ｗａ上のパターンに接触している液体が瞬時に気化し、その被処理面Ｗａ上における他の部分の液体が直ちに液玉化する（液玉化現象）。被処理面Ｗａ上の各液玉は、基板Ｗの回転による遠心力で基板Ｗ上から飛ばされ、基板Ｗは急速に乾燥する。このようにして、一部のパターン間に液体が残留することを抑えることが可能となり、基板Ｗの被処理面Ｗａにおける液体の乾燥速度が均一となるため、残留した液体による倒壊力（例えば、表面張力など）によってパターンが倒壊することを抑えることができる。
なお、加熱部８０は、少なくとも基板Ｗの被処理面Ｗａを非接触でライデンフロスト温度（ライデンフロスト現象、すなわち液玉化現象が生じる温度）以上に急速に（例えば数秒から十数秒の範囲内で）加熱することが可能である。これにより、加熱部８０は、支持部４０上の基板Ｗをライデンフロスト温度以上に急速に加熱し、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の処理液を液玉化させることができる。なお、基板Ｗの被処理面Ｗａ上の処理液を確実に液玉化させるためには、揮発性溶媒（例えばＩＰＡ）を加熱せず、基板Ｗだけを加熱することが好ましい。このため、揮発性溶媒に吸収されない光を出射する加熱部８０を用いることが望ましい。
一方、加熱部８０を使用せずに乾燥を行った場合には、液体が乾燥していく過程で液体の乾燥速度に不均一が生じ、一部のパターンの間に液体が残り、その部分の液体による倒壊力（表面張力）によってパターンが倒壊する。例えば、パターンの一つの幅は２０ｎｍであり、その高さは２００ｎｍである（幅に対して高さが１０倍である）。このようにパターンが微細なパターンであり、そのパターンの間の隙間に入り込んだ液体は乾燥しづらくなる。このため、他の部分が乾燥した後も、一部のパターンの間には液体が残り、その液体による倒壊力によってパターンが倒壊することがある。
また、前述の基板処理部１５において、加熱部８０及び光学部材９０は、支持部４０の上方を避けて設けられており、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方に位置することはない。すなわち、加熱部８０は処理室２０外に位置しているため、処理室２０内での処理中に処理液のミストやパーティクルが加熱部８０の表面に付着することは防止される。このため、加熱部８０の表面に付着した付着物が落下することによって、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａが汚染されることは無くなるので、基板Ｗの汚染を抑えることができる。さらに、加熱部８０が処理室２０外にあるため、加熱部８０に対するメンテナンス作業を容易に行うことができる。
また、加熱部８０は処理室２０外に位置しているため、その加熱部８０による加熱処理のたびに処理室２０内の温度が上昇し、その処理室２０内が高温状態になることが抑制されるので、処理室２０内の温度が低下することを待って未処理の基板Ｗを搬入することが無くなる。なお、処理室２０内が高温状態のまま処理が行われると、基板Ｗの被処理面Ｗａに供給された液が不均一に乾燥するため、乾燥ムラなどの乾燥不良が発生することがある。
また、光学部材９０は支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方に位置することはないため、処理室２０中の光学部材９０の表面に処理液のミストやパーティクルが付着し、この処理液のミストやパーティクルなどの付着物が何らかのタイミングで光学部材９０の表面から落下しても、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することは防止される。これにより、基板Ｗの汚染を抑えることができる。
さらに、加熱部８０及び光学部材９０が支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方に位置することはないので、フィルタ２１から基板Ｗの被処理面Ｗａに向かう清浄な空気が加熱部８０や光学部材９０によって妨げられることが無くなり、基板Ｗの被処理面Ｗａに十分に供給される。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａやその周囲からパーティクルを除去することが容易となり、基板Ｗの汚染を抑えることができる。
また、光学部材９０を用いることによって、加熱部８０から出射された光を光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に導くことが可能となるので、加熱部８０を支持部４０の上方を避けて、例えば処理室２０外に設けることができる。したがって、加熱部８０の設置自由度を向上させることができる。さらに、光学部材９０を用いることによって、直方体形状の加熱部８０を傾けて設けるようなことも回避することが可能であり、装置の大型化を抑えることもできる。
以上説明したように、第１の実施形態によれば、加熱部８０が支持部４０の上方を避けて、すなわち処理室２０の外に設けられ、加熱部８０により出射された光を支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに導く光学部材９０が、支持部４０に対して加熱部８０の反対側に設けられている。これにより、処理室２０内での処理中に処理液のミストやパーティクルが加熱部８０の表面に付着することは無くなる。つまり、加熱部８０は支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方に位置しないので、加熱部８０の表面に付着した付着物が落下することによって、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａが汚染されることは無くなり、基板Ｗの汚染を抑えることができる。さらに、フィルタ２１から基板Ｗの被処理面Ｗａに向かう清浄な空気が加熱部８０によって妨げられることが無くなり、基板Ｗの被処理面Ｗａに十分に供給される。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａやその周囲からパーティクルを除去することが容易となり、基板Ｗの汚染を抑えることができる。
また、光学部材９０も支持部４０の上方を避けて処理室２０内に設けられている。これにより、光学部材９０は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの上方に位置しないため、処理室２０内の光学部材９０の表面に処理液のミストやパーティクルが付着し、この付着物が何らかのタイミングで落下しても、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに付着することは無く、基板Ｗの汚染を抑えることができる。さらに、フィルタ２１から基板Ｗの被処理面Ｗａに向かう清浄な空気が光学部材９０によって妨げられることが無くなり、基板Ｗの被処理面Ｗａに十分に供給される。これにより、基板Ｗの被処理面Ｗａやその周囲からパーティクルを除去することがより容易となり、基板Ｗの汚染を確実に抑えることができる。
＜第２の実施形態＞
第２の実施形態について図４及び図５を参照して説明する。なお、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点（隣接する二つの基板処理部による加熱部の共用）について説明し、その他の説明は省略する。
図４及び図５に示すように、第２の実施形態に係る基板処理装置１０では、隣接する二つの基板処理部１５が一つの加熱部８０を共用する。一つの加熱部８０は、隣接する二つの基板処理部１５の間に設けられている。
図５に示すように、一つの加熱部８０は、隣接する二つの処理室２０の個々の透過部２０ａにより挟まれている。つまり、隣接する二つの処理室２０の各透過部２０ａは、加熱部８０を挟むようにそれぞれの処理室２０に形成されている。加熱部８０は、隣接する二つの処理室２０内の各光学部材９０に向けて、各透過部２０ａを介して光を照射する。この加熱部８０により照射された光は、隣接する二つの処理室２０のそれぞれにおいて、光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に導かれて当たり、その支持部４０上の基板Ｗが加熱される。
各処理室２０には、それぞれ光遮断部材２３が設けられている。この光遮断部材２３は、上下方向に移動機構（図示せず）により移動することが可能に形成されており、シャッタとして機能する。例えば、光遮断部材２３は、加熱部８０に対向して加熱部８０から出射された光を遮る光遮断位置と、加熱部８０に対向せず加熱部８０から出射された光を遮らない待機位置との間を往復移動することが可能である。なお、図５では、光遮断部材２３は待機位置にある。
光遮断部材２３としては、例えば、遮断板や反射板を用いることが可能である。反射板を用いた場合には、反射板が光遮断位置で加熱部８０側に光を反射する。このため、光遮断部材２３は、各ランプ８１から照射された光を反射するリフレクタとして機能し、各ランプ８１から出る光を、加熱処理を行う処理室２０側に反射して導く。
光遮断部材２３の移動機構としては、例えば、リニアモータ式の移動機構や送りねじ式の移動機構など各種移動機構を用いることが可能である。光遮断部材２３の移動機構は、制御ユニット１６ｂに電気的に接続されており、その駆動が制御ユニット１６ｂにより制御される。
ここで、隣接する二つの処理室２０において、加熱部８０による加熱処理が同時に行われる場合には、両方の光遮断部材２３は待機位置に移動する。ところが、加熱部８０による加熱処理が同時に行われない場合がある。このときには、一方の光遮断部材２３、すなわち加熱部８０による加熱処理が行われない処理室２０内の光遮断部材２３が光遮断位置に移動する。このような光遮断部材２３の移動は制御ユニット１６ｂによって制御される。
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、隣接する二つの処理室２０において、一つの加熱部８０を共用することによって、装置構成を簡略化することができる。さらに、光遮断部材２３を設けることによって、隣接する二つの処理室２０において、加熱処理が同時に行われない場合でも、一つの加熱部８０を共用することができる。
なお、第２の実施形態においては、隣接する二つの処理室２０で一つの加熱部８０を共用するようにしているが、これに限るものではなく、例えば、三つ以上の処理室２０で一つの加熱部８０を共用するようにしても良い。この場合には、必要に応じて反射板やプリズムなどの光学部材をさらに配置することも可能である。
＜第３の実施形態＞
第３の実施形態について図６を参照して説明する。なお、第３の実施形態では、第１の実施形態との相違点（光学部材移動機構）について説明し、その他の説明は省略する。
図６に示すように、第３の実施形態では、光学部材移動機構９２が設けられている。この光学部材移動機構９２は、上下移動機構（昇降機構）であり、支持部材９１の一端、すなわち支持部材９１における光学部材９０と反対側の一端を保持し、光学部材９０を上下方向に移動させる。これにより、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａにおいて、光学部材９０により照射される照射領域を移動させることが可能となる。前述の上下移動機構としては、例えば、リニアモータ式の移動機構や送りねじ式の移動機構など各種移動機構を用いることが可能である。光学部材移動機構９２は、制御ユニット１６ｂ（図２参照）に電気的に接続されており、その駆動が制御ユニット１６ｂにより制御される。
なお、第３の実施形態に係る光学部材９０のサイズは、第１の実施形態に係る光学部材９０のサイズより小さい。つまり、第１の実施形態に係る光学部材９０は、加熱部８０により出射された光を支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に導いて当てるが、第３の実施形態に係る光学部材９０は、加熱部８０により出射された光を支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの一部分に導いて当てる。また、第３の実施形態に係る光学部材９０は、第１の実施形態に係る光学部材９０と同様、その形状が円形や長方形、正方形などの形状であり、また、湾曲部を有している。
このような構成において、加熱部８０による加熱処理中（図３中のステップＳ７参照）、光学部材移動機構９２は光学部材９０を上下方向に移動させる。加熱部８０により出射された光は、光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの一部に導かれて当たり、その被処理面Ｗａ上の照射領域が光学部材９０の上下方向の移動によって支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの直径方向に端から端まで移動する。このとき、基板Ｗは回転しており、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に光が照射され、支持部４０上の基板Ｗが加熱される。なお、光学部材移動機構９２は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの直径方向に端から端（あるいは端から中心）まで光を照射するように光学部材９０を移動させる。
以上説明したように、第３の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、光学部材９０を小型化した場合でも、光学部材移動機構９２を設けることによって、光学部材９０が光学部材移動機構９２により移動して、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に光を照射することが可能となるので、光学部材９０の小型化を実現することができる。
なお、第３の実施形態においては、光学部材９０を上下方向に移動させるようにしているが、これに限るものではなく、例えば、前後方向や左右方向に移動させたり、回転や偏心回転させて移動させたりすることも可能である。回転や偏心回転では、光学部材９０の回転方向と支持部４０上の基板Ｗの回転方向が同じである場合には、それらの回転数に差を生じさせることが必要である。また、光学部材９０の回転方向を支持部４０上の基板Ｗの回転方向と逆にすることも可能である。
一方、前述の上下方向の移動において、光学部材移動機構９２による光学部材９０の移動範囲を広くし、例えば、加熱部８０による加熱処理を行わない場合に、光学部材９０を移動させて支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａよりも低い位置に待機させることもできる。この場合には、加熱処理以外の処理中、例えば薬液処理中、薬液のミストが光学部材９０に付着することを抑制することが可能となるので、光学部材９０の汚染を抑えることができる。
＜第４の実施形態＞
第４の実施形態について図７を参照して説明する。なお、第４の実施形態では、第３の実施形態との相違点（光学部材移動機構）について説明し、その他の説明は省略する。
図７に示すように、第４の実施形態では、光学部材移動機構９３が設けられている。この光学部材移動機構９３は、首振り機構であり、支持部材９１の一端、すなわち支持部材９１における光学部材９０側の一端に設けられている。この光学部材移動機構９３は、光学部材９０を保持し、保持点を回転中心として光学部材９０（光学部材９０のサイズ及び形状は第３の実施形態と同じ）を回転させるように振り動かす。これにより、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａにおいて、光学部材９０により照射される照射領域を移動させることが可能となる。前述の首振り機構は、例えば、回転方向を変えることが可能なモータ（図示せず）を有しており、このモータの回転により光学部材９０を振り動かす。光学部材移動機構９３は、制御ユニット１６ｂ（図２参照）に電気的に接続されており、その駆動が制御ユニット１６ｂにより制御される。
このような構成において、加熱部８０による加熱処理中（図３中のステップＳ７参照）、光学部材移動機構９３は光学部材９０を振り動かす。加熱部８０により出射された光は、光学部材９０により支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの一部に導かれて当たり、その被処理面Ｗａ上の照射領域が光学部材９０の揺動によって支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの直径方向に端から端まで移動する。このとき、基板Ｗは回転しており、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの全体に光が照射され、支持部４０上の基板Ｗが加熱される。なお、光学部材移動機構９３は、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａの直径方向に端から端（あるいは端から中心）まで光を照射するように光学部材９０を移動させる。
以上説明したように、第４の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができ、さらに、第３の実施形態と同様の効果を得ることができる。
なお、第４の実施形態においては、光学部材９０を振り動かすようにしているが、これに限るものではなく、第３の実施形態と同様、例えば、前後方向や左右方向に移動させたり、回転や偏心回転させて移動させたりすることも可能である。
＜第５の実施形態＞
第５の実施形態について図８を参照して説明する。なお、第５の実施形態では、第１の実施形態との相違点（清掃部）について説明し、その他の説明は省略する。
図８に示すように、第５の実施形態では、清掃部９４が設けられている。この清掃部９４は、例えば、光学部材９０の上端部に設けられており、光学部材９０の表面に沿って流体を流し、光学部材９０を清掃する。流体としては、液体（例えばＤＩＷ）や気体（例えば不活性ガス）を用いることが可能である。清掃部９４は、制御ユニット１６ｂ（図２参照）に電気的に接続されており、その駆動が制御ユニット１６ｂにより制御される。なお、清掃部９４は、流体を供給する流体供給部（図示せず）に接続されている。
このような構成において、基板処理以外の待機期間中やメンテナンス期間中などに、清掃部９４は、光学部材９０の表面に沿って流体が流れるように流体を吐出する。吐出された流体は、光学部材９０の表面に沿って流れ、光学部材９０の表面に付着していた付着物が除去される。この付着物は、例えば、処理室２０内での処理中に処理液のミストやパーティクルが光学部材９０の表面に付着したものである。
以上説明したように、第５の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、清掃部９４を設けることによって、光学部材９０の表面に付着した付着物が除去されるので、光学部材９０の汚染を抑えることができる。
なお、第５の実施形態においては、清掃部９４を光学部材９０の上端部に設けているが、これに限るものではなく、清掃部９４の設置位置は光学部材９０を清掃することが可能な位置であれば良い。あるいは、光学部材９０を所定の清掃位置（待機位置）に移動させ、その清掃位置で光学部材９０の清掃を行うようにしても良い。
また、光学部材９０の表面に沿って流体を流すようにしているが、これに限るものではなく、光学部材９０の表面に対して流体を吹き付けるようにしても良い。あるいは、流体ではなく、接触部材（例えば布やスポンジ）により光学部材９０の表面を拭くようにしても良い。なお、光学部材９０の表面を液体で洗浄した後、その光学部材９０の表面に気体を吹き付けて乾燥させたり、あるいは、光学部材９０の表面に加熱部８０から光を照射して乾燥させたりしても良い。
＜第６の実施形態＞
第６の実施形態について図９を参照して説明する。なお、第６の実施形態では、第１の実施形態との相違点（光量抑制部材）について説明し、その他の説明は省略する。
図９に示すように、第６の実施形態では、光量抑制部材２１ａが設けられている。この光量抑制部材２１ａは、処理室２０の上面（天井）に、フィルタ２１を通過した空気を阻害しない加熱部８０側の位置に設けられており、加熱部８０により出射された光がフィルタ２１に入射する光量を抑制する。光量抑制部材２１ａとしては、例えば、光が透過しない板や網状の板など、金属製や樹脂製の板を用いることが可能であり、光を完全に遮断する板を用いてフィルタ２１に入射する光量を０（ゼロ）にすることもできる。
このような構成において、加熱部８０による加熱処理中（図３中のステップＳ７参照）、加熱部８０により出射されてフィルタ２１に向かう光の一部あるいは全部が光量抑制部材２１ａにより遮られ、フィルタ２１に入射する光量が抑えられる。これにより、フィルタ２１が光により加熱されて劣化や損傷することが抑制されるので、フィルタ２１の性能を維持することが可能であり、フィルタ２１の交換時期を延ばすことができる。
（光量抑制部材の変形例）
次に、前述の光量抑制部材２１ａの変形例である光量抑制部材２１ｂについて図１０を参照して説明する。
図１０に示すように、光量抑制部材２１ｂは、フィルタ２１の下面（フィルタ２１における処理室２０側の面：図９参照）に、その下面全体を覆うように設けられている。この光量抑制部材２１ｂは、空気が通過することが可能に、例えば、網状の板や複数の孔を有する板により形成されている。このため、フィルタ２１を通過した空気は、光量抑制部材２１ｂを通過することが可能である。
このような構成において、加熱部８０による加熱処理中（図３中のステップＳ７参照）、加熱部８０により出射されてフィルタ２１に向かう光の一部が光量抑制部材２１ａにより遮られ、フィルタ２１に入射する光量が抑えられる。これにより、フィルタ２１が光により加熱されて劣化や損傷することが抑制されるので、フィルタ２１の性能を維持することが可能であり、フィルタ２１の交換時期を延ばすことができる。
以上説明したように、第６の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。また、光量抑制部材２１ａ又は２１ｂを設けることによって、フィルタ２１に入射する光量が抑えられるので、フィルタ２１が光により加熱されて劣化や損傷することが抑制される。これにより、フィルタ２１の性能を維持することが可能であり、フィルタ２１の寿命を延ばすことができる。
＜他の実施形態＞
前述の各実施形態においては、加熱部８０を処理室２０外に設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、加熱部８０を処理室２０内の支持部４０の上方を避けて処理室２０内に設けるようにしても良い。この場合には、加熱部８０を洗浄する洗浄部を設けることも可能である。また、加熱部８０を移動させる移動機構を設けることも可能である。例えば、加熱部８０による加熱処理を行わない場合には、加熱部８０を移動させて支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａよりも低い位置に待機させることもできる。
また、前述の各実施形態においては、加熱部８０を処理室２０外であって処理室２０の側面（外側面）に設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、処理室２０外であって処理室２０の底面に設けるようにしても良い。この場合には、反射板やプリズムなどの光学部材をさらに配置し、加熱部８０からの光を処理室２０内の光学部材９０に導く。なお、加熱部８０を処理室２０の外側面の下側に設けた場合にも、反射板やプリズムなどの光学部材をさらに配置しても良い。
また、前述の各実施形態においては、光学部材９０を処理室２０内の支持部４０の上方を避けて処理室２０内に設けることを例示したが、これに限るものではなく、例えば、光学部材９０を処理室２０外に設け、処理室２０に光学部材９０用の透過部を設けるようにしても良い。この場合には、処理室２０内での処理中に処理液のミストやパーティクルが光学部材９０に付着することを防止することが可能となるので、光学部材９０の汚染を確実に抑えることができる。
また、前述の各実施形態においては、乾燥処理工程において加熱部８０を用いているが、これに限るものではなく、薬液として硫酸やリン酸などを用いる薬液処理工程において、支持部４０上の基板Ｗの被処理面Ｗａに供給された硫酸やリン酸を例えば１５０℃以上の高温に加熱するため、加熱部８０を用いるようにしても良い。この場合、処理液が光を吸収する場合には、処理液自体も光によって加熱されることになる。
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
１０ 基板処理装置
１５ 基板処理部
２０ 処理室
２１ フィルタ
２１ａ 光量抑制部材
２１ｂ 光量抑制部材
２３ 光遮断部材
４０ 支持部
８０ 加熱部
９０ 光学部材
９２ 光学部材移動機構
９３ 光学部材移動機構
９４ 清掃部
Ｗ 基板
Ｗａ 被処理面

Claims (9)

  1. 空気が上方から下方に流れる処理室と、
    前記処理室内に設けられ、被処理面を有する基板を支持する支持部と、
    前記支持部の上方を避けて設けられ、加熱用の光を出射する加熱部と、
    前記加熱部に対し、前記支持部を挟んで反対側に、かつ前記支持部の上方を避けて設けられ、前記加熱部により出射されて前記支持部の上方を通過した前記光を、前記支持部により支持された前記基板の被処理面に導く光学部材と、
    を備え、
    前記処理室は複数設けられ、隣接する二つの処理室には、前記加熱部から出射された前記光を通過させる透過部がそれぞれ設けられ、一方の前記処理室に設けられる前記透過部と、他方の前記処理室に設けられる前記透過部との間に、前記二つの処理室で共用される前記加熱部が配置されていることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記光学部材を移動させる光学部材移動機構をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記光学部材移動機構は、前記支持部により支持された前記基板の被処理面の端から端まで前記光を照射するように前記光学部材を移動させることを特徴とする請求項２記載の基板処理装置。
  4. 前記光学部材を清掃する清掃部をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  5. 前記清掃部は、前記光学部材の表面に流体を吐出することを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記処理室の上面に設けられ、前記処理室内に清浄空気を取り込むためのフィルタと、
    前記加熱部により出射された前記光が前記フィルタに入射する光量を抑制する光量抑制部材と、
    をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  7. 前記光量抑制部材は、空気が通過することが可能に、前記フィルタの下面全体を覆う板であることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記複数の処理室に個別に設けられ、前記加熱部により出射されて前記光学部材に進む前記光を遮る位置に移動することが可能に形成された光遮断部材をさらに備えることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  9. 前記光遮断部材は、前記光を遮る位置において前記加熱部に対向して、前記加熱部により出射された前記光を前記加熱部側に反射するリフレクタであることを特徴とする請求項８に記載の基板処理装置。
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