JP2007095893A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】雰囲気ガス中の特定成分により露光パターンの微細化が阻害されることが防止された基板処理装置を提供することである。
【解決手段】基板処理装置５００の乾燥／現像処理ブロック１２においては、露光処理後の基板Ｗの乾燥処理が行われる。乾燥／現像処理ブロック１２には、複数の測定ポート１２ａ，９０ａ，９５ａ、複数の窒素供給口１２ｂ，９０ｂ，９５ｂが設けられる。測定ポート１２ａ，９０ａ，９５ａは配管２２１，２２２，２２３を介して外部ポート１２Ａ，９０Ａ，９５Ａに連通する。外部ポート１２Ａ，９０Ａ，９５Ａの各々から乾燥／現像処理ブロック１２の各部の雰囲気ガスが採取され、濃度分析器４００においてそれぞれのアンモニア濃度が測定される。この測定結果に基づいてメインコントローラの制御により窒素ガス供給源３００から乾燥／現像処理ブロック１２に窒素ガスが供給される。
【選択図】図１

Description

本発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。

半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。

このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。

上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。

近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。

そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
特開２００３−３２４１３９号公報 国際公開第９９／４９５０４号パンフレット

化学増幅型レジストを用いた場合には、露光処理により基板上のレジスト膜に特定の酸が発生し、この酸が触媒となり、露光部分の反応を増幅させる。それにより、露光パターンが効率良く形成される。

しかしながら、化学増幅型レジストを用いる場合、基板処理装置内の雰囲気ガス中のアルカリ成分（特にアンモニア）の濃度が高くなると、レジスト膜上の酸が中和される。これにより、液浸法による露光パターンの微細化が阻害される。

本発明の目的は、雰囲気ガス中の特定成分により露光パターンの微細化が阻害されることが防止された基板処理装置を提供することである。

（１）本発明に係る基板処理装置は、露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、基板に処理を行うための処理部と、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、雰囲気ガスを外部に取り出すための気体取り出し部とを備え、処理部は、基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含む第１の処理単位と、露光装置による露光処理後に基板の乾燥を行う乾燥処理ユニット、および基板を搬送する搬送手段が設けられる搬送領域を含む第２の処理単位と、第２の処理単位内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導く第１のガス導出系とを含むものである。

本発明に係る基板処理装置においては、処理部において第１の処理単位の感光性膜形成ユニットにより基板上に感光性膜が形成された後、基板は受け渡し部を介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板に露光処理が行われた後、基板は受け渡し部を介して処理部の第２の処理単位の乾燥処理ユニットへと搬送される。乾燥処理ユニットにおいて基板の乾燥が行われる。

第２の処理単位においては、第２の処理単位内の雰囲気ガスが第１のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。気体取り出し部へと導かれた雰囲気ガスは基板処理装置の外部に取り出される。

このように、乾燥処理ユニットにおいて基板の乾燥処理が行われることにより、露光装置で基板に液体が付着しても、その液体が基板処理装置内に落下することを防止することができる。

ここで、第２の処理単位内の雰囲気ガスが第１のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。この場合、気体取り出し部から第２の処理単位内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。したがって、定期的または不定期に第２の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて第２の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、露光処理後の基板の乾燥処理時に雰囲気ガス中の特定成分により露光パターンの微細化が阻害されることが防止される。

（２）第１のガス導出系は、乾燥処理ユニット内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導いてもよい。

この場合、乾燥処理ユニット内の雰囲気ガスが気体取り出し部において基板処理装置の外部に取り出される。これにより、乾燥処理ユニット内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果にもとづいて乾燥処理ユニット内の特定成分の濃度を制御することが可能となる。

（３）第１のガス導出系は、搬送領域内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導いてもよい。この場合、搬送領域内の雰囲気ガスが気体取り出し部において基板処理装置の外部に取り出される。これにより、搬送領域内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果にもとづいて搬送領域内の特定成分の濃度を制御することが可能となる。

（４）処理部は、第２の処理単位内に不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給手段をさらに含んでもよい。

この場合、第１の不活性ガス供給手段から第２の処理単位内に不活性ガスが供給されることにより、第２の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、第２の処理単位内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（５）第１の不活性ガス供給手段は、乾燥処理ユニット内に不活性ガスを供給してもよい。

この場合、第１の不活性ガス供給手段から乾燥処理ユニット内に不活性ガスが供給されることにより、乾燥処理ユニット内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、乾燥処理ユニット内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（６）第１の不活性ガス供給手段は、搬送領域内に不活性ガスを供給してもよい。この場合、第１の不活性ガス供給手段から搬送領域内に不活性ガスが供給されることにより、搬送領域内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、搬送領域内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（７）第２の処理単位は、第２の処理単位内に清浄な雰囲気ガスを供給する第１の雰囲気ガス供給手段をさらに含み、第１の雰囲気ガス供給手段は、雰囲気ガス中の所定の物質を除去する第１の除去手段と、第１の除去手段を通して第２の処理単位内に雰囲気ガスを送る第１の送気手段とを含んでもよい。

この場合、第２の処理単位の外部の雰囲気ガスが第１の除去手段を通して第２の処理単位内に送られるので、第２の処理単位の外部において特定成分が発生しても、第２の処理単位内には特定成分が除去された清浄な雰囲気ガスが供給される。

（８）第１の雰囲気ガス供給手段は、乾燥処理ユニットに設けられてもよい。この場合、乾燥処理ユニットの外部の雰囲気ガスが第１の除去手段を通して乾燥処理ユニット内に送られるので、乾燥処理ユニットの外部において特定成分が発生しても、乾燥処理ユニット内には特定成分が除去された清浄な雰囲気ガスが供給される。

（９）第１の雰囲気ガス供給手段は、搬送領域に設けられてもよい。この場合、搬送領域の外部の雰囲気ガスが第１の除去手段を通して搬送領域内に送られるので、搬送領域の外部において特定成分が発生しても、搬送領域内には特定成分が除去された清浄な雰囲気ガスが供給される。

（１０）受け渡し部は、受け渡し部内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導く第２のガス導出系を含んでもよい。

この場合、受け渡し部内の雰囲気ガスが第２のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。これにより、気体取り出し部から受け渡し部内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。したがって、定期的または不定期に受け渡し部内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて受け渡し部内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、処理部と露光装置との間での基板の受け渡し時に雰囲気ガス中の特定成分により露光パターンの微細化が阻害されることが防止される。

（１１）受け渡し部は、受け渡し部内に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給手段を含んでもよい。

この場合、第２の不活性ガス供給手段から受け渡し部内に不活性ガスが供給されることにより、受け渡し部内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、受け渡し部内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（１２）受け渡し部は、受け渡し部内に清浄な雰囲気ガスを供給する第２の雰囲気ガス供給手段をさらに含み、第２の雰囲気ガス供給手段は、雰囲気ガス中の所定の物質を除去する第２の除去手段と、第２の除去手段を通して受け渡し部内に雰囲気ガスを送る第２の送気手段とを含んでもよい。

この場合、受け渡し部の外部の雰囲気ガスが第２の除去手段を通して受け渡し部内に送られるので、受け渡し部の外部において特定成分が発生しても、受け渡し部内には特定成分が除去された清浄な雰囲気ガスが供給される。

（１３）処理部は、第１の処理単位内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導く第３のガス導出系とをさらに含んでもよい。

この場合、第１の処理単位内の雰囲気ガスが第３のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。これにより、気体取り出し部から第１の処理単位内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。したがって、定期的または不定期に第１の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて第１の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、基板上の感光性膜が雰囲気ガス中の特定成分により悪影響を受けることが防止される。

（１４）処理部は、第１の処理単位内に不活性ガスを供給する第３の不活性ガス供給手段をさらに含んでもよい。

この場合、第３の不活性ガス供給手段から第１の処理単位内に不活性ガスが供給されることにより、第１の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、第１の処理単位内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（１５）処理部は、基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含む第３の処理単位をさらに含んでもよい。この場合、第３の処理単位において現像処理ユニットにより基板の現像処理が行われる。

（１６）処理部は、第３の処理単位内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導く第４のガス導出系をさらに含んでもよい。

この場合、第３の処理単位内の雰囲気ガスが第４のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。これにより、気体取り出し部から第３の処理単位内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。したがって、定期的または不定期に第３の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて第３の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、基板の現像処理時に雰囲気ガス中の特定成分により露光パターンの微細化が阻害されることが防止される。

（１７）処理部は、第３の処理単位内に不活性ガスを供給する第４の不活性ガス供給手段を含んでもよい。

この場合、第４の不活性ガス供給手段から第３の処理単位内に不活性ガスが供給されることにより、第３の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、第３の処理単位内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（１８）第２の処理単位は、第３の処理単位と共通であってもよい。この場合、１つの処理単位において感光性膜の形成と現像処理とを行うことができるので、フットプリントを低減することができる。

（１９）処理部は、感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットを含む第４の処理単位をさらに含んでもよい。

この場合、感光性膜上に保護膜が形成されるので、露光装置において基板が液体と接触した状態で露光処理が行われても、感光性膜の成分が液体中に溶出することが防止される。それにより、露光装置内の汚染を確実に防止することができる。

（２０）処理部は、第４の処理単位内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導く第５のガス導出系をさらに含んでもよい。

この場合、第４の処理単位内の雰囲気ガスが第５のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。これにより、気体取り出し部から第４の処理単位内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。したがって、定期的または不定期に第４の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて第４の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、基板上の感光性膜および保護膜が雰囲気ガス中の特定成分により悪影響を受けることが防止される。

（２１）処理部は、第４の処理単位内に不活性ガスを供給する第５の不活性ガス供給手段を含んでもよい。

この場合、第５の不活性ガス供給手段から第４の処理単位内に不活性ガスが供給されることにより、第４の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、第４の処理単位内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（２２）処理部は、露光装置による露光処理後であって現像処理ユニットによる基板の現像処理前に保護膜を除去する保護膜除去ユニットを含む第５の処理単位をさらに含んでもよい。この場合、感光性膜上に形成された保護膜を確実に除去することができる。

（２３）処理部は、第５の処理単位内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導く第６のガス導出系をさらに含んでもよい。

この場合、第５の処理単位内の雰囲気ガスが第６のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。これにより、気体取り出し部から第５の処理単位内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。したがって、定期的または不定期に第５の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて第５の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、基板上の感光性膜が雰囲気ガス中の特定成分により悪影響を受けることが防止される。

（２４）処理部は、第５の処理単位内に不活性ガスを供給する第６の不活性ガス供給手段をさらに含んでもよい。

この場合、第６の不活性ガス供給手段から第５の処理単位内に不活性ガスが供給されることにより、第５の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、第５の処理単位内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（２５）処理部は、感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットを含む第６の処理単位をさらに含んでもよい。

この場合、基板上に反射防止膜が形成されるので、露光処理時に発生する定在波およびハレーションを低減させることができる。その結果、基板上のパターン欠陥の発生および歩留まりの低下を防止することができる。

（２６）処理部は、第６の処理単位内の雰囲気ガスを気体取り出し部に導く第７のガス導出系をさらに含んでもよい。

この場合、第６の処理単位内の雰囲気ガスが第７のガス導出系を通して気体取り出し部へと導かれる。これにより、気体取り出し部から第６の処理単位内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。したがって、定期的または不定期に第６の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて第６の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、基板上の反射防止膜が雰囲気ガス中の特定成分により悪影響を受けることが防止される。

（２７）処理部は、第６の処理単位内に不活性ガスを供給する第７の不活性ガス供給手段をさらに含んでもよい。

この場合、第７の不活性ガス供給手段から第６の処理単位内に不活性ガスが供給されることにより、第６の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換される。これにより、第６の処理単位内において雰囲気ガス中の特定成分の濃度を低減させることができる。

（２８）基板処理装置は、気体取り出し部において取り出された雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定する測定手段をさらに備えてもよい。

この場合、測定手段において基板処理装置内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度が測定される。それにより、測定手段による測定値に基づいて、基板処理装置内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を制御することが可能となる。したがって、基板処理装置内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度が常に一定の値より低くなるように調整することができる。

（２９）基板処理装置は、測定手段により得られた測定値を取得するとともに、測定値に基づいて不活性ガスの供給により雰囲気ガス中の特定成分の濃度を制御する制御手段をさらに備えてもよい。

この場合、測定手段により得られた測定結果が高い場合には、基板処理装置内に不活性ガスが供給される。これにより、雰囲気ガス中の特定成分が不活性ガスで置換され、特定成分の濃度が低減される。

このように、制御手段により基板処理装置内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度が自動的に制御される。その結果、露光パターンの微細化が阻害されることが防止される。

本発明によれば、気体取り出し部から第２の処理単位内の雰囲気ガスを容易に採取することができる。それにより、定期的または不定期に第２の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定することができるとともに、測定結果に基づいて第２の処理単位内の雰囲気ガス中の特定成分の濃度を迅速に制御することが可能となる。その結果、露光処理後の基板の乾燥処理時に雰囲気ガス中の特定成分により露光パターンの微細化が阻害されることが防止される。

以下、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について図面を用いて説明する。以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。

（１）基板処理装置の構成
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。

図１以降の各図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。また、Ｚ方向を中心とする回転方向をθ方向としている。

図１に示すように、基板処理装置５００は、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、乾燥／現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３を含む。インターフェースブロック１３に隣接するように露光装置１４が配置される。露光装置１４においては、液浸法により基板Ｗの露光処理が行われる。

以下、インデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、乾燥／現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３の各々を処理ブロックと呼ぶ。

インデクサブロック９は、各処理ブロックの動作を制御するメインコントローラ（制御部）３０、複数のキャリア載置台６０およびインデクサロボットＩＲを含む。インデクサロボットＩＲには、基板Ｗを受け渡すためのハンドＩＲＨが設けられる。

反射防止膜用処理ブロック１０は、反射防止膜用熱処理部１００，１０１、反射防止膜用塗布処理部７０および搬送エリア１０２を含む。反射防止膜用塗布処理部７０は、搬送エリア１０２を挟んで反射防止膜用熱処理部１００，１０１に対向して設けられる。搬送エリア１０２には第１のセンターロボットＣＲ１が設置される。第１のセンターロボットＣＲ１には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ１，ＣＲＨ２が上下に設けられる。

また、搬送エリア１０２には複数の測定ポート１０ａが設けられ、反射防止膜用塗布処理部７０には複数の測定ポート７０ａが設けられる（図１には模式的に１つの測定ポート１０ａおよび１つの測定ポート７０ａが記載される）。測定ポート１０ａ，７０ａはそれぞれ配管２０１，２０２を介して基板処理装置５００の側面の取り出し部１００Ａに設けられた外部ポート１０Ａ，７０Ａに連通する。これにより、搬送エリア１０２内の雰囲気ガスは測定ポート１０ａから配管２０１を通して外部ポート１０Ａに導かれ、反射防止膜用塗布処理部７０内の雰囲気ガスは測定ポート７０ａから配管２０２を通して外部ポート７０Ａに導かれる。

また、搬送エリア１０２には複数の窒素ガス供給口１０ｂが設けられ、反射防止膜用塗布処理部７０には複数の窒素ガス供給口７０ｂが設けられる（図１には模式的に１つの窒素ガス供給口１０ｂおよび１つの窒素ガス供給口７０ｂが記載される）。窒素ガス供給口１０ｂ，７０ｂは配管３１４を介して窒素ガス供給源３００に接続される。測定ポート１０ａ，７０ａ、配管２０１，２０２および窒素ガス供給口１０ｂ，７０ｂの詳細については後述する。

インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられる。この隔壁１５には、インデクサブロック９と反射防止膜用処理ブロック１０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、基板Ｗをインデクサブロック９から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からインデクサブロック９へ搬送する際に用いられる。

また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示せず）が設けられている。それにより、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２において基板Ｗが載置されているか否かの判定を行うことが可能となる。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、固定設置された複数本の支持ピンが設けられている。なお、上記の光学式のセンサおよび支持ピンは、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０にも同様に設けられる。

レジスト膜用処理ブロック１１は、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１、レジスト膜用塗布処理部８０および搬送エリア１１２を含む。レジスト膜用塗布処理部８０は、搬送エリア１１２を挟んでレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に対向して設けられる。搬送エリア１１２には第２のセンターロボットＣＲ２が設置される。第２のセンターロボットＣＲ２には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ３，ＣＲＨ４が上下に設けられる。

また、搬送エリア１１２には複数の測定ポート１１ａが設けられ、レジスト膜用塗布処理部８０には、複数の測定ポート８０ａが設けられる（図１には模式的に１つの測定ポート１１ａおよび１つの測定ポート８０ａが記載される）。測定ポート１１ａ，８０ａはそれぞれ配管２１１，２１２を介して基板処理装置５００の側面の取り出し部１１０Ａに設けられた外部ポート１１Ａ，８０Ａに連通する。これにより、搬送エリア１１２内の雰囲気ガスは測定ポート１１ａから配管２１１を通して外部ポート１１Ａに導かれ、レジスト膜用塗布処理部８０の雰囲気ガスは測定ポート８０ａから配管２１２を通して外部ポート８０Ａに導かれる。

また、搬送エリア１１２には複数の窒素ガス供給口１１ｂが設けられ、レジスト膜用塗布処理部８０には窒素ガス供給口８０ｂが設けられる（図１には模式的に１つの窒素ガス供給口１１ｂおよび１つの窒素ガス供給口８０ｂが記載される）。窒素ガス供給口１１ｂ，８０ｂは配管３１４を介して窒素ガス供給系３００に接続される。測定ポート１１ａ，８０ａ、配管２１１，２１２および窒素ガス供給口１１ｂ，８０ｂの詳細については後述する。

反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間には、雰囲気遮断用の隔壁１６が設けられる。この隔壁１６には、反射防止膜用処理ブロック１０とレジスト膜用処理ブロック１１との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、基板Ｗを反射防止膜用処理ブロック１０からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から反射防止膜用処理ブロック１０へ搬送する際に用いられる。

乾燥／現像処理ブロック１２は、現像用熱処理部１２０，１２１、現像処理部９０、乾燥処理部９５および搬送エリア１２２を含む。現像用熱処理部１２１はインターフェースブロック１３に隣接し、後述するように、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８を備える。現像処理部９０および乾燥処理部９５は、搬送エリア１２２を挟んで現像用熱処理部１２０，１２１に対向して設けられる。搬送エリア１２２には第３のセンターロボットＣＲ３が設置される。第３のセンターロボットＣＲ３には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ５，ＣＲＨ６が上下に設けられる。

また、搬送エリア１２２には複数の測定ポート１２ａが設けられる。現像処理部９０には複数の測定ポート９０ａが設けられ、乾燥処理部９５には複数の測定ポート９５ａが設けられる（図１には模式的に１つの測定ポート１２ａ、１つの測定ポート９０ａおよび１つの測定ポート９５ａが記載される）。測定ポート１２ａ，９０ａ，９５ａはそれぞれ配管２２１，２２２，２２３を介して基板処理装置５００の側面の取り出し部１２０Ａに設けられた外部ポート１２Ａ，９０Ａ，９５Ａに連通する。これにより、搬送エリア１２２内の雰囲気ガスは測定ポート１２ａから配管２２１を通して外部ポート１２Ａに導かれ、現像処理部９０内の雰囲気ガスは測定ポート９０ａから配管２２２を通して外部ポート９０Ａに導かれる。乾燥処理部９５内の雰囲気ガスは測定ポート９５ａから配管２２３を通して外部ポート９５Ａに導かれる。

また、搬送エリア１２２には窒素ガス供給口１２ｂが設けられる。現像処理部９０には窒素ガス供給口９０ｂが設けられ、乾燥処理部９５内には窒素ガス供給口９５ｂが設けられる（図１には模式的に１つの窒素ガス供給口１２ｂ、１つの窒素ガス供給口９０ｂおよび１つの窒素ガス供給口９５ｂが記載される）。窒素ガス供給口１２ｂ，９０ｂ，９５ｂは配管３１４を介して窒素ガス供給系３００に接続される。

測定ポート１２ａ，９０ａ，９５ａ、配管２２１，２２２，２２３および窒素ガス供給口１２ｂ，９０ｂ，９５ｂの詳細については後述する。

レジスト膜用処理ブロック１１と乾燥／現像処理ブロック１２との間には、雰囲気遮断用の隔壁１７が設けられる。この隔壁１７には、レジスト膜用処理ブロック１１と乾燥／現像処理ブロック１２との間で基板Ｗの受け渡しを行うための基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に近接して設けられる。上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、基板Ｗをレジスト膜用処理ブロック１１から乾燥／現像処理ブロック１２へ搬送する際に用いられ、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、基板Ｗを乾燥／現像処理ブロック１２からレジスト膜用処理ブロック１１へ搬送する際に用いられる。

インターフェースブロック１３は、バッファＳＢＦ、エッジ露光部ＥＥＷおよび搬送エリア１３２を含む。また、エッジ露光部ＥＥＷの下側には、後述する戻りバッファ部ＲＢＦ１、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および戻りバッファ部ＲＢＦ２が設けられている。搬送エリア１３２には、第４のセンターロボットＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが設置される。第４のセンターロボットＣＲ４には、基板Ｗを受け渡すためのハンドＣＲＨ７，ＣＲＨ８が上下に設けられる。

また、搬送エリア１３２には測定ポート１３ａが設けられ、エッジ露光部ＥＥＷには，測定ポート５０ａが設けられる（図１には模式的に１つの測定ポート１３ａおよび１つの測定ポート５０ａが記載される）。測定ポート１３ａ，５０ａはそれぞれ配管２３１，２３２を介して基板処理装置５００の側面の取り出し口１３０Ａに設けられた外部ポート１３Ａ，５０Ａに連通する。これにより、搬送路内の雰囲気ガスは測定ポート１３ａから配管２３１を通して外部ポート１３Ａに導かれ、エッジ露光部ＥＥＷ内の雰囲気ガスは測定ポート５０ａから配管２３２を通して外部ポート５０Ａに導かれる。

また、搬送エリア１３２には窒素ガス供給口１３ｂが設けられ、エッジ露光部ＥＥＷには窒素ガス供給口５０ｂが設けられる（図１には模式的に１つの窒素ガス供給口１３ｂおよび１つの窒素ガス供給口５０ｂが記載される）。窒素ガス供給口１３ｂ，５０ｂは配管３１４を介して窒素ガス供給系３００に接続される。

測定ポート１３ａ，５０ａ、配管２３１，２３２および窒素ガス供給口１３ｂ，５０ｂの詳細については後述する。

インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを受け渡すためのハンドＨ５およびハンドＨ６を有する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板載置部ＰＡＳＳ９と露光装置１４との間、露光装置１４と乾燥処理部９５との間および乾燥処理部９５と基板載置部ＰＡＳＳ１０との間で基板Ｗの受け渡しを行う。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの詳細については後述する。

本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、Ｙ方向に沿ってインデクサブロック９、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、乾燥／現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３が順に並設されている。

図２は、図１の基板処理装置５００を＋Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用塗布処理部７０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＢＡＲＣが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＢＡＲＣは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック７１およびスピンチャック７１上に保持された基板Ｗに反射防止膜の塗布液を供給する供給ノズル７２を備える。また、測定ポート７０ａおよび窒素ガス供給口７０ｂが各塗布ユニットＢＡＲＣの上部にそれぞれ配置される。配管２０２は各測定ポート７０ａのそれぞれに接続される。配管３１４は窒素ガス供給口７０ｂのそれぞれに接続されるように分岐する。詳細は後述する。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用塗布処理部８０（図１参照）には、３個の塗布ユニットＲＥＳが上下に積層配置されている。各塗布ユニットＲＥＳは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック８１およびスピンチャック８１上に保持された基板Ｗにレジスト膜の塗布液を供給する供給ノズル８２を備える。また、測定ポート８０ａおよび窒素ガス供給口８０ｂが各塗布ユニットＲＥＳの上部にそれぞれ配置される。配管２１２は各測定ポート８０ａのそれぞれに接続される配管３１４は窒素ガス供給口８０ｂのそれぞれに接続されるように分岐する。詳細は後述する。

乾燥／現像処理ブロック１２には現像処理部９０および乾燥処理部９５が上下に積層配置されている。現像処理部９０には、３個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置されている。各現像処理ユニットＤＥＶは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９１およびスピンチャック９１上に保持された基板Ｗに現像液を供給する供給ノズル９２を備える。また、測定ポート９０ａおよび窒素ガス供給口９０ｂが各現像処理ユニットＤＥＶの上部にそれぞれ配置される。配管２２２は各測定ポート９０ａのそれぞれに配置される。配管３１４は窒素ガス供給口８０ｂのそれぞれに接続されるように分岐する。詳細は後述する。

また、乾燥処理部９５には、２個の乾燥処理ユニットＤＲＹが上下に積層配置されている。この乾燥処理ユニットＤＲＹでは、基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。乾燥処理ユニットＤＲＹの詳細については後述する。

また、測定ポート９５ａおよび窒素ガス供給口９５ｂが各乾燥処理ユニットＤＲＹの上部にそれぞれ配置される。配管２２３は各測定ポート９５ａのそれぞれに配置される。配管３１４は窒素ガス供給口９５ｂのそれぞれに接続されるように分岐する。詳細は後述する。

インターフェースブロック１３には、２個のエッジ露光部ＥＥＷ、戻りバッファ部ＲＢＦ１、基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０および戻りバッファ部ＲＢＦ２が上下に積層配置されるとともに、第４のセンターロボットＣＲ４（図１参照）およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲが配置される。各エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの周縁を露光する光照射器９９を備える。また、測定ポート５０ａおよび窒素ガス供給口５０ｂが各エッジ露光部ＥＥＷの上部にそれぞれ配置される。測定ポート１３ａおよび窒素ガス供給口１３ｂはインターフェースブロック１３の搬送エリア１３２の複数の位置に配置される。配管２３１，２３２は各測定ポート１３ａ，５０ａそれぞれに配置される。配管３１４は窒素ガス供給口１３ｂ，５０ｂのそれぞれに接続されるように分岐する。詳細は後述する。

図３は、図１の基板処理装置５００を−Ｘ方向から見た側面図である。

反射防止膜用処理ブロック１０の反射防止膜用熱処理部１００には、２個の受け渡し部付き熱処理ユニットＰＨＰ（以下、単に熱処理ユニットと呼ぶ。）と３個のホットプレートＨＰが上下に積層配置され、反射防止膜用熱処理部１０１には、２個の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、反射防止膜用熱処理部１００，１０１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰ、密着強化剤塗布処理部ＡＨＬおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。

また、反射防止膜用処理ブロック１０の外側の側面の下部に取り出し口１００Ａが配置される。取り出し口１００Ａには複数の外部ポート１０Ａ，７０Ａが開口する。

レジスト膜用処理ブロック１１のレジスト膜用熱処理部１１０には、６個の熱処理ユニットＰＨＰが上下に積層配置され、レジスト膜用熱処理部１１１には、４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置される。また、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、レジスト膜用処理ブロック１１の外側の側面の下部に取り出し口１１０Ａが配置される。取り出し口１１０Ａには複数の外部ポート１１Ａ，８０Ａが開口する。

乾燥／現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２０には、４個のホットプレートＨＰおよび４個のクーリングプレートＣＰが上下に積層配置され、現像用熱処理部１２１には４個の熱処理ユニットＰＨＰ、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８、１個の熱処理ユニットＰＨＰおよびクーリングプレートＣＰが上下に積層配置されている。また、現像用熱処理部１２０，１２１には、最上部に熱処理ユニットＰＨＰ、ホットプレートＨＰおよびクーリングプレートＣＰの温度を制御するローカルコントローラＬＣが各々配置される。また、乾燥／現像処理ブロック１２の外側の側面の下部に取り出し口１２０Ａが配置される。取り出し口１２０Ａには複数の外部ポート１２Ａ，９０Ａ，９５Ａが開口する。

インターフェイスブロック１３の外側の側面の下部に取り出し口１３０Ａが配置される。取り出し口１３０Ａには複数の外部ポート１３Ａ，５０Ａが開口する。

（２）各処理部
（２−１）各処理部の構成の詳細
次に、上記の反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、乾燥／現像処理ブロック１２およびインターフェースブロック１３の詳細な構成について説明する。ここでは、一例として乾燥／現像処理ブロック１２の詳細な構成について説明する。

図４は図１〜図３の乾燥／現像処理ブロック１２をＹ方向から見た側面図である。

図４に示すように、搬送エリア１２２の−Ｘ方向側に現像用熱処理部１２０，１２１が設けられ、搬送エリア１２２のＸ方向側に現像処理部９０および乾燥処理部９５が上下に設けられる。搬送エリア１２２の中央部には第３のセンターロボットＣＲ３が設置される。

搬送エリア１２２の上方には送風機３０１および化学吸着フィルタ（以下、ケミカルフィルタと呼ぶ）３０２が設けられる。送風機３０１は上方から供給される雰囲気ガスをケミカルフィルタ３０２を通過させて搬送エリア１２２内に導く。ケミカルフィルタ３０２は所定の物質を中和することにより吸着する粒子を含む。それにより、上方から供給された雰囲気ガス中の上記所定の物質が除去される。

ここで、上方から供給される雰囲気ガスは清浄な空気のダウンフローである。また、雰囲気ガス中の所定の物質は、所定のアルカリ成分または所定の酸成分であり、本実施の形態では、アミン（例えばアンモニア）である。

また、搬送エリア１２２の上部、中部および下部には測定ポート１２ａが配置される。各測定ポート１２ａは配管２２１を介して基板処理装置５００の側面の取り出し口１２０Ａの外部ポート１２Ａに連通する。外部ポート１２Ａ，９０Ａは−Ｘ方向に開口する。

これにより、搬送エリア１２２内の各部における雰囲気ガスは各測定ポート１２ａから配管２２１を通して外部ポート１２Ａに導かれる。

また、搬送エリア１２２の上部および中部に窒素ガス供給口１２ｂが配置される。各窒素ガス供給口１２ｂは配管３１４を介して窒素ガス供給源３００に接続される。各窒素ガス供給口１２ｂの上流側の配管３１４の部分にはバルブ３１４ａが介挿される。図１〜図３のメインコントローラ３０によりバルブ３１４ａをそれぞれ制御することにより、窒素ガス供給口１２ｂの各々から供給される窒素ガスの供給量が調整される。

現像処理部９０には３個の現像処理ユニットＤＥＶが上下に積層配置され、乾燥処理部９５には２個の乾燥処理ユニットＤＲＹが上下に積層配置される。各現像処理ユニットＤＥＶおよび各乾燥処理ユニットＤＲＹの上部には送風機３１１およびケミカルフィルタ３１２が設けられる。送風機３１１およびケミカルフィルタ３１２の機能は上記の送風機３０１およびケミカルフィルタ３０２と同様である。これにより、上方から供給される雰囲気ガスが常時清浄な状態で各現像処理ユニットＤＥＶおよび各乾燥処理ユニットＤＲＹに供給される。

各現像処理ユニットＤＥＶ内の上部には測定ポート９０ａが配置され、各乾燥処理ユニットＤＲＹ内の上部には測定ポート９５ａが配置される。各測定ポート９０ａは配管２２２を介して基板処理装置５００の側面の取り出し口１２０Ａに設けられた外部ポート９０Ａに連通する。各測定ポート９５ａは配管２２３を介して基板処理装置５００の側面の取り出し口１２０Ａの外部ポート９５Ａに連通する。外部ポート９０Ａ，９５Ａは上記の配管２２１と同様に−Ｘ方向に開口する。

また、各現像処理ユニットＤＥＶの上部には窒素ガス供給口９０ｂが配置され、各乾燥処理ユニットＤＲＹの上部には窒素ガス供給口９５ｂが配置される。各窒素ガス供給口９０ｂおよび各窒素ガス供給口９５ｂは上記の窒素ガス供給口１２ｂと同様に配管３１４を介して窒素ガス供給源３００に接続される。各窒素ガス供給口９０ｂ，９５ｂの上流の配管３１４の部分にバルブ３１４ｂが介挿される。図１〜３のメインコントローラ３０によりバルブ３１４ｂがそれぞれ制御され、窒素ガス供給口９０ｂ，９５ｂの各々から供給される窒素ガスの供給量が調整される。

なお、測定ポート１２ａの数および配置は、搬送エリア１２２の構造および容積等により適宜変更してもよい。また、測定ポート９０ａ，９５ａの数および配置は、現像処理ユニットＤＥＶまたは乾燥処理ユニットＤＲＹの数および構造等により適宜変更してもよい。

また、配管２２１，２２２，２２３の配置は、測定ポート１２ａ，９０ａ，９５ａの数および各部の構造等により適宜決定される。

また、窒素ガス供給口１２ｂの数および配置は、搬送エリア１２２の構造および容積等により適宜変更してもよい。また、窒素ガス供給口９０ｂ，９５ｂの数および配置は、現像処理ユニットＤＥＶまたは乾燥処理ユニットＤＲＹの数および構造等により適宜変更してもよい。

また、配管３１４の配置は、窒素ガス供給口１２ｂ，９０ｂ，９５ｂの数および各部の構造等により適宜決定される。

図２の反射防止膜用処理ブロック１０の搬送エリア１０２の上方、レジスト膜用処理ブロック１１の搬送エリア１１２の上方およびインターフェースブロック１３の搬送エリア１３２の上方にも、図４の乾燥／現像処理ブロック１２と同様に送風機３０１およびケミカルフィルタ３０２が設けられる。また、反射防止膜用処理ブロック１０の各塗布ユニットＢＡＲＣの上部、レジスト膜用処理ブロック１１の各塗布ユニットＲＥＳの上部およびインターフェースブロック１３の各エッジ露光部ＥＥＷの上部にも、図４の乾燥／現像処理ブロック１２と同様に送風機３１１およびケミカルフィルタ３１２が設けられる。

また、反射防止膜用処理ブロック１０の窒素ガス供給口１０ｂ，７０ｂ、レジスト膜用処理ブロック１１の窒素ガス供給口１１ｂ，８０ｂ、インターフェースブロック１３の窒素ガス供給口１３ｂ，５０ｂの上流の配管３１４の部分にも、乾燥／現像処理ブロック１２と同様にバルブ３１４ａ，３１４ｂが介挿される。

また、本実施の形態では、図１〜図３のインデクサブロック９において、送風機、ケミカルフィルタ、測定ポートおよび窒素ガス供給管は設けられていないが、インデクサブロック９の構造および容量等により送風機、ケミカルフィルタ、測定ポートおよび窒素ガス供給管のうちの少なくとも１つを設けてもよい。

（２−２）雰囲気ガスの分析
上記の構成により、基板処理装置５００内の各部の雰囲気ガスが取り出し口１００Ａ，１１０Ａ，１２０Ａ，１３０Ａに導かれる。取り出し口１００Ａ，１１０Ａ，１２０Ａ，１３０Ａでは基板処理装置５００内の各部の雰囲気ガスが外部ポート１０Ａ〜１３Ａ，５０Ａ，７０Ａ，８０Ａ，９０Ａ，９５Ａの各々から採取され、濃度分析器４００においてそれぞれのアンモニア濃度が測定される。

図５は濃度分析器４００の構成の一例を示すブロック図である。図５の濃度分析器４００はイオンクロマトグラフ分析システムである。図５の濃度分析器４００は、濃度分析部４０１、記憶部４０２、演算処理部４０３、入力部４０４および出力部４０５を備える。

濃度分析部４０１は、基板処理装置５００内の各部から取り出し口１００Ａ，１１０Ａ，１２０Ａ，１３０Ａに導かれた雰囲気ガス中のアンモニア濃度を測定する機能を有する。入力部４０１は例えばキーボードからなり、出力部４０５はＣＲＴ（陰極線管）等のモニタおよびプリンタ等の出力機器からなる。記憶部４０２には、演算処理部４０３のための制御プログラムおよび各種データが格納される。

図５の濃度分析システム４００においては、基板処理装置５００内の各部から導かれた雰囲気ガス中のアンモニア濃度が濃度分析部４０１により測定される。測定結果は出力部４０５のモニタに表示され、または出力機器に出力される。

また、図６は濃度分析器４００の構成の他の例を示すブロック図である。図６の濃度分析器４００は、透明パイプ４５１，４５２、ｐＨ試験紙（ｐＨ指示薬）４５３、光源４５４、受光素子４５５および比較器４５６を含む。

ｐＨ試験紙４５３は、透明パイプ４５１の一端部と透明パイプ４５２の一端部との間に挟みこまれている。取り出し口１００Ａ，１１０Ａ，１２０Ａ，１３０Ａから採取された基板処理装置５００内の各部の雰囲気ガスが透明パイプ４１を通してｐＨ試験紙４３に導かれる。

光源４５４から透明パイプ４５１，４５２間のｐＨ試験紙４５３に光が照射され、その反射光が受光素子４５５により受光される。受光素子４５５は受光量に対応した出力信号を比較器４５６に与える。アンモニアを含む雰囲気ガスが透明パイプ４５１，４５２間のｐＨ試験紙４５３に供給されると、ｐＨ試験紙４５３の色が変化する。ｐＨ試験紙４５３の色の濃度は雰囲気ガス中のアンモニアの濃度に応じて変化するので、ｐＨ試験紙４５３からの反射光の光量に基づいて雰囲気ガス中のアンモニア濃度を測定することができる。

このようにして、基板処理装置５００内の各部におけるアンモニア濃度がそれぞれ測定される。この測定結果に基づいて窒素ガス供給源３００から基板処理装置５００内の各部に窒素ガスが供給される。これにより、基板装置５００内の各部におけるアンモニア濃度の調整を行うことができる。

（２−３）窒素ガスの供給
本実施の形態においては、図１〜図３のメインコントローラ３０による制御により基板処理装置５００内のアンモニア濃度の調整を行うことができる。以下に、アンモニア濃度の調整動作の一例を説明する。

図７は、メインコントローラ３０による窒素ガス供給処理の一例を示すフローチャートである。

まず、メインコントローラ３０は、濃度分析器４００により測定された基板処理装置５００内の各部におけるアンモニア濃度値を取得する（ステップＳ１）。アンモニア濃度値の取得は所定時間ごとに定期的に行われる。

次に、メインコントローラ３０は、ステップＳ１で取得した各部のアンモニア濃度値がそれぞれ予め設定されたしきい値以上か否かを判別する（ステップＳ２）。

アンモニア濃度値のいずれかがしきい値以上の場合には、メインコントローラ３０は、バルブ３１４ａ，３１４ｂを制御することにより基板処理装置５００内の該当する空間に窒素ガス供給源３００から窒素ガスを供給する（ステップＳ３）。その後、ステップＳ１〜Ｓ３の処理を繰り返す。

これにより、基板処理装置５００内の該当する空間において、雰囲気ガス中のアンモニアが窒素で置換される。その結果、基板処理装置５００の各空間内のアンモニア濃度が一定値以下に低減される。

このように、本実施の形態では、基板処理装置５００内の各部のアンモニア濃度が定期的に測定され、アンモニア濃度がしきい値以上となった空間に窒素ガスが供給される。これにより、基板処理装置５００内のアンモニア濃度が常に一定の値より低くなるように調整される。その結果、基板処理装置５００内の雰囲気ガス中のアンモニア濃度の上昇が抑制され、基板上の露光パターンの微細化が実現される。

なお、本実施の形態では、濃度分析器４００により基板処理装置５００内の各部におけるアンモニア濃度が定期的に測定されるが、濃度分析器４００により基板処理装置５００内の各部におけるアンモニア濃度が不定期に測定されてもよい。

（３）基板処理装置の動作
次に、本実施の形態に係る基板処理装置５００の動作について説明する。

インデクサブロック９のキャリア載置台６０の上には、複数枚の基板Ｗを多段に収納するキャリアＣが搬入される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＩＲＨを用いてキャリアＣ内に収納された未処理の基板Ｗを取り出す。その後、インデクサロボットＩＲは±Ｘ方向に移動しつつ±θ方向に回転移動し、未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に移載する。

本実施の形態においては、キャリアＣとしてＦＯＵＰ（front opening unified pod）を採用しているが、これに限定されず、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ（open cassette）等を用いてもよい。さらに、インデクサロボットＩＲ、第１〜第４のセンターロボットＣＲ１〜ＣＲ４およびインターフェース用搬送機構ＩＦＲには、それぞれ基板Ｗに対して直線的にスライドさせてハンドの進退動作を行う直動型搬送ロボットを用いているが、これに限定されず、関節を動かすことにより直線的にハンドの進退動作を行う多関節型搬送ロボットを用いてもよい。

基板載置部ＰＡＳＳ１に移載された未処理の基板Ｗは、反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ１により受け取られる。第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ１により基板Ｗを反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ２により反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、反射防止膜用塗布処理部７０に搬入する。この反射防止膜用塗布処理部７０では、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、塗布ユニットＢＡＲＣによりフォトレジスト膜の下部に反射防止膜が塗布形成される。

その後、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ１により反射防止膜用塗布処理部７０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、反射防止膜用熱処理部１００，１０１に搬入する。次に、第１のセンターロボットＣＲ１は、ハンドＣＲＨ２により反射防止膜用熱処理部１００，１０１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ３に移載する。

反射防止膜用熱処理部１０１の密着強化剤塗布処理部ＡＨＬにおいては、基板Ｗの表面に密着強化剤であるＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）が供給される。ＨＭＤＳは水分と接触することによりアンモニアを発生する性質を有する。これにより、密着強化剤塗布処理部ＡＨＰで使用されるＨＭＤＳが雰囲気中の水分と接触することでアンモニアが発生し、基板処理装置５００内の雰囲気ガス中のアンモニア濃度が上昇する。本実施の形態では、上記のように、アンモニア濃度の定期的または不定期の測定および窒素ガスによるアンモニアの置換によりアンモニア濃度が低減される。

基板載置部ＰＡＳＳ３に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ３により受け取られる。第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ３により基板Ｗをレジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ４によりレジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、レジスト膜用塗布処理部８０に搬入する。このレジスト膜用塗布処理部８０では、塗布ユニットＲＥＳにより反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にフォトレジスト膜が塗布形成される。

その後、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ３によりレジスト膜用塗布処理部８０から塗布処理済みの基板Ｗを取り出し、レジスト膜用熱処理部１１０，１１１に搬入する。次に、第２のセンターロボットＣＲ２は、ハンドＣＲＨ４によりレジスト膜用熱処理部１１０，１１１から熱処理済みの基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ５に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ５に移載された基板Ｗは、現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ５により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ５により基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ７に移載する。基板載置部ＰＡＳＳ７に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ７により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ７により基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。このエッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗの周縁部に露光処理が施される。

次に、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ８によりエッジ露光部ＥＥＷからエッジ露光処理済みの基板Ｗを取り出す。その後、第４のセンターロボットは、ハンドＣＲＨ７により現像用熱処理部１２１のクーリングプレートＣＰから冷却後の基板Ｗを受け取るとともに、ハンドＣＲＨ８により上記のエッジ露光処理済みの基板Ｗを現像用熱処理部１２１のクーリングプレートＣＰに搬入する。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ７により、上記の冷却後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ９に移載された基板Ｗは、インターフェース用搬送機構ＩＦＲにより露光装置１４に搬入される。露光装置１４において基板Ｗに露光処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを乾燥処理ユニットＤＲＹに搬送する。乾燥処理ユニットＤＲＹにおいて基板Ｗに洗浄および乾燥処理が施された後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載する。なお、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの詳細については後述する。

基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載された基板Ｗは、インターフェースブロック１３の第４のセンターロボットＣＲ４のハンドＣＲＨ８により受け取られる。第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ８により基板Ｗを乾燥／現像処理ブロック１２の現像用熱処理部１２１に搬入する。現像用熱処理部１２１においては、基板Ｗに対して熱処理が行われる。その後、第４のセンターロボットＣＲ４は、ハンドＣＲＨ８により現像用熱処理部１２１から基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ８に移載する。

基板載置部ＰＡＳＳ８に移載された基板Ｗは、乾燥／現像処理ブロック１２の第３のセンターロボットＣＲ３のハンドＣＲＨ６により受け取られる。第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ６により基板Ｗを現像処理部９０に搬入する。現像処理部９０においては、露光された基板Ｗに対して現像処理が施される。

その後、第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ５により現像処理部９０から現像処理済みの基板Ｗを取り出し、現像用熱処理部１２０に搬入する。

次に、第３のセンターロボットＣＲ３は、ハンドＣＲＨ６により現像用熱処理部１２０から熱処理後の基板Ｗを取り出し、レジスト膜用処理ブロック１１に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ６に移載する。

なお、故障等により現像処理部９０において一時的に基板Ｗの現像処理ができないときは、現像用熱処理部１２１において基板Ｗに熱処理を施した後、インターフェースブロック１３の戻りバッファ部ＲＢＦ１に基板Ｗを一時的に収納保管することができる。

基板載置部ＰＡＳＳ６に移載された基板Ｗは、レジスト膜用処理ブロック１１の第２のセンターロボットＣＲ２のハンドＣＲＨ４により基板載置部ＰＡＳＳ４に移載される。基板載置部ＰＡＳＳ４に移載された基板Ｗは反射防止膜用処理ブロック１０の第１のセンターロボットＣＲ１のハンドＣＲＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ２に移載される。

基板載置部ＰＡＳＳ２に移載された基板Ｗは、インデクサブロック９のインデクサロボットＩＲによりキャリアＣ内に収納される。これにより、基板処理装置における基板Ｗの各処理が終了する。

（４）本実施の形態の効果
本実施の形態においては、基板処理装置５００内の各部に測定ポートが設けられ、各部の雰囲気ガス中のアンモニア濃度が定期的または不定期に測定される。アンモニア濃度がしきい値以上となった空間には窒素ガスが供給される。これにより、基板処理装置５００内のアンモニア濃度が常に一定の値より低くなるように調整される。その結果、基板処理装置５００内の雰囲気ガス中のアンモニア濃度の上昇が抑制され、基板上の露光パターンの微細化が実現される。

また、反射防止膜用処理ブロック１０の各塗布ユニットＢＡＲＣの上部、レジスト膜用処理ブロック１１の各塗布ユニットＲＥＳの上部、乾燥／現像処理ブロック１２の各現像処理ユニットＤＥＶの上部、各乾燥処理ユニットＤＲＹの上部、およびインターフェースブロック１３の各エッジ露光部ＥＥＷの上部には、送風機３１１およびケミカルフィルタ３１２が設けられる。

この場合、上方から供給されるダウンフローが上下に積層配置された各処理ユニット内を上方から下方へ順次通過する。その際に、上方からのダウンフローは各処理ユニットの上部に設けられたケミカルフィルタ３１２を通して各処理ユニット内に供給される。これにより、上方の処理ユニット内においてアンモニアが発生した場合でも、下方の処理ユニットにはアンモニア濃度が低減された清浄な空気のダウンフローが供給される。

また、反射防止膜用処理ブロック１０の搬送エリア１０２の上方、レジスト膜用処理ブロック１１の搬送エリア１１２の上方、乾燥／現像処理ブロック１２の搬送エリア１２２の上方、およびインターフェースブロック１３の搬送エリア１３２の上方には、送風機３０１およびケミカルフィルタ３０２が設けられる。

この場合、上方からのダウンフローがケミカルフィルタ３０２を通して基板処理装置５００内の搬送エリア１０２，１１２，１２２，１３２に供給される。これにより、基板処理装置５００の外部においてアンモニアが発生した場合でも、アンモニア濃度が低減された清浄な空気のダウンフローが基板処理装置５００内の搬送エリア１０２，１１２，１２２，１３２に供給される。

これらの結果、基板処理装置５００内の雰囲気ガス中のアンモニア濃度の上昇が抑制され、基板上の露光パターンの微細化が実現される。

（５）乾燥処理ユニット
ここで、上記の乾燥処理ユニットＤＲＹについて図面を用いて詳細に説明する。

（５−１）乾燥処理ユニットの構成
まず、乾燥処理ユニットＤＲＹの構成について説明する。図８は乾燥処理ユニットＤＲＹの構成を説明するための図である。

図８に示すように、乾燥処理ユニットＤＲＹは、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるためのスピンチャック６２１を備える。

スピンチャック６２１は、チャック回転駆動機構６３６によって回転される回転軸６２５の上端に固定されている。また、スピンチャック６２１には吸気路（図示せず）が形成されており、スピンチャック６２１上に基板Ｗを載置した状態で吸気路内を排気することにより、基板Ｗの下面をスピンチャック６２１に真空吸着し、基板Ｗを水平姿勢で保持することができる。

スピンチャック６２１の外方には、第１の回動モータ６６０が設けられている。第１の回動モータ６６０には、第１の回動軸６６１が接続されている。また、第１の回動軸６６１には、第１のアーム６６２が水平方向に延びるように連結され、第１のアーム６６２の先端に洗浄処理用ノズル６５０が設けられている。

第１の回動モータ６６０により第１の回動軸６６１が回転するとともに第１のアーム６６２が回動し、洗浄処理用ノズル６５０がスピンチャック６２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第１の回動モータ６６０、第１の回動軸６６１および第１のアーム６６２の内部を通るように洗浄処理用供給管６６３が設けられている。洗浄処理用供給管６６３は、バルブＶａおよびバルブＶｂを介して洗浄液供給源Ｒ１およびリンス液供給源Ｒ２に接続されている。このバルブＶａ，Ｖｂの開閉を制御することにより、洗浄処理用供給管に供給する処理液の選択および供給量の調整を行うことができる。図８の構成においては、バルブＶａを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３に洗浄液を供給することができ、バルブＶｂを開くことにより、洗浄処理用供給管６６３にリンス液を供給することができる。

洗浄処理用ノズル６５０には、洗浄液またはリンス液が、洗浄処理用供給管６６３を通して洗浄液供給源Ｒ１またはリンス液供給源Ｒ２から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給することができる。洗浄液としては、例えば、純水、純水に錯体（イオン化したもの）を溶かした液またはフッ素系薬液などが用いられる。リンス液としては、例えば、純水、炭酸水、水素水、電解イオン水およびＨＦＥ（ハイドロフルオロエーテル）のいずれかが用いられる。

スピンチャック６２１の外方には、第２の回動モータ６７１が設けられている。第２の回動モータ６７１には、第２の回動軸６７２が接続されている。また、第２の回動軸６７２には、第２のアーム６７３が水平方向に延びるように連結され、第２のアーム６７３の先端に乾燥処理用ノズル６７０が設けられている。

第２の回動モータ６７１により第２の回動軸６７２が回転するとともに第２のアーム６７３が回動し、乾燥処理用ノズル６７０がスピンチャック２１により保持された基板Ｗの上方に移動する。

第２の回動モータ６７１、第２の回動軸６７２および第２のアーム６７３の内部を通るように乾燥処理用供給管６７４が設けられている。乾燥処理用供給管６７４は、バルブＶｃを介して不活性ガス供給源Ｒ３に接続されている。このバルブＶｃの開閉を制御することにより、乾燥処理用供給管６７４に供給する不活性ガスの供給量を調整することができる。

乾燥処理用ノズル６７０には、不活性ガスが、乾燥処理用供給管６７４を通して不活性ガス供給源Ｒ３から供給される。それにより、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給することができる。不活性ガスとしては、例えば、窒素ガス（Ｎ₂ ）が用いられる。

基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は基板の上方に位置し、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、洗浄処理用ノズル６５０は所定の位置に退避される。

また、基板Ｗの表面へ洗浄液またはリンス液を供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は所定の位置に退避され、基板Ｗの表面へ不活性ガスを供給する際には、乾燥処理用ノズル６７０は基板Ｗの上方に位置する。

スピンチャック６２１に保持された基板Ｗは、処理カップ６２３内に収容される。処理カップ６２３の内側には、筒状の仕切壁６３３が設けられている。また、スピンチャック６２１の周囲を取り囲むように、基板Ｗの処理に用いられた処理液（洗浄液またはリンス液）を排液するための排液空間６３１が形成されている。さらに、排液空間６３１を取り囲むように、処理カップ６２３と仕切壁６３３の間に基板Ｗの処理に用いられた処理液を回収するための回収液空間６３２が形成されている。

排液空間６３１には、排液処理装置（図示せず）へ処理液を導くための排液管６３４が接続され、回収液空間６３２には、回収処理装置（図示せず）へ処理液を導くための回収管６３５が接続されている。

処理カップ６２３の上方には、基板Ｗからの処理液が外方へ飛散することを防止するためのガード６２４が設けられている。このガード６２４は、回転軸６２５に対して回転対称な形状からなっている。ガード６２４の上端部の内面には、断面く字状の排液案内溝６４１が環状に形成されている。

また、ガード６２４の下端部の内面には、外側下方に傾斜する傾斜面からなる回収液案内部６４２が形成されている。回収液案内部６４２の上端付近には、処理カップ６２３の仕切壁６３３を受け入れるための仕切壁収納溝６４３が形成されている。

このガード６２４には、ボールねじ機構等で構成されたガード昇降駆動機構（図示せず）が設けられている。ガード昇降駆動機構は、ガード６２４を、回収液案内部６４２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する回収位置と、排液案内溝６４１がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの外周端面に対向する排液位置との間で上下動させる。ガード６２４が回収位置（図８に示すガードの位置）にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が回収液案内部６４２により回収液空間６３２に導かれ、回収管６３５を通して回収される。一方、ガード６２４が排液位置にある場合には、基板Ｗから外方へ飛散した処理液が排液案内溝６４１により排液空間６３１に導かれ、排液管６３４を通して排液される。以上の構成により、処理液の排液および回収が行われる。

（５−２）乾燥処理ユニットの動作
次に、上記の構成を有する乾燥処理ユニットＤＲＹの処理動作について説明する。なお、以下に説明する乾燥処理ユニットＤＲＹの各構成要素の動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。

まず、基板Ｗの搬入時には、ガード６２４が下降するとともに、図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗをスピンチャック６２１上に載置する。スピンチャック６２１上に載置された基板Ｗは、スピンチャック６２１により吸着保持される。

次に、ガード６２４が上述した廃液位置まで移動するとともに、洗浄処理用ノズル６５０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、回転軸６２５が回転し、この回転にともないスピンチャック６２１に保持されている基板Ｗが回転する。その後、洗浄処理用ノズル６５０から洗浄液が基板Ｗの上面に吐出される。これにより、基板Ｗの洗浄が行われる。なお、基板Ｗ上への洗浄液の供給は、２流体ノズルを用いたソフトスプレー方式により行ってもよい。

所定時間経過後、洗浄液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０からリンス液が吐出される。これにより、基板Ｗ上の洗浄液が洗い流される。

さらに所定時間経過後、回転軸６２５の回転速度が低下する。これにより、基板Ｗの回転によって振り切られるリンス液の量が減少し、図９（ａ）に示すように、基板Ｗの表面全体にリンス液の液層Ｌが形成される。なお、回転軸６２５の回転を停止させて基板Ｗの表面全体に液層Ｌを形成してもよい。

本実施の形態においては、洗浄液処理用ノズル６５０から洗浄液およびリンス液のいずれをも供給できるように、洗浄液の供給およびリンス液の供給に洗浄液処理用ノズル６５０を共用する構成を採用しているが、洗浄液供給用のノズルとリンス液供給用のノズルとを別々に分けた構成を採用してもよい。

また、リンス液を供給する場合には、リンス液が基板Ｗの裏面に回り込まないように、基板Ｗの裏面に対して図示しないバックリンス用ノズルから純水を供給してもよい。

なお、基板Ｗを洗浄する洗浄液に純水を用いる場合には、リンス液の供給を行う必要はない。

次に、リンス液の供給が停止され、洗浄処理用ノズル６５０が所定の位置に退避するとともに乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図９（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。

次に、回転軸６２５（図８参照）の回転数が上昇するとともに、図９（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル６７０が基板Ｗの中心部上方から周縁部上方へと徐々に移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗの表面全体に不活性ガスを吹き付けることができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。その結果、基板Ｗを確実に乾燥させることができる。

次に、不活性ガスの供給が停止され、乾燥処理ノズル６７０が所定の位置に退避するとともに回転軸６２５の回転が停止する。その後、ガード６２４が下降するとともに図１のインターフェース用搬送機構ＩＦＲが基板Ｗを乾燥処理ユニットＤＲＹから搬出する。これにより、乾燥処理ユニットＤＲＹにおける処理動作が終了する。

なお、洗浄および乾燥処理中におけるガード６２４の位置は、処理液の回収または廃液の必要性に応じて適宜変更することが好ましい。

（５−３）乾燥処理ユニットの他の例
また、図８に示した乾燥処理ユニットＤＲＹにおいては、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とが別個に設けられているが、図１０に示すように、洗浄処理用ノズル６５０と乾燥処理用ノズル６７０とを一体に設けてもよい。この場合、基板Ｗの洗浄処理時または乾燥処理時に洗浄処理用ノズル６５０および乾燥処理用ノズル６７０をそれぞれ別々に移動させる必要がないので、駆動機構を単純化することができる。

また、乾燥処理用ノズル６７０の代わりに、図１１に示すような乾燥処理用ノズル７７０を用いてもよい。

図１１の乾燥処理用ノズル７７０は、鉛直下方に延びるとともに側面から斜め下方に延びる分岐管７７１，７７２を有する。乾燥処理用ノズル７７０の下端および分岐管７７１，７７２の下端には不活性ガスを吐出するガス吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃが形成されている。各吐出口７７０ａ，７７０ｂ，７７０ｃからは、それぞれ図１１の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル７７０においては、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。

ここで、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合には、洗浄／乾燥処理ユニットＳＤは以下に説明する動作により基板Ｗの乾燥処理を行う。

図１２は、乾燥処理用ノズル７７０を用いた場合の基板Ｗの乾燥処理方法を説明するための図である。

まず、図１０で説明した方法により基板Ｗの表面に液層Ｌが形成された後、図１２（ａ）に示すように、乾燥処理用ノズル７７０が基板Ｗの中心部上方に移動する。その後、乾燥処理用ノズル７７０から不活性ガスが吐出される。これにより、図１２（ｂ）に示すように、基板Ｗの中心部のリンス液が基板Ｗの周縁部に移動し、基板Ｗの周縁部のみに液層Ｌが存在する状態になる。なお、このとき、乾燥処理用ノズル７７０は、基板Ｗの中心部に存在するリンス液を確実に移動させることができるように基板Ｗの表面に近接させておく。

次に、回転軸６２５（図８参照）の回転数が上昇するとともに、図１２（ｃ）に示すように乾燥処理用ノズル７７０が上方へ移動する。これにより、基板Ｗ上の液層Ｌに大きな遠心力が作用するとともに、基板Ｗ上の不活性ガスが吹き付けられる範囲が拡大する。その結果、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。なお、乾燥処理用ノズル７７０は、図８の第２の回動軸６７２に設けられた回動軸昇降機構（図示せず）により第２の回動軸６７２を上下に昇降させることにより上下に移動させることができる。

また、乾燥処理用ノズル７７０の代わりに、図１３に示すような乾燥処理用ノズル８７０を用いてもよい。図１３の乾燥処理用ノズル８７０は、下方に向かって徐々に直径が拡大する吐出口８７０ａを有する。この吐出口８７０ａからは、図１３の矢印で示すように鉛直下方および斜め下方に不活性ガスが吐出される。つまり、乾燥処理用ノズル８７０においても、図１１の乾燥処理用ノズル７７０と同様に、下方に向かって吹き付け範囲が拡大するように不活性ガスが吐出される。したがって、乾燥処理用ノズル８７０を用いる場合も、乾燥処理用ノズル７７０を用いる場合と同様の方法により基板Ｗの乾燥処理を行うことができる。

また、図８に示す乾燥処理ユニットＤＲＹの代わりに、図１４に示すような乾燥処理ユニットＤＲＹａを用いてもよい。

図１４に示す乾燥処理ユニットＤＲＹａが図８に示す乾燥処理ユニットＤＲＹと異なるのは以下の点である。

図１４の乾燥処理ユニットＤＲＹａにおいては、スピンチャック６２１の上方に、中心部に開口を有する円板状の遮断板６８２が設けられている。アーム６８８の先端付近から鉛直下方向に支持軸６８９が設けられ、その支持軸６８９の下端に、遮断板６８２がスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に対向するように取り付けられている。

支持軸６８９の内部には、遮断板６８２の開口に連通したガス供給路６９０が挿通されている。ガス供給路６９０には、例えば、窒素ガス（Ｎ₂）が供給される。

アーム６８８には、遮断板昇降駆動機構６９７および遮断板回転駆動機構６９８が接続されている。遮断板昇降駆動機構６９７は、遮断板６８２をスピンチャック６２１に保持された基板Ｗの上面に近接した位置とスピンチャック６２１から上方に離れた位置との間で上下動させる。

図１４の乾燥処理ユニットＤＲＹａにおいては、基板Ｗの乾燥処理時に、図１５に示すように、遮断板６８２を基板Ｗに近接させた状態で、基板Ｗと遮断板６８２との間の隙間に対してガス供給路６９０から不活性ガスを供給する。この場合、基板Ｗの中心部から周縁部へと効率良く不活性ガスを供給することができるので、基板Ｗ上の液層Ｌを確実に取り除くことができる。

また、上記実施の形態においては、乾燥処理ユニットＤＲＹにおいてスピン乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施すが、減圧乾燥方法、エアーナイフ乾燥方法等の他の乾燥方法により基板Ｗに乾燥処理を施してもよい。

また、上記実施の形態においては、リンス液の液層Ｌが形成された状態で、乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給するようにしているが、リンス液の液層Ｌを形成しない場合あるいはリンス液を用いない場合には洗浄液の液層を基板Ｗを回転させて一旦振り切った後で、即座に乾燥処理用ノズル６７０から不活性ガスを供給して基板Ｗを完全に乾燥させるようにしてもよい。

（５−４）乾燥処理ユニットの効果
上記のように、本実施の形態に係る基板処理装置５００においては、露光装置１４において基板Ｗに露光処理が施された後、乾燥処理ユニットＤＲＹにおいて基板Ｗに乾燥処理が施される。この場合、露光処理時に基板Ｗに付着した液体は、乾燥処理ユニットＤＲＹにおいて取り除かれる。それにより、基板Ｗが乾燥処理ユニットＤＲＹからインターフェースブロック１３、乾燥／現像処理ブロック１２、レジスト膜用処理ブロック１１、反射防止膜用処理ブロック１０およびインデクサブロック９へと搬送される際に、基板処理装置５００内に液体が落下することが防止される。その結果、基板処理装置５００の動作不良が防止される。

また、乾燥処理ユニットＤＲＹにおいては、基板Ｗを回転させつつ不活性ガスを基板Ｗの中心部から周縁部へと吹き付けることにより基板Ｗの乾燥処理を行っている。この場合、基板Ｗ上の洗浄液およびリンス液を確実に取り除くことができるので、洗浄後の基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着することを確実に防止することができる。それにより、基板Ｗの汚染を確実に防止することができるとともに、基板Ｗの表面に乾燥しみが発生することを防止することができる。

また、洗浄後の基板Ｗに洗浄液およびリンス液が残留することが確実に防止されるので、乾燥処理ユニットＤＲＹから現像処理部９０へ基板Ｗが搬送される間に、レジストの成分が洗浄液およびリンス液に溶出することを確実に防止することができる。それにより、レジスト膜に形成された露光パターンの変形を防止することができる。その結果、現像処理時における線幅精度の低下を確実に防止することができる。

また、乾燥処理ユニットＤＲＹにおいては、基板Ｗの乾燥処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われている。この場合、露光時に液体が付着した基板Ｗが露光装置１４から乾燥処理ユニットＤＲＹへ搬送される間に、その基板Ｗに雰囲気中の塵埃等が付着しても、その付着物を確実に取り除くことができる。

これらの結果、基板Ｗの処理不良を確実に防止することができる。

（６）インターフェース用搬送機構
次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲについて説明する。図１６はインターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成および動作を説明するための図である。

（６−１）インターフェース用搬送機構の構成および動作
まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの構成について説明する。図１６に示すように、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの可動台２１は螺軸２２に螺合される。螺軸２２は、Ｘ方向に延びるように支持台２３によって回転可能に支持される。螺軸２２の一端部にはモータＭ１が設けられ、このモータＭ１により螺軸２２が回転し、可動台２１が±Ｘ方向に水平移動する。

また、可動台２１にはハンド支持台２４が±θ方向に回転可能でかつ±Ｚ方向に昇降可能に搭載される。ハンド支持台２４は、回転軸２５を介して可動台２１内のモータＭ２に連結しており、このモータＭ２によりハンド支持台２４が回転する。ハンド支持台２４には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２個のハンドＨ５，Ｈ６が進退可能に上下に設けられる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作について説明する。インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作は、図１のメインコントローラ３０により制御される。

まず、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、図１６の位置Ａにおいてハンド支持台２４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、上側のハンドＨ５を基板載置部ＰＡＳＳ９に進入させる。基板載置部ＰＡＳＳ９においてハンドＨ５が基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ５を基板載置部ＰＡＳＳ９から後退させ、ハンド支持台２４を−Ｚ方向に下降させる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは−Ｘ方向に移動し、位置Ｂにおいてハンド支持台２４を回転させるとともにハンドＨ５を露光装置１４の基板搬入部１４ａ（図１参照）に進入させる。基板Ｗを基板搬入部１４ａに搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ５を基板搬入部１４ａから後退させる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは下側のハンドＨ６を露光装置１４の基板搬出部１４ｂ（図１参照）に進入させる。基板搬出部１４ｂにおいてハンドＨ６が露光処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ６を基板搬出部１４ｂから後退させる。

その後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは＋Ｘ方向に移動し、位置Ａにおいてハンド支持台２４を回転させるとともに＋Ｚ方向に上昇させ、２個のうちの一つの乾燥処理ユニットＤＲＹにハンドＨ６を進入させる。乾燥処理ユニットＤＲＹに基板Ｗを搬入した後、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ６を乾燥処理ユニットＤＲＹから後退させる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンド支持台２４を±Ｚ方向に上昇または下降させ、２個のうちの他の乾燥処理ユニットＤＲＹにハンドＨ５を進入させる。乾燥処理ユニットＤＲＹにおいてハンドＨ５が乾燥処理後の基板Ｗを受け取ると、インターフェース用搬送機構ＩＦＲはハンドＨ５を乾燥処理ユニットＤＹＲから後退させる。

次に、インターフェース用搬送機構ＩＦＲは、ハンド支持台２４を回転させるとともに±Ｚ方向に上昇または下降させ、ハンドＨ５を基板載置部ＰＡＳＳ１０に進入させ、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１０に移載する。

なお、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４へと搬送する際に、露光装置１４が基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板ＷはバッファＳＢＦに一時的に収納保管される。

また、基板Ｗを露光装置１４から乾燥処理ユニットＤＲＹへと搬送する際に、乾燥処理ユニットＤＲＹが基板Ｗの受け入れをできない場合は、基板Ｗは戻りバッファ部ＲＢＦ２に収納保管される。

（６−２）インターフェース用搬送機構の効果
上記のように、本実施の形態においては、基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４へと搬送する際および乾燥処理ユニットＤＲＹから基板載置部ＰＡＳＳ１０へと搬送する際にはインターフェース用搬送機構ＩＦＲのハンドＨ５を用い、基板Ｗを露光装置１４から乾燥処理ユニットＤＲＹへと搬送する際にはハンドＨ６を用いる。すなわち、露光処理直後の液体が付着した基板Ｗの搬送にはハンドＨ６が用いられ、液体の付着していない基板Ｗの搬送にはハンドＨ５が用いられる。それにより、ハンドＨ５に基板Ｗの液体が付着することがない。

また、ハンドＨ６はハンドＨ５の下方に設けられているので、ハンドＨ６およびそれが保持する基板Ｗから液体が落下したとしても、ハンドＨ５およびそれが保持する基板Ｗに液体が付着することがない。

これらの結果、乾燥処理後の基板Ｗに液体が付着することが確実に防止されるので、液体の基板処理装置内への落下による基板処理装置の動作不良をより確実に防止することができる。

（７）変形例
なお、本実施の形態においては、１台のインターフェース用搬送機構ＩＦＲによって、基板載置部ＰＡＳＳ９から露光装置１４への搬送、露光装置１４から乾燥処理ユニットＤＲＹへの搬送および乾燥処理ユニットＤＲＹから基板載置部ＰＡＳＳ１０への搬送を行っているが、複数のインターフェース用搬送機構ＩＦＲを用いて基板Ｗの搬送を行ってもよい。

また、乾燥処理ユニットＤＲＹの数も２個に限定されず、各処理ブロックの処理速度に応じて適宜変更してもよい。

また、露光装置１４の基板搬入部１４ａおよび基板搬出部１４ｂの位置に応じて、インターフェース用搬送機構ＩＦＲの動作および構成を変更してもよい。例えば、露光装置１４の基板搬入部１４ａおよび基板搬出部１４ｂが乾燥処理部９５に対向する位置にある場合は、図１６の螺軸２２を設けなくてもよい。

また、レジスト膜用処理ブロック１１と現像／乾燥処理ブロック１２との間に、基板Ｗ上のレジスト膜上にレジストカバー膜を形成するユニットを備えたレジストカバー膜用処理ブロックがさらに設けられてもよい。

この場合、レジスト膜用処理ブロック１１の塗布ユニットＲＥＳにより基板Ｗ上にレジスト膜が形成された後であって、露光装置１４において露光処理が行われる前に、レジストカバー膜用処理ブロックにおいて、基板Ｗ上のレジスト膜上にレジストカバー膜が形成される。これにより、露光装置１４において基板Ｗが液体と接触しても、レジストカバー膜によってレジスト膜が液体と接触することが防止されるので、レジストの成分が液体中に溶出することが防止される。

レジストカバー膜用処理ブロックには、送風機、ケミカルフィルタ、測定ポートおよび窒素ガス供給管が設けられてもよい。この場合、レジストカバー膜用処理ブロック内においてアンモニア濃度の定期的または不定期の測定および窒素ガスによるアンモニアの置換によりアンモニア濃度が低減される。また、レジストカバー膜を形成する各ユニットに送風機、ケミカルフィルタ、測定ポートおよび窒素ガス供給管が設けられてもよい。この場合、レジストカバー膜を形成する各ユニット内においてアンモニア濃度の定期的または不定期の測定および窒素ガスによるアンモニアの置換によりアンモニア濃度が低減される。

また、レジストカバー膜用処理ブロックが設けられる場合において、レジストカバー膜を除去するユニットを備えるレジストカバー膜除去ブロックがさらに設けられてもよい。この場合、露光装置１４において露光処理が行われた後であって、現像／乾燥処理ブロック１２において現像処理が行われる前に、レジストカバー膜除去ブロックにおいてレジストカバー膜が除去される。これにより、現像処理前にレジストカバー膜が確実に除去されるので、現像処理を確実に行うことができる。

レジストカバー膜除去ブロックには、送風機、ケミカルフィルタ、測定ポートおよび窒素ガス供給管が設けられてもよい。この場合、レジストカバー膜除去ブロック内においてアンモニア濃度の定期的または不定期の測定および窒素ガスによるアンモニアの置換によりアンモニア濃度が低減される。また、レジストカバー膜を除去する各ユニットに送風機、ケミカルフィルタ、測定ポートおよび窒素ガス供給管が設けられてもよい。この場合、レジストカバー膜を除去する各ユニット内においてアンモニア濃度の定期的または不定期の測定および窒素ガスによるアンモニアの置換によりアンモニア濃度が低減される。

また、本実施の形態に係る基板処理装置５００は、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理を行ってもよい。この場合、例えば現像／乾燥処理ブロック１２の乾燥処理部ユニットＤＲＹにより露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理を行う。それにより、露光処理前の基板Ｗに付着した塵埃等を取り除くことができる。その結果、露光装置１４内の汚染を防止することができる。

また、レジスト膜の形成後であって露光装置１４において基板Ｗに露光処理が行われる前に、現像／乾燥処理ブロック１２の乾燥処理部ユニットＤＲＹにより基板Ｗの洗浄処理が行われる。このとき、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の成分の一部が洗浄液中に溶出する。それにより、露光装置１４において基板Ｗが液体と接触しても、レジスト膜の成分が液体中に溶出することを防止することができる。

また、レジスト膜上にレジストカバー膜が形成される場合であって、露光処理前に基板Ｗの洗浄処理が行われる場合においては、レジストカバー膜の成分の一部が洗浄液中に溶出することにより、露光装置１４においてレジストカバー膜の成分が液体中に溶出することを防止することができる。

（８）請求項の各構成要素と実施の形態の各部との対応
上記実施の形態においては、反射防止膜用処理ブロック１０、レジスト膜用処理ブロック１１、乾燥／現像処理ブロック１２、レジストカバー膜用処理ブロックおよびレジストカバー膜除去ブロックが処理部に相当し、インターフェースブロック１３が受け渡し部に相当し、外部ポート１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，５０Ａ，７０Ａ，８０Ａ，９０Ａ，９５Ａが気体取り出し部に相当し、塗布ユニットＲＥＳが感光膜形成ユニットに相当し、レジスト膜用処理ブロック１１が第１の処理単位に相当し、乾燥処理ユニットＤＲＹが乾燥処理ユニットに相当し、第３のセンターロボットＣＲ３が搬送手段に相当し、搬送エリア１２２が搬送領域に相当し、乾燥／現像処理ブロック１２が第２および第３の処理単位に相当し、測定ポート１２ａ，９０ａ，９５ａおよび配管２２１，２２２，２２３が第１および第４のガス導出系に相当する。

また、窒素ガス供給口９０ｂ，９５ｂが第１および第４の不活性ガス供給手段に相当し、送風機３０１，３１１およびケミカルフィルタ３０２，３１２が第１および第２の雰囲気ガス供給手段に相当し、ケミカルフィルタ３０２，３１２が第１および第２の除去手段に相当し、送風機３０１，３１１が第１および第２の送気手段に相当し、測定ポート１３ａ，５０ａおよび配管２３１，２３２が第２のガス導出系に相当し、窒素ガス供給口１３ｂ，５０ｂが第２の不活性ガス供給手段に相当する。

また、測定ポート１１ａ，８０ａおよび配管２１１，２１２が第３のガス導出系に相当し、窒素ガス供給口１１ｂ，８０ｂが第３の不活性ガス供給手段に相当し、現像処理ユニットＤＥＶが現像処理ユニットに相当し、レジストカバー膜を形成するユニットが保護膜形成ユニットに相当し、レジストカバー膜用処理ブロックが第４の処理単位に相当し、レジストカバー膜用処理ブロックに設けられる測定ポートが第５のガス導出系に相当し、レジストカバー膜用処理ブロックに設けられる窒素ガス供給口が第５の不活性ガス供給手段に相当する。

また、レジストカバー膜を除去するユニットが保護膜除去ユニットに相当し、レジストカバー膜除去ブロックが第５の処理単位に相当し、レジストカバー膜除去ブロックに設けられる測定ポートが第６のガス導出系に相当し、レジストカバー膜除去ブロックに設けられる窒素ガス供給口が第６の不活性ガス供給手段に相当し、塗布ユニットＢＡＲＣが反射防止膜形成ユニットに相当し、反射防止膜用処理ブロック１０が第６の処理単位に相当し、測定ポート１０ａ，７０ａおよび配管２０１，２０２が第７のガス導出系に相当し、窒素ガス供給口１０ｂ，７０ｂが第７の不活性ガス供給手段に相当し、濃度分析器４００が測定手段に相当し、メインコントローラ３０が制御手段に相当する。

本発明は、種々の基板の処理等に利用することができる。

図１は、本発明の第１の実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置を＋Ｘ方向から見た側面図である。 図１の基板処理装置を−Ｘ方向から見た側面図である。 図１〜図３の乾燥／現像処理ブロックをＹ方向から見た側面図である。 濃度分析器の構成の一例を示すブロック図である。 濃度分析器の構成の他の例を示すブロック図である。 メインコントローラによる窒素ガス供給処理の一例を示すフローチャートである。 乾燥処理ユニットの構成を説明するための図である。 乾燥処理ユニットの動作を説明するための図である。 洗浄処理用ノズルと乾燥処理用ノズルとが一体に設けられた場合の模式図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 図１１の乾燥処理用ノズルを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 乾燥処理用ノズルの他の例を示す模式図である。 乾燥処理ユニットの他の例を示す模式図である。 図１４の洗浄処理ユニットを用いた場合の基板の乾燥処理方法を説明するための図である。 インターフェース用搬送機構の構成および動作を説明するための図である。

符号の説明

１０ 反射防止膜用処理ブロック
１１ レジスト膜用処理ブロック
１２ 乾燥／現像処理ブロック
１３ インターフェースブロック
１４ 露光装置
１０ａ，１１ａ，１２ａ，１３ａ，５０ａ，７０ａ，８０ａ，９０ａ，９５ａ 測定ポート
１０ｂ，１１ｂ，１２ｂ，１３ｂ，５０ｂ，７０ｂ，８０ｂ，９０ｂ，９５ｂ 窒素ガス供給口
１０Ａ，１１Ａ，１２Ａ，１３Ａ，５０Ａ，７０Ａ，８０Ａ，９０Ａ，９５Ａ 外部ポート
１０２，１１２，１２２，１３２ 搬送エリア
２０１，２０２，２１１，２１２，２２１，２２２，２２３，２３１，２３２，３１４ 配管
３０１，３１１ 送風機
３０２，３１２ ケミカルフィルタ
ＢＡＲＣ，ＲＥＳ 塗布ユニット
ＣＲ１ 第１のセンターロボット
ＣＲ２ 第２のセンターロボット
ＣＲ３ 第３のセンターロボット
ＣＲ４ 第４のセンターロボット
ＥＥＷ エッジ露光部
ＤＥＶ 現像処理ユニット
ＤＲＹ，ＤＲＹａ 乾燥処理ユニット
ＩＲ インデクサロボット
ＩＦＲ インターフェース用搬送機構
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
Ｗ 基板

Claims (29)

1. 露光装置に隣接するように配置される基板処理装置であって、
   基板に処理を行うための処理部と、
   前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うための受け渡し部と、
   雰囲気ガスを外部に取り出すための気体取り出し部とを備え、
   前記処理部は、
   基板に感光性材料からなる感光性膜を形成する感光性膜形成ユニットを含む第１の処理単位と、
   前記露光装置による露光処理後に基板の乾燥を行う乾燥処理ユニット、および基板を搬送する搬送手段が設けられる搬送領域を含む第２の処理単位と、
   前記第２の処理単位内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導く第１のガス導出系とを含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１のガス導出系は、前記乾燥処理ユニット内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導くことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１のガス導出系は、前記搬送領域内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導くことを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記処理部は、前記第２の処理単位内に不活性ガスを供給する第１の不活性ガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の基板処理装置。
5. 前記第１の不活性ガス供給手段は、前記乾燥処理ユニット内に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項４記載の基板処理装置。
6. 前記第１の不活性ガス供給手段は、前記搬送領域内に不活性ガスを供給することを特徴とする請求項４または５記載の基板処理装置。
7. 前記第２の処理単位は、前記第２の処理単位内に清浄な雰囲気ガスを供給する第１の雰囲気ガス供給手段をさらに含み、
   前記第１の雰囲気ガス供給手段は、雰囲気ガス中の所定の物質を除去する第１の除去手段と、前記第１の除去手段を通して前記第２の処理単位内に雰囲気ガスを送る第１の送気手段とを含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板処理装置。
8. 前記第１の雰囲気ガス供給手段は、前記乾燥処理ユニットに設けられることを特徴とする請求項７記載の基板処理装置。
9. 前記第１の雰囲気ガス供給手段は、前記搬送領域に設けられることを特徴とする請求項７または８記載の基板処理装置。
10. 前記受け渡し部は、
    前記受け渡し部内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導く第２のガス導出系を含むことを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の基板処理装置。
11. 前記受け渡し部は、前記受け渡し部内に不活性ガスを供給する第２の不活性ガス供給手段を含むことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載の基板処理装置。
12. 前記受け渡し部は、前記前記受け渡し部内に清浄な雰囲気ガスを供給する第２の雰囲気ガス供給手段をさらに含み、
    前記第２の雰囲気ガス供給手段は、雰囲気ガス中の所定の物質を除去する第２の除去手段と、前記第２の除去手段を通して前記受け渡し部内に雰囲気ガスを送る第２の送気手段とを含むことを特徴とする請求項１〜１１のいずれかに記載の基板処理装置。
13. 前記処理部は、前記第１の処理単位内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導く第３のガス導出系をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１２のいずれかに記載の基板処理装置。
14. 前記処理部は、前記第１の処理単位内に不活性ガスを供給する第３の不活性ガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１３のいずれかに記載の基板処理装置。
15. 前記処理部は、基板の現像処理を行う現像処理ユニットを含む第３の処理単位をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１４のいずれかに記載の基板処理装置。
16. 前記処理部は、前記第３の処理単位内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導く第４のガス導出系をさらに含むことを特徴とする請求項１５記載の基板処理装置。
17. 前記処理部は、前記第３の処理単位内に不活性ガスを供給する第４の不活性ガス供給手段を含むことを特徴とする請求項１５または１６記載の基板処理装置。
18. 前記第２の処理単位は、前記第３の処理単位と共通であることを特徴とする請求項１５〜１７のいずれかに記載の基板処理装置。
19. 前記処理部は、前記感光性膜を保護する保護膜を形成する保護膜形成ユニットを含む第４の処理単位をさらに含むことを特徴とする請求項１〜１８のいずれかに記載の基板処理装置。
20. 前記処理部は、前記第４の処理単位内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導く第５のガス導出系をさらに含むことを特徴とする請求項１９記載の基板処理装置。
21. 前記処理部は、前記第４の処理単位内に不活性ガスを供給する第５の不活性ガス供給手段を含むことを特徴とする請求項１９または２０記載の基板処理装置。
22. 前記処理部は、前記露光装置による露光処理後であって前記現像処理ユニットによる基板の現像処理前に前記保護膜を除去する保護膜除去ユニットを含む第５の処理単位をさらに含むことを特徴とする請求項１９〜２１のいずれかに記載の基板処理装置。
23. 前記処理部は、前記第５の処理単位内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導く第６のガス導出系をさらに含むことを特徴とする請求項２２記載の基板処理装置。
24. 前記処理部は、前記第５の処理単位に不活性ガスを供給する第６の不活性ガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項２２または２３記載の基板処理装置。
25. 前記処理部は、前記感光性膜形成ユニットによる感光性膜の形成前に基板に反射防止膜を形成する反射防止膜形成ユニットを含む第６の処理単位をさらに含むことを特徴とする請求項１〜２４のいずれかに記載の基板処理装置。
26. 前記処理部は、前記第６の処理単位内の雰囲気ガスを前記気体取り出し部に導く第７のガス導出系をさらに含むことを特徴とする請求項２５記載の基板処理装置。
27. 前記処理部は、前記第６の処理単位内に不活性ガスを供給する第７の不活性ガス供給手段をさらに含むことを特徴とする請求項２５または２６記載の基板処理装置。
28. 前記気体取り出し部において取り出された雰囲気ガス中の特定成分の濃度を測定する測定手段をさらに備えることを特徴とする請求項１〜２７のいずれかに記載の基板処理装置。
29. 前記測定手段により得られた測定値を取得するとともに、測定値に基づいて不活性ガスの供給により雰囲気ガス中の特定成分の濃度を制御する制御手段をさらに備えることを特徴とする請求項２８記載の基板処理装置。

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