JP6553388B2 - 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法 - Google Patents

基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6553388B2
JP6553388B2 JP2015072182A JP2015072182A JP6553388B2 JP 6553388 B2 JP6553388 B2 JP 6553388B2 JP 2015072182 A JP2015072182 A JP 2015072182A JP 2015072182 A JP2015072182 A JP 2015072182A JP 6553388 B2 JP6553388 B2 JP 6553388B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
wall
transport mechanism
transfer
gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2015072182A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2016192507A (ja
Inventor
丈二 ▲桑▼原
丈二 ▲桑▼原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Screen Holdings Co Ltd
Original Assignee
Screen Holdings Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Screen Holdings Co Ltd filed Critical Screen Holdings Co Ltd
Priority to JP2015072182A priority Critical patent/JP6553388B2/ja
Priority to US15/077,310 priority patent/US10134609B2/en
Priority to TW105109834A priority patent/TWI618899B/zh
Priority to KR1020160038366A priority patent/KR101849839B1/ko
Publication of JP2016192507A publication Critical patent/JP2016192507A/ja
Priority to US16/157,345 priority patent/US10727087B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6553388B2 publication Critical patent/JP6553388B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67715Changing the direction of the conveying path
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/6773Conveying cassettes, containers or carriers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67766Mechanical parts of transfer devices
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67769Storage means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67763Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
    • H01L21/67778Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H01L2021/60007Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process
    • H01L2021/60022Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation involving a soldering or an alloying process using bump connectors, e.g. for flip chip mounting
    • H01L2021/60097Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process
    • H01L2021/60172Applying energy, e.g. for the soldering or alloying process using static pressure
    • H01L2021/60187Isostatic pressure, e.g. degassing using vacuum or pressurised liquid
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S414/00Material or article handling
    • Y10S414/135Associated with semiconductor wafer handling
    • Y10S414/139Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber

Description

本発明は、半導体ウエハ、フォトマスク用のガラス基板、液晶表示装置用のガラス基板、光ディスク用の基板など(以下、単に「基板」と称する)を搬送する基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法に関する。
特許文献1は、上下動可能な複数の搬送装置と、搬送装置の上方に設けられるファンフィルタユニットと、搬送装置の下方に設けられる排気ファンと、排気ファンを制御する制御部を備えている。複数の搬送装置が同時に下方向に移動するとき、気流の乱れが生じる。この際、制御部は排気ファンの排気量を大きくし、清浄エアーのダウンフローを強める。強いダウンフローが、気流の乱れを吸収する。これにより、パーティクルが処理ユニットに進入することを防ぐ。
特許文献2は、搬送室と、上下動可能な搬送機構と、搬送室に気体を供給するための給気ファンおよび給気バルブと、搬送室から気体を排出するための排気ファンおよび排気バルブと、給気ファン、給気バルブ、排気ファンおよび排気バルブを制御し、搬送室内のダウンフローの流速を調整する制御部と、を備えている。搬送機構が基板を下降搬送するとき、制御部は搬送機構の下降速度よりもダウンフローの流速を大きくする。ダウンフローは基板の下降速度よりも速いので、基板が下降しているときであっても基板の表面にダウンフローが供給され、基板の表面にパーティクルが付着することを防ぐ。
特開2000−195805号公報 特開2009−076805号公報
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。
従来例でも、パーティクルの浮遊を十分に抑制できない場合がある。
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、パーティクルの浮遊をさらに抑制できる基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法を提供することを目的とする。
本発明者は、搬送室の中央部よりも搬送室の端部においてパーティクルが浮遊し易いことを知見した。また、本発明者は、搬送室の端部に配置される搬送口を通じて、パーティクルが外部に流出し易いことを知見した。搬送口は、基板が搬送室の内外にわたって移動するためのものであり、搬送口を通じて基板を収容する基板収容器、基板を処理する処理ユニット、または、他の搬送室などに接続されている。基板収容器にパーティクルが流入すると、基板収容器は基板を適切に保護することが困難となる。また、処理ユニット/他の搬送室にパーティクルが侵入すると、処理ユニット/他の搬送室は基板を品質良く処理したり、搬送することが困難となる。
本発明は、このような知見に基づいて鋭意検討することによって得られたものであり、次のような構成をとる。
すなわち、本発明は、基板搬送装置であって、所定方向に平行移動可能に設けられ、基板を搬送する搬送機構と、前記搬送機構を収容する搬送室と、を備え、前記搬送室は、前記搬送機構の前記所定方向の一方側に設けられる第1壁と、前記搬送室の外部との間で基板が移動するための複数の搬送口と、を備え、前記基板搬送装置は、前記搬送口のいずれよりも前記第1壁に近い位置に配置され、前記搬送室の気体を前記搬送室の外部に排出する第1排気部と、前記搬送機構と前記第1排気部を制御する制御部と、を備え、前記制御部は、前記第1壁からの距離が所定値以下である第1近位エリアにおいて前記搬送機構が前記第1壁に向かって移動するときには、前記搬送機構が前記第1近位エリアの外において前記第1壁に向かって移動するときよりも、前記第1排気部の気体排出量を大きくさせる基板搬送装置である。
[作用・効果]第1排気部は、搬送口のいずれよりも第1壁に近い位置に配置されているので、搬送機構が第1壁に向かって押した気体を搬送室の外部に逃がすことができる。制御部は、搬送機構が第1近位エリアにおいて第1壁に向かって移動するときには、第1排気部の気体排出量を比較的に大きくする。これにより、効率的に気体を搬送室の外部に逃がすことができるので、搬送機構と第1壁との間の領域から押し出され、搬送室内を環流する気体の速度を好適に緩和できる。その結果、パーティクルの浮遊を好適に抑制できる。また、第1壁に最も近い搬送口であっても、高速の気流に晒されることを防止でき、搬送口を通じてパーティクルが搬送室から流出することを防止できる。
他方、搬送機構が第1近位エリアの外において第1壁に向かって移動するときには、第1排気部の気体排出量を比較的に小さくする。これにより、パーティクルの浮遊を抑制しつつ、第1排気部の消費エネルギーを効果的に低減できる。
本発明において、前記搬送機構が前記第1近位エリアにおいて前記第1壁に向かって移動するとき、前記第1排気部は、少なくとも前記搬送機構が押す量の気体を排出することが好ましい。搬送機構が第1壁に向かって押した気体のほぼ全部を、第1排気部が搬送室の外部に逃がす。これにより、パーティクルの浮遊を一層抑制できる。
本発明において、前記第1排気部は、前記第1壁に設けられており、かつ、前記複数の搬送口よりも低い位置に配置されていることが好ましい。第1排気部が第1壁に設けられているので、搬送機構が第1壁に向かって押した気体を好適に排出できる。また、第1排気部が複数の搬送口のいずれよりも低い位置に配置されているので、複数の搬送口より下方のパーティクルを吸い込むことなく、複数の搬送口を清浄な雰囲気に維持した状態で、搬送機構と第1壁との間の領域の気体を適切に排出することができる。
本発明において、前記第1近位エリアは、前記第1壁に最も近い前記搬送口に対して基板を搬送するときの前記搬送機構を含み、かつ、前記第1壁に最も近い前記搬送口以外の前記搬送口に対して基板を搬送するときの前記搬送機構を含まないように、規定されていることが好ましい。パーティクルの浮遊を効果的に抑制しつつ、第1排気部の消費エネルギーを効果的に低減できる。
本発明において、前記制御部は、前記搬送機構が前記第1近位エリアにおいて前記第1壁に向かって移動するときにも前記搬送室を陽圧にさせることが好ましい。搬送機構が第1近位エリアにおいて第1壁に向かって移動するときにも、第1排気部の気体排気量は、搬送室が陽圧に保たれる程度に制御される。よって、搬送室の外部から清浄度の低い気体が搬送室に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を一層抑制できる。
本発明において、前記搬送室に気体を供給する給気部を備え、前記制御部は、前記給気部を制御し、前記制御部は、前記搬送機構が前記第1近位エリアにおいて前記第1壁に向かって移動するときにも前記第1排気部の気体排出量を前記給気部の気体供給量よりも小さくさせることが好ましい。これにより、搬送室を陽圧に保つことができ、搬送室の外部から清浄度の低い気体が搬送室に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を一層抑制できる。
本発明において、前記搬送室は、前記搬送機構の前記所定方向の他方側に設けられる第2壁を備え、前記基板搬送装置は、前記搬送口のいずれよりも前記第2壁に近い位置に配置され、前記搬送室内の気体を前記搬送室の外部に排出する第2排気部を備え、前記制御部は、前記第2排気部を制御し、前記制御部は、前記第2壁からの距離が所定値以下である前記第2近位エリアにおいて前記搬送機構が前記第2壁に向かって移動するときには、前記搬送機構が前記第2近位エリアの外において前記第2壁に向かって移動するときよりも、前記第2排気部の気体排出量を大きくさせることが好ましい。搬送機構が第2近位エリアにおいて第2壁に向かって移動するときには、パーティクルの浮遊を好適に抑制できる。また、搬送機構が第2近位エリアの外において第2壁に向かって移動するときには、パーティクルの浮遊を抑制しつつ、第2排気部の消費エネルギーを効果的に低減できる。
本発明において、前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するとき、前記第2排気部は、少なくとも前記搬送機構が押す量の気体を排出することが好ましい。パーティクルの浮遊を一層抑制できる。
本発明において、前記第2排気部は、前記第2壁に設けられており、かつ、前記複数の搬送口よりも低い位置に配置されていることが好ましい。第2排気部が第2壁に設けられているので、搬送機構が第2壁に向かって押した気体を好適に排出できる。また、第2排気部がいずれの搬送口よりも低い位置に配置されているので、第2排気部は搬送口の下方のパーティクルを、搬送口と同等以上の高さまで巻き上げない。よって、複数の搬送口を清浄な雰囲気に維持できる。
本発明において、前記第2近位エリアは、前記第2壁に最も近い前記搬送口に基板を搬送するときの前記搬送機構を含み、かつ、前記第2壁に最も近い前記搬送口以外の前記搬送口に対して基板を搬送するときの前記搬送機構を含まないように、設定されていることが好ましい。パーティクルの浮遊を抑制しつつ、第2排気部の消費エネルギーを効果的に低減できる。
本発明において、前記制御部は、前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するときにも前記搬送室を陽圧にさせることが好ましい。搬送機構が第2近位エリアにおいて第2壁に向かって移動するときにも、第2排気部の気体排気量は、搬送室が陽圧に保たれる程度に制御される。よって、搬送室の外部から清浄度の低い気体が搬送室に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を一層抑制できる。
本発明において、前記搬送室に気体を供給する給気部を備え、前記制御部は、前記給気部を制御し、前記制御部は、前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するときにも前記第1排気部の気体排出量と前記第2排気部の気体排出量との和を前記給気部の気体供給量よりも小さくさせることが好ましい。これによれば、搬送室を陽圧にさせることができ、搬送室の外部から清浄度の低い気体が搬送室に侵入することを抑制できる。
本発明において、前記制御部は、前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するときにも前記第2排気部の気体排出量を前記給気部の気体供給量よりも小さくさせることが好ましい。これにより、搬送室を陽圧に保つことができ、搬送室の外部から清浄度の低い気体が搬送室に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を一層抑制できる。
本発明において、前記制御部は、前記搬送機構が前記第1壁に向かって移動するときには前記第2排気部の気体排出量を一定に保ち、かつ、前記給気部の気体供給量を一定に保つことが好ましい。第2排気部および給気部の消費エネルギーを抑制できる。
本発明において、前記所定方向は水平方向であることが好ましい。これによれば、水平方向に平行移動する搬送機構を備えた基板搬送装置を好適に実現できる。
本発明において、前記所定方向は鉛直方向であることが好ましい。これによれば、鉛直方向に平行移動する搬送機構を備えた基板搬送装置を好適に実現できる。
本発明において、前記搬送室は、複数の基板を収容する基板収容器を載置する載置台に隣接して設けられ、前記搬送機構は、前記搬送口を通じて、前記載置台に載置された前記基板収容器に基板を搬送することが好ましい。この基板搬送装置は、基板収容器にパーティクルを流出させることなく、基板収容器に対して基板を搬入、搬出することができる。
また、本発明は、上述の基板搬送装置と、基板に処理を行う処理ユニットと、を備えた基板処理装置である。
[作用・効果]本発明に係る基板処理装置によれば、パーティクルから基板を好適に保護できる。
また、本発明は、複数の搬送口が形成された搬送室内において搬送機構が前記搬送室の第1壁に向かって平行移動する基板搬送方法であって、前記第1壁からの距離が所定値以下である第1近位エリアにおいて前記搬送機構が前記第1壁に向かって移動する第1近位接近工程と、前記搬送機構が前記第1近位エリアの外において前記第1壁に向かって移動する第1遠位接近工程と、を備え、前記第1近位接近工程および前記第1遠位近接工程では、前記搬送口のいずれよりも前記第1壁に近い位置に配置される第1排気部が前記搬送室の気体を排出し、前記第1近位接近工程では、前記第1遠位接近工程に比べて、前記第1排気部の気体排出量が大きい基板搬送方法である。
[作用・効果]第1近位接近工程では気体排出量が比較的に高いので、搬送機構と第1壁との間の領域から押し出される気体の速度を緩和できる。また、第1排気部は、搬送口のいずれよりも前記第1壁に近い位置に配置されているので、第1壁に最も近い搬送口の周囲においても、パーティクルが浮遊することを好適に抑制できる。
また、第1遠位近接工程では、気体排出量が比較的に低いので、パーティクルが浮遊することを抑制しつつ、第1排気部の消費エネルギーを効果的に低減できる。
この発明に係る基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法によれば、パーティクルが浮遊することを効果的に抑制できる。
実施例に係る基板搬送装置および基板処理装置を示す平面図である。 基板搬送装置の内部を処理部から見た図である。 載置台および基板搬送装置の側面図である。 基板搬送装置の制御ブロック図である。 第1排気ファンおよび第2排気ファンの気体排出量と給気ファンの気体供給量を説明する図である。 第1近位エリアおよび第2近位エリアを示す図である。 搬送機構の移動と気体の流れとの関係を示す模式図である。 図8(a)は、比較例において領域から押し出される気体の速度を例示する図であり、図8(b)は、本実施例において領域から押し出される気体の速度を例示する図である。 変形実施例に係る基板搬送装置の示す図である。 第1排気ファンの気体排出量と給気ファンの気体供給量を説明する図である。
図1は、実施例に係る基板搬送装置および基板処理装置を示す平面図である。各図において、「X」、「Y」は互いに直交する水平方向を示し、「Z」は鉛直方向を示す。
基板処理装置1は、インデクサ部(以下、「ID部」と呼ぶ)3と処理部5とを備える。ID部3と処理部5は互いに隣接している。
ID部3は、載置台11と基板搬送装置13とを備える。載置台11は、複数のカセットCを水平方向Xに並ぶように載置する。各カセットCは、複数の基板(例えば、半導体ウエハ)Wを収容する。基板搬送装置13は、載置台11に載置されたカセットCに対して基板Wを搬送する。基板搬送装置13は、搬送室15と搬送機構17とを備えている。搬送室15は、載置台11に隣接して設けられている。搬送機構17は、搬送室15の内部に収容されている。搬送機構17は、水平方向X(以下、「所定方向X」と呼ぶ)に平行移動可能である。基板搬送室15と処理部5との間には、基板Wを載置する載置部19が設けられている。搬送機構17は、載置台11に載置される各カセットCと載置部19にアクセス可能である。カセットCは、本発明における基板収容器の例である。
処理部5は、搬送室21と複数の処理ユニット23を備えている。搬送室21には、基板Wを搬送する搬送機構22が設けられている。搬送機構22は、載置部19と各処理ユニット23にアクセス可能である。各処理ユニット23は基板Wに処理を行う。基板Wに行う処理は、例えば、洗浄処理、レジスト塗布処理、現像処理などの液処理であってもよいし、加熱処理や冷却処理などの熱処理であってもよい。
図1に加えて図2、図3を参照する。図2は、基板搬送装置13の内部を処理部5から見た図である。図3は、載置台および基板搬送装置の側面図である。
搬送室15は、第1壁31と第2壁32と天井部33とを備える。第1壁31は、搬送機構17の所定方向Xの一方側(以下、「一側方」という)X(+)に設けられている。第2壁32は、搬送機構17の所定方向Xの他方側(以下、「他側方」という)X(−)に設けられている。天井部35は、搬送機構15の上方Z(+)に設けられている。
第1壁31には、第1排気ファン41が設けられている。第2壁31には、第2排気ファン42が設けられている。第1排気ファン41および第2排気ファン42はそれぞれ、搬送室15の気体を搬送室15の外部に排出する。 第1排気ファン41は、本発明における第1排気部の例である。第2排気ファン42は、本発明における第2排気部の例である。
天井部33には、給気ファン43が設けられている。給気ファン43は、搬送室15に清浄な気体を供給する。図2では、給気ファン43が供給した気体の流れFを模式的に示す。給気ファン43は、本発明における給気部の例である。
搬送室15は、さらに、前壁34と後壁35と底部36とを備える。前壁34は、載置台11と搬送機構17との間に設けられている。前壁34には、搬送室15の外部(すなわち、カセットC)との間で基板が移動するための複数の搬送口A1、A2、A3、A4が形成されている。後壁35は、搬送機構17と搬送機構22との間に設けられている。後壁35には、搬送室15の外部(すなわち、他の搬送室21)との間で基板が移動するための搬送口A5が形成されている。載置部19は、この搬送口A5に配置されている。床部36は、搬送機構17の下方に設けられている。床部36には、搬送機構17を所定方向Xに案内するためのレール37が設置されている。
搬送機構17は、ベース部45とフレーム46と昇降テーブル47とリンク機構48と保持アーム49とを備えている。ベース部45は、レール37上に摺動可能に設けられている。ベース部45は、フレーム46を搭載している。フレーム46は、所定方向Xと直交し、ベース部45から上方Z(+)に延びる平面(すなわち、Y−Z平面)を有する。フレーム46は、昇降テーブル47を上下動可能に支持する。昇降テーブル47は、リンク機構48の基端部を鉛直軸回りに回転可能に支持する。リンク機構48は水平方向に屈伸可能である。リンク機構48の先端部には保持アーム49が取り付けられている。保持アーム49は、1枚の基板Wを保持する。
ベース部45がレール37上を移動することにより、搬送機構17は所定方向Xに平行移動する。すなわち、ベース部45、フレーム46、昇降テーブル47、リンク機構48および保持アーム49が、所定方向Xに一体に平行移動する。これにより、搬送機構17は、各搬送口A1−A5に対して基板Wを搬送する位置に移動する。図2では、搬送口A1に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を示す。このとき、昇降テーブル47が昇降し、リンク機構48が回転および屈伸することによって、保持アーム49は搬送口A1を通じてカセットCにアクセスする。
ここで、第1排気ファン41と第2排気ファン42の配置について説明する。第1排気ファン41は、複数の搬送口A1、A2、A3、A4よりも低い位置に配置されている。より詳しくは、第1排気ファン41は、各搬送口A1−A4の下端の高さH(図2参照)よりも低い位置に配置されている。なおかつ、第1排気ファン41は、搬送口A5よりも低い位置に配置されている。同様に、第2排気ファン42も、搬送口A1−A5のいずれの下端よりも低い位置に配置されている。
さらに、本実施例では、第1排気ファン41は、搬送機構17と所定方向Xに向かい合う位置に配置されている。より詳しく言えば、第1排気ファン41は、ベース部45、フレーム46、昇降テーブル47、リンク機構48および保持アーム49の少なくともいずれかと向かい合う。言い換えれば、搬送機構17を所定方向Xに第1壁31に投影した範囲Gに第1排気ファン41が配置されている。なお、範囲Gは、ベース部45、フレーム46、昇降テーブル47、リンク機構48および保持アーム49の全部が第1壁31に投影される範囲である。同様に、第2排気ファン42も、搬送機構17と向かい合う位置に配置されている。
図4を参照する。図4は、基板搬送装置13の制御ブロック図である。基板搬送装置13は、制御部50を備えている。制御部50は、上述した搬送機構17、第1排気ファン41、第2排気ファン42および給気ファン43を制御する。制御部47は、各種処理を実行する中央演算処理装置(CPU)や、演算処理の作業領域となるRAM(Random-Access Memory)や、予め設定されている搬送レシピや処理レシピなど各種情報を記憶する固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。搬送レシピは、搬送機構17の動作手順を規定する。
次に、実施例1に係る基板処理装置1の動作例を簡単に説明する。搬送機構17は、カセットCから一枚の基板Wを搬出し、載置部19に載置する。搬送機構22は載置部19に載置された基板Wを処理ユニット23に搬送する。処理ユニット23は基板Wに処理を施す。搬送機構22は、処理ユニット23から基板Wを搬出し、載置部19に載置する。搬送機構17は、載置部19に載置された基板WをカセットCに搬入する。これにより、基板Wに所定の処理が行われる。
実施例1の基板搬送装置13の動作例を説明する。制御部50は、搬送機構17の位置および進行方向に基づいて、第1、第2排気ファン41、42の各気体排出量(流量)と給気ファン43の気体供給量(流量)を制御する。
図5は、第1排気ファン41および第2排気ファン42の気体排出量と給気ファン43の気体供給量を説明する図である。搬送機構17の位置および進行方向は、図5に示す通り、モードM1−M9に分類される。
搬送機構17の位置は、搬送機構17が第1近位エリアD1にあるか否か、および、第2近位エリアD2にあるか否か、によって分類される。第1近位エリアD1および第2近位エリアD2は、搬送室15の内部領域であり、予め定義されている。具体的には、第1近位エリアD1は、第1壁31からの所定方向Xにおける距離が所定値以下である領域と規定され、第2近位エリアD2は、第2壁32からの所定方向Xにおける距離が所定値以下である領域と規定されている。
第1近位エリアD1を規定する所定値と第2近位エリアD2を規定する所定値とは、同じであってもよいし、異なってもよい。また、第1近位エリアD1および第2近位エリアD2の両方に含まれる領域が存在してもよいし、存在しなくてもよい。ただし、第1近位エリアD1および第2近位エリアD2はともに、搬送機構17の可動域の一部のみを含み、全部を含まない。
第1近位エリアD1および第2近位エリアD2と対比する際、搬送機構17の全体を基準にとってもよいし、特定の部位を基準にとってもよい。前者の場合、例えば、第1近位エリアD1に搬送機構17の全体が含まれるか、によって搬送機構17の位置が分類される。後者の場合、例えば、第1近位エリアD1にフレーム46が含まれるか、および、第2近位エリアD2に昇降テーブル47が含まれるか、によって搬送機構17の位置が分類されてもよい。
図6は、本実施例における第1近位エリアD1および第2近位エリアD2を示す図である。図6では、搬送口A1−A5に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17(A1)、17(A1)−17(A5)をそれぞれ点線で示す。図示するように、第1近位エリアD1は、第1壁31に最も近い搬送口A1に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含み、搬送口A1以外の搬送口A2−A5に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含まないように、規定されている。第2近位エリアD2は、第2壁32に最も近い搬送口A4に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含み、搬送口A4以外の搬送口A1−A3、A5に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含まないように、規定されている。搬送口A2、A3、A5に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17は、第1近位エリアD1および第2近位エリアD2のいずれにも含まれない。
したがって、本実施例では、搬送機構17の位置は、以下の3つに分類される。
・第1エリアD1
・第2エリアD2
・第1エリアD1の外、かつ、第2エリアD2の外
搬送機構17の進行方向は、一側方X(+)、他側方X(ー)、および、静止の3つに分類される。一側方X(+)は第1壁31に向かう方向であり、他側方X(ー)は第2壁32に向かう方向である。
したがって、本実施例では、図5に示すように、搬送機構17の位置および進行方向は、9つのモードM1−M9に分類される。
制御部50は、モードM1、M2、M4−M9のときに第1排気ファン41の気体排出量を低流量Q1Lに調整し、モードM3のときに第1排気ファン41の気体排出量を低流量Q1Lよりも大きな高流量Q1Hに調整する。制御部50は、モードM1−M6、M8、M9のときに第2排気ファン42の気体排出量を低流量Q2Lに調整し、モードM7のときに第2排気ファン42の気体排出量を低流量Q2Lよりも大きな高流量Q2Hに調整する。制御部50は、全てのモードM1−M9のときに給気ファン43の気体供給量を流量Q3に調整する。
制御部50が上述した制御を行うことにより、基板搬送装置13は、例えば、次のように動作する。搬送機構17が一側方X(+)に移動する場合、搬送機構17が第1近位エリアD1の外にあるときには第1排気ファン41は低流量Q1Lで気体を排出し(モードM1、M2)、搬送機構17が第1近位エリアD1に入ると第1排気ファン41は高流量Q1Hで気体を排出し始める(モードM3)。そして、搬送機構17が第1近位エリアD1において停止すると、第1排気ファン41の気体排出量は再び低流量Q1Lに戻る(モードM4)。この一連の動作中、第2排気ファン42は低流量Q2Lで気体を排出し、給気ファン43は気体供給量Q3で気体を供給する。モードM1、M2は、本発明における第1遠位接近工程の例である。モードM3は、本発明における第1近位接近工程の例である。
搬送機構17が他側方X(ー)に移動する場合、搬送機構17が第2近位エリアD2の外にあるときには第2排気ファン42は低流量Q2Lで気体を排出し(モードM5、M6)、搬送機構17が第2近位エリアD2に入ると第2排気ファン42は高流量Q2Hで気体を排出し始める(モードM7)。そして、搬送機構17が第2近位エリアD2において停止すると、第2排気ファン42の気体排出量は再び低流量Q2Lに戻る(モードM8)。この一連の動作中、第1排気ファン41は低流量Q1Lで気体を排出し、給気ファン43は気体供給量Q3で気体を供給する。モードM5、M6は、本発明における第2遠位接近工程の例である。モードM7は、本発明における第2近位接近工程の例である。
このように、本実施例では、搬送機構17が第1近位エリアD1において第1壁31に向かって移動するときには、搬送機構17が第1近位エリアD1の外において第1壁31に向かって移動するときよりも、第1排気ファン41の気体排出量を大きくさせる。このため、搬送室15においてパーティクルが浮遊することを防止できる。この効果について、図を参照して、詳しく説明する。
図7は、搬送機構17の移動と気体の流れとの関係を示す模式図である。図7では、搬送機構17(すなわち、ベース部45、フレーム46、昇降テーブル47、リンク機構48および保持アーム49)を簡略な1つの図形によって模式的に示す。
搬送機構17が位置Paから位置Pbに一側方X(+)に移動するとき、搬送機構17は搬送室15内の気体を押す。より詳しく言えば、搬送機構17が一側方X(+)に平行移動するとき、ベース部45、フレーム46、昇降テーブル47、リンク機構48および保持アーム49がそれぞれ、一側方X(+)に平行移動し、搬送室15内の気体を押す。搬送機構17が押した気体の体積Vは、搬送機構17を所定方向Xに第1壁31上に投影した範囲Gの面積と、搬送機構17の移動距離ΔLとの積に相当する。上述したとおり、範囲Gは、ベース部45、フレーム46、昇降テーブル47、リンク機構48および保持アーム49が第1壁31に投影される範囲である。
搬送機構17が押した気体の一部は、第1壁31(より厳密には、第1壁31の範囲G)に設けられている第1排気ファン41によって搬送室15の外部に排出され、その他の気体は搬送機構17と第1壁31との間の領域Rから押し出され、搬送室15内を環流する。なお、領域Gは、搬送機構17と範囲Gとによって囲まれる、所定方向Xに延びた領域である。図7では、第1排気ファン41が排出する気体の流れFaと、領域Rから押し出される気体の流れFbを模式的に示す。図示するように、気体の流れFbは、領域Rから全方向に放出される。
搬送機構17が第1壁31に近いほど領域Rの表面積が小さくなる。領域Rから押し出される気体の量が同じであるならば、モードM1、M2のときに領域Rから押し出される気体の速度に比べて、モードM3のときに領域Rから押し出される気体の速度の方が高い。ただし、本実施例では、第1排気ファン41の気体排出量は、モードM1、M2に比べてモードM3のときの方が大きいので、領域Rから押し出される気体の量は、モードM1、M2に比べてモードM3のときの方が少ない。その結果、モードM3のときに領域Rから押し出される気体の速度が上昇することを緩和できる。
図8(a)は、比較例において領域Rから押し出される気体の速度を例示する図であり、図8(b)は、本実施例において領域Rから押し出される気体の速度を例示する図である。図8(a)、8(b)の横軸は時間であり、時間が経過するに従ってモードM2、M3、M4に移行する。
図8(a)に示すように、比較例は、モードM3のときであっても、第1排気ファン41の気体排出量を低流量Q1Lに保つ。このような比較例では、領域Rから押し出される気体の速度がモードM3のときに著しく増大する。
図8(b)に示すように、本実施例は、モードM3のときに気体排出量を増大させる。このため、本実施例によれば、比較例に比べて、モードM3のときに領域Rから押し出される気体の速度を低減できる。
このように、本実施例によれば、領域Rから押し出される気体の速度を効果的に抑制できるので、搬送室15において乱流や渦流が生じることを防止できる。その結果、搬送室15においてパーティクルが巻き上がることを防止できる。
同様に、本実施例では、搬送機構17が第2近位エリアD2において第2壁32に向かって移動するときには、搬送機構17が第2近位エリアD2の外において第2壁32に向かって移動するときよりも、第2排気ファン42の気体排出量を大きくさせる。このため、搬送室15においてパーティクルが浮遊することを防止できる。
搬送機構17が第1近位エリアD1において第1壁31に向かって移動するとき、第1排気ファン41は、少なくとも搬送機構17が押す量の気体を排出することが好ましい。言い換えれば、高流量Q1Hは、モードM3のときに搬送機構17が単位時間当たりに押す気体の量以上であることが好ましい。これによれば、モードM3のとき、搬送機構17が押す気体のほぼ全部が搬送室15の外部に排出され、領域Rから押し出される気体の量が実質的に零になる。その結果、領域Rから押し出される気体の速度を十分に低減でき、パーティクルの浮遊を予防できる。
同様に、搬送機構17が第2近位エリアD2において第2壁32に向かって移動するとき、第2排気ファン42は、少なくとも搬送機構17が押す量の気体を排出することが好ましい。パーティクルの浮遊を予防できる。
搬送機構17が第1近位エリアD1において第1壁31に向かって移動するときにも、搬送室15を敢えて陽圧にしてもよい。すなわち、高流量Q1Hは、搬送室15が陽圧に保たれる程度に制御されてもよい。例えば、制御部50は、第1排気ファン41の高流量Q1Hと第2排気ファン42の低流量Q2Lとの和を、給気ファン43の気体供給量Q3より小さくさせてもよい。これによれば、搬送室15の外部から清浄度の低い気体が搬送室15に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を効果的に防止できる。
同様に、搬送機構17が第2近位エリアD2において第2壁32に向かって移動するときにも、搬送室15を敢えて陽圧にしてもよい。これによれば、搬送室15の外部から清浄度の低い気体が搬送室15に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を効果的に防止できる。
さらに、高流量Q1Hは、給気ファン43の気体供給量Q3より小さくてもよい。これによれば、搬送室15を陽圧に確実に保つことができ、搬送室15の外部から清浄度の低い気体が搬送室15に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を一層効果的に防止できる。同様に、高流量Q2Hは、給気ファン43の気体供給量Q3より小さくてもよい。これによれば、搬送室15を陽圧に確実に保つことができ、搬送室15の外部から清浄度の低い気体が搬送室15に侵入することを抑制でき、パーティクルの浮遊を効果的に防止できる。
モードM3以外では第1排気ファン41の気体排出量は低流量Q1Lである。上述したとおり、モードM3に比べてモードM1、M2では領域Rから押し出される気体の速度が低いので、低流量Q1Lであってもパーティクルの浮遊を十分に抑制できる。加えて、第1排気ファン41の消費電力を低減できる。
同様に、モードM7以外では第2排気ファン42の気体排出量は低流量Q2Lであるので、パーティクルの浮遊を十分に抑制しつつ、第2排気ファン42の消費電力を低減できる。
上述したように、大部分のモードMにおいて、第1排気ファン41および第2排気ファン42の気体排出量が比較的に低いので、給気ファン43の気体供給量Q3を低くでき、給気ファン43の消費電力も抑制できる。
搬送機構17が第1近位エリアD1の外において第1壁31に向かって移動するときにも、搬送室15は陽圧であることが好ましい。例えば、制御部50は、第1排気ファン41の低流量Q1Lと第2排気ファン42の低流量Q2Lとの和を、給気ファン43の気体供給量Q3より小さくさせることが好ましい。これにより、搬送室15を陽圧に保つことができ、搬送室15の外部から搬送室15にパーティクルが進入することを防止できる。
同様に、搬送機構17が第2近位エリアD2の外において第2壁32に向かって移動するときにも、搬送室15は陽圧であることが好ましい。これにより、搬送室15の外部から搬送室15にパーティクルが進入することを防止できる。
第1排気ファン41は搬送口A1−A5のいずれよりも第1壁31に近い位置に配置されているので、第1壁31に最も近い搬送口A1であっても、高速の気流に晒されることを防止できる。その結果、搬送口A1の周囲にパーティクルが浮遊することを好適に抑制でき、搬送口A1を通じてパーティクルが搬送室15の外部(例えば、カセットC)に流出することを防止できる。同様に、第2排気ファン42は搬送口A1−A5のいずれよりも第2壁32に近い位置に配置されているので、搬送口A4を通じてパーティクルが搬送室15の外部に流出することを防止できる。
第1排気ファン41は各搬送口A1−A5よりも低い位置に配置されているので、各搬送口A1−A5より下方のパーティクルを吸い込むことなく、各搬送口A1−A5を清浄な雰囲気を維持した状態で、領域Rの気体を効果的に適切に排出できる。これにより、清浄な雰囲気を維持した状態で領域Rから押し出される気体の速度を効果的に抑制できる。同様に、第2排気ファン42は各搬送口A1−A5よりも低い位置に配置されているので、第2排気ファン42が搬送口の下方のパーティクルを、いずれの搬送口A1−A5の下端よりも高い位置まで上昇させない。よって、複数の搬送口A1−A5を清浄な雰囲気に維持できる。
さらに、各搬送口A1−A5は、給気ファン43よりも低く、第1排気ファン41よりも高い位置に配置されているので、給気ファン43が供給した清浄な気体を各搬送口A1−A5の周囲に適切に供給できる。これにより、搬送口A1−A5を清浄な雰囲気に維持できる。同様に、各搬送口A1−A5は、給気ファン43と第2排気ファン42との間の高さ位置に配置されているので、搬送口A1−A5を清浄な雰囲気に維持できる。
第1排気ファン41は搬送機構17と向かい合う位置に配置されているので、第1排気ファン41は領域Rの気体を直接的に排出できる。これにより、領域Rから押し出される気体の速度を効果的に抑制できる。同様に、第2排気ファン42は搬送機構17と向かい合う位置に配置されているので、搬送機構17と第2壁32との間の領域から押し出される気体の速度を効果的に抑制できる。
第1近位エリアD1は、第1壁31に最も近い搬送口A1に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含み、かつ、搬送口A1以外の搬送口A2−A5に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含まないように、規定されている。これにより、パーティクルの浮遊を抑制しつつ、第1排気ファン41の消費電力を効果的に低減できる。同様に、第2近位エリアD2は、第2壁32に最も近い搬送口A4に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含み、かつ、搬送口A4以外の搬送口A1−A3,A5に対して基板Wを搬送するときの搬送機構17を含まないように、規定されている。これにより、パーティクルの浮遊を抑制しつつ、第2排気ファン42の消費電力を効果的に低減できる。
この発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
(1)上述した実施例では、基板搬送装置13は、第2排気ファン42を備えていたが、これに限られない。すなわち、第2排気ファン42を省略してもよい。本変形実施例によっても、パーティクルの浮遊を好適に抑制できる。
(2)上述した実施例では、制御部50は、搬送機構17が第1近位エリアD1において第1壁31に向かう移動を停止する時点で、第1排気ファン41の気体排出量を低流量Q1Lに低下させ始めたが、これに限られない。例えば、制御部50は、搬送機構17が第1近位エリアD1において第1壁31に向かう移動を停止する時点から所定の期間が経過したときに、第1排気ファン41の気体排出量を低下させ始めてもよい。本変形実施例によれば、パーティクルの浮遊を一層確実に抑制できる。
同様に、上述した実施例では、制御部50は、搬送機構17が第2近位エリアD2において第2壁32に向かう移動を停止した時点で、第2排気ファン42の気体排出量を低流量Q2Lに低下させ始めたが、これに限られない。例えば、制御部50は、搬送機構17が第2近位エリアD2において第2壁32に向かう移動を停止した時点から所定の期間が経過したときに、第2排気ファン42の気体排出量を低下させ始めてもよい。本変形実施例によっても、パーティクルの浮遊を一層確実に抑制できる。
(3)上述した実施例において、さらに、制御部50は、搬送機構17が第1近位エリアD1において第1壁31に向かって移動するとき、搬送機構17の位置、速度および加速度の少なくともいずれかに基づいて、第1排気ファン41の高流量Q1Hを増減してもよい。本変形実施例によれば、搬送機構17が領域Rから押す気体の量に応じて高流量Q1Hを調整できるので、パーティクルの浮遊を一層的確に抑制できる。
同様に、制御部50は、搬送機構17が第2近位エリアD2において第2壁32に向かって移動するとき、搬送機構17の位置、速度および加速度の少なくともいずれかに基づいて、第2排気ファン42の高流量Q2Hを増減してもよい。本変形実施例によっても、パーティクルの浮遊を一層的確に抑制できる。
(4)上述した実施例では、第1排気ファン41および第2排気ファン42は搬送機構17と向かい合う位置に配置されていたが、これに限られない。例えば、第1排気ファン41を、範囲Gから外れた位置(例えば、範囲Gの下方の位置)に配置してもよい。第2排気ファン42の配置についても、同様に変更してもよい。本変形実施例によっても、パーティクルの浮遊を好適に抑制できる。
(5)上述した実施例では、第1近位エリアD1等を具体的に例示したが、これに限られない。例えば、次のように第1近位エリアD1を規定してもよい。すなわち、搬送機構17のフレーム部46が第1壁31に最も近い開口A1よりも第1壁31に近いときには、搬送機構17が第1近位エリアD1にあるとみなし、そうでないときには、搬送機構17が第1近位エリアD1の外にあるとみなしてもよい。言い換えれば、第1近位エリアD1を規定する所定値を、第1壁31と第1壁31に最も近い搬送口A1との距離とし、フレーム部46を搬送機構17の位置の基準としてもよい。
にとってもよい。
(6)上述した実施例では、第1排気ファン41は第1壁31に設けられていたが、これに限られない。搬送口A1−A5のいずれよりも第1壁31に近い位置であれば、天井部33、前壁34、後壁35および床部36のいずれに第1排気ファン41を設けてもよい。同様に、第2排気ファン42は第2壁32に設けられていたが、これに限られない。搬送口A1−A5のいずれよりも第2壁32に近い位置であれば、天井部33、前壁34、後壁35および床部36のいずれに第2排気ファン42を設けてもよい。
(7)上述した実施例では、搬送機構17は所定方向Xに平行移動可能であったが、これに限られない。例えば、搬送機構17は、鉛直方向に平行移動可能であってもよい。
図9を参照する。図9は、変形実施例に係る基板搬送装置53の示す図である。以下の説明において、実施例と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。基板搬送装置53は、搬送室55と搬送機構57を備えている。
搬送室55は、天井部63と前壁64と後壁65と床部66とを備えている。天井部63には、給気ファン43が設けられている。前壁64には、搬送口A11が形成されている。搬送口A11には載置部19が配置されている。この搬送口A11を通じて、基板搬送装置53は外部装置(例えば、他の搬送室)と接続されている。後壁65には上下方向に並ぶ複数の処理ユニット23が設けられている。各処理ユニット23はそれぞれ搬送口A12、A13、A14を有する。床部66には第1排気ファン41が設けられている。また、搬送室55には、搬送機構57を鉛直方向Zに案内するレール67が設置されている。床部66は、本発明における第1壁の例である。
搬送機構57は、鉛直方向(以下、「所定方向」という)Zに平行移動可能である。搬送機構57は、昇降テーブル77とリンク機構78と保持アーム79を備えている。昇降テーブル77は レール67上に摺動可能に設けられている。昇降テーブル77は、所定方向Zと直交する下面を有する。昇降テーブル77は、リンク機構78を回転可能に支持する。リンク機構78は保持アーム79を支持する。
昇降テーブル77がレール67上を移動することにより、搬送機構57は所定方向Zに平行移動する。すなわち、昇降テーブル77とリンク機構78と保持アーム79とが一体に所定方向Zに平行移動する。これにより、搬送機構57は、各搬送口A11−A14に対して基板Wを搬送する位置に移動する。
第1近位エリアD1は、床部66からの距離が所定値以下である領域と規定されている。第1近位エリアD1は、搬送口A14に対して基板Wを搬送するときの搬送機構57を含み、搬送口A14以外の搬送口A11−A13に対して基板Wを搬送するときの搬送機構57を含まない。
図10は、第1排気ファン41の気体排出量と給気ファン43の気体供給量を説明する図である。図示するように、搬送機構17の位置および進行方向は、6つのモードM11−M16に分類される。より詳しくは、搬送機構57の位置は、第1近位エリアD1の内と、第1近位エリアD1の外の2つに分類される。搬送機構57の進行方向は、下方Z(−)、上方(+)、静止の3つに分類される。なお、下方Z(−)は、床部66に向かう方向である。
制御部50は、モードM11、M13−M16のときに第1排気ファン41の気体排出量を低流量Q1Lに調整し、モードM12のときに第1排気ファン41の気体排出量を低流量Q1Lよりも大きな高流量Q1Hに調整する。御部50は、全てのモードM11−M16において給気ファン43の気体供給量を流量Q3に維持する。
制御部50が上述した制御を行うことにより、基板搬送装置53は、例えば、次のように動作する。搬送機構57が下方Z(−)に移動する場合、搬送機構57が第1近位エリアD1の外にあるときには第1排気ファン41は低流量Q1Lで気体を排出し(モードM11)、搬送機構57が第1近位エリアD1に入ると第1排気ファン41は高流量Q1Hで気体を排出し始める(モードM12)。そして、搬送機構57が第1近位エリアD1において停止すると、第1排気ファン41の気体排出量は再び低流量Q1Lに戻る(モードM13)。この一連の動作中、給気ファン43は気体供給量Q3で気体を供給する。モードM11は、本発明における第1遠位接近工程の例である。モードM12は、本発明における第1近位接近工程の例である。
搬送機構57が上方向Z(+)に移動する場合、搬送機構57の位置にかかわらず、第1排気ファン41は低流量Q1Lで気体を排出し、給気ファン43は気体供給量Q3で気体を供給する(モードM14、M15)。
このような変形実施例によれば、搬送機構57と床部66との間の領域K(図9参照)から押し出される気体の速度が上昇することを好適に抑制でき、パーティクルの浮遊を効果的に抑制できる。
なお、本変形実施例において、第1排気ファン41の配置を適宜に変更してもよい。すなわち、搬送口A11−A14のいずれよりも低く床部66に近い位置であれば、前壁64および後壁65のいずれに第1排気ファン41を設けてもよい。
(8)上述した実施例において、制御部50は、予め設定されている搬送レシピに基づいて、第1排気ファン41等を制御したが、これに限られない。例えば、基板搬送装置13は、搬送機構17の位置、速度、加速度の少なくともいずれかを検出するセンサを備え、制御部50は、このセンサの検出結果に基づいて、第1排気ファン41、第2排気ファン42、給気ファン43を制御してもよい。
(9)上述した実施例では、基板搬送装置13は、ID部3を構成する要素であったが、これに限られない。例えば、基板搬送装置13を、処理部5を構成する要素に適用してもよい。あるいは、露光機と処理部5の間に設置され、処理部5と露光機との間で基板Wを受け渡すインターフェイス部に、基板搬送装置13を適用してもよい。
(10)上述した各実施例および上記(1)から(9)で説明した各変形実施例については、さらに各構成を他の変形実施例の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。
1 … 基板処理装置
3 … ID部
5 … 処理部
11 … 載置台
13、53 … 基板搬送装置
15、55 … 搬送室
17、57 … 搬送機構
21 … 搬送室
22 … 搬送機構
23 … 処理ユニット
31 … 第1壁
32 … 第2壁
41 … 第1排気ファン(第1排気部)
42 … 第2排気ファン(第2排気部)
43 … 給気ファン(給気部)
50 … 制御部
66 … 床部(第1壁)
A1−A5、A11−A14 … 搬送口
C … カセット(基板収容器)
D1 … 第1近位エリア
D2 … 第2近位エリア
G … 範囲
M1、M2、M11 … モード(第1遠位接近工程)
M3、M12 … モード(第1近位接近工程)
M5、M6、M14 … モード(第2遠位接近工程)
M7、M15 … モード(第2近位接近工程)
R、K … 領域
W … 基板

Claims (19)

  1. 基板搬送装置であって、
    所定方向に平行移動可能に設けられ、基板を搬送する搬送機構と、
    前記搬送機構を収容する搬送室と、
    を備え、
    前記搬送室は、
    前記搬送機構の前記所定方向の一方側に設けられる第1壁と、
    前記搬送機構の前記所定方向の他方側に設けられる第2壁と、
    前記搬送室の外部との間で基板が移動するための複数の搬送口と、
    を備え、
    前記基板搬送装置は、
    前記搬送口のいずれよりも前記第1壁に近い位置に配置され、前記搬送室の気体を前記搬送室の外部に排出する第1排気部と、
    前記搬送機構と前記第1排気部を制御する制御部と、
    を備え、
    前記第1排気部は、排気ファンであり、
    前記制御部は、前記第1壁からの距離が所定値以下である第1近位エリアにおいて前記搬送機構が前記第1壁に向かって移動するときには、前記搬送機構が前記第1近位エリアの外において前記第1壁に向かって移動するときよりも、前記第1排気部の気体排出量を大きくさせ、
    前記搬送機構が静止しているとき、および、前記搬送機構が前記第2壁に向かって移動しているとき、前記第1排気部は、前記搬送室の気体を前記搬送室の外部に排出する
    基板搬送装置。
  2. 請求項1に記載の基板搬送装置において、
    前記搬送機構が前記第1近位エリアにおいて前記第1壁に向かって移動するとき、前記第1排気部は、少なくとも前記搬送機構が押す量の気体を排出する基板搬送装置。
  3. 請求項1または2に記載の基板搬送装置において、
    前記第1排気部は、前記第1壁に設けられており、かつ、前記複数の搬送口よりも低い位置に配置されている基板搬送装置。
  4. 請求項1から3のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記第1近位エリアは、前記第1壁に最も近い前記搬送口に対して基板を搬送するときの前記搬送機構を含み、かつ、前記第1壁に最も近い前記搬送口以外の前記搬送口に対して基板を搬送するときの前記搬送機構を含まないように、規定されている基板搬送装置。
  5. 請求項1から4のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記制御部は、前記搬送機構が前記第1近位エリアにおいて前記第1壁に向かって移動するときにも前記搬送室を陽圧にさせる基板搬送装置。
  6. 請求項5に記載の基板搬送装置において、
    前記搬送室に気体を供給する給気部を備え、
    前記制御部は、前記給気部を制御し、
    前記制御部は、前記搬送機構が前記第1近位エリアにおいて前記第1壁に向かって移動するときにも前記第1排気部の気体排出量を前記給気部の気体供給量よりも小さくさせる基板搬送装置。
  7. 請求項1から4のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記基板搬送装置は、前記搬送口のいずれよりも前記第2壁に近い位置に配置され、前記搬送室内の気体を前記搬送室の外部に排出する第2排気部を備え、
    前記制御部は、前記第2排気部を制御し、
    前記制御部は、前記第2壁からの距離が所定値以下である前記第2近位エリアにおいて前記搬送機構が前記第2壁に向かって移動するときには、前記搬送機構が前記第2近位エリアの外において前記第2壁に向かって移動するときよりも、前記第2排気部の気体排出量を大きくさせる基板搬送装置。
  8. 請求項7に記載の基板搬送装置において、
    前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するとき、前記第2排気部は、少なくとも前記搬送機構が押す量の気体を排出する基板搬送装置。
  9. 請求項7または8に記載の基板搬送装置において、
    前記第2排気部は、前記第2壁に設けられており、かつ、前記複数の搬送口よりも低い位置に配置されている基板搬送装置。
  10. 請求項7から9のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記第2近位エリアは、前記第2壁に最も近い前記搬送口に基板を搬送するときの前記搬送機構を含み、かつ、前記第2壁に最も近い前記搬送口以外の前記搬送口に対して基板を搬送するときの前記搬送機構を含まないように、設定されている基板搬送装置。
  11. 請求項7から10のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記制御部は、前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するときにも前記搬送室を陽圧にさせる基板搬送装置。
  12. 請求項11に記載の基板搬送装置において、
    前記搬送室に気体を供給する給気部を備え、
    前記制御部は、前記給気部を制御し、
    前記制御部は、前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するときにも前記第1排気部の気体排出量と前記第2排気部の気体排出量との和を前記給気部の気体供給量よりも小さくさせる基板搬送装置。
  13. 請求項12に記載の基板搬送装置において、
    前記制御部は、前記搬送機構が前記第2近位エリアにおいて前記第2壁に向かって移動するときにも前記第2排気部の気体排出量を前記給気部の気体供給量よりも小さくさせる基板搬送装置。
  14. 請求項12または13に記載の基板搬送装置において、
    前記制御部は、前記搬送機構が前記第1壁に向かって移動するときには前記第2排気部の気体排出量を一定に保ち、かつ、前記給気部の気体供給量を一定に保つ基板搬送装置。
  15. 請求項1から14のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記所定方向は水平方向である基板搬送装置。
  16. 請求項1から14のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記所定方向は鉛直方向である基板搬送装置。
  17. 請求項1から16のいずれかに記載の基板搬送装置において、
    前記搬送室は、複数の基板を収容する基板収容器を載置する載置台に隣接して設けられ、
    前記搬送機構は、前記搬送口を通じて、前記載置台に載置された前記基板収容器に基板を搬送する基板搬送装置。
  18. 請求項1から17のいずれかに記載の基板搬送装置と、
    基板に処理を行う処理ユニットと、
    を備えた基板処理装置。
  19. 複数の搬送口が形成された搬送室内において搬送機構が前記搬送室の第1壁に向かって平行移動する基板搬送方法であって、
    前記第1壁からの距離が所定値以下である第1近位エリアにおいて前記搬送機構が前記第1壁に向かって移動する第1近位接近工程と、
    前記搬送機構が前記第1近位エリアの外において前記第1壁に向かって移動する第1遠位接近工程と、
    前記搬送機構が前記第1壁から遠ざかるように移動する離反工程と、
    前記搬送機構が静止している静止工程と、
    を備え、
    前記第1近位接近工程および前記第1遠位近接工程では、前記搬送口のいずれよりも前記第1壁に近い位置に配置される第1排気部が前記搬送室の気体を排出し、
    前記第1近位接近工程では、前記第1遠位接近工程に比べて、前記第1排気部の気体排出量が大きく、
    前記第1排気部は、排気ファンであり、
    前記離反工程および前記静止工程では、前記第1排気部は前記搬送室の気体を排出する基板搬送方法。
JP2015072182A 2015-03-31 2015-03-31 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法 Active JP6553388B2 (ja)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015072182A JP6553388B2 (ja) 2015-03-31 2015-03-31 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法
US15/077,310 US10134609B2 (en) 2015-03-31 2016-03-22 Substrate transporting device, substrate treating apparatus, and substrate transporting method
TW105109834A TWI618899B (zh) 2015-03-31 2016-03-29 基板搬送裝置、基板處理裝置及基板搬送方法
KR1020160038366A KR101849839B1 (ko) 2015-03-31 2016-03-30 기판 반송 장치, 기판 처리 장치 및 기판 반송 방법
US16/157,345 US10727087B2 (en) 2015-03-31 2018-10-11 Substrate transporting device, substrate treating apparatus, and substrate transporting method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015072182A JP6553388B2 (ja) 2015-03-31 2015-03-31 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2016192507A JP2016192507A (ja) 2016-11-10
JP6553388B2 true JP6553388B2 (ja) 2019-07-31

Family

ID=57016312

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2015072182A Active JP6553388B2 (ja) 2015-03-31 2015-03-31 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法

Country Status (4)

Country Link
US (2) US10134609B2 (ja)
JP (1) JP6553388B2 (ja)
KR (1) KR101849839B1 (ja)
TW (1) TWI618899B (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7117837B2 (ja) * 2017-09-29 2022-08-15 株式会社日立ハイテク 局所クリーン基板搬送装置
JP7171410B2 (ja) * 2018-12-17 2022-11-15 株式会社日立ハイテク ウェーハ搬送装置
KR102388390B1 (ko) * 2020-01-06 2022-04-21 세메스 주식회사 로드 포트 유닛, 이를 포함하는 저장 장치 및 배기 방법

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3342803B2 (ja) * 1996-05-30 2002-11-11 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び基板搬送方法
JPH09298228A (ja) * 1996-05-02 1997-11-18 Hitachi Ltd 基板搬送装置および基板搬送方法ならびにその基板搬送装置を備えた半導体集積回路装置の製造装置
JP4294837B2 (ja) 1999-07-16 2009-07-15 東京エレクトロン株式会社 処理システム
US6426303B1 (en) 1999-07-16 2002-07-30 Tokyo Electron Limited Processing system
JP2001284426A (ja) 2000-03-29 2001-10-12 Nikon Corp ウェハの昇降装置
JP4217875B2 (ja) * 2002-11-27 2009-02-04 株式会社安川電機 ウェハ搬送装置
KR100583730B1 (ko) * 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
JP4359640B2 (ja) 2007-09-25 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法
CN101981668A (zh) * 2008-03-26 2011-02-23 东京毅力科创株式会社 处理腔室的排气流量的控制方法以及处理装置
JP2010080469A (ja) 2008-09-24 2010-04-08 Tokyo Electron Ltd 真空処理装置及び真空搬送装置
JP2010272828A (ja) * 2009-05-25 2010-12-02 Hitachi Plant Technologies Ltd 液晶基板の保管倉庫室
JP5093621B2 (ja) 2009-09-18 2012-12-12 Tdk株式会社 ロードポート装置及び該ロードポート装置の排塵方法
JP5452152B2 (ja) * 2009-09-30 2014-03-26 株式会社日立ハイテクノロジーズ 検査装置
JP2012096906A (ja) * 2010-11-04 2012-05-24 Tokyo Institute Of Technology 自動倉庫
JP2012116647A (ja) * 2010-12-03 2012-06-21 Hitachi High-Tech Control Systems Corp 局所クリーン化搬送装置
JP5603314B2 (ja) 2011-12-01 2014-10-08 東京エレクトロン株式会社 搬送装置及び基板処理システム
US20130251493A1 (en) * 2012-03-26 2013-09-26 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Stacking device and air purification system thereof

Also Published As

Publication number Publication date
KR20160117334A (ko) 2016-10-10
TW201700926A (zh) 2017-01-01
JP2016192507A (ja) 2016-11-10
US10727087B2 (en) 2020-07-28
US20160293465A1 (en) 2016-10-06
US20190043738A1 (en) 2019-02-07
TWI618899B (zh) 2018-03-21
US10134609B2 (en) 2018-11-20
KR101849839B1 (ko) 2018-04-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6349750B2 (ja) Efem
JP2009182235A (ja) ロードロック装置および基板冷却方法
JP4584821B2 (ja) 真空処理装置及び帯状気流形成装置
JP2009076805A (ja) 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法
JP2004200669A (ja) ミニエンバイロメント装置、薄板状物製造システム及び清浄容器の雰囲気置換方法
TWI720076B (zh) 基板洗淨裝置
JP6553388B2 (ja) 基板搬送装置、基板処理装置および基板搬送方法
JP2807150B2 (ja) 環境制御装置
US20070130738A1 (en) Vacuum processing apparatus and zonal airflow generating unit
KR102626528B1 (ko) 국소 퍼지 기능을 갖는 반송 장치
KR102081706B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6583482B2 (ja) Efem
JP5485056B2 (ja) イオン供給装置及びこれを備えた被処理体の処理システム
US20100330273A1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method for heat-treating substrate
JP2007049093A (ja) 基板処理装置
JP2016127107A (ja) 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体
JP2006190828A (ja) 基板処理装置
JP2009224513A (ja) 基板処理装置および基板処理方法
JP2006347734A (ja) 貯蔵装置
KR101768518B1 (ko) 반송 챔버, 기판 처리 설비, 그리고 기판 반송 방법
JP2000277586A (ja) 基板搬送装置
JP4127391B2 (ja) 処理ユニット収納棚および基板処理装置
JP2018107366A (ja) 基板処理装置
JP2009126631A (ja) 保管倉庫設備
JP4475904B2 (ja) 基板処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20171222

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180126

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20180912

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180918

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20181017

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20190122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20190307

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190618

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190704

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6553388

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250