JP2007049093A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】排気管の圧力損失に起因するプロセスへの制約を低減でき、また、処理ユニットの配置の自由度を高めることができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】複数の処理ユニット４１〜４４は、積層配置されて２階建て構造を形成しており、排気ダクト５１〜５４を介して排気集合容器６０に接続されている。２階部分の処理ユニット４２，４４の排気ダクト５２，５４には、排気増幅器としてのトランスベクタ６２，６４がそれぞれ介装されている。トランスベクタ６２，６４は、レギュレータ８２，８４から駆動エアの供給を受けて動作し、その上流側の圧力センサ７２，７４の出力に基づいてフィードバック制御される。
【選択図】 図２

Description

この発明は、基板に対して処理を施すための基板処理装置に関する。処理の対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板などが含まれる。

従来から、半導体装置や液晶表示装置等の製造工程では、基板（半導体ウエハやガラス基板）に対して、レジスト塗布処理や洗浄処理等の各種の処理を施す基板処理装置が用いられている。
このような基板処理装置は、たとえば、基板が収容された複数のカセットにアクセスして、カセットとの間で基板を受け渡しするインデクサロボットと、基板に対して処理液等を用いた処理を施す処理ユニットと、インデクサロボットとの間で基板の授受を行い、処理ユニットに対して基板の搬入／搬出動作を行う主搬送ロボットとを備えている。たとえば、主搬送ロボットは、鉛直軸まわりの回転および水平方向への進退が可能な基板保持ハンドを備え、この基板保持ハンドの回転および進退動作などによって、インデクサロボットとの間での基板の授受、および処理ユニットに対する基板の搬入／搬出を行う。

このような構成の場合、主搬送ロボットを中心として、これを取り囲むように複数の処理ユニットが配置される。これにより、複数の処理ユニットは、主搬送ロボットを収容する搬送室を区画することになり、この主搬送室内を通って基板が搬送されることになる。
個々の処理ユニットには、処理ユニット内の雰囲気を換気するための排気のために、排気ダクトが接続される。この排気ダクトは、基板処理装置内または基板処理装置外に設けられた排気集合容器に共通に接続される。この排気集合容器に集合させられた排気は、主排気ダクトを介して、工場側の用力設備等からなる排気源へと導かれることになる。

複数の処理ユニットと排気集合容器との間のダクト長が異なっていると、複数の排気ダクト間の圧力損失は互いに異なることになる。そのため、複数の処理ユニットにおいて排気のばらつきが生じ、結果的に、基板処理にばらつきが生じる。
そこで、従来では、処理ユニットと排気集合容器との間の排気ダクトに個々にダンパを介装し、複数の処理ユニット間の排気の均一化が図られていた。
特開平１０−１７７９４５号公報

ところが、このような従来の構成では、排気量は、排気ダクト長が最も長く、したがって圧力損失が最も大きい処理ユニットに合わせて設定することになる。これにより、プロセスに対する制約が生じる場合がある。
複数の処理ユニットから排気集合容器までの排気ダクト長を等しくすることができれば、排気ダクトにおける圧力損失の均一化を図ることができる。しかし、実際には、全ての処理ユニットに関して排気ダクト長を等しくすることは、一般には、困難である。

たとえば、近年の基板処理装置は、その処理能力を高めるために、多数の処理ユニット数を備えている。同時に、クリーンルーム内の空調運転費用を抑えるためには、基板処理装置のフットプリントを可能な限り小さくしておかなければならない。そこで、複数の処理ユニットを積層配置する多段構造（積層構造）の基板処理装置が提案されている。
このような多段構造の基板処理装置において、たとえば、排気集合容器を基板処理装置の下部に配置するとすれば、上段側の処理ユニットと下段側の処理ユニットとの間には、排気ダクト長に明らかな相違が生じる。

むろん、複数の処理ユニットを平面的に配置することができる場合であっても、排気ダクト長を均一化できるレイアウトには限りがある。
排気ダクト長の相違に起因する圧力損失のばらつきを低減するための一つの解決策として、ダクト長の長い排気ダクトの口径を大きくすることが考えられる。しかし、口径の大きな排気ダクトは、基板処理装置内において大きな空間を占有することになるから、この解決策は必ずしも好ましいとは言えない。とくに、複数の処理ユニットを積層配置する構成の場合には、上段側の処理ユニットに対応する排気ダクトの口径を大きくしなければならない。この排気ダクトは、基板処理装置の下部に導く必要があるから、結果的に、基板処理装置のフットプリントの増大を招来しかねない。

そこで、この発明の目的は、排気管の圧力損失に起因するプロセスへの制約を低減でき、また、処理ユニットの配置の自由度を高めることができる基板処理装置を提供することである。

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、基板（Ｗ）を処理する第１処理ユニット（４１，４３，４５，４７）と、この第１処理ユニット内の空間を排気源（３６）に接続する第１排気管（５１，５３，５５，５７）と、基板を処理する第２処理ユニット（４２，４４，４６，４８）と、この第２処理ユニット内の空間を排気源（３６）に接続する第２排気管（５２，５４，５６，５８）と、前記第１排気管および前記第２排気管のうち、少なくとも圧力損失の大きな側の排気管に介装された排気増幅器（６２，６４，６６，６８）とを含むことを特徴とする基板処理装置である。なお、括弧内の英数字は後述の実施形態における対応構成要素等を表す。以下、この項において同じ。

この構成によれば、第１および第２排気管のうち、少なくとも圧力損失の大きな側の排気管に排気増幅器を介装することによって、第１および第２排気管の間の圧力損失の差を緩和または解消することができる。これにより、圧力損失に起因する排気流量不足を低減または解消できるから、プロセスへの制限を低減できる。
具体的には、第１および第２処理ユニットにおける排気条件の差を低減できるから、これらの処理ユニットにおける基板処理条件の差を低減できる。しかも、いずれかの処理ユニットにおける排気量によって他方の処理ユニットの排気量が制限を受けるといったことがないので、プロセスマージンを大きくとることができ、基板処理の自由度を高めることができる。

また、第１および第２排気管の配管長を等しくしたり、排気管口径を配管長に応じて異ならせたりする必要がない。これにより、第１および第２処理ユニットの配置の自由度が高まる。さらに、大きな口径の排気管を使用する必要がないことから、基板処理装置内の制限された空間内で排気管を十分に引きまわすことができ、基板処理装置のフットプリントの増大を招くこともない。

前記第１処理ユニットおよび／または第２処理ユニットは、基板に処理液を供給して当該基板を処理するユニットであってもよい。この場合に、供給される処理液は、薬液を含んでいてもよい。ただし、薬液が用いられる場合には、排気増幅器には、フッ素樹脂に代表される耐薬品性材料で構成されたものを適用することが好ましい。むろん、排気管にも同様な耐薬品性材料で構成されたものを適用することが好ましい。

第１排気管および前記第２排気管のうち圧力損失の大きな側の排気管とは、たとえば、排気路断面積が同じ場合には長さの長い側の排気管であり、長さが同じ場合には排気路断面積が小さい側の排気管であり、排気路断面積および長さが同じ場合にはベンド（曲がり）が少ない側の排気管である。
排気増幅器としては、トランスベクタに代表される気体流量増幅器または風量増幅型ノズルを適用することが好ましい。トランスベクタは、たとえば、排気路に直列に結合される管状本体部と、この管状本体部の側方から管状本体部内に駆動気体（一次気体）を導入する駆動気体導入部とを含む。一例では、駆動気体導入部から導入された駆動気体は、管状本体部の内壁に沿うとともに排気方向へ進行する螺旋状気流を形成する。この螺旋状旋回気流の内方領域は負圧領域となり、この負圧領域に排気路の気体が吸引されることにより、排気流量が増幅される。

排気管が小径の場合には、空気等の気体で駆動されるエジェクタ式負圧発生器を排気増幅器としても用いてもよい。たとえば、エジェクタ式負圧発生器は、圧縮された駆動気体（一次気体。圧縮空気等）が導入されるノズルと、このノズルの吐出口に入り口を対向させて配置したディフューザと、ノズルの吐出口をおよびディフューザの入り口を包囲する減圧室と、この減圧室に連通する吸引路とを有する。吸引路を排気管の上流側部分に結合し、ディフューザの出口を排気管の下流側部分に結合することによって、排気流量を増加させることができる。

請求項２記載の発明は、前記第１排気管および前記第２排気管が共通の排気源（３６）に接続されるようになっていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１および第２排気管が共通の排気源に接続されるようになっている場合でも、それらの圧力損失の差によらずに排気流量のバランスを容易に調整することができる。むろん、排気流量の制限も少なくなるから、プロセスマージンを大きくとることができる。処理ユニットの配置に対する制限が低減される点も請求項１の発明の場合と同様である。

前記第１および第２排気管は、一端側が第１および第２処理ユニットにそれぞれ結合され、他端側が、排気集合容器に共通に接続されていて、この排気集合容器が主排気管を介して排気源に接続されていてもよい。
請求項３記載の発明は、前記第１処理ユニットの上に前記第２処理ユニットが配置されており、前記第２排気管は、前記第２処理ユニットから下方に導かれており、前記排気増幅器は、少なくとも前記第２排気管に介装されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置である。

この構成によれば、上段側の第２処理ユニットに対応した第２排気管に排気増幅器を介装していることにより、第１および第２排気管間の圧力損失の差の低減が図られる。すなわち、第１および第２処理ユニットの排気を基板処理装置の下方に共通に導こうとすると、上段側の第２処理ユニットに対応した第２排気管の配管長が長くなり、その圧力損失が大きくなる。この問題を解決できる。

しかも、第２排気管の排気経路断面積を大きくとる必要がないから、基板処理装置のフットプリント増大の問題も緩和または回避できる。
請求項４記載の発明は、前記第２排気管の流路断面積は、前記第１排気管の流路断面積以下であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置である。
この発明では、上段側に配置される第２処理ユニットに対応した第２排気管の流路断面積は、第１排気管の流路断面積と同じか、それ以下となっている。これにより、基板処理装置のフットプリントの増大を抑制できる。

また、第１および第２排気管の流路断面積を等しくしておけば、同じ仕様の配管を第１および第２排気管に適用することができるから、設計が簡単になる。また、部品を共通化できるので、コストの低減にも寄与できる。
むろん、第２排気管の流路断面積を第１排気管の流路断面積よりも小さくしておけば、基板処理装置のフットプリント縮小の効果が大きくなる。流路断面積を小さくすることに伴う圧力損失の増加は、排気増幅器によって補償できるので、大きな問題とはならない。

請求項５記載の発明は、前記排気増幅器の上流側における排気管内圧力を検出する圧力検出手段（７２，７４，７６，７８）と、この圧力検出手段による検出結果に基づいて前記排気増幅器の能力をフィードバック制御する排気増幅制御手段（７０）とをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置である。
この構成によれば、排気増幅器の能力がフィードバック制御されることによって、排気流量を確実に制御することができる。これにより、排気バランスの調整が容易になる。そのうえ、排気流量が安定するから、処理ユニットにおける基板処理条件が安定する。その結果、基板処理品質の向上を図ることができる。

排気増幅器としてトランスベクタや気体駆動式のエジェクタが用いられる場合に、排気増幅制御手段は、当該トランスベクタまたはエジェクタの駆動気体の供給流量を制御するものであってもよい。
請求項６記載の発明は、前記第１処理ユニットおよび第２処理ユニットの少なくともいずれか一方は、室温よりも高い温度の処理液を基板に供給する高温処理液ユニットであり、この高温処理液ユニット内の空間を排気源に接続する排気管に排気増幅器が介装されており、この排気増幅器は、前記処理液の温度よりも低い温度の気体の供給を受けて排気増幅し、当該気体を排気される気体と混合するものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置である。

この構成によれば、高温処理液ユニットにおいて昇温した気体は、排気増幅器において、比較的低温の気体と混合される。これにより、排気増幅器において、排気温度を低下させることができる。その結果、基板処理装置の内部の温度上昇を抑制することができるから、他の処理ユニットにおける基板処理への悪影響（基板処理環境温度の上昇）を抑制できる。

具体的には、排気増幅器として、前述のようなトランスベクタやエジェクタを用いる場合であれば、駆動気体の温度を、高温処理液ユニットで使用される処理液の温度（たとえば、８０℃以上）よりも低く（たとえば室温）しておけばよい。

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図であり、図２は、図１の切断面線II−IIから見た図解的な断面図である。
この基板処理装置１は、キャリヤ保持部２を備えたインデクサ部３と、インデクサ部３に隣接して設けられた流体ボックス４と、この流体ボックス４に隣接して設けられた処理部５とを備えている。処理部５は、流体ボックス４を挟んでインデクサ部３とは反対側に配置されている。

キャリヤ保持部２には、複数（この実施形態では４個）のキャリヤＣを保持することができるようになっている。キャリヤＣは、その内部にそれぞれ複数枚の基板Ｗを所定間隔を開けた積層配列状態で収容することができるものであり、未処理の基板Ｗまたは処理済の基板Ｗが収容されることになる。
図１では、キャリヤＣとして、基板Ｗを密閉した状態で収容するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これ以外にも、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Interface)ポッド、ＯＣ（Open Cassette)等の他の形態のキャリヤを用いることもできる。

インデクサ部３には、キャリヤＣに対して、基板Ｗを搬入／搬出するためのインデクサロボット６（副搬送ロボット）が備えられている。このインデクサロボット６は、複数のキャリヤＣの配列方向に沿って搬送路７内を走行することができるようになっている。より具体的には、インデクサロボット６は、基台部８と、この基台部８上に備えられた多関節型の第１ロボットアーム１１および第２ロボットアーム１２とを備えている。

基台部８は、ボールねじ機構１３によって、キャリヤＣの配列方向に沿って移動されるようになっている。ボールねじ機構１３は、基台部８に備えられたボールナット（図示省略）に螺合するねじ軸１４と、このねじ軸１４を回転駆動するモータ１５とを備えている。基台部８には、さらに、第１および第２ロボットアーム１１，１２を鉛直軸線まわりに回転させる回転駆動機構（図示省略）と、第１および第２ロボットアーム１１，１２の各先端に設けられた基板保持ハンド２１，２２を進退させるために第１および第２ロボットアーム１１，１２の屈伸を生じさせる進退駆動機構（図示省略）とが備えられている。

このような構成により、インデクサロボット６は、キャリヤＣに対向する位置へと移動して、それらに対して、基板保持ハンド２１，２２を進退させて、キャリヤＣに対する基板Ｗの搬入／搬出を行うことができる。
処理部５は、平面視において中央に配置された主搬送ロボット３０（図２では図示省略）と、この主搬送ロボット３０を取り囲むように配置された複数（この実施形態では８個）の処理ユニット４１〜４８とを備えている。処理ユニット４１〜４８は、主搬送ロボット３０の周囲において、２段に積層配置されている。より具体的には、処理ユニット４１，４２が積層された状態で流体ボックス４に隣接して配置されており、処理ユニット４３，４４が積層された状態で処理ユニット４１，４２に隣接して配置されている。さらに、処理ユニット４５，４６は、流体ボックス４に隣接するとともに、主搬送ロボット３０に対して処理ユニット４１，４２とは反対側において積層配置されている。そして、処理ユニット４７，４８は、処理ユニット４５，４６に隣接するとともに、主搬送ロボット３０に対して処理ユニット４３，４４とは反対側に積層状態で配置されている。

すなわち、複数の処理ユニット４１〜４８は、この実施形態では、２階建て構造をなすように積層配置されていて、１階部分には、主搬送ロボット３０を取り囲むように、処理ユニット４１，４３，４５，４７が設けられており、２階部分には、主搬送ロボット３０を取り囲むように、処理ユニット４２，４４，４６，４８が配置されている。
これらの処理ユニット４１〜４８によって、処理部５の中央領域に、主搬送ロボット３０を収容した搬送室２５が区画されている。この搬送室２５は、主搬送ロボット３０によって搬送される基板Ｗが通る空間であり、主搬送ロボット３０の動作空間（旋回空間および昇降空間）を確保している。この搬送室２５は、処理ユニット４１〜４４と、処理ユニット４５〜４８とを二分するように形成されている。さらに、流体ボックス４が、インデクサロボット６の移動方向中央付近において２分割されていて、この空間も搬送室２５の一部を形成している。主搬送ロボット３０とインデクサ部３との間の搬送室２５は、インデクサロボット６と主搬送ロボット３０との間で基板Ｗを受け渡すための通路２６を形成している。

主搬送ロボット３０は、基台部３３と、この基台部３３上に備えられた第１基板保持ハンド３１および第２基板保持ハンド３２とを備えている。基台部３３は、当該基板処理装置１内に固定された台座部（図示省略）上に設けられており、第１および第２基板保持ハンド３１，３２を鉛直軸線まわりに回転駆動する回転駆動機構と、第１および第２基板保持ハンド３１，３２を水平方向に進退させるための進退駆動機構と、第１および第２基板保持ハンド３１，３２を昇降させるための昇降駆動機構とを内部に備えている（いずれも図示省略）。

このような構成により、主搬送ロボット３０は、第１および第２基板保持ハンド３１，３２を、任意の処理ユニット４１〜４８に対向させ、さらに、当該処理ユニットに対して進退させることにより、当該処理ユニットに対する基板Ｗの搬入／搬出を行うことができる。さらに、主搬送ロボット３０は、第１および第２基板保持ハンド３１，３２を、通路２６内において、インデクサ部３に向けて進出させることができる。その状態で、インデクサロボット６が、通路２６内へと基板保持ハンド２１，２２を進出させることにより、インデクサロボット６と主搬送ロボット３０との間で基板Ｗを受け渡すことができる。

処理ユニット４１〜４８は、この実施形態では、たとえば、基板を１枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットであって、基板に対して処理液を供給することにより、当該基板の表面処理を行うものである。より具体的には、処理ユニット４１〜４８は、たとえば、基板Ｗをほぼ水平に保持して回転させるスピンチャックと、このスピンチャックに保持されて回転されている基板Ｗの表面に向けて処理液を供給する処理液ノズルとを備えている。むろん、処理ユニット４１〜４８において、同一内容の基板処理が行われてもよいし、異なる基板処理が行われるようになっていてもよい。

処理ユニット４１〜４８には、それぞれ、処理ユニット４１〜４８内の雰囲気を排気するための排気ダクト５１〜５８の各一端が接続されている。より詳細には、処理ユニット４１〜４８の下方には、排気中の液体を除去するための気液分離ボックス４１Ａ〜４８Ａがそれぞれ設けられている。この気液分離ボックス４１Ａ〜４８Ａに、排気ダクト〜５８がそれぞれ接続されている。

排気ダクト５１〜５８は、気液分離ボックス４１Ａ〜４８Ａから水平方向に引き出され、屈曲されて鉛直下方へと導かれ、さらに水平方向に屈曲して、主搬送ロボット３０の直下に配置された排気集合容器６０へと至り、この排気集合容器６０に各他端が接続されている。排気集合容器６０は、主排気ダクト３５を介して、工場の排気設備等の排気源３６に接続されている。

排気ダクト５１〜５８において、排気集合容器６０との接続部の近傍には、必要に応じて、排気流量の微調整のためのダンパ（図示省略）が配置されていてもよい。
上段に配置された処理ユニット４２，４４，４６，４８に対応する排気ダクト５２，５４，５６，５８の途中部（この実施形態では各処理ユニットに近い位置）には、それぞれ、トランスベクタ６２，６４，６６，６８が介装されている。さらに、排気ダクト５２，５４，５６，５８の途中部において、トランスベクタ６２，６４，６６，６８よりも排気流方向に関して上流側には、排気ダクト内部の気圧を検出する圧力センサ７２，７４，７６，７８がそれぞれ設けられている。

トランスベクタ６２，６４，６６，６８には、それぞれ、レギュレータ８２，８４，８６，８８から、圧力調整された駆動エア（圧縮空気）が供給されるようになっている。トランスベクタ６２，６４，６６，６８は、この駆動エアの供給を受けて動作し、排気流量を増幅する排気増幅器として機能する。
図３は、トランスベクタ６２，６４，６６，６８の制御のための構成を説明するためのブロック図である。トランスベクタ６２，６４，６６，６８に駆動エアを供給するレギュレータ８２，８４，８６，８８は、マイクロコンピュータ等を含む制御部７０によって制御される。この制御部７０には、圧力センサ７２，７４，７６，７８からの検出信号が入力されている。

この構成により、制御部７０は、圧力センサ７２，７４，７６，７８から与えられる検出信号に基づき、トランスベクタ６２，６４，６６，６８の上流側の排気ダクト内気圧が予め定める所定値となるように、レギュレータ８２，８４，８６，８８をフィードバック制御する。これにより、トランスベクタ６２，６４，６６，６８に供給される駆動エア流量がフィードバック制御されることになる。こうして、トランスベクタ６２，６４，６６，６８の能力が、それらよりも上流の排気ダクト内気圧が前記所定値となるように制御される。

図４は、トランスベクタの構成例を説明するための図解的な断面図である。この構成例のトランスベクタは、排気ダクトに介装される管状の本体部９０と、この本体部９０に形成され、駆動エアを取り込むための駆動エア導入部９１とを有している。本体部９０の一端は入り口部９２であり、排気ダクトの上流側部分に結合される。本体部９０の他端は出口部９３であり、排気ダクトの下流側部分に結合される。本体部９０の内面は、ほぼ円筒面となっており、その内方に気体流通路９４を区画している。

駆動エア導入部９１と気体流通路９４との間には、円筒状のエア室９５が本体部９０が形成されている。このエア室９５は、駆動エア導入部９１から導入される駆動エアを受け入れるとともに、本体部９０の内壁に全周に渡って形成された環状の溝部９６を介して、気体流通路９４に連通している。
このような構成により、溝部９６から吹き出された駆動エアは、気体流通路９４の内壁に沿うスパイラルフロー９７を形成する。このスパイラルフロー９７の内方では、コアンダ効果による負圧が発生し、入り口部９２から導入される気体を吸引する。こうして、気体流量を増幅することができる。

処理ユニット４１〜４８において、基板処理のために薬液（とくに強腐食性のもの）が用いられる場合には、トランスベクタとして耐薬品性の材料（たとえばフッ素樹脂）で作製したものを用いればよい。
以上のようにこの実施形態によれば、上段側の処理ユニット４２，４４，４６，４８に接続された排気ダクト５２，５４，５６，５８には、トランスベクタ６２，６４，６６，６８が介装されている。これにより、排気ダクト５２，５４，５６，５８における圧力損失による排気流量の不足を補い、下段側の処理ユニット４１，４３，４５，４７に接続された排気ダクト５１，５３，５５，５７の排気流量との均等化が図られている。

こうして、排気集合容器６０を介して共通の排気源３６に接続された排気ダクト５１〜５８の排気流量を、圧力損失の大きな排気流量の増幅によって均等化しているから、上段側の処理ユニット４２，４４，４６，４８における排気量によって下段側の処理ユニット４１，４３，４５，４７の排気量が制限を受けるといったことがない。これにより、プロセスに対する制約を受けることなく、処理ユニット４１〜４８を積層配置することができる。

しかも、排気ダクト５１〜５８の長さを等しくすることも、排気ダクト長に応じて排気管口径を変更したりすることも、不要である。したがって、設計が容易であり、また、共通の配管部品を用いることができるから、コストの低減に寄与できる。
そして、配管長が長くなる上段側の処理ユニット４２，４４，４６，４８に対応した排気ダクト５２，５４，５６，５８の口径を小さく抑制できることにより、その引き回しが容易になるとともに、基板処理装置のフットプリントを小さく抑えることができる。

さらに、この実施形態では、トランスベクタ６２，６４，６６，６８の能力がフィードバック制御されることにより、安定した排気を行うことができる。これにより、基板処理条件を安定化することができるから、基板処理の品質を向上することができる。
また、処理ユニット４２，４４，４６，４８のいずれかが、高温の処理液（たとえば、８０℃以上の処理液）を用いる場合には、トランスベクタ６２，６４，６６，６８の駆動エアとして、その処理液よりも低温（たとえば室温。約２３℃）のものを用いると、排気の温度を低くすることができる。すなわち、処理ユニット４２，４４，４６，４８からの高温の排気は、トランスベクタ６２，６４，６６，６８で低温の駆動エアと混合されて降温する。これにより、トランスベクタ６２，６４，６６，６８の下流側の排気ダクト５２，５４，５６，５８中を流通する排気温度を低くすることができるから、基板処理装置の内部の温度上昇を抑制できる。その結果、たとえば、室温の処理液を用いる他の処理ユニットにおける基板処理条件に悪影響を及ぼすことを抑制できる。

以上、この発明の一実施形態について説明したが、この発明は他の形態で実施することもできる。たとえば、前述の実施形態では、処理ユニット４１〜４８が２階建て構造をなすように配置された例について説明したが、複数の処理ユニットが３段以上に積層配置されてもよい。この場合には、たとえば、２階部分および３階部分に配置される処理ユニットに対応した排気ダクトにトランスベクタをそれぞれ介装するとよい。

また、前述の実施形態では、複数の処理ユニット４１〜４８が積層配置された例について説明したが、複数の処理ユニットが平面的に配置されている場合であっても、この発明を適用することができる。すなわち、たとえば、複数の処理ユニット間で排気ダクトの配管長が異なる場合に、配管長の長い排気ダクトにトランスベクタを介装して排気流量の均等化を図ればよい。

また、前述の実施形態では、２階部分の処理ユニット４２，４４，４６，４８に対応した排気ダクト５２，５４，５６，５８にのみトランスベクタ６２，６４，６６，６８を介装しているが、すべての処理ユニット４１〜４８に対応した排気ダクト５１〜５８にそれぞれトランスベクタを介装する構成としてもよい。これにより、複数の処理ユニット４１〜４８における排気流量を個別に、かつ、精密に制御することができる。また、排気の必要な処理ユニットに関してのみ、対応するトランスベクタを駆動するように制御することもできる。このようにすれば、駆動エアの使用量を抑制することができるとともに、基板処理装置に吸い込まれて消費されるクリーンエアの消費量も抑制できる。さらには、排気源３６の排気能力があまり高くなくてもよくなるので、排気設備の大型化を避けることができる。

さらに、前述の実施形態では、複数の排気ダクト５１〜５８が共通の排気源３６に接続される例について説明したが、すべての処理ユニットの排気が共通の排気源へと排気される必要はない。とくに、基板処理装置内に、酸系の処理液で基板を処理する酸系処理液処理ユニットと、アルカリ系の処理液で基板を処理するアルカリ系処理液処理ユニットとが混在している場合には、これらの処理ユニットからの排気は、別の排気源へと区分して排気されることが好ましい。

また、前述の実施形態では、排気増幅器としてトランスベクタを例に挙げたが、排気ダクトの口径が小さい場合には、エア駆動型のエジェクタを排気増幅器として適用することも可能である。エジェクタは、たとえば、図５に断面を図解的に示すように、圧縮空気が導入されるノズル１０１と、このノズル１０１の吐出口に入り口を対向させて配置したディフューザ１０２と、ノズル１０１の吐出口およびディフューザ１０２の入り口を包囲する減圧室１０３と、この減圧室１０３に連通する吸引路１０４とを有している。この吸引路１０４に、排気ダクトの上流側部分が接続され、ディフューザ１０２の出口部に排気ダクトの下流側部分が接続されることになる。

前記の他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。

この発明の一実施形態に係る基板処理装置の構成を説明するための図解的な平面図である。 図１の切断面線II−IIから見た図解的な断面図である。 排気増幅器としてのトランスベクタの制御に関連する構成を説明するためのブロック図である。 トランスベクタの構成例を説明するための図解的な断面図である。 エジェクタの構成例を説明するための図解的な断面図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
２ キャリヤ保持部
３ インデクサ部
４ 流体ボックス
５ 処理部
６ インデクサロボット
８ 基台部
１１ 第１ロボットアーム
１２ 第２ロボットアーム
１３ ボールねじ機構
１４ ねじ軸
１５ モータ
２１，２２ 基板保持ハンド
２５ 搬送室
２６ 通路
３０ 主搬送ロボット
３１，３２ 基板保持ハンド
３３ 基台部
３５ 主排気ダクト
３６ 排気源
４１〜４８ 処理ユニット
４１Ａ〜４８Ａ 気液分離ボックス
５１〜５８ 排気ダクト
６０ 排気集合容器
６２，６４，６６，６８ トランスベクタ
７０ 制御部
７２，７４，７６，７８ 圧力センサ
８２，８４，８６，８８ レギュレータ
９０ 本体部
９１ 駆動エア導入部
９２ 入り口部
９３ 出口部
９４ 気体流通路
９５ エア室
９６ 溝部
９７ スパイラルフロー
１０１ ノズル
１０２ ディフューザ
１０３ 減圧室
１０４ 吸引路
Ｃ キャリヤ
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 基板を処理する第１処理ユニットと、
   この第１処理ユニット内の空間を排気源に接続する第１排気管と、
   基板を処理する第２処理ユニットと、
   この第２処理ユニット内の空間を排気源に接続する第２排気管と、
   前記第１排気管および前記第２排気管のうち、少なくとも圧力損失の大きな側の排気管に介装された排気増幅器とを含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記第１排気管および前記第２排気管が共通の排気源に接続されるようになっていることを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記第１処理ユニットの上に前記第２処理ユニットが配置されており、
   前記第２排気管は、前記第２処理ユニットから下方に導かれており、
   前記排気増幅器は、少なくとも前記第２排気管に介装されていることを特徴とする請求項１または２記載の基板処理装置。
4. 前記第２排気管の流路断面積は、前記第１排気管の流路断面積以下であることを特徴とする請求項３記載の基板処理装置。
5. 前記排気増幅器の上流側における排気管内圧力を検出する圧力検出手段と、
   この圧力検出手段による検出結果に基づいて前記排気増幅器の能力をフィードバック制御する排気増幅制御手段とをさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板処理装置。
6. 前記第１処理ユニットおよび第２処理ユニットの少なくともいずれか一方は、室温よりも高い温度の処理液を基板に供給する高温処理液ユニットであり、
   この高温処理液ユニット内の空間を排気源に接続する排気管に排気増幅器が介装されており、
   この排気増幅器は、前記処理液の温度よりも低い温度の気体の供給を受けて排気増幅し、当該気体を排気される気体と混合するものであることを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載の基板処理装置。

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