JP2007242789A - 基板処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ウエハ1をボート27で保持して処理する処理室21と、ウエハ1を加熱するヒータユニット26と、ボート27をシールキャップ18で保持して処理室21に搬入するボートエレベータ17と、シールキャップ18と異なる位置で高温の処理済みボート27Bを載置する載置台34と、処理済みボート27Bをシールキャップ18と載置台34との間で搬送するボート搬送装置30と、載置台34に載置された高温の処理済みボート27Bを冷却するように窒素ガス50を供給するクリーンユニット58とを備えている熱処理装置において、窒素ガス50を供給して載置台34を冷却する冷却板74および分岐ダクト75を載置台34に設ける。載置台を強制的に冷却することで高温によるセンサの破損を防止できるので、高温の処理済みボートを直ちに載置台に移動可能になる。
【選択図】図4
Description
従来のこの種の熱処理装置は、複数枚のウエハをボートに保持しつつバッチ処理する処理室と、ボートが処理室への搬入出前後に待機する待機室と、待機室に清浄雰囲気を供給するフィルタおよび送風機からなるクリーンユニットと、待機室にフィルタに対向するように設けられてボートを待機室と処理室との間で昇降させるボートエレベータとを備えており、一台のボートによって複数枚のウエハをバッチ処理するように構成されているのが、一般的である。
このような熱処理装置においては、ボートが処理室に搬入されている間にボートへのウエハの移載作業を実施することができないために、スループットが悪いという問題点がある。
そこで、二台のボートを交互に使用することによってスループットを向上させる熱処理装置が提案されている。例えば、特許文献1参照。
このセンサの破損を回避するために、処理後のボートを自然冷却してから載置台に移動させたのでは、二台のボートを交互に使用することによるスループットの向上効果が低下してしまうという問題点がある。
(1)基板を基板保持具によって保持しつつ処理する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室に前記基板保持具を蓋体で保持しつつ搬入する搬送手段と、
前記蓋体とは異なる位置で前記処理室内にて前記加熱手段によって加熱された前記基板保持具を載置する載置台と、
前記蓋体と前記載置台との間で前記基板保持具を移動させる基板保持具移動手段と、
前記載置台に載置された基板保持具を冷却するように冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、
前記載置台を冷却する載置台冷却手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
(2)前記載置台冷却手段は、前記載置台の周辺部を局所吸引することにより、前記載置台を冷却することを特徴とする(1)に記載の基板処理装置。
(3)前記基板保持具移動手段は、前記処理室内にて前記加熱手段により加熱された前記基板保持具が前記載置台に載置されている際には、前記冷却ガス供給手段と前記載置台との間に配置されており、前記載置台冷却手段は、前記載置台の周辺部を局所吸引する吸引口が、前記載置台に対して前記基板保持具移動手段の配置されている位置とは反対側の位置に配置されていることを特徴とする(1)に記載の基板処理装置。
ところで、ウエハを収容して搬送するためのキャリア(搬送治具)としては、互いに対向する一対の面が開口された略立方体の箱形状に形成されているオープンカセットと、一つの面が開口された略立方体の箱形状に形成され開口面にキャップが着脱自在に装着されているFOUP(front opening unified pod 。以下、ポッドという。)とがある。
ウエハのキャリアとしてポッドが使用される場合には、ウエハが密閉された状態で搬送されることになるため、周囲の雰囲気にパーティクル等が存在していたとしてもウエハの清浄度(クリーン度)は維持することができる。
そこで、本実施の形態においては、ウエハ1のキャリアとしてはポッド2が使用されている。
筐体11の正面壁にはウエハ1を出し入れするためのウエハ搬入搬出口12が開設されており、ウエハ搬入搬出口12にはポッド2のキャップ3(図2参照)を着脱してポッド2を開閉するポッドオープナ13が設置されている。
待機室14の後側の空間にはボートエレベータ17が垂直に設置されており、ボートエレベータ17は蓋体としてのシールキャップ18を垂直方向に昇降させるように構成されている。
図3に示されているように、マニホールド22には処理室21に原料ガスやパージガス等を導入するためのガス導入管23と、処理室21を真空排気するための排気管24が接続されている。
また、マニホールド22の下端の開口(炉口)はシャッタ25によって開閉されるようになっている。
なお、待機室14のウエハ搬入搬出口12の左脇には、ノッチ合わせ装置4が設置されている。
二台のボート27、27は同一に構成されており、図2および図3に示されているように、上下で一対の端板27a、27bと、両端板27a、27b間に架設されて垂直に配設された複数本(本実施の形態では三本)の保持部材27cとを備えており、各保持部材27cには複数条の保持溝27dが、長手方向に等間隔に配されて互いに同一平面内において開口するようにそれぞれ刻まれている。
そして、ウエハ1の外周縁部が各保持部材27cの同一段の保持溝27d間に挿入されることにより、複数枚のウエハ1は水平にかつ互いに中心を揃えた状態に整列されて、ボート27に保持されるようになっている。
シールキャップ18の上には支持台29が設置されており、支持台29の上にはボート27が断熱キャップ部28を介して載置されるようになっている。支持台29は図示しない回転装置によって回転されるようになっている。
図1および図5に示されているように、ボート移送装置30は水平面内で往復回動する第一アーム31と第二アーム32とを備えている。第一アーム31および第二アーム32はいずれも円弧形状に形成されており、断熱キャップ部28の下面に挿入されて下から係合することにより、ボート27全体を垂直に支持するようになっている。
図1に示されているように、第一アーム31がシールキャップ18の中心から約90度離間した状態の対向位置には、第一載置台33が設置されている。
ボート移送装置30は第一アーム31によってボート27を第一載置台33とシールキャップ18上の支持台29との間で移送するように構成されている。
また、第二アーム32がシールキャップ18の中心から約90度離間した状態の対向位置には、第二載置台34が設置されている。
ボート移送装置30は第二アーム32によってボート27を第二載置台34とシールキャップ18上の支持台29との間および第二載置台34と第一載置台33との間で移送するように構成されている。
載置台34は台座35を備えており、台座35は図6に示されているように円盤形状に形成されている。台座35の上面には有無センサ36および識別センサ37が設置されている。有無センサ36と識別センサ37の構造は共に同じである。
図7に示されているように、台座35には樹脂製のピン38が摺動自在に貫通されており、ピン38の真下には有無センサ36および識別センサ37の検出子(センサ)39が配置されている。検出子39は台座35に樹脂製プレート40を介して固定された金属板41に取り付けられている。
循環ダクト52は吸込側ダクト部53を備えており、吸込側ダクト部53は待機室14における一方の側面である右側面にウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17を待機室14から隔離するように、略全体面にわたって垂直に敷設されている。
吸込側ダクト部53の待機室14に接する側壁には、2本の挿通孔54、54がウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17のアームの昇降移動範囲にわたってそれぞれ開設されており、両挿通孔54、54にはウエハ移載装置エレベータ16およびボートエレベータ17のアームがそれぞれ挿通されている。
また、両挿通孔54、54と同様に、後述するクリーンユニット58と第二載置台34とを結ぶ略延長線上には、吸込孔67が吸込側ダクト部53の待機室14に接する側壁に開設されている。
吸込側ダクト部53の下端部における前端には、メイン連絡ダクト部55の吸込側端が接続されており、メイン連絡ダクト部55は待機室14の外部における下端部を横切るように水平に敷設されている。メイン連絡ダクト部55の待機室14に面する側壁には、吸込口56が横長に大きく開設されている。
吹出側ダクト部57の待機室14に面する側壁には、待機室14に清浄化した雰囲気を供給するクリーンユニット58が略全面にわたって建て込まれている。
クリーンユニット58はパーティクルを捕集するフィルタ59と、清浄化した雰囲気を送風する複数の送風機60とを備えており、フィルタ59が待機室14に露出するとともに、送風機60群の下流側になるように構成されている。
図1に示されているように、循環路51から窒素ガス50を排出する排出路としての排出管62が接続されており、排出管62には開閉弁63が介設されている。
そして、ボート27が処理室21から搬出される際には、待機室14から排出管62によって排出される所定の流量の窒素ガス50を待機室14に供給管61から供給し、ボート27が処理室21に搬入されている際には、窒素ガス50を待機室14に循環路51によって循環させる制御が可能なように、開閉弁63は構成されている。
本実施の形態において、冷却器66は水冷式熱交換器によって構成されている。
図1および図4に示されているように、サブ連絡ダクト部70の吸込側端(上流側端)71は吸込側ダクト部53の下端部に接続されており、サブ連絡ダクト部70の吹出側端(下流側端)72は吹出側ダクト部57の下端部に接続されている。
図1および図6に示されているように、コンダクタンスを高めるために、サブ連絡ダクト部70は角のない形状に形成されている。また、シールキャップ18、ボート移送装置30の本体部分および第二載置台34を逃げるように水平方向に蛇行されている。また、サブ連絡ダクト部70の断面積は第二アーム32の回動および第二載置台34へのボート27の送迎動作を妨げない大きさとしつつも風量を高めるために、可及的に大きく設定されている。
冷却板74とサブ連絡ダクト部70との間には、載置台冷却手段の一部を構成する分岐ダクト75が架設されている。分岐ダクト75の吸込側端(上流側端)76は冷却板74の上端部の中央に接続されており、分岐ダクト75の吹出側端(下流側端)77はサブ連絡ダクト部70の上面壁に接続されている。
分岐ダクト75の吹出側端77のサブ連絡ダクト部70との接続部は、大きな風量を最も確保することができるように、サブ連絡ダクト部70の可及的に下流側端部に配置されている。
ポッドオープナ13の載置台13aに載置されたポッド2はキャップ3をポッドオープナ13によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
すなわち、シールキャップ18に垂直に支持されたボート27はボートエレベータ17によって上昇されて、プロセスチューブ20の処理室21に搬入(ボートローディング)される。ボート27が上限に達すると、シールキャップ18の上面の外周辺部がマニホールド22の下端開口をシール状態に閉塞するため、処理室21は気密に閉じられた状態になる。
処理室21がシールキャップ18によって気密に閉じられた状態で、処理室21が所定の真空度に排気管24によって真空排気され、ヒータユニット26によって所定の処理温度(例えば、800〜1000℃)をもって全体にわたって均一に加熱され、処理ガスが処理室21にガス導入管23によって所定の流量供給される。これにより、所定の熱処理が施される。
この熱処理の間に、前述したように、第一載置台33においては第一ボート27Aにウエハ1がウエハ移載装置15によって移載(ウエハローディング)されていることになる。
ボート27が搬出されたマニホールド22の下端開口はシャッタ25によって閉鎖され、処理室21の高温ガスが逃げるのを防止する。
処理室21から搬出されたボート27およびこれに保持されたウエハ1群(以下、処理済みボート27Bという。)は高温の状態になっている。
すなわち、第二アーム32は処理済みボート27Bの断熱キャップ部28の下面に横から係合することによって処理済みボート27Bを垂直に支持した状態で、約90度回動することにより、処理済みボート27Bをシールキャップ18の上から第二載置台34の上へ移送し載置する。
載置後に、図1および図5に示すように第二アーム32は、クリーンユニット58と第二載置台34との間の位置で待機される。
すなわち、第一アーム31は第一ボート27Aの断熱キャップ部28の下面に横から係合することによって第一ボート27Aを垂直に支持した状態で、約90度回動することによって、第一ボート27Aを第一載置台33からシールキャップ18へ移送し、シールキャップ18の支持台29の上に受け渡す。
この際、処理済みボート27Bは充分に冷却されているため、処理済みボート27Bの温度は、例えば、150℃以下になっている。
そして、指定された枚数のウエハ1が移載されると、ボート27Aは第一載置台33の上で次の作動に待機する状態になる。
すなわち、供給管61から循環路51に供給された窒素ガス50は、図1、図3および図4に示されているように、循環ダクト52における吹出側ダクト部57に建て込まれたクリーンユニット58から待機室14に吹き出し、待機室14を流通して吸込口56からメイン連絡ダクト部55に吸い込まれるか、挿通孔54および吸込孔67から吸込側ダクト部53に吸い込まれる。
メイン連絡ダクト部55に吸い込まれた窒素ガス50は、吹出側ダクト部57に直接的に戻る。
吸込側ダクト部53に吸い込まれた窒素ガス50は、メイン連絡ダクト部55およびサブ連絡ダクト部70を経由して吹出側ダクト部57に戻る。吹出側ダクト部57に戻った窒素ガス50はクリーンユニット58から待機室14に再び吹き出す。
以上の流れを繰り返すことにより、窒素ガス50は待機室14と循環路51とを循環する。
そのため、処理済みボート27Bの熱影響を受け、第二載置台34に設置された有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温になってしまい破損されるという問題点がある。
すなわち、図4、図6および図7に示されているように、分岐ダクト75からの吸込力および冷却板74の誘導によってクリーンユニット58から吹き出された窒素ガス50が第二載置台34の台座35の下部を通過するようになる。
そのため、第二載置台34の台座35の下部には冷えた新鮮な窒素ガス50が多量に接触する状況になり、第二載置台34は効率よく冷却されることになる。
その結果、第二載置台34に設置された有無センサ36や識別センサ37の検出子39が高温によって破損される事故が発生するのを未然に防止することができる。
しかも、クリーンユニット58が吹き出す窒素ガス50の下流側に冷却板74および分岐ダクト75を設けているので、待機室14内の窒素ガス50の流れを乱すことがない。
さらに、第二アーム32がクリーンユニット58と第二載置台34との間に待機した状態でも、第二載置台34の台座35の下部を冷却できるので、スペースを有効利用することができるとともに、第二アーム32の余計な動作を無くすことができる。
この際、サブ連絡ダクト部70は角のない形状に形成されているとともに、断面積が可及的に大きく設定されているため、第二載置台34の台座35の下部を通過する窒素ガス50は冷却板74に誘導され、分岐ダクト75に吸い込まれ易くなる。
また、冷却板74の上部中央に分岐ダクト75の吸込側端76を設けているので、検出子39を効率よく冷却することができる。
さらに、サブ連絡ダクト部の内部に風量調整ダンパを設置することにより、分岐ダクトによって吸い込む窒素ガスの流量を調整し、待機室内の窒素ガスの流れと、第二載置台の台座の下部の窒素ガスの流れとのバランスを調整するように構成してもよい。
さらに、送風機および/または風量調整ダンパを第二載置台34のセンサの出力等に連携させるように構成してもよい。
例えば、第二載置台にボートが置かれたとボート有無センサが検出した際には、風量が大きくなるようにし、第二載置台からボートが退避されたとボート有無センサが検出した際には、風量が小さくなるように制御してもよい。
Claims (1)
- 基板を基板保持具によって保持しつつ処理する処理室と、
前記基板を加熱する加熱手段と、
前記処理室に前記基板保持具を蓋体で保持しつつ搬入する搬送手段と、
前記蓋体とは異なる位置で前記処理室内にて前記加熱手段によって加熱された前記基板保持具を載置する載置台と、
前記蓋体と前記載置台との間で前記基板保持具を移動させる基板保持具移動手段と、
前記載置台に載置された基板保持具を冷却するように冷却ガスを供給する冷却ガス供給手段と、
前記載置台を冷却する載置台冷却手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2021009872A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
US11694907B2 (en) * | 2016-08-04 | 2023-07-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism |
KR20240115734A (ko) | 2023-01-19 | 2024-07-26 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338890A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2001338889A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
JP2002009000A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2002043398A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003007796A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003100730A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003109951A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
-
2006
- 2006-03-07 JP JP2006061165A patent/JP5027430B2/ja active Active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001338890A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2001338889A (ja) * | 2000-05-29 | 2001-12-07 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
JP2002009000A (ja) * | 2000-06-23 | 2002-01-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
JP2002043398A (ja) * | 2000-07-27 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
JP2003007796A (ja) * | 2001-06-19 | 2003-01-10 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003100730A (ja) * | 2001-09-27 | 2003-04-04 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置 |
JP2003109951A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11694907B2 (en) * | 2016-08-04 | 2023-07-04 | Kokusai Electric Corporation | Substrate processing apparatus, recording medium, and fluid circulation mechanism |
JP2021009872A (ja) * | 2019-06-28 | 2021-01-28 | 株式会社Kokusai Electric | 基板処理装置及び半導体装置の製造方法 |
KR20240115734A (ko) | 2023-01-19 | 2024-07-26 | 가부시키가이샤 코쿠사이 엘렉트릭 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램 |
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