JP2007242789A - 基板処理装置 - Google Patents

基板処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007242789A
JP2007242789A JP2006061165A JP2006061165A JP2007242789A JP 2007242789 A JP2007242789 A JP 2007242789A JP 2006061165 A JP2006061165 A JP 2006061165A JP 2006061165 A JP2006061165 A JP 2006061165A JP 2007242789 A JP2007242789 A JP 2007242789A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
boat
mounting table
wafer
mount
processed
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2006061165A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5027430B2 (ja
Inventor
Takayuki Nakada
高行 中田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Kokusai Electric Inc
Original Assignee
Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Kokusai Electric Inc filed Critical Hitachi Kokusai Electric Inc
Priority to JP2006061165A priority Critical patent/JP5027430B2/ja
Publication of JP2007242789A publication Critical patent/JP2007242789A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5027430B2 publication Critical patent/JP5027430B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Abstract

【課題】ボートアンローディング後にボートを直ちに退避可能とする。
【解決手段】ウエハ1をボート27で保持して処理する処理室21と、ウエハ1を加熱するヒータユニット26と、ボート27をシールキャップ18で保持して処理室21に搬入するボートエレベータ17と、シールキャップ18と異なる位置で高温の処理済みボート27Bを載置する載置台34と、処理済みボート27Bをシールキャップ18と載置台34との間で搬送するボート搬送装置30と、載置台34に載置された高温の処理済みボート27Bを冷却するように窒素ガス50を供給するクリーンユニット58とを備えている熱処理装置において、窒素ガス50を供給して載置台34を冷却する冷却板74および分岐ダクト75を載置台34に設ける。載置台を強制的に冷却することで高温によるセンサの破損を防止できるので、高温の処理済みボートを直ちに載置台に移動可能になる。
【選択図】図4

Description

本発明は、基板処理装置に関し、特に、スループットを向上する技術に係り、例えば、半導体集積回路装置(以下、ICという。)の製造方法において半導体素子を含む半導体集積回路が作り込まれる半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に熱処理(thermal treatment )を施す熱処理装置(furnace )に利用して有効なものに関する。
ICの製造方法においてウエハに絶縁膜や金属膜および半導体膜等のCVD膜を形成したり不純物を拡散したりする熱処理工程には、熱処理装置が広く使用されている。
従来のこの種の熱処理装置は、複数枚のウエハをボートに保持しつつバッチ処理する処理室と、ボートが処理室への搬入出前後に待機する待機室と、待機室に清浄雰囲気を供給するフィルタおよび送風機からなるクリーンユニットと、待機室にフィルタに対向するように設けられてボートを待機室と処理室との間で昇降させるボートエレベータとを備えており、一台のボートによって複数枚のウエハをバッチ処理するように構成されているのが、一般的である。
このような熱処理装置においては、ボートが処理室に搬入されている間にボートへのウエハの移載作業を実施することができないために、スループットが悪いという問題点がある。
そこで、二台のボートを交互に使用することによってスループットを向上させる熱処理装置が提案されている。例えば、特許文献1参照。
特開2001−338890号公報
しかし、二台のボートを交互に使用する熱処理装置においても、処理が終了して処理室からボートアンローディングしたボートは高温であるために、ボートアンローディング直後のボートを交換のために載置台に退避移動させると、載置台に設置されているセンサが高温によって破損されるという問題点がある。
このセンサの破損を回避するために、処理後のボートを自然冷却してから載置台に移動させたのでは、二台のボートを交互に使用することによるスループットの向上効果が低下してしまうという問題点がある。
本発明の目的は、ボートアンローディングにボートを直ちに退避させることができる基板処理装置を提供することにある。
前記した課題を解決するための手段のうち代表的なものは、次の通りである。
(1)基板を基板保持具によって保持しつつ処理する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室に前記基板保持具を蓋体で保持しつつ搬入する搬送手段と、
前記蓋体とは異なる位置で前記処理室内にて前記加熱手段によって加熱された前記基板保持具を載置する載置台と、
前記蓋体と前記載置台との間で前記基板保持具を移動させる基板保持具移動手段と、
前記載置台に載置された基板保持具を冷却するように冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、
前記載置台を冷却する載置台冷却手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記載置台冷却手段は、前記載置台の周辺部を局所吸引することにより、前記載置台を冷却することを特徴とする(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記基板保持具移動手段は、前記処理室内にて前記加熱手段により加熱された前記基板保持具が前記載置台に載置されている際には、前記冷却ガス供給手段と前記載置台との間に配置されており、前記載置台冷却手段は、前記載置台の周辺部を局所吸引する吸引口が、前記載置台に対して前記基板保持具移動手段の配置されている位置とは反対側の位置に配置されていることを特徴とする(1)に記載の基板処理装置。
前記した(1)の手段によれば、載置台および載置台に載置された基板保持具を強制的に冷却することができるので、高温の基板保持具を直ちに載置台に退避移動させることができる。
以下、本発明の一実施の形態を図面に即して説明する。
本実施の形態において、本発明に係る基板処理装置は、熱処理装置10として図1〜図4に示されているように構成されている。
ところで、ウエハを収容して搬送するためのキャリア(搬送治具)としては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。
ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度(クリーン度)は維持することができる。
そこで、本実施の形態においては、ウエハ1のキャリアとしてはポッド2が使用されている。
本実施の形態に係る熱処理装置10は気密構造に構築された筐体11を備えている。
筐体11の正面壁にはウエハ1を出し入れするためのウエハ搬入搬出口12が開設されており、ウエハ搬入搬出口12にはポッド2のキャップ3(図2参照)を着脱してポッド2を開閉するポッドオープナ13が設置されている。
筐体11内には待機室14が設定されており、待機室14の前側の空間にはウエハ移載装置(wafer transfer equipment )15が設置されている。ウエハ移載装置15はウエハ移載装置エレベータ16によって昇降されるように構成されている。
待機室14の後側の空間にはボートエレベータ17が垂直に設置されており、ボートエレベータ17は蓋体としてのシールキャップ18を垂直方向に昇降させるように構成されている。
シールキャップ18の中心線上には処理室21を形成するプロセスチューブ20が、マニホールド22を介して垂直に立脚されて筐体11の上に設置されている。
図3に示されているように、マニホールド22には処理室21に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管23と、処理室21を真空排気するための排気管24が接続されている。
また、マニホールド22の下端の開口(炉口)はシャッタ25によって開閉されるようになっている。
プロセスチューブ20の外側にはヒータユニット26が同心円に配されて筐体11に支持されており、ヒータユニット26は処理室21を全体にわたって均一または所定の温度分布に加熱するように構成されている。
なお、待機室14のウエハ搬入搬出口12の左脇には、ノッチ合わせ装置4が設置されている。
図1に示されているように、本実施の形態においては、基板保持具としてのボート27は二台が使用される。
二台のボート27、27は同一に構成されており、図2および図3に示されているように、上下で一対の端板27a、27bと、両端板27a、27b間に架設されて垂直に配設された複数本(本実施の形態では三本)の保持部材27cとを備えており、各保持部材27cには複数条の保持溝27dが、長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻まれている。
そして、ウエハ1の外周縁部が各保持部材27cの同一段の保持溝27d間に挿入されることにより、複数枚のウエハ1は水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されて、ボート27に保持されるようになっている。
ボート27の下には断熱キャップ部28が形成されており、断熱キャップ部28は炉口に挿入された状態で、炉口付近を断熱するようになっている。
シールキャップ18の上には支持台29が設置されており、支持台29の上にはボート27が断熱キャップ部28を介して載置されるようになっている。支持台29は図示しない回転装置によって回転されるようになっている。
図1に示されているように、待機室14のボートエレベータ17と反対側には、基板保持具移動手段としてのボート移送装置30が設備されている。
図1および図5に示されているように、ボート移送装置30は水平面内で往復回動する第一アーム31と第二アーム32とを備えている。第一アーム31および第二アーム32はいずれも円弧形状に形成されており、断熱キャップ部28の下面に挿入されて下から係合することにより、ボート27全体を垂直に支持するようになっている。
図1に示されているように、第一アーム31がシールキャップ18の中心から約90度離間した状態の対向位置には、第一載置台33が設置されている。
ボート移送装置30は第一アーム31によってボート27を第一載置台33とシールキャップ18上の支持台29との間で移送するように構成されている。
また、第二アーム32がシールキャップ18の中心から約90度離間した状態の対向位置には、第二載置台34が設置されている。
ボート移送装置30は第二アーム32によってボート27を第二載置台34とシールキャップ18上の支持台29との間および第二載置台34と第一載置台33との間で移送するように構成されている。
第一載置台33および第二載置台34は略同様に構成されているので、その構成は第二載置台(以下、区別を要しない場合には、載置台という。)34を代表にして、図6および図7によって説明する。
載置台34は台座35を備えており、台座35は図6に示されているように円盤形状に形成されている。台座35の上面には有無センサ36および識別センサ37が設置されている。有無センサ36と識別センサ37の構造は共に同じである。
図7に示されているように、台座35には樹脂製のピン38が摺動自在に貫通されており、ピン38の真下には有無センサ36および識別センサ37の検出子(センサ)39が配置されている。検出子39は台座35に樹脂製プレート40を介して固定された金属板41に取り付けられている。
筐体11には待機室14に不活性ガスとしての窒素ガス50を循環させる循環路51を構成した循環ダクト52が、図1〜図4に示されているように敷設されている。
循環ダクト52は吸込側ダクト部53を備えており、吸込側ダクト部53は待機室14における一方の側面である右側面にウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17を待機室14から隔離するように、略全体面にわたって垂直に敷設されている。
吸込側ダクト部53の待機室14に接する側壁には、2本の挿通孔54、54がウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17のアームの昇降移動範囲にわたってそれぞれ開設されており、両挿通孔54、54にはウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17のアームがそれぞれ挿通されている。
また、両挿通孔54、54と同様に、後述するクリーンユニット58と第二載置台34とを結ぶ略延長線上には、吸込孔67が吸込側ダクト部53の待機室14に接する側壁に開設されている。
吸込側ダクト部53の下端部における前端には、メイン連絡ダクト部55の吸込側端が接続されており、メイン連絡ダクト部55は待機室14の外部における下端部を横切るように水平に敷設されている。メイン連絡ダクト部55の待機室14に面する側壁には、吸込口56が横長に大きく開設されている。
待機室14における吸込側ダクト部53の反対側である左側面には吹出側ダクト部57が垂直に敷設されている。吹出側ダクト部57の下端部にはメイン連絡ダクト部55の吹出側端が接続されている。
吹出側ダクト部57の待機室14に面する側壁には、待機室14に清浄化した雰囲気を供給するクリーンユニット58が略全面にわたって建て込まれている。
クリーンユニット58はパーティクルを捕集するフィルタ59と、清浄化した雰囲気を送風する複数の送風機60とを備えており、フィルタ59が待機室14に露出するとともに、送風機60群の下流側になるように構成されている。
図1および図2に示されているように、循環ダクト52のメイン連絡ダクト部55の吹出側端部には、循環路51に窒素ガス50を供給する供給管61が接続されている。
図1に示されているように、循環路51から窒素ガス50を排出する排出路としての排出管62が接続されており、排出管62には開閉弁63が介設されている。
そして、ボート27が処理室21から搬出される際には、待機室14から排出管62によって排出される所定の流量の窒素ガス50を待機室14に供給管61から供給し、ボート27が処理室21に搬入されている際には、窒素ガス50を待機室14に循環路51によって循環させる制御が可能なように、開閉弁63は構成されている。
また、図3に示されているように、循環ダクト52の吹出側ダクト部57の上端には、クリーンエアを導入するクリーンエア導入管64が接続されており、クリーンエア導入管64には止め弁65が介設されている。
図3および図4に示されているように、吹出側ダクト部57の下端部には、吹出側ダクト部57に回収された窒素ガス50を冷却するための冷却器66が前後方向に延在するように敷設されている。
本実施の形態において、冷却器66は水冷式熱交換器によって構成されている。
図1に示されているように、待機室14内の第二載置台34の手前側における底面上には、冷却ガス供給手段としてのサブ連絡ダクト部70が左右方向に横断するように敷設されている。
図1および図4に示されているように、サブ連絡ダクト部70の吸込側端(上流側端)71は吸込側ダクト部53の下端部に接続されており、サブ連絡ダクト部70の吹出側端(下流側端)72は吹出側ダクト部57の下端部に接続されている。
図1および図6に示されているように、コンダクタンスを高めるために、サブ連絡ダクト部70は角のない形状に形成されている。また、シールキャップ18、ボート移送装置30の本体部分および第二載置台34を逃げるように水平方向に蛇行されている。また、サブ連絡ダクト部70の断面積は第二アーム32の回動および第二載置台34へのボート27の送迎動作を妨げない大きさとしつつも風量を高めるために、可及的に大きく設定されている。
図1、図4、図6および図7に示されているように、第二載置台34のクリーンユニット58と反対側の片脇には、載置台冷却手段としての冷却板74が垂直に立脚されている。冷却板74は半円筒形状に形成されており、開口側(弦側)がクリーンユニット58側に正対されて、第二載置台34のクリーンユニット58と反対側半分を被覆している。
冷却板74とサブ連絡ダクト部70との間には、載置台冷却手段の一部を構成する分岐ダクト75が架設されている。分岐ダクト75の吸込側端(上流側端)76は冷却板74の上端部の中央に接続されており、分岐ダクト75の吹出側端(下流側端)77はサブ連絡ダクト部70の上面壁に接続されている。
分岐ダクト75の吹出側端77のサブ連絡ダクト部70との接続部は、大きな風量を最も確保することができるように、サブ連絡ダクト部70の可及的に下流側端部に配置されている。
次に、前記構成に係る熱処理装置の作用を説明する。
図1および図2に示されているように、複数枚のウエハ1が収納されたポッド2はポッドオープナ13の載置台13aに供給される。
ポッドオープナ13の載置台13aに載置されたポッド2はキャップ3をポッドオープナ13によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド2に収納されたウエハ1は、図1に示されているように第一載置台33の上に置かれた空のボート(以下、第一ボート27Aという。)にウエハ移載装置15によって移載される。
他方、図1で参照されるように、所定枚数のウエハ1を保持した他方のボート27は、シールキャップ18に垂直に支持された状態で、ボートエレベータ17によってプロセスチューブ20の処理室21に搬入されて所定の処理を施される。
すなわち、シールキャップ18に垂直に支持されたボート27はボートエレベータ17によって上昇されて、プロセスチューブ20の処理室21に搬入(ボートローディング)される。ボート27が上限に達すると、シールキャップ18の上面の外周辺部がマニホールド22の下端開口をシール状態に閉塞するため、処理室21は気密に閉じられた状態になる。
処理室21がシールキャップ18によって気密に閉じられた状態で、処理室21が所定の真空度に排気管24によって真空排気され、ヒータユニット26によって所定の処理温度(例えば、800〜1000℃)をもって全体にわたって均一に加熱され、処理ガスが処理室21にガス導入管23によって所定の流量供給される。これにより、所定の熱処理が施される。
この熱処理の間に、前述したように、第一載置台33においては第一ボート27Aにウエハ1がウエハ移載装置15によって移載(ウエハローディング)されていることになる。
予め設定された処理時間が経過すると、図1〜図3に示されているように、ボート27を支持したシールキャップ18がボートエレベータ17によって下降されることにより、ボート27がプロセスチューブ20の処理室21から搬出(ボートアンローディング)される。
ボート27が搬出されたマニホールド22の下端開口はシャッタ25によって閉鎖され、処理室21の高温ガスが逃げるのを防止する。
処理室21から搬出されたボート27およびこれに保持されたウエハ1群(以下、処理済みボート27Bという。)は高温の状態になっている。
処理室21から搬出された高温状態の処理済みボート27Bはシールキャップ18から第二載置台34へボート移送装置30の第二アーム32によって直ちに移送されて、図4に示されているように載置される。
すなわち、第二アーム32は処理済みボート27Bの断熱キャップ部28の下面に横から係合することによって処理済みボート27Bを垂直に支持した状態で、約90度回動することにより、処理済みボート27Bをシールキャップ18の上から第二載置台34の上へ移送し載置する。
載置後に、図1および図5に示すように第二アーム32は、クリーンユニット58と第二載置台34との間の位置で待機される。
処理済みボート27Bがシールキャップ18の上から退避されると、第一載置台33において指定の枚数のウエハ1を予め移載された第一ボート27Aが、第一載置台33からシールキャップ18へボート移送装置30の第一アーム31によって移送され、シールキャップ18の支持台29の上に移載される。
すなわち、第一アーム31は第一ボート27Aの断熱キャップ部28の下面に横から係合することによって第一ボート27Aを垂直に支持した状態で、約90度回動することによって、第一ボート27Aを第一載置台33からシールキャップ18へ移送し、シールキャップ18の支持台29の上に受け渡す。
ここで、図4に示されているように、第二載置台34はクリーンユニット58の近傍に配置されているため、第二載置台34に移載された高温状態の処理済みボート27Bがクリーンユニット58から吹き出す窒素ガス50によってきわめて効果的に冷却される状態になる。
他方、シールキャップ18の支持台29の上に移載された第一ボート27Aはボートエレベータ17によって上昇され、プロセスチューブ20の処理室21に搬入されてウエハ1群に所定の処理が施される。
この第一ボート27Aに対する熱処理の間に、プロセスチューブ20の下方空間においては、先に熱処理されて第二載置台34に置かれた処理済みボート27Bが、第二アーム32によって第二載置台34から第一載置台33に移送されて載置される。
この際、処理済みボート27Bは充分に冷却されているため、処理済みボート27Bの温度は、例えば、150℃以下になっている。
処理済みボート27Bが第一載置台33に移載されると、ウエハ移載装置15は第一載置台33の処理済みボート27Bからウエハ1を受け取ってポッドオープナ13の載置台の空のポッド2に移載して行く。
全てのウエハ1がポッド2に戻されると、第一載置台33の上の空のボート27Aには次に処理すべき新規のウエハ1がウエハ移載装置15によって移載されて行く。
そして、指定された枚数のウエハ1が移載されると、ボート27Aは第一載置台33の上で次の作動に待機する状態になる。
以降、前述した作用が繰り返されてウエハ1が熱処理装置10によってバッチ処理されて行く。
以上の作業中には窒素ガス50が待機室14に循環路51によって循環されている。
すなわち、供給管61から循環路51に供給された窒素ガス50は、図1、図3および図4に示されているように、循環ダクト52における吹出側ダクト部57に建て込まれたクリーンユニット58から待機室14に吹き出し、待機室14を流通して吸込口56からメイン連絡ダクト部55に吸い込まれるか、挿通孔54および吸込孔67から吸込側ダクト部53に吸い込まれる。
メイン連絡ダクト部55に吸い込まれた窒素ガス50は、吹出側ダクト部57に直接的に戻る。
吸込側ダクト部53に吸い込まれた窒素ガス50は、メイン連絡ダクト部55およびサブ連絡ダクト部70を経由して吹出側ダクト部57に戻る。吹出側ダクト部57に戻った窒素ガス50はクリーンユニット58から待機室14に再び吹き出す。
以上の流れを繰り返すことにより、窒素ガス50は待機室14と循環路51とを循環する。
なお、処理済みのウエハ1を保持したボート27が搬出される際(ボートアンローディングステップ時)には、開閉弁63が開かれることにより、循環路51の窒素ガス50が排出管62によって排出されるとともに、排出管62から排出される窒素ガス50の流量分に相当する窒素ガス50の流量が供給管61から補給されるようにしてもよい。
ところで、処理済みボート27Bをボートアンローディング直後に、シールキャップ18の上から第二載置台34に第二アーム32によって退避移動させると、第二アーム32はクリーンユニット58と第二載置台34との間の位置に待機することとなり、クリーンユニット58から吹き出された窒素ガス50が第二アーム32に邪魔されて、有無センサ36や識別センサ37の検出子39の設置位置まで流れにくくなってしまう。
そのため、処理済みボート27Bの熱影響を受け、第二載置台34に設置された有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温になってしまい破損されるという問題点がある。
しかし、本実施の形態においては、第二載置台34に設置された冷却板74および分岐ダクト75によって、第二載置台34および処理済みボート27Bを冷却することができるので、有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温によって破損される事故が発生するのを未然に防止することができる。
すなわち、図4、図6および図7に示されているように、分岐ダクト75からの吸込力および冷却板74の誘導によってクリーンユニット58から吹き出された窒素ガス50が第二載置台34の台座35の下部を通過するようになる。
そのため、第二載置台34の台座35の下部には冷えた新鮮な窒素ガス50が多量に接触する状況になり、第二載置台34は効率よく冷却されることになる。
その結果、第二載置台34に設置された有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温によって破損される事故が発生するのを未然に防止することができる。
しかも、クリーンユニット58が吹き出す窒素ガス50の下流側に冷却板74および分岐ダクト75を設けているので、待機室14内の窒素ガス50の流れを乱すことがない。
さらに、第二アーム32がクリーンユニット58と第二載置台34との間に待機した状態でも、第二載置台34の台座35の下部を冷却できるので、スペースを有効利用することができるとともに、第二アーム32の余計な動作を無くすことができる。
この際、サブ連絡ダクト部70は角のない形状に形成されているとともに、断面積が可及的に大きく設定されているため、第二載置台34の台座35の下部を通過する窒素ガス50は冷却板74に誘導され、分岐ダクト75に吸い込まれ易くなる。
また、冷却板74の上部中央に分岐ダクト75の吸込側端76を設けているので、検出子39を効率よく冷却することができる。
前記実施の形態によれば、次の効果が得られる。
1) 処理済みボート27Bを載置する第二載置台34に冷却板74および分岐ダクト75を設けることにより、第二載置台34および処理済みボート27Bを強制的に冷却することができるので、有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温によって破損される事故を未然に防止することができる。
2) サブ連絡ダクト部70を角のない形状に形成するとともに、断面積を可及的に大きく設定し、第二載置台34付近を通過する窒素ガス50を冷却板74によって分岐ダクト75に吸い込ませることができるので、第二載置台34および処理済みボート27Bをきわめて効率よく冷却することができる。
3) プロセスチューブ20の処理室21から搬出されて高温状態になった処理済みボート27Bを、クリーンユニット58に臨ませた第二載置台34にボート移送装置30の第二アーム32によって直ちに移送することにより、全体としてのスループットを高めることができる。
4) 高温状態になった処理済みボート27Bをシールキャップ18の上から第二載置台34にボート移送装置30の第二アーム32によって直ちに移送して退避させることにより、高温状態の処理済みボート27Bの熱影響が第一載置台33のボート27のウエハ1に及ぶのを防止することができるため、これから処理される新規のウエハ1における処理済みボート27Bの熱影響による処理精度の低下を未然に防止することができる。
5) ウエハ1に熱影響が及ぶのを回避することにより、熱処理装置の熱処理の精度を高めることができるとともに、ウエハによって製造される半導体装置の品質および信頼性を高めることができる。
なお、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更が可能であることはいうまでもない。
例えば、サブ連絡ダクト部に送風機を設置してもよい。
さらに、サブ連絡ダクト部の内部に風量調整ダンパを設置することにより、分岐ダクトによって吸い込む窒素ガスの流量を調整し、待機室内の窒素ガスの流れと、第二載置台の台座の下部の窒素ガスの流れとのバランスを調整するように構成してもよい。
さらに、送風機および/または風量調整ダンパを第二載置台34のセンサの出力等に連携させるように構成してもよい。
例えば、第二載置台にボートが置かれたとボート有無センサが検出した際には、風量が大きくなるようにし、第二載置台からボートが退避されたとボート有無センサが検出した際には、風量が小さくなるように制御してもよい。
冷却ガスになる清浄雰囲気としては、窒素ガスを使用するに限らず、クリーンエア等を使用してもよい。
クリーンユニットに設置するフィルタは、パーティクルを除去し、清浄化するタイプであればよいが、好ましくは、パーティクルを除去するタイプと有機物を除去するタイプとの両方を設置するようにするとよい。
熱処理装置はアニール処理や酸化膜形成処理や拡散処理および成膜処理等の熱処理全般に使用することができる。
本実施の形態ではバッチ式縦形ホットウオール形熱処理装置の場合について説明したが、本発明はこれに限らず、バッチ式横形ホットウオール形熱処理装置等の基板処理装置全般に適用することができる。
前記実施の形態ではウエハに熱処理が施される場合について説明したが、被処理基板はホトマスクやプリント配線基板、液晶パネル、コンパクトディスクおよび磁気ディスク等であってもよい。
本発明の一実施の形態である熱処理装置を示す平面断面図である。 一部省略側面断面図である。 一部省略正面断面図である。 サブ連絡ダクト部を通り正面断面図である。 ボート移送装置を示す斜視図である。 サブ連絡ダクト部および第二載置台を示す斜視図である。 サブ連絡ダクト部および第二載置台を示す断面図である。
符号の説明
1…ウエハ(基板)、2…ポッド(ウエハキャリア)、3…キャップ、4…ノッチ合わせ装置、10…熱処理装置(基板処理装置)、11…筐体、12…ウエハ搬入搬出口、13…ポッドオープナ、14…待機室、15…ウエハ移載装置、16…ウエハ移載装置エレベータ、17…ボートエレベータ(搬送手段)、18…シールキャップ、20…プロセスチューブ、21…処理室、22…マニホールド、23…ガス導入管、24…排気管、25…シャッタ、26…ヒータユニット(加熱手段)、27…ボート(基板保持具)、27A…第一ボート、27B…第二ボート(処理済みボート)、28…断熱キャップ部、29…支持台、30…ボート移送装置(基板保持具移動手段)、31…第一アーム、32…第二アーム、33…第一載置台、34…第二載置台、35…台座、36…有無センサ、37…識別センサ、38…樹脂製のピン、39…検出子、40…樹脂製プレート、41…金属板、50…窒素ガス(冷却ガス)、51…循環路、52…循環ダクト、53…吸込側ダクト部、54…挿通孔、55…メイン連絡ダクト部、56…吸込口、57…吹出側ダクト部、58…クリーンユニット、59…フィルタ、60…送風機、61…供給管、62…排出管、63…開閉弁、64…クリーンエア導入管、65…止め弁、66…冷却器、67…吸込孔、70…サブ連絡ダクト部(冷却ガス供給手段)、71…吸込側端(上流側端)、72…吹出側端(下流側端)、74…冷却板、75…分岐ダクト、76…吸込側端(上流側端)、77…吹出側端(下流側端)。

Claims (1)

  1. 基板を基板保持具によって保持しつつ処理する処理室と、
    前記基板を加熱する加熱手段と、
    前記処理室に前記基板保持具を蓋体で保持しつつ搬入する搬送手段と、
    前記蓋体とは異なる位置で前記処理室内にて前記加熱手段によって加熱された前記基板保持具を載置する載置台と、
    前記蓋体と前記載置台との間で前記基板保持具を移動させる基板保持具移動手段と、
    前記載置台に載置された基板保持具を冷却するように冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、
    前記載置台を冷却する載置台冷却手段と、
    を備えていることを特徴とする基板処理装置。
JP2006061165A 2006-03-07 2006-03-07 基板処理装置 Active JP5027430B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006061165A JP5027430B2 (ja) 2006-03-07 2006-03-07 基板処理装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006061165A JP5027430B2 (ja) 2006-03-07 2006-03-07 基板処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2007242789A true JP2007242789A (ja) 2007-09-20
JP5027430B2 JP5027430B2 (ja) 2012-09-19

Family

ID=38588055

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006061165A Active JP5027430B2 (ja) 2006-03-07 2006-03-07 基板処理装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP5027430B2 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2021009872A (ja) * 2019-06-28 2021-01-28 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US11694907B2 (en) * 2016-08-04 2023-07-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism
KR20240115734A (ko) 2023-01-19 2024-07-26 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338890A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2001338889A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP2002009000A (ja) * 2000-06-23 2002-01-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2002043398A (ja) * 2000-07-27 2002-02-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003007796A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003100730A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003109951A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001338890A (ja) * 2000-05-26 2001-12-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2001338889A (ja) * 2000-05-29 2001-12-07 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法
JP2002009000A (ja) * 2000-06-23 2002-01-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 半導体製造装置
JP2002043398A (ja) * 2000-07-27 2002-02-08 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2003007796A (ja) * 2001-06-19 2003-01-10 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003100730A (ja) * 2001-09-27 2003-04-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP2003109951A (ja) * 2001-09-28 2003-04-11 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11694907B2 (en) * 2016-08-04 2023-07-04 Kokusai Electric Corporation Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism
JP2021009872A (ja) * 2019-06-28 2021-01-28 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
KR20240115734A (ko) 2023-01-19 2024-07-26 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램

Also Published As

Publication number Publication date
JP5027430B2 (ja) 2012-09-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4559427B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
KR101957751B1 (ko) 기판 처리 장치
US7198447B2 (en) Semiconductor device producing apparatus and producing method of semiconductor device
US20120083120A1 (en) Substrate processing apparatus and method of manufacturing a semiconductor device
US20080134977A1 (en) Substrate Treating Apparatus and Semiconductor Device Manufacturing Method
TW201041068A (en) Substrate processing apparatus
JP2007095879A (ja) 基板処理装置
TWI409896B (zh) 基板處理裝置及半導體裝置之製造方法
TW202114026A (zh) 基板處理裝置和半導體裝置的製造方法
JP5027430B2 (ja) 基板処理装置
JP2002175999A (ja) 基板処理装置
JP2004119888A (ja) 半導体製造装置
TWI545671B (zh) 基板冷卻單元及基板處理設備
JP3593025B2 (ja) 熱処理装置及びローディング室の冷却方法
JP5252850B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP4860373B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP2011044633A (ja) 基板処理装置
JP3856726B2 (ja) 半導体製造装置
JP4283973B2 (ja) 基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP5224679B2 (ja) 基板処理装置、半導体装置の製造方法および基板処理方法
JP2005347667A (ja) 半導体製造装置
JP4928368B2 (ja) 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
JP2004119627A (ja) 半導体製造装置
JP2007027379A (ja) 基板処理装置
JP2001068425A (ja) 半導体熱処理装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20090219

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120612

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120622

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150629

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5027430

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250