JPH04234119A - 半導体ウエハの処理装置および方法 - Google Patents
半導体ウエハの処理装置および方法Info
- Publication number
- JPH04234119A JPH04234119A JP3251183A JP25118391A JPH04234119A JP H04234119 A JPH04234119 A JP H04234119A JP 3251183 A JP3251183 A JP 3251183A JP 25118391 A JP25118391 A JP 25118391A JP H04234119 A JPH04234119 A JP H04234119A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- semiconductor wafer
- processing apparatus
- pressure vessel
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 95
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 143
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 42
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 160
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 24
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims abstract description 13
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 37
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 32
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 11
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 8
- 238000011109 contamination Methods 0.000 claims description 7
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 6
- 239000002826 coolant Substances 0.000 claims description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims 2
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 claims 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 1
- 238000011067 equilibration Methods 0.000 claims 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 claims 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 abstract 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 22
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012494 Quartz wool Substances 0.000 description 1
- 230000003466 anti-cipated effect Effects 0.000 description 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 229910001385 heavy metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000953 kanthal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 150000002829 nitrogen Chemical class 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
- H01L21/67115—Apparatus for thermal treatment mainly by radiation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B33/005—Oxydation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67778—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading involving loading and unloading of wafers
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウエハの処理にお
ける改良に関し、特に、比較的高速で半導体ウエハをバ
ッチ処理するための方法および装置に関する。
ける改良に関し、特に、比較的高速で半導体ウエハをバ
ッチ処理するための方法および装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハに酸化物を成長させるため
に水蒸気および流体圧力を用いることはよく知られてお
り、過去において広く用いられてきた。この目的のため
の典型的な温度は約９００℃ないし１０００℃であり、
また流体圧力は約１０気圧ないし２５気圧である。これ
らの操作条件下、バッチ中のウエハは、妥当な収率のた
め容認できる速度たとえば２時間より短時間で、中程度
の速度で処理することができる。上記した時間は、有益
な生産量を得るために容認できる時間である。このよう
に、バッチ処理は容認可能な処理条件を提供するととも
に、高い処理能力を与えるものである。
に水蒸気および流体圧力を用いることはよく知られてお
り、過去において広く用いられてきた。この目的のため
の典型的な温度は約９００℃ないし１０００℃であり、
また流体圧力は約１０気圧ないし２５気圧である。これ
らの操作条件下、バッチ中のウエハは、妥当な収率のた
め容認できる速度たとえば２時間より短時間で、中程度
の速度で処理することができる。上記した時間は、有益
な生産量を得るために容認できる時間である。このよう
に、バッチ処理は容認可能な処理条件を提供するととも
に、高い処理能力を与えるものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】半導体ウエハのための
改良された垂直ホルダーすなわち塔により、ウエハのバ
ッチ処理は迅速に行われている。このバッチウエハの傾
向の理由としては、塔内のウエハをより大きく制御する
こと、ウエハが比較的高価であること、およびウエハの
サイズが比較的大きいことがある。さらに、ウエハをよ
り大きく制御できることにより、またウエハがバッチ内
にある場合には、ウエハの損傷や破損の可能性が最小限
に抑えられることによる。また、ウエハのサイズが大型
化していることによる。典型的には、６インチウエハが
現在使われているが、将来８インチおよび１２インチウ
エハが使用されることが予想される。バッチ処理の従来
技術に付随する問題のため、半導体ウエハのバッチ処理
をより経済的に実行可能なものとする、半導体ウエハの
バッチ処理における改良の必要性が存在する。本発明は
この必要を満たすものである。
改良された垂直ホルダーすなわち塔により、ウエハのバ
ッチ処理は迅速に行われている。このバッチウエハの傾
向の理由としては、塔内のウエハをより大きく制御する
こと、ウエハが比較的高価であること、およびウエハの
サイズが比較的大きいことがある。さらに、ウエハをよ
り大きく制御できることにより、またウエハがバッチ内
にある場合には、ウエハの損傷や破損の可能性が最小限
に抑えられることによる。また、ウエハのサイズが大型
化していることによる。典型的には、６インチウエハが
現在使われているが、将来８インチおよび１２インチウ
エハが使用されることが予想される。バッチ処理の従来
技術に付随する問題のため、半導体ウエハのバッチ処理
をより経済的に実行可能なものとする、半導体ウエハの
バッチ処理における改良の必要性が存在する。本発明は
この必要を満たすものである。
【０００４】本発明の分野に関連する開示には、米国特
許第４，１６７，９１５号、同４，２６８，５３８号、
同４，３１５，４７９号および同４，５９９，２４７号
がある。ここに、記述する方法および装置は、単一ウエ
ハ処理装置および、米国特許出願第３１１，６８６号（
１９８９年２月１５日出願）において開示した方法に改
良を加えたものである。
許第４，１６７，９１５号、同４，２６８，５３８号、
同４，３１５，４７９号および同４，５９９，２４７号
がある。ここに、記述する方法および装置は、単一ウエ
ハ処理装置および、米国特許出願第３１１，６８６号（
１９８９年２月１５日出願）において開示した方法に改
良を加えたものである。
【０００５】
【課題を解決しようとするための手段】本発明は、バッ
チウエハ処理システムとして、半導体ウエハ上の熱酸化
層の成長、半導体成分の成長を、経済的に成立するよう
に十分早く成長させるための方法および装置を提供する
ことに向けられている。本発明のすべての特徴は、適切
なウエハ生産量を提供するとともに容認可能な処理条件
を達成するために協働するものである。
チウエハ処理システムとして、半導体ウエハ上の熱酸化
層の成長、半導体成分の成長を、経済的に成立するよう
に十分早く成長させるための方法および装置を提供する
ことに向けられている。本発明のすべての特徴は、適切
なウエハ生産量を提供するとともに容認可能な処理条件
を達成するために協働するものである。
【０００６】処理速度は高圧、高温により確保される。
たとえば、圧力が約１０気圧（１５０ｐｓｉ）で、温度
が８５０℃の場合、水蒸気環境下ウエハ上に１５００Å
の酸化物層を形成するのに必要とされる時間は約７．０
分である。系は約２７分で周囲条件からこれらの操作条
件に到達し、約４２分で減圧および冷却される。
が８５０℃の場合、水蒸気環境下ウエハ上に１５００Å
の酸化物層を形成するのに必要とされる時間は約７．０
分である。系は約２７分で周囲条件からこれらの操作条
件に到達し、約４２分で減圧および冷却される。
【０００７】本発明の装置は、圧力容器内に底から装入
される独特の処理室を含んで成り、ウエハはクリーンル
ームの条件下、処理室の底へ供給される。処理室は、高
圧水蒸気、または乾燥酸素等の酸化剤で加圧される。圧
力容器は、窒素等の不活性ガスにより高圧に加圧される
。
される独特の処理室を含んで成り、ウエハはクリーンル
ームの条件下、処理室の底へ供給される。処理室は、高
圧水蒸気、または乾燥酸素等の酸化剤で加圧される。圧
力容器は、窒素等の不活性ガスにより高圧に加圧される
。
【０００８】本発明の他の特徴は、密封度および清浄性
を確保するために、圧力容器を、処理室の圧力に対し、
相対的に１ｐｓｉ程度の小さな正圧に保つ圧力制御方法
を用いたことにある。圧力制御は本発明の装置が高度に
フレキシブルであることを許容し、真空から２５気圧あ
るいはそれ以上といった高圧にいたる、また、９００℃
あるいはそれ以上までにわたる温度範囲における広範囲
の操作条件が可能である。
を確保するために、圧力容器を、処理室の圧力に対し、
相対的に１ｐｓｉ程度の小さな正圧に保つ圧力制御方法
を用いたことにある。圧力制御は本発明の装置が高度に
フレキシブルであることを許容し、真空から２５気圧あ
るいはそれ以上といった高圧にいたる、また、９００℃
あるいはそれ以上までにわたる温度範囲における広範囲
の操作条件が可能である。
【０００９】本発明を用いて要求される処理速度および
純度を得るために、石英塔またはホルダー中の半導体ウ
エハは圧力容器の中にある処理室に置かれ、次いでその
処理室は閉鎖され、水蒸気または乾燥酸素等の酸化剤に
より加圧される。処理室の外側に設置したヒーターは、
処理室内部を加熱するために用いる。水蒸気を発生させ
、３０ｐｓｉ／分程度の割合で圧力を上げる。処理室の
壁は、熱的冷却を最小限に押えるために比較的薄くなけ
ればならないので、流体圧力の差による処理室壁の破損
を防止するため、等圧化を含む独特の室および容器の分
離方法が必要となる。処理室および圧力容器における流
体圧力の制御は、圧力センサーおよび流体弁を用いて電
子的に行なう。
純度を得るために、石英塔またはホルダー中の半導体ウ
エハは圧力容器の中にある処理室に置かれ、次いでその
処理室は閉鎖され、水蒸気または乾燥酸素等の酸化剤に
より加圧される。処理室の外側に設置したヒーターは、
処理室内部を加熱するために用いる。水蒸気を発生させ
、３０ｐｓｉ／分程度の割合で圧力を上げる。処理室の
壁は、熱的冷却を最小限に押えるために比較的薄くなけ
ればならないので、流体圧力の差による処理室壁の破損
を防止するため、等圧化を含む独特の室および容器の分
離方法が必要となる。処理室および圧力容器における流
体圧力の制御は、圧力センサーおよび流体弁を用いて電
子的に行なう。
【００１０】水蒸気は、圧力容器内部にあって処理室外
部上端にある独特のボイラー中で発生する。水蒸気は処
理室中に流入し、処理室を通ってその外部に流出し、等
圧力化手段の一部を構成する排気チューブを通して排気
される。
部上端にある独特のボイラー中で発生する。水蒸気は処
理室中に流入し、処理室を通ってその外部に流出し、等
圧力化手段の一部を構成する排気チューブを通して排気
される。
【００１１】本発明の第１の目的は、半導体ウエハをバ
ッチ処理するための改良された方法および装置であって
、その処理は半導体ウエハの処理室内のボトム・ローデ
ィングを含み、該処理が高度にフレキシブルで、最適処
理条件を遂行しつつ高い生産率で複数のウエハに酸化物
を与えることに適した、半導体ウエハをバッチ処理する
ための改良された方法および装置を提供することにある
。
ッチ処理するための改良された方法および装置であって
、その処理は半導体ウエハの処理室内のボトム・ローデ
ィングを含み、該処理が高度にフレキシブルで、最適処
理条件を遂行しつつ高い生産率で複数のウエハに酸化物
を与えることに適した、半導体ウエハをバッチ処理する
ための改良された方法および装置を提供することにある
。
【００１２】本発明の他の目的は、本発明の一態様を説
明するために添付した図面を参照した以下の説明によっ
て明らかになってくるであろう。
明するために添付した図面を参照した以下の説明によっ
て明らかになってくるであろう。
【００１３】
【実施例】半導体ウエハのバッチ処理装置を一般的に番
号１０で示す。半導体ウエハのバッチ処理装置１０は処
理室部１４を含む圧力室部１１を格納するための閉じら
れた区隔室１２を形成する手段を含む。複数のカセット
もしくはボート１６（図２−５）は積み重ねた半導体ウ
エハ１８を含み、半導体ウエハ１８はカセット１６に乗
せられてビデオ表示器２２およびコントロールパネル２
４に隣接する出し入れ用開口部２０を通して区隔室１２
へ導入される。ビデオ表示器２２と制御板２４はカセッ
ト１６を区隔室１２中で移動させるために用いられる。
号１０で示す。半導体ウエハのバッチ処理装置１０は処
理室部１４を含む圧力室部１１を格納するための閉じら
れた区隔室１２を形成する手段を含む。複数のカセット
もしくはボート１６（図２−５）は積み重ねた半導体ウ
エハ１８を含み、半導体ウエハ１８はカセット１６に乗
せられてビデオ表示器２２およびコントロールパネル２
４に隣接する出し入れ用開口部２０を通して区隔室１２
へ導入される。ビデオ表示器２２と制御板２４はカセッ
ト１６を区隔室１２中で移動させるために用いられる。
【００１４】閉じた区隔室１２を形成する手段はコーナ
ーポスト２６を含み、コーナーポスト２６は、高圧室２
８および超高性能フィルター（ヘパ・フィルター）３０
を付与するためのパネルを有している。かくして、区隔
室１２に最も質の高いクリーンルーム特性を与えること
ができる。
ーポスト２６を含み、コーナーポスト２６は、高圧室２
８および超高性能フィルター（ヘパ・フィルター）３０
を付与するためのパネルを有している。かくして、区隔
室１２に最も質の高いクリーンルーム特性を与えること
ができる。
【００１５】区隔室１２には、図１に示した圧力容器部
１１に隣接してｘｙｚ移動ユニット３２が設置してある
。ユニット３２のｘ部分３４はカセット１６を部分３４
の長さに沿ってｘ方向、つまり矢印３５の方向に移動さ
せる。ｙ部分３６はｘ部分３４をｙ方向、つまり矢印３
８の方向に移動し、ｚ部分４０は上下方向に移動可能で
あり、一対の水平脚４３を有している。水平脚４３は石
英塔４５の把手４４を通して配置される。石英塔４５は
垂直に配列した処理すべき半導体ウエハを支持するため
に使用されるものであり、半導体ウエハは石英塔４５と
ともに底を通して処理室部１４へ導入される。
１１に隣接してｘｙｚ移動ユニット３２が設置してある
。ユニット３２のｘ部分３４はカセット１６を部分３４
の長さに沿ってｘ方向、つまり矢印３５の方向に移動さ
せる。ｙ部分３６はｘ部分３４をｙ方向、つまり矢印３
８の方向に移動し、ｚ部分４０は上下方向に移動可能で
あり、一対の水平脚４３を有している。水平脚４３は石
英塔４５の把手４４を通して配置される。石英塔４５は
垂直に配列した処理すべき半導体ウエハを支持するため
に使用されるものであり、半導体ウエハは石英塔４５と
ともに底を通して処理室部１４へ導入される。
【００１６】シフト腕４６は間隔の開いた一対の指４８
（図１）を有し、腕４６はユニット３２と結合した制御
手段５０と結合している。それにより、ｘｙｚユニット
３２の部分３４、３６および４０を操作することにより
、腕４６をカセット１６に対し移動させることができる
。腕４６の指４８は、また石英塔４５に処理すべきウエ
ハ１８を充填するためにウエハ１８をカセット１６から
石英塔４５内に移動させる際、半導体ウエハ１８を支持
する。区隔室１２には、個々のウエハ１８をターンテー
ブル４９（図１）上で中心合わせをするための他の制御
手段４７が設けられている。この手段により、ウエハを
腕４６により石英塔４５中の水平位置にそれぞれ移動す
る際、ウエハが塔４５に対し適当に配向させられる。 このウエハの中心合わせにより、ウエハの挿入の間、ウ
エハの端が塔上でひっかかることを防止することができ
、ウエハを取り囲む雰囲気を汚染しかねない粒子が形成
されることを防ぐことができる。
（図１）を有し、腕４６はユニット３２と結合した制御
手段５０と結合している。それにより、ｘｙｚユニット
３２の部分３４、３６および４０を操作することにより
、腕４６をカセット１６に対し移動させることができる
。腕４６の指４８は、また石英塔４５に処理すべきウエ
ハ１８を充填するためにウエハ１８をカセット１６から
石英塔４５内に移動させる際、半導体ウエハ１８を支持
する。区隔室１２には、個々のウエハ１８をターンテー
ブル４９（図１）上で中心合わせをするための他の制御
手段４７が設けられている。この手段により、ウエハを
腕４６により石英塔４５中の水平位置にそれぞれ移動す
る際、ウエハが塔４５に対し適当に配向させられる。 このウエハの中心合わせにより、ウエハの挿入の間、ウ
エハの端が塔上でひっかかることを防止することができ
、ウエハを取り囲む雰囲気を汚染しかねない粒子が形成
されることを防ぐことができる。
【００１７】手段５０は腕４６を腕４６と結合した延長
した軸状の素子５２の中心軸５１のまわりに回転させる
操作をする。腕４６を回転させる目的は、処理室部１４
においてウエハを処理する前後に半導体ウエハ１８を塔
４５に出し入れする際、該腕を塔４５近傍の狭い場所か
ら移動することにある。
した軸状の素子５２の中心軸５１のまわりに回転させる
操作をする。腕４６を回転させる目的は、処理室部１４
においてウエハを処理する前後に半導体ウエハ１８を塔
４５に出し入れする際、該腕を塔４５近傍の狭い場所か
ら移動することにある。
【００１８】図２は処理すべき半導体ウエハ１８を含む
カセット１６がある区隔室１２を示す。カセットは区隔
室１２を形成するハウジングの一つの側５５に隣接する
棚５３上に支持されている。カセット１６は、図２に示
すように、底ふた５６上に配置すべき半導体ウエハ１８
を含んだ塔４５にも隣接している。該塔は番号４５で示
され、把手４４は塔の上端にある。第２の塔４５ａが塔
４５の上にあり、その位置は、ウエハ１８を処理して処
理室部１４から取り出した後、ウエハを冷却するための
位置である。
カセット１６がある区隔室１２を示す。カセットは区隔
室１２を形成するハウジングの一つの側５５に隣接する
棚５３上に支持されている。カセット１６は、図２に示
すように、底ふた５６上に配置すべき半導体ウエハ１８
を含んだ塔４５にも隣接している。該塔は番号４５で示
され、把手４４は塔の上端にある。第２の塔４５ａが塔
４５の上にあり、その位置は、ウエハ１８を処理して処
理室部１４から取り出した後、ウエハを冷却するための
位置である。
【００１９】カセット１６および処理室部１４の底５６
より下の下部空間５７（図２）は、装置１０の各種要素
を操作する上で必要とされる空気移動手段と電源手段を
含む。カセット１６を区隔室１２に導入する入口ゲート
２０を、図２において、カセット１６の底の列と並ぶ水
平配列において示す。尚、簡単のために、図２において
ｘｙｚユニット３２は示されていない。
より下の下部空間５７（図２）は、装置１０の各種要素
を操作する上で必要とされる空気移動手段と電源手段を
含む。カセット１６を区隔室１２に導入する入口ゲート
２０を、図２において、カセット１６の底の列と並ぶ水
平配列において示す。尚、簡単のために、図２において
ｘｙｚユニット３２は示されていない。
【００２０】ｘｙｚユニット３２は図３に示されており
、圧力容器１１に隣接し、処理室部１４において処理す
べき半導体ウエハ１８の垂直に積み重ねたカセット１６
から離してある。高圧室２８からヘパ・フィルター３０
を通過してカセット１６に向い、それを通過する空気流
を空気流矢印６０で示す。この空気流により、区隔室１
２のクリーンルーム特性は常時保持される。
、圧力容器１１に隣接し、処理室部１４において処理す
べき半導体ウエハ１８の垂直に積み重ねたカセット１６
から離してある。高圧室２８からヘパ・フィルター３０
を通過してカセット１６に向い、それを通過する空気流
を空気流矢印６０で示す。この空気流により、区隔室１
２のクリーンルーム特性は常時保持される。
【００２１】図４は、底ぶた５６が下降した状態にあっ
て開放状態の圧力容器部１１を示す図である。底ぶたを
圧力容器部１１の底を閉じる位置まで上昇させる前に、
半導体ウエハ１８の第１の塔４５がふた５６上に支持さ
れている。図４は、ｘｙｚユニット３２の部分を構成し
、ウエハ塔４５の把手４４（図１−３）に挿入する一対
の指４３も示す。指４３は塔をふた５６の中心台座５６
ａに、また中心台座５６ａから移動させることを容易に
する。番号４５ａで示され、半導体ウエハ１８のカセッ
ト１６の上にある他のウエハ塔では、ウエハ１８がカセ
ットより１つづつ取り出されて該ウエハ塔内に配置され
る。図４において、他のカセット１６を図式的に待機位
置で示す。これらのカセットは、半導体ウエハ１８を待
機中のカセット１６から塔４５ａ中の位置に移すことが
できるよう、塔４５ａの下に示される位置等にｘｙｚユ
ニット３２によって移動させるまで待機しているのであ
る。図４は、カセット１６を区隔室１２に導入し、図４
に示される待機位置まで移動させることができる出し入
れ開口部２０も示す。
て開放状態の圧力容器部１１を示す図である。底ぶたを
圧力容器部１１の底を閉じる位置まで上昇させる前に、
半導体ウエハ１８の第１の塔４５がふた５６上に支持さ
れている。図４は、ｘｙｚユニット３２の部分を構成し
、ウエハ塔４５の把手４４（図１−３）に挿入する一対
の指４３も示す。指４３は塔をふた５６の中心台座５６
ａに、また中心台座５６ａから移動させることを容易に
する。番号４５ａで示され、半導体ウエハ１８のカセッ
ト１６の上にある他のウエハ塔では、ウエハ１８がカセ
ットより１つづつ取り出されて該ウエハ塔内に配置され
る。図４において、他のカセット１６を図式的に待機位
置で示す。これらのカセットは、半導体ウエハ１８を待
機中のカセット１６から塔４５ａ中の位置に移すことが
できるよう、塔４５ａの下に示される位置等にｘｙｚユ
ニット３２によって移動させるまで待機しているのであ
る。図４は、カセット１６を区隔室１２に導入し、図４
に示される待機位置まで移動させることができる出し入
れ開口部２０も示す。
【００２２】図５は、半導体ウエハ１８のカセット１６
を区隔室１２中へ導入することができる、出入れ用開口
部２１に隣接した入口開口部２０を示す。図５は、ふた
５６を区隔室の底面５９に隣接した位置まで下降させて
開放状態にある圧力容器部１１も示している。
を区隔室１２中へ導入することができる、出入れ用開口
部２１に隣接した入口開口部２０を示す。図５は、ふた
５６を区隔室の底面５９に隣接した位置まで下降させて
開放状態にある圧力容器部１１も示している。
【００２３】図５は、腕４６が、ｘｙｚユニット３２に
よって運ばれ、該腕が半導体ウエハ１８をカセット１６
から塔４５へ移している状態を明確に示す。スピン手段
４７、４８（図１）がそれぞれのウエハ１８に対し付与
されており、ウエハを腕４６によって対応する塔４５に
配置する際、該ウエハは適当に中心合わせがなされ、し
たがって塔壁をこすることもなく、また、粒子を生成す
ることもない。腕４６は、挿入の際ウエハのひっかきの
を防止するために塔４５のスロットを光学的に発見する
光学デバイス４６ａ（図１）も有している。
よって運ばれ、該腕が半導体ウエハ１８をカセット１６
から塔４５へ移している状態を明確に示す。スピン手段
４７、４８（図１）がそれぞれのウエハ１８に対し付与
されており、ウエハを腕４６によって対応する塔４５に
配置する際、該ウエハは適当に中心合わせがなされ、し
たがって塔壁をこすることもなく、また、粒子を生成す
ることもない。腕４６は、挿入の際ウエハのひっかきの
を防止するために塔４５のスロットを光学的に発見する
光学デバイス４６ａ（図１）も有している。
【００２４】圧力容器部１１は、一対の間隔を置いた、
一般には垂直であるポスト６４および６６（図７）の上
端上に支持されている。ポスト６４および６６は、区隔
室１２を含むハウジングの底面に取り付けるための足６
８上に搭載されている。
一般には垂直であるポスト６４および６６（図７）の上
端上に支持されている。ポスト６４および６６は、区隔
室１２を含むハウジングの底面に取り付けるための足６
８上に搭載されている。
【００２５】ふた５６は塔４５を容器の上端に支持する
円筒状部材５９を含んで成り、該円筒状部材はふた５６
の上部の縁に差し込み接続７０（図６および７）により
結合している。流体ピストンおよびシリンダアッセンブ
リ７２（図６）は、その一端においてリングジョイント
７４と接続されている。アッセンブリ７２の反対側の端
はポスト６４または６６の一方と接続している。ジョイ
ント７４は、その上に差し込み接続手段７０が設けられ
た下部ジョイント部材７６を有する。ふた５６が図６−
８に示す上昇位置に来ると、デバイス７２が励起されて
ふた５６に対し相対的にリングジョイント７４を回転さ
せ、差し込み接続手段７０がふた５６とジョイント７４
を接続する。これによりふた５６がリングジョイント７
４の下リングに閉鎖され、密封される。これが起こる前
に、一つもしくはそれ以上の流体動作パワー・デバイス
７７（図６および図８）の動作により、半導体ウエハ１
８の塔４５が、処理室部１４を形成するベルジャー（ｂ
ｅｌｌ ｊａｒ）内へ導入される。また、デバイス７
７の動作により一対の流体シールも相互に係合する。こ
れらのシールは図１２および２１に示してあり、後に説
明する。塔４５が反応室手段１４に支持されると、加圧
された水蒸気および窒素等のガスが夫々圧力容器および
処理室部に満たされる。これは処理室部内の塔における
半導体ウエハの処理に効果を与えるために行われのであ
る。
円筒状部材５９を含んで成り、該円筒状部材はふた５６
の上部の縁に差し込み接続７０（図６および７）により
結合している。流体ピストンおよびシリンダアッセンブ
リ７２（図６）は、その一端においてリングジョイント
７４と接続されている。アッセンブリ７２の反対側の端
はポスト６４または６６の一方と接続している。ジョイ
ント７４は、その上に差し込み接続手段７０が設けられ
た下部ジョイント部材７６を有する。ふた５６が図６−
８に示す上昇位置に来ると、デバイス７２が励起されて
ふた５６に対し相対的にリングジョイント７４を回転さ
せ、差し込み接続手段７０がふた５６とジョイント７４
を接続する。これによりふた５６がリングジョイント７
４の下リングに閉鎖され、密封される。これが起こる前
に、一つもしくはそれ以上の流体動作パワー・デバイス
７７（図６および図８）の動作により、半導体ウエハ１
８の塔４５が、処理室部１４を形成するベルジャー（ｂ
ｅｌｌ ｊａｒ）内へ導入される。また、デバイス７
７の動作により一対の流体シールも相互に係合する。こ
れらのシールは図１２および２１に示してあり、後に説
明する。塔４５が反応室手段１４に支持されると、加圧
された水蒸気および窒素等のガスが夫々圧力容器および
処理室部に満たされる。これは処理室部内の塔における
半導体ウエハの処理に効果を与えるために行われのであ
る。
【００２６】一対の側支持部材８０および８２がそれぞ
れ対向する側でふた５６と結合している（図６−８）。 支持部材８０および８２はポスト６４および６６に移動
可能に結合しており、そのため上下に動くことができ、
ふた５６を上方に、また、下方に移動させることができ
る。
れ対向する側でふた５６と結合している（図６−８）。 支持部材８０および８２はポスト６４および６６に移動
可能に結合しており、そのため上下に動くことができ、
ふた５６を上方に、また、下方に移動させることができ
る。
【００２７】流体ピストン・シリンダアッセンブリ８４
（図７および８）が、その上端にて固定支持部材８６に
、そしてその下端にて支持部材８０または８２の一方の
上にあるブラケットに結合している。ピストン・シリン
ダアッセンブリ８４は、支持部材８０および８２を図８
の点線の位置から実線の位置まで上昇させるために使用
される。ふた５６は図８の点線の位置から、処理室およ
び圧力容器１１の下端を閉鎖する実線の位置まで移動さ
れる。ピストン・シリンダアッセンブリ８４のシリンダ
に加圧した流体を供給する手段が設けてあり（図示せず
）、該手段がピストンを上方向に引き、ふた部材５６を
図８に示すその実線の位置まで引き上げる。圧力容器１
１に対してふた５６を下降させるため、上記流体は重力
によりピストン・シリンダアッセンブリ８４のシリンダ
から流出する。したがって、ピストン・シリンダアッセ
ンブリ８４のピストンの上端部に加えられた駆動流体の
影響下、上記ふたを下向きに駆動することなしにふた５
６が下降する。
（図７および８）が、その上端にて固定支持部材８６に
、そしてその下端にて支持部材８０または８２の一方の
上にあるブラケットに結合している。ピストン・シリン
ダアッセンブリ８４は、支持部材８０および８２を図８
の点線の位置から実線の位置まで上昇させるために使用
される。ふた５６は図８の点線の位置から、処理室およ
び圧力容器１１の下端を閉鎖する実線の位置まで移動さ
れる。ピストン・シリンダアッセンブリ８４のシリンダ
に加圧した流体を供給する手段が設けてあり（図示せず
）、該手段がピストンを上方向に引き、ふた部材５６を
図８に示すその実線の位置まで引き上げる。圧力容器１
１に対してふた５６を下降させるため、上記流体は重力
によりピストン・シリンダアッセンブリ８４のシリンダ
から流出する。したがって、ピストン・シリンダアッセ
ンブリ８４のピストンの上端部に加えられた駆動流体の
影響下、上記ふたを下向きに駆動することなしにふた５
６が下降する。
【００２８】図９は、互いに対向する側にポスト６４お
よび６６を伴った圧力容器１１を示す。ポストはそれぞ
れ支持部材８０および８２を上方に、また、下方に導く
トラック６７を有し、それによりふた５６は圧力容器１
１に対し相対的に上昇、下降せられる。
よび６６を伴った圧力容器１１を示す。ポストはそれぞ
れ支持部材８０および８２を上方に、また、下方に導く
トラック６７を有し、それによりふた５６は圧力容器１
１に対し相対的に上昇、下降せられる。
【００２９】図１０および図１１は装置１０の流体操作
系の模式図の分図であり、図１０の右端に図示１１の左
端が接続されるものである。
系の模式図の分図であり、図１０の右端に図示１１の左
端が接続されるものである。
【００３０】図１０および図１１の流体系は、脱イオン
水チャネル９２に接続する管路９１を伴った脱イオン水
注入口９０を含む。脱イオン水チャネル９２は、半導体
ウエハ１８の塔４５が配置される処理室９６を形成する
ベルジャー９５の上端上の水蒸気発生器９４に結合する
バルブ９３を有している。水蒸気発生器９４からの水蒸
気は処理室９６に入り、処理室９６中の半導体ウエハを
酸化させる。排気水蒸気は長尺の管路９７を通り、管路
９８に沿って外部に排気される（図１１）。
水チャネル９２に接続する管路９１を伴った脱イオン水
注入口９０を含む。脱イオン水チャネル９２は、半導体
ウエハ１８の塔４５が配置される処理室９６を形成する
ベルジャー９５の上端上の水蒸気発生器９４に結合する
バルブ９３を有している。水蒸気発生器９４からの水蒸
気は処理室９６に入り、処理室９６中の半導体ウエハを
酸化させる。排気水蒸気は長尺の管路９７を通り、管路
９８に沿って外部に排気される（図１１）。
【００３１】窒素あるいは他の不活性ガスを流すために
流体注入口９８（図１０）が設けてある。この窒素また
は他の不活性ガスは番号９９（図１０）で示される高圧
ガスパネルを通り、次いで圧力モニタ１００（図１１）
を通り、管路１０１（図１１）に沿って圧力容器１１に
至る。
流体注入口９８（図１０）が設けてある。この窒素また
は他の不活性ガスは番号９９（図１０）で示される高圧
ガスパネルを通り、次いで圧力モニタ１００（図１１）
を通り、管路１０１（図１１）に沿って圧力容器１１に
至る。
【００３２】酸素を水蒸気のかわりに酸化剤として使用
する場合には、酸素注入口１０３を設けることができる
。洗浄の目的のために、ＨＣｌ等の塩素系化合物を注入
口１０４から洗浄系１０５に供給することができる。 排気系１０６は、希望するときまたは必要と思われる際
に、ガスを管路１０７に沿って大気中に排気するために
設けてある。排気管路１０８は、洗浄目的で使用した後
にＨＣｌを排気するために設けた。
する場合には、酸素注入口１０３を設けることができる
。洗浄の目的のために、ＨＣｌ等の塩素系化合物を注入
口１０４から洗浄系１０５に供給することができる。 排気系１０６は、希望するときまたは必要と思われる際
に、ガスを管路１０７に沿って大気中に排気するために
設けてある。排気管路１０８は、洗浄目的で使用した後
にＨＣｌを排気するために設けた。
【００３３】図１２において、圧力容器１１は円形の上
ぶた１１０を含み、該上ぶた１１０は、相互に隣接しそ
の間に冷却剤を受け入れるための壁１１２および１１３
を有する二重壁ハウジングの上端１１１上に、いずれか
の適切な方法でしっかりと固定してある。ベルジャー９
５が圧力容器１１の内部に設けられており、円筒状の加
熱手段１１４によって取り囲まれている。加熱手段１１
４により、ベルジャー９５の内部が加熱され、したがっ
てベルジャー９５内の塔内にある半導体ウエハ（図２１
）が加熱される。加熱手段１１４は、円筒形であり、か
つベルジャー９５の外表面を取り囲む、二つもしくはそ
れ以上の部分から構成することができる。加熱手段１１
４との適切な電気的接続は迅速かつ容易に行うことがで
き、加熱手段１１４に電力を供給することができる。
ぶた１１０を含み、該上ぶた１１０は、相互に隣接しそ
の間に冷却剤を受け入れるための壁１１２および１１３
を有する二重壁ハウジングの上端１１１上に、いずれか
の適切な方法でしっかりと固定してある。ベルジャー９
５が圧力容器１１の内部に設けられており、円筒状の加
熱手段１１４によって取り囲まれている。加熱手段１１
４により、ベルジャー９５の内部が加熱され、したがっ
てベルジャー９５内の塔内にある半導体ウエハ（図２１
）が加熱される。加熱手段１１４は、円筒形であり、か
つベルジャー９５の外表面を取り囲む、二つもしくはそ
れ以上の部分から構成することができる。加熱手段１１
４との適切な電気的接続は迅速かつ容易に行うことがで
き、加熱手段１１４に電力を供給することができる。
【００３４】ベルジャー９５は薄壁の不活性物質、たと
えば石英から成り、図２１に示すように湾曲した底１１
５を有し（図２１）、底１１５は角のある下方向に延長
した部分１１６（図１２）を有し、ベルジャー９５の底
にあるフランジ１１９の底面と係合する輪状のシール１
１８を付与された水平の輪状部分１１７を有する。シー
ル１２０は、フランジ１１９と圧力容器１１の壁１１３
上にあるフランジ１２１の間で係合する。フランジ１１
７および１１９はともに石英で構成されており、開口部
１１８および１２０（図１２）により石英−石英シール
をなす。これらのシールは、動力デバイス７７（図６お
よび８）が動作された際に互いに係合する。
えば石英から成り、図２１に示すように湾曲した底１１
５を有し（図２１）、底１１５は角のある下方向に延長
した部分１１６（図１２）を有し、ベルジャー９５の底
にあるフランジ１１９の底面と係合する輪状のシール１
１８を付与された水平の輪状部分１１７を有する。シー
ル１２０は、フランジ１１９と圧力容器１１の壁１１３
上にあるフランジ１２１の間で係合する。フランジ１１
７および１１９はともに石英で構成されており、開口部
１１８および１２０（図１２）により石英−石英シール
をなす。これらのシールは、動力デバイス７７（図６お
よび８）が動作された際に互いに係合する。
【００３５】フィードスルー（ｆｅｅｄ ｔｈｒｏｕ
ｇｈ）コネクタ１２２および１２３（図１２）が圧力容
器１１に支持されており、これらは圧力容器１１の内部
にパワーリードを提供し、ヒーター１１４および他のヒ
ーター、たとえばベルジャー９５上の上部平面ヒーター
１２４および、底５６（図２１）の下の下部平面ヒータ
ー１２５を励起する。流体入力装置１２６および流体出
力装置１２７は、窒素等の不活性ガスを圧力容器１１の
内部でベルジャー９５の周囲に導くために設けてある。
ｇｈ）コネクタ１２２および１２３（図１２）が圧力容
器１１に支持されており、これらは圧力容器１１の内部
にパワーリードを提供し、ヒーター１１４および他のヒ
ーター、たとえばベルジャー９５上の上部平面ヒーター
１２４および、底５６（図２１）の下の下部平面ヒータ
ー１２５を励起する。流体入力装置１２６および流体出
力装置１２７は、窒素等の不活性ガスを圧力容器１１の
内部でベルジャー９５の周囲に導くために設けてある。
【００３６】上下冷却板１２７および１２８は、水等の
冷却剤を受け入れるために設置されており、それぞれヒ
ーター１２４のすぐ上およびヒーター１２５のすぐ下に
設けてある（図１２）。水蒸気注入口１２９は開口部１
３０を通ってベルジャー９５内部に達しており（図１２
）、図２１に示すようにベルジャー９５の底１１５の近
辺において下開口部１３１を有する。
冷却剤を受け入れるために設置されており、それぞれヒ
ーター１２４のすぐ上およびヒーター１２５のすぐ下に
設けてある（図１２）。水蒸気注入口１２９は開口部１
３０を通ってベルジャー９５内部に達しており（図１２
）、図２１に示すようにベルジャー９５の底１１５の近
辺において下開口部１３１を有する。
【００３７】電力入力コネクタ１２２およびガス注入口
１２６を、水蒸気注入口１２９および水蒸気排出口１３
２を有するベルジャー９５との取囲み関係において図１
３に示す。第２の電力導入ユニット１２２を設けること
ができる。さらに、チューブ１３３をベルジャー９５の
外周のまわりに配置し、その中に熱電対を配してベルジ
ャー９５外表面の近傍の温度を測定することができる。 この温度測定により、ベルジャー９５内部の水蒸気また
は酸素の温度の目安が得られる。
１２６を、水蒸気注入口１２９および水蒸気排出口１３
２を有するベルジャー９５との取囲み関係において図１
３に示す。第２の電力導入ユニット１２２を設けること
ができる。さらに、チューブ１３３をベルジャー９５の
外周のまわりに配置し、その中に熱電対を配してベルジ
ャー９５外表面の近傍の温度を測定することができる。 この温度測定により、ベルジャー９５内部の水蒸気また
は酸素の温度の目安が得られる。
【００３８】平面ヒーター１２４および１２５（図１２
）は図１４に示すヒーターの形状を有する。該ヒーター
は、同一平面上にある複数の平行セグメントを有し、該
セグメントは図１４において番号１２４ａで示される。 上記セグメントは両端において相互に結合して所定の長
さの単一のセグメントを形成し、ヒーターを加熱するた
めに電力を供給する端子１４０および１４１に接続され
ている。隔離石英リブ１４２は、ヒーターのセグメント
が隣接する構造、たとえばヒーター１２５に隣接する冷
却板１２８（図１２）など物理的に接触することを防止
するために設けられている。離隔石英リブ１４２を、冷
却板１２８の上面と係合した状態で図１５に示す。
）は図１４に示すヒーターの形状を有する。該ヒーター
は、同一平面上にある複数の平行セグメントを有し、該
セグメントは図１４において番号１２４ａで示される。 上記セグメントは両端において相互に結合して所定の長
さの単一のセグメントを形成し、ヒーターを加熱するた
めに電力を供給する端子１４０および１４１に接続され
ている。隔離石英リブ１４２は、ヒーターのセグメント
が隣接する構造、たとえばヒーター１２５に隣接する冷
却板１２８（図１２）など物理的に接触することを防止
するために設けられている。離隔石英リブ１４２を、冷
却板１２８の上面と係合した状態で図１５に示す。
【００３９】流体管路１４４は、図１６に示されるよう
に管状である冷却板１２８に冷却剤を供給するために設
けられている。冷却板１２８は一端１４６にて冷却剤を
受け入れ、該冷却剤は番号１４７で示される種々の通路
を通って流れ、冷却板１２８にもどるまでに、更なる冷
却操作のため出口１４８よりレザーバーにもどる。隔離
石英リブ１４２も図１６に示されており、流体通路１４
７は図１７の冷却板１２８に示されている。
に管状である冷却板１２８に冷却剤を供給するために設
けられている。冷却板１２８は一端１４６にて冷却剤を
受け入れ、該冷却剤は番号１４７で示される種々の通路
を通って流れ、冷却板１２８にもどるまでに、更なる冷
却操作のため出口１４８よりレザーバーにもどる。隔離
石英リブ１４２も図１６に示されており、流体通路１４
７は図１７の冷却板１２８に示されている。
【００４０】水蒸気発生器９４を図１８、１９および２
０に示す。この水蒸気発生器９４はベルジャー９５の上
もしくは頂上９５ａの上に、またそれに隣接して設けて
ある。上記水蒸気発生器９４は脱イオン水を受け入れる
ための入口管１６０を含む（図１８）。脱イオン水は水
蒸気発生器９４に入ったのち、脱イオン水のための曲路
を形成するバックル１６２を経て通路１６１（図２０）
を通って移動する。酸化剤として酸素を使用する場合、
管１０６ａにて導入する（図１９および２０）。加熱手
段１６３が通路１６１を取り囲んでおり、脱イオン水を
過熱して第１の圧における水蒸気を生成する。この水蒸
気は通路１６４を経て開口部１６６を有する管１６５に
まで続き、該開口部を通して加熱手段１６９に囲まれた
外側管１６７と交わり、過熱されて第２の温度および圧
になる。外側管１６７は管路１２９（図１２）に接続し
た水蒸気出口１６８に結合しており、過熱水蒸気は管路
１２９を通ってベルジャー９５内に入り、出口開口部１
３１にてベルジャー内に入る（図２１）。水蒸気はベル
ジャー９５より管路１６９（図１９）に沿って出る。ベ
ルジャー９５内の水蒸気の圧とベルジャー９５外の窒素
の圧を等しくする等圧化手段１７０を設けることができ
る。かくして、薄壁石英ベルジャー９５が本発明におい
て使用できるのである。
０に示す。この水蒸気発生器９４はベルジャー９５の上
もしくは頂上９５ａの上に、またそれに隣接して設けて
ある。上記水蒸気発生器９４は脱イオン水を受け入れる
ための入口管１６０を含む（図１８）。脱イオン水は水
蒸気発生器９４に入ったのち、脱イオン水のための曲路
を形成するバックル１６２を経て通路１６１（図２０）
を通って移動する。酸化剤として酸素を使用する場合、
管１０６ａにて導入する（図１９および２０）。加熱手
段１６３が通路１６１を取り囲んでおり、脱イオン水を
過熱して第１の圧における水蒸気を生成する。この水蒸
気は通路１６４を経て開口部１６６を有する管１６５に
まで続き、該開口部を通して加熱手段１６９に囲まれた
外側管１６７と交わり、過熱されて第２の温度および圧
になる。外側管１６７は管路１２９（図１２）に接続し
た水蒸気出口１６８に結合しており、過熱水蒸気は管路
１２９を通ってベルジャー９５内に入り、出口開口部１
３１にてベルジャー内に入る（図２１）。水蒸気はベル
ジャー９５より管路１６９（図１９）に沿って出る。ベ
ルジャー９５内の水蒸気の圧とベルジャー９５外の窒素
の圧を等しくする等圧化手段１７０を設けることができ
る。かくして、薄壁石英ベルジャー９５が本発明におい
て使用できるのである。
【００４１】次に、操作について説明する。最初に、半
導体ウエハ１８のカセット１６を区隔室１２（図１−５
）に導入することにより、装置１０の操作準備をする。 半導体ウエハ１８は、処理するために水蒸気および高圧
水蒸気もしくは酸素、または水蒸気と酸素の混合物にさ
らされる。
導体ウエハ１８のカセット１６を区隔室１２（図１−５
）に導入することにより、装置１０の操作準備をする。 半導体ウエハ１８は、処理するために水蒸気および高圧
水蒸気もしくは酸素、または水蒸気と酸素の混合物にさ
らされる。
【００４２】カセット１６からのウエハ１８をｘｙｚユ
ニット３２により図２１に示す型の石英塔４５内に移し
、塔４５を把手４４により持ち上げてベルジャー９５の
底１１５（図２１）を支持するふた５６上に載せる。
ニット３２により図２１に示す型の石英塔４５内に移し
、塔４５を把手４４により持ち上げてベルジャー９５の
底１１５（図２１）を支持するふた５６上に載せる。
【００４３】ふた５６を図８に示す位置まで下降させた
際、処理すべき積層した半導体ウエハ１８を含む塔４５
をふた５６上に移す。流体駆動装置８４の動作により、
ふた５６は塔４５を載せて上昇し、ベルジャーの底１１
５が本質的には図２１に示されるように塔４５を支持す
る。ふた５６は図８に示すように実線位置まで動かされ
る。すると、パワーデバイス７２（図６）が励起されて
ふた５６に対し相対的にリングジョイント７４を回転さ
せ、差し込み手段７０がふた５６を底リング７６に結合
させてロックする。これが起こるとシールが形成され（
図１２および２１）、ふた５６（図２１）が、図２１に
示すように塔４５をベルジャー９５内に配置した状態で
ベルジャー９５の底を閉鎖する。
際、処理すべき積層した半導体ウエハ１８を含む塔４５
をふた５６上に移す。流体駆動装置８４の動作により、
ふた５６は塔４５を載せて上昇し、ベルジャーの底１１
５が本質的には図２１に示されるように塔４５を支持す
る。ふた５６は図８に示すように実線位置まで動かされ
る。すると、パワーデバイス７２（図６）が励起されて
ふた５６に対し相対的にリングジョイント７４を回転さ
せ、差し込み手段７０がふた５６を底リング７６に結合
させてロックする。これが起こるとシールが形成され（
図１２および２１）、ふた５６（図２１）が、図２１に
示すように塔４５をベルジャー９５内に配置した状態で
ベルジャー９５の底を閉鎖する。
【００４４】石英シールはＯリングシール１１８および
１２０（図１２）にて形成され、次いで水蒸気発生器９
４よりの水蒸気が生成されベルジャー９５の内部に導入
される。次いで加圧窒素が圧力容器１１内に導入される
。窒素の圧力は処理室内の水蒸気の圧力に比べてわずか
に正圧であり、水蒸気と窒素の圧は電子的手段により制
御され、ベルジャー９５内の水蒸気圧はベルジャー９５
外の窒素圧に比べてわずかに（１％）少なく保たれる。 このようにして、ベルジャー９５の破壊の虞れ無く、ベ
ルジャー壁を薄くすることができるのである。この特徴
はベルジャーのコストを下げ、重量が小さくなることか
らその取り扱を簡便なものとする。また、この特徴は熱
伝導を改良する。
１２０（図１２）にて形成され、次いで水蒸気発生器９
４よりの水蒸気が生成されベルジャー９５の内部に導入
される。次いで加圧窒素が圧力容器１１内に導入される
。窒素の圧力は処理室内の水蒸気の圧力に比べてわずか
に正圧であり、水蒸気と窒素の圧は電子的手段により制
御され、ベルジャー９５内の水蒸気圧はベルジャー９５
外の窒素圧に比べてわずかに（１％）少なく保たれる。 このようにして、ベルジャー９５の破壊の虞れ無く、ベ
ルジャー壁を薄くすることができるのである。この特徴
はベルジャーのコストを下げ、重量が小さくなることか
らその取り扱を簡便なものとする。また、この特徴は熱
伝導を改良する。
【００４５】５０ウエハバッチのための典型的な処理操
作は表１および表２に示す処理１および処理２であって
、以下の通りである。
作は表１および表２に示す処理１および処理２であって
、以下の通りである。
【００４６】
表１
処理１：
１０気圧，９２０
℃，４６００Å
時間 圧力ス
テップ （分） 温度℃
（気圧） ガススタンバイ
− ５００
１ Ｎ２ 、１０ＬＰＭ押し／ロック
３．０ ５００ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 温度上昇
１７．０ ５００−９２０ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 水蒸気パージ ５．０
９２０ １ Ｈ
２ Ｏ、８ｃｃ／分圧力上昇 ５．０
９２０ １→１０ Ｈ２
Ｏ、８ｃｃ／分酸化 １４．０
９２０ １０ Ｈ２
Ｏ、８ｃｃ／分減圧 ５．０
９２０ １０→１ なし
アニーリング ２０．０ ９２０
１ Ｎ２ 温度下降
１７．０ ９２０−５００ １
Ｎ２ 抜き出し ３．０
５００ １ Ｎ２ 塔
移動 全処理時間
＝９０分
表１
処理１：
１０気圧，９２０
℃，４６００Å
時間 圧力ス
テップ （分） 温度℃
（気圧） ガススタンバイ
− ５００
１ Ｎ２ 、１０ＬＰＭ押し／ロック
３．０ ５００ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 温度上昇
１７．０ ５００−９２０ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 水蒸気パージ ５．０
９２０ １ Ｈ
２ Ｏ、８ｃｃ／分圧力上昇 ５．０
９２０ １→１０ Ｈ２
Ｏ、８ｃｃ／分酸化 １４．０
９２０ １０ Ｈ２
Ｏ、８ｃｃ／分減圧 ５．０
９２０ １０→１ なし
アニーリング ２０．０ ９２０
１ Ｎ２ 温度下降
１７．０ ９２０−５００ １
Ｎ２ 抜き出し ３．０
５００ １ Ｎ２ 塔
移動 全処理時間
＝９０分
【００４７】
表２
処理２：
１０気圧，８５０
℃，１５００Å
時間 圧力ス
テップ （分） 温度℃
（気圧） ガススタンバイ
− ５００
１ Ｎ２ 、１０ＬＰＭ押し／ロック
３．０ ５００ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 温度上昇
１４．０ ５００−８５０ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 水蒸気パージ ５．０
８５０ １ Ｈ
２ Ｏ、８ｃｃ／分圧力上昇 ５．０
８５０ １→１０ Ｈ２
Ｏ、８ｃｃ／分酸化 ７．０
８５０ １０ Ｈ
２ Ｏ、８ｃｃ／分減圧 ５．
０ ８５０ １０→１ な
しアニーリング ２０．０ ８５０
１ Ｎ２ 温度下降
１４．０ ８５０−５００ １
Ｎ２ 抜き出し ３．０
５００ １ Ｎ２
塔移動 全処理時間
＝８０分
表２
処理２：
１０気圧，８５０
℃，１５００Å
時間 圧力ス
テップ （分） 温度℃
（気圧） ガススタンバイ
− ５００
１ Ｎ２ 、１０ＬＰＭ押し／ロック
３．０ ５００ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 温度上昇
１４．０ ５００−８５０ １
Ｎ２ ＋１％Ｏ２ 水蒸気パージ ５．０
８５０ １ Ｈ
２ Ｏ、８ｃｃ／分圧力上昇 ５．０
８５０ １→１０ Ｈ２
Ｏ、８ｃｃ／分酸化 ７．０
８５０ １０ Ｈ
２ Ｏ、８ｃｃ／分減圧 ５．
０ ８５０ １０→１ な
しアニーリング ２０．０ ８５０
１ Ｎ２ 温度下降
１４．０ ８５０−５００ １
Ｎ２ 抜き出し ３．０
５００ １ Ｎ２
塔移動 全処理時間
＝８０分
【００４８】工程が終了すると、水蒸気、窒素のいずれ
も、それぞれ図１１に示す水蒸気出口およびガス出口を
通って大気中に排気される。このサイクルの間、ベルジ
ャー９５の石英壁を横切っていかなる有意な圧力差も発
生せず、石英壁が破損するすることはない。
も、それぞれ図１１に示す水蒸気出口およびガス出口を
通って大気中に排気される。このサイクルの間、ベルジ
ャー９５の石英壁を横切っていかなる有意な圧力差も発
生せず、石英壁が破損するすることはない。
【００４９】水蒸気発生器全体は石英等の高純度物質か
ら作られており、ベルジャーの処理室内部が汚染される
ことを防止することができ、したがって、処理室９６内
のウエハが汚染されることを防止することができる。水
蒸気発生器の構造は、水滴が処理室９６内に入ることを
防止する構造になっている。
ら作られており、ベルジャーの処理室内部が汚染される
ことを防止することができ、したがって、処理室９６内
のウエハが汚染されることを防止することができる。水
蒸気発生器の構造は、水滴が処理室９６内に入ることを
防止する構造になっている。
【００５０】水蒸気発生器のヒーターは、グラファイト
等の高純度な物質からなり、水蒸気発生器の石英材質の
金属汚染が最小限におさえられる。
等の高純度な物質からなり、水蒸気発生器の石英材質の
金属汚染が最小限におさえられる。
【００５１】処理室ヒーターは、処理室９６を加熱する
ことに関し、処理室の領域全体が特定の操作温度に加熱
されることにおいて独自のものである。高パワーグラフ
ァイトを使用しているため迅速に加熱でき、また、冷却
板が近接に設置され、ベルジャー体の熱的質量が小さい
ため、迅速に冷却可能である。高純度グラファイトから
なるヒーターの使用により、圧力容器全体もしくはベル
ジャー９５全体が金属汚染を免れることができる。ベル
ジャーの設計は真空から１００気圧に至る広範囲の加圧
に適するものである。
ことに関し、処理室の領域全体が特定の操作温度に加熱
されることにおいて独自のものである。高パワーグラフ
ァイトを使用しているため迅速に加熱でき、また、冷却
板が近接に設置され、ベルジャー体の熱的質量が小さい
ため、迅速に冷却可能である。高純度グラファイトから
なるヒーターの使用により、圧力容器全体もしくはベル
ジャー９５全体が金属汚染を免れることができる。ベル
ジャーの設計は真空から１００気圧に至る広範囲の加圧
に適するものである。
【００５２】本発明の処理室は低い熱的質量を有するた
め、該処理室を使用して達成可能なプロセスを実行する
にあたり、速いレスポンス・タイムが得られる。処理室
に係る金属汚染は一切なく、処理室を取り囲むヒーター
はグラファイトヒータであるため、本発明の無金属汚染
性がさらに加えれらる。セラミック部材も繊維状絶縁物
も使用しておらず、系全体にわたって粒子発生源の使用
は最小限におさえられる。
め、該処理室を使用して達成可能なプロセスを実行する
にあたり、速いレスポンス・タイムが得られる。処理室
に係る金属汚染は一切なく、処理室を取り囲むヒーター
はグラファイトヒータであるため、本発明の無金属汚染
性がさらに加えれらる。セラミック部材も繊維状絶縁物
も使用しておらず、系全体にわたって粒子発生源の使用
は最小限におさえられる。
【００５３】処理室は、５０枚のプロセスウエハおよび
、多数のガードおよびテストウエハを含む、６０ウエハ
用に設計してある。処理室および半導体ウエハのために
分離した水蒸気発生器を設け、半導体ウエハは処理室そ
れ自身の内部にて加熱され冷却される。ウエハは冷端を
有しないヒーターによって囲まれている。本発明のヒー
ターによれば、より大きな温度制御が達成される。ヒー
ターからの熱の対流は最小限しかなく、そのようなヒー
ターを用いることにより、より高い酸化物均質性が達成
される。白色粉体の堆積も最小限しか起こらない。
、多数のガードおよびテストウエハを含む、６０ウエハ
用に設計してある。処理室および半導体ウエハのために
分離した水蒸気発生器を設け、半導体ウエハは処理室そ
れ自身の内部にて加熱され冷却される。ウエハは冷端を
有しないヒーターによって囲まれている。本発明のヒー
ターによれば、より大きな温度制御が達成される。ヒー
ターからの熱の対流は最小限しかなく、そのようなヒー
ターを用いることにより、より高い酸化物均質性が達成
される。白色粉体の堆積も最小限しか起こらない。
【００５４】本発明のシステムによれば、最適の汚染制
御がなされる。この目的のために、ヒーターは高純度の
グラファイトであってセラミックスの絶縁は一切用いて
おらず、入口ブロックは一切用いておらず、石英ウール
は一切用いておらず、またカンタル（重金属源）も一切
使用していない。ヒーターは、ウエハから完全に孤立し
ている。
御がなされる。この目的のために、ヒーターは高純度の
グラファイトであってセラミックスの絶縁は一切用いて
おらず、入口ブロックは一切用いておらず、石英ウール
は一切用いておらず、またカンタル（重金属源）も一切
使用していない。ヒーターは、ウエハから完全に孤立し
ている。
【００５５】水蒸気発生器が処理室に対して外側にある
ため、処理室の内部が汚染されることがない。冷表面が
除去されているためシリカの堆積が防止される。
ため、処理室の内部が汚染されることがない。冷表面が
除去されているためシリカの堆積が防止される。
【００５６】温度上昇および温度下降の間、ウエハは処
理室内部にある。一般的に、本発明の方法および装置に
よって実行される処理は低温処理、たとえば６００℃か
ら７００℃の間にあるものであって、適度の処理能力が
得られ、また移入された種の拡散が最小のものである。 本発明のシステムにより達成可能な層流により、ウエハ
の粒子汚染が減少する。本発明のシステムを用いて実行
できる他の一つの処理は、再流（リフロー）処理である
。
理室内部にある。一般的に、本発明の方法および装置に
よって実行される処理は低温処理、たとえば６００℃か
ら７００℃の間にあるものであって、適度の処理能力が
得られ、また移入された種の拡散が最小のものである。 本発明のシステムにより達成可能な層流により、ウエハ
の粒子汚染が減少する。本発明のシステムを用いて実行
できる他の一つの処理は、再流（リフロー）処理である
。
【００５７】本発明の装置における層流は水平流であり
、ウエハは区隔室内部の処理室の外部において、また、
処理室内部においてすべて水平に置かれている。区隔室
内のすべての層流は、それぞれのカセットの口に向かっ
ている。カセットの角においていかなる斜の流も存在し
ない。潜在的粒子発生源はすべて個々に排出され、区隔
室内においてすべてのメカニズムはウエハの下流でなさ
れる。
、ウエハは区隔室内部の処理室の外部において、また、
処理室内部においてすべて水平に置かれている。区隔室
内のすべての層流は、それぞれのカセットの口に向かっ
ている。カセットの角においていかなる斜の流も存在し
ない。潜在的粒子発生源はすべて個々に排出され、区隔
室内においてすべてのメカニズムはウエハの下流でなさ
れる。
【図１】 図１は半導体ウエハを圧力容器中の処理室
に配置するためのｘｙｚ移動ユニットを示す上から見た
平面概念図である。
に配置するためのｘｙｚ移動ユニットを示す上から見た
平面概念図である。
【図２】 図２は図１の要素の組み合わせを示す横か
ら見た側面概念図であり、ボトム・ローディング処理室
において処理される半導体ウエハを含む垂直塔を示す。
ら見た側面概念図であり、ボトム・ローディング処理室
において処理される半導体ウエハを含む垂直塔を示す。
【図３】 図３は図２と同様の側面概念図であり、清
浄空気が高圧室から出て、処理室に隣接して積層された
カセット内のウエハを通過し、クリーンルーム区隔室内
にあるその処理室が置かれたクリーンルーム雰囲気の空
気流通路へ流れていく様子を示す。
浄空気が高圧室から出て、処理室に隣接して積層された
カセット内のウエハを通過し、クリーンルーム区隔室内
にあるその処理室が置かれたクリーンルーム雰囲気の空
気流通路へ流れていく様子を示す。
【図４】 図４は部分的に切り欠いた装置の斜視図で
あり、半導体ウエハの塔が冷却されているときに他の半
導体ウエハの塔が処理室内に上げられようとしている状
態を示す。
あり、半導体ウエハの塔が冷却されているときに他の半
導体ウエハの塔が処理室内に上げられようとしている状
態を示す。
【図５】 図５は半導体ウエハのカセットおよび処理
室があるクリーンルーム区隔室の内部を別の角度から見
た図４と同様の斜視図であり、そこでは処理室の底が開
けてある。
室があるクリーンルーム区隔室の内部を別の角度から見
た図４と同様の斜視図であり、そこでは処理室の底が開
けてある。
【図６】 図６は処理室を含む圧力容器を一つの側面
から見た側面図であり、そこでは圧力容器の底は閉じて
いる。
から見た側面図であり、そこでは圧力容器の底は閉じて
いる。
【図７】 図７は処理室を含む圧力容器の背面図であ
る。
る。
【図８】 図８は処理室を含む圧力容器を反対側から
見た側面図であり、圧力容器の下部ふたの下降位置が点
線で示されている。
見た側面図であり、圧力容器の下部ふたの下降位置が点
線で示されている。
【図９】 図９は圧力容器を上から見た平面図である
。
。
【図１０】 図１０は本発明の装置の流体装置系の構
成図の分図である。
成図の分図である。
【図１１】 図１１は本発明の装置の流体装置系の構
成図の分図であり、図１０と組合わされて全体を構成す
る。
成図の分図であり、図１０と組合わされて全体を構成す
る。
【図１２】 図１２は圧力容器内の処理室の垂直断面
図であり、ここでは処理室は石英などの不活性物質から
なるベルジャーにより形成され、ベルジャー内に配置さ
れる半導体ウエハの塔を加熱するためのヒーターで囲ま
れている。
図であり、ここでは処理室は石英などの不活性物質から
なるベルジャーにより形成され、ベルジャー内に配置さ
れる半導体ウエハの塔を加熱するためのヒーターで囲ま
れている。
【図１３】 図１３は図１０の処理室および圧力容器
の水平断面図である。
の水平断面図である。
【図１４】 図１４はベルジャー内において半導体ウ
エハを加熱するためにベルジャーの上端または下端に設
けられる平らなグラファイト・ヒーターの平面図である
。
エハを加熱するためにベルジャーの上端または下端に設
けられる平らなグラファイト・ヒーターの平面図である
。
【図１５】 図１５はベルジャーの底を冷却するため
の、ベルジャーの底用冷却板アッセンブリを正面から見
た正面図である。
の、ベルジャーの底用冷却板アッセンブリを正面から見
た正面図である。
【図１６】 図１６はベルジャー上端近傍の冷却板の
流体通路を底から見た底面図である。
流体通路を底から見た底面図である。
【図１７】 図１７は図１６の線１７−１７に沿って
見た断面図である。
見た断面図である。
【図１８】 図１８は本発明の処理室を構成するベル
ジャーの上の水蒸気発生器を上から見た平面図である。
ジャーの上の水蒸気発生器を上から見た平面図である。
【図１９】 図１９は図１８に示した水蒸気発生器を
一側面から見た側面図である。
一側面から見た側面図である。
【図２０】 図２０は図１８および１９に示した水蒸
気発生器の垂直断面図である。
気発生器の垂直断面図である。
【図２１】 図２１は処理室および圧力容器の垂直断
面図であり、半導体ウエハの塔がベルジャー内に搭載さ
れてベルジャーの底ぶたが所定の位置に配置している状
態を示す。
面図であり、半導体ウエハの塔がベルジャー内に搭載さ
れてベルジャーの底ぶたが所定の位置に配置している状
態を示す。
１０は半導体ウエハのバッチ処理装置、１１は圧力容器
、１２は区隔室、１４は処理室部、１６はカセット、１
８は半導体ウエハ、２８は高圧室、３０は超高性能フィ
ルター、３２はｘｙｚ移動ユニツト、４５は塔、５６は
底ふた、７０は差し込み手段、７２はピストン・シリン
ダアッセンブリ、７４はリングジョイント、８４はピス
トン・シリンダアッセンブリ、９４は水蒸気発生装置、
９５はベルジャー、９６は処理室、９８は流体注入口、
１０３は酸素注入口、１１４は加熱手段、１２７、１２
８は冷却板、１２９は水蒸気注入口である。
、１２は区隔室、１４は処理室部、１６はカセット、１
８は半導体ウエハ、２８は高圧室、３０は超高性能フィ
ルター、３２はｘｙｚ移動ユニツト、４５は塔、５６は
底ふた、７０は差し込み手段、７２はピストン・シリン
ダアッセンブリ、７４はリングジョイント、８４はピス
トン・シリンダアッセンブリ、９４は水蒸気発生装置、
９５はベルジャー、９６は処理室、９８は流体注入口、
１０３は酸素注入口、１１４は加熱手段、１２７、１２
８は冷却板、１２９は水蒸気注入口である。
Claims (39)
- 【請求項１】 半導体ウエハを処理する装置にして：
圧力容器と；前記圧力容器内にあって処理室を有する中
空体であり、該圧力容器および該中空体がそれぞれ複数
のウエハを一単位として該圧力容器の下方にある位置か
ら前記処理室内部の位置に移動させる際にウエハを受け
いれるための下開口部を有する前記中空体と；前記下開
口部を閉鎖するために前記圧力容器に結合し、且つ前記
圧力容器に対し垂直に移動可能な動作手段と；前記処理
室内に高圧の酸化剤を導入するため前記中空体に結合し
た手段と；前記圧力容器内に加圧した不活性ガスを導入
するための手段と；前記処理室内の酸化剤を加熱するた
めの手段と；前記処理室内でウエハを処理したのち前記
中空体を冷却するための手段と；前記圧力容器と前記中
空体に結合して不活性ガスと酸化剤の圧力を等しくし、
本質的に該不活性ガスを該酸化剤から隔離するための手
段と、を具えることを特徴とする半導体ウエハの処理装
置。 - 【請求項２】 前記中空体がベルジャー形状であり、
且つ不活性物質からなる請求項１記載の半導体ウエハの
処理装置。 - 【請求項３】 前記処理室内部に酸化剤を導くための
手段が流体入口を有する水蒸気発生器を含み、脱イオン
水源が該水蒸気発生器の入口に結合している請求項１記
載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項４】 前記水蒸気発生器が流体入口およびバ
ッフル手段を有する管を含み、該バッフル手段が上記管
内を通る流体の流れのために曲路を形成する請求項３記
載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項５】 前記管およびバッフル手段が不活性物
質よりなる請求項４記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項６】 前記管内を流れる脱イオン水を加熱す
るため、該管を取り囲むヒーターが含まれている請求項
４記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項７】 前記水蒸気発生器が第１の管に結合し
た第２の管および該第２の管を取り囲む第３の管を含み
、該第２の管に、該第２の管および該第３の管の間で流
体が相互に伝わるための孔が設けられており、該第３の
管を取り囲んでヒーターが設けられている請求項４記載
の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項８】 前記孔が前記第２の管の上端に設けら
れている請求項７記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項９】 前記第３の管に、該第３の管から流体
が前記処理室内に伝わるための手段を設けた請求項７記
載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項１０】 前記第２および前記第３の管が不活
性物質よりなる請求項７記載の半導体ウエハの処理装置
。 - 【請求項１１】 前記酸化剤加熱手段が、前記圧力容
器内にあって、前記処理室の内部を加熱するために前記
中空体の近傍外側に設けられたヒーターを含む請求項１
記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項１２】 前記加熱手段が前記中空体の上方お
よび下方に一対の平面ヒーターを含む請求項１１記載の
半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項１３】 前記中空体が上部壁および下部壁を
有し、前記平面ヒーターがそれぞれ該上部壁および該下
部壁に隣接する請求項１２記載の半導体ウエハの処理装
置。 - 【請求項１４】 前記冷却手段が前記中空体に隣接す
る冷却板を含む請求項１記載の半導体ウエハの処理装置
。 - 【請求項１５】 前記中空体が上部壁と下部壁を含み
、前記冷却手段が該上部壁および該下部壁のそれぞれの
近傍に上部冷却板および下部冷却板を含み、且つ該冷却
板を冷却剤源に結合する手段を含む請求項１２記載の半
導体ウエハの処理装置。 - 【請求項１６】 前記等圧化および前記隔離手段が、
前記中空体および前記圧力容器への水蒸気およびガスの
それぞれの流れを制御するための電子回路およびバルブ
手段を含む請求項１記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項１７】 前記閉鎖手段が動作した際に前記中
空体と該閉鎖手段の間の接合を密封するための、密封手
段を該閉鎖手段と該中空体の間に含む請求項１６記載の
半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項１８】 前記閉鎖手段が前記圧力容器内のも
のと、該圧力容器および前記中空体のそれぞれの下開口
部に対して閉鎖関係に至るまで上方に向って動くことが
できるものとの一対のふた部材を含み、さらに該ふた部
材をその操作位置に、およびその操作位置から垂直に移
動させる手段を含む請求項１記載の半導体ウエハの処理
装置。 - 【請求項１９】 前記ふた部材を動かすための手段が
前記圧力容器下方の流体動作パワーデバイスを含む請求
項１６記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項２０】 前記圧力容器内に前記水蒸気発生器
が含まれており、該発生装置が前記処理室を少くとも１
００気圧に加圧操作可能であり、該圧力容器内部に不活
性ガスを供給する手段が少くとも１００気圧に加圧操作
可能である請求項１記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項２１】 前記処理室内部の水蒸気を６００℃
−１１００℃の範囲の温度に加熱する手段を含む請求項
１記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項２２】 前記温度が６００℃−１１００℃で
ある請求項１９記載の半導体ウエハの処理装置。 - 【請求項２３】 複数の半導体ウエハを処理する方法
にして：下開口部を有する第２の空間を取り囲む下開口
部を有する第１の空間を形成し；複数の半導体ウエハを
前記下開口部より前記第１および前記第２の空間内部に
挿入し；前記下開口部を大気に対して閉鎖し；加圧不活
性ガスを前記第１の空間内に導入し；加圧酸化剤を前記
第２の空間内に導入し；ウエハを処理温度まで加熱し；
ウエハを処理後、前記第２の空間のウエハを冷却し；前
記第１および前記第２の空間を本質的に相互に隔離した
状態で該第１および該第２の空間の圧力を平衡させるこ
とを特徴とする複数の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項２４】 前記不活性ガスが窒素であり、前記
酸化剤が水蒸気および酸素を含む群から選ばれた気体で
ある請求項２３記載の複数の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項２５】 ウエハ処理時の前記第１および前記
第２の空間の流体圧力が真空から１０ないし２５気圧の
範囲にある請求項２３記載の複数の半導体ウエハの処理
方法。 - 【請求項２６】 前記空間の流体圧力が約１００気圧
である請求項２３記載の複数の半導体ウエハの処理方法
。 - 【請求項２７】 処理温度が０℃から１１００℃の範
囲にある請求項２３記載の複数の半導体ウエハの処理方
法。 - 【請求項２８】 処理温度が６００℃から１１００℃
の範囲にある請求項２３記載の複数の半導体ウエハの処
理方法。 - 【請求項２９】 処理温度が約９００℃であり、前記
空間内の流体圧力が約１０ないし２５気圧である請求項
２３記載の複数の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項３０】 前記第２の空間を酸化剤で満たす工
程が前記第１の空間内部であって該第２の空間の外部の
領域における水蒸気発生を含む請求項２３記載の複数の
半導体ウエハの処理方法 - 【請求項３１】 前記発生工程が、脱イオン水を加熱
して水蒸気化する際に、該脱イオン水を曲路に沿って移
動させることを含む請求項３０記載の複数の半導体ウエ
ハの処理方法。 - 【請求項３２】 水蒸気を発生させる際に水が前記第
２の空間に入ることを防止する工程を含む請求項２３記
載の複数の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項３３】 前記平衡化工程が酸化剤の前記第１
の空間への流入を防止し、また不活性ガスの前記第２の
空間への流入を本質的に防止し、それにより一つの空間
の圧力が釣り合うかまたは他の空間の圧力を超過する請
求項２３記載の複数の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項３４】 ウエハを加熱し、ウエハを冷却する
工程が、ウエハが前記第２の空間にあるときに行われる
請求項３３記載の複数の半導体ウエハの処理方法。 - 【請求項３５】 水平流路に沿った空気流を生成し、
粒子汚染を最小限におさえるためにウエハとカセットを
上流端に配置し、流路の下流端を本質的に無構造に保つ
工程を含む請求項２３記載の複数の半導体ウエハの処理
方法。 - 【請求項３６】 ウエハを加熱する工程がグラファイ
トヒーターの加熱を含む請求項２３記載の複数の半導体
ウエハの処理方法。 - 【請求項３７】 前記加熱手段が多数のグラファイト
ヒーターを含む請求項１記載の半導体ウエハの処理装置
。 - 【請求項３８】 前記加熱手段が前記処理室において
温度を上昇させる手段を含み、前記冷却手段が前記中空
体を冷却する手段を含み、該加熱手段と該冷却手段がウ
エハが該処理室内にある場合に、ウエハを加熱し、ウエ
ハを冷却するために操作されうる請求項１記載の半導体
ウエハの処理装置。 - 【請求項３９】 空気流を平行流路に沿って導くため
の空気流手段を含み、ウエハが当初カセット内の水平位
置に配置され、該カセットが粒子汚染を最小限におさえ
あるいは本質的に除去するために空気流の上流端近傍に
配置される請求項１記載の半導体ウエハの処理装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US590402 | 1990-09-28 | ||
| US07/590,402 US5167716A (en) | 1990-09-28 | 1990-09-28 | Method and apparatus for batch processing a semiconductor wafer |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234119A true JPH04234119A (ja) | 1992-08-21 |
| JP3069412B2 JP3069412B2 (ja) | 2000-07-24 |
Family
ID=24362115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3251183A Expired - Fee Related JP3069412B2 (ja) | 1990-09-28 | 1991-09-30 | 半導体ウエハの処理装置および方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5167716A (ja) |
| EP (1) | EP0480181B1 (ja) |
| JP (1) | JP3069412B2 (ja) |
| DE (1) | DE69120193T2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340230A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Kobe Steel Ltd | 被処理基板の高温高圧処理装置 |
| JP2000294547A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Japan Science & Technology Corp | 基板加熱装置 |
| JP2003282457A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| WO2008026387A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Procédé de formation d'un revêtement de silice amorphe à faible constante diélectrique et revêtement de silice amorphe à faible constante diélectrique obtenu grâce à celui-ci |
Families Citing this family (394)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5578132A (en) * | 1993-07-07 | 1996-11-26 | Tokyo Electron Kabushiki Kaisha | Apparatus for heat treating semiconductors at normal pressure and low pressure |
| US5880041A (en) * | 1994-05-27 | 1999-03-09 | Motorola Inc. | Method for forming a dielectric layer using high pressure |
| US5611898A (en) * | 1994-12-08 | 1997-03-18 | International Business Machines Corporation | Reaction chamber having in situ oxygen generation |
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6030902A (en) | 1996-02-16 | 2000-02-29 | Micron Technology Inc | Apparatus and method for improving uniformity in batch processing of semiconductor wafers |
| DE69710655T2 (de) * | 1996-08-07 | 2002-10-31 | Concept Systems Design Inc | Gaseinleitsystem für CVD Reaktoren |
| US5653808A (en) * | 1996-08-07 | 1997-08-05 | Macleish; Joseph H. | Gas injection system for CVD reactors |
| US5846888A (en) * | 1996-09-27 | 1998-12-08 | Micron Technology, Inc. | Method for in-situ incorporation of desirable impurities into high pressure oxides |
| US5679585A (en) * | 1996-11-15 | 1997-10-21 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming metal silicide on a semiconductor surface with minimal effect on pre-existing implants |
| TW539918B (en) | 1997-05-27 | 2003-07-01 | Tokyo Electron Ltd | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
| TW589391B (en) * | 1997-07-08 | 2004-06-01 | Unaxis Trading Ag | Process for vacuum treating workpieces, and corresponding process equipment |
| CH692741A5 (de) * | 1997-07-08 | 2002-10-15 | Unaxis Trading Ltd C O Balzers | Verfahren zur Herstellung in Vakuum oberflächenbehandelter Werkstücke und Vakuumbehandlungsanlage zu dessen Durchführung |
| US6391377B1 (en) * | 1997-07-08 | 2002-05-21 | Unaxis Balzers Aktiengesellschaft | Process for vacuum treating workpieces, and corresponding process equipment |
| KR100707107B1 (ko) * | 1997-07-17 | 2007-12-27 | 동경 엘렉트론 주식회사 | 세정.건조처리방법및장치 |
| EP1209721B1 (en) * | 1997-10-10 | 2007-12-05 | European Community | Inductive type plasma processing chamber |
| TW489827U (en) | 1998-04-09 | 2002-06-01 | Kobe Steel Ltd | Apparatus for high-temperature and high-pressure treatment of semiconductor substrates |
| JP2000277521A (ja) * | 1999-03-26 | 2000-10-06 | Kobe Steel Ltd | 半導体ウェーハの高温高圧処理方法及び装置 |
| US6334266B1 (en) | 1999-09-20 | 2002-01-01 | S.C. Fluids, Inc. | Supercritical fluid drying system and method of use |
| US6508259B1 (en) * | 1999-08-05 | 2003-01-21 | S.C. Fluids, Inc. | Inverted pressure vessel with horizontal through loading |
| US6748960B1 (en) * | 1999-11-02 | 2004-06-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
| EP1234322A2 (en) | 1999-11-02 | 2002-08-28 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for supercritical processing of multiple workpieces |
| AU2001290171A1 (en) | 2000-07-26 | 2002-02-05 | Tokyo Electron Limited | High pressure processing chamber for semiconductor substrate |
| US7001468B1 (en) | 2002-02-15 | 2006-02-21 | Tokyo Electron Limited | Pressure energized pressure vessel opening and closing device and method of providing therefor |
| US7387868B2 (en) | 2002-03-04 | 2008-06-17 | Tokyo Electron Limited | Treatment of a dielectric layer using supercritical CO2 |
| KR100863782B1 (ko) * | 2002-03-08 | 2008-10-16 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
| US7021635B2 (en) * | 2003-02-06 | 2006-04-04 | Tokyo Electron Limited | Vacuum chuck utilizing sintered material and method of providing thereof |
| US7225820B2 (en) * | 2003-02-10 | 2007-06-05 | Tokyo Electron Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
| US7077917B2 (en) | 2003-02-10 | 2006-07-18 | Tokyo Electric Limited | High-pressure processing chamber for a semiconductor wafer |
| US7270137B2 (en) | 2003-04-28 | 2007-09-18 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of securing a workpiece during high-pressure processing |
| US7163380B2 (en) | 2003-07-29 | 2007-01-16 | Tokyo Electron Limited | Control of fluid flow in the processing of an object with a fluid |
| US20050035514A1 (en) * | 2003-08-11 | 2005-02-17 | Supercritical Systems, Inc. | Vacuum chuck apparatus and method for holding a wafer during high pressure processing |
| US20050067002A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Supercritical Systems, Inc. | Processing chamber including a circulation loop integrally formed in a chamber housing |
| US7186093B2 (en) * | 2004-10-05 | 2007-03-06 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for cooling motor bearings of a high pressure pump |
| US7250374B2 (en) | 2004-06-30 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
| US7307019B2 (en) | 2004-09-29 | 2007-12-11 | Tokyo Electron Limited | Method for supercritical carbon dioxide processing of fluoro-carbon films |
| US20060065189A1 (en) * | 2004-09-30 | 2006-03-30 | Darko Babic | Method and system for homogenization of supercritical fluid in a high pressure processing system |
| US7491036B2 (en) | 2004-11-12 | 2009-02-17 | Tokyo Electron Limited | Method and system for cooling a pump |
| US7140393B2 (en) | 2004-12-22 | 2006-11-28 | Tokyo Electron Limited | Non-contact shuttle valve for flow diversion in high pressure systems |
| US7434590B2 (en) | 2004-12-22 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system |
| US7435447B2 (en) | 2005-02-15 | 2008-10-14 | Tokyo Electron Limited | Method and system for determining flow conditions in a high pressure processing system |
| US7291565B2 (en) | 2005-02-15 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a substrate with a high pressure fluid using fluorosilicic acid |
| US7380984B2 (en) * | 2005-03-28 | 2008-06-03 | Tokyo Electron Limited | Process flow thermocouple |
| US7767145B2 (en) | 2005-03-28 | 2010-08-03 | Toyko Electron Limited | High pressure fourier transform infrared cell |
| US20060225772A1 (en) * | 2005-03-29 | 2006-10-12 | Jones William D | Controlled pressure differential in a high-pressure processing chamber |
| US7494107B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-02-24 | Supercritical Systems, Inc. | Gate valve for plus-atmospheric pressure semiconductor process vessels |
| US7789971B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
| US7524383B2 (en) | 2005-05-25 | 2009-04-28 | Tokyo Electron Limited | Method and system for passivating a processing chamber |
| US20070187386A1 (en) | 2006-02-10 | 2007-08-16 | Poongsan Microtec Corporation | Methods and apparatuses for high pressure gas annealing |
| US8986456B2 (en) | 2006-10-10 | 2015-03-24 | Asm America, Inc. | Precursor delivery system |
| JP5103677B2 (ja) * | 2008-02-27 | 2012-12-19 | ソイテック | Ｃｖｄリアクタにおける気体状前駆体の熱化 |
| US10378106B2 (en) | 2008-11-14 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming insulation film by modified PEALD |
| US9394608B2 (en) * | 2009-04-06 | 2016-07-19 | Asm America, Inc. | Semiconductor processing reactor and components thereof |
| US8883270B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-11-11 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen—oxygen species |
| US8877655B2 (en) | 2010-05-07 | 2014-11-04 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US8802201B2 (en) | 2009-08-14 | 2014-08-12 | Asm America, Inc. | Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species |
| US8809096B1 (en) * | 2009-10-22 | 2014-08-19 | Stion Corporation | Bell jar extraction tool method and apparatus for thin film photovoltaic materials |
| US9312155B2 (en) | 2011-06-06 | 2016-04-12 | Asm Japan K.K. | High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules |
| US9793148B2 (en) | 2011-06-22 | 2017-10-17 | Asm Japan K.K. | Method for positioning wafers in multiple wafer transport |
| US10364496B2 (en) | 2011-06-27 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Dual section module having shared and unshared mass flow controllers |
| US10854498B2 (en) | 2011-07-15 | 2020-12-01 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer-supporting device and method for producing same |
| US20130023129A1 (en) | 2011-07-20 | 2013-01-24 | Asm America, Inc. | Pressure transmitter for a semiconductor processing environment |
| DE102011083245B4 (de) * | 2011-09-22 | 2019-04-25 | Siltronic Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Abscheiden einer epitaktischen Schicht aus Silizium auf einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium durch Gasphasenabscheidung in einer Prozesskammer |
| US9096931B2 (en) | 2011-10-27 | 2015-08-04 | Asm America, Inc | Deposition valve assembly and method of heating the same |
| US9341296B2 (en) | 2011-10-27 | 2016-05-17 | Asm America, Inc. | Heater jacket for a fluid line |
| US9017481B1 (en) | 2011-10-28 | 2015-04-28 | Asm America, Inc. | Process feed management for semiconductor substrate processing |
| US9167625B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Radiation shielding for a substrate holder |
| US9005539B2 (en) | 2011-11-23 | 2015-04-14 | Asm Ip Holding B.V. | Chamber sealing member |
| US9202727B2 (en) | 2012-03-02 | 2015-12-01 | ASM IP Holding | Susceptor heater shim |
| US8946830B2 (en) | 2012-04-04 | 2015-02-03 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal oxide protective layer for a semiconductor device |
| TWI622664B (zh) | 2012-05-02 | 2018-05-01 | Ａｓｍ智慧財產控股公司 | 相穩定薄膜，包括該薄膜之結構及裝置，及其形成方法 |
| US8728832B2 (en) | 2012-05-07 | 2014-05-20 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor device dielectric interface layer |
| US8933375B2 (en) | 2012-06-27 | 2015-01-13 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor heater and method of heating a substrate |
| US9558931B2 (en) | 2012-07-27 | 2017-01-31 | Asm Ip Holding B.V. | System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface |
| US9117866B2 (en) | 2012-07-31 | 2015-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for calculating a wafer position in a processing chamber under process conditions |
| US9169975B2 (en) | 2012-08-28 | 2015-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for mass flow controller verification |
| US9659799B2 (en) | 2012-08-28 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling |
| US9021985B2 (en) | 2012-09-12 | 2015-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor |
| US9324811B2 (en) | 2012-09-26 | 2016-04-26 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same |
| US10714315B2 (en) | 2012-10-12 | 2020-07-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Semiconductor reaction chamber showerhead |
| US9640416B2 (en) | 2012-12-26 | 2017-05-02 | Asm Ip Holding B.V. | Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber |
| US20160376700A1 (en) | 2013-02-01 | 2016-12-29 | Asm Ip Holding B.V. | System for treatment of deposition reactor |
| US8894870B2 (en) | 2013-02-01 | 2014-11-25 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-step method and apparatus for etching compounds containing a metal |
| US9589770B2 (en) | 2013-03-08 | 2017-03-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species |
| US9484191B2 (en) | 2013-03-08 | 2016-11-01 | Asm Ip Holding B.V. | Pulsed remote plasma method and system |
| US8993054B2 (en) | 2013-07-12 | 2015-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber |
| US9018111B2 (en) | 2013-07-22 | 2015-04-28 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities |
| US9396934B2 (en) | 2013-08-14 | 2016-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming films including germanium tin and structures and devices including the films |
| US9793115B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-10-17 | Asm Ip Holding B.V. | Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same |
| US9240412B2 (en) | 2013-09-27 | 2016-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process |
| US9556516B2 (en) | 2013-10-09 | 2017-01-31 | ASM IP Holding B.V | Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT |
| US9605343B2 (en) | 2013-11-13 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same |
| US10179947B2 (en) | 2013-11-26 | 2019-01-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition |
| US10683571B2 (en) | 2014-02-25 | 2020-06-16 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same |
| US9447498B2 (en) | 2014-03-18 | 2016-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers |
| US10167557B2 (en) | 2014-03-18 | 2019-01-01 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same |
| US11015245B2 (en) | 2014-03-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof |
| US9404587B2 (en) | 2014-04-24 | 2016-08-02 | ASM IP Holding B.V | Lockout tagout for semiconductor vacuum valve |
| US10858737B2 (en) | 2014-07-28 | 2020-12-08 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead assembly and components thereof |
| US9543180B2 (en) | 2014-08-01 | 2017-01-10 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum |
| US9890456B2 (en) | 2014-08-21 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method and system for in situ formation of gas-phase compounds |
| JP6416923B2 (ja) * | 2014-09-30 | 2018-10-31 | 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ | 半導体製造装置、半導体装置の製造方法および記録媒体 |
| US10941490B2 (en) | 2014-10-07 | 2021-03-09 | Asm Ip Holding B.V. | Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same |
| US9657845B2 (en) | 2014-10-07 | 2017-05-23 | Asm Ip Holding B.V. | Variable conductance gas distribution apparatus and method |
| KR102300403B1 (ko) | 2014-11-19 | 2021-09-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| KR102263121B1 (ko) | 2014-12-22 | 2021-06-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| US9478415B2 (en) | 2015-02-13 | 2016-10-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming film having low resistance and shallow junction depth |
| US10529542B2 (en) | 2015-03-11 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Cross-flow reactor and method |
| US10276355B2 (en) | 2015-03-12 | 2019-04-30 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same |
| US10458018B2 (en) | 2015-06-26 | 2019-10-29 | Asm Ip Holding B.V. | Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same |
| US10600673B2 (en) | 2015-07-07 | 2020-03-24 | Asm Ip Holding B.V. | Magnetic susceptor to baseplate seal |
| US9899291B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-02-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10043661B2 (en) | 2015-07-13 | 2018-08-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film |
| US10083836B2 (en) | 2015-07-24 | 2018-09-25 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of boron-doped titanium metal films with high work function |
| US10087525B2 (en) | 2015-08-04 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Variable gap hard stop design |
| US9647114B2 (en) | 2015-08-14 | 2017-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9711345B2 (en) | 2015-08-25 | 2017-07-18 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD |
| US9960072B2 (en) | 2015-09-29 | 2018-05-01 | Asm Ip Holding B.V. | Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings |
| US9909214B2 (en) | 2015-10-15 | 2018-03-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD |
| US10211308B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-02-19 | Asm Ip Holding B.V. | NbMC layers |
| US10322384B2 (en) | 2015-11-09 | 2019-06-18 | Asm Ip Holding B.V. | Counter flow mixer for process chamber |
| US9455138B1 (en) | 2015-11-10 | 2016-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas |
| US9905420B2 (en) | 2015-12-01 | 2018-02-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films |
| US9607837B1 (en) | 2015-12-21 | 2017-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process |
| US9735024B2 (en) | 2015-12-28 | 2017-08-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon |
| US9627221B1 (en) | 2015-12-28 | 2017-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Continuous process incorporating atomic layer etching |
| US11139308B2 (en) | 2015-12-29 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices |
| US10529554B2 (en) | 2016-02-19 | 2020-01-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10468251B2 (en) | 2016-02-19 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning |
| US9754779B1 (en) | 2016-02-19 | 2017-09-05 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches |
| US10501866B2 (en) | 2016-03-09 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system |
| US10343920B2 (en) | 2016-03-18 | 2019-07-09 | Asm Ip Holding B.V. | Aligned carbon nanotubes |
| US9892913B2 (en) | 2016-03-24 | 2018-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Radial and thickness control via biased multi-port injection settings |
| US10865475B2 (en) | 2016-04-21 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides and silicides |
| US10087522B2 (en) | 2016-04-21 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10190213B2 (en) | 2016-04-21 | 2019-01-29 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of metal borides |
| US10367080B2 (en) | 2016-05-02 | 2019-07-30 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a germanium oxynitride film |
| US10032628B2 (en) | 2016-05-02 | 2018-07-24 | Asm Ip Holding B.V. | Source/drain performance through conformal solid state doping |
| KR102592471B1 (ko) | 2016-05-17 | 2023-10-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
| US11453943B2 (en) | 2016-05-25 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor |
| US10388509B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Formation of epitaxial layers via dislocation filtering |
| US10612137B2 (en) | 2016-07-08 | 2020-04-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Organic reactants for atomic layer deposition |
| US9859151B1 (en) | 2016-07-08 | 2018-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Selective film deposition method to form air gaps |
| US9793135B1 (en) | 2016-07-14 | 2017-10-17 | ASM IP Holding B.V | Method of cyclic dry etching using etchant film |
| US10714385B2 (en) | 2016-07-19 | 2020-07-14 | Asm Ip Holding B.V. | Selective deposition of tungsten |
| US10381226B2 (en) | 2016-07-27 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing substrate |
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US9887082B1 (en) | 2016-07-28 | 2018-02-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| KR102532607B1 (ko) | 2016-07-28 | 2023-05-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 가공 장치 및 그 동작 방법 |
| US10177025B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-01-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10395919B2 (en) | 2016-07-28 | 2019-08-27 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US10090316B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-02 | Asm Ip Holding B.V. | 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel |
| US10410943B2 (en) | 2016-10-13 | 2019-09-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems |
| US10643826B2 (en) | 2016-10-26 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for thermally calibrating reaction chambers |
| US11532757B2 (en) | 2016-10-27 | 2022-12-20 | Asm Ip Holding B.V. | Deposition of charge trapping layers |
| US10643904B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-05-05 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures |
| US10714350B2 (en) | 2016-11-01 | 2020-07-14 | ASM IP Holdings, B.V. | Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10435790B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-10-08 | Asm Ip Holding B.V. | Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap |
| US10229833B2 (en) | 2016-11-01 | 2019-03-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures |
| US10134757B2 (en) | 2016-11-07 | 2018-11-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method |
| KR102546317B1 (ko) | 2016-11-15 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US10340135B2 (en) | 2016-11-28 | 2019-07-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride |
| KR20180068582A (ko) | 2016-12-14 | 2018-06-22 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US9916980B1 (en) | 2016-12-15 | 2018-03-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11581186B2 (en) | 2016-12-15 | 2023-02-14 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| KR20180070971A (ko) | 2016-12-19 | 2018-06-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US10269558B2 (en) | 2016-12-22 | 2019-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US10867788B2 (en) | 2016-12-28 | 2020-12-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a structure on a substrate |
| US11390950B2 (en) | 2017-01-10 | 2022-07-19 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process |
| US10655221B2 (en) | 2017-02-09 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD |
| US10468261B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-11-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| CN110383431B (zh) * | 2017-02-17 | 2023-08-22 | 株式会社国际电气 | 基板处理装置、半导体装置的制造方法以及存储介质 |
| US10283353B2 (en) | 2017-03-29 | 2019-05-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern |
| US10529563B2 (en) | 2017-03-29 | 2020-01-07 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures |
| US10103040B1 (en) | 2017-03-31 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device |
| USD830981S1 (en) | 2017-04-07 | 2018-10-16 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus |
| KR102457289B1 (ko) | 2017-04-25 | 2022-10-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10446393B2 (en) | 2017-05-08 | 2019-10-15 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10892156B2 (en) | 2017-05-08 | 2021-01-12 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US10504742B2 (en) | 2017-05-31 | 2019-12-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method of atomic layer etching using hydrogen plasma |
| US10886123B2 (en) | 2017-06-02 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures |
| US11306395B2 (en) | 2017-06-28 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus |
| US10685834B2 (en) | 2017-07-05 | 2020-06-16 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures |
| KR20190009245A (ko) | 2017-07-18 | 2019-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물 |
| US10541333B2 (en) | 2017-07-19 | 2020-01-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11374112B2 (en) | 2017-07-19 | 2022-06-28 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US11018002B2 (en) | 2017-07-19 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures |
| US10590535B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-17 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same |
| US10605530B2 (en) | 2017-07-26 | 2020-03-31 | Asm Ip Holding B.V. | Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace |
| US10312055B2 (en) | 2017-07-26 | 2019-06-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing film by PEALD using negative bias |
| US10692741B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-06-23 | Asm Ip Holdings B.V. | Radiation shield |
| US10770336B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate lift mechanism and reactor including same |
| US11769682B2 (en) | 2017-08-09 | 2023-09-26 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US11139191B2 (en) | 2017-08-09 | 2021-10-05 | Asm Ip Holding B.V. | Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith |
| US10249524B2 (en) | 2017-08-09 | 2019-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly |
| US10236177B1 (en) | 2017-08-22 | 2019-03-19 | ASM IP Holding B.V.. | Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures |
| USD900036S1 (en) | 2017-08-24 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Heater electrical connector and adapter |
| US11830730B2 (en) | 2017-08-29 | 2023-11-28 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method and apparatus |
| US11056344B2 (en) | 2017-08-30 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Layer forming method |
| KR102491945B1 (ko) | 2017-08-30 | 2023-01-26 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11295980B2 (en) | 2017-08-30 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| US10607895B2 (en) | 2017-09-18 | 2020-03-31 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal |
| KR102630301B1 (ko) | 2017-09-21 | 2024-01-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치 |
| US10844484B2 (en) | 2017-09-22 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| US10658205B2 (en) | 2017-09-28 | 2020-05-19 | Asm Ip Holdings B.V. | Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber |
| US10403504B2 (en) | 2017-10-05 | 2019-09-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method for selectively depositing a metallic film on a substrate |
| US10319588B2 (en) | 2017-10-10 | 2019-06-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US10910262B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-02-02 | Asm Ip Holding B.V. | Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure |
| KR102443047B1 (ko) | 2017-11-16 | 2022-09-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11022879B2 (en) | 2017-11-24 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer |
| CN111344522B (zh) | 2017-11-27 | 2022-04-12 | 阿斯莫Ip控股公司 | 包括洁净迷你环境的装置 |
| KR102597978B1 (ko) | 2017-11-27 | 2023-11-06 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치 |
| US10290508B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-05-14 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning |
| US10872771B2 (en) | 2018-01-16 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B. V. | Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures |
| CN111630203A (zh) | 2018-01-19 | 2020-09-04 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法 |
| TW202325889A (zh) | 2018-01-19 | 2023-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 沈積方法 |
| USD903477S1 (en) | 2018-01-24 | 2020-12-01 | Asm Ip Holdings B.V. | Metal clamp |
| US11018047B2 (en) | 2018-01-25 | 2021-05-25 | Asm Ip Holding B.V. | Hybrid lift pin |
| USD880437S1 (en) | 2018-02-01 | 2020-04-07 | Asm Ip Holding B.V. | Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus |
| US10535516B2 (en) | 2018-02-01 | 2020-01-14 | Asm Ip Holdings B.V. | Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures |
| US11081345B2 (en) | 2018-02-06 | 2021-08-03 | Asm Ip Holding B.V. | Method of post-deposition treatment for silicon oxide film |
| EP3737779A1 (en) | 2018-02-14 | 2020-11-18 | ASM IP Holding B.V. | A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10896820B2 (en) | 2018-02-14 | 2021-01-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10731249B2 (en) | 2018-02-15 | 2020-08-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus |
| US10658181B2 (en) | 2018-02-20 | 2020-05-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication |
| KR102636427B1 (ko) | 2018-02-20 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 장치 |
| US10975470B2 (en) | 2018-02-23 | 2021-04-13 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment |
| US11473195B2 (en) | 2018-03-01 | 2022-10-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate |
| US11629406B2 (en) | 2018-03-09 | 2023-04-18 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate |
| US11114283B2 (en) | 2018-03-16 | 2021-09-07 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same |
| KR102646467B1 (ko) | 2018-03-27 | 2024-03-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조 |
| US11230766B2 (en) | 2018-03-29 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US10510536B2 (en) | 2018-03-29 | 2019-12-17 | Asm Ip Holding B.V. | Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber |
| US11088002B2 (en) | 2018-03-29 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate rack and a substrate processing system and method |
| KR102501472B1 (ko) | 2018-03-30 | 2023-02-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 |
| TW202344708A (zh) | 2018-05-08 | 2023-11-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構 |
| TWI816783B (zh) | 2018-05-11 | 2023-10-01 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構 |
| KR102596988B1 (ko) | 2018-05-28 | 2023-10-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치 |
| US11718913B2 (en) | 2018-06-04 | 2023-08-08 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution system and reactor system including same |
| US11270899B2 (en) | 2018-06-04 | 2022-03-08 | Asm Ip Holding B.V. | Wafer handling chamber with moisture reduction |
| US11286562B2 (en) | 2018-06-08 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Gas-phase chemical reactor and method of using same |
| US10797133B2 (en) | 2018-06-21 | 2020-10-06 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures |
| KR102568797B1 (ko) | 2018-06-21 | 2023-08-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 시스템 |
| WO2020003000A1 (en) | 2018-06-27 | 2020-01-02 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US11492703B2 (en) | 2018-06-27 | 2022-11-08 | Asm Ip Holding B.V. | Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material |
| US10612136B2 (en) | 2018-06-29 | 2020-04-07 | ASM IP Holding, B.V. | Temperature-controlled flange and reactor system including same |
| KR20200002519A (ko) | 2018-06-29 | 2020-01-08 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법 |
| US10755922B2 (en) | 2018-07-03 | 2020-08-25 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10388513B1 (en) | 2018-07-03 | 2019-08-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition |
| US10767789B2 (en) | 2018-07-16 | 2020-09-08 | Asm Ip Holding B.V. | Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components |
| US10483099B1 (en) | 2018-07-26 | 2019-11-19 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming thermally stable organosilicon polymer film |
| US11053591B2 (en) | 2018-08-06 | 2021-07-06 | Asm Ip Holding B.V. | Multi-port gas injection system and reactor system including same |
| US10883175B2 (en) | 2018-08-09 | 2021-01-05 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein |
| US10829852B2 (en) | 2018-08-16 | 2020-11-10 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distribution device for a wafer processing apparatus |
| US11430674B2 (en) | 2018-08-22 | 2022-08-30 | Asm Ip Holding B.V. | Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods |
| KR20200030162A (ko) | 2018-09-11 | 2020-03-20 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 증착 방법 |
| US11024523B2 (en) | 2018-09-11 | 2021-06-01 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| US11049751B2 (en) | 2018-09-14 | 2021-06-29 | Asm Ip Holding B.V. | Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith |
| CN110970344A (zh) | 2018-10-01 | 2020-04-07 | Asm Ip控股有限公司 | 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法 |
| US11232963B2 (en) | 2018-10-03 | 2022-01-25 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus and method |
| KR102592699B1 (ko) | 2018-10-08 | 2023-10-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치 |
| US10847365B2 (en) | 2018-10-11 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD |
| US10811256B2 (en) | 2018-10-16 | 2020-10-20 | Asm Ip Holding B.V. | Method for etching a carbon-containing feature |
| KR102605121B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| KR102546322B1 (ko) | 2018-10-19 | 2023-06-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
| USD948463S1 (en) | 2018-10-24 | 2022-04-12 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus |
| US10381219B1 (en) | 2018-10-25 | 2019-08-13 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a silicon nitride film |
| CN112889142A (zh) * | 2018-10-28 | 2021-06-01 | 应用材料公司 | 具有退火迷你环境的处理腔室 |
| US11087997B2 (en) | 2018-10-31 | 2021-08-10 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| KR20200051105A (ko) | 2018-11-02 | 2020-05-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치 |
| US11572620B2 (en) | 2018-11-06 | 2023-02-07 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US10818758B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-10-27 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures |
| US10847366B2 (en) | 2018-11-16 | 2020-11-24 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process |
| US10559458B1 (en) | 2018-11-26 | 2020-02-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming oxynitride film |
| US11217444B2 (en) | 2018-11-30 | 2022-01-04 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film |
| KR102636428B1 (ko) | 2018-12-04 | 2024-02-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치를 세정하는 방법 |
| US11158513B2 (en) | 2018-12-13 | 2021-10-26 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures |
| JP2020096183A (ja) | 2018-12-14 | 2020-06-18 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム |
| TWI819180B (zh) | 2019-01-17 | 2023-10-21 | 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 | 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法 |
| KR20200091543A (ko) | 2019-01-22 | 2020-07-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| CN111524788B (zh) | 2019-02-01 | 2023-11-24 | Asm Ip私人控股有限公司 | 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法 |
| KR20200102357A (ko) | 2019-02-20 | 2020-08-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법 |
| TW202044325A (zh) | 2019-02-20 | 2020-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 填充一基板之一表面內所形成的一凹槽的方法、根據其所形成之半導體結構、及半導體處理設備 |
| KR102626263B1 (ko) | 2019-02-20 | 2024-01-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치 |
| TW202104632A (zh) | 2019-02-20 | 2021-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備 |
| TW202100794A (zh) | 2019-02-22 | 2021-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基材處理設備及處理基材之方法 |
| KR20200108248A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108243A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법 |
| KR20200108242A (ko) | 2019-03-08 | 2020-09-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체 |
| JP2020167398A (ja) | 2019-03-28 | 2020-10-08 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置 |
| KR20200116855A (ko) | 2019-04-01 | 2020-10-13 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반도체 소자를 제조하는 방법 |
| KR20200123380A (ko) | 2019-04-19 | 2020-10-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 층 형성 방법 및 장치 |
| KR20200125453A (ko) | 2019-04-24 | 2020-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법 |
| KR20200130121A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기 |
| KR20200130118A (ko) | 2019-05-07 | 2020-11-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법 |
| KR20200130652A (ko) | 2019-05-10 | 2020-11-19 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조 |
| JP2020188255A (ja) | 2019-05-16 | 2020-11-19 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法 |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD947913S1 (en) | 2019-05-17 | 2022-04-05 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD935572S1 (en) | 2019-05-24 | 2021-11-09 | Asm Ip Holding B.V. | Gas channel plate |
| USD922229S1 (en) | 2019-06-05 | 2021-06-15 | Asm Ip Holding B.V. | Device for controlling a temperature of a gas supply unit |
| KR20200141003A (ko) | 2019-06-06 | 2020-12-17 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템 |
| KR20200143254A (ko) | 2019-06-11 | 2020-12-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조 |
| USD944946S1 (en) | 2019-06-14 | 2022-03-01 | Asm Ip Holding B.V. | Shower plate |
| USD931978S1 (en) | 2019-06-27 | 2021-09-28 | Asm Ip Holding B.V. | Showerhead vacuum transport |
| KR20210005515A (ko) | 2019-07-03 | 2021-01-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법 |
| JP2021015791A (ja) | 2019-07-09 | 2021-02-12 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法 |
| CN112216646A (zh) | 2019-07-10 | 2021-01-12 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板支撑组件及包括其的基板处理装置 |
| KR20210010307A (ko) | 2019-07-16 | 2021-01-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210010816A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법 |
| KR20210010820A (ko) | 2019-07-17 | 2021-01-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법 |
| US11643724B2 (en) | 2019-07-18 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming structures using a neutral beam |
| CN112242296A (zh) | 2019-07-19 | 2021-01-19 | Asm Ip私人控股有限公司 | 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法 |
| CN112309843A (zh) | 2019-07-29 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| CN112309899A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112309900A (zh) | 2019-07-30 | 2021-02-02 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| US11587815B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11227782B2 (en) | 2019-07-31 | 2022-01-18 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| US11587814B2 (en) | 2019-07-31 | 2023-02-21 | Asm Ip Holding B.V. | Vertical batch furnace assembly |
| KR20210018759A (ko) | 2019-08-05 | 2021-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서 |
| USD965044S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-09-27 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| USD965524S1 (en) | 2019-08-19 | 2022-10-04 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor support |
| JP2021031769A (ja) | 2019-08-21 | 2021-03-01 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD940837S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-01-11 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode |
| USD930782S1 (en) | 2019-08-22 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor |
| USD949319S1 (en) | 2019-08-22 | 2022-04-19 | Asm Ip Holding B.V. | Exhaust duct |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| US11286558B2 (en) | 2019-08-23 | 2022-03-29 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film |
| KR20210024420A (ko) | 2019-08-23 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법 |
| KR20210029090A (ko) | 2019-09-04 | 2021-03-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법 |
| KR20210029663A (ko) | 2019-09-05 | 2021-03-16 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| US11562901B2 (en) | 2019-09-25 | 2023-01-24 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing method |
| CN112593212B (zh) | 2019-10-02 | 2023-12-22 | Asm Ip私人控股有限公司 | 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法 |
| TW202129060A (zh) | 2019-10-08 | 2021-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 基板處理裝置、及基板處理方法 |
| KR20210043460A (ko) | 2019-10-10 | 2021-04-21 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체 |
| KR20210045930A (ko) | 2019-10-16 | 2021-04-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법 |
| US11637014B2 (en) | 2019-10-17 | 2023-04-25 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for selective deposition of doped semiconductor material |
| KR20210047808A (ko) | 2019-10-21 | 2021-04-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법 |
| US11646205B2 (en) | 2019-10-29 | 2023-05-09 | Asm Ip Holding B.V. | Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same |
| KR20210054983A (ko) | 2019-11-05 | 2021-05-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| US11501968B2 (en) | 2019-11-15 | 2022-11-15 | Asm Ip Holding B.V. | Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps |
| KR20210062561A (ko) | 2019-11-20 | 2021-05-31 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템 |
| CN112951697A (zh) | 2019-11-26 | 2021-06-11 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| KR20210065848A (ko) | 2019-11-26 | 2021-06-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법 |
| CN112885692A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| CN112885693A (zh) | 2019-11-29 | 2021-06-01 | Asm Ip私人控股有限公司 | 基板处理设备 |
| JP2021090042A (ja) | 2019-12-02 | 2021-06-10 | エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． | 基板処理装置、基板処理方法 |
| KR20210070898A (ko) | 2019-12-04 | 2021-06-15 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| TW202125596A (zh) | 2019-12-17 | 2021-07-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構 |
| KR20210080214A (ko) | 2019-12-19 | 2021-06-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조 |
| JP2021109175A (ja) | 2020-01-06 | 2021-08-02 | エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー | ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム |
| KR20210095050A (ko) | 2020-01-20 | 2021-07-30 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법 |
| TW202130846A (zh) | 2020-02-03 | 2021-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成包括釩或銦層的結構之方法 |
| TW202146882A (zh) | 2020-02-04 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統 |
| US11776846B2 (en) | 2020-02-07 | 2023-10-03 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices |
| US11781243B2 (en) | 2020-02-17 | 2023-10-10 | Asm Ip Holding B.V. | Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon |
| KR20210116240A (ko) | 2020-03-11 | 2021-09-27 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치 |
| US11876356B2 (en) | 2020-03-11 | 2024-01-16 | Asm Ip Holding B.V. | Lockout tagout assembly and system and method of using same |
| KR20210117157A (ko) | 2020-03-12 | 2021-09-28 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법 |
| KR20210124042A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-14 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 박막 형성 방법 |
| TW202146689A (zh) | 2020-04-03 | 2021-12-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 | 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法 |
| TW202145344A (zh) | 2020-04-08 | 2021-12-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法 |
| US11821078B2 (en) | 2020-04-15 | 2023-11-21 | Asm Ip Holding B.V. | Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film |
| US11898243B2 (en) | 2020-04-24 | 2024-02-13 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming vanadium nitride-containing layer |
| KR20210132600A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20210132605A (ko) | 2020-04-24 | 2021-11-04 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리 |
| KR20210134226A (ko) | 2020-04-29 | 2021-11-09 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 고체 소스 전구체 용기 |
| KR20210134869A (ko) | 2020-05-01 | 2021-11-11 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환 |
| KR20210141379A (ko) | 2020-05-13 | 2021-11-23 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구 |
| KR20210143653A (ko) | 2020-05-19 | 2021-11-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 처리 장치 |
| KR20210145078A (ko) | 2020-05-21 | 2021-12-01 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법 |
| TW202201602A (zh) | 2020-05-29 | 2022-01-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202218133A (zh) | 2020-06-24 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 形成含矽層之方法 |
| TW202217953A (zh) | 2020-06-30 | 2022-05-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 基板處理方法 |
| TW202219628A (zh) | 2020-07-17 | 2022-05-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於光微影之結構與方法 |
| TW202204662A (zh) | 2020-07-20 | 2022-02-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於沉積鉬層之方法及系統 |
| KR20220027026A (ko) | 2020-08-26 | 2022-03-07 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| USD990534S1 (en) | 2020-09-11 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Weighted lift pin |
| USD1012873S1 (en) | 2020-09-24 | 2024-01-30 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for semiconductor processing apparatus |
| TW202229613A (zh) | 2020-10-14 | 2022-08-01 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 於階梯式結構上沉積材料的方法 |
| KR20220053482A (ko) | 2020-10-22 | 2022-04-29 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리 |
| TW202223136A (zh) | 2020-10-28 | 2022-06-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統 |
| TW202235675A (zh) | 2020-11-30 | 2022-09-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 注入器、及基板處理設備 |
| US11946137B2 (en) | 2020-12-16 | 2024-04-02 | Asm Ip Holding B.V. | Runout and wobble measurement fixtures |
| TW202231903A (zh) | 2020-12-22 | 2022-08-16 | 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 | 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成 |
| USD980813S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate for substrate processing apparatus |
| USD980814S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-14 | Asm Ip Holding B.V. | Gas distributor for substrate processing apparatus |
| USD1023959S1 (en) | 2021-05-11 | 2024-04-23 | Asm Ip Holding B.V. | Electrode for substrate processing apparatus |
| USD981973S1 (en) | 2021-05-11 | 2023-03-28 | Asm Ip Holding B.V. | Reactor wall for substrate processing apparatus |
| USD990441S1 (en) | 2021-09-07 | 2023-06-27 | Asm Ip Holding B.V. | Gas flow control plate |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4167915A (en) * | 1977-03-09 | 1979-09-18 | Atomel Corporation | High-pressure, high-temperature gaseous chemical apparatus |
| US4268538A (en) * | 1977-03-09 | 1981-05-19 | Atomel Corporation | High-pressure, high-temperature gaseous chemical method for silicon oxidation |
| US4315479A (en) * | 1980-06-27 | 1982-02-16 | Atomel Corporation | Silicon wafer steam oxidizing apparatus |
| US4351805A (en) * | 1981-04-06 | 1982-09-28 | International Business Machines Corporation | Single gas flow elevated pressure reactor |
| FR2571892B1 (fr) * | 1984-10-17 | 1987-09-04 | Buevoz Jean Louis | Four d'oxydation de plaquettes en materiau semi-conducteur |
| US4599247A (en) * | 1985-01-04 | 1986-07-08 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor processing facility for providing enhanced oxidation rate |
| US4943235A (en) * | 1987-11-27 | 1990-07-24 | Tel Sagami Limited | Heat-treating apparatus |
| US5167717A (en) * | 1989-02-15 | 1992-12-01 | Charles Boitnott | Apparatus and method for processing a semiconductor wafer |
-
1990
- 1990-09-28 US US07/590,402 patent/US5167716A/en not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-09 EP EP91115206A patent/EP0480181B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-09-09 DE DE69120193T patent/DE69120193T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-09-30 JP JP3251183A patent/JP3069412B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11340230A (ja) * | 1998-05-21 | 1999-12-10 | Kobe Steel Ltd | 被処理基板の高温高圧処理装置 |
| JP2000294547A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-10-20 | Japan Science & Technology Corp | 基板加熱装置 |
| JP2003282457A (ja) * | 2002-03-26 | 2003-10-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| WO2008026387A1 (fr) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Catalysts & Chemicals Industries Co., Ltd. | Procédé de formation d'un revêtement de silice amorphe à faible constante diélectrique et revêtement de silice amorphe à faible constante diélectrique obtenu grâce à celui-ci |
| JP2008053657A (ja) * | 2006-08-28 | 2008-03-06 | Catalysts & Chem Ind Co Ltd | 低誘電率非晶質シリカ系被膜の形成方法および該方法より得られる低誘電率非晶質シリカ系被膜 |
| US8227028B2 (en) | 2006-08-28 | 2012-07-24 | Jgc Catalysts And Chemicals Ltd. | Method for forming amorphous silica-based coating film with low dielectric constant and thus obtained amorphous silica-based coating film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0480181A3 (en) | 1992-04-22 |
| EP0480181B1 (en) | 1996-06-12 |
| EP0480181A2 (en) | 1992-04-15 |
| US5167716A (en) | 1992-12-01 |
| JP3069412B2 (ja) | 2000-07-24 |
| DE69120193D1 (de) | 1996-07-18 |
| DE69120193T2 (de) | 1996-10-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3069412B2 (ja) | 半導体ウエハの処理装置および方法 | |
| JP3218488B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP4174837B2 (ja) | 縦型熱処理炉 | |
| US5407350A (en) | Heat-treatment apparatus | |
| TWI462185B (zh) | 基板處理裝置，基板支持具及半導體裝置之製造方法 | |
| JP2007095879A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2007142237A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3176160B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2007088177A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS62206826A (ja) | 半導体熱処理装置 | |
| JP2766856B2 (ja) | 縦型加圧酸化装置 | |
| JP3330169B2 (ja) | ガスシャワーノズルを備えた縦型熱処理装置 | |
| JP3543987B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP2005268244A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2001068425A (ja) | 半導体熱処理装置及び方法 | |
| JP2006190812A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP4516838B2 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| CN213988834U (zh) | 一种晶圆热处理装置 | |
| KR100350612B1 (ko) | 이중수직형열처리로(爐) | |
| JP2001338890A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS62128524A (ja) | 多重構造の反応管を持つ縦型半導体熱処理装置 | |
| JP2007242789A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2007066934A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2845580B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| WO2004057656A1 (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |