JP6356059B2 - 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 - Google Patents
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本発明のさらに他の実施形態によれば、基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して上記の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体が提供される。
CM = C1V1/(V1+V2)
但し、V1はFFU21からバッファ空間27に供給される空気の流量であり、V2は清浄ガス供給路23からバッファ空間27に供給される清浄ガスの流量である。
20 チャンバ
211 吸入空気流路(ダクト)
214 パーティクルを除去するフィルタ(ULPAフィルタ)
215 ケミカルフィルタ
216,217 吸入空気流量調節機器
216 ファン
217 開度可変の弁(流量調整弁)
218 アンモニア濃度計(第1アンモニア濃度計)
218’ 第2アンモニア濃度計
23 清浄ガス供給路
25,26 清浄ガス流量調節機器(流量計、流量調整弁)
Claims (16)
- 内部で基板に処理が施されるチャンバと、
前記チャンバの外部の空間から取り込んだ空気である吸入空気を前記チャンバ内に供給するための吸入空気流路と、
前記チャンバ内に供給される前の吸入空気からパーティクルを除去するフィルタと、
前記吸入空気に含まれるアンモニアを除去するケミカルフィルタと、
前記ケミカルフィルタを通過した後の前記吸入空気中のアンモニア濃度を測定する第1アンモニア濃度計と、
前記ケミカルフィルタに入る前の前記吸入空気中のアンモニア濃度を測定する第2アンモニア濃度計と、
前記吸入空気流路を介して前記チャンバに供給される前記吸入空気の流量を調整する吸入空気流量調節機器と、
前記チャンバ内の基板周囲領域に到達する前の前記吸入空気と混合されるように、アンモニアを全く又は殆ど含まない清浄ガスを供給する清浄ガス供給路と、
前記清浄ガス供給路を介して供給される清浄ガスの流量を調整する清浄ガス流量調節機器と、
制御装置と、を備え、
前記制御装置は、前記第1アンモニア濃度計により検出されたアンモニア濃度に基づいて前記吸入空気流量調節機器及び前記清浄ガス流量調節機器の少なくとも一方を制御して、前記チャンバ内の少なくとも基板周囲領域の雰囲気中のアンモニア濃度を予め定められた値以下に維持し、かつ、前記制御装置は、前記第2アンモニア濃度計により測定されたアンモニア濃度と、前記第1アンモニア濃度計により測定されたアンモニア濃度とを比較し、この比較結果に基づいて、前記ケミカルフィルタの劣化度合いを示すため又は前記ケミカルフィルタの交換を促すための表示または報知を行う、基板処理装置。 - 前記清浄ガス供給路は、前記吸入空気流量調節機器よりも下流側で前記吸入空気流路に接続され、前記清浄ガスは、前記チャンバ内に流入する前に前記吸入空気と混合される、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第1アンモニア濃度計は、前記吸入空気流量調節機器よりも上流側で前記吸入空気流路内に設けられている、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記清浄ガス供給路は、前記チャンバに接続され、前記清浄ガスは、前記前記チャンバ内に流入した後であってかつ前記基板に到達する前に前記吸入空気と混合される、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、前記チャンバ内の基板周囲領域の雰囲気中のアンモニア濃度を予め定められた値以下に維持するときに、前記清浄ガスの供給流量と前記吸入空気の供給流量の和がほぼ一定に維持されるように、前記清浄ガス流量調節機器及び前記吸入空気流量調節機器の両方を制御する、請求項1から4のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、前記第1アンモニア濃度計により測定されたアンモニア濃度が予め定められた下限値より低い場合には、前記清浄ガス供給路から前記清浄ガスが供給されないようにする、請求項1から5のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、前記第1アンモニア濃度計により測定されたアンモニア濃度が予め定められた上限値より高い場合には、前記チャンバへの前記吸入空気の供給を停止し、前記清浄ガスのみが前記チャンバに供給されるようにする、請求項1から6のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記チャンバを複数備え、
前記吸入空気流路から分岐して、各々が前記複数のチャンバに前記吸入空気を供給する複数の分岐流路が設けられ、
前記吸入空気流量調節機器、前記清浄ガス供給路及び前記清浄ガス流量調節機器は前記複数のチャンバにそれぞれ対応して設けられ、
前記第1アンモニア濃度計は、前記複数の分岐流路よりも上流側の位置における前記吸入空気流路内の前記吸入空気のアンモニア濃度を測定して、その測定値が前記各チャンバにおける前記吸入空気と前記清浄ガスとの供給比率を調節する制御の基礎となるデータとして用いられる、
請求項1から7のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。 - 前記吸入空気流量調節機器は、回転数可変のファンからなる、請求項1から8のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記吸入空気流量調節機器は、開度可変の弁からなる、請求項1から8のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 前記清浄ガスは、ドライエアまたは窒素ガスである、請求項1から10のうちのいずれか一項に記載の基板処理装置。
- 内部で基板に処理が施されるチャンバの内部に、前記チャンバの外部から取り込んだ吸入空気を、ケミカルフィルタを介して供給することと、
前記ケミカルフィルタを通過する前後で、前記吸入空気中のアンモニア濃度を測定することと、
前記ケミカルフィルタを通過した後に測定された前記アンモニア濃度に応じて、前記チャンバ内の基板周囲領域の雰囲気中のアンモニア濃度を予め定められた値以下に維持するために、アンモニアを全く又は殆ど含まない清浄ガスを前記吸入空気に混合する必要があるか否かを判断することと、
前記清浄ガスを前記吸入空気に混合する必要があると判断されたときに、前記清浄ガスを前記吸入空気に混合することと、
前記ケミカルフィルタを通過する前に測定された前記吸入空気中のアンモニア濃度と、前記ケミカルフィルタを通過した後に測定された前記吸入空気中のアンモニア濃度とを比較し、この比較結果に基づいて、前記ケミカルフィルタの劣化度合いを示すため又は前記ケミカルフィルタの交換を促すための表示または報知を行うことと
を備えた基板処理方法。 - 前記ケミカルフィルタを通過した後に測定された前記アンモニア濃度に関わらず、前記チャンバへの前記清浄ガスの供給流量と前記吸入空気の供給流量の和がほぼ一定に維持される、請求項12に記載の基板処理方法。
- 前記ケミカルフィルタを通過した後に測定された前記アンモニア濃度が予め定められた下限値より低い場合には、前記清浄ガスが供給されないようにする、請求項12または13記載の基板処理方法。
- 前記ケミカルフィルタを通過した後に測定された前記アンモニア濃度が予め定められた上限値より高い場合には、前記チャンバへの前記吸入空気の供給を停止し、前記清浄ガスのみが前記チャンバに供給されるようにする、請求項12または13記載の基板処理方法。
- 基板処理装置の動作を制御するためのコンピュータにより実行されたときに、前記コンピュータが前記基板処理装置を制御して請求項12から15のうちのいずれか一項に記載の基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体。
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